JPH06302404A - 積層型正特性サ−ミスタ - Google Patents
積層型正特性サ−ミスタInfo
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- JPH06302404A JPH06302404A JP5090283A JP9028393A JPH06302404A JP H06302404 A JPH06302404 A JP H06302404A JP 5090283 A JP5090283 A JP 5090283A JP 9028393 A JP9028393 A JP 9028393A JP H06302404 A JPH06302404 A JP H06302404A
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- laminated
- temperature coefficient
- positive temperature
- coefficient thermistor
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- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/18—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material comprising a plurality of layers stacked between terminals
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- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/008—Thermistors
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/021—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient formed as one or more layers or coatings
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49085—Thermally variable
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電極に銀以外の材料を使用してマイグレ−シ
ョンを防止するとともに、積層にしたとき取り扱い易
く、チップのままで半田付けの容易な積層型正特性サ−
ミスタの提供をすることである。 【構成】 正の抵抗温度特性を有する半導体基板1の主
面にオーミック性を示す金属として、例えば亜鉛,アル
ミニウム,ニッケル,クロムの内部電極2のいずれかを
形成する。内部電極2は半導体基板1の一端から他端の
途中まで形成されている。このような半導体基板1を向
かい合う内部電極2の端部の導出方向が互いに同じにな
るように、必要数積み重ね、各半導体基板1はガラス3
で貼り合わす。両端に交互に露出した内部電極2をそれ
ぞれ電気的に並列に接続できるように積層体の端面に外
部電極4を形成する。外部電極4は内部電極2と同じも
の、例えば内部電極2と外部電極4をニッケルにする
か、または異なった組み合わせのもの、例えば内部電極
2をニッケルにして外部電極4をクロムにする。
ョンを防止するとともに、積層にしたとき取り扱い易
く、チップのままで半田付けの容易な積層型正特性サ−
ミスタの提供をすることである。 【構成】 正の抵抗温度特性を有する半導体基板1の主
面にオーミック性を示す金属として、例えば亜鉛,アル
ミニウム,ニッケル,クロムの内部電極2のいずれかを
形成する。内部電極2は半導体基板1の一端から他端の
途中まで形成されている。このような半導体基板1を向
かい合う内部電極2の端部の導出方向が互いに同じにな
るように、必要数積み重ね、各半導体基板1はガラス3
で貼り合わす。両端に交互に露出した内部電極2をそれ
ぞれ電気的に並列に接続できるように積層体の端面に外
部電極4を形成する。外部電極4は内部電極2と同じも
の、例えば内部電極2と外部電極4をニッケルにする
か、または異なった組み合わせのもの、例えば内部電極
2をニッケルにして外部電極4をクロムにする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は積層型正特性サ−ミスタ
に関するものである。
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は積層型正特性サ−ミスタである。
