KR20090090161A - 전기적 퓨즈 소자 - Google Patents

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KR20090090161A KR1020080015468A KR20080015468A KR20090090161A KR 20090090161 A KR20090090161 A KR 20090090161A KR 1020080015468 A KR1020080015468 A KR 1020080015468A KR 20080015468 A KR20080015468 A KR 20080015468A KR 20090090161 A KR20090090161 A KR 20090090161A
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삼성전자주식회사
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Abstract

전기적 퓨즈 소자에 관해 개시되어 있다. 본 발명의 전기적 퓨즈 소자는 서로 이격된 캐소드와 애노드, 및 상기 캐소드와 상기 애노드를 연결하는 퓨즈 링크를 구비하며, 상기 퓨즈 링크는 멀티 금속층 구조를 포함한다.

Description

전기적 퓨즈 소자{Electrical fuse device}
본 발명은 전기 소자에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 전기적 퓨즈 소자에 관한 것이다.
퓨즈 소자는 반도체 메모리나 로직 장치 등에서 결함 셀의 리페어(repair), 칩 ID(identification)의 저장 및 회로 맞춤화(circuit customization) 등을 위해 다양하게 사용된다. 예를 들어, 메모리 장치의 수많은 셀 중에서 불량 셀로 판명된 셀들은 퓨즈 소자에 의해 여분의 셀(redundancy cell)로 대체될 수 있다. 이에 따라, 일부 셀의 결함으로 인한 수율 저하 문제를 해결할 수 있다.
이러한 퓨즈 소자는 레이저 블로잉 타입(laser blowing type)과 전기 블로잉 타입(electrical blowing type)으로 구분될 수 있다. 레이저 블로잉 타입의 경우, 레이저빔으로 퓨즈 라인(fuse line)을 블로잉하는 방법을 사용한다. 그런데 특정 퓨즈 라인에 레이저빔을 조사할 때, 상기 특정 퓨즈 라인 주변의 퓨즈 라인 또는 그 밖의 다른 소자가 손상될 우려가 있다.
한편, 전기 블로잉 타입의 경우, 퓨즈 링크(fuse link)에 프로그래밍 전류를 흘려주어 EM(electromigration) 효과 및 주울 히팅(Joule heating)에 의해 상기 퓨 즈 링크를 블로잉하는 방법을 사용한다. 이러한 전기 블로잉 방식은 반도체 칩의 패키지 조립이 완료된 후에도 사용될 수 있는 방식으로, 이러한 방식을 채용하는 퓨즈 소자를 전기적 퓨즈 소자(electrical fuse device)라 한다.
종래의 전기 블로잉 타입의 퓨즈 소자는 실리콘 베이스(Si-based)의 퓨즈 링크를 갖는다. 그러나 반도체 소자의 고집적화 및 저전력화를 위해서는, 종래의 퓨즈 소자의 구성을 개선할 필요가 있다.
본 발명은 퓨즈 링크를 포함하는 전기적 퓨즈 소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 서로 이격된 캐소드와 애노드; 및 상기 캐소드와 상기 애노드를 연결하는 퓨즈 링크;를 구비하며, 상기 퓨즈 링크는 멀티 금속층 구조를 포함하는 전기적 퓨즈 소자를 제공한다.
상기 퓨즈 링크는, 제1 금속층; 및 상기 제1 금속층 상에 제2 금속층;을 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 금속층의 전기저항은 서로 다를 수 있다.
상기 제1 및 제2 금속층 중 전기저항이 낮은 층은 W층, Al층 및 Cu층 중 어느 하나일 수 있다.
상기 제1 및 제2 금속층 중 전기저항이 높은 층은 Ti층, TiN층 및 TaN층 중 어느 하나일 수 있다.
상기 캐소드 및 상기 애노드는 상기 퓨즈 링크와 동일한 적층 구조를 가질 수 있다.
상기 퓨즈 링크는 전기적 절단이 다른 영역보다 용이한 위크 포인트(weak point)를 가질 수 있다.
상기 위크 포인트는 상기 애노드보다 상기 캐소드에 가까울 수 있다.
상기 위크 포인트는 상기 퓨즈 링크의 다른 영역보다 좁은 폭을 갖는 영역일 수 있다.
