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TECHNISCHES GEBIET
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Die
vorliegende Erfindung betrifft den Chip-Kaltleiter, der ein leitendes
Polymer mit einem positiven Temperaturkoeffizienten verwendet, (hierin im
Folgenden als "PTC" bezeichnet), und
Verfahren zum Herstellen desselben.
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STAND DER TECHNIK
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Kaltleiter
wurden als die Komponenten zum Schutz einer Vorrichtung gegen einen Überstrom
verwendet. Einem Überstrom
in einer elektrischen Schaltung ausgesetzt zu sein verursacht, dass
sich das leitende Polymer mit den PTC-Leistungsmerkmalen, das in
einem Kaltleiter verwendet wird, aufheizt und durch Selbsterwärmung ausdehnt.
Die thermische Ausdehnung erhöht
den Widerstand der leitenden Polymerplatte in dem Kaltleiter und
reduziert somit den Strom auf einen sichereren Pegel.
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Ein
herkömmlicher
Chip-Kaltleiter wird im Folgenden beschrieben.
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Eine
bekannter Chip-Kaltleiter wird in der offengelegten
japanischen Patentanmeldung Nr. H9-503097 und
in der gleichwertigen PCT-Veröffentlichung
WO 95/08178 offenbart. Der
Chip-Kaltleiter ist aus einem Widerstandsmaterial mit PTC-Leistungsmerkmalen
ausgebildet, wobei der Chip-Thermistor eine erste Fläche und
eine zweite Fläche
aufweist. Der Chip-Thermistor umfasst ein PTC-Widerstandselement,
das einen Raum zwischen der ersten Fläche und der zweiten Fläche spezifiziert,
ein seitliches leitendes Element, das in dem Raum durch die erste
Fläche
und die zweite Fläche
des PTC-Elements
bereitgestellt wird, wobei das leitende Element an dem PTC-Element
befestigt ist, und ein erstes geschichtetes leitendes Element, das
physisch und elektrisch mit dem seitlichen leitenden Element verbunden
ist.
14A zeigt eine Querschnittsansicht des
herkömmlichen
Chip-Kaltleiters,
14B ist die Draufsicht.
In
14A und B ist ein Widerstandskörper
61 aus
einem leitenden Polymer ausgebildet, das die PTC-Leistungsmerkmale
aufweist, die Elektroden
62a,
62b,
62c,
62d sind
aus einer Metallfolie ausgebildet, leitende Elemente
64a,
64b sind
in den Öffnungen
63a,
63b durch
galvanisches Beschichten ausgebildet und koppeln elektrisch jeweils
die Elektrode
62a mit
62d und die Elektrode
62b mit
62c.
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Ein
Verfahren zum Herstellen des herkömmlichen Chip-Kaltleiters wird
im Folgenden beschrieben. 15A-15D und 16A-16C veranschaulichen die Prozessschritte zum Herstellen des
herkömmlichen
Chip-Kaltleiters.
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Polyethylen
und leitende Kohlenstoff-Partikel werden gemischt, um eine in 15A gezeigte Platte 71 auszubilden. Die
Platte 71 ist zwischen zwei Platten aus einer Metallfolie 72 angeordnet,
wie in 15B gezeigt, und diese werden
zusammen warmverpresst, um in eine Platte 72 integriert
zu werden, wie in 15C gezeigt. Nachdem sie einer
Bestrahlung durch einen Elektronenstrahl unterzogen worden ist,
wird die integrierte Platte 73 mit vier Durchbrechungen 74 in
einer regelmäßigen Bemusterungsanordnung
versehen, wie in 15D gezeigt, und dann wird eine
Metallfolie 75 durch galvanisches Beschichten ausgebildet,
um die Innenfläche
der Durchbrechung 74 und die Metallfolie 72 zu
bedecken, wie in 16A gezeigt. Dann, wie in 16B gezeigt, wird ein geätzter Schlitz 76 in
der Metallfolie durch einen fotolithografischen Prozess ausgebildet. Und
danach wird sie entlang einer Längsschnittlinie 77 und
einer seitlichen Schnittlinie 78 abgeschnitten, um in stückweise
Chips getrennt zu werden, um den herkömmlichen Chip-Kaltleiter 79 zu
erhalten, wie in 16C gezeigt.
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In
dem herkömmlichen
Chip-Kaltleiter mit der oben genannten Konfiguration sind jedoch
die zwei Elektroden 62a und 62b oder 62 und 62d,
die mit einer gedruckten Schaltung zu verbinden sind, wenn die Chip-Thermistoren
darauf befestigt sind, nur auf einer Fläche des Chip-Thermistors angeordnet
(siehe 14(a)). Als Ergebnis dessen,
wenn die Chip-Thermistoren auf einer gedruckten Schaltung angebracht
und durch Reflow-Löten
befestigt werden, sind die durch das Löten ausgebildeten Löt-Kehlnähte von
oben nicht sichtbar, weil sie durch die Chip-Thermistoren abgeschattet
sind. Daher ist es schwierig, sich über den Zustand der Lötstelle durch
visuelle Prüfung
des gelöteten
Abschnitts zu vergewissern. Des Weiteren, weil die Elektroden der Chip-Thermistoren
nicht an ihren Seiten angeordnet sind, ist der Schwalllötprozess
nicht anwendbar.
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Des
Weiteren ist bei dem oben beschriebenen herkömmlichen Herstellungsverfahren
eine Verschiebung der Schnittlinien in Bezug auf die Position der
Durchbrechung nicht vermeidbar wegen Dispersionen in der Genauigkeit
der Plattenfluchtungs- und Schneidevorgänge. Dies führt leicht zu einer Abweichung
in dem Bereich der Kopplung zwischen dem leitenden Element, das
in der Durchbrechung ausgebildet ist, und der oberen/unteren Elektroden. 17A zeigt einen Zustand, in dem keine Verschiebung
zwischen der Durchbrechung und der Schnittlinie vorhanden ist, wogegen 17B einen Zustand zeigt, in dem eine Verschiebung
vorhanden ist. In 17A und 17B bezeichnet
das Bezugszeichen 81 eine Durchbrechung, 82 ist
eine Schnittlinie, 83 ist eine Elektrode, 84 ist
ein geätzter
Schlitz. In einem Fall, in dem ein Teil einer Durchbrechung 81 von den
Durchbrechungen, die zu beiden Seiten einer Schnittlinie positioniert
sind, als Ergebnis der oben beschriebenen Verschiebung angeschnitten
wird, wie in 17B gezeigt, verkleinert sich
ein Bereich an einem Kontaktabschnitt 85, der einen Kontakt
zwischen dem leitenden Element, das in der Durchbrechung angeordnet
ist, und den oberen/unteren Elektroden herstellt, im Vergleich mit
einem Fall, in dem eine solche Verschiebung nicht vorhanden ist.
Der Fall, der durch eine verschobene Schnittlinie verursacht wird,
ist in 17C veranschaulicht. Ein Problem
mit dem reduzierten Kontaktbereich zwischen dem leitenden Element
und den oberen/unteren Elektroden besteht darin, dass die Verbindung
zwischen dem leitenden Element und den oberen/unteren Elektroden
aufgrund einer Belastung, die auf sie durch wiederholte Ausdehnung
und Schrumpfung des leitenden Polymers verursacht wird, leicht Risse erhält.
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Die
vorliegende Erfindung beschäftigt
sich mit den oben genannten Problemen und hat das Ziel, einen Chip-Kaltleiter
sowie ein Verfahren zum Herstellen desselben bereitzustellen, bei
dem der gelöteten
Abschnitt problemlos visuell geprüft werden kann, nachdem die
Chip-Thermistoren auf einer gedruckten Schaltung befestigt sind,
und der Chip-Kaltleiter
durch Schwalllöten
angelötet
werden kann; des Weiteren weist die Kopplung zwischen dem leitenden Element
und den Elektroden nur eine kleine Dispersion in der Verbindungskraft
gegenüber
der Belastung auf, die als Ergebnis der Ausdehnung und Schrumpfung
des leitenden Polymers verursacht wird.
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Dies
wird durch die Merkmale erreicht, wie sie in den Nebenansprüchen dargelegt
sind. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung werden in den Unteransprüchen dargelegt.
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Ein
Chip-Kaltleiter umfasst:
ein würfelförmiges leitendes Polymer, das
die PTC-Leistungsmerkmale aufweist;
eine erste Hauptelektrode,
die auf einer ersten Fläche
des leitenden Polymers angeordnet ist;
eine erste Unterelektrode,
die auf der gleichen Fläche
wie die Hauptelektrode angeordnet ist, wobei sie jedoch von der
ersten Hauptelektrode unabhängig ist;
eine
zweite Hauptelektrode, die auf einer zweiten Fläche angeordnet ist, die der
ersten Fläche
des leitenden Polymers gegenüber
liegt;
eine zweite Unterelektrode, die auf der gleichen Fläche wie
die zweite Hauptelektrode angeordnet ist, wobei sie jedoch von der
zweiten Hauptelektrode unabhängig
ist;
eine erste Seitenelektrode, die so angeordnet ist, dass
sie wenigstens die gesamte Fläche
von einer der Seitenflächen
des leitenden Polymers bedeckt, wobei diese Seitenelektrode mit
der ersten Hauptelektrode und der zweiten Unterelektrode elektrisch verbunden
ist; und
eine zweite Seitenelektrode, die so angeordnet ist, dass
sie wenigstens die gesamte Fläche
der anderen Seitenfläche,
die der einen Seitenfläche
des leitenden Polymers gegenüber
liegt, bedeckt, wobei diese Seitenelektrode mit der ersten Unterelektrode
und der zweiten Hauptelektrode elektrisch verbunden ist.
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In
einem Verfahren zum Herstellen des Chip-Kaltleiters wird ein leitendes
Polymer mit den PTC-Leistungsmerkmalen zwischen einer darüber und
darunter liegenden bemusterten Metallfolie angeordnet, und diese
werden durch Warmverpressen in eine Plattenform integriert, die
integrierte Platte wird mit Öffnungen
versehen, die integrierte Platte, die die Öffnungen aufweist, wird auf
der oberen und der unteren Fläche
mit einem Schutzüberzug überzogen,
eine Seitenelektrode wird an der Seite der Platte ausgebildet wird,
die den Schutzüberzug
und die Öffnungen
aufweist, und die Platte, die mit den Seitenelektroden und den Öffnungen
versehen ist, wird in Stücke
unterteilt.
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Mit
den wie oben konfigurierten Chip-Kaltleitern kann eine Löt-Kehlnaht
an der Seite der Thermistor-Chips ausgebildet werden, die auf einer
gedruckten Schaltung befestigt sind, weil die Seitenelektrode so
bereitgestellt ist, dass sie wenigstens die gesamte Fläche der
zwei Seitenflächen
des leitenden Polymers bedeckt. Somit bietet der Chip-Kaltleiter
insofern einen Vorteil, als der Zustand der Lötstelle der gelöteten Abschnitte
problemlos durch visuelle Prüfung
bestätigt
werden kann, nachdem die Chip-Thermistoren auf einer gedruckten
Schaltung angebracht worden sind. Ein weiterer Vorteil der Chip-Kaltleiter
ist, dass sie in einem Schwalllötprozess
verwendet werden können.
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In
einem Verfahren zum Herstellen der Chip-Kaltleiter, in dem das leitende
Polymer, das die PTC-Leistungsmerkmale aufweist, und die bemusterten
Metallfolien warmverpresst werden, um in eine Plattenform integriert
zu werden, und die Platte mit Öffnungen
versehen wird, und dann die Seitenelektrode durch galvanisches Beschichten
oder andere Mittel darauf ausgebildet wird, verändert sich die Form der Endflächen der Öffnungen
nicht, selbst wenn es eine leichte Verschiebung in der Position
der Öffnung
relativ zu der Bemusterung der Metallfolie aufgrund einer Genauigkeitstoleranz
während
des Prozesses zum Ausbilden der Öffnungen
gab; die Form bleibt geradlinig.
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Daher
weist die Seitenelektrode, die an der Endfläche durch galvanisches Beschichten
oder ein ähnliches
Verfahren ausgebildet wird, immer einen gewissen stabilen Verbindungsbereich
mit der ersten und der zweiten Hauptelektrode auf; somit weist die Kopplungskraft
an dem Verbindungsbereich zwischen der Seitenelektrode und der ersten
oder der zweiten Hauptelektrode gegenüber einer Belastung aufgrund
der Ausdehnung und Schrumpfung des leitenden Polymers nur eine kleine
Dispersion auf.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1A ist
eine Perspektivansicht eines Chip-Kaltleiters in Übereinstimmung
mit einer ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung.
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1B ist
eine Schnittansicht des Chip-Kaltleiters entlang der Linie 200-200
von 1A.