正の抵抗温度特性を有する半導体基板1は、例えばチタ
ン酸バリウムのバリウムの一部をストロンチウムで置換
したものに、半導体化させるために、ランタン、セリウ
ム、イットリウム、サマリウムなどの希土類元素等を微
量添加して焼成したものである。半導体基板1は、例え
ば長方形、あるいは正方形などの形状を有しており、図
4に示すように、その主面および側面にはL字型にそれ
ぞれ銀のオーミック性内部電極2a,2bが形成されて
いる。
正の抵抗温度特性を有する半導体基板1は、例えばチタ
ン酸バリウムのバリウムの一部をストロンチウムで置換
したものに、半導体化させるために、ランタン、セリウ
ム、イットリウム、サマリウムなどの希土類元素等を微
量添加して焼成したものである。半導体基板1は、例え
ば長方形、あるいは正方形などの形状を有しており、図
4に示すように、その主面および側面にはL字型にそれ
ぞれ銀のオーミック性内部電極2a,2bが形成されて
いる。
【0003】前記積層型正特性サ−ミスタは6枚の半導
体基板1が積み上げられて構成されている。同図におい
て、半導体基板1の向かって左側面上に端を発する内部
電極2a…は互いに直接接触している。一方、半導体基
板1の向かって右側面上に端を発する内部電極2bは直
接接触してはいないが、導電性ホルダ5bを介して電気
的に接続されている。このように、積層型正特性サ−ミ
スタの各半導体基板1は、導電性ホルダ5a、5bを介
して電気的に互いに並列に接続されることになる。な
お、導電性ホルダ5a、5bは、半導体基板1…を固定
するとともに、半導体基板1…の相互間の電気的な接触
を密にしている。なお図4に示すように、半導体基板1
の主面上および側面上にまたがるようにL字形に内部電
極2a,2bが形成されているが、内部電極2a,2b
をL字形に形成するのは技術面で難しく、コーナー断線
が考えられるため、図5に示すように両主面にのみ内部
電極2a,2bを形成したものもある。
体基板1が積み上げられて構成されている。同図におい
て、半導体基板1の向かって左側面上に端を発する内部
電極2a…は互いに直接接触している。一方、半導体基
板1の向かって右側面上に端を発する内部電極2bは直
接接触してはいないが、導電性ホルダ5bを介して電気
的に接続されている。このように、積層型正特性サ−ミ
スタの各半導体基板1は、導電性ホルダ5a、5bを介
して電気的に互いに並列に接続されることになる。な
お、導電性ホルダ5a、5bは、半導体基板1…を固定
するとともに、半導体基板1…の相互間の電気的な接触
を密にしている。なお図4に示すように、半導体基板1
の主面上および側面上にまたがるようにL字形に内部電
極2a,2bが形成されているが、内部電極2a,2b
をL字形に形成するのは技術面で難しく、コーナー断線
が考えられるため、図5に示すように両主面にのみ内部
電極2a,2bを形成したものもある。
【0004】半導体基板1の積み重ね枚数を適宜選び、
各内部電極2間を電気的に互いに並列になるように相互
接続することにより、積層型正特性サ−ミスタの合成抵
抗値が可変できる。
各内部電極2間を電気的に互いに並列になるように相互
接続することにより、積層型正特性サ−ミスタの合成抵
抗値が可変できる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のよう
な半導体基板は内部電極に銀を使用しているためマイグ
レーションによりショート不良を起こしやすい。また、
各半導体基板を重ねるだけでは各半導体基板間が密着し
ていないため、導電性ホルダを装着するまでは、各半導
体基板がバラバラになっていて次の工程上扱いにくい。
な半導体基板は内部電極に銀を使用しているためマイグ
レーションによりショート不良を起こしやすい。また、
各半導体基板を重ねるだけでは各半導体基板間が密着し
ていないため、導電性ホルダを装着するまでは、各半導
体基板がバラバラになっていて次の工程上扱いにくい。
【0006】本発明の目的は内部電極に銀以外の材料を
使用してマイグレ−ションを防止するとともに、積層に
したとき取り扱い易く、チップのままで半田付けの容易
な積層型正特性サ−ミスタの提供をすることである。
使用してマイグレ−ションを防止するとともに、積層に
したとき取り扱い易く、チップのままで半田付けの容易
な積層型正特性サ−ミスタの提供をすることである。
【0007】
【課題を解決するための手段】正の抵抗温度特性を有す
る半導体基板を、複数枚積み上げて積層体とし、前記積
層体を構成する半導体基板の互いに対向する主面に一端
が積層体の側面に導出される銀以外のオーミック性を示
す内部電極が形成されているとともに、該内部電極は積
層体の側面に交互に導出され、前記半導体基板はガラス