상기 위크 포인트는 절곡 영역일 수 있다.
상기 캐소드 및 상기 애노드는 상기 캐소드에서 상기 퓨즈 링크로의 EM(electromigration)보다 상기 퓨즈 링크에서 상기 애노드로의 EM이 용이한 구조를 가질 수 있다.
상기 캐소드의 상기 퓨즈 링크 주변부는 상기 애노드를 향하여 확장될 수 있다.
상기 애노드는, 상기 퓨즈 링크에 접촉된 것으로 상기 퓨즈 링크에서 멀어질수록 폭이 넓어지는 제1 부분을 포함할 수 있다.
상기 애노드는 상기 제1 부분에서 연장된 제2 부분을 더 포함할 수 있다.
상기 애노드는 일정한 폭을 갖는 사각형일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 서로 이격된 캐소드와 애노드; 및 상기 캐소드와 상기 애노드를 연결하는 퓨즈 링크;를 구비하고, 상기 퓨즈 링크는 전기적 절단이 다른 영역보다 용이한 위크 포인트(weak point)를 가지며, 상기 위크 포인트는 상기 애노드보다 상기 캐소드에 가까운 전기적 퓨즈 소자를 제공한다.
상기 위크 포인트는 상기 퓨즈 링크의 다른 영역보다 좁은 폭을 갖는 영역일 수 있다.
상기 위크 포인트는 절곡 영역일 수 있다.
상기 캐소드 및 상기 애노드는 상기 캐소드에서 상기 퓨즈 링크로의 EM(electromigration)보다 상기 퓨즈 링크에서 상기 애노드로의 EM이 용이한 구조를 가질 수 있다.
상기 캐소드의 상기 퓨즈 링크 주변부는 상기 애노드를 향하여 확장될 수 있다.
상기 애노드는, 상기 퓨즈 링크에 접촉된 것으로 상기 퓨즈 링크에서 멀어질수록 폭이 넓어지는 제1 부분을 포함할 수 있다.
상기 애노드는 상기 제1 부분에서 연장된 제2 부분을 더 포함할 수 있다.
상기 애노드는 일정한 폭을 갖는 사각형일 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 전기적 퓨즈 소자를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 다소 과장되게 도시된 것이다. 상세한 설명 전체에 걸쳐 동일한 참조번호는 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기적 퓨즈 소자의 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 I-I'선에 따른 단면도이다.
도 1a를 참조하면, 캐소드(cathode)(100)와 애노드(anode)(200)가 서로 이격되어 있고, 캐소드(100)와 애노드(200) 사이에 그들(100, 200)을 연결하는 퓨즈 링크(150)가 구비되어 있다. 캐소드(100) 및 애노드(200)는 사각형일 수 있고, 캐소드(100)의 폭(W1)은 애노드(200)의 폭(W2)보다 클 수 있다. 캐소드(100) 및 애노드(200)의 형태는 다양하게 변화될 수 있고, 그들(100, 200)의 크기 및 크기 비(ratio)도 달라질 수 있다. 퓨즈 링크(150)는 캐소드(100) 및 애노드(200)에 비해 상대적으로 매우 좁은 폭을 갖는다. 예컨대, 퓨즈 링크(150)는 수십nm 내지 수 백nm의 폭, 및 수십nm 내지 수㎛의 길이를 가질 수 있다. 좁은 폭을 갖는 퓨즈 링크(150)를 통해 임계 전류 이상의 전류가 흐를 때, EM(electromigration) 및 주울 히팅(Joule heating) 등에 의해 퓨즈 링크(150)의 소정 영역이 블로잉(blowing), 즉, 끊어질 수 있다. 퓨즈 링크(150)의 폭이 작고 퓨즈 링크(150)의 길이가 길수록 퓨즈 링크(150)가 잘 끊어질 수 있다.
