TWI427646B - 具表面可裝設配置之傳導聚合物電子裝置及其製造方法 - Google Patents

Description

具表面可裝設配置之傳導聚合物電子裝置及其製造方法

本揭示案關於傳導聚合物電子組件與裝置之領域。明確地說，其關於包含一層壓於一對平面電極間之熱敏電阻材料(如一傳導聚合物)層的電阻裝置，其中該裝置具有一表面可裝設配置。

傳導聚合物熱敏電阻裝置於電路上已變得十分普遍。此等裝置包括表現一正電阻率溫度係數(PTC)與一負電阻率溫度係數(NTC)的裝置。明確地說，由於包含表現一正電阻率溫度係數(PTC)之傳導聚合物電阻材料的電阻裝置由於其經歷快速且猛烈(至少三或四個大小等級)提高電阻的能力以回應過電流情形，發現其廣泛地用作過電流保護裝置或"可自我重設熔絲"。

電子組件一般的設計目標係縮小其於一電路板上佔據的表面區域或"覆蓋區域"，使得電路板可製造成盡可能地小，並因而能夠提升一特定區域之電路板上的組件密度。一種可達到一小型幾何形狀(同時亦達到節約製造成本)的方式係將該等組件組態成於一電路板上"表面可裝設"。一表面可裝設組件係齊平裝設於該板上的傳導端子觸點上，而無須插座或穿板接針。

已針對傳導聚合物熱電阻裝置(尤其是PTC裝置)發明多種表面可裝設配置。製造表面可裝設傳導聚合物PTC裝置時，除了具有一小覆蓋區域之標準外，還有許多設計標準。例如，該等裝置之設計必須有助於降低其製造成本。此外，該設計必須在該等金屬元件(電極與端子)與該(等)非金屬(聚合物)元件之間提供該等連接的整合性。在許多情況下，該設計係此等不同標準間的妥協。

伴隨表面可裝設傳導聚合物裝置之一問題在於該等金屬元件經歷一過電流情形時傾向對該(等)聚合元件之熱膨脹會有實體限制。傳導聚合物PTC元件通常係由一其中混入傳導粒子(如碳黑或金屬粒子)的有機聚合物(如聚乙烯)來形成。就實質部分而言，組成物之傳導性(或，相反地，電阻性)係由該等傳導粒子間之平均間隔來決定。一PTC裝置之一傳導聚合物元件之電阻性在經歷一過電流情況後猛烈與突然提升係由於該聚合物元件之熱感應膨脹，其使該聚合材料內之傳導粒子間的平均間隔變大。只要此一裝置之金屬元件對該(等)傳導聚合物元件的膨脹有實體限制，該裝置之功能性便可能受損，尤其是在反覆過電流"跳脫"之後。例如，"可反覆性"(該裝置實質上能表現相同操作參數的特性)經過多個負載循環(過電流跳脫與接著在移除過電壓之後的重設)後可能因一種應力感應"滯後"效應而劣化。

明確地說，典型的先前技術傳導聚合物PTC裝置會與負載循環之數目成函數關係而傾向表現較差電阻穩定性。此意即在許多先前技術傳導聚合物PTC裝置中的正常(非過電流情況)電阻傾向在40至50個負載循環之後顯著提升。此外，只要該等金屬元件允許至少部分程度之聚合膨脹，則該等金屬元件便能經受機械應力，進而可在經過反覆的負載循環後妥協該裝置的實體整合性。

因此，對於製造起來十分經濟、具有的電路板覆蓋區域十分小、並在該等金屬元件不經受不適當應力之情況下使該聚合物元件能夠適當熱膨脹的一表面可裝設傳導聚合物電阻裝置(尤其是一PTC裝置)常感到有所需求(而迄今仍未滿足)。

於一項具體實施例中，一表面可裝設傳導聚合物電子裝置包含一傳導聚合物材料之至少一作用層；一上電極，其鄰接該作用層之一上表面；一下電極，其鄰接該作用層之一下表面；一上絕緣層，其鄰接該上電極之一上表面；一下絕緣層，其鄰接該下電極之一下表面；第一與第二端子，其鄰接該下絕緣層之一下表面；一第一跨接導體，其與該裝置之一第一端相鄰；以及一第二跨接導體，其與該裝置之一第二(相反)端相鄰。該第一跨接導體連接該下電極與該第一端子，且該上絕緣層之一部分會分離該第一跨接導體與該上電極。該第二跨接導體連接該上電極與該第二端子，且該下絕緣層之一部分會分離該第二跨接導體與該下電極。

於另一具體實施例中，一表面可裝設傳導聚合物電子裝置包含一傳導聚合物材料之至少一第一作用層；一第一電極，其鄰接該第一作用層之一上表面；一第二電極，其鄰接該第一作用層之一下表面；一上絕緣層，其鄰接該第一電極之一上表面；一傳導聚合物材料之至少一第二作用層，其位於該第一作用層之下；一第三電極，其鄰接該第二作用層之一上表面；一第四電極，其鄰接該第二作用層之一下表面；一下絕緣層，其鄰接該第四電極之一下表面；一中間絕緣層，其包夾於該第二及該第三電極之間並鄰接該第二及該第三電極；第一與第二端子，其鄰接該下絕緣層之一下表面；一第一跨接導體，其與該裝置之一第一端相鄰；以及一第二跨接導體，其與該裝置之一第二(相反)端相鄰。該第一跨接導體連接該第二及該第三電極與該第一端子。該上絕緣層之一部分會分離該第一跨接導體與該第一電極，而該下絕緣層之一部分會分離該第一跨接導體與該第四電極。該第二跨接導體連接該第一及該第四電極與該第二端子。該中間絕緣層之部分會分離該第二跨接導體與該第二及該第三電極。

於一另一具體實施例中，一表面可裝設傳導聚合物電子裝置包含一傳導聚合物材料之至少一第一作用層；一第一電極，其鄰接該第一作用層之一上表面；一第二電極，其鄰接該第一作用層之一下表面；一上絕緣層，其鄰接該第一電極之一上表面；一傳導聚合物材料之至少一第二作用層，其位於該第一作用層之下；一第三電極，其鄰接該第二作用層之一上表面；一第四電極，其鄰接該第二作用層之一下表面；一下絕緣層，其鄰接該第四電極之一下表面；一中間絕緣層，其包夾於該第二及該第三電極之間並鄰接該第二及該第三電極；第一與第二端子，其鄰接該下絕緣層之一下表面；一第一跨接導體，其與該裝置之一第一端相鄰；以及一第二跨接導體，其與該裝置之一第二(相反)端相鄰。該第一跨接導體連接該第二及該第四電極與該第一端子。該上絕緣層之一部分會分離該第一跨接導體與該第一電極，而該中間絕緣層之一部分會分離該第一跨接導體與該第三電極。該第二跨接導體連接該第一及該第三電極與該第二端子。該下絕緣層之一部分會分離該第二跨接導體與該第四電極，而該中間絕緣層之一部分會分離該第二跨接導體與該第二電極。

於又另一具體實施例中，一表面可裝設傳導聚合物電子裝置包含一傳導聚合物材料之至少一第一作用層；一第一電極，其鄰接該第一作用層之一上表面；一第二電極，其鄰接該第一作用層之一下表面；一上絕緣層，其鄰接該第一電極之一上表面；一傳導聚合物材料之至少一第二作用層，其位於該第一作用層之下；一第三電極，其鄰接該第二作用層之一上表面；一第四電極，其鄰接該第二作用層之一下表面；一第一中間絕緣層，其包夾於該第二及該第三電極之間並鄰接該第二及該第三電極；一傳導聚合物材料之至少一第三作用層，其位於該第二作用層之下；一第五電極，其鄰接該第二作用層之一上表面；一第六電極，其鄰接該第二作用層之一下表面；一第二中間絕緣層，其包夾於該第四及該第五電極之間並鄰接該第四及該第五電極；一下絕緣層，其鄰接該第六電極之一下表面；第一與第二端子，其鄰接該下絕緣層之一下表面；一第一跨接導體，其與該裝置之一第一端相鄰；以及一第二跨接導體，其與該裝置之一第二(相反)端相鄰。該第一跨接導體連接該第二、該第三及該第六電極與該第一端子。該上絕緣層之一部分會分離該第一跨接導體與該第一電極，而該第二中間絕緣層之部分會分離該第一跨接導體與該第四及該第五電極。該第二跨接導體連接該第一、該第四及該第五電極與該第二端子，且該第一中間絕緣層之部分會分離該第二跨接導體與該第二及該第三電極。

於一又另一具體實施例中，一表面可裝設傳導聚合物電子裝置包含一傳導聚合物作用層，其層壓於一上電極與一下電極之間；一上絕緣層，其施加於該上電極之上，而一下絕緣層，其施加於該下電極之上；第一與第二平面傳導端子，其形成於該下絕緣層之上；一第一跨接導體，其連接該下電極與該第一端子，並藉由該上絕緣層之一部分與該上電極分離；以及一第二跨接導體，其連接該上電極與該第二端子，並藉由該下絕緣層之一部分與該下電極分離。本發明亦包含一多作用層裝置，其包含二或更多個單一作用層裝置，其如上所定義配置成一垂直堆疊配置且並聯電連接。

就本揭示案之另一方面而言，一種生產一表面可裝設傳導聚合物電子裝置之方法的一第一具體實施例包含以下步驟：提供一傳導聚合物基板；於上與下金屬層間層壓該聚合物基板；掩蔽並蝕刻該上與該下金屬層以分別形成上與下電極；於該上與該下電極上分別形成上與下絕緣層；將上與下金屬化層分別施加至該上與該下絕緣層；於該裝置中形成穿透孔通道以供跨接導體用；電鍍該上金屬化層、該下金屬化層與該等通道以形成該等跨接導體；掩蔽該通道且掩蔽並蝕刻該下金屬化層以形成第一與第二平面、表面可裝設端子觸點；電鍍該裝置遭曝露之金屬區域；以及沿格柵線從一層壓結構分割該裝置。

一種生產一表面可裝設傳導聚合物電子裝置之方法的另一具體實施例包含以下步驟：提供一傳導聚合物基板；於上與下金屬層間層壓該聚合物基板；掩蔽並蝕刻該上與該下金屬層以分別形成上與下電極；於該上與該下電極上分別形成上與下絕緣層；將上與下金屬化層分別施加至該上與該下絕緣層；於該裝置中形成穿透孔通道以供跨接導體用；電鍍該上金屬化層、該下金屬化層與該等通道以形成該等跨接導體；光阻掩蔽該下金屬化層之部分；留下該下金屬化層之未遮蔽部分，光阻掩蔽該上金屬化層之全部並讓該電鍍通道不被掩蔽；於該下金屬化層之未遮蔽部分以及通道上電鍍沉積一或若干覆蓋電鍍層；從該下金屬化層之遮蔽部分以及該上金屬化層移除該光阻掩蔽；透過該下金屬化層上之先前掩蔽部分蝕刻至該下絕緣層以形成第一與第二平面、表面可裝設端子觸點，以及蝕刻該上金屬化層；以及沿格柵線從一層壓結構分割該裝置。

一種生產一表面可裝設傳導聚合物電子裝置之方法的另一具體實施例包含以下步驟：提供一傳導聚合物基板；於上與下金屬層間層壓該聚合物基板；掩蔽並蝕刻該上與該下金屬層以分別形成上與下電極；於該上與該下電極上分別形成上與下絕緣層；將上與下金屬化層分別施加至該上與該下絕緣層；於該裝置中形成穿透孔通道以供跨接導體用；電鍍該上金屬化層、該下金屬化層與該等通道以形成該等跨接導體；光阻掩蔽該下金屬化層之部分；留下該下金屬化層之未遮蔽部分，光阻掩蔽該上金屬化層之部分，留下該上金屬化層之未遮蔽部分，並讓該通道不被掩蔽；於該下金屬化層之未遮蔽部分，該上金屬化層之未遮蔽部分以及通道上電鍍沉積一或若干覆蓋電鍍層；從該下金屬化層及該上金屬化層之遮蔽部分移除該光阻掩蔽；透過該下金屬化層上之先前掩蔽部分蝕刻至該下絕緣層以形成第一與第二平面、表面可裝設端子觸點，以及透過該上金屬化層上之先前掩蔽部分蝕刻至該下絕緣層以形成錨定觸點；以及沿格柵線從一層壓結構分割該裝置。

一種生產一表面可裝設傳導聚合物電子裝置之方法的另一具體實施例包含以下步驟：於上與下金屬箔層間層壓一傳導聚合物基板；移除該上與該下箔層之一部分以形成上與下電極；於該上與該下電極上分別施加一上與一下絕緣層，於該底絕緣層上施加一底金屬化層；形成一穿透孔通道陣列；電鍍該等通道以便能形成將該上電極連接至該底金屬化層之一第一跨接導體與將該下電極連接至該底金屬化層之一第二跨接導體；以及移除該底金屬化層之部分以形成一對表面裝設端子，每一表面裝設端子藉由該等跨接導體中的一者連接至該上與該下電極中的一者並藉由該等絕緣層中之一者之一部分與該上與該下電極中的另一者隔離。

如同本文中所使用的，術語"發明"與"本發明"應理解為包含本文中所說明之發明的各具體實施例與各方面，以及本身可讓熟悉相關技術人士聯想到之任何等效物。

本發明之各具體實施例係以一或更多個層壓薄板結構(其屬於圖1A所顯示之類型)來製成。如同所顯示的，一層壓薄板結構10包含一聚合作用材料層16，其層壓於一上層積金屬層12與一下層積金屬層14之間。該聚合層16可為一傳導聚合物(如一表現正電阻率溫度係數之聚合物)，或其可為一聚合介電材料，或一鐵磁聚合物。於本技術中已熟知多種適當傳導聚合物PTC材料之類型，部分類型可包括一抗氧化劑、一交聯劑、一耦合劑與一穩定劑中的一或更多者。

該等金屬層12、14較佳地係由傳導金屬箔製成，且更佳地係由一鍍鎳銅箔來製成，其係於位置緊靠該聚合層之表面上進行球化(藉由傳統技術)。於一特定示範具體實施例中，該等金屬層12、14係具有約18微米之厚度的球化鍍鎳銅箔。疊層可以本技術中已知之任何適當層壓程序來執行，其中的一範例係於國際專利公開案第WO 97/06660號中加以說明，其之揭示內容係以提及方式併入本文。

作為於上與下箔薄板間層壓一聚合材料層的一替代方案，某些應用可有利地直接金屬化一聚合材料薄板的上與下表面。該金屬化可以金屬電鍍程序、汽相沉積、網版印刷、或可讓熟悉相關技術人士聯想到之任何其他適當程序來完成。然而，本發明之較佳具體實施例運用上述之層壓結構，且接下來的說明將基於使用該層壓程序。

如同以下將說明的，該上與該下金屬層12、14係經光阻遮蔽與蝕刻以形成電極(圖1A與1B中未顯示)。一旦形成該等電極，便將上與下絕緣層18、20施加至該上與該下電極。一底金屬化層22(較佳地係銅)係施加至該下絕緣層20，且一頂金屬化層24(較佳地亦為銅)可視需要施加至該上絕緣層18。該等金屬化層22、24較佳地係銅箔形式，但其亦可以電鍍、汽相沉積、網版印刷、或任何其他適當程序來施加。於本發明之示範具體實施例中，該等金屬化層係由厚度約18微米之銅箔來製成。該等絕緣層與該或該等金屬化層可以若干獨立步驟來施加。或者，該下絕緣層20與該底金屬化層22可一起施加成一預形成之層板，如同該上絕緣層18與該頂金屬化層24(若存在)一般。

如同下文中將詳細說明的，一穿透孔通道陣列(圖1A與1B中未顯示)係穿透該層壓結構10於適當位置形成。在電解銅之後，電鍍該等遭曝露之金屬表面(該底金屬化層22、該頂金屬化層(若存在)、與該等通道之內部表面)，該底金屬化層22係經光阻遮蔽與蝕刻以形成表面裝設端子(圖1A與1B中未顯示)，而該選擇性頂金屬化層24(若存在)係經光阻遮蔽與蝕刻以形成錨定觸點及(視需要)識別標記(圖1A與1B中未顯示)。最後，該等剩餘之遭曝露金屬表面(該等端子、該等錨定觸點及標記(若存在)、與該等通道之內部表面)係利用一或更多種可焊金屬來電鍍(如先以鎳然後金、先以鎳然後錫、或僅以錫)。或者，利用可焊金屬之電鍍可在該銅電鍍步驟之後，且在蝕刻該(等)金屬化層之前立刻執行。如同將看到的，該等金屬化通道會形成將每一電極與該等端子中之一者連接在一起的跨接導體。