層で互いに接着され、前記積層体の側面には前記内部電
極と接続されている外部電極が形成されている。
る半導体基板を、複数枚積み上げて積層体とし、前記積
層体を構成する半導体基板の互いに対向する主面に一端
が積層体の側面に導出される銀以外のオーミック性を示
す内部電極が形成されているとともに、該内部電極は積
層体の側面に交互に導出され、前記半導体基板はガラス
層で互いに接着され、前記積層体の側面には前記内部電
極と接続されている外部電極が形成されている。
【0008】前記積層型正特性サ−ミスタの内部電極は
銀以外のオ−ミック性を示す亜鉛、アルミニウム、ニッ
ケル、クロムが用いられる。
銀以外のオ−ミック性を示す亜鉛、アルミニウム、ニッ
ケル、クロムが用いられる。
【0009】前記積層型正特性サ−ミスタの前記外部電
極は、第一層が銀以外のオーミック性を示す亜鉛、アル
ミニウム、ニッケル、クロムからなり、最外層が半田付
け性の良い金属層から形成されている。
極は、第一層が銀以外のオーミック性を示す亜鉛、アル
ミニウム、ニッケル、クロムからなり、最外層が半田付
け性の良い金属層から形成されている。
【0010】
【作用】前記の構成によれば、内部電極と外部電極の第
一層に銀を用いないため内部電極と外部電極の間で銀に
よるマイグレ−ションの発生を抑えることができ、各半
導体基板をガラスで貼り合わせるため基板のズレが起こ
らず、次の工程でも扱い易い。また、積層型にしたとき
に強度も得られる。さらに、外部電極の最外層に半田付
け性の良い金属を形成すれば半田付けが容易に行えるた
め、導電性ホルダ等を必要としないでチップのままで使
用できる。
一層に銀を用いないため内部電極と外部電極の間で銀に
よるマイグレ−ションの発生を抑えることができ、各半
導体基板をガラスで貼り合わせるため基板のズレが起こ
らず、次の工程でも扱い易い。また、積層型にしたとき
に強度も得られる。さらに、外部電極の最外層に半田付
け性の良い金属を形成すれば半田付けが容易に行えるた
め、導電性ホルダ等を必要としないでチップのままで使
用できる。
【0011】
【実施例】図1に本実施例の一つである積層型正特性サ
−ミスタを示す。正の抵抗温度特性を有する半導体基板
1の主面にオーミック性を示す金属として、例えば亜
鉛,アルミニウム,ニッケル,クロムの内部電極2のい
ずれかを形成する。形成する方法としては無電解メッ
キ、スパッタ、蒸着、印刷焼付けあるいはそれらの組み
合わせを用いる。内部電極2は半導体基板1の一端から
他端の途中まで形成されている。このような半導体基板
1を向かい合う内部電極2の端部の導出方向が互いに同
じになるように、必要数積み重ね、各半導体基板1はガ
ラス3で貼り合わす。両端に交互に露出した内部電極2
をそれぞれ電気的に並列に接続できるように積層体の端
面に外部電極4を形成する。外部電極4の形成方法は無
電解メッキ、スパッタ、蒸着、印刷あるいはそれらの組
み合わせを用いる。外部電極4は内部電極2と同じも
の、例えば内部電極2と外部電極4をニッケルにする
か、または異なった組み合わせのもの、例えば内部電極
2をニッケルにして外部電極4をクロムにする。
−ミスタを示す。正の抵抗温度特性を有する半導体基板
1の主面にオーミック性を示す金属として、例えば亜
鉛,アルミニウム,ニッケル,クロムの内部電極2のい
ずれかを形成する。形成する方法としては無電解メッ
キ、スパッタ、蒸着、印刷焼付けあるいはそれらの組み
合わせを用いる。内部電極2は半導体基板1の一端から
他端の途中まで形成されている。このような半導体基板
1を向かい合う内部電極2の端部の導出方向が互いに同
じになるように、必要数積み重ね、各半導体基板1はガ
ラス3で貼り合わす。両端に交互に露出した内部電極2
をそれぞれ電気的に並列に接続できるように積層体の端
面に外部電極4を形成する。外部電極4の形成方法は無
電解メッキ、スパッタ、蒸着、印刷あるいはそれらの組
み合わせを用いる。外部電極4は内部電極2と同じも
の、例えば内部電極2と外部電極4をニッケルにする
か、または異なった組み合わせのもの、例えば内部電極
2をニッケルにして外部電極4をクロムにする。
【0012】また、図2のように外部電極4の表面には
最外層4aとして半田付け性の良い金属、例えば銀,ス
ズ,半田,銀合金等で形成する。このようにして積層型
つまりチップ型の正特性サ−ミスタが得られる。
最外層4aとして半田付け性の良い金属、例えば銀,ス
ズ,半田,銀合金等で形成する。このようにして積層型
つまりチップ型の正特性サ−ミスタが得られる。
【0013】図1,図2は半導体基板1を4枚積み重ね
たものであるが、使用目的によって半導体基板1の積み
重ねる枚数は自由に変えられる。また、最上部と最下部
の基板は片面にのみ電極を形成しているが、使用目的に