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1C ist
eine Schnittansicht des Chip-Kaltleiters, der auf einer gedruckten
Schaltung angebracht ist.
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2A-2C veranschaulichen
einen Prozess zum Herstellen des Chip-Kaltleiters von Ausführungsform
1.
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3(a)-(e) veranschaulichen einen Prozess
zum Herstellen des Chip-Kaltleiters von Ausführungsform 1.
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4A und 4B zeigen
Beispiele einer Streifenform und einer Kammform.
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5 ist
eine Schnittansicht eines Chip-Kaltleiters in Übereinstimmung mit einer zweiten
beispielhaften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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6A-6C veranschaulichen
einen Prozess zum Herstellen des Chip-Kaltleiters von Ausführungsform
2.
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7 veranschaulicht
einen Prozess zum Herstellen des Chip-Kaltleiters von Ausführungsform 2.
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8 ist
eine Schnittansicht eines Chip-Kaltleiters in Übereinstimmung mit einer dritten
beispielhaften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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9A-9D veranschaulichen
einen Prozess zum Herstellen des Chip-Kaltleiters von Ausführungsform
3.
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10A und 10B veranschaulichen
einen Prozess zum Herstellen des Chip-Kaltleiters von Ausführungsform
3.
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11 ist
eine Schnittansicht eines Chip-Kaltleiters in Übereinstimmung mit einer vierten beispielhaften
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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12A-12C veranschaulichen einen Prozess
zum Herstellen des Chip-Kaltleiters von Ausführungsform 4.
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13A-13C veranschaulichen einen Prozess
zum Herstellen des Chip-Kaltleiters von Ausführungsform 4,
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14(a) ist eine Schnittansicht eines Chip-Kaltleiters
des bisherigen Stands der Technik.
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14(b) ist eine Draufsicht des Chip-Kaltleiters
des bisherigen Stands der Technik.
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15A-15D veranschaulichen einen Prozess
zum Herstellen des herkömmlichen Chip-Kaltleiters.
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16A-16C veranschaulichen einen Prozess
zum Herstellen des Chip-Kaltleiters des bisherigen Stands der Technik.
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17A-17C veranschaulichen die Position
der Durchbrechungen relativ zur Schnittlinie in dem Chip-Kaltleiter
des bisherigen Stands der Technik.
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BESTER AUSFÜHRUNGSMODUS
DER ERFINDUNG
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(Ausführungsform
1)
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Ein
Chip-Kaltleiter in einer ersten beispielhaften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen
beschrieben.
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1A ist
eine Perspektivansicht des Chip-Kaltleiters in der ersten beispielhaften
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. 1B ist eine
Schnittansicht entlang der Linie A-A von 1.
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In 1A und 1B besteht
ein würfelförmiges leitendes
Polymer 11, das die PTC-Leistungsmerkmale
aufweist, aus einer Verbundmischung aus hochdichtem Polyethylen, d.h.
einem kristallinen Polymer, und Kohlenschwarz (Carbon Black), d.h.
leitenden Partikeln.
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Die
erste Hauptelektrode 12a ist auf einer ersten Fläche des
leitenden Polymers 11 angeordnet. Die erste Unterelektrode 12b ist
auf der gleichen Fläche
wie die erste Hauptelektrode 12a angeordnet, ist von der
ersten Hauptelektrode 12a jedoch unabhängig.
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Die
zweite Hauptelektrode 12c ist auf einer zweiten Fläche angeordnet,
die der ersten Fläche des
leitenden Polymers 11 gegenüber liegt. Die zweite Unterelektrode 12d ist
auf der gleichen Fläche
wie die zweite Hauptelektrode 12c angeordnet, ist von der
zweiten Hauptelektrode 12c jedoch unabhängig.
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Jede
dieser Haupt- und Unterelektroden besteht aus einer elektrolytischen
Kupferfolie.
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Die
erste Seitenelektrode 13a wird aus einer galvanischen Nickelbeschichtung
ausgebildet, die die gesamte Fläche
von einem der Seitenenden des leitenden Polymers 11 bedeckt,
und ist elektrisch mit der ersten Hauptelektrode 12a und
der zweiten Unterelektrode 12d verbunden.
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Die
zweite Seitenelektrode 13b wird aus einer galvanischen
Nickelbeschichtung ausgebildet, die die gesamte Fläche des
anderen Seitenendes, das der ersten Seitenelektrode 13a des
leitenden Polymers 11 gegenüber liegt, bedeckt, und ist
elektrisch mit der zweiten Hauptelektrode 12c und der ersten Unterelektrode 12b verbunden.
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Die
erste und die zweite Schutzschicht 14a, 14b sind
aus einem epoxymodifizierten Acrylharz ausgebildet.
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Wenn
eine Seitenelektrode durch galvanisches Beschichten ausgebildet
wird, besteht die Möglichkeit,
da die Haftfähigkeit
zwischen dem leitenden Polymer und einer galvanisch beschichteten Schicht
nicht ausreichend stark ist, dass sich die Seitenelektrode von dem
leitenden Polymer ablöst.
Somit wird von der Unterelektrode zusammen mit der Hauptelektrode
erwartet, dass sie als der stützende Körper für die galvanisch
beschichtete Seitenelektrode arbeiten, um eine gute Haftung der
Seitenelektrode auf dem leitenden Polymer sicherzustellen.
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Als
Nächstes
wird ein Verfahren zum Herstellen eines Chip-Kaltleiters in einer
ersten beispielhaften Ausführungsform,
die wie vorgenannt konfiguriert ist, unter Bezugnahme auf die Zeichnungen
beschrieben.
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2A-2C und 3(a)-(e) veranschaulichen den Prozess
eines Verfahrens zum Herstellen des Chip-Kaltleiters in Übereinstimmung
mit Ausführungsform
1.
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Zuerst
werden 49 Massenanteile eines hochdichten Polyethylens mit einer
Kristallinität
von 70-90%, 50 Massenanteile von Ofenruß mit einem durchschnittlichen
Partikeldurchmesser von 58 nm und einem spezifischen Oberflächenbereich
von 38 m2/g und ein Massenanteil eines Antioxidationsmittels
gemischt und 20 Minuten lang unter Verwendung von zwei auf ungefähr 150 °C erhitzten
Mischwalzen geknetet, um eine leitende Polymerplatte 21 mit
einer Dicke von ungefähr
0,3 mm herzustellen, wie in 2A gezeigt.
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Dann,
wie in 2B gezeigt, wird eine elektrolytische
Kupferfolie so bemustert, dass sie kammförmige Schlitze aufweist, wobei
eine Warmpresse (die press) verwendet wird, um die Elektrode 22 bereitzustellen.
Ein Schlitz 26 wird hergestellt, um einen Spalt zwischen
einer Hauptelektrode und einer Unterelektrode auszubilden, nachdem
eine Platte in einem späteren
Prozessschritt in Stücke
unterteilt worden ist. Ein Schlitz 27 wird bereitgestellt,
um den Schneidebereich der elektrolytischen Kupferfolie in dem Prozess
des Unterteilens einer Platte in Stücke zu reduzieren.
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Der
Schlitz 27 trägt
dazu bei, die Erzeugung von Graten in der elektrolytischen Kupferfolie
beim Unterteilungs-Prozessschritt zu beseitigen und ebenso das Bloßlegen der
Schnittseite der elektrolytischen Kupferfolie in der Seitenfläche eines
unterteilten Chip-Kaltleiters
zu beseitigen. Das Bloßlegen
der Schnittseite kann eine Oxidation der elektrolytischen Kupferfolie
und ein Kurzschließen
durch Löten
begünstigen,
wenn der Chip-Kaltleiter
auf einer gedruckten Schaltung befestigt wird.
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Und
dann, wie in 2C und 3(a) gezeigt,
wird die leitende Polymerplatte 21 zwischen der darüber und
darunter liegenden Elektrode 22 angeordnet, und diese werden
bei ungefähr
175 °C in einem
Vakuum von ungefähr
20 Torr und unter dem Druck von ungefähr 50 kg/cm2 eine
Minute lang unter Verwendung einer Vakuum-Warmpresse warmverpresst,
um eine integrierte Platte 23 herzustellen. Dann wird die
Platte in einer Elektronenstrahl-Bestrahlungsvorrichtung mit einem
Elektronenstrahl von ungefähr
40 mrad bestrahlt, um das hochdichte Polyethylen zu vernetzen.
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Wie
in 3(b) gezeigt, werden unter Verwendung
einer Warmpresse oder einer Trennmaschine für Chips (dicing machine) in
regelmäßigem Intervall
längliche Öffnungen 24 (Schlitze)
bereitgestellt, so dass ein Raum, der der Länge eines gewissen Chip-Kaltleiters entspricht,
eingehalten wird.
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Der
Prozess des Bereitstellens der Öffnungen
kann entweder die Ausbildung von Streifen oder die Ausbildung in
eine Kammform sein, wie in 4A und 4B gezeigt.
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Der
Schutzüberzug 25 wird,
wie in 3(c) gezeigt, auf der oberen
und der unteren Fläche
der Platte 23, die die Öffnungen 24 aufweist,
ausgebildet, mit Ausnahme des Bereichs in der Nähe der Öffnungen 24, indem
ein Acryl- oder ein epoxymodifiziertes UV-Härtungs-Acrylharz
per Siebdruck aufgebracht wird, gefolgt von einer Härtung in
einem UV-Härtungsofen.
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Dann,
wie in 3(d) gezeigt, wird ein 10-20 μm dicker
Nickelfilm 28 in dem Watts'schen Nickelbad ungefähr 30 Minuten
lang bei einer Stromdichte von ungefähr 4 A/dm2 auf die Platte 23 in
einem Bereich aufgebracht, auf dem kein Schutzüberzug 25 vorhanden
ist, einschließlich
der Innenwandfläche der Öffnung 24.
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Die
Platte 23 wird durch eine Warmpresse oder eine Trennmaschine
für Chips
in Stücke
unterteilt, um einen Chip-Kaltleiter 29 der vorliegenden
Erfindung zu erhalten, wie in 3(e) gezeigt.
Die Chip-Kaltleiter mit der gleichen Konfiguration können auch
erhalten werden, indem zuerst eine nicht bemusterte Metallfolie
mit einer leitenden Polymerplatte durch Warmverpressen integriert
und anschließend die
Metallfolie unter Verwendung des Fotolithografie- und Ätzprozesses
bemustert wird.
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Im
Folgenden wird die Ausführungsform
1 der vorliegenden Erfindung ausführlicher in Bezug auf die Struktur
beschrieben.
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Nachdem
elektronische Komponenten des Chip-Typs durch Reflow-Löten auf
einer gedruckten Schaltung befestigt worden sind, ist es in der
Praxis üblich,
den gelöteten
Abschnitt visuell zu prüfen,
da ein ungleichmäßiges Aufdrucken
von Lötcreme
oder eine unzureichende Lötmittelmenge
einen schlechten Kontakt begünstigen
oder die Zuverlässigkeit
der Lötstelle
während
der Wärmezyklen
verschlechtert.
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Mit
den Chip-Kaltleitern der vorliegenden Erfindung wird die Löt-Kehlnaht
an der Seite von Chip-Thermistoren ausgebildet, die auf einer gedruckten
Schaltung angelötet
sind; und zwar ist die Lot-Kehlnaht außerhalb eines Chip-Thermistors
positioniert. Daher kann der gelötete
Abschnitt problemlos überprüft werden.
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10 ist eine Schnittansicht des Chip-Kaltleiters,
der auf einer gedruckten Schaltung befestigt ist. Die Bezugszeichen 16a, 16b bezeichnen
die Anschlussflächen
der gedruckten Schaltung. Wie durch eine Pfeilmarkierung in 1C angegeben,
lassen sich die Kehlnähte 15a, 15b von
oben problemlos betrachten.
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Des
Weiteren hat sich bestätigt,
dass die Chip-Kaltleiter der vorliegenden Erfindung in dem Schwalllötprozess
verwendet werden können.
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Im
Allgemeinen ist die Haftfähigkeit
zwischen dem galvanisch beschichteten Film, der die Seitenelektrode
ausbildet, und dem leitenden Polymer schwach. In der Ausführungsform
1 der vorliegenden Erfindung wird der galvanisch beschichtete Film
jedoch durch die Hauptelektrode und die Unterelektrode unterstützt, die
jeweils auf der oberen und der unteren Fläche des leitenden Polymers
ausgebildet sind. Somit ist die Seitenelektrode, die durch galvanisches
Beschichten ausgebildet worden ist, in Bezug auf die Haftung an
dem leitenden Polymer gut gesichert. Die oben beschriebene Struktur
der vorliegenden Erfindung sind ausreichend effektiv, um ein Ablösen der
Seitenelektrode von dem leitenden Polymer zu vermeiden.