該層壓薄板結構10之大小通常能提供一包含多個電子裝置的矩陣。因此，如同圖1B中所顯示，該薄板10有利地可具有分割線26之柵格，其係形成於該結構10之最頂與最底表面中或上，並界定複數個裝置28之周邊。該等分割線26可由傳統光阻掩蔽與蝕刻技術來形成，且較佳地它們的寬度足以提供在由一分割裝置(未顯示)進行分割之後沿每一裝置28之邊緣所形成的小空間或"隔離阻障"。該隔離阻障使需要電絕緣之相鄰傳導元件(電極或端子，如同將說明的)間發生短路的可能性最小化。或者，該等分割線26可為"虛擬"線，其形成於一電腦化分割裝置之記憶體中所儲存的虛擬參考柵格，或不然係由該分割裝置所產生。

下述裝置只要互連成由一單一層壓薄板結構10所提供之一矩陣(就一單一作用層裝置而言)，或互連成由將二或更多個薄板結構疊層成一多層層壓結構來形成之一矩陣(就一具有二或更多個作用層之裝置而言)，便可有利地加以大量生產。隨後分割該矩陣(例如，沿該等線26)以形成個別裝置。以下討論將參考一單一裝置之圖解來提出，但應瞭解下述之程序步驟係在此等裝置係互連成一矩陣時於此等裝置之此一矩陣上執行。因此，每一步驟係於該矩陣上之複數個預定義之位置處同時執行。於下述製造程序中的一最後步驟時，該等個別裝置係藉由沿該等分割線26，或沿該分割設備所界定之分離線之一柵格(若並未預定義該等分割線)切割、分解、或分割該矩陣而與該矩陣(經分割)分離。

圖2A、2B、2C、2D、與2E顯示根據本發明之一第一具體實施例的一傳導聚合物裝置30。該裝置30包括傳導聚合物材料之一單一作用層32，其層壓於一上金屬箔電極34與一下箔電極36之間。第一與第二複數個穿透孔通道位置係界定於該薄板結構10中(圖1A)。該第一複數個中之每一通道位置係與該第二複數個中之一相對應通道位置分離一與一單一裝置30之長度相對應的預定義距離。移除(例如，藉由傳統光阻掩蔽與蝕刻)與每一第一通道位置相鄰之上電極34之一弧形區域以於該上電極34之一第一端產生一上隔離區域38。相似地，移除與每一第二通道位置相鄰之下電極36之一弧形區域以於該第二電極36之相反端產生一下隔離區域40。

一上絕緣層42(其可為預浸體、一絕緣聚合物、或一環氧樹脂)係施加至該上電極34之曝露表面，且一下絕緣層44(其為相似材料)係施加至該下電極36之曝露表面。該上絕緣層42會填充該上隔離區域38，而該下絕緣層44會填充該下隔離區域40。一底金屬化層，較佳地一金屬箔(如(例如)一銅箔)係施加至該下絕緣層之曝露表面。第一與第二表面裝設端子46、48將由該底金屬化層來形成，如同下文中將說明的。相似地，一頂金屬化層，較佳地一金屬箔(如(例如)一銅箔)可視需要施加至該上絕緣層42以形成識別標記50，如同下文中亦有說明的。該頂金屬化層(若存在)與該上絕緣層42可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層44可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一層壓結構，其包含一單一作用聚合物層32、一上電極34、一下電極36、一頂絕緣層42、一底絕緣層44、一底金屬化層、與(視需要)一頂金屬化層。

一第一穿透孔通道52係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道54相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該層壓結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置30於一第一端具有一第一穿透孔通道52，並於相反端具有一第二穿透孔通道54。此時，該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道52、54之內側表面鍍有一或更多層傳導金屬，從而於每一第一組通道52內形成一第一組電傳導互連或"跨接導體" 56，並於每一第二組通道54內形成一第二組跨接導體58。該金屬化可以任何適當程序來完成，且於一較佳具體實施例中，包含至少一電鍍銅層。該第一組跨接導體56中的每一者會在藉由該上隔離區域38與該上電極34電絕緣時與該下電極36，及該底金屬化層，以及(若存在)該頂金屬化層建立實體與電接觸。相似地，該第二組跨接導體58中的每一者會在藉由該下隔離區域40與該下電極36電絕緣時與該上電極34及該頂與該底金屬化層建立實體與電接觸。

該底金屬化層係藉由以任何傳統技術，較佳地以光阻掩蔽與蝕刻移除該底金屬化層之中央部分來形成第一與第二平面表面裝設端子46、48。此程序會在該裝置之底表面30上保留一平面金屬化之第一表面裝設端子46與一平面金屬化之第二表面裝設端子48，其藉由該下絕緣層44之一曝露部分而彼此分離。該第一端子46係透過該第一跨接導體56而與該下電極36電接觸，而該第二端子48係透過該第二跨接導體58而與該上電極34電接觸。若如同上所提及，已施加一頂金屬化層，則可運用該光阻掩蔽與蝕刻程序來移除除了該等代表該標記50之部分外的所有頂金屬化層。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子46、48及該等跨接導體56、58(以及該標記50，若存在)，有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)先無電電鍍鎳然後再浸泡鍍金(一種稱為無電鎳/浸泡金鍍，或"ENIG"鍍的程序))。或者，可施加一單一無電電鍍錫層。

或者，如同下文中將討論的，覆蓋電鍍可焊金屬可在該銅電鍍之後，且在形成該等表面裝設端子(以及該選擇性標記)之前立即執行。於此情況下，該覆蓋電鍍較佳地係先電鍍鎳，然後再電鍍金或錫。或者，僅可施加一電鍍錫層。

圖3A、3B、與3C顯示一多作用層裝置70，其係圖2A至圖2E之具體實施例的變體，其中該多作用層裝置70包含並聯連接之至少一第一作用層72a與一第二作用層72b(其為傳導聚合物材料)，並以一單一對表面裝設端子配置成一垂直堆疊配置。該第一作用層72a係層壓於一第一層壓薄板結構中的第一與第二金屬箔電極74a、74b間，而該第二作用層72b係層壓於一第二層壓薄板結構中的第三與第四金屬箔電極74c、74d間，該等薄板結構中的每一者係屬於上述且於圖1A與1B中所顯示的類型。該第一與該第二複數個通道位置係如上述般加以界定。移除(例如，藉由傳統光阻掩蔽與蝕刻)與每一第一通道位置相鄰之第一與第四電極74a、74d之一弧形區域以於該第一與該第四電極74a、74d之一第一端產生一上隔離區域76a與一下隔離區域76b。相似地，移除與每一第二通道位置相鄰之第二與第三電極74b、74c之一弧形區域以於該第二與該第三電極74b、74c之相反端產生中間隔離區域78a、78b。該第一與該第二層壓薄板結構隨後係藉由一中間絕緣層80(預浸體、聚合物、或環氧樹脂)而一起層壓成一多作用層層壓結構，使得該上與該下隔離區域76a、76b係對準該結構之一第一端，而該等中間隔離區域78a、78b係對準該結構之相反端。該等中間隔離區域78a、78b係由該中間絕緣層80來填充。或者該第二與該第三電極74b、74c可焊接在一起，而無須使用該中間絕緣層80。絕緣材料隨後可經網版印刷，以便能填充於該等中間隔離區域78a、78b中。將該等電極焊接在一起可使該等作用元件的熱傳導獲得改善，並使得對裝置溫度之上升與下降的電回應變快。

一頂絕緣層82(其可為預浸體、一絕緣聚合物、或一環氧樹脂)係施加至該第一電極74a之曝露表面，且一底絕緣層84(其為相似材料)係施加至該第四電極74d之曝露表面。該頂絕緣層82會填充該上隔離區域76a，而該底絕緣層84會填充該下隔離區域76b。一底金屬化層(較佳地一銅箔)係施加至該底絕緣層之曝露表面以形成第一與第二表面裝設端子或端子觸點86、88，如同下文中將說明的。相似地，一頂金屬化層(較佳地一銅箔)可視需要施加至該頂絕緣層82以形成識別標記90，如同下文中亦有說明的。該頂金屬化層(若存在)與該頂絕緣層82可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層84可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一多作用層層壓結構，其包含第一與第二作用聚合物層72a、72b、一第一或上電極74a、中間第二與第三電極74b、74c、一第四或下電極74d、一中間絕緣層80、一頂絕緣層82、一底絕緣層84、一底金屬化層、與(視需要)一頂金屬化層。

一第一穿透孔通道92係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述多作用層層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道94相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置70於一第一端具有一第一穿透孔通道92，並於相反端具有一第二穿透孔通道94。此時，該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道92、94之內側表面鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道92內形成一第一組跨接導體96，並於每一第二組通道94內形成一第二組跨接導體98。該第一組跨接導體96中的每一者會在藉由該上隔離區域76a與該第一(上)電極74a電絕緣，並藉由該下隔離層76b與該第四(下)電極電絕緣時與該第二及該第三(中間)電極74b、74c以及該頂與該底金屬化層建立實體與電接觸。相似地，該第二組跨接導體98中的每一者會在藉由該等中間隔離區域78a、78b與該第二及該第三(中間)電極74b、74c電絕緣時與該第一(上)電極74a及該第四(下)電極74d以及該頂與該底金屬化層建立實體與電接觸。

該底金屬化層係藉由以任何傳統技術，較佳地以光阻掩蔽與蝕刻移除該底金屬化層之中央部分來形成第一與第二端子或端子觸點86、88。此程序會在該底表面裝置70上保留一平面金屬化之第一表面裝設端子86與一平面金屬化之第二表面裝設端子88，其藉由該底絕緣層84之一曝露部分而彼此分離。該第一端子86係透過該第一跨接導體96而與該第二及該第三(中間)電極74b、74c電接觸，而該第二端子88係透過該第二跨接導體98而與該第一(上)電極74a與該第四(下)電極74d電接觸。若如同上所提及，已施加一頂金屬化層，則可運用該掩蔽與光蝕刻程序來移除除了該等代表該標記90之部分外的所有頂金屬化層。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子86、88及該等跨接導體96、98(以及該選擇性標記90，若存在)，有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)鎳與金ENIG鍍，或僅無電錫鍍)。或者，如同上所提及，該覆蓋電鍍可在該銅電鍍之後立即先以電鍍鎳然後再以電鍍金或錫，或僅以電鍍錫來執行。

圖4A、4B、與4C顯示根據本發明之一第二具體實施例的一傳導聚合物裝置130。該裝置130包括傳導聚合物材料之一單一作用層132，其層壓於一上金屬箔電極134與一下箔電極136之間。該裝置130係與該裝置30(上文中所說明並顯示於圖2A至圖2E中)相類似，不同之處在於該上電極134係與一上隔離區域138形成(藉由光阻掩蔽及蝕刻)為一狹窄橫帶或條狀形式，並與該裝置130之第一端間隔一狹窄上殘留箔區域139。相似地，該下電極136同樣係與一下隔離區域140形成為一狹窄橫帶或條狀形式，並與該裝置130之第二端間隔一狹窄下殘留箔區域141。一頂絕緣層142係施加或形成於該上電極134與該上殘留箔區域139之上，並填充於該上隔離區域138中。同樣地，一底絕緣層144係施加或形成於該下電極136與該下殘留箔區域141之上，並填充於該下隔離區域140中。一底金屬化層(較佳地係一銅箔)係施加至該底絕緣層144之曝露表面以形成第一與第二表面裝設端子或端子觸點146、148，如同下文中將說明的。相似地，一頂金屬化層(較佳地一銅箔)可視需要施加至該頂絕緣層142以形成識別標記150，如同下文中亦有說明的。該頂金屬化層(若存在)與該頂絕緣層142可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層144可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一層壓結構，其包含一單一作用聚合物層132、一上電極134、一下電極136、一頂絕緣層142、一底絕緣層144、一底金屬化層、與(視需要)一頂金屬化層。

該第一與該第二複數個通道位置係如上述般加以界定。一第一穿透孔通道152係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道154相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該多層結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置130於一第一端具有一第一穿透孔通道152，並於相反端具有一第二穿透孔通道154。此時，該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道152、154之內側表面鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道152內形成一第一組跨接導體156，並於每一第二組通道154內形成一第二組跨接導體158。該第一組跨接導體156中的每一者會在藉由該上隔離區域138與該上電極134電絕緣時與該下電極136以及該頂與該底金屬化層建立實體與電接觸。相似地，該第二組跨接導體158中的每一者會在藉由該下隔離區域140與該下電極136電絕緣時與該上電極134以及該頂與該底金屬化層建立實體與電接觸。

該底金屬化層係藉由以任何傳統技術，較佳地以光掩蔽與蝕刻移除該底金屬化層之中央部分來形成第一與第二端子146、148。此程序會在該底表面裝置130上保留一平面金屬化之第一表面裝設端子146與一平面金屬化之第二表面裝設端子148，其藉由該底絕緣層144之一曝露部分而彼此分離。該第一端子146係透過該第一跨接導體156而與該下電極136電接觸，而該第二端子148係透過該第二跨接導體158而與該上電極134電接觸。若如同上所提及，已施加一頂金屬化層，則可運用該掩蔽與蝕刻程序來移除除了該等代表該標記150之部分外的所有頂金屬化層。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子146、148及該等跨接導體156、158，有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)該鎳與金ENIG鍍(如上述)，或僅無電電鍍錫)。或者，該覆蓋電鍍可係該銅電鍍步驟之後立即執行的電鍍鎳與金、電鍍鎳與錫，或僅電鍍錫。

圖5A、5B、與5C顯示一多作用層裝置170，其係圖4A至圖4C之具體實施例的變體，其中該多作用層裝置170包含並聯連接之至少一第一作用層172a與一第二作用層172b(其為傳導聚合物材料)，並以一單一對表面裝設端子配置成一垂直堆疊配置。該第一作用層172a係層壓於一第一層壓薄板結構中的第一與第二金屬箔電極174a、174b間，而該第二作用層172b係層壓於一第二層壓薄板結構中的第三與第四金屬箔電極174c、174d間，該等薄板結構中的每一者係屬於上述且於圖1A與1B中所顯示的類型。該第一與該第二複數個通道位置係如上述般加以界定。該第一或上電極174a係與一上隔離區域176a形成(藉由光阻掩蔽與蝕刻)為一狹窄橫帶或條狀形式，並與該裝置170之第一端間隔一狹窄上殘留箔區域177a。相似地，該第四或下電極174d同樣係與一下隔離區域176b形成為一狹窄橫帶或條狀形式，並與該裝置170之第一端間隔一狹窄下殘留箔區域177b。該第二及該第三(中間)電極174b、174c相似地係與中間隔離區域178a、178b形成為橫帶或條狀形式，並與該裝置170之第二端間隔一狹窄中間殘留箔區域181a、181b。該第一與該第二層壓薄板結構隨後係藉由一中間絕緣層180(預浸體、聚合物、或環氧樹脂)而一起層壓成一多作用層層壓結構，使得該上與該下隔離區域176a、176b係對準該結構之一第一端，而該等中間隔離區域178a、178b係對準該結構之相反端。該等中間隔離區域178a、178b係由該中間絕緣層180來填充。

一頂絕緣層182(其可為預浸體、一絕緣聚合物、或一環氧樹脂)係施加至該第一電極174a與該上殘留箔區域177a之曝露表面，且一底絕緣層184(其為相似材料)係施加至該第四電極174d與該下殘留箔區域177b之曝露表面。該頂絕緣層182會填充該上隔離區域176a，而該底絕緣層184會填充該下隔離區域176b。一底金屬化層(較佳地一銅箔)係施加至該底絕緣層之曝露表面以形成第一與第二表面裝設端子186、188，如同下文中將說明的。相似地，一頂金屬化層(較佳地一銅箔)可視需要施加至該頂絕緣層182以形成識別標記190，如同下文中亦有說明的。該頂金屬化層(若存在)與該頂絕緣層182可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層184可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一多作用層層壓結構，其包含第一與第二作用聚合物層172a、172b、一第一或上電極174a、中間第二與第三電極174b、174c、一第四或下電極174d、一中間絕緣層180、一頂絕緣層182、一底絕緣層184、一底金屬化層、與(視需要)一頂金屬化層。

一第一穿透孔通道192係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述多作用層層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道194相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置170於一第一端具有一第一穿透孔通道192，並於相反端具有一第二穿透孔通道194。此時，該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道192、194之內側表面鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道192內形成一第一組跨接導體196，並於每一第二組通道194內形成一第二組跨接導體198。該第一組跨接導體196中的每一者會在藉由該上隔離區域176a與該第一(上)電極174a電絕緣，並藉由該下隔離層176b與該第四(下)電極電絕緣時與該第二及該第三(中間)電極174b、174c以及該頂與該底金屬化層建立實體與電接觸。相似地，該第二組跨接導體198中的每一者會在藉由該等中間隔離區域178a、178b與該第二及該第三(中間)電極174b、174c電絕緣時與該第一(上)電極174a及該第四(下)電極174d以及該頂與該底金屬化層建立實體與電接觸。