도 1b를 참조하면, 퓨즈 링크(150)는 멀티 금속층 구조를 가질 수 있다. 보다 자세히 설명하면, 퓨즈 링크(150)는 기판(미도시) 상에 차례로 적층된 하부금속층(L1)과 상부금속층(L2)을 포함할 수 있는데, 상부금속층(L2)의 전기저항은 하부금속층(L1)의 전기저항보다 낮은 것이 바람직하다. 하부금속층(L1)으로는 Ti층, TiN층 및 TaN층 중 하나를, 상부금속층(L2)으로는 W층, Al층 및 Cu층 중 하나를 사용할 수 있다. 예컨대, 상부금속층(L2)/하부금속층(L1)의 구성으로 W층/TiN층, Al층/Ti층 및 Cu층/TaN층 중 어느 하나를 사용할 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 하부금속층(L1)과 상부금속층(L2)의 물질은 다양하게 변경될 수 있다. 또한 도시하지는 않았지만, 하부금속층(L1) 하면에 소정의 씨드층(seed layer)이 더 구비될 수 있다. 예컨대, 퓨즈 링크(150)가 W층/TiN층 구조를 갖는 경우에는, 상기 씨드층으로 Ti층을 사용할 수 있다. 한편, 캐소드(100) 및 애노드(200)는 퓨즈 링크(150)와 동일한 적층 구조를 가질 수 있다. 이러한 멀티 금속층 구조를 갖는 퓨즈 소자는 셀 영역의 금속 게이트 또는 금속 배선을 형성할 때 함께 형성하기 용이하며, 기존의 반도체 소자 제조 공정을 활용하여 형성될 수 있다.
도 1a 및 도 1b에 도시하지는 않았지만, 캐소드(100) 또는 애노드(200)는 소 정의 감지 회로(sense circuit) 및 프로그래밍 트랜지스터에 연결될 수 있다. 상기 감지 회로 및 프로그래밍 트랜지스터에 대해서는 잘 알려진 바, 그들에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 퓨즈 소자의 블로잉 과정을 보여주는 도면이다.
도 2의 (A)를 참조하면, 애노드(200)에서 캐소드(100)로 전류를 인가하면 캐소드(100)에서 애노드(200)로 전자(e)들이 이동한다. 이때, 상부금속층(L2)의 전기저항이 하부금속층(L1)의 전기저항보다 낮기 때문에, 전자(e)들은 주로 상부금속층(L2)을 통해 이동한다.
상기 전자(e)들에 의해 상부금속층(L2)에서 EM(electromigration) 및 주울 히팅(Joule heating)이 발생하고, 이로 인해, 도 2의 (B)에 도시된 바와 같이, 퓨즈 링크(150)의 상부금속층(L2)의 소정 영역이 절단되는 현상이 발생한다. 따라서 (B) 단계에서 전자(e)들은 상부금속층(L2)의 절단부(10) 아래의 하부금속층(L1)을 경유하여 흐르고, 이러한 전자(e)들의 흐름에 의해 절단부(10)의 길이는 증가할 수 있다. 그 결과가 도 2의 (C)에 도시되어 있다. 이와 같이, 하부금속층(L1)을 경유하여 흐르는 전자(e)들에 의해 상부금속층(L2)이 보다 확실하게 끊어질 수 있다. 만약 도 2의 (B) 단계에서 절단부(10) 내에 상부금속층(L2)의 일부가 잔류된 경우에도, 하부금속층(L1)을 경유하여 흐르는 전자(e)들에 의해 상기 잔류된 상부금속층(L2)의 EM(electromigration)이 진행되어, 절단부(10) 내에 상부금속층(L2)이 잔류되는 문제가 방지될 수 있다. 도 2의 (C)는 프로그램이 완료된 퓨즈 소자의 상태 를 보여준다. 도시하지는 않았지만, 도 2의 (C) 단계에서 하부금속층(L1)이 추가로 끊어질 수도 있다.
상부금속층(L2)으로 W층을 사용하는 경우, 상부금속층(L2)을 절단하기 위한 프로그래밍 전류가 10mA 이하로 현저히 낮기 때문에, 캐소드(100) 또는 애노드(200)에 연결되는 프로그래밍 트랜지스터를 작게 만들 수 있다. 따라서 1 비트(bit)에 대응하는 단위 퓨즈 소자의 면적을 줄일 수 있고, 반도체 장치의 집적도를 향상시킬 수 있다. 한편, 상부금속층(L2)으로 Al층이나 Cu층을 사용하는 경우, 상부금속층(L2)으로 W층을 사용하는 경우에 비해 높은 프로그래밍 전류가 요구될 수 있는데, 이는 Al층이나 Cu층의 전기저항이 W층의 전기저항보다 낮아 절단을 위해 높은 밀도의 전류가 요구되기 때문이다.