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In
dem Herstellungsverfahren des bisherigen Stands der Technik kann
eine Schnittlinie, die relativ zur Position einer Durchbrechung
verschoben ist, zu einem reduzierten Kopplungsbereich zwischen dem Leiter
in der Durchbrechung und den oberen/unteren Elektroden führen.
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In
dem Herstellungsverfahren von Ausführungsform 1, in dem ein leitendes
Polymer, das die PTC-Leistungsmerkmale aufweist, und Metallfolien mittels
Warmverpressen in eine Plattenform integriert werden, und die Platte
mit Öffnungen
versehen wird, und dann ein leitender Film darauf mittels galvanischem
Beschichten ausgebildet wird, bleibt der Kopplungsbereich zwischen
dem galvanisch beschichteten Film und den oberen/unteren Elektroden unverändert und
konstant trotz einer möglichen
Verschiebung. Und zwar wird die Kraft der Kopplung zwischen dem
galvanisch beschichteten Film und den oberen/unteren Elektroden
nicht reduziert; und es werden keine Risse an dem Kopplungsabschnitt durch
die Belastung aufgrund einer wiederholten Ausdehnung und Schrumpfung
des leitenden Polymers erzeugt.
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Des
Weiteren schließt
in dem vorliegenden Prozess von Ausführungsform 1 nur das Schneiden in
seitlicher Richtung die Unterteilung in Chip-Thermistorstücke ab;
es besteht keine Notwendigkeit eines Längs-Schneidevorgangs für die Unterteilung.
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In
dem Herstellungsverfahren des bisherigen Stands der Technik, in
dem eine galvanisch beschichtete Schicht in den Durchbrechungen
ausgebildet wird, die durch Bohren oder ein anderes Verfahren bereitgestellt
werden, ist die Anzahl der zu bohrenden Durchbrechungen mindestens
höher als eine
Anzahl von Chip-Thermistorstücken,
die aus einer Platte gewonnen werden. Somit ist eine lange Zeit
erforderlich, um alle Durchbrechungen zu bohren. Außerdem verursacht
die Wärme,
die aufgrund der Reibung während
des Bohrens erzeugt wird, ein Schmelzen des leitenden Polymers,
was zu einer rauen Wandfläche
der Durchbrechungen führt;
infolgedessen wird eine darauf galvanisch beschichtete Schicht uneben.
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Unter
dem Herstellungsverfahren in Übereinstimmung
mit Ausführungsform
1 werden die Öffnungen
jedoch sofort unter Verwendung einer Warmpresse, einer Trennmaschine
für Chips
usw. sofort in einer Streifenform bereitgestellt. Dies trägt zu einer höheren Produktivität bei. Da
des Weiteren kein Schmelzvorgang in dem leitenden Polymer vorliegt, sind
die Wandflächen
der Öffnungen
relativ glatt, was dazu beiträgt,
eine galvanisch beschichtete Schicht von gleichmäßiger Dicke bereitzustellen.
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Des
Weiteren kann in dem herkömmlichen Herstellungsverfahren
die Lösung
für die
galvanische Beschichtung in den Durchbrechungen nicht gut zirkulieren,
und die Kon zentration von Metallionen in der Galvanisierungsflüssigkeit
wird instabil; dies stört die
Ausbildung einer galvanisch beschichteten Schicht mit gleichmäßiger Dicke.
Wenn eine galvanisch beschichtete Schicht mit ungleichmäßiger Dicke
ausgebildet wird, führt
die Konzentration der Belastung aufgrund wiederholter Ausdehnung
und Schrumpfung des leitenden Polymers, das auf Überstrom in einem in Betrieb
befindlichen Chip-Thermistor reagiert, zu einem Brechen der galvanisch
beschichteten Schicht.
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Unter
dem Herstellungsverfahren in Ausführungsform 1 ist der Abschnitt,
auf dem eine galvanisch beschichtete Schicht ausgebildet werden
soll, jedoch zu einem offenen Raum hin bloßgelegt, und eine Galvanisierungslösung kann
frei zirkulieren; daher kann die Konzentration von Metallionen stabil
gehalten werden. Dies trägt
zur Ausbildung einer Schicht mit gleichmäßiger Dicke bei.
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Des
Weiteren können
in dem herkömmlichen Herstellungsverfahren
Fremdkörper,
die in der Galvanisierungslösung
enthalten sind, unbeabsichtigt in die Durchbrechungen gelangen oder
Grate, wenn die Durchbrechung mittels Bohren bereitgestellt worden ist,
können
solche Fremdkörper
abfangen. Dies kann eine Fehlstelle in dem galvanisch beschichteten
Film erzeugen.
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Unter
dem Herstellungsverfahren in Ausführungsform 1 ist der Abschnitt,
auf dem die Seitenelektrode ausgebildet werden soll, jedoch einem
ausreichend offenen Raum ausgesetzt, so dass solche eventuell vorhandenen
Fremdkörper,
die in der Galvanisierungslösung
enthalten sind, nicht auf dem Abschnitt verbleiben können. Die
Seitenelektroden der vorliegenden Erfindung sind nach außen hin
offen angeordnet und lassen sich von außen leicht überprüfen. Der Galvanisierungsstrom
ist ausreichend niedriger als ein Pegel, bei dem das leitende Polymer seinen
PTC-Betrieb beginnt, so dass das leitende Polymer nie in Betrieb
gesetzt wird.
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Des
Weiteren wird in dem Herstellungsverfahren von Ausführungsform
1 eine integrierte Platte, die mit den Öffnungen versehen ist, zum
Ausbilden der Seitenelektroden galvanisch beschichtet, und dann
wird die Platte in Stücke
unterteilt. Daher können
die zwei anderen Seitenflächen
des Thermistors als diejenigen zwei Seitenflächen, auf denen die Seitenelektrode
ausgebildet worden ist, keine galvanisch beschichtete Schicht aufweisen.
In anderen Herstellungsverfahren, in denen zum Beispiel fertige Chips
nach dem Unterteilungsprozessschritt trommelgalvanisiert werden,
besteht die Möglichkeit, dass
das leitende Polymer, das eine leitende Seitenfläche aufweist, auf allen vier
Seitenflächen
galvanisch beschichtet wird. Dies führt natürlich zu einem Kurzschluss
zwischen der ersten Hauptelektrode und der zweiten Hauptelektrode.
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(Ausführungsform
2)
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Ein
Chip-Kaltleiter in einer zweiten beispielhaften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen
beschrieben.
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5 ist
eine Schnittansicht des Chip-Kaltleiters der zweiten beispielhaften
Ausführungsform.
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In 5 besteht
ein würfelförmiges leitendes Polymer 41,
das die PTC-Leistungsmerkmale aufweist, aus einer Verbundmischung
aus hochdichtem Polyethylen, d.h. einem kristallinen Polymer, und Kohlenschwarz,
d.h. leitenden Partikeln.
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Die
erste Hauptelektrode 42a ist auf einer ersten Fläche des
leitenden Polymers 41 angeordnet. Die erste Unterelektrode 42b ist
auf der gleichen Fläche
wie die erste Hauptelektrode 42a angeordnet, ist von der
ersten Hauptelektrode 42a jedoch unabhängig. Die zweite Hauptelektrode 42c ist
auf einer zweiten Fläche
angeordnet, die der ersten Fläche des
leitenden Polymers 41 gegenüber liegt. Die zweite Unterelektrode 42d ist
auf der gleichen Fläche
wie die zweite Hauptelektrode 42c angeordnet, ist von der
zweiten Hauptelektrode 42c jedoch unabhängig.
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Jede
dieser Haupt- und Unterelektroden besteht aus einer elektrolytischen
Kupferfolie.
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Die
erste Seitenelektrode 43a wird aus einer galvanischen Nickelbeschichtung
ausgebildet, die die gesamte Fläche
von einem der Seitenenden des leitenden Polymers 41 bedeckt,
und ist elektrisch mit der ersten Hauptelektrode 42a und
der zweiten Hauptelektrode 42c verbunden.
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Die
zweite Seitenelektrode 43b wird aus einer galvanischen
Nickelbeschichtung ausgebildet, die die gesamte Fläche des
anderen Seitenendes bedeckt, das der ersten Sei tenelektrode 43a des
leitenden Polymers 41 gegenüber liegt, und ist elektrisch mit
der ersten Unterelektrode 42b und der zweiten Unterelektrode 42d verbunden.
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Die
erste und die zweite Schutzüberzugschicht 44a, 44b sind
aus einem epoxymodifizierten Acrylharz ausgebildet.
-
Die
innere Hauptelektrode 45a ist in dem leitenden Polymer 41 parallel
zu der ersten Hauptelektrode 42a und der zweiten Hauptelektrode 42c angeordnet
und ist elektrisch mit der zweiten Seitenelektrode 43b verbunden.
Die innere Unterelektrode 45b ist auf der gleichen Ebene
wie die innere Hauptelektrode 45a angeordnet, ist jedoch
von der inneren Hauptelektrode 45a unabhängig und
ist elektrisch mit der ersten Seitenelektrode 43a verbunden.
-
Ein
Verfahren zum Herstellen der Chip-Kaltleiter in einer zweiten beispielhaften
Ausführungsform
wird als Nächstes
unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
-
6A-6C und 7 veranschaulichen
den Prozess eines Verfahrens zum Herstellen der Chip-Kaltleiter
in der Ausführungsform
2 der vorliegenden Erfindung. Eine leitende Polymerplatte 51, wie
in 6A gezeigt, wird auf die gleiche Weise wie in
der Ausführungsform
1 bereitgestellt, und eine elektrolytische Kupferfolie wird durch
Warmpressen bemustert, um die Elektrode 52 bereitzustellen,
wie in 6B gezeigt.
-
Die
Dicke der elektrolytischen Kupferfolie zum Ausbilden der inneren
Elektrode sollte nicht weniger als 35 μm betragen und vorzugsweise
dicker als 70 μm
sein, damit sie nicht durch die Ausdehnung des leitenden Polymers
während
des Ausbildens eines laminierten Körpers, der später zu beschreiben sein
wird, durch Warmverpressen gebrochen wird.
-
Als
Nächstes,
wie in 6C gezeigt, werden das leitende
Polymer 51 und die Elektrode 52 abwechselnd gestapelt,
um durch Warmverpressen in eine Platte 53 integriert zu
werden, wie in 7 gezeigt. Die drei Platten
der Elektrode 52, die in 6C gezeigt
sind, können
eine gleiche Bemusterung aufweisen, was bedeutet, dass diese Platten
unter Verwendung nur eines Prägemusters
(die pattern) bereitgestellt werden können. Dies ist ein wirtschaftlicher
Vorteil.
-
Danach
wurde nach den gleichen Herstellungsprozess-Schritten wie in der
Ausführungsform
1 vorgegangen, um den Chip-Kaltleiter in der Ausführungsform
2 der vorliegenden Erfindung bereitzustellen.
-
Ein
laminierter Körper
kann auch unter Verwendung nicht bemusterter Metallfolien für die äußersten
Schichten ausgebildet werden, wobei die anderen Folien diejenigen
sind, die durch Warmpressen bemustert werden, und diese Metallfolien
und das leitende Polymer zusammen durch Warmverpressen integriert
werden und dann die äußersten
Folien unter Verwendung des Fotolithografie- und Ätzprozesses
bemustert werden. Ein Chip-Kaltleiter der gleichen Konfiguration
kann aus dem so erzeugten laminierten Körper erzeugt werden, indem
nach den gleichen Prozessschritten vorgegangen wird wie denjenigen
in Ausführungsform
1.
-
In
den Kaltleiter-Chips von Ausführungsform 2
wurde der überlappende
Bereich von gegenüberliegenden
Elektroden vergrößert, indem
die Schichten des leitenden Polymers und der Metallfolie abwechselnd
laminiert wurden, ohne dadurch die Gesamtabmessungen des Thermistors
größer zu machen.
Diese Konfiguration ermöglicht
es, den internen Widerstand eines Chip-Thermistors zu senken; als
Ergebnis dessen wird ein Chip-Kaltleiter erhalten, der einen größeren Strom
in einem kompakten Körper
zulässt.
-
In
einem praktischen Beispiel weist ein Chip-Kaltleiter eines einschichtigen
leitenden Polymers mit den Abmessungen 3,2 mm × 4,5 mm einen überlappenden
Bereich zwischen der ersten und der zweiten Hauptelektrode (Bereich
der gegenüberliegenden
Elektroden) von 9 mm2 und einen Widerstand von
ungefähr
150 mΩ auf;
dagegen wies derjenige mit doppelter Schicht einen niedrigen Widerstand von
ungefähr
80 mΩ auf,
wobei der Bereich der gegenüberliegenden
Elektroden 18 mm2 betrug, wobei die gleichen
Abmessungen von 3,2 mm × 4,5
mm beibehalten wurden. Im Folgenden werden mehrere beispielhafte
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung beschrieben, in denen der Widerstand noch
weiter reduziert wird.