該底金屬化層係藉由以任何傳統技術，較佳地以光阻掩蔽與蝕刻移除該底金屬化層之中央部分來形成第一與第二端子186、188。此程序會在該裝置之底表面170上保留一平面金屬化之第一表面裝設端子186與一平面金屬化之第二表面裝設端子188，其藉由該底絕緣層184之一曝露部分而彼此分離。該第一端子186係透過該第一跨接導體196而與該第二及該第三(中間)電極174b、174c電接觸，而該第二端子188係透過該第二跨接導體198而與該第一(上)電極174a與該第四(下)電極174d電接觸。若如同上所提及，已施加一頂金屬化層，則可運用該掩蔽與光蝕刻程序來移除除了該等代表該標記190之部分外的所有頂金屬化層。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子186、188及該等跨接導體196、198(以及該標記190，若存在)有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)該鎳與金ENIG鍍，或僅無電電鍍錫(如上述))。或者，該覆蓋電鍍可係該銅電鍍步驟之後立即執行的電鍍鎳與金、電鍍鎳與錫，或僅電鍍錫。

圖6A、6B、與6C顯示根據本發明之一第三具體實施例的一傳導聚合物裝置230。該裝置230包括傳導聚合物材料之一單一作用層232，其層壓於一上金屬箔電極234與一下箔電極236之間。此具體實施例與上述且於圖2A至圖2C中所顯示之第一具體實施例的主要不同在於該等層壓薄板結構中之通道係由一漏斗狀上開口來形成，並於該裝置之每一端處針對該等跨接導體產生一削角上進入表面，如同下文所解說的。就結構觀點而言，該裝置230包括於該上電極234與該裝置230之一第一端間的一弧形上隔離區域238，其與一第一穿透孔通道252相鄰。該裝置亦包括於該下電極236與該裝置230之相反端間的一弧形下隔離區域240，其與一第二穿透孔通道254相鄰。一頂絕緣層242係形成或施加於該上電極234之曝露表面上，並填充於該上隔離區域238中，而一底絕緣層244相似地係形成或施加於該下電極236之曝露表面上，並填充於該下隔離區域240中。一底金屬化層(較佳地係一銅箔)係施加至該底絕緣層244之曝露表面以形成第一與第二表面裝設端子246、248，如同下文中將說明的。相似地，一頂金屬化層(較佳地一銅箔)可視需要施加至該頂絕緣層242以形成識別標記250，如同下文中亦有說明的。該頂金屬化層(若存在)與該頂絕緣層242可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層234可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一層壓結構，其包含一單一作用聚合物層232、一上電極234、一下電極236、一頂絕緣層242、一底絕緣層244、一底金屬化層、與(視需要)一頂金屬化層。

一第一穿透孔通道252係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道254相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該層壓結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置230於一第一端具有一第一穿透孔通道252，並於相反端具有一第二穿透孔通道254。此時，該等通道252、254中之每一者的頂入口或開口係以本技術已知之任何適當方法或機制(如(例如)一具有圓錐形鑽頭的鑽孔器(未顯示))來削角或成斜面進而使該第一通道252形成一削角或成斜面第一進入孔260，並使該第二通道254形成一相似的削角或成斜面第二進入孔262。該第一進入孔260穿過該上絕緣層242與該第一隔離區域238，並保留該第一隔離區域238之一部分以使該第一進入孔260與該上電極234之一第一端分離，而該第二進入孔262穿過該上絕緣層242至該第二通道254，以與該上電極234之相反端相鄰或穿透該上電極234之相反端。儘管較佳地係先鑽出該等通道252、254，然後再形成該等削角或成斜面進入孔260、262，然而亦可在鑽出該等通道252、254之前於該等預定義通道位置處形成該等削角或成斜面進入孔260、262。

該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道252、254之內側表面(包含其個別進入孔260、262)鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道252及第一削角或成斜面進入孔260內形成一第一組跨接導體256，並於每一第二組通道254及第二削角或成斜面進入孔262內形成一第二組跨接導體258。該第一組跨接導體256中的每一者會在藉由該上隔離區域238與該上電極234電絕緣時與該下電極236以及該頂與該底金屬化層建立實體與電接觸。相似地，該第二組跨接導體258中的每一者會在藉由該下隔離區域240與該下電極236電絕緣時與該上電極234以及該頂與該底金屬化層建立實體與電接觸。該等鍍銅第一通道252中的每一者會提供一第一跨接導體256一由一第一削角進入孔260所提供的傾斜肩部。同樣地，該等鍍銅第二通道254中的每一者會提供一第二跨接導體258一由一第二削角進入孔262所提供的傾斜肩部。該等跨接導體256、258之傾斜肩部與該頂絕緣層242所建立的接觸比一透過一直通道來形成之跨接導體(如(例如)圖2A至圖2C中所顯示的)所建立的接觸更加緊密而牢固。

該底金屬化層係藉由以任何傳統技術，較佳地以光阻掩蔽與蝕刻移除該底金屬化層之中央部分來形成第一與第二端子246、248。此程序會在該底表面裝置230上保留一平面金屬化之第一表面裝設端子246與一平面金屬化之第二表面裝設端子248，其藉由該底絕緣層234之一曝露部分而彼此分離。該第一端子246係透過該第一跨接導體256而與該下電極236電接觸，而該第二端子248係透過該第二跨接導體258而與該上電極234電接觸。若如同上所提及，已施加一頂金屬化層，則可運用該光阻掩蔽與蝕刻程序來移除除了該等代表該標記250之部分外的全部頂金屬化層。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子246、248及該等跨接導體256、258(以及該標記250，若存在)，有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)該鎳與金ENIG鍍(如上述)，或僅無電電鍍錫)。或者，該覆蓋電鍍可係該銅電鍍步驟之後立即執行的電鍍鎳與金、電鍍鎳與錫，或僅電鍍錫。

圖7A、7B、與7C顯示一多作用層裝置270，其係圖6A至6C之第三具體實施例的變體，其中該多作用層裝置270包含並聯連接之至少一第一作用層272a與一第二作用層272b(其為傳導聚合物材料)，並以僅有的一單一對表面裝設端子配置成一垂直堆疊配置。該第一作用層272a係層壓於一第一層壓薄板結構中的第一與第二金屬箔電極274a、274b間，而該第二作用層272b係層壓於一第二層壓薄板結構中的第三與第四金屬箔電極274c、274d間，該等薄板結構中的每一者係屬於上述且於圖1A與1B中所顯示的類型。該第一與該第二複數個通道位置係如上述般加以界定。該第一或上電極274a係與一弧形上隔離區域276a一起形成(藉由光阻掩蔽與蝕刻)，該弧形上隔離區域276a介於該第一電極274a與該裝置270之一第一端間，並與一第一穿透孔通道292相鄰。相似地，該第四或下電極274d同樣係與一弧形下隔離區域276b一起形成，該弧形下隔離區域276b介於該第四電極274d與該裝置270之該第一端間，並與該第一穿透孔通道292相鄰。該第二與該第三(中間)電極274b、274c相似地係與中間弧形隔離區域278a、278b一起形成，該等中間弧形隔離區域278a、278b介於該等中間電極274b、274c與該裝置270之第二端間，並與該第二穿透孔通道294相鄰。該第一與該第二層壓薄板結構隨後係藉由一中間絕緣層280(預浸體、聚合物、或環氧樹脂)而一起層壓成一多作用層層壓結構，使得該上與該下隔離區域276a、276b係對準該結構之一第一端，而該等中間隔離區域278a、278b係對準該結構之相反端。該等中間隔離區域278a、278b係由該中間絕緣層280來填充。

一頂絕緣層282(其可為預浸體、一絕緣聚合物、或一環氧樹脂)係施加至該第一電極274a之曝露表面，且一底絕緣層284(其為相似材料)係施加至該第四電極274d之曝露表面。該頂絕緣層282會填充該上隔離區域276a，而該底絕緣層284會填充該下隔離區域276b。一底金屬化層(較佳地一銅箔)係施加至該底絕緣層之曝露表面以形成第一與第二表面裝設端子286、288，如同下文中將說明的。相似地，一頂金屬化層(較佳地一銅箔)可視需要施加至該頂絕緣層282以形成識別標記290，如同下文中亦有說明的。該頂金屬化層(若存在)與該頂絕緣層282可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層284可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於此具體實施例中(如同本文中所說明之其他多作用層具體實施例一般)，該第一及該第二層壓薄板結構與該中間絕緣層280一起之疊層可與該頂絕緣層282及該頂金屬化層及該底絕緣層284及該底金屬化層中的一或更多者同時執行。於任何情況中，結果均係一多作用層層壓結構，其包含第一與第二作用聚合物層272a、272b、一第一或上電極274a、中間第二與第三電極274b、274c、一第四或下電極274d、一中間絕緣層280、一頂絕緣層282、一底絕緣層284、一底金屬化層、與(視需要)一頂金屬化層。

一第一穿透孔通道292係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述多作用層層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道294相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置270於一第一端具有一第一穿透孔通道292，並於相反端具有一第二穿透孔通道294。此時，該等通道292、294中之每一者的頂入口或開口係以一運用圓錐形鑽頭之鑽孔器(未顯示)來削角進而使該第一通道292形成一削角或成斜面第一進入孔300，並使該第二通道294形成一相似的削角或成斜面第二進入孔302。於該等通道292、294之開口或入口處移除該絕緣材料可藉由本身可使該等熟悉相關技術人士聯想到的任何適當機械或化學機制或程序來完成。該第一進入孔300穿過該上絕緣層282與該第一隔離區域276a，並保留該第一隔離區域276a之一部分以使該第一進入孔300與該上電極274a之一第一端分離，而該第二進入孔302穿過該上絕緣層282至該第二通道294，以與該第一或上電極274a之相反端相鄰或穿透該第一或上電極274a之相反端。儘管較佳地係先鑽出該等通道292、294，然後再形成該等削角或成斜面進入孔300、302，然而亦可在鑽出該等通道292、294之前於該等預定義通道位置處形成該等進入孔300、302。此外，就部分應用而言，於每一裝置中僅形成一單一削角或成斜面進入孔(即，該第一進入孔300或該第二進入孔302)可能較有利。

該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道292、294以及該等削角進入孔300、302之內側表面鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道292內形成一第一組跨接導體296，並於每一第二組通道294內形成一第二組跨接導體298。該第一組跨接導體296中的每一者會在藉由該上隔離區域276a與該第一(上)電極274a電絕緣，並藉由該下隔離層276b與該第四(下)電極274d電絕緣時與該第二及該第三(中間)電極274b、274c以及該頂與該底金屬化層建立實體與電接觸。相似地，該第二組跨接導體298中的每一者會在藉由該等中間隔離區域278a、278b與該第二及該第三(中間)電極274b、274c電絕緣時與該第一(上)電極274a及該第四(下)電極274d以及該頂與該底金屬化層建立實體與電接觸。

該等鍍銅第一通道292中的每一者會提供一第一跨接導體296一由一第一削角進入孔300所提供的傾斜肩部。同樣地，該等鍍銅第二通道294中的每一者會提供一第二跨接導體298一由一第二削角進入孔302所提供的傾斜肩部。該等跨接導體296、298之傾斜肩部與該頂絕緣層282所建立的接觸比一透過一直通道來形成之跨接導體(如(例如)圖3A至圖3C中所顯示的)所建立的接觸更加緊密而牢固。

該底金屬化層係藉由以任何傳統技術，較佳地以光阻掩蔽與蝕刻移除該底金屬化層之中央部分來形成第一與第二端子286、288。此程序會在該裝置之底表面270上保留一平面金屬化之第一表面裝設端子286與一平面金屬化之第二表面裝設端子288，其藉由該底絕緣層284之一曝露部分而彼此分離。該第一端子286係透過該第一跨接導體296而與該第二及該第三(中間)電極274b、274c電接觸，而該第二端子288係透過該第二跨接導體298而與該第一(上)電極274a與該第四(下)電極274d電接觸。若如同上所提及，已施加一頂金屬化層，則可運用該掩蔽與光蝕刻程序來移除除了該等代表該標記290之部分外的全部頂金屬化層。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子286、288及該等跨接導體296、298(以及該選擇性標記290，若存在)，有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)該鎳與金ENIG鍍，或僅無電電鍍錫)。或者，該覆蓋電鍍可係該銅電鍍步驟之後立即實施的電鍍鎳與金、電鍍鎳與錫，或僅電鍍錫。

圖8A、8B、與8C顯示根據本發明之一第四具體實施例的一傳導聚合物裝置330。該裝置330包括傳導聚合物材料之一單一作用層332，其層壓於一上金屬箔電極334與一下箔電極336之間。第一與第二複數個穿透孔通道位置係界定於該薄板結構10中(圖1A)。該第一複數個中之每一通道位置係與該第二複數個中之一相對應通道位置分離一與一單一裝置330之長度相對應的預定義距離。移除(例如，藉由傳統光阻掩蔽與蝕刻)與每一第一通道位置相鄰之上電極334之一弧形區域以於該上電極334之一第一端產生一上隔離區域338。相似地，移除與每一第二通道位置相鄰之下電極336之一弧形區域以於該第二電極336之相反端產生一下隔離區域340。

一頂絕緣層342(其可為預浸體、一絕緣聚合物、或一環氧樹脂)係施加至該上電極334之曝露表面，且一底絕緣層344(其為相似材料)係施加至該下電極336之曝露表面。該頂絕緣層342會填充該上隔離區域338，而該底絕緣層344會填充該下隔離區域340。一底金屬化層(較佳地一銅箔)係施加至該底絕緣層之曝露表面以形成第一與第二表面裝設端子346、348，如同下文中將說明的。相似地，一頂金屬化層(較佳地一銅箔)係施加至該頂絕緣層342以形成第一與第二錨定觸點360、362及(視需要)識別標記350，如同下文中所討論的。該頂金屬化層與該頂絕緣層342可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層344可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一層壓結構，其包含一單一作用聚合物層332、一上電極334、一下電極336、一頂絕緣層342、一底絕緣層344、一底金屬化層、與一頂金屬化層。

一第一穿透孔通道352係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道354相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該層壓結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置330於一第一端具有一第一穿透孔通道352，並於相反端具有一第二穿透孔通道354。

此時，該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道352、354之內側表面鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道352內形成一第一組跨接導體356，並於每一第二組通道354內形成一第二組跨接導體358。一光阻掩蔽與蝕刻程序係用以由該頂金屬化層形成該第一及該第二錨定觸點360、362與該選擇性標記350中的一者或二者，並由該底金屬化層形成該等平面端子346、348。可在形成並電鍍該等通道352、354之前或之後運用該掩蔽與蝕刻程序。該第一組跨接導體356中的每一者會在藉由該上隔離區域338與該上電極334電絕緣時與該下電極336及該第一端子346建立實體與電接觸。該第一組跨接導體356中的每一者亦實體連接至一第一錨定觸點360，其連同該第一端子346作為該第一跨接導體356的一錨定點。相似地，該第二組跨接導體358中的每一者會在藉由該下隔離區域340與該下電極336電絕緣時與該上電極334及該第二端子348建立實體與電接觸。該第二組跨接導體358中的每一者亦實體連接至一第二錨定觸點362，其連同該第二端子348作為該第二跨接導體358的一錨定點。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子346、348、該等跨接導體356、358、及(視需要)該等錨定觸點360、362、以及該選擇性標記350(若存在)有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)該鎳與金ENIG鍍，或僅無電電鍍錫)。或者，該覆蓋電鍍可係該銅電鍍步驟之後立即實施的電鍍鎳與金、電鍍鎳與錫，或僅電鍍錫。

將瞭解，該等跨接導體356及358與該等錨定觸點360、362各自的實體連續性會對該裝置提供額外的結構整合性，而該等錨定觸點360、362本身(其佔據較小表面區域)則不會對該聚合物層332之熱膨脹有顯著的限制。

圖9A、9B、與9C顯示一多作用層裝置370，其係圖8A至8C之具體實施例的變體，其中該多作用層裝置370包含並聯連接之至少一第一作用層372a與一第二作用層372b(其為傳導聚合物材料)，並僅以一單一對表面裝設端子配置成一垂直堆疊配置。該第一作用層372a係層壓於一第一層壓薄板結構中的第一與第二金屬箔電極374a、374b間，而該第二作用層372b係層壓於一第二層壓薄板結構中的第三與第四金屬箔電極374c、374d間，該等薄板結構中的每一者係屬於上述且於圖1A與1B中所顯示的類型。該第一與該第二複數個通道位置係如上述般加以界定。移除(例如，藉由傳統光阻掩蔽與蝕刻)與每一第一通道位置相鄰之第一與第四電極374a、374d之一弧形區域以於該第一與該第四電極374a、374d之一第一端產生一上隔離區域376a與一下隔離區域376b。相似地，移除與每一第二通道位置相鄰之第二與第三電極374b、374c之一弧形區域以於該第二與該第三電極374b、374c之相反端產生中間隔離區域378a、378b。該第一與該第二層壓薄板結構隨後係藉由一中間絕緣層380(預浸體、聚合物、或環氧樹脂)而一起層壓成一多作用層層壓結構，使得該上與該下隔離區域376a、376b係對準該結構之一第一端，而該等中間隔離區域378a、378b係對準該結構之相反端。該等中間隔離區域378a、378b係由該中間絕緣層380來填充。