より両面に電極を形成しても良い。
たものであるが、使用目的によって半導体基板1の積み
重ねる枚数は自由に変えられる。また、最上部と最下部
の基板は片面にのみ電極を形成しているが、使用目的に
より両面に電極を形成しても良い。
【0014】
【発明の効果】本発明の積層型正特性サ−ミスタは内部
電極、外部電極の第一層に銀を使用しないで卑金属材料
を用いるため、銀のマイグレーションを防止することが
できる。また、電極として銀以外の卑金属を使用するた
めコストダウンもはかり易い。また、半導体基板をガラ
スで貼り合わせるため積層にしたとき次工程でバラバラ
にならず作業し易く、作業能率が上がる。さらに、外部
電極の最外層に半田付け性の良い金属層を形成すること
により、チップのままで半田付けしやすく、電子部品と
して使用しやすい。
電極、外部電極の第一層に銀を使用しないで卑金属材料
を用いるため、銀のマイグレーションを防止することが
できる。また、電極として銀以外の卑金属を使用するた
めコストダウンもはかり易い。また、半導体基板をガラ
スで貼り合わせるため積層にしたとき次工程でバラバラ
にならず作業し易く、作業能率が上がる。さらに、外部
電極の最外層に半田付け性の良い金属層を形成すること
により、チップのままで半田付けしやすく、電子部品と
して使用しやすい。
【図1】本発明の実施例の積層型正特性サ−ミスタの構
成例を示す図である。
成例を示す図である。
【図2】本発明の他の実施例の積層型正特性サ−ミスタ
の構成例を示す図である。
の構成例を示す図である。
【図3】従来の積層型正特性サ−ミスタの構成例を示す
図である。
図である。
【図4】従来の半導体基板の斜視図である。
【図5】従来の半導体基板の斜視図である。
1 正の抵抗温度特性を有する半導体基板 2 内部電極 3 ガラス 4 外部電極
Claims (3)
- 【請求項1】 正の抵抗温度特性を有する半導体基板
を、複数枚積み上げて積層体とし、前記積層体を構成す
る半導体基板の互いに対向する主面に一端が積層体の側
面に導出される銀以外のオーミック性を示す内部電極が
形成されているとともに、該内部電極は積層体の側面に
交互に導出されており、前記半導体基板はガラス層で互
いに接着され、前記積層体の側面には前記内部電極と接
続されている外部電極が形成されていることを特徴とす
る積層型正特性サ−ミスタ。 - 【請求項2】 前記積層型正特性サ−ミスタの内部電極
は銀以外のオ−ミック性を示す亜鉛、アルミニウム、ニ
ッケル、クロムからなることを特徴とする請求項1記載
の積層型正特性サ−ミスタ。 - 【請求項3】 前記積層型正特性サ−ミスタの前記外部
電極は、第一層が銀以外のオーミック性を示す亜鉛、ア
ルミニウム、ニッケル、クロムからなり、最外層が半田
付け性の良い金属層から形成されていることを特徴とす
る請求項1記載の積層型正特性サ−ミスタ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5090283A JPH06302404A (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 積層型正特性サ−ミスタ |
US08/228,731 US5493266A (en) | 1993-04-16 | 1994-04-18 | Multilayer positive temperature coefficient thermistor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5090283A JPH06302404A (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 積層型正特性サ−ミスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06302404A true JPH06302404A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=13994197
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5090283A Pending JPH06302404A (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 積層型正特性サ−ミスタ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5493266A (ja) |
JP (1) | JPH06302404A (ja) |
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