-
(Ausführungsform
3)
-
8 veranschaulicht
eine Schnittansicht eines Chip-Kaltleiters in einer dritten beispielhaften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
-
In 8 besteht
ein würfelförmiges leitendes Polymer 1,
das die PTC-Leistungsmerkmale aufweist, aus einer Verbundmischung
aus hochdichtem Polyethylen, d.h. einem kristallinen Polymer, und Kohlenschwarz,
d.h. leitenden Partikeln.
-
Die
erste Hauptelektrode 2a ist auf einer ersten Fläche des
leitenden Polymers 1 angeordnet. Die erste Unterelektrode 2b ist
auf der gleichen Fläche wie
die erste Hauptelektrode 2a angeordnet, ist von der ersten
Hauptelektrode 2a jedoch unabhängig.
-
Die
zweite Hauptelektrode 2c ist auf einer zweiten Fläche angeordnet,
die der ersten Fläche des
leitenden Polymers 1 gegenüber liegt. Die zweite Unterelektrode 2d ist
auf der gleichen Fläche
wie die zweite Hauptelektrode 2c angeordnet, ist von der zweiten
Hauptelektrode 2c jedoch unabhängig.
-
Jede
dieser Haupt- und Unterelektroden besteht aus einer elektrolytischen
Kupferfolie.
-
Die
erste Seitenelektrode 3a wird aus einer galvanischen Nickelbeschichtung
ausgebildet, die die gesamte Fläche
von einem der Seitenenden des leitenden Polymers 1 bedeckt,
und ist elektrisch mit der ersten Hauptelektrode 2a und
der zweiten Unterelektrode 2d verbunden.
-
Die
zweite Seitenelektrode 3b wird aus einer galvanischen Nickelbeschichtung
ausgebildet, die die gesamte Fläche
des anderen Seitenendes bedeckt, das der ersten Seitenelektrode 3a des
leitenden Polymers 1 gegenüber liegt, und ist elektrisch
mit der ersten Unterelektrode 2b und der zweiten Hauptelektrode 2c verbunden.
-
Die
erste und die zweite Schutzüberzugschicht 4a, 4b sind
aus einem epoxymodifizierten Acrylharz ausgebildet.
-
Die
erste innere Hauptelektrode 5a ist in dem leitenden Polymer 1 parallel
zu der ersten Hauptelektrode 2a und der zweiten Hauptelektrode 2c angeordnet
und ist elektrisch mit der zweiten Seitenelektrode 3b verbunden.
Die erste innere Unterelektrode 5b ist auf der gleichen
Ebene wie die erste innere Hauptelektrode 5a angeordnet,
ist jedoch von der ersten inneren Hauptelektrode 5a unabhängig und
ist elektrisch mit der ersten Seitenelektrode 3a verbunden.
-
Die
zweite innere Hauptelektrode 5c ist in dem leitenden Polymer 1 parallel
zu der ersten Hauptelektrode 2a und der zweiten Hauptelektrode 2c angeordnet
und ist elektrisch mit der ersten Seitenelektrode 3a verbunden.
Die zweite innere Unterelektrode 5d ist auf der gleichen
Ebene wie die zweite innere Hauptelektrode 5c angeordnet,
ist jedoch von der zweiten inneren Hauptelektrode 5c unabhängig und ist
elektrisch mit der zweiten Seitenelektrode 3b verbunden.
-
In
dem wie vorgenannt konfigurierten Chip-Kaltleiter, in dem das leitende
Polymer 1 mit einer Größe von 3,2
mm × 4,5
mm in drei Schichten gestapelt wurde, und die Widerstände zwischen
der ersten Hauptelektrode 2a und der ersten inneren Hauptelektrode 5a,
derjenige zwischen der ersten inneren Hauptelektrode 5a und
der zweiten inneren Hauptelektrode 5c und derjenige zwischen
der zweiten inneren Hauptelektrode 5c und der zweiten Hauptelektrode 2c,
in Parallelschaltung verbunden wurden, erreichte der überlappende
Bereich von sich gegenüber
liegenden Elektroden real 27 mm2, und der
Widerstand wurde auf so wenig wie ungefähr 50 mΩ reduziert. Somit wurde ein
Chip-Kaltleiter
mit einem extrem niedrigen Widerstand erhalten.
-
Ein
Verfahren zum Herstellen der Chip-Kaltleiter in einer dritten beispielhaften
Ausführungsform wird
als Nächstes
unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
-
9A-9D und 10 und 10B veranschaulichen
ein Verfahren zum Herstellen der Chip-Thermistoren, die drei leitende
Polymerschichten aufweisen.
-
Auf
die gleiche Weise wie bei der Ausführungsform 1 wird eine leitende
Polymerplatte 31, wie in 9A gezeigt,
bereitgestellt. Eine elektrolytische Kupferfolie wird durch Warmpressen
bemustert, um die Elektrode 32 bereitzustellen, wie in 9B gezeigt.
Wie in dem Fall des Chip-Thermistors, der zwei leitende Polymerschichten
aufweist, sollte die Dicke der elektrolytischen Kupferfolie für die innere
Elektrode nicht weniger als 35 μm
betragen und vorzugsweise dicker als 70 μm sein, damit sie nicht durch
die Aus dehnung des leitenden Polymers während des Ausbildens eines
laminierten Körpers
durch Warmverpressen gebrochen wird.
-
Als
Nächstes,
wie in 9C und 9D gezeigt,
wird das leitende Polymer 31 zwischen zwei Elektroden 32 angeordnet,
um durch Warmverpressen in eine erste Platte 33 integriert
zu werden, die in 9D gezeigt ist. Und dann, wie
in 10A gezeigt, werden zwei leitende Polymerplatten 31 und zwei
Elektroden 32 auf beiden Flächen der ersten Platte 33 so
gestapelt, dass die jeweiligen Elektroden 32 auf der äußersten
Fläche
positioniert sind, die dann durch Warmverpressen in eine zweite
Platte 34 von 10B integriert
werden sollen.
-
Danach
wird nach den gleichen Herstellungsprozess-Schritten wie in der
Ausführungsform
1 vorgegangen, um die Chip-Kaltleiter mit drei leitenden Polymerschichten
zu erhalten.
-
Der
Warmverpressvorgang wurde deshalb getrennt in zwei Schritten ausgeführt, um
eine Ungleichmäßigkeit
in der Dicke der leitenden Polymerplatten zu vermeiden. Wenn das
Warmpressen in einem Schritt ausgeführt wird, um alle Schichten
zusammen zu integrieren, erzeugt die geringe Wärmeübertragung zu der inneren Polymerplatte
eine ungleichmäßige Temperaturverteilung
zwischen der inneren Polymerplatte und den äußeren Polymerplatten, was zur
Ausbildung von leitenden Polymerplatten mit ungleichmäßiger Dicke
führt.
-
In
der vorliegenden Ausführungsform
kann ein laminierter Körper
auch unter Verwendung nicht bemusterter Metallfolien für die äußersten
Schichten ausgebildet werden, wobei die anderen Folien diejenigen
sind, die durch Warmpressen bemustert werden, diese Metallfolien
und leitenden Polymerplatten zusammen durch Warmverpressen integriert
werden, und dann die äußersten
Metallfolien unter Verwendung des Fotolithografie- und Ätzprozesses
bemustert werden.
-
Ein
Chip-Kaltleiter mit der gleichen Konfiguration kann aus dem so erzeugten
laminierten Körper erzeugt
werden, indem nach den gleichen Prozessschritten vorgegangen wird
wie denjenigen in Ausführungsform
1.
-
Ein
Chip-Kaltleiter, der fünf
oder mehr ungeradzahlige Schichten des leitenden Polymers enthält, lässt sich
erhalten, indem der Stapel- und Warmverpress-Zyklus für eine zusätzliche
leitende Polymerplatte und eine zusätzliche bemusterte Elektrode
auf den äußeren Flächen der
zweiten Platte wiederholt wird. Auch in diesem Beispiel können die äußersten Schichten
aus nicht bemusterten Metallfolien ausgebildet sein und die Folien
zu einem späteren
Zeitpunkt durch Ätzen
bemustert werden.
-
(Ausführungsform
4)
-
11 ist
eine Schnittansicht eines Chip-Kaltleiters in einer vierten beispielhaften
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
-
In 11 besteht
ein würfelförmiges leitendes
Polymer 91, das die PTC-Leistungsmerkmale aufweist, aus
einer Verbundmischung aus hochdichtem Polyethylen, d.h. einem kristallinen
Polymer, und Kohlenschwarz, d.h. leitenden Partikeln.
-
Die
erste Hauptelektrode 92a ist auf einer ersten Fläche des
leitenden Polymers 91 ausgebildet. Die erste Unterelektrode 92b ist
auf der gleichen Fläche
wie die erste Hauptelektrode 92a angeordnet, ist von der
ersten Hauptelektrode 92a jedoch unabhängig.
-
Die
zweite Hauptelektrode 92c ist auf einer zweiten Fläche ausgebildet,
die der ersten Fläche des
leitenden Polymers 91 gegenüber liegt. Die zweite Unterelektrode 92d ist
auf der gleichen Fläche
wie die zweite Hauptelektrode 92c angeordnet, ist von der
zweiten Hauptelektrode 92c jedoch unabhängig.
-
Jede
dieser Haupt- und Unterelektroden besteht aus einer elektrolytischen
Kupferfolie.
-
Die
erste Seitenelektrode 93a wird aus einer galvanischen Nickelbeschichtung
ausgebildet, die die gesamte Fläche
von einem der Seitenenden des leitenden Polymers 91 bedeckt,
und ist elektrisch mit der ersten Hauptelektrode 92a und
der zweiten Hauptelektrode 92c verbunden.
-
Die
zweite Seitenelektrode 93b wird aus einer galvanischen
Nickelbeschichtung ausgebildet, die die gesamte Fläche des
anderen Seitenendes bedeckt, das der ersten Seitenelektrode 93a des
leitenden Polymers 91 gegenüber liegt, und ist elektrisch mit
der ersten Unterelektrode 92b und der zweiten Unterelektrode 92d verbunden.
Die erste und die zweite Schutzüberzugschicht 94a, 94b bestehen
aus einem epoxymodifizierten Acrylharz.
-
Die
erste innere Hauptelektrode 95a ist in dem leitenden Polymer 91 parallel
zu der ersten Hauptelektrode 92a und der zweiten Hauptelektrode 92c angeordnet
und elektrisch mit der zweiten Seitenelektrode 93b verbunden.
Die erste innere Unterelektrode 95b ist auf der gleichen
Ebene wie die erste innere Hauptelektrode 95a angeordnet,
ist jedoch von der ersten inneren Hauptelektrode 95a unabhängig und
ist elektrisch mit der ersten Seitenelektrode 93a verbunden.
-
Die
zweite innere Hauptelektrode 95c ist in dem leitenden Polymer 91 parallel
zu der ersten Hauptelektrode 92a und der zweiten Hauptelektrode 92c angeordnet
und ist elektrisch mit der ersten Seitenelektrode 93a verbunden.
Die zweite innere Unterelektrode 95d ist auf der gleichen
Ebene wie die zweite innere Hauptelektrode 95c angeordnet,
ist jedoch von der zweiten inneren Hauptelektrode 95c unabhängig und
ist elektrisch mit der zweiten Seitenelektrode 93b verbunden.
-
Die
dritte innere Hauptelektrode 95e ist in dem leitenden Polymer 91 parallel
zu der ersten Hauptelektrode 92a und der zweiten Hauptelektrode 92c angeordnet
und ist elektrisch mit der zweiten Seitenelektrode 93b verbunden.
Die dritte innere Unterelektrode 95f ist auf der gleichen
Ebene wie die dritte innere Hauptelektrode 95e angeordnet,
ist jedoch von der dritten inneren Hauptelektrode 95e unabhängig und
ist elektrisch mit der ersten Seitenelektrode 93a verbunden.
-
Ein
Verfahren zum Herstellen des Chip-Kaltleiters in einer vierten beispielhaften
Ausführungsform
wird als Nächstes
unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
-
12A-12C und 13A-13C veranschaulichen ein Verfahren zum Herstellen
des Chip-Thermistors, der vier leitende Polymerschichten aufweist.
-
Auf
die gleiche Weise wie bei der Ausführungsform 1 wird eine leitende
Polymerplatte 101, wie in 12A gezeigt,
bereitgestellt. Eine elektrolytische Kupferfolie wird durch Warmpressen
bemustert, um die Elektrode 102 bereitzustellen, wie in 12B gezeigt. Wie in dem Fall des Chip-Thermistors,
der zwei leitende Polymerschichten aufweist, sollte die Dicke der
elektrolytischen Kupferfolie für
die innere Elektrode nicht weniger als 35 μm betragen und vorzugsweise
dicker als 70 μm
sein, damit sie nicht durch die Ausdehnung des leitenden Polymers während des
Ausbildens eines laminierten Körpers durch
Warmverpressen gebrochen wird.