一頂絕緣層382(其可為預浸體、一絕緣聚合物、或一環氧樹脂)係施加至該第一電極374a之曝露表面，且一底絕緣層384(其為相似材料)係施加至該第四電極374d之曝露表面。該頂絕緣層382會填充該上隔離區域376a，而該底絕緣層384會填充該下隔離區域376b。一底金屬化層(較佳地一銅箔)係施加至該底絕緣層之曝露表面以形成第一與第二表面裝設端子386、388，如同下文中將說明的。相似地，一頂金屬化層(較佳地一銅箔)係施加至該頂絕緣層382以形成第一與第二錨定觸點400、402及(視需要)識別標記390，如同下文中亦有說明的。該頂金屬化層與該頂絕緣層382可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層384可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一多作用層層壓結構，其包含第一與第二作用聚合物層372a、372b、一第一或上電極374a、中間第二與第三電極374b、374c、一第四或下電極374d、一中間絕緣層380、一頂絕緣層382、一底絕緣層384、一底金屬化層、與一頂金屬化層。

一第一穿透孔通道392係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述多作用層層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道394相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置370於一第一端具有一第一穿透孔通道392，並於相反端具有一第二穿透孔通道394。

此時，該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道392、394之內側表面鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道392內形成一第一組跨接導體396，並於每一第二組通道394內形成一第二組跨接導體398。一光阻掩蔽與蝕刻程序係用以由該頂金屬化層形成該第一及該第二錨定觸點400、402與該選擇性標記390中的一者或二者，並由該底金屬化層形成該等平面端子386、388。可在形成並電鍍該等通道392、394之前或之後運用該掩蔽與蝕刻程序。該第一組跨接導體396中的每一者會在藉由該上隔離區域376a及該下隔離區域376b分別與該第一(上)電極374a及該第四(下)電極374d電絕緣時與該第二及該第三(中間)電極374b、374c以及該第一端子386建立實體與電接觸。該等第一跨接導體396中的每一者亦實體連接至一第一錨定觸點400，其連同該第一端子386作為該第一跨接導體396的一錨定點。相似地，該第二組跨接導體398中的每一者會在藉由該等中間隔離區域378a、378b與該第二及第三(中間)電極374b、374c電絕緣時與該第一(上)電極374a、該第四(下)電極374d、及該第二端子388建立實體與電接觸。該等第二跨接導體398中的每一者亦實體連接至一第二錨定觸點402，其連同該第二端子388作為該第二跨接導體398的一錨定點。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子386、388、該等跨接導體396、398、及(視需要)該等錨定觸點400、402、以及該選擇性標記390(若存在)有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)該鎳與金ENIG鍍，或無電錫鍍)。或者，該覆蓋電鍍可係該銅電鍍步驟之後立即實施的電鍍鎳與金、電鍍鎳與錫，或僅電鍍錫。

圖10A、10B、與10C顯示根據本發明之一第五具體實施例的一傳導聚合物裝置430。該裝置430包括傳導聚合物材料之一單一作用層432，其層壓於一上金屬箔電極434與一下箔電極436之間。就結構觀點而言，該裝置430包括於該上電極434與該裝置430之一第一端間的一弧形上隔離區域438，其與一第一穿透孔通道452相鄰。該裝置亦包括於該下電極436與該裝置430之相反端間的一弧形下隔離區域440，其與一第二穿透孔通道454相鄰。一頂絕緣層442係形成或施加於該上電極434之曝露表面上，並填充於該上隔離區域438中，而一底絕緣層444相似地係形成或施加於該下電極436之曝露表面上，並填充於該下隔離區域440中。一底金屬化層22(圖1A、1B)較佳地係一銅箔，且係施加至該底絕緣層之曝露表面以形成第一與第二表面裝設端子446、448，如同下文中將說明的。相似地，一頂金屬化層24(圖1A與1B)較佳地係一銅箔，且係施加至該頂絕緣層442以形成一錨定觸點460及(視需要)識別標記450，如同下文中所說明的。該頂金屬化層18與該頂絕緣層442可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層20與該底絕緣層444可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一層壓結構，其包含一單一作用聚合物層432、一上電極434、一下電極436、一頂絕緣層442、一底絕緣層444、一底金屬化層與一頂金屬化層。

一第一穿透孔通道452係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道454相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該層壓結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置430於一第一端具有一第一穿透孔通道452，並於相反端具有一第二穿透孔通道454。此時，該第二通道454的頂入口或開口係以任何適當機制或程序(如(例如)一具有圓錐形鑽頭的鑽孔器(未顯示))來削角或成斜面進而使該第二通道454形成一削角或成斜面第二進入孔462。該削角或成斜面第二進入孔462穿過該上絕緣層442至該第二通道454，以與該上電極434之一端相鄰或穿透該上電極434之一端。儘管較佳地係先鑽出該等通道452、454，然後再形成該削角進入孔462，然而亦可在鑽出該等通道452、454之前於該預定義第二通道位置處形成該削角進入孔462。

該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道452、454之內側表面(包括該削角進入孔462)鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道452內形成一第一組跨接導體456，並於每一第二組通道454及其相關之削角第二進入孔462內形成一第二組跨接導體458。一光阻掩蔽與蝕刻程序係用以由該頂金屬化層形成該錨定觸點460與該選擇性標記450，並由該底金屬化層形成該等平面端子446、448中的一者或二者。可在形成並電鍍該等通道452、454之前或之後運用該掩蔽與蝕刻程序。該第一組跨接導體456中的每一者會在藉由該上隔離區域438與該上電極434電絕緣時與該下電極436以及該第一端子446建立實體與電接觸。相似地，該第二組跨接導體458中的每一者會在藉由該下隔離區域440與該下電極436電絕緣時與該上電極434以及該第二端子448建立實體與電接觸。因此，該第一端子446係透過該第一跨接導體456而與該下電極436電接觸，而該第二端子448係透過該第二跨接導體458而與該上電極434電接觸。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子446、448、該等跨接導體456、458、及視需要該錨定觸點460以及該選擇性標記450(若存在)有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)該鎳與金ENIG鍍，或無電錫鍍)。或者，該覆蓋電鍍可係該銅電鍍步驟之後立即實施的電鍍鎳與金、電鍍鎳與錫，或僅電鍍錫。

該第一跨接導體456之上及下端係藉由將其連接至該錨定觸點460與該第一端子446而分別加以錨定。該第二跨接導體458之上及下端係藉由將其連接至該上電極434與該第二端子448而分別加以錨定。

圖11A、11B、與11C顯示一多作用層裝置470，其係圖10A至圖10C之具體實施例的變體，其中該多作用層裝置470包含並聯連接之至少一第一作用層472a與一第二作用層472b(其為傳導聚合物材料)，並僅以一單一對表面裝設端子配置成一垂直堆疊配置。該第一作用層472a係層壓於一第一層壓薄板結構中的第一與第二金屬箔電極474a、474b間，而該第二作用層472b係層壓於一第二層壓薄板結構中的第三與第四金屬箔電極474c、474d間，該等薄板結構中的每一者係屬於上述且於圖1A與1B中所顯示的類型。該第一與該第二複數個通道位置係如上述般加以界定。該第一或上電極474a係與一弧形上隔離區域476a一起形成(藉由光阻掩蔽與蝕刻)，該弧形上隔離區域476a介於該第一電極474a與該裝置470之一第一端間，並與一第一穿透孔通道492相鄰。相似地，該第四或下電極474d同樣係與一弧形下隔離區域476b一起形成，該弧形下隔離區域476b介於該第四電極476d與該裝置470之該第一端間。該第二與該第三(中間)電極474b、474c相似地係與中間弧形隔離區域478a、478b一起形成，該等中間弧形隔離區域478a、478b介於該等中間電極474b、474c與該裝置470之第二端間。該第一與該第二層壓薄板結構隨後係藉由一中間絕緣層480(預浸體、聚合物、或環氧樹脂)而一起層壓成一多作用層層壓結構，使得該上與該下隔離區域476a、476b係對準該結構之一第一端，而該等中間隔離區域478a、478b係對準該結構之相反端。該等中間隔離區域478a、478b係由該中間絕緣層480來填充。

一頂絕緣層482(其可為預浸體、一絕緣聚合物、或一環氧樹脂)係施加至該第一電極474a之曝露表面，且一底絕緣層484(其為相似材料)係施加至該第四電極474d之曝露表面。該頂絕緣層482會填充該上隔離區域476a，而該底絕緣層484會填充該下隔離區域476b。一底金屬化層(較佳地係一銅箔)係施加至該底絕緣層484之曝露表面，並經光阻遮蔽與蝕刻而形成由該底絕緣層484之一曝露區域所分離的第一與第二表面裝設端子486、488。相似地，一頂金屬化層(較佳地係一銅箔)係施加至該頂絕緣層482，並經光阻遮蔽與蝕刻而形成一錨定觸點500與(視需要)識別標記490。可在形成與電鍍該等通道492、494之前或之後執行該頂與該底金屬化層的光阻掩蔽與蝕刻，如同下文所說明的。該頂金屬化層與該頂絕緣層482可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層484可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一多作用層層壓結構，其包含第一與第二作用聚合物層472a、472b、一第一或上電極474a、中間第二與第三電極474b、474c、一第四或下電極474d、一中間絕緣層480、一頂絕緣層482、一底絕緣層484、一底金屬化層、與一頂金屬化層。該頂與該底金屬化層可形成該錨定觸點500、該標記490、與該等端子486、488。

一第一穿透孔通道492係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述多作用層層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道494相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置470於一第一端具有一第一穿透孔通道492，並於相反端具有一第二穿透孔通道494。此時，該第二通道494的頂入口或開口係以任何適當機制或化學構件(如(例如)一具有圓錐形鑽頭的鑽孔器(未顯示))來削角或成斜面進而使該第二通道494形成一削角或成斜面進入孔502。該削角或成斜面進入孔502穿過該頂絕緣層482至該第二通道494，以與該第一或上電極474a之一端相鄰或穿透該第一或上電極474a之一端。儘管較佳地係先鑽出該等通道492、494，然後再形成該削角或成斜面進入孔502，然而亦可在鑽出該等第二通道492、494之前於該等預定義通道位置處形成該削角進入孔502。

該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道492、494之內側表面(包括每一第二通道494之削角或成斜面進入孔502)鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道492內形成一第一組跨接導體496，並於每一第二組通道494內形成一第二組跨接導體498。一光阻掩蔽與蝕刻程序係用以由該頂金屬化層形成該錨定觸點500與該選擇性標記490，並由該底金屬化層形成該等平面端子486、488。可在形成並電鍍該等通道492、494之前或之後運用該掩蔽與蝕刻程序。該第一組跨接導體496中的每一者會在藉由該上隔離區域476a與該第一(上)電極474a電絕緣，並藉由該下隔離層476b與該第四(下)電極474d電絕緣時與該第二及該第三(中間)電極474b、474c、該錨定觸點500、以及該第一平面端子486建立實體與電接觸。相似地，該第二組跨接導體498中的每一者會在藉由該等中間隔離區域478a、478b與該第二及該第三(中間)電極474b、474c電絕緣時與該第一(上)電極474a、該第四(下)電極474d、以及該第二平面端子488建立實體與電接觸。該第一端子486係透過該第一跨接導體496與該第二及該第三(中間)電極474b、474c電接觸，而該第二端子488則透過該第二跨接導體498與該第一(上)電極474a及該第四(下)電極474d電接觸。

該第一跨接導體496之上及下端係藉由將其連接至該錨定觸點500與該第一平面端子486而分別加以錨定。該第二跨接導體498之上及下端係藉由將其連接至該上電極474a與該下第二端子488而分別加以錨定。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子486、488、該等跨接導體496、498、及視需要該錨定觸點500以及該選擇性標記490(若存在)有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)鎳與金ENIG鍍，或無電錫鍍)。或者，該覆蓋電鍍可係該銅電鍍步驟之後立即實施的電鍍鎳與金、電鍍鎳與錫，或電鍍錫。

圖12A、12B、與12C顯示根據本發明之一第六具體實施例的一傳導聚合物裝置530。該裝置530包括傳導聚合物材料之一單一作用層532，其層壓於一上金屬箔電極534與一下箔電極536之間。此具體實施例係與圖10A至圖10C之具體實施例相似，不同處在於除了位處與該錨定觸點相反之該裝置端的一通道削角或成斜面進入孔外，藉由移除該頂絕緣層之部分尚提供一電鍍錨定元件，如同下文中將說明的。

明確地說，該裝置530包括於該上電極534與該裝置530之一第一端間的一弧形上隔離區域538，其與一第一穿透孔通道552相鄰。該裝置530亦包括於該下電極536與該裝置530之相反端間的一弧形下隔離區域540，其與一第二穿透孔通道554相鄰。一頂絕緣層542係形成或施加於該上電極534之曝露表面上，並填充於該上隔離區域538中，而一底絕緣層544相似地係形成或施加於該下電極536之曝露表面上，並填充於該下隔離區域540中。一底金屬化層(較佳地係一銅箔)係施加至該底絕緣層之曝露表面以形成第一與第二表面裝設端子546、548，如同下文中將說明的。相似地，一頂金屬化層(較佳地係一銅箔)係施加至該頂絕緣層542以形成一錨定觸點560及(視需要)識別標記550，如同下文中亦有說明的。該頂金屬化層與該頂絕緣層542可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層544可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一層壓結構，其包含一單一作用聚合物層532、一上電極534、一下電極536、一頂絕緣層542、一底絕緣層544、一底金屬化層、與一頂金屬化層。

一第一穿透孔通道552係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道554相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該層壓結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置530於一第一端具有一第一穿透孔通道552，並於相反端具有一第二穿透孔通道554。與該第二通道554相鄰之頂絕緣層542的一弧形部分隨後係藉由任何適當程序(如化學蝕刻、電漿蝕刻、機械鑽孔或雷射鑽孔)來移除，以在該上電極534上形成一曝露錨定表面564，其之目的將於下文中加以討論。儘管較佳地係先鑽出該等通道552、554，然後再形成該錨定表面564，然而亦可在鑽出該等通道552、554之前於該等預定義之第二通道位置處形成該錨定表面564。

該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道552、554之內側表面(以及該錨定表面564)鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道552內形成一第一組跨接導體556，於每一第二組通道554內形成一第二組跨接導體558，並於該錨定表面564上形成一電鍍錨定元件562，其中該電鍍錨定元件562係與該第二跨接導體558連續。一光阻掩蔽與蝕刻程序係用以由該頂金屬化層形成與該第一穿透孔通道552相鄰之錨定觸點560(以及該選擇性標記550)，並由該底金屬化層形成該等平面端子546、548。可在形成並電鍍該等通道552、554之前或之後運用該掩蔽與蝕刻程序。該第一組跨接導體556中的每一者會在藉由該上隔離區域538與該上電極534電絕緣時與該下電極536以及該第一端子546建立實體與電接觸。相似地，該第二組跨接導體558中的每一者會在藉由該下隔離區域540與該下電極536電絕緣時與該上電極534以及該第二端子548建立實體與電接觸。因此，該第一端子546係透過該第一跨接導體556而與該下電極536電接觸，而該第二端子548係透過該第二跨接導體558而與該上電極534電接觸。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子546、548、該等跨接導體556、558、該錨定觸點560以及該電鍍錨定元件562(以及該標記550，若存在)有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)鎳與金ENIG鍍，或無電錫鍍)。或者，該覆蓋電鍍可係該銅電鍍步驟之後立即實施的電鍍鎳與金、電鍍鎳與錫，或電鍍錫。

該第一跨接導體556之上及下端係藉由將其連接至該錨定觸點560與該第一端子546而分別加以錨定。該第二跨接導體558之上端係藉由將其連接至該上電極534並連接至該錨定元件562來加以錨定，而該第二跨接導體558之下端係藉由將其連接至該第二端子548來加以錨定。該錨定元件562於該第二跨接導體558與該上電極534上之曝露錨定表面564間提供的連接與接觸比一透過一直通道來形成之跨接導體(如(例如)圖3A至圖3C中所顯示的)所建立的連接與接觸更加緊密而牢固。此舉使該裝置在不過度限制該聚合作用層532之熱膨脹的情況下結構完整性增強。