도 1b와 같이 상부금속층(L2)이 끊어지지 않은 상태에서 측정된 퓨즈 소자의 저항(이하, 제1 저항)과 도 2의 (C)와 같이 상부금속층(L2)이 끊어진 상태에서 측정된 퓨즈 소자의 저항(이하, 제2 저항)은 감지 회로에 의해 검출될 수 있다. 상기 제1 및 제2 저항의 차이가 클 경우, 상기 감지 회로의 구성은 단순해질 수 있고, 결과적으로 상기 단위 퓨즈 소자의 면적은 더욱 감소될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 퓨즈 소자의 평면도이다. 도 3의 퓨즈 소자는 도 1a에서 변형된 것이다.
도 3을 참조하면, 퓨즈 링크(150a)는 위크 포인트(weak point)(WP)를 갖는다. 위크 포인트(WP)는 퓨즈 링크(150a)의 다른 영역보다 상대적으로 폭이 좁은 영역일 수 있다. 위크 포인트(WP)는 퓨즈 링크(150a)의 양측면에 형성된 두 개의 노 치(notch)(n1, n2)에 의해 만들어질 수 있다. 두 개의 노치(n1, n2)는 동일축 상에 형성될 수 있다. 노치(n1, n2)는 V자형으로 도시되어 있지만, 그 형태는 다른 형태, 예컨대, U자형으로 바뀔 수도 있다. 이러한 위크 포인트(WP)는 OPC(optical proximity correction) 원리를 이용한 리소그라피(lithography) 방법으로 형성될 수 있고, 그 밖의 다른 방법으로도 형성될 수 있다. 위크 포인트(WP)에서는 전류 밀도가 상대적으로 높기 때문에 전기적 절단, 즉, 전기적 블로잉이 쉽게 발생할 수 있다. 위크 포인프(WP)의 위치는 애노드(200)보다 캐소드(100)에 가까운 것이 바람직하다. 그 이유는 캐소드(100)에 가까운 퓨즈 링크(150a) 부분에서 큰 와전류(eddy current)가 발생하므로, 위크 포인트(WP)가 캐소드(100)에 가까이 위치할 때, 보다 용이하게 끊어질 수 있기 때문이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 퓨즈 소자의 평면도이다. 도 4의 퓨즈 소자와 도 3의 퓨즈 소자의 차이는 애노드의 형상에 있다.
도 4를 참조하면, 애노드(200a)는 퓨즈 링크(150a)에 접촉된 제1 부분(a1)과 제1 부분(a1)에서 연장된 제2 부분(a2)을 포함할 수 있다. 제1 부분(a1)의 폭은 퓨즈 링크(150a)에서 멀어질수록 점진적으로 증가할 수 있고, 제2 부분(a2)의 폭은 균일할 수 있다. 퓨즈 링크(150a)에 접하는 지점에서 제1 부분(a1)은 퓨즈 링크(150a)와 동일한 폭을 갖는 것이 바람직하다. 이와 같이, 제1 부분(a1)은 퓨즈 링크(150a)로부터 멀어질수록 점진적으로 넓어지기 때문에, 퓨즈 링크(150a)에서 제1 부분(a1)으로 흐르는 전류의 밀도는 점진적으로 변화될 수 있다. 따라서 퓨즈 링크(150a)에서 애노드(200a)로의 EM(electromigration)이 용이할 수 있다. 한편, 캐소드(100)의 경우, 캐소드(100)에서 퓨즈 링크(150a)로의 EM(electromigration)이 용이하지 않은 구조를 갖는 것이 바람직하다. 즉, 캐소드(100)는 캐소드(100)와 퓨즈 링크(150a) 사이에 급격한 전류 밀도 변화를 유도할 수 있는 구조를 갖는 것이 바람직하다. 다시 말해, 퓨즈 링크(150a)와 캐소드(100) 사이의 폭의 변화는 급격한 것이 바람직하다. 이와 같이, 퓨즈 링크(150a)와 캐소드(100) 사이의 폭의 변화량은 급격하고, 퓨즈 링크(150a)와 애노드(200) 사이의 폭의 변화량은 점진적일 때, 캐소드(100)에서 퓨즈 링크(150a)로의 EM(electromigration)은 용이하지 않고, 퓨즈 링크(150a)에서 애노드(200a)로의 EM(electromigration)은 용이하므로, 퓨즈 링크(150a)가 보다 잘 절단될 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 퓨즈 소자의 평면도이다. 도 5의 퓨즈 소자와 도 4의 퓨즈 소자의 차이는 캐소드의 형상에 있다.