-
Als
Nächstes,
wie in 12C gezeigt, werden drei Platten
der Elektrode 102 und zwei Platten der leitenden Polymerplatte 101 abwechselnd
gestapelt, um durch Warmverpressen mit der Elektrode 102 auf
der äußersten
Fläche
in eine erste Platte 103, wie in 13(a) gezeigt,
integriert zu werden.
-
Und
dann, wie in 13B gezeigt, wird die erste
Platte 103 zwischen darüber
und darunter liegenden zwei leitenden Polymerplatten 101 und
zwei Elektroden 102 so angeordnet, dass die jeweiligen Elektroden 102 sich
auf der äußersten
Fläche
befinden, die warmverpresst werden, um in eine zweite Platte 104 von 13C integriert zu werden.
-
Danach
wird nach den gleichen Herstellungsprozess-Schritten wie in der
Ausführungsform
1 vorgegangen, um den Chip-Kaltleiter mit vier leitenden Polymerschichten
zu erhalten. In der vorliegenden Ausführungsform kann ein laminierter
Körper auch
unter Verwendung nicht bemusterter Metallfolien für die äußersten
Schichten ausgebildet werden, wobei andere Folien diejenigen sind,
die durch Warmpressen bemustert werden, diese Metallfolien und leitenden
Polymerplatten zusammen durch Warmverpressen integriert werden,
und dann die äußersten
Metallfolien unter Verwendung des Fotolithografie- und Ätzprozesses
bemustert werden. Ein Chip-Kaltleiter mit der gleichen Konfiguration
kann aus dem so erzeugten laminierten Körper erhalten werden, indem
nach den gleichen Prozessschritten vorgegangen wird wie denjenigen
in Ausführungsform
1.
-
Ein
Chip-Kaltleiter, der die sechs oder mehr geradzahlige Schichten
des leitenden Polymers enthält,
lässt sich
erhalten, indem der Stapel- und Warmverpress-Zyklus für eine zusätzliche
leitende Polymerplatte und eine zusätzliche bemusterte Elektrode auf
den äußeren Flächen der
zweiten Platte wiederholt wird. Auch in diesem Ausführungsform können die äußersten
Schichten aus nicht bemusterten Metallfolien ausgebildet sein und
die Folien zu einem späteren
Zeitpunkt durch Ätzen
bemustert werden.
-
Die
Anzahl der Schichten des leitenden Polymers kann durch die oben
beschriebenen Prozesse erhöht
werden. Allerdings summiert sich auch die Belastung aufgrund der
wiederholten Ausdehnung und Schrumpfung des leitenden Polymers,
die verursacht werden, wenn dieses einem Überstrom ausgesetzt wird, zusammen
mit der erhöhten
Anzahl von Schichten. Es ist daher wichtig, das Problem der Zuverlässigkeit
der Kopplung zwischen den Seitenelektroden und den Hauptelektroden
anzusprechen.
-
In
dem Chip-Thermistor in Übereinstimmung mit
beispielhaften Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung werden jedoch Seitenelektroden bereitgestellt,
die die gesamte Fläche
des Seitenendes bedecken. Mit einer derartigen Struktur der vorliegenden
Erfindung wird die Belastung gut dispergiert, und die Zuverlässigkeit
in der Kopplung wird trotz der erhöhten Anzahl gestapelter Schichten
ausreichend sichergestellt.
-
Des
Weiteren wirkt die innere Unterelektrode so, dass sie eine Erhöhung des
Betrags der Ausdehnung der leitenden Polymerplatte verhindert, weil
sie verhindert, dass sich die Gesamtdicke der leitenden Polymerplatte
in der Nähe
der Seitenelektrode erhöht.
-
Somit
kann die Belastung, die durch die Ausdehnung und Schrumpfung der
leitenden Polymerplatte verursacht wird und sich auf die Seitenelektrode
auswirkt, gemindert werden, und die Zuverlässigkeit wird weiter verbessert.
-
Der
Einsatz von Nickel für
die Seitenelektrode hat sich im Vergleich mit der Seitenelektrode
aus Kupfer, Kupferlegierung usw. als effektiver für die Verbesserung
der oben genannten Zuverlässigkeit erwiesen.
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Für den Vergleich
wurde der Chip-Thermistor erstellt, dessen Seitenelektrode durch
eine galvanisch beschichtete Nickelschicht in Übereinstimmung mit dem Herstellungsverfahren
von Ausführungsform 1
ausgebildet ist. Und diejenigen mit galvanisch kupferbeschichteten
Seitenelektroden wurden unter den folgenden Bedingungen erstellt.
-
Eine
20 μm dicke
Kupferschicht wird durch galvanisches Beschichten der Seitenfläche einer streifenförmigen Platte,
die durch den Prozess von Ausführungsform
1 bereitgestellt wird, in dem Kupfersulfat-Galvanisierbad etwa 60
Minuten lang bei einer Stromdichte von ungefähr 1,5 A/dm2 ausgebildet, und
dann wurde die streifenförmige
Platte in Stücke unterteilt.
-
Um
die Zuverlässigkeit
der Seitenelektroden in Bezug auf den Wärmezyklus zu bestätigen, wurden
jeweils 30 Stück
von dem Chip-Kaltleiter mit den Seitenelektroden mit einer galvanisch
beschichteten Nickelschicht und von denjenigen mit den Seitenelektroden
mit galvanisch beschichteten Kupferschicht für den Zyklustest auf eine gedruckte
Schaltung gelötet.
-
In
dem Test wurde ein Gleichstrom von 12 V angeschlossen, und ein Überstrom
von 40 A wurde zum Betreiben (Auslösen) des leitenden Polymers zugeführt; die
Stromzufuhr wurde eine Minute lang fortgesetzt und dann 5 Minuten
lang gestoppt. Nach 100 Zyklen, 200 Zyklen und 1000 Zyklen des Auslösezyklustests
wurden jeweils 10 Stück
jedes Typs als Probestücke
entnommen und einer Querschnittsbetrachtung hinsichtlich des Vorhandenseins
irgendwelcher Risse in der Seitenelektrodenschicht unterzogen. Nach
den 1000 Zyklen wurden bei den Probestücken mit Seitenelektroden,
die durch galvanische Nickelbeschichtung ausgebildet waren, keine
Risse beobachtet. Jedoch wurden bei allen 10 Probestücken von
10 der Thermistoren mit einer Kupferschicht-Seitenelektrode Risse
an der Verbindungsecke zwischen der Seitenelektrode und der oberen Elektrode
vor dem Ende der 100 Zyklen beobachtet.
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Bei
den Kaltleiter-Chips in der beispielhaften Ausführungsform 1, die ein würfelförmiges leitendes Polymer 11 umfasst,
das die PTC-Leistungsmerkmale, eine erste Hauptelektrode 12a,
die auf einer ersten Fläche
des leitenden Polymers 11 angeordnet ist, eine erste Unterelektrode 12b,
die auf der gleichen Fläche
wie die erste Hauptelektrode 12a angeordnet ist, wobei
sie jedoch von der ersten Hauptelektrode 12a unabhängig ist,
eine zweite Hauptelektrode 12c, die auf einer zweiten Fläche angeordnet
ist, die der ersten Fläche
des leitenden Polymers 11 gegenüber liegt, eine zweite Unterelektrode 12d,
die auf der gleichen Fläche
wie die zweite Hauptelektrode 12c angeordnet ist, wobei
sie jedoch von der zweiten Hauptelektrode 12c unabhängig ist,
eine erste Seitenelektrode 13a, die wenigstens die gesamte
Fläche
von einem der Seitenenden des leitenden Po lymers 11 bedeckt,
wobei diese Seitenelektrode mit der ersten Hauptelektrode 12a und
der zweiten Unterelektrode 12d elektrisch verbunden ist,
und eine zweite Seitenelektrode 13b, die wenigstens die
gesamte Fläche des
anderen Seitenendes bedeckt, das der ersten Seitenelektrode 13a des
leitenden Polymers 11 gegenüber liegt, wobei diese Seitenelektrode
mit der ersten Unterelektrode 12b und der zweiten Hauptelektrode 12c elektrisch
verbunden ist, aufweist; die Löt-Kehlnaht
wird an den Seiten eines Chip-Thermistors ausgebildet, der auf einer
gedruckten Schaltung befestigt ist, weil die Seitenelektroden 13a, 13b so bereitgestellt
sind, dass sie wenigstens die gesamte Fläche von zwei Seitenendflächen des
leitenden Polymers 11 bedecken. Als Ergebnis dessen können die gelöteten Abschnitte
problemlos visuell geprüft
werden. Des Weiteren kann der Chip-Thermistor in einem Schwalllötprozess
verwendet werden.
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Bei
den Chip-Kaltleitern in den beispielhaften Ausführungsformen 2 und 4,
die würfelförmige leitende
Polymere 41, 91 umfassen, die die PTC-Leistungsmerkmale,
erste Hauptelektroden 42a, 92a, die auf der ersten
Fläche
der leitenden Polymere 41, 91 ausgebildet sind,
erste Unterelektroden 42b, 92b, die auf der gleichen
Fläche
wie die ersten Hauptelektroden 42a, 92a angeordnet
sind, von den ersten Hauptelektroden 42a, 92a jedoch
unabhängig
sind, zweite Hauptelektroden 42c, 92c, die auf
der zweiten Fläche ausgebildet
sind, die der ersten Fläche
der leitenden Polymere 41, 91 gegenüber liegt,
zweite Unterelektroden 42d, 92d, die auf der gleichen
Fläche
wie die zweiten Hauptelektroden 42c, 92c angeordnet
sind, aber von den zweiten Hauptelektroden 42c, 92c unabhängig sind,
erste Seitenelektroden 43a, 93a, die wenigstens
die gesamte Fläche
von einem der Seitenenden des leitenden Polymers 41, 91 bedecken, wobei
die Seitenelektrode elektrisch mit den ersten Hauptelektroden 42a, 92a und
den zweiten Hauptelektroden 42c, 92c verbunden
ist, zweite Seitenelektroden 43b, 93b, die wenigstens
die gesamte Fläche des
anderen Seitenendes bedecken, das den ersten Seitenelektroden 43a, 93a der
leitenden Polymere 41, 91 gegenüber liegt,
wobei die Seitenelektrode elektrisch mit den ersten Unterelektroden 42b, 92b und
den zweiten Unterelektroden 42d, 92d verbunden
ist, eine ungerade Anzahl von inneren Hauptelektroden 45a, 95a, 95c, 95e,
die in dem leitenden Polymer 41, 91 parallel zu
den ersten Hauptelektroden 42a, 92a und den zweiten
Hauptelektroden 42c, 92c angeordnet sind, eine
ungerade Anzahl von inneren Unterelektroden 45b, 95b, 95d, 95f,
die auf der gleichen Ebene wie die inneren Hauptelektroden 45a, 95a, 95c, 95e angeordnet
sind, jedoch von den inneren Hauptelektroden 45a, 95a, 95c, 95e unabhängig sind,
aufweisen, wobei die innere Hauptelektrode 45a, 95a, 95e,
die den ersten Hauptelektroden 42a, 92a direkt
gegenüber
liegt, elektrisch mit den zweiten Seitenelektroden 43b, 93b verbunden
ist, die inneren Unterelektroden 45b, 95b, die
auf der gleichen Ebene angeordnet sind wie die inneren Hauptelektroden 45a, 95a,
die den ersten Hauptelektroden 42a, 92a direkt
gegenüber
liegen, elektrisch mit den ersten Seitenelektroden 43a, 93a verbunden
sind, die inneren Hauptelektroden 95c und 95e sowie
die inneren Unterelektroden 95f und 95d, die nebeneinander
angeordnet sind, elektrisch abwechselnd jeweils mit der ersten Seitenelektrode 93a und
der zweiten Seitenelektrode 93b verbunden sind; der Widerstand
eines Chip-Thermistors ist reduziert worden, ohne den Bereich der
Hauptelektroden zu vergrößern, weil
der Gesamtwiderstand eines Chip-Thermistors in einem beispielhaften
Fall, in dem eine innere Hauptelektrode vorhanden ist, durch einen
aus zwei parallel verbundenen Widerständen ausgebildeten Widerstand
des leitenden Polymers, das zwischen der ersten Hauptelektrode und
der inneren Hauptelektrode angeordnet ist, und des leitenden Polymers
zwischen der zweiten Hauptelektrode und der inneren Hauptelektrode
dargestellt wird. Diese Struktur gestattet es, den Widerstand eines Chip-Thermistors
ohne Erhöhen
der Gesamtabmessungen zu senken.