圖13A、13B、與13C顯示一多作用層裝置570，其係圖12A至12C之具體實施例的變體，其中該多作用層裝置570包含並聯連接之至少一第一作用層572a與一第二作用層572b(其為傳導聚合物材料)，並以一單一對表面裝設端子配置成一垂直堆疊配置。該第一作用層572a係層壓於一第一層壓薄板結構中的第一與第二金屬箔電極574a、574b間，而該第二作用層572b係層壓於一第二層壓薄板結構中的第三與第四金屬箔電極574c、574d間，該等薄板結構中的每一者係屬於上述且於圖1A與1B中所顯示的類型。該第一與該第二複數個通道位置係如上述般加以界定。該第一或上電極574a係與一弧形上隔離區域576a一起形成(藉由光阻掩蔽與蝕刻)，該弧形上隔離區域576a介於該第一電極574a與該裝置570之一第一端間，並與一第一穿透孔通道592相鄰。相似地，該第四或下電極574d同樣係與一弧形下隔離區域576b一起形成，該弧形下隔離區域576b介於該第四電極574d與該裝置570之該第一端間，並與該第一穿透孔通道592相鄰。該第二與該第三(中間)電極574b、574c相似地係與中間弧形隔離區域578a、578b一起形成，該等中間弧形隔離區域578a、578b介於該等中間電極574b、574c與該裝置570之第二端間，並與一第二穿透孔通道594相鄰。該第一與該第二層壓薄板結構隨後係藉由一中間絕緣層580(預浸體、聚合物、或環氧樹脂)而一起層壓成一多作用層層壓結構，使得該上與該下隔離區域576a、576b係對準該結構之一第一端，而該等中間隔離區域578a、578b係對準該結構之相反端。該等中間隔離區域578a、578b係由該中間絕緣層580來填充。

一頂絕緣層582(其可為預浸體、一絕緣聚合物、或一環氧樹脂)係施加至該第一電極574a之曝露表面，且一底絕緣層584(其為相似材料)係施加至該第四電極574d之曝露表面。該頂絕緣層582會填充該上隔離區域576a，而該底絕緣層584會填充該下隔離區域576b。一底金屬化層(較佳地係一銅箔)係施加至該底絕緣層584之曝露表面，並經光阻遮蔽與蝕刻而形成由該底絕緣層584之一曝露區域所分離的第一與第二表面裝設端子586、588。相似地，一頂金屬化層(較佳地係一銅箔)係施加至該頂絕緣層582，並經光阻遮蔽與蝕刻而形成一錨定觸點600與(視需要)識別標記590。可在形成與電鍍該等通道592、594之前或之後執行該頂與該底金屬化層的光阻掩蔽與蝕刻，如同下文所說明的。該頂金屬化層與該頂絕緣層582可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層584可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一多作用層層壓結構，其包含第一與第二作用聚合物層572a、572b、一第一或上電極574a、中間第二與第三電極574b、574c、一第四或下電極574d、一中間絕緣層580、一頂絕緣層582、一底絕緣層584、一底金屬化層、與一頂金屬化層。藉由任何傳統程序(如光阻掩蔽與蝕刻)，使該頂金屬化層形成該錨定觸點600與該選擇性標記590，並使該底金屬化層形成該等平面端子586、588，此舉可在形成與電鍍該等通道之前或之後執行，如同下文所說明的。

一第一穿透孔通道592係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述多作用層層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道594相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置570於一第一端具有一第一穿透孔通道592，並於相反端具有一第二穿透孔通道594。與該第二通道594相鄰之頂絕緣層582的一弧形部分隨後係藉由任何適當程序(如化學蝕刻、電漿蝕刻、機械鑽孔或雷射鑽孔)來移除，以在該上電極574a上形成一曝露錨定表面604，其之目的將於下文中加以討論。儘管較佳地係先鑽出該等通道592、594，然後再形成該錨定表面604，然而亦可在鑽出該等通道592、594之前於該等預定義之第二通道位置處形成該錨定表面604。

該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道592、594之內側表面(以及該錨定表面604)鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道592內形成一第一組跨接導體596，於每一第二組通道594內形成一第二組跨接導體598，並於該錨定表面604上形成一電鍍錨定元件602，其中該電鍍錨定元件602係與該第二跨接導體598連續。此時，一光阻掩蔽與蝕刻程序係用以由該頂金屬化層形成與該第一穿透孔通道592相鄰之錨定觸點600(以及該選擇性標記590)，並由該底金屬化層形成該等平面端子觸點586、588。可在形成並電鍍該等通道592、594之前或之後執行該掩蔽與蝕刻程序。該第一組跨接導體596中的每一者會在藉由該上隔離區域576a與該第一(上)電極574a電絕緣，並藉由該下隔離層576b與該第四(下)電極574d電絕緣時與該第二及該第三(中間)電極574b、574c、該錨定觸點600、以及該第一平面端子586建立實體與電接觸。相似地，該第二組跨接導體598中的每一者會在藉由該等中間隔離區域578a、578b與該第二及該第三(中間)電極574b、574c電絕緣時與該第一(上)電極574a、該第四(下)電極574d、以及該第二平面端子588建立實體與電接觸。該第一端子586係透過該第一跨接導體596與該第二及該第三(中間)電極574b、574c電接觸，而該第二端子588則透過該第二跨接導體598與該第一(上)電極574a及該第四(下)電極574d電接觸。

該第一跨接導體596之上及下端係藉由將其連接至該錨定觸點600與該第一平面端子586而分別加以錨定。該第二跨接導體598之上端係藉由將其連接至該上電極574a並連接至該錨定元件602來加以錨定，而該第二跨接導體之下端係藉由將其連接至該第二端子588來加以錨定。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子586、588、該等跨接導體596、598、該錨定觸點600以及該電鍍錨定元件602(以及該標記590，若存在)有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)鎳與金ENIG鍍，或無電錫鍍)。或者，該覆蓋電鍍可係該銅電鍍步驟之後立即實施的電鍍鎳與金、電鍍鎳與錫，或電鍍錫。

圖14A、14B、與14C顯示根據本發明之一第七具體實施例的一傳導聚合物裝置630。該裝置630與上述圖8A至圖8C之具體實施例的不同處在於其在一頂絕緣層上僅具有一錨定觸點。該裝置630包括傳導聚合物材料之一單一作用層632，其層壓於一上金屬箔電極634與一下箔電極636之間。第一與第二複數個穿透孔通道位置係界定於該薄板結構10中(圖1A)。該第一複數個中之每一通道位置係與該第二複數個中之一相對應通道位置分離一與一單一裝置630之長度相對應的預定義距離。移除(例如，藉由傳統光阻掩蔽與蝕刻)與每一第一通道位置相鄰之上電極634之一弧形區域以於該上電極634之一第一端產生一上隔離區域638。相似地，移除與每一第二通道位置相鄰之下電極636之一弧形區域以於該第二電極636之相反端產生一下隔離區域640。

一頂絕緣層642(其可為預浸體、一絕緣聚合物、或一環氧樹脂)係施加至該上電極634之曝露表面，且一底絕緣層644(其為相似材料)係施加至該下電極636之曝露表面。該頂絕緣層642會填充該上隔離區域638，而該底絕緣層644會填充該下隔離區域640。一底金屬化層(較佳地一銅箔)係施加至該底絕緣層之曝露表面以形成第一與第二表面裝設端子646、648，如同下文中將說明的。相似地，一頂金屬化層(較佳地係一銅箔)係施加至該頂絕緣層642以形成一錨定觸點660及(視需要)識別標記650，如同下文中加以討論的。該頂金屬化層與該頂絕緣層642可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層644可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一層壓結構，其包含一單一作用聚合物層632、一上電極634、一下電極636、一頂絕緣層642、一底絕緣層644、一底金屬化層、與一頂金屬化層。

一第一穿透孔通道652係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道654相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該層壓結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置630於一第一端具有一第一穿透孔通道652，並於相反端具有一第二穿透孔通道654。

此時，該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道652、654之內側表面鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道652內形成一第一組跨接導體656，並於每一第二組通道654內形成一第二組跨接導體658。一光阻掩蔽與蝕刻程序係用以由該頂金屬化層形成錨定觸點660與該選擇性標記650，並由該底金屬化層形成該等平面端子646、648。可在形成並電鍍該等通道652、654之前或之後運用該掩蔽與蝕刻程序。該第一組跨接導體656中的每一者會在藉由該上隔離區域638與該上電極634電絕緣時與該下電極636及該第一端子646建立實體與電接觸。該等第一跨接導體656中的每一者亦實體連接至一第一錨定觸點660，其連同該第一端子646作為該第一跨接導體656的一錨定點。相似地，該第二組跨接導體658中的每一者會在藉由該下隔離區域640與該下電極636電絕緣時與該上電極634及該第二端子648建立實體與電接觸。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子646、648、該等跨接導體656、658、及(視需要)該錨定觸點660(以及該選擇性標記650，若存在)有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)鎳與金ENIG鍍，或僅無電錫鍍)。或者，該覆蓋電鍍可係該銅電鍍步驟之後立即實施的電鍍鎳與金、電鍍鎳與錫，或電鍍錫。

圖15A、15B、與15C顯示一多作用層裝置670，其係圖14A至14C之具體實施例的變體，其中該多作用層裝置670包含並聯連接之至少一第一作用層672a與一第二作用層672b(其為傳導聚合物材料)，並以一單一對表面裝設端子配置成一垂直堆疊配置。該第一作用層672a係層壓於一第一層壓薄板結構中的第一與第二金屬箔電極674a、674b間，而該第二作用層672b係層壓於一第二層壓薄板結構中的第三與第四金屬箔電極674c、674d間，該等薄板結構中的每一者係屬於上述且於圖1A與1B中所顯示的類型。該第一與該第二複數個通道位置係如上述般加以界定。移除(例如，藉由傳統光阻掩蔽與蝕刻)與每一第一通道位置相鄰之第一與第四電極674a、674d之一弧形區域以於該第一與該第四電極674a、674d之一第一端產生一上隔離區域676a與一下隔離區域676b。相似地，移除與每一第二通道位置相鄰之第二與第三電極674b、674c之一弧形區域以於該第二與該第三電極674b、674c之相反端產生中間隔離區域678a、678b。該第一與該第二層壓薄板結構隨後係藉由一中間絕緣層680(預浸體、聚合物、或環氧樹脂)而一起層壓成一多作用層層壓結構，使得該上與該下隔離區域676a、676b係對準該結構之一第一端，而該等中間隔離區域678a、678b係對準該結構之相反端。該等中間隔離區域678a、678b係由該中間絕緣層680來填充。

一頂絕緣層682(其可為預浸體、一絕緣聚合物、或一環氧樹脂)係施加至該第一電極674a之曝露表面，且一底絕緣層684(其為相似材料)係施加至該第四電極674d之曝露表面。該頂絕緣層682會填充該上隔離區域676a，而該底絕緣層684會填充該下隔離區域676b。一底金屬化層(較佳地一銅箔)係施加至該底絕緣層之曝露表面以形成第一與第二表面裝設端子686、688，如同下文中將說明的。相似地，一頂金屬化層(較佳地係一銅箔)係施加至該頂絕緣層682以形成一錨定觸點700及(視需要)識別標記690，如同下文中亦有說明的。該頂金屬化層與該頂絕緣層682可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層684可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一多作用層層壓結構，其包含第一與第二作用聚合物層672a、672b、一第一或上電極674a、中間第二與第三電極674b、674c、一第四或下電極674d、一中間絕緣層680、一頂絕緣層682、一底絕緣層684、一底金屬化層、與一頂金屬化層。

一第一穿透孔通道692係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述多作用層層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道694相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置670於一第一端具有一第一穿透孔通道692，並於相反端具有一第二穿透孔通道694。

此時，該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道692、694之內側表面鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道692內形成一第一組跨接導體696，並於每一第二組通道694內形成一第二組跨接導體698。一光阻掩蔽與蝕刻程序係用以由該頂金屬化層形成錨定觸點700與該選擇性標記690，並由該底金屬化層形成該等平面端子686、688。可在形成並電鍍該等通道692、694之前或之後運用該掩蔽與蝕刻程序。該第一組跨接導體696中的每一者會在藉由該上隔離區域676a及該下隔離區域676b分別與該第一(上)電極674a及該第四(下)電極674d電絕緣時與該第二及該第三(中間)電極674b、674c以及該第一端子686建立實體與電接觸。該等第一跨接導體696亦實體連接至一第一錨定觸點700，其連同該第一端子686作為該第一跨接導體696的一錨定點。相似地，該第二組跨接導體698中的每一者會在藉由該等中間隔離區域678a、678b與該第二及第三(中間)電極674b、674c電絕緣時與該第一(上)電極674a、該第四(下)電極674d、及該第二端子688建立實體與電接觸。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子686、688、該等跨接導體696、698、及(視需要)該錨定觸點700(以及該標記690，若存在)有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)鎳與金ENIG鍍，或無電錫鍍)。或者，該覆蓋電鍍可係該銅電鍍之後立即實施的電鍍鎳與金、電鍍鎳與錫，或電鍍錫。

圖16A、16B、與16C顯示根據本發明之一第八具體實施例的一傳導聚合物裝置730。此具體實施例係與圖14A至圖14C之具體實施例相似，不同處在於其之錨定觸點係於一頂絕緣層之另一端上。該裝置730包括傳導聚合物材料之一單一作用層732，其層壓於一上金屬箔電極734與一下箔電極736之間。第一與第二複數個穿透孔通道位置係界定於該薄板結構10中(圖1A)。該第一複數個中之每一通道位置係與該第二複數個中之一相對應通道位置分離一與一單一裝置730之長度相對應的預定義距離。移除(例如，藉由傳統光阻掩蔽與蝕刻)與每一第一通道位置相鄰之上電極734之一弧形區域以於該上電極734之一第一端產生一上隔離區域738。相似地，移除與每一第二通道位置相鄰之下電極736之一弧形區域以於該第二電極736之相反端產生一下隔離區域740。

一頂絕緣層742(其可為預浸體、一絕緣聚合物、或一環氧樹脂)係施加至該上電極734之曝露表面，且一底絕緣層744(其為相似材料)係施加至該下電極736之曝露表面。該頂絕緣層742會填充該上隔離區域738，而該底絕緣層744會填充該下隔離區域740。一底金屬化層(較佳地一銅箔)係施加至該底絕緣層之曝露表面以形成第一與第二表面裝設端子746、748，如同下文中將說明的。相似地，一頂金屬化層(較佳地係一銅箔)係施加至該頂絕緣層742以形成一錨定觸點762及(視需要)識別標記750，如同下文中加以討論的。該頂金屬化層與該頂絕緣層742可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層744可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一層壓結構，其包含一單一作用聚合物層732、一上電極734、一下電極736、一頂絕緣層742、一底絕緣層744、一底金屬化層、與一頂金屬化層。

一第一穿透孔通道752係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道754相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該層壓結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置730於一第一端具有一第一穿透孔通道752，並於相反端具有一第二穿透孔通道754。

此時，該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道752、754之內側表面鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道752內形成一第一組跨接導體756，並於每一第二組通道754內形成一第二組跨接導體758。一光阻掩蔽與蝕刻程序係用以由該頂金屬化層形成該錨定觸點762與該選擇性標記750，並由該底金屬化層形成該等平面端子746、748。可在形成並電鍍該等通道752、754之前或之後運用該掩蔽與蝕刻程序。該第一組跨接導體756中的每一者會在藉由該上隔離區域738與該上電極734電絕緣時與該下電極736及該第一端子746建立實體與電接觸。該等第一跨接導體756中的每一者亦實體連接至該錨定觸點762，其連同該第一端子746作為該第一跨接導體756的一錨定點。相似地，該第二組跨接導體758中的每一者會在藉由該下隔離區域740與該下電極736電絕緣時與該上電極734及該第二端子748建立實體與電接觸。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子746、748、該等跨接導體756、758、及(視需要)該錨定觸點762(以及該標記750，若存在)有利地可覆蓋電鍍一或更多個額外金屬層(如(例如)鎳與金ENIG鍍，或無電錫鍍)。或者，該覆蓋電鍍可係該銅電鍍步驟之後立即實施的電鍍鎳與金、電鍍鎳與錫，或電鍍錫。

圖17A、17B、與17C顯示一多作用層裝置770，其係圖16A至圖16C之具體實施例的變體，其中該多作用層裝置770包含並聯連接之至少一第一作用層772a與一第二作用層772b(其為傳導聚合物材料)，並使用一單一對表面裝設端子配置成一垂直堆疊配置。該第一作用層772a係層壓於一第一層壓薄板結構中的第一與第二金屬箔電極774a、774b間，而該第二作用層772b係層壓於一第二層壓薄板結構中的第三與第四金屬箔電極774c、774d間，該等薄板結構中的每一者係屬於上述且於圖1A與1B中所顯示的類型。該第一與該第二複數個通道位置係如上述般加以界定。移除(例如，藉由傳統光阻掩蔽與蝕刻)與每一第一通道位置相鄰之第一與第四電極774a、774d之一弧形區域以於該第一與該第四電極774a、774d之一第一端產生一上隔離區域776a與一下隔離區域776b。相似地，移除與每一第二通道位置相鄰之第二與第三電極774b、774c之一弧形區域以於該第二與該第三電極774b、774c之相反端產生中間隔離區域778a、778b。該第一與該第二層壓薄板結構隨後係藉由一中間絕緣層780(預浸體、聚合物、或環氧樹脂)而一起層壓成一多作用層層壓結構，使得該上與該下隔離區域776a、776b係對準該結構之一第一端，而該等中間隔離區域778a、778b係對準該結構之相反端。該等中間隔離區域778a、778b係由該中間絕緣層780來填充。