도 5를 참조하면, 캐소드(100a)는 일정한 폭을 갖는 사각형인 제1 부분(c1)을 포함할 수 있고, 퓨즈 링크(150a)는 제1 부분(c1)의 제1 측면(s1)의 중앙부에 접촉될 수 있다. 캐소드(100a)는 퓨즈 링크(150a) 양측의 제1 측면(s1)에서 애노드(200)를 향하여 확장된 제2 부분(c2)을 더 포함할 수 있다. 제2 부분(c2)은 삼각형일 수 있지만, 그 형태는 달라질 수 있다. 이렇게 캐소드(100a)가 제2 부분(c2)을 더 포함하는 경우, 캐소드(100a)와 퓨즈 링크(150a) 사이에서 전류 밀도는 더욱 급격하게 변화될 수 있다.
도 3 내지 도 5에 도시한 평면 구조를 갖는 퓨즈 소자는 도 1b의 단면 구조를 가질 수 있다. 그러나 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 퓨즈 소자는 평면적으 로 도 3 내지 도 5의 구조를 갖고, 단면적으로는 종래의 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 도 3 내지 도 5에 도시한 평면 구조의 특성에 의해서, 퓨즈 소자의 성능이 종래보다 개선될 수 있다.
또한, 도 3 내지 도 5에 도시한 위크 포인트(WP)는 일례에 불과하다. 도 3 내지 도 5의 위크 포인트(WP)의 형태는 예를 들어 도 6 및 도 7과 같이 변화될 수 있다.
도 6을 참조하면, 서로 어긋나게 형성된, 즉, 서로 이격된 다른 축 상에 형성된 두 개의 노치(notch)(n1', n2')에 의해 위크 포인트(WP')가 형성된다.
도 7을 참조하면, 퓨즈 링크(150a)에 절곡된 영역이 존재하는데, 이러한 절곡된 영역이 위크 포인트(WP")이다. 퓨즈 링크(150a)의 폭은 전체적으로 동일할 수 있지만, 위크 포인트(WP")에서 국부적으로 좁아질 수도 있다. 절곡된 영역의 모서리에 전류가 집중되기 때문에, 절곡된 영역에서 전기적 절단이 쉽게 발생할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 퓨즈 소자는 복수 개로 배열되어 이차원 어레이(array) 구조를 가질 수 있고, 반도체 메모리 장치, 로직 장치, 마이크로프로세서(microprocessor), FPGA(field programmable gate array) 및 그 밖의 VLSI(very large scale integration) 회로 등에 다양한 목적으로 적용될 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예 들 들어, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 도 1a, 도 1b, 도 3 내지 도 7의 퓨즈 소자의 구조 및 구성요소는 변경 및 다양화될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 일례로, 하부금속층(L1)과 상부금속층(L2)의 위치는 서로 바뀔 수 있고, 캐소드(100, 100a)와 애노드(200, 200a)는 유사한 크기를 가질 수 있으며, 캐소드(100, 100a), 애노드(200, 200a) 및 퓨즈 링크(150, 150a)의 형태는 다양하게 변형될 수 있다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기적 퓨즈 소자를 보여주는 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 I-I'선에 따른 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 퓨즈 소자의 블로잉 과정을 보여주는 단면도이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 전기적 퓨즈 소자를 보여주는 평면도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 전기적 퓨즈 소자에 구비되는 퓨즈 링크를 보여주는 평면도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10 : 절단부 100, 100a : 캐소드
150, 150a : 퓨즈 링크 200, 200a : 애노드
a1 : 애노드의 제1 부분 a2 : 애노드의 제2 부분
c1 : 캐소드의 제1 부분 c2 : 캐소드의 제2 부분
e : 전자 L1 : 하부금속층
L2 : 상부금속층 n1, n1', n2, n2' : 노치(notch)
s1 : 제1 측면 WP, WP', WP" : 위크 포인트(weak point)

Claims (22)

  1. 서로 이격된 캐소드와 애노드; 및
    상기 캐소드와 상기 애노드를 연결하는 퓨즈 링크;를 구비하며,