-
Bei
dem Chip-Kaltleiter in der beispielhaften Ausführungsform 3, der ein würfelförmiges leitendes Polymer 1 umfasst,
das die PTC-Leistungsmerkmale, eine erste Hauptelektrode 2a,
die auf einer ersten Fläche
des leitenden Polymers 1 ausgebildet ist, eine erste Unterelektrode 2b,
die auf der gleichen Fläche wie
die erste Hauptelektrode 2a angeordnet ist, von der ersten
Hauptelektrode 2a jedoch unabhängig ist, eine zweite Hauptelektrode 2c,
die auf einer zweiten Fläche
ausgebildet ist, die der ersten Fläche des leitenden Polymers 1 gegenüber liegt,
eine zweite Unterelektrode 2d, die auf der gleichen Fläche wie
die zweite Hauptelektrode 2c angeordnet ist, aber von der
zweiten Hauptelektrode 2c unabhängig ist, eine erste Seitenelektrode 3a,
die wenigstens die gesamte Fläche
von einem der Seitenenden des leitenden Polymers 1 bedeckt,
wobei die Seitenelektrode elektrisch mit der ersten Hauptelektrode 2a und
der zweiten Unterelektrode 2d verbunden ist, eine zweite
Seitenelektrode 3b, die wenigstens die gesamte Fläche des
anderen Seitenendes bedeckt, das der ersten Seitenelektrode 3a des
leitenden Polymers 1 gegenüber liegt, wobei die Seitenelektrode
elektrisch mit der ersten Unterelektrode 2b und der zweiten
Hauptelektrode 2c verbunden ist, eine gerade Anzahl von inneren
Hauptelektroden 5a, 5c, die in dem leitenden Polymer 1 parallel
zu der ersten Hauptelektrode 2a und der zweiten Hauptelektrode 2c angeordnet
sind, und eine gerade eine gerade Anzahl von inneren Unterelektroden 5b, 5d,
die auf der gleichen Ebene wie die innere Hauptelektrode 5a, 5c angeordnet
sind, jedoch von der inneren Hauptelektrode 5a, 5c unabhängig sind,
aufweisen, wobei die innere Hauptelektrode 5a, die der
ersten Hauptelektrode 2a direkt gegenüber liegt, elektrisch mit der
zweiten Seitenelektroden 3b verbunden ist, die innere Unterelektrode 5b,
die auf der gleichen Ebene angeordnet ist wie die innere Hauptelektrode 5a,
die der ersten Hauptelektrode 2a direkt gegenüber liegt,
elektrisch mit der ersten Seitenelektrode 3a verbunden
ist, die innere Hauptelektrode 5c und die innere Unterelektrode 5d, die
nebeneinander angeordnet sind, elektrisch jeweils mit der ersten
Seitenelektrode 3a und der zweiten Seitenelektrode 3b verbunden
sind; der Gesamtwiderstand eines Chip-Thermistors ist reduziert
worden, ohne den Bereich der Hauptelektroden zu vergrößern, weil
der Gesamtwiderstand eines Chip-Thermistors in einem beispielhaften
Fall, in dem zwei innere Hauptelektrode vorhanden sind, durch einen
aus parallel verbundenen Widerständen
ausgebildeten Widerstand des leitenden Polymers, das zwischen der
ersten Hauptelektrode und der ersten inneren Hauptelektrode angeordnet
ist, des leitenden Polymers zwischen der zweiten Hauptelektrode
und der zweiten inneren Hauptelektrode und des leitenden Polymers
zwischen der ersten inneren Hauptelektrode und der zweiten inneren
Hauptelektrode dargestellt wird. Diese Struktur gestattet es, den
Widerstand eines Chip-Thermistors ohne Erhöhen der Gesamtabmessungen zu
senken.
-
Da
die Seitenelektroden in den Ausführungsformen
1 bis 4 aus Nickel oder Nickellegierung ausgebildet sind, die eine
relativ starke Widerstandsfähigkeit
gegen wiederholte Belastung aufweisen, wobei die Belastung, die
durch die wiederholte Ausdehnung und Schrumpfung des leitenden Polymers
verursacht wird, dazu neigt, sich an den Verbindungsecken zwischen
der Seitenelektrode und der Hauptelektrode zu konzentrieren, ist
die Zuverlässigkeit
in der Kopplung der Seitenelektroden mit der ersten und der zweiten
Hauptelektrode verbessert worden.
-
Unter
einem Verfahren zum Herstellen des Chip-Kaltleiters in der beispielhaften
Ausführungsform
1, welches die Schritte des Anordnens des leitenden Polymers mit
den PTC-Leistungsmerkmalen zwischen
einer darüber
und darunter liegenden bemusterten Metallfolie und des Integrierens
von diesen in eine Platte 23 durch Warmverpressen, des Versehens
der integrierten Platte 23 mit Öffnungen 24 (Schlitzen),
des Bereitstellens eines Schutzüberzugs 25 auf
der oberen und der unteren Fläche
des Platte 23 mit den Öffnungen 24,
des Ausbildens von Seitenelektroden 13a, 13b in
der Platte 23, die mit dem Schutzüberzug 25 und den Öffnungen 24 versehen
worden ist, und des Unterteilens der Platte 23 mit den
Seitenelektroden 13a, 13b und den Öffnungen 24 in
einen stückweisen
Chip-Thermistor umfasst; die Form der Endseite der Öffnung 24,
deren Form aus geraden Linien ausgebildet wird, weist die geringste
Abweichung auf, selbst wenn eine leichte Verschiebung in der Position
der Öffnung 24 relativ
zu der Bemusterung der Metallfolie aufgrund einer Toleranz in der
Bearbeitungsgenauigkeit während
der Ausbildung der Öffnung 24 vorliegt.
-
Dementsprechend
werden die Seitenelektroden 13a, 13b, die auf
der Seitenfläche
der Öffnung 24 durch
galvanisches Beschichten oder ein ähnliches Verfahren ausgebildet
werden, mit einem gewissen stabilen Verbindungsbereich mit der ersten und
der zweiten Hauptelektrode 12a, 12c bereitgestellt;
damit weist die Stärke
der Kopplung zwischen den Seitenelektroden 13a, 13b und
der ersten und der zweiten Elektrode 12a, 12b gegenüber der
Belastung aufgrund der Ausdehnung und Schrumpfung des leitenden
Polymers nur eine kleine Dispersion auf.
-
Unter
einem anderen Verfahren zum Herstellen des Chip-Kaltleiters in der
beispielhaften Ausführungsform
1, welches die Schritte des Anordnens des leitenden Polymers mit
den PTC-Leistungsmerkmalen zwischen einer darüber und darunter liegenden bemusterten
Metallfolie und des Integrierens von diesen in eine Platte 23 durch
Warmverpressen, des Bemusterns der Metallfolie auf der Ober- und
der Unterseite der integrierten Platte 23 durch Ätzen, des
Versehens der integrierten Platte 23 mit Öffnungen 24 (Schlitzen),
des Bereitstellens eines Schutzüberzugs 25 auf
der oberen und der unteren Fläche
des Platte 23 mit den Öffnungen 24,
des Ausbildens von Seitenelektroden 13a, 13b in
der Platte 23, die den Schutzüberzug 25 und die Öffnungen 24 aufweist,
und des Unterteilens der Platte 23 mit den Seitenelektroden 13a, 13b und
den Öffnungen 24 in
einen stückweisen Chip-Thermistor
umfasst; die Form der Endseite der Öffnung 24, deren Form
aus geraden Linien ausgebildet wird, weist die geringste Abweichung
auf, selbst wenn eine leichte Verschiebung in der Position der Öffnung 24 aufgrund
einer Toleranz in der Bearbeitungsgenauigkeit während der Ausbildung der Öffnung 24 vorliegt.
-
Dementsprechend
werden die Seitenelektroden 13a, 13b, die auf
der Seitenfläche
der Öffnung 24 durch
galvanisches Beschichten oder ein ähnliches Verfahren ausgebildet werden,
mit einem gewissen stabilen Verbindungsbereich mit der ersten und
der zweiten Hauptelektrode 12a, 12c bereitgestellt;
damit weist die Kopplungskraft zwischen den Seitenelektroden 13a, 13b und
der ersten und der zweiten Elektrode 12a, 12c gegenüber der
Belastung aufgrund der Ausdehnung und Schrumpfung des leitenden
Polymers nur eine kleine Dispersion auf.
-
Da
die Bemusterung des Weiteren auf der Metallfolie durch Ätzen nach
dem Warmverpressprozess ausgebildet wird, wird die Bemusterung in
einer äußerst genauen
Position auf der oberen und der unteren Metallfolie angeordnet;
und zwar weist der überlappende
Bereich, der von der ersten Hauptelektrode 12a und der
zweiten Hauptelektrode 12c ausgebildet wird, wobei der überlappende
Bereich in Bezug auf den Widerstand eines Chip-Thermistors relevant
ist, nur eine kleine Dispersion auf. Dies trägt zu einer reduzierten Dispersion
in dem Widerstand bei den Thermistor-Chips bei.
-
Unter
einem Verfahren zum Herstellen des Chip-Kaltleiters in der beispielhaften
Ausführungsform
2, welches die Schritte des Ausbildens einer integrierten Platte 53 durch
Anordnen einer bemusterten Metallfolie zwischen einer darüber und
darunter liegenden Fläche
des leitenden Polymers mit den PTC-Leistungsmerkmalen, ferner des
Stapelns einer bemusterten Metallfolie auf beide Flächen und
des Integrierens von diesen in die Platte 53 durch Warmverpressen,
des Versehens der integrierten Platte 53 mit Öffnungen,
des Ausbildens eines Schutzüberzugs
auf der oberen und der unteren Fläche des Platte 53 mit
den Öffnungen,
des Ausbildens von Seitenelektroden 43a, 43b in
der Platte 53, die den Schutzüberzug und die Öffnungen
aufweist, und des Unterteilens der Platte 53 mit den Seitenelektroden 43a, 43b und
den Öffnungen
in einen stückweisen Chip-Thermistor
umfasst; ein laminierter Körper,
der zwei Platten des leitenden Polymers und drei Platten der bemusterten
Metallfolie enthält,
die darin abwechselnd übereinander
gestapelt sind, kann durch einen Wamverpressvorgang bereitgestellt
werden.
-
Unter
einem anderen Verfahren zum Herstellen des Chip-Kaltleiters in der
beispielhaften Ausführungsform
2, welches die Schritte des Ausbildens einer integrierten Platte 53 durch
Anordnen einer bemusterten Metallfolie zwischen einer darüber und darunter
liegenden Fläche
des leitenden Polymers mit den PTC-Leistungsmerkmalen, ferner des
Stapelns einer bemusterten Metallfolie auf beide Flächen und
des Integrierens von diesen in die Platte 53 durch Warmverpressen,
des Bemusterns der Metallfolien auf der oberen und der unteren Fläche der
integrierten Platte 53 durch Ätzen, des Versehens der integrierten
Platte 53 mit Öffnungen,
des Ausbildens eines Schutzüberzugs
auf der oberen und der unteren Fläche des Platte 53 mit
den Öffnungen,
des Ausbildens von Seitenelektroden 43a, 43b in
der Platte 53, die den Schutzüberzug und die Öffnungen
aufweist, und des Unterteilens der Platte 53 mit den Seitenelektroden 43a, 43b und
den Öffnungen
in einen stückweisen
Chip-Thermistor umfasst; die Bemusterung wird in einer äußerst genauen
Position auf den äußersten
Metallfolien angeordnet, da die Bemusterung durch Ätzen auf
den äußersten
Metallfolien ausgebildet wird, nachdem ein laminierter Körper, der zwei
Platten des leitenden Polymers, eine Platte einer bemusterten Metallfolie
und zwei Platten der äußersten
Metallfolie enthält,
die darin abwechselnd übereinander
gestapelt sind, durch einen Wamverpressvorgang ausgebildet worden
ist. Und zwar weist der überlappende
Bereich, der von der ersten Hauptelektrode 42a, der zweiten
Hauptelektrode 42c und der inneren Hauptelektrode 45a ausgebildet
wird, wobei der überlappende
Bereich in Bezug auf den Widerstand eines Chip-Thermistors relevant
ist, nur eine kleine Dispersion auf. Dies trägt zu einer reduzierten Dispersion
in dem Widerstand in dem Chip-Thermistor bei.