一頂絕緣層782(其可為預浸體、一絕緣聚合物、或一環氧樹脂)係施加至該第一電極774a之曝露表面，且一底絕緣層784(其為相似材料)係施加至該第四電極774d之曝露表面。該頂絕緣層782會填充該上隔離區域776a，而該底絕緣層784會填充該下隔離區域776b。一底金屬化層(較佳地一銅箔)係施加至該底絕緣層之曝露表面以形成第一與第二表面裝設端子786、788，如同下文中將說明的。相似地，一頂金屬化層(較佳地係一銅箔)係施加至該頂絕緣層782以形成一錨定觸點802及(視需要)識別標記790，如同下文中亦有說明的。該頂金屬化層與該頂絕緣層782可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層784可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一多作用層層壓結構，其包含第一與第二作用聚合物層772a、772b、一第一或上電極774a、中間第二與第三電極774b、774c、一第四或下電極774d、一中間絕緣層780、一頂絕緣層782、一底絕緣層784、一底金屬化層、與一頂金屬化層。

一第一穿透孔通道792係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述多作用層層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道794相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置770於一第一端具有一第一穿透孔通道792，並於相反端具有一第二穿透孔通道794。

此時，該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道792、794之內側表面鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道792內形成一第一組跨接導體796，並於每一第二組通道794內形成一第二組跨接導體798。一光阻掩蔽與蝕刻程序係用以由該頂金屬化層形成錨定觸點802與該選擇性標記790，並由該底金屬化層形成該等平面端子786、788。可在形成並電鍍該等通道792、794之前或之後運用該掩蔽與蝕刻程序。該第一組跨接導體796中的每一者會在藉由該上隔離區域776a及該下隔離區域776b分別與該第一(上)電極774a及該第四(下)電極774d電絕緣時與該第二及該第三(中間)電極774b、774c以及該第一端子786建立實體與電接觸。相似地，該第二組跨接導體798中的每一者會在藉由該等中間隔離區域778a、778b與該第二及該第三(中間)電極774b、774c電絕緣時與該第一(上)電極774a、該第四(下)電極774d、以及該第二端子788建立實體與電接觸。該等第二跨接導體798亦實體連接至一錨定觸點802，其連同該第二端子788作為該第二跨接導體796的一錨定點。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子786、788、該等跨接導體796、798、及(視需要)該錨定觸點802(以及該標記790，若存在)有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)鎳與金ENIG鍍，或無電錫鍍)。或者，該覆蓋電鍍可係該銅電鍍步驟之後立即實施的電鍍鎳與金、電鍍鎳與錫，或電鍍錫。

圖18A、18B、與18C顯示根據本發明之一第九具體實施例的一傳導聚合物裝置830。此具體實施例係與圖10A至圖10C之具體實施例相類似，不同處在於該通道位置之一削角進入孔與一錨定觸點位置對調(從一端至另一端)。該裝置830包括傳導聚合物材料之一單一作用層832，其層壓於一上金屬箔電極834與一下箔電極836之間。就結構觀點而言，該裝置830包括於該上電極834與該裝置830之一第一端間的一弧形上隔離區域838，其與一第一穿透孔通道852相鄰。該裝置亦包括於該下電極836與該裝置830之相反端間的一弧形下隔離區域840，其與一第二穿透孔通道854相鄰。一頂絕緣層842係形成或施加於該上電極834之曝露表面上，並填充於該上隔離區域838中，而一底絕緣層844相似地係形成或施加於該下電極836之曝露表面上，並填充於該下隔離區域840中。一底金屬化層20(圖1A、1B)(較佳地係一銅箔)係施加至該底絕緣層之曝露表面以形成第一與第二表面裝設端子846、848，如同下文中將說明的。相似地，一頂金屬化層18(圖1A、1B)(較佳地係一銅箔)係施加至該頂絕緣層842以形成一錨定觸點862及(視需要)識別標記850，如同下文中亦有說明的。該頂金屬化層與該頂絕緣層842可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層844可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一層壓結構，其包含一單一作用聚合物層832、一上電極834、一下電極836、一頂絕緣層842、一底絕緣層844、一底金屬化層、與一頂金屬化層。

一第一穿透孔通道852係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道854相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該層壓結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置830於一第一端具有一第一穿透孔通道852，並於相反端具有一第二穿透孔通道854。此時，該第一通道852的頂入口或開口係以任何適當機制或程序(如(例如)一具有圓錐形鑽頭的鑽孔器(未顯示))來削角或成斜面進而使該第一通道852形成一削角或成斜面進入孔860。儘管較佳地係先鑽出該等通道852、854，然後再形成該削角進入孔860，然而亦可在鑽出該等通道852、854之前於該等預定義第一通道位置處形成該削角進入孔860。該進入孔860穿過該上絕緣層842與該上隔離區域838。

該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道852、854之內側表面(包括該削角進入孔860)鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道852內形成一第一組跨接導體856，並於每一第二組通道854內形成一第二組跨接導體858。一光阻掩蔽與蝕刻程序係用以由該頂金屬化層形成該錨定觸點862與該選擇性標記850，並由該底金屬化層形成該等平面端子846、848中的一者或二者。可在形成並電鍍該等通道852、854之前或之後運用該掩蔽與蝕刻程序。該第一組跨接導體856中的每一者會在藉由該上隔離區域838與該上電極834電絕緣時與該下電極836以及該第一端子846建立實體與電接觸。相似地，該第二組跨接導體858中的每一者會在藉由該下隔離區域840與該下電極836電絕緣時與錨定觸點862、該上電極834以及該第二端子848建立實體與電接觸。因此，該第一端子846係透過該第一跨接導體856而與該下電極836電接觸，而該第二端子848係透過該第二跨接導體858而與該上電極834電接觸。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子846、848與該等跨接導體856、858、該錨定觸點862、及視需要該標記850(若存在)有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)鎳與金ENIG鍍，或無電錫鍍)。或者，該覆蓋電鍍可係該銅電鍍步驟之後立即實施的電鍍鎳與金、電鍍鎳與錫，或電鍍錫。

該第二跨接導體858之上及下端係藉由將其連接至該錨定觸點862與該第二端子848而分別加以錨定。該第一跨接導體856之上及下端係藉由將其連接至該削角通道進入孔860與該第一端子846而分別加以錨定。

圖19A、19B、與19C顯示一多作用層裝置870，其係圖18A至圖18C之具體實施例的變體，其中該多作用層裝置870包含並聯連接之至少一第一作用層872a與一第二作用層872b(其為傳導聚合物材料)，並使用一單一對表面裝設端子配置成一垂直堆疊配置。該裝置870包括傳導聚合物材料之第一與第二作用層872a、872b。該第一作用層872a係層壓於一第一層壓薄板結構中的第一與第二金屬箔電極874a、874b間，而該第二作用層872b係層壓於一第二層壓薄板結構中的第三與第四金屬箔電極874c、874d間，該等薄板結構中的每一者係屬於上述且於圖1A與1B中所顯示的類型。該第一與該第二複數個通道位置係如上述般加以界定。該第一或上電極874a係與一弧形上隔離區域876a一起形成(藉由光阻掩蔽與蝕刻)，該弧形上隔離區域876a介於該第一電極874a與該裝置870之一第一端間，並與一第一穿透孔通道892相鄰。相似地，該第四或下電極874d同樣係與一弧形下隔離區域876b一起形成，該弧形下隔離區域876b介於該第四電極876d與該裝置870之該第一端間。該第二與該第三(中間)電極874b、874c相似地係與中間弧形隔離區域878a、878b一起形成，該等中間弧形隔離區域878a、878b介於該等中間電極874b、874c與該裝置870之第二端間。該第一與該第二層壓薄板結構隨後係藉由一中間絕緣層880(預浸體、聚合物、或環氧樹脂)而一起層壓成一多作用層層壓結構，使得該上與該下隔離區域876a、876b係對準該結構之一第一端，而該等中間隔離區域878a、878b係對準該結構之相反端。該等中間隔離區域878a、878b係由該中間絕緣層880來填充。

一頂絕緣層882(其可為預浸體、一絕緣聚合物、或一環氧樹脂)係施加至該第一電極874a之曝露表面，且一底絕緣層884(其為相似材料)係施加至該第四電極874d之曝露表面。該頂絕緣層882會填充該上隔離區域876a，而該底絕緣層884會填充該下隔離區域876b。一底金屬化層(較佳地係一銅箔)係施加至該底絕緣層884之曝露表面，並經光遮蔽與蝕刻而形成由該底絕緣層884之一曝露區域所分離的第一與第二表面裝設端子886、888。相似地，一頂金屬化層(較佳地係一銅箔)係施加至該頂絕緣層882，並經光遮蔽與蝕刻而形成一錨定觸點902與(視需要)識別標記890。可在形成與電鍍該等通道892、894之前或之後執行該頂與該底金屬化層的光阻掩蔽與蝕刻，如同下文所說明的。該頂金屬化層與該頂絕緣層882可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層884可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一多作用層層壓結構，其包含第一與第二作用聚合物層872a、872b、一第一或上電極874a、中間第二與第三電極874b、874c、一第四或下電極874d、一中間絕緣層880、一頂絕緣層882、一底絕緣層884、一底金屬化層、與一頂金屬化層。該頂與該底金屬化層可形成該錨定觸點902、該標記890、與該等端子886、888。

一第一穿透孔通道892係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述多作用層層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道894相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置870於一第一端具有一第一穿透孔通道892，並於相反端具有一第二穿透孔通道894。此時，該第一通道892的頂入口或開口係以任何適當機制或化學方法(如(例如)一具有圓錐形鑽頭的鑽孔器(未顯示))來削角進而使該第一通道892形成一削角或成斜面進入孔900。儘管較佳地係先鑽出該等通道892、894，然後再形成該削角進入孔900，然而亦可在鑽出該等第二通道892、894之前於該等預定義通道位置處形成該削角進入孔900。該進入孔900穿過該上絕緣層842與該上隔離區域876a。

該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道892、894之內側表面(包括每一第一通道892之削角進入孔900)鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道892內形成一第一組跨接導體896，並於每一第二組通道894內形成一第二組跨接導體898。一光阻掩蔽與蝕刻程序係用以由該頂金屬化層形成該錨定觸點902與該選擇性標記890，並由該底金屬化層形成該等平面端子886、888。可在形成並電鍍該等通道892、894之前或之後運用該掩蔽與蝕刻程序。該第一組跨接導體896中的每一者會在藉由該上隔離區域876a與該第一(上)電極874a電絕緣，並藉由該下隔離層876b與該第四(下)電極874d電絕緣時與該第二及該第三(中間)電極874b、874c、以及該第一平面端子886建立實體與電接觸。相似地，該第二組跨接導體898中的每一者會在藉由該等中間隔離區域878a、878b與該第二及該第三(中間)電極874b、874c電絕緣時與該第一(上)電極874a、該第四(下)電極874d、該錨定觸點902、以及該第二平面端子888建立實體與電接觸。該第一端子886係透過該第一跨接導體896與該第二及該第三(中間)電極874b、874c電接觸，而該第二端子888則透過該第二跨接導體898與該第一(上)電極874a及該第四(下)電極874d電接觸。

該第一跨接導體896之上及下端係藉由將其連接至該削角進入孔900與該第一平面端子886而分別加以錨定。該第二跨接導體898之上及下端係藉由將其連接至該錨定觸點902與該下第二端子888而分別加以錨定。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子886、888、該等跨接導體896、898、及該錨定觸點902(以及該標記890，若存在)有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)鎳與金ENIG鍍，或無電錫鍍)。或者，該覆蓋電鍍可係該銅電鍍步驟之後立即實施的電鍍鎳與金、電鍍鎳與錫，或電鍍錫。

圖20A、20B、與20C顯示根據本發明之一第十具體實施例的一多作用層裝置970。該多作用層裝置970包含並聯連接之至少一第一作用層972a與一第二作用層972b(其為傳導聚合物材料)，並僅使用一單一對表面裝設端子配置成一垂直堆疊配置。該裝置970與該等上述裝置不同之處主要在於該等電極相對於該等穿透孔通道中所形成之跨接導體的配置。該裝置970包括傳導聚合物材料之第一與第二作用層972a、972b。該第一作用層972a係層壓於一第一層壓薄板結構中的第一與第二金屬箔電極974a、974b間，而該第二作用層972b係層壓於一第二層壓薄板結構中的第三與第四金屬箔電極974c、974d間，該等薄板結構中的每一者係屬於上述且於圖1A與1B中所顯示的類型。該第一與該第二複數個通道位置係如上述般加以界定。形成該第一或上電極974a與該第三電極974c之箔層係經蝕刻(例如，藉由光阻掩蔽與蝕刻)而使一上隔離區域976a與一第二中間隔離區域978b形成弧形，該上隔離區域976a與該第二中間隔離區域978b分別介於該第一及該第三電極974a、974c之每一者與該裝置970之第一端間，並與一第一穿透孔通道992之位置相鄰。相似地，形成該第二電極974b與該第四(下)電極974d之箔分別具有一第一中間弧形隔離區域978a及一下弧形隔離區域976b，該第一中間弧形隔離區域978a與該下弧形隔離區域976b分別介於該第二及該第四電極974b、974d之每一者與該裝置970之第二端間，並與一第二穿透孔通道994之位置相鄰。該第一與該第二層壓薄板結構隨後係藉由一中間絕緣層980(預浸體、聚合物、或環氧樹脂)而一起層壓成一多作用層層壓結構，使得該上與該第二隔離區域976a、978b係對準該結構之一第一端，而該下與該第一中間隔離區域976b、978a係對準該結構之相反端。該等中間隔離區域978a、978b係由該中間絕緣層980來填充。

一頂絕緣層982(其可為預浸體、一絕緣聚合物、或一環氧樹脂)係施加至該第一電極974a之曝露表面，且一底絕緣層984(其為相似材料)係施加至該第四電極974d之曝露表面。該頂絕緣層982會填充該上隔離區域976a，而該底絕緣層984會填充該下隔離區域976b。一底金屬化層(較佳地係一銅箔)係施加至該底絕緣層984之曝露表面，並經光阻遮蔽與蝕刻而形成由該底絕緣層984之一曝露區域所分離的第一與第二表面裝設端子986、988。相似地，一頂金屬化層(較佳地係一銅箔)係施加至該頂絕緣層982，並經光阻遮蔽與蝕刻而形成一錨定觸點1000與(視需要)識別標記990。可在形成與電鍍該等通道992、994之前或之後執行該頂與該底金屬化層的光阻掩蔽與蝕刻，如同下文所說明的。該頂金屬化層與該頂絕緣層982可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層984可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一多作用層層壓結構，其包含第一與第二作用聚合物層972a、972b、一第一或上電極974a、中間第二與第三電極974b、974c、一第四或下電極974d、一中間絕緣層980、一頂絕緣層982、一底絕緣層984、一底金屬化層、與一頂金屬化層。該頂與該底金屬化層可形成該錨定觸點1000、該標記990、與該等端子986、988。

一第一穿透孔通道992係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述多作用層層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道994相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置970於一第一端具有一第一穿透孔通道992，並於相反端具有一第二穿透孔通道994。此時，該第二通道994的頂入口或開口係以任何適當機制或化學構件(如(例如)一具有圓錐形鑽頭的鑽孔器(未顯示))來削角進而使該第二通道994形成一削角或成斜面進入孔1002。該削角進入孔1002延伸至該第二通道994，以與該第一或上電極974a之一端相鄰或穿透該第一或上電極974a之一端。儘管較佳地係先鑽出該等通道992、994，然後再形成該等削角進入孔1002，然而亦可在鑽出該等第二通道992、994之前於該等預定義通道位置處形成該等削角進入孔1002。該進入孔1002穿過該上絕緣層982至該第二通道994，以與該第一或上電極974a之相鄰端相鄰或穿透該第一或上電極974a之相鄰端。