    상기 퓨즈 링크는 멀티 금속층 구조를 포함하는 전기적 퓨즈 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 퓨즈 링크는,
    제1 금속층; 및
    상기 제1 금속층 상에 제2 금속층;을 포함하며,
    상기 제1 및 제2 금속층의 전기저항은 서로 다른 전기적 퓨즈 소자.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속층 중 전기저항이 낮은 층은 W층, Al층 및 Cu층 중 어느 하나인 전기적 퓨즈 소자.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속층 중 전기저항이 높은 층은 Ti층, TiN층 및 TaN층 중 어느 하나인 전기적 퓨즈 소자.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 캐소드 및 상기 애노드는 상기 퓨즈 링크와 동일한 적층 구조를 갖는 전기적 퓨즈 소자.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 퓨즈 링크는 전기적 절단이 다른 영역보다 용이한 위크 포인트(weak point)를 갖는 전기적 퓨즈 소자.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 위크 포인트는 상기 애노드보다 상기 캐소드에 가까운 전기적 퓨즈 소자.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 위크 포인트는 상기 퓨즈 링크의 다른 영역보다 좁은 폭을 갖는 영역인 전기적 퓨즈 소자.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 위크 포인트는 절곡 영역인 전기적 퓨즈 소자.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 캐소드 및 상기 애노드는 상기 캐소드에서 상기 퓨즈 링크로의 EM(electromigration)보다 상기 퓨즈 링크에서 상기 애노드로의 EM이 용이한 구조를 갖는 전기적 퓨즈 소자.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 캐소드의 상기 퓨즈 링크 주변부는 상기 애노드를 향하여 확장된 전기적 퓨즈 소자.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 애노드는,
    상기 퓨즈 링크에 접촉된 것으로 상기 퓨즈 링크에서 멀어질수록 폭이 넓어 지는 제1 부분을 포함하는 전기적 퓨즈 소자.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 애노드는 상기 제1 부분에서 연장된 제2 부분을 더 포함하는 전기적 퓨즈 소자.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 애노드는 일정한 폭을 갖는 사각형인 전기적 퓨즈 소자.
  15. 서로 이격된 캐소드와 애노드; 및
    상기 캐소드와 상기 애노드를 연결하는 퓨즈 링크;를 구비하고,
    상기 퓨즈 링크는 전기적 절단이 다른 영역보다 용이한 위크 포인트(weak point)를 가지며, 상기 위크 포인트는 상기 애노드보다 상기 캐소드에 가까운 전기적 퓨즈 소자.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 위크 포인트는 상기 퓨즈 링크의 다른 영역보다 좁은 폭을 갖는 영역인 전기적 퓨즈 소자.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 위크 포인트는 절곡 영역인 전기적 퓨즈 소자.
  18. 제 15 항에 있어서, 상기 캐소드 및 상기 애노드는 상기 캐소드에서 상기 퓨 즈 링크로의 EM(electromigration)보다 상기 퓨즈 링크에서 상기 애노드로의 EM이 용이한 구조를 갖는 전기적 퓨즈 소자.
  19. 제 15 항에 있어서, 상기 캐소드의 상기 퓨즈 링크 주변부는 상기 애노드를 향하여 확장된 전기적 퓨즈 소자.
  20. 제 15 항에 있어서, 상기 애노드는,
    상기 퓨즈 링크에 접촉된 것으로 상기 퓨즈 링크에서 멀어질수록 폭이 넓어지는 제1 부분을 포함하는 전기적 퓨즈 소자.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 애노드는 상기 제1 부분에서 연장된 제2 부분을 더 포함하는 전기적 퓨즈 소자.
  22. 제 15 항에 있어서, 상기 애노드는 일정한 폭을 갖는 사각형인 전기적 퓨즈 소자.
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