-
Unter
einem Verfahren zum Herstellen des Chip-Kaltleiters in der beispielhaften
Ausführungsform
3, welches die Schritte des Ausbildens einer ersten Platte 33 durch
Anordnen des leitenden Polymers mit den PTC-Leistungsmerkmalen zwischen
einer darüber
und darunter liegenden Fläche
einer bemusterten Metallfolie und des Integrierens von diesen durch
Warmverpressen, des Ausbildens einer zweiten Platte 34 durch
Anordnen der ersten Platte 33 zwischen einem darüber und
darunter liegenden leitenden Polymer mit den PTC-Leistungsmerkmalen,
ferner des Stapelns der bemusterten Metallfolie auf der oberen und
der unteren Fläche
des leitenden Polymers mit den PTC-Leistungsmerkmalen und des Integrierens
von diesen in einen laminierten Körper durch Warmverpressen,
wobei der Zyklus des Warmverpressens zur Integrierung zweimal oder über mehrere
Zyklen wiederholt werden kann, des Versehens der integrierten zweiten
Platte 34 mit Öffnungen,
des Bereitstellens eines Schutzüberzugs
auf der oberen und der unteren Fläche der zweiten Platte 34 mit
den Öffnungen,
des Ausbildens von Seitenelektroden 3a, 3b in
der zweiten Platte 34 mit dem Schutzüberzug und den Öffnungen,
und des Unterteilens der zweiten Platte 34 mit den Seitenelektroden 3a, 3b und
den Öffnungen
in einen stückweisen
Chip-Thermistor umfasst; die Dicke der leitenden Polymerschichten weist
nur eine kleine Abweichung von denen, die sich in den Mittelschichten
des laminierten Körpers
befinden, und denjenigen in den äußeren Schichten
auf.
-
Der
Grund für
die kleine Abweichung in der Schichtdicke ist, dass ein laminierter
Körper
ausgehend von dem inneren Abschnitt durch wiederholtes Stapeln und
Warmverpressen, Ausbilden eines laminierten Körpers, indem zuerst eine Platte
des leitenden Polymers und zwei Platten von bemusterter Metallfolie
durch Warmverpressen in eine Platte integriert werden, und anschließendes Wiederholen
des Zyklus des weiteren Stapelns des leitenden Polymers für zwei oder
mehrere geradzahlige Schichten und der bemusterten Metallfolie für zwei oder
mehrere geradzahlige Schichten, die durch Warmverpressen integriert
werden sollen, schrittweise zu den äußeren Schichten hin ausgebildet
worden ist, wodurch letztendlich ein laminierter Körper ausgebildet
wird, der darin abwechselnd das leitende Polymer für drei oder
mehrere ungeradzahligen Schichten und bemusterte Metallfolien enthält.
-
Unter
einem anderen Verfahren zum Herstellen des Chip-Kaltleiters in der
beispielhaften Ausführungsform
3, welches die Schritte des Ausbildens einer ersten integrierten
Platte 33 durch Anordnen des leitenden Polymers mit den
PTC-Leistungsmerkmalen zwischen einer darüber und darunter liegenden bemusterten
Metallfolie und des Integrierens von diesen durch Warmverpressen,
des Ausbildens einer zweiten Platte 34 durch Anordnen der
ersten integrierten Platte 33 zwischen einem darüber und
darunter liegenden leitenden Polymer mit den PTC-Leistungsmerkmalen
und ferner des Stapelns von Metallfolie auf der oberen und der unteren
Fläche
des leitenden Polymers mit den PTC-Leistungsmerkmalen und des Integrierens
von diesen in einen laminierten Körper durch Warmverpressen,
des Bemusterns der Metallfolie auf beiden Flächen der integrierten zweiten
Platte 34 durch Ätzen,
des Versehens der integrierten zweiten Platte 34 mit Öffnungen,
des Bereitstellens eines Schutzüberzugs
auf der oberen und unteren Fläche
der zweiten Platte 34 mit den Öffnungen, des Ausbildens von
Seitenelektroden 3a, 3b in der zweiten Platte 34 mit
dem Schutzüberzug
und den Öffnungen,
und des Unterteilens der zweiten Platte 34 mit den Seitenelektroden 3a, 3b und
den Öffnungen
in einen stückweisen
Chip-Thermistor umfasst; die Bemusterung wird in einer äußerst genauen Position
auf den äußersten
Metallfolien angeordnet, da die Bemusterung durch Ätzen auf
den äußersten Metallfolien
ausgebildet wird, nachdem ein laminierter Körper, der eine Platte des leitenden
Polymers und zwei Platten der bemusterten Metallfolie enthält, durch
ei nen Wamverpressvorgang in eine Platte integriert worden ist, wobei
des Weiteren darauf das leitende Polymer für zwei Platten und eine nicht
bemusterte Metallfolie für
die äußersten
Schichten für
zwei Platten gestapelt werden, die durch Warmverpressen integriert
werden sollen. Und zwar weist der überlappende Bereich, der von
der ersten Hauptelektrode 2a, der zweiten Hauptelektrode 2c und
der inneren Hauptelektrode 5a ausgebildet wird, wobei der überlappende
Bereich in Bezug auf den Widerstand eines Chip-Thermistors relevant
ist, nur eine kleine Dispersion auf. Dies trägt zu einer reduzierten Dispersion
in dem Widerstand bei den Thermistor-Chips bei.
-
Unter
einem weiteren Verfahren zum Herstellen des Chip-Kaltleiters in
der beispielhaften Ausführungsform
3, welches die Schritte des Ausbildens einer ersten Platte 33 durch
Anordnen des leitenden Polymers mit den PTC-Leistungsmerkmalen zwischen
darüber
und darunter liegenden bemusterten Metallfolien und des Integrierens
von diesen durch Warmverpressen, des Ausbildens einer zweiten Platte 34 durch
Anordnen der ersten integrierten Platte 33 zwischen einem
darüber
und darunter liegenden leitenden Polymer mit den PTC-Leistungsmerkmalen,
ferner des Stapelns von Metallfolie auf der oberen und der unteren
Fläche
des leitenden Polymers mit den PTC-Leistungsmerkmalen und des Integrierens
von diesen in einen laminierten Körper durch Warmverpressen,
wobei der Zyklus des Warmverpressens zur Integrierung zweimal oder über mehrere
Zyklen wiederholt werden kann, des Ausbildens einer dritten Platte
durch Anordnen der integrierten zweiten Platte 34 zwischen
dem darüber
und darunter liegenden Polymer mit den PTC-Leistungsmerkmalen, ferner
des Stapelns von Metallfolie auf der oberen und der unteren Fläche des
leitenden Polymers mit den PTC-Leistungsmerkmalen und des Integrierens
von diesen in einen laminierten Körper durch Warmverpressen,
des Bemusterns der Metallfolie auf der oberen und der unteren Fläche der
integrierten dritten Platte durch Ätzen, des Versehens der integrierten
dritten Platte mit Öffnungen,
des Bereitstellens eines Schutzüberzugs
auf der oberen und unteren Fläche
der integrierten dritten Platte mit den Öffnungen, des Ausbildens von
Seitenelektroden 3a, 3b in der dritten Platte
mit dem Schutzüberzug
und den Öffnungen,
und des Unterteilens der dritten Platte mit den Seitenelektroden 3a, 3b und
den Öffnungen
in einen stückweisen
Chip-Thermistor
umfasst; die Bemusterung wird in einer äußerst genauen Position auf
den äußersten
Metallfolien angeordnet, da die Bemusterung durch Ätzen auf
den äußersten
Metallfolien nach dem Ausbilden eines laminierten Körpers ausgebildet
wird, der eine Platte des leitenden Polymers und zwei Platten der
bemusterten Metallfolie enthält,
die durch einen Warmverpressvorgang in eine Platte integriert werden,
wobei des Weiteren darauf abwechselnd das leitende Polymer für zwei oder
mehrere geradzahlige Schichten und eine nicht bemusterte Metallfolie
für zwei
oder mehrere geradzahlige Schichten gestapelt werden, die durch
wiederholte Warmverpresszyklen integriert werden sollen, und eine
nicht bemusterte Metallfolie für
die äußersten
Schichten bereitgestellt wird, die durch Warmverpressen integriert
werden sollen, wodurch letztendlich ein laminierter Körper ausgebildet
wird, der darin abwechselnd angeordnet das leitende Polymer für fünf oder
mehrere ungeradzahligen Schichten, bemusterte Metallfolien und die
nicht bemusterten Metallfolien für
die äußersten
Schichten enthält. Und
zwar weist der überlappende
Bereich, der von der ersten Hauptelektrode 2a, der zweiten
Hauptelektrode 2c und der inneren Hauptelektrode 5a ausgebildet
wird, wobei der überlappende
Bereich in Bezug auf den Widerstand eines Chip-Thermistors relevant
ist, nur eine kleine Dispersion auf. Dies trägt zu einer reduzierten Dispersion
in dem Widerstand bei den Thermistor-Chips bei.
-
Unter
einem Verfahren zum Herstellen des Chip-Kaltleiters in der beispielhaften
Ausführungsform
4, welches die Schritte des Ausbildens einer ersten integrierten
Platte 103 durch Anordnen einer bemusterten Metallfolie
zwischen einem darüber
und darunter liegenden leitenden Polymer mit den PTC-Leistungsmerkmalen
und ferner des Stapelns von bemusterter Metallfolie auf der oberen
und der unteren Fläche
und des Integrierens von diesen durch Warmverpressen in einen laminierten
Körper, des
Ausbildens einer zweiten Platte 104 durch Anordnen der
ersten integrierten Platte 103 zwischen einem darüber und
darunter liegenden leitenden Polymer mit den PTC-Leistungsmerkmalen
und ferner des Stapelns von bemusterter Metallfolie auf der oberen
und der unteren Fläche
des leitenden Polymers mit den PTC-Leistungsmerkmalen und des Integrierens
von diesen in einen laminierten Körper durch Warmverpressen,
wobei der Zyklus des Stapelns und Warmverpressens zur Integrierung
zweimal oder über
mehrere Zyklen wiederholt werden kann, des Versehens der integrierten
zweiten Platte 104 mit Öffnungen,
des Ausbildens eines Schutzüberzugs
auf der oberen und unteren Fläche
der zweiten Platte 104 mit den Öffnungen, des Ausbildens von
Seitenelektroden 93a, 93b in der zweiten Platte 104 mit
dem Schutzüberzug
und den Öffnungen,
und des Unterteilens der zweiten Platte 104 mit den Seitenelektroden 93a, 93b und
den Öffnungen
in einen stückweisen
Chip-Thermistor umfasst; die Dicke der leitenden Polymerschichten
weist nur eine kleine Abweichung von denen, die sich in den Mittelschichten
des laminierten Körpers
befinden, und denjenigen in den äußeren Schichten
auf. Der Grund für
die kleine Abweichung in der Schichtdicke ist, dass ein laminierter Körper ausgehend
von der inneren Schicht durch wiederholtes Stapeln und Warmverpressen
schrittweise zu den äußeren Schichten
hin ausgebildet worden ist, indem zuerst zwei Platten des leitenden
Polymers und drei Platten von bemusterter Metallfolie durch Warmverpressen
in eine Plattenform integriert werden, und ferner das leitende Polymer
für zwei oder
mehrere geradzahlige Schichten und die bemusterte Metallfolie für zwei oder
mehrere geradzahlige Schichten abwechselnd gestapelt werden, um durch
wiederholte Zyklen des Warmverpressprozesses integriert zu werden,
wodurch letztendlich ein laminierter Körper ausgebildet wird, der
darin abwechselnd das leitende Polymer für vier oder mehrere geradzahlige
Schichten und die bemusterten Metallfolien enthält.
-
Unter
einem anderen Verfahren zum Herstellen des Chip-Kaltleiters in der
beispielhaften Ausführungsform
4, welches die Schritte des Ausbildens einer ersten integrierten
Platte 103 durch Anordnen einer bemusterten Metallfolie
zwischen einem darüber und
darunter liegenden leitenden Polymer mit den PTC-Leistungsmerkmalen,
ferner des Stapelns von bemusterter Metallfolie auf der oberen und
der unteren Fläche
und des Integrierens von diesen durch Warmverpressen in einen laminierten
Körper,
des Ausbildens einer zweiten Platte 104 durch Anordnen der
ersten integrierten Platte 103 zwischen einem darüber und
darunter liegenden leitenden Polymer mit den PTC-Leistungsmerkmalen,
ferner des Stapelns von Metallfolie auf der oberen und der unteren Fläche des
leitenden Polymers mit den PTC-Leistungsmerkmalen und des Integrierens
von diesen in einen laminierten Körper durch Warmverpressen, des
Bemusterns der Metallfolie, die auf der oberen und der unteren Fläche der
integrierten zweiten Platte 104 bereitgestellt ist, durch Ätzen, des
Versehens der integrierten zweiten Platte 104 mit Öffnungen, des
Ausbildens eines Schutzüberzugs
auf der oberen und unteren Fläche
der zweiten Platte 104 mit Öffnungen, des Ausbildens von
Seitenelektroden 93a, 93b in der zweiten Platte 104 mit
dem Schutzüberzug
und den Öffnungen,
und des Unterteilens der zweiten Platte 104 mit den Seitenelektroden 93a, 93b und
den Öffnungen
in einen stückweisen
Chip-Thermistor umfasst; die Bemusterung wird in einer äußerst genauen
Position auf den äußersten
Metallfolien angeordnet, da die Bemusterung durch Ätzen auf den äußersten
Metallfolien nach dem Ausbilden eines laminierten Körpers ausgebildet
wird, der zwei Platten des leitenden Polymers und drei Platten der bemusterten
Metallfolie enthält,
die durch einen Warmverpressvorgang in eine Platte integriert werden,
wobei des Weiteren darauf abwechselnd das leitende Polymer für zwei Schichten
und nicht bemusterte Metallfolie für die äußerste Schicht für zwei Schichten
gestapelt werden, die durch Warmverpressen in einen laminierten
Körper
integriert werden sollen. Und zwar weist der überlappende Bereich, der von
der ersten Hauptelektrode 92a, der zweiten Hauptelektrode 92c und
der inneren Hauptelektroden 95a, 95c, 95e ausgebildet
wird, wobei der überlappende
Bereich in Bezug auf den Widerstand eines Chip-Thermistors relevant
ist, nur eine kleine Dispersion auf. Dies trägt zu einer reduzierten Dispersion
in dem Widerstand bei den Thermistor-Chips bei.