該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道992、994之內側表面(包括每一第二通道994之削角進入孔1002)鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道992內形成一第一組跨接導體996，並於每一第二組通道994內形成一第二組跨接導體998。一光阻掩蔽與蝕刻程序係用以由該頂金屬化層形成該錨定觸點1000與該選擇性標記990，並由該底金屬化層形成該等平面端子986、988。可在形成並電鍍該等通道992、994之前或之後運用該掩蔽與蝕刻程序。該第一組跨接導體996中的每一者會在藉由該上隔離區域976a與該第一(上)電極974a電絕緣，並藉由該第一中間隔離層978a與該第三(中間)電極974c電絕緣時與該第二及該第四電極974b、974d、該錨定觸點1000、以及該第一平面端子986建立實體與電接觸。相似地，該第二組跨接導體998中的每一者會在分別藉由該第二中間隔離區域978a與該下隔離區域976b與該第二及該第四電極974b、974d電絕緣時與該第一(上)電極974a、該第三(中間)電極974c、以及該第二平面端子988建立實體與電接觸。該第一端子986係透過該第一跨接導體996與該第二及該第四電極974b、974d電接觸，而該第二端子988則透過該第二跨接導體998與該第一(上)電極974a及該第三電極974c電接觸。

該第一跨接導體996之上及下端係藉由將其連接至該錨定觸點1000與該第一平面端子986而分別加以錨定。該第二跨接導體998之上及下端係藉由將其連接至該上電極974a與該下第二端子988而分別加以錨定。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子986、988、該等跨接導體996、998、及該錨定觸點1000有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)鎳與金ENIG鍍，或無電錫鍍)。或者，該覆蓋電鍍可係該銅電鍍步驟之後立即實施的電鍍鎳與金、電鍍鎳與錫，或電鍍錫。

圖21A、21B、與21C顯示一多作用層裝置1070，其係圖20A至圖20C之具體實施例的變體，其中三層壓薄板結構係用以形成一具有三作用層之裝置。該多作用層裝置1070包含並聯連接之至少一第一作用層1072a、一第二作用層1072b、與一第三作用層1072c(其為傳導聚合物材料)，並僅使用一單一對表面裝設端子配置成一垂直堆疊配置。將瞭解，可利用四或更多個層壓薄板結構以形成一具有四或更多個作用層的裝置。該裝置1070包括傳導聚合物材料之第一、第二與第三作用層1072a、1072b、1072c。該第一作用層1072a係層壓於一第一層壓薄板結構中的第一與第二金屬箔電極1074a、1074b間；該第二作用層1072b係層壓於一第二層壓薄板結構中的第三與第四金屬箔電極1074c、1074d間；以及該第三作用層1072c係層壓於一第三層壓薄板結構中的第五與第六金屬箔電極1074e、1074f間，該等薄板結構中的每一者係屬於上述且於圖1A與1B中所顯示的類型。該第一與該第二複數個通道位置係如上述般加以界定。該第一或上電極1074a係與一弧形上隔離區域1076a一起形成(藉由光阻掩蔽與蝕刻)，該弧形上隔離區域1076a介於該第一電極1074a與該裝置1070之一第一端間，並與一第一穿透孔通道1092相鄰。相似地，該第六或下電極1074f同樣係與一弧形下隔離區域1076b一起形成，該弧形下隔離區域1076b介於該第六電極1074f與該裝置1070之該第二端間。該第二與該第三(中間)電極1074b、1074c相似地係與中間弧形隔離區域1078a、1078b一起形成，該等中間弧形隔離區域1078a、1078b介於該等中間電極1074b、1074c與該裝置1070之第二端間。該第四與該第五(中間)電極1074d、1074e相似地係與中間弧形隔離區域1078c、1078d一起形成，該等中間弧形隔離區域1078c、1078d介於該等中間電極1074d、1074e與該裝置1070之第一端間。該第一、該第二與該第三層壓薄板結構隨後係藉由中間絕緣層1080a、1080b(預浸體、聚合物、或環氧樹脂)而一起層壓成一多作用層層壓結構，使得該等隔離區域1076a、1078c、1078d係對準該結構之一第一端，而該等隔離區域1078a、1078b、1076b係對準該結構之相反端。該等中間隔離區域1078a、1078b係由該中間絕緣層1080a所填充，而該等中間隔離區域1078c、1078d係由該中間絕緣層1080b所填充。

一頂絕緣層1082(其可為預浸體、一絕緣聚合物、或一環氧樹脂)係施加至該第一電極1074a之曝露表面，且一底絕緣層1084(其為相似材料)係施加至該第六電極1074f之曝露表面。該頂絕緣層1082會填充該上隔離區域1076a，而該底絕緣層1084會填充該下隔離區域1076b。一底金屬化層(較佳地係一銅箔)係施加至該底絕緣層1084之曝露表面，並經光阻遮蔽與蝕刻而形成由該底絕緣層1084之一曝露區域所分離的第一與第二表面裝設端子1086、1088。相似地，一頂金屬化層(較佳地係一銅箔)係施加至該頂絕緣層1082，並經光阻遮蔽與蝕刻而形成一錨定觸點1100與(視需要)識別標記1090。可在形成與電鍍該等通道1092、1094之前或之後執行該頂與該底金屬化層的光阻掩蔽與蝕刻，如同下文所說明的。該頂金屬化層與該頂絕緣層1082可預形成並施加為一層板，或可依序個別地施加。同樣地，該底金屬化層與該底絕緣層1084可一起施加成一預形成之層板，或依序個別地施加。於任一情況中，結果均係一多作用層層壓結構，其包含第一、第二與第三作用聚合物層1072a、1072b、1072c、一第一或上電極1074a、中間第二、第三、第四與第五電極1074b、1074c、1074d、1074e、一第六或下電極1074f、中間絕緣層1080a、1080b、一頂絕緣層1082、一底絕緣層1084、一底金屬化層、與一頂金屬化層。該頂與該底金屬化層可形成該錨定觸點1100、該標記1090、與該等端子1086、1088。

一第一穿透孔通道1092係於每一第一複數個通道位置處穿透該上述多作用層層壓結構之整體厚度來形成(例如，藉由機械或雷射鑽孔)，而一第二穿透孔通道1094相似地(且(較佳地)同時地)係於每一第二複數個通道位置處穿透該結構之整體厚度來形成。因此，每一裝置1070於一第一端具有一第一穿透孔通道1092，並於相反端具有一第二穿透孔通道1094。此時，該第二通道1094的頂入口或開口係以任何適當機制或化學構件(如(例如)一具有圓錐形鑽頭的鑽孔器(未顯示))來削角或成斜面進而使該第二通道1094形成一削角或成斜面進入孔1102。該削角進入孔1102延伸至該第二通道1094，以與該第一或上電極1074a之一端相鄰或穿透該第一或上電極1074a之一端。儘管較佳地係先鑽出該等通道1092、1094，然後再形成該等削角進入孔1102，然而亦可在鑽出該等第二通道1192、1094之前於該等預定義通道位置處形成該等削角進入孔1105。

該結構之該頂與該底表面及該等穿透孔通道1092、1094之內側表面(包括每一第二通道1194之削角進入孔1102)鍍有一或更多層傳導金屬(較佳地係銅)，從而於每一第一組通道1092內形成一第一組跨接導體1096，並於每一第二組通道1094內形成一第二組跨接導體1098。一光阻掩蔽與蝕刻程序係用以由該頂金屬化層形成該錨定觸點1100與該選擇性標記1090，並由該底金屬化層形成該等平面端子1086、1088。可在形成並電鍍該等通道1092、1094之前或之後運用該掩蔽與蝕刻程序。該第一組跨接導體1096中的每一者會在藉由該上隔離區域1076a與該第一(上)電極1074a電絕緣，藉由該隔離層1078c與該第四電極1074d電絕緣，並藉由該隔離層1078d與該第五電極1074e電絕緣時與該第二、該第三及該第六電極1074b、1074c、1074f、該錨定觸點1100、以及該第一平面端子1086建立實體與電接觸。相似地，該第二組跨接導體1098中的每一者會在藉由該等中間隔離區域1078a、1078b與該第二及該第三(中間)電極1074b、1074c電絕緣，並藉由該隔離層1076b與該第六(下)電極1074f電絕緣時與該第一(上)電極1074a、該第四及該第五電極1074d、1074e、以及該第二平面端子1088建立實體與電接觸。該第一端子1086係透過該第一跨接導體1096與該第二、該第三及該第六電極1074b、1074c、1074f電接觸，而該第二端子1088則透過該第二跨接導體1098與該第一(上)電極1074a、該第四及該第五(中間)電極1074d、1074e電接觸。

該第一跨接導體1096之上及下端係藉由將其連接至該錨定觸點1100與該第一平面端子1086而分別加以錨定。該第二跨接導體1098之上及下端係藉由將其連接至該上電極1074a與該下第二端子1088而分別加以錨定。該等曝露之金屬區域，尤其是該等端子1086、1088、該等跨接導體1096、1098、及該錨定觸點1100有利地可覆蓋電鍍一或更多個可焊金屬層(如(例如)鎳與金ENIG鍍，或無電錫鍍)。或者，該覆蓋電鍍可係該銅電鍍步驟之後立即實施的電鍍鎳與金、電鍍鎳與錫，或電鍍錫。

圖22係顯示一種製造根據本發明之一方面之聚合裝置(如(例如)圖10A至圖10C中所顯示之裝置430)之方法2200的流程圖。接著，參考圖22並參考圖1A、1B、10A、10B、與10C，該程序起始於步驟S2202，其中提供一傳導聚合物基板16(圖1A與1B)。於步驟S2204中，該聚合物基板16係層壓於上與下金屬層12與14之間(圖1A與1B)。於步驟S2206中，該等金屬層12與14係經遮蔽與蝕刻而形成該上與該下電極434、436(圖10B)。於步驟S2208中，該上與該下絕緣層442、444分別係於該上與該下電極434、436上形成。於步驟S2210中，該底金屬化層22、與該頂金屬化層24(圖1A、1B)分別係施加至該下與該上絕緣層444、442。於步驟S2212中，形成該等穿透孔通道452、454與該成斜面進入孔462(圖10B)。那些熟悉此技術者將會發現在某些具體實施例中，該等穿透孔通道452、454不包括該成斜面進入孔。於步驟S2214中，該頂及該底金屬化層與該等通道452、454(包括該成斜面進入孔462)係以銅加以電鍍(厚度較佳地約25微米)，進而提供該等跨接導體456、458(圖10A、10B)。於步驟S2216中，該下金屬化層係經掩蔽與蝕刻而形成該等平面表面裝設端子觸點446、448(圖10B、10C)，而該上金屬化層係經遮蔽與蝕刻而形成該錨定觸點462與該選擇性標記450(圖10A、10B)。於此步驟中，該掩蔽係施加予該下金屬化層之部分，該上金屬化層以及該等通道之電鍍內部表面(即跨接導體456，458)，於下金屬化層之掩蔽部分將形成端子觸點，於上金屬化層之掩蔽部分將形成該錨定觸點462與該選擇性標記450。經過蝕刻後該掩蔽被移除掉，且於步驟S2218中，該曝露之金屬區域(該等端子觸點446、448；該等跨接導體456、458；該錨定觸點462；以及該標記450)係覆蓋電鍍一或更多種可焊金屬。於一第一示範性具體實施例中，該覆蓋電鍍係鎳與金ENIG鍍，其中一鎳層係約3.4微米以及一金層係約0.1微米。或者，可無電電鍍錫達約3.5至6微米之厚度。最後，於步驟S2220中，沿該等格柵線26(圖1B)從該層壓結構10分割該等裝置430。

圖23係一種製造根據本發明之一裝置(如(例如)圖10A至圖10C之裝置430)之替代性方法的流程圖。接著，參考圖23並參考圖1A、1B、10A、10B、與10C，該程序起始於步驟S2302，其中提供一傳導聚合物基板16(圖1A與1B)。於步驟S2304中，該聚合物基板16係層壓於上與下金屬層12與14之間(圖1A與1B)。於步驟S2306中，該等金屬層12與14係經遮蔽與蝕刻而形成該上與該下電極434、436(圖10B)。於步驟S2308中，該上與該下絕緣層442、444分別係於該上與該下電極434、436上形成。於步驟S2310中，該底金屬化層22、與該頂金屬化層24(圖1A、1B)分別係施加至該下與該上絕緣層444、442。於步驟S2312中，形成該等穿透孔通道452、454與該成斜面進入孔462(圖10B)。那些熟悉此技術者將會發現在某些具體實施例中，該等穿透孔通道452、454不包括該成斜面進入孔。於步驟S2314中，該頂及該底金屬化層與該等通道452、454(包括該成斜面進入孔462)係以銅加以電鍍(厚度較佳地約25微米)，進而提供該等跨接導體456、458(圖10A、10B)。於步驟2316中，該鍍銅頂及該鍍銅底金屬化層係經光阻遮蔽以便於欲形成該等端子446、448、該錨定觸點462、與該選擇性標記450之區域中電鍍沉積該(等)可焊金屬覆蓋電鍍層。該(等)可焊金屬之覆蓋電鍍係施加至該等未經遮蔽之區域，包括該通道之銅電鍍內部表面(即跨接導體456，458)。若該電鍍係先電鍍鎳然後金，則該鎳層可係(例如)約3.4微米，而該金的厚度則約0.1微米。若該電鍍係先鎳然後錫，則該鎳層可係約3.5微米，而該錫層厚度則約2.5微米。若該電鍍僅錫，則該錫層之厚度可係約3.5至6.0微米。於步驟S2318中，從該等鍍銅區域(無出現任何覆蓋電鍍之處)移除該光阻遮罩，然後向下蝕刻該等裸銅區域而穿透該等金屬化層直到該等絕緣層442、444以形成該等端子446、448(圖10B、10C)、該錨定觸點462、與該選擇性標記450(圖10A、10B)。最後，於步驟S2320中，沿該等格柵線26(圖1B)從該層壓結構10分割該等裝置430。

儘管本文中說明本發明之數種示範性具體實施例，然而此等具體實施例並非全部。因此，應瞭解，本文中所揭示與主張之本發明範疇將包含其他具體實施例、變化、與修改，其等同於本說明書中所說明之特殊具體實施例。

本文中所提供之流程圖顯示本發明之方法的示範性具體實施例。於部分替代性具體實施例中，在此等圖式中所顯示之步驟可脫離所呈現順序地出現。例如，於部分情況中，可實質上同時執行接續顯示之二步驟，或有時候可以顛倒之順序執行該等步驟。該等熟悉本技術人士亦將瞭解本發明之範疇僅由下文中所提供之申請專利範圍來定義，且因此部分具體實施例可能不包括所提供圖式中顯示的全部步驟。