-
Unter
einem weiteren Verfahren zum Herstellen des Chip-Kaltleiters in
der beispielhaften Ausführungsform
4, welches die Schritte des Ausbildens einer ersten Platte 103 durch
Anordnen einer bemusterten Metallfolie zwischen einem darüber und
darunter liegenden leitenden Polymer mit den PTC-Leistungsmerkmalen,
ferner des Stapelns von bemusterter Metallfolie auf der oberen und
der unteren Fläche und
des Integrierens von diesen durch Warmverpressen in einen laminierten
Körper,
des Ausbildens einer zweiten Platte 104 durch Anordnen
der ersten integrierten Platte 103 zwischen einem darüber und
darunter liegenden leitenden Polymer mit den PTC-Leistungsmerkmalen,
ferner des Stapelns von Metallfolie auf beide Flächen und des Integrierens von
diesen in einen laminierten Körper
durch Warmverpressen, wobei der Zyklus des Warmverpressens zur Integrierung
zweimal oder über
mehrere Zyklen wiederholt werden kann, des Ausbildens einer dritten
Platte durch Anordnen der integrierten zweiten Platte 104 zwischen
dem darüber
und darunter liegenden Polymer mit den PTC-Leistungsmerkmalen, ferner
des Stapelns von Metallfolie auf beiden Flächen und des Integrierens von
diesen in einen laminierten Körper durch
Warmverpressen, des Bemusterns der Metallfolie auf beiden Flächen der
integrierten dritten Platte durch Ätzen, des Versehens der integrierten
dritten Platte mit Öffnungen,
des Bereitstellens eines Schutzüberzugs
auf der oberen und unteren Fläche der
dritten Platte mit den Öffnungen,
des Ausbildens von Seitenelektroden 93a, 93b in
der dritten Platte mit dem Schutzüberzug und den Öffnungen,
und des Unterteilens der dritten Platte mit den Seitenelektroden 93a, 93b und
den Öffnungen
in einen stückweisen
Chip-Thermistor umfasst; die Bemusterung wird in einer äußerst genauen
Position auf den äußersten Metallfolien
angeordnet, da die Bemusterung durch Ätzen auf den äußersten
Metallfolien nach dem Ausbilden eines laminierten Körpers ausgebildet
wird, der zwei Platten des leitenden Polymers und drei Platten der
bemusterten Metallfolie enthält,
die durch einen Warmverpressvorgang in eine Platte in tegriert werden,
wobei des Weiteren darauf abwechselnd das leitende Polymer für zwei oder
mehrere gezählte (in
counts) Schichten und bemusterte Metallfolie für zwei oder mehrere geradzahlige
Schichten gestapelt werden, die durch wiederholte Zyklen des Warmverpressprozesses
in eine Plattenform integriert werden sollen, wobei des Weiteren
eine nicht bemusterte Metallfolie für die äußersten Schichten bereitgestellt wird,
die integriert werden sollen, wodurch letztendlich ein laminierter
Körper
ausgebildet wird, der darin abwechselnd das leitende Polymer für sechs
oder mehrere geradzahligen Schichten und die bemusterten Metallfolien
enthält.
Und zwar weist der überlappende
Bereich, der von der ersten Hauptelektrode 92a, der zweiten
Hauptelektrode 92c und den inneren Hauptelektroden 95a, 95c, 95e ausgebildet
wird, wobei der überlappende
Bereich in Bezug auf den Widerstand eines Chip-Thermistors relevant
ist, nur eine kleine Dispersion auf. Dies trägt zu einer reduzierten Dispersion
in dem Widerstand bei den Thermistor-Chips bei.
-
Des
Weiteren weist unter einem Verfahren zum Herstellen des Chip-Kaltleiters
in der beispielhaften Ausführungsform
1, in dem die Öffnung 24 (Schlitze)
in einer Streifenform oder einer Kammform ausgebildet wird, und
die Endfläche
der Öffnung
aus geraden Linien ausgebildet wird, die Form der Endfläche der Öffnung die
geringste Abweichung auf, selbst wenn die Position der Endfläche relativ
zu der Bemusterung der Metallfolie leicht verschoben ist aufgrund
einer Toleranz in der zulässigen
Bearbeitungsgenauigkeit während
der Ausbildung der Streifenform oder der Kammform. Dementsprechend
weisen die Seitenelektroden 13a, 13b, die auf
der Endfläche
durch galvanisches Beschichten oder ein ähnliches Verfahren ausgebildet
werden, einen gewissen stabilen Verbindungsbereich mit der ersten
Hauptelektrode 12a und der zweiten Hauptelektrode 12c auf;
damit weist die Kraft in der Kopplung an der Verbindung zwischen
den Seitenelektroden 13a, 13b und der ersten Hauptelektrode 12a und
der zweiten Hauptelektrode 12c gegenüber der Belastung, die durch
die Ausdehnung und Schrumpfung des leitenden Polymers verursacht
wird, eine kleinere Dispersion auf.
-
Des
Weiteren wird unter einem Verfahren zum Herstellen des Chip-Kaltleiters
in der beispielhaften Ausführungsform
1 die Metallfolie an der Öffnung 24 (Schlitz)
in eine Kammform bemustert. Daher wird in einem späteren Prozessschritt
des Unterteilens in einen stückweisen
Chip-Thermistor die Metallfolie an einem Abschnitt eingeschnitten,
der dem Kammzahn entspricht. Somit ist der eingeschnittene Abschnitt
kleiner im Vergleich mit einer Metallfolie, die keine Kammöffnung aufweist.
Dies reduziert die Menge der Gratbildung mit der Metallfolie im
Unterteilungsschritt und reduziert ebenfalls die Bloßlegung des
Schnittendes der Metallfolie gegenüber der Seitenfläche eines
Chip-Thermistors, was in Bezug auf ein Vermeiden einer Oxidation
der freiliegenden Fläche
und ein Verhindern des Auftretens eines Kurzschlusses durch Lötmittel
beim Anbringen des Chip-Thermistors
auf einer Schaltung vorteilhaft ist.
-
INDUSTRIELLE ANWENDBARKEIT
-
Die
Kaltleiter-Chips sind aus einem würfelförmigen leitenden Polymer, das
die PTC-Leistungsmerkmale
aufweist, einer ersten Hauptelektrode, die auf einer ersten Fläche des
leitenden Polymers angeordnet ist, einer ersten Unterelektrode,
die auf der gleichen Fläche
wie die erste Hauptelektrode angeordnet ist, wobei sie jedoch von
der ersten Hauptelektrode unabhängig
ist, einer zweiten Hauptelektrode, die auf einer zweiten Fläche angeordnet
ist, die der ersten Fläche
des leitenden Polymers gegenüber liegt,
einer zweiten Unterelektrode, die auf der gleichen Fläche wie
die zweite Hauptelektrode angeordnet ist, wobei sie jedoch von der
zweiten Hauptelektrode unabhängig
ist, einer ersten Seitenelektrode, die wenigstens die gesamte Fläche von
einer der Seitenflächen
des leitenden Polymers bedeckt, wobei die Seitenelektrode mit der
ersten Hauptelektrode und der zweiten Unterelektrode elektrisch
verbunden ist, und einer zweiten Seitenelektrode, die wenigstens
die gesamte Fläche
der anderen Seitenfläche bedeckt,
die der einen Seitenfläche
des leitenden Polymers gegenüber
liegt, wobei die Seitenelektrode mit der ersten Unterelektrode und
der zweiten Hauptelektrode elektrisch verbunden ist, ausgebildet.
-
Unter
der Struktur, die wie oben konfiguriert ist, kann eine Lot-Kehlnaht
an der Seite der Chip-Thermistors, der auf einer gedruckten Schaltung
befestigt ist, ausgebildet werden, weil die Seitenelektrode so bereitgestellt
ist, dass sie wenigstens die gesamte Seitenfläche der zwei Seitenflächen des leitenden
Polymers bedeckt. Der Chip-Kaltleiter der vorliegenden Erfindung
bietet den Vorteil, dass der gelötete
Abschnitt problemlos visuell geprüft werden kann, nachdem der
Chip-Thermistor auf einer gedruckten Schaltung angebracht worden
ist; des Weiteren kann der Chip-Kaltleiter in dem Schwalllötprozess
verwendet werden.
-
- 1
- Leitendes
Polymer
- 2a
- Erste
Hauptelektrode
- 2b
- Erste
Unterelektrode
- 2c
- Zweite
Hauptelektrode
- 2d
- Zweite
Unterelektrode
- 3a
- Erste
Seitenelektrode
- 3b
- Zweite
Seitenelektrode
- 4a,
4b
- Schutzüberzüge
- 5a
- Erste
innere Hauptelektrode
- 5b
- Erste
innere Unterelektrode
- 5c
- Zweite
innere Hauptelektrode
- 5d
- Zweite
inner Unterelektrode
- 11
- Leitendes
Polymer
- 12a
- Erste
Hauptelektrode
- 12b
- Erste
Unterelektrode
- 12c
- Zweite
Hauptelektrode
- 12d
- Zweite
Unterelektrode
- 13a
- Erste
Seitenelektrode
- 13b
- Zweite
Seitenelektrode
- 14a,
14b
- Schutzüberzüge
- 21
- Leitende
Polymerplatte
- 22
- Elektrode
- 23
- Platte
- 24
- Öffnung (Durchbrechung)
- 25
- Schutzüberzug
- 26
- Schlitz
- 27
- Schlitz
- 31
- Leitende
Polymerplatte
- 32
- Elektrode
- 33
- Erste
Platte
- 34
- Zweite
Platte
- 41
- Leitendes
Polymer
- 42a
- Erste
Hauptelektrode
- 42b
- Erste
Unterelektrode
- 42c
- Zweite
Hauptelektrode
- 42d
- Zweite
Unterelektrode
- 43a
- Erste
Seitenelektrode
- 43b
- Zweite
Seitenelektrode
- 44a,
44b
- Schutzüberzüge
- 45
- Innere
Hauptelektrode
- 45b
- Innere
Unterelektrode
- 51
- Leitende
Polymerplatte
- 52
- Elektrode
- 53
- Platte
- 61
- Widerstandskörper
- 62a,
62b, 62c, 62d
- Elektroden
- 63a,
63b
- Öffnungen
- 64a,
64b
- Leitendes
Element
- 71
- Platte
- 72
- Metallfolie
- 73
- Platte
- 74
- Durchbrechung
- 75
- Galvanisch
beschichteter Film
- 76
- Geätzter Schlitz
- 77
- Längsschnittlinie
- 78
- Seitliche
Schnittlinie
- 79
- Kaltleiter-Chip
- 81
- Durchbrechung
- 82
- Schnittlinie
- 83
- Elektrode
- 84
- Geätzter Schlitz
- 85
- Kontaktabschnitt
- 91
- Leitendes
Polymer
- 92a
- Erste
Hauptelektrode
- 92b
- Erste
Unterelektrode
- 92c
- Zweite
Hauptelektrode
- 92d
- Zweite
Unterelektrode
- 93a
- Erste
Seitenelektrode
- 93b
- Zweite
Seitenelektrode
- 94a,
94b
- Schutzüberzug
- 95a
- Erste
innere Hauptelektrode
- 95b
- Erste
innere Unterelektrode
- 95c
- Zweite
innere Hauptelektrode
- 95d
- Zweite
innere Unterelektrode
- 95e
- Dritte
innere Hauptelektrode
- 95f
- Dritte
innere Unterelektrode
- 101
- Leitende
Polymerplatte
- 102
- Elektrode
- 103
- Erste
Platte
- 104
- Zweite
Platte