10．．．層壓薄板結構

12．．．上層狀金屬層

14．．．下層狀金屬層

16．．．聚合作用材料層

18．．．上絕緣層

20．．．下絕緣層

22．．．底金屬化層

24．．．頂金屬化層

26．．．分割線

28．．．裝置

30．．．傳導聚合物裝置

32．．．單一作用層

34．．．上金屬箔電極

36．．．下箔電極

38．．．上隔離區域

40．．．下隔離區域

42．．．上絕緣層

44．．．下絕緣層

46．．．第一表面裝設端子

48．．．第二表面裝設端子

50．．．識別標記

52．．．第一穿透孔通道

54．．．第二穿透孔通道

56．．．第一組跨接導體

58．．．第二組跨接導體

70．．．多作用層裝置

72a．．．第一作用層

72b．．．第二作用層

74a．．．第一金屬箔電極

74b．．．第二金屬箔電極

74c．．．第三金屬箔電極

74d．．．第四金屬箔電極

76a．．．上隔離區域

76b．．．下隔離區域

78a．．．中間隔離區域

78b．．．中間隔離區域

80．．．中間絕緣層

82．．．頂絕緣層

84．．．底絕緣層

86．．．第一表面裝設端子或端子觸點

88．．．第二表面裝設端子或端子觸點

90．．．識別標記

92．．．第一穿透孔通道

94．．．第二穿透孔通道

96．．．第一組跨接導體

98．．．第二組跨接導體

130．．．傳導聚合物裝置

132．．．單一作用層

134．．．上電極

136．．．下電極

138．．．上隔離區域

139．．．上殘留箔區域

140．．．下隔離區域

141．．．下殘留箔區域

142．．．頂絕緣層

144．．．底絕緣層

146．．．第一表面裝設端子或端子觸點

148．．．第二表面裝設端子或端子觸點

150．．．識別標記

152．．．第一穿透孔通道

154．．．第二穿透孔通道

156．．．第一組跨接導體

158．．．第二組跨接導體

170．．．多作用層裝置

172a．．．第一作用層

172b．．．第二作用層

174a．．．第一金屬箔電極

174b．．．第二金屬箔電極

174c．．．第三金屬箔電極

174d．．．第四金屬箔電極

176a．．．上隔離區域

176b．．．下隔離區域

177a．．．狹窄上殘留箔區域

177b．．．狹窄下殘留箔區域

178a．．．中間隔離區域

178b．．．中間隔離區域

180．．．中間絕緣層

181a．．．狹窄中間殘留箔區域

181b．．．狹窄中間殘留箔區域

182．．．頂絕緣層

184．．．底絕緣層

186．．．第一表面裝設端子

188．．．第二表面裝設端子

190．．．識別標記

192．．．第一穿透孔通道

194．．．第二穿透孔通道

196．．．第一組跨接導體

198．．．第二組跨接導體

230．．．傳導聚合物裝置

232．．．單一作用層

234．．．上金屬箔電極

236．．．下箔電極

238．．．弧形上隔離區域

240．．．弧形下隔離區域

242．．．頂絕緣層

244．．．底絕緣層

246．．．第一表面裝設端子

248．．．第二表面裝設端子

250．．．識別標記

252．．．第一穿透孔通道

254．．．第二穿透孔通道

256．．．第一組跨接導體

258．．．第二組跨接導體

260．．．削角或成斜面第一進入孔

262．．．削角或成斜面第二進入孔

270．．．多作用層裝置

272a．．．第一作用層

272b．．．第二作用層

274a．．．第一金屬箔電極

274b．．．第二金屬箔電極

274c．．．第三金屬箔電極

274d．．．第四金屬箔電極

276a．．．弧形上隔離區域

276b．．．弧形下隔離區域

278a．．．中間弧形隔離區域

278b．．．中間弧形隔離區域

280．．．中間絕緣層

282．．．頂絕緣層

284．．．底絕緣層

286．．．第一表面裝設端子

288．．．第二表面裝設端子

290．．．識別標記

292．．．第一穿透孔通道

294．．．第二穿透孔通道

296．．．第一組跨接導體

298．．．第二組跨接導體

300．．．削角或成斜面第一進入孔

302．．．削角或成斜面第二進入孔

330．．．傳導聚合物裝置

332．．．單一作用層

334．．．上金屬箔電極

336．．．下金屬箔電極

338．．．上隔離區域

340．．．下隔離區域

342．．．頂絕緣層

344．．．底絕緣層

346．．．第一表面裝設端子

348．．．第二表面裝設端子

350．．．識別標記

352．．．第一穿透孔通道

354．．．第二穿透孔通道

356．．．第一組跨接導體

358．．．第二組跨接導體

360．．．第一錨定觸點

362．．．第二錨定觸點

370．．．多作用層裝置

372a．．．第一作用層

372b．．．第二作用層

374a．．．第一金屬箔電極

374b．．．第二金屬箔電極

374c．．．第三金屬箔電極

374d．．．第四金屬箔電極

376a．．．上隔離區域

376b．．．下隔離區域

378a．．．中間隔離區域

378b．．．中間隔離區域

380．．．中間絕緣層

382．．．頂絕緣層

384．．．底絕緣層

386．．．第一表面裝設端子

388．．．第二表面裝設端子

390．．．識別標記

392．．．第一穿透孔通道

394．．．第二穿透孔通道

396．．．第一組跨接導體

398．．．第二組跨接導體

400．．．第一錨定觸點

402．．．第二錨定觸點

430．．．傳導聚合物裝置

432．．．單一作用層

434．．．上金屬箔電極

436．．．下箔電極

438．．．弧形上隔離區域

440．．．弧形下隔離區域

442．．．頂絕緣層

444．．．底絕緣層

446．．．第一表面裝設端子

448．．．第二表面裝設端子

450．．．識別標記

452．．．第一穿透孔通道

454．．．第二穿透孔通道

456．．．第一組跨接導體

458．．．第二組跨接導體

460．．．錨定觸點

462．．．削角或成斜面第二進入孔

470．．．多作用層裝置

472a．．．第一作用層

472b．．．第二作用層

474a．．．第一金屬箔電極

474b．．．第二金屬箔電極

474c．．．第三金屬箔電極

474d．．．第四金屬箔電極

476a．．．弧形上隔離區域

476b．．．弧形下隔離區域

478a．．．中間弧形隔離區域

478b．．．中間弧形隔離區域

480．．．中間絕緣層

482．．．頂絕緣層

484．．．底絕緣層

486．．．第一表面裝設端子

488．．．第二表面裝設端子

490．．．識別標記

492．．．第一穿透孔通道

494．．．第二穿透孔通道

496．．．第一組跨接導體

498．．．第二組跨接導體

500．．．錨定觸點

502．．．削角或成斜面進入孔

530．．．傳導聚合物裝置

532．．．單一作用層

534．．．上金屬箔電極

536．．．下箔電極

538．．．弧形上隔離區域

540．．．弧形下隔離區域

542．．．頂絕緣層

544．．．底絕緣層

546．．．第一表面裝設端子

548．．．第二表面裝設端子

550．．．識別標記

552．．．第一穿透孔通道

554．．．第二穿透孔通道

556．．．第一組跨接導體

558．．．第二組跨接導體

560．．．錨定觸點

562．．．電鍍錨定元件

564．．．曝露錨定表面

570．．．多作用層裝置

572a．．．第一作用層

572b．．．第二作用層

574a．．．第一金屬箔電極

574b．．．第二金屬箔電極

574c．．．第三金屬箔電極

574d．．．第四金屬箔電極

576a．．．弧形上隔離區域

576b．．．弧形下隔離區域

578a．．．中間弧形隔離區域

578b．．．中間弧形隔離區域

580．．．中間絕緣層

582．．．頂絕緣層

584．．．底絕緣層

586．．．第一表面裝設端子

588．．．第二表面裝設端子

590．．．識別標記

592．．．第一穿透孔通道

594．．．第二穿透孔通道

596．．．第一組跨接導體

598．．．第二組跨接導體

600．．．錨定觸點

602．．．電鍍錨定元件

604．．．曝露錨定表面

630．．．傳導聚合物裝置

632．．．單一作用層

634．．．上金屬箔電極

636．．．下箔電極

638．．．上隔離區域

640．．．下隔離區域

642．．．頂絕緣層

644．．．底絕緣層

646．．．第一表面裝設端子

648．．．第二表面裝設端子

650．．．識別標記

652．．．第一穿透孔通道

654．．．第二穿透孔通道

656．．．第一組跨接導體

658．．．第二組跨接導體

660．．．錨定觸點

670．．．多作用層裝置

672a．．．第一作用層

672b．．．第二作用層

674a．．．第一金屬箔電極

674b．．．第二金屬箔電極

674c．．．第三金屬箔電極

674d．．．第四金屬箔電極

676a．．．上隔離區域

676b．．．下隔離區域

678a．．．中間隔離區域

678b．．．中間隔離區域

680．．．中間絕緣層

682．．．頂絕緣層

684．．．底絕緣層

686．．．第一表面裝設端子

688．．．第二表面裝設端子

690．．．識別標記

692．．．第一穿透孔通道

694．．．第二穿透孔通道

696．．．第一組跨接導體

698．．．第二組跨接導體

700．．．錨定觸點

730．．．傳導聚合物裝置

732．．．單一作用層

734．．．上金屬箔電極

736．．．下箔電極

738．．．上隔離區域

740．．．下隔離區域

742．．．頂絕緣層

744．．．底絕緣層

746．．．第一表面裝設端子

748．．．第二表面裝設端子

750．．．識別標記

752．．．第一穿透孔通道

754．．．第二穿透孔通道

756．．．第一組跨接導體

758．．．第二組跨接導體

762．．．錨定觸點

770．．．多作用層裝置

772a．．．第一作用層

772b．．．第二作用層

774a．．．第一金屬箔電極

774b．．．第二金屬箔電極

774c．．．第三金屬箔電極

774d．．．第四金屬箔電極

776a．．．上隔離區域

776b．．．下隔離區域

778a．．．中間隔離區域

778b．．．中間隔離區域

780．．．中間絕緣層

782．．．頂絕緣層

784．．．底絕緣層

786．．．第一表面裝設端子

788．．．第二表面裝設端子

790．．．識別標記

792．．．第一穿透孔通道

794．．．第二穿透孔通道

796．．．第一組跨接導體

798．．．第二組跨接導體

802．．．錨定觸點

830．．．傳導聚合物裝置

832．．．單一作用層

834．．．上金屬箔電極

836．．．下箔電極

838．．．弧形上隔離區域

840．．．弧形下隔離區域

842．．．頂絕緣層

844．．．底絕緣層

846．．．第一表面裝設端子

848．．．第二表面裝設端子

850．．．識別標記

852．．．第一穿透孔通道

854．．．第二穿透孔通道

856．．．第一組跨接導體

858．．．第二組跨接導體

860．．．削角或成斜面進入孔

862．．．錨定觸點

870．．．多作用層裝置

872a．．．第一作用層

872b．．．第二作用層

874a．．．第一金屬箔電極

874b．．．第二金屬箔電極

874c．．．第三金屬箔電極

874d．．．第四金屬箔電極

876a．．．弧形上隔離區域

876b．．．弧形下隔離區域

878a．．．中間弧形隔離區域

878b．．．中間弧形隔離區域

880．．．中間絕緣層

882．．．頂絕緣層

884．．．底絕緣層

886．．．第一表面裝設端子

888．．．第二表面裝設端子

890．．．識別標記

892．．．第一穿透孔通道

894．．．第二穿透孔通道

896．．．第一組跨接導體

898．．．第二組跨接導體

900．．．削角或成斜面進入孔

902．．．錨定觸點

970．．．多作用層裝置

972a．．．第一作用層

972b．．．第二作用層

974a．．．第一金屬箔電極

974b．．．第二金屬箔電極

974c．．．第三金屬箔電極

974d．．．第四金屬箔電極

976a．．．上隔離區域

976b．．．下隔離區域

978a．．．中間弧形隔離區域

978b．．．中間弧形隔離區域

980．．．中間絕緣層

982．．．頂絕緣層

984．．．底絕緣層

986．．．第一表面裝設端子

988．．．第二表面裝設端子

990．．．識別標記

992．．．第一穿透孔通道

994．．．第二穿透孔通道

996．．．第一組跨接導體

998．．．第二組跨接導體

1000．．．錨定觸點

1002．．．削角或成斜面進入孔

1070．．．該多作用層裝置

1072a．．．第一作用層

1072b．．．第二作用層

1072c．．．第三作用層

1074a．．．第一金屬箔電極

1074b．．．第二金屬箔電極

1074c．．．第三金屬箔電極

1074d．．．第四金屬箔電極

1074e．．．第五金屬箔電極

1074f．．．第六金屬箔電極

1076a．．．弧形上隔離區域

1076b．．．弧形下隔離區域

1078a．．．中間弧形隔離區域

1078b．．．中間弧形隔離區域

1078c．．．中間弧形隔離區域

1078d．．．中間弧形隔離區域

1080a．．．中間絕緣層

1080b．．．中間絕緣層

1082．．．頂絕緣層

1084．．．底絕緣層

1086．．．第一表面裝設端子

1088．．．第二表面裝設端子

1090．．．識別標記

1092．．．第一穿透孔通道

1094．．．第二穿透孔通道

1096．．．第一組跨接導體

1098．．．第二組跨接導體

1100．．．錨定觸點

1102．．．削角或成斜面進入孔

圖1A係包含層壓於上與下層狀金屬層間之一傳導聚合物材料層之一層壓結構或薄板的一透視圖；圖1B係顯示分割線之一格柵之圖1A之層壓結構的一透視圖；圖2A、2B、與2C分別係根據本發明之一第一具體實施例之一單一作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖2D係沿圖2B之線2D－2D截取的一斷面圖；圖2E是沿圖2B之線2E－2E截取的一斷面圖；圖3A、3B、與3C分別係根據本發明之該第一具體實施例之一雙作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖4A、4B、與4C分別係根據本發明之一第二具體實施例之一單一作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖5A、5B、與5C分別係根據本發明之該第二具體實施例之一雙作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖6A、6B、與6C分別係根據本發明之一第三具體實施例之一單一作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖7A、7B、與7C分別係根據本發明之該第三具體實施例之一雙作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖8A、8B、與8C分別係根據本發明之一第四具體實施例之一單一作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖9A、9B、與9C分別係根據本發明之該第四具體實施例之一雙作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖10A、10B、與10C分別係根據本發明之一第五具體實施例之一單一作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖11A、11B、與11C分別係根據本發明之該第五具體實施例之一雙作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖12A、12B、與12C分別係根據本發明之一第六具體實施例之一單一作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖13A、13B、與13C分別係根據本發明之該第六具體實施例之一雙作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖14A、14B、與14C分別係根據本發明之一第七具體實施例之一單一作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖15A、15B、與15C分別係根據本發明之該第七具體實施例之一雙作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖16A、16B、與16C分別係根據本發明之一第八具體實施例之一單一作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖17A、17B、與17C分別係根據本發明之該第八具體實施例之一雙作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖18A、18B、與18C分別係根據本發明之一第九具體實施例之一單一作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖19A、19B、與19C分別係根據本發明之該第九具體實施例之一雙作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖20A、20B、與20C分別係根據本發明之一第十具體實施例之一雙作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖21A、21B、與21C分別係根據本發明之該第十具體實施例之一三重作用層傳導聚合物裝置的一俯視平面圖、一斷面圖、與一仰視平面圖；圖22係顯示製造根據本發明之傳導聚合物裝置之一第一較佳方法的一流程圖；以及圖23係顯示製造根據本發明之傳導聚合物裝置之一第二較佳方法的一流程圖。

232．．．單一作用層

234．．．上金屬箔電極

236．．．下箔電極

238．．．弧形上隔離區域

240．．．弧形下隔離區域

242．．．頂絕緣層

244．．．底絕緣層

246．．．第一表面裝設端子

248．．．第二表面裝設端子

250．．．識別標記

252．．．第一穿透孔通道

254．．．第二穿透孔通道

256．．．第一組跨接導體

258．．．第二組跨接導體

260．．．削角或成斜面第一進入孔

262．．．削角或成斜面第二進入孔

Claims (18)

1. 一種表面可裝設之電子裝置(230)，其包含：一傳導聚合物作用層(232)，其介於一第一電極(234)及一第二電極(236)之間；一位於該第一電極上之第一絕緣層(242)及一位於該第二電極上之第二絕緣層(244)；位在該第二絕緣層(244)上之第一及第二平面傳導端子(246,248)，該第一絕緣層(242)不鄰接其表面上之任何端子；一第一跨接導體(256)，其連接該第二電極(236)及該第一端子(246)，且該第一絕緣層(238)之一部分分離該第一電極(234)及該第一跨接導體，該第一跨接導體除了連接至該第一端子外並未連接至其他端子；及一第二跨接導體(258)，其連接該第一電極(234)及該第二端子(248)，且該第二絕緣層(240)之一部分分離該第二電極(236)及該第二跨接導體，該第二跨接導體除了連接至該第二端子外並未連接至其他端子，其中該第一及第二跨接導體之一者或兩者包括延伸穿過該第一絕緣層(242)的一金屬化成斜面或削角之進入孔(260,262)。
2. 一種表面可裝設之電子裝置(430)，其包含：一傳導聚合物作用層(432)，其介於一第一電極(434)及一第二電極(436)之間；一位於該第一電極(434)上之第一絕緣層(442)及一位於該第二電極(436)上之第二絕緣層(444)； 位在該第二絕緣層(444)上之第一及第二平面傳導端子(446,448)，該第一絕緣層(442)不鄰接其表面上之任何端子；一第一跨接導體(456)，其連接該第二電極(436)及該第一端子(446)，且該第一絕緣層(442)之一部分(438)分離該第一電極及該第一跨接導體，該第一跨接導體除了連接至該第一端子外並未連接至其他端子；及一第二跨接導體(458)，其連接該第一電極(434)及該第二端子(448)，且該第二絕緣層(444)之一部分(440)分離該第二電極(436)及該第二跨接導體，該第二跨接導體除了連接至該第二端子外並未連接至其他端子；其中該第一跨接導體(456)與在該第一絕緣層上之一金屬化錨定觸點(460)實體上接觸，且該第二跨接導體(458)包括延伸穿過該第一絕緣層(442)的一金屬化成斜面或削角之進入孔(462)。
3. 一種表面可裝設之電子裝置(330)，其包含：一傳導聚合物作用層(332)，其介於一第一電極(334)及一第二電極(336)之間；一位於該第一電極(334)上之第一絕緣層(342)及一位於該第二電極(336)上之第二絕緣層(344)；位在該第二絕緣層(344)上之第一及第二平面傳導端子(346,348)，該第一絕緣層(342)不鄰接其表面上之任何端子；一第一跨接導體(356)，其連接該第二電極(336)及該 第一端子(346)，且該第一絕緣層(342)之一部分(338)分離該第一電極(334)及該第一跨接導體，該第一跨接導體除了連接至該第一端子外並未連接至其他端子；及一第二跨接導體(358)，其連接該第一電極(334)及該第二端子(348)，且該第二絕緣層(344)之一部分(340)分離該第二電極(336)及該第二跨接導體，該第二跨接導體除了連接至該第二端子外並未連接至其他端子；其中該第一跨接導體(356)與在該第一絕緣層(342)上之一第一金屬化錨定觸點(360)實體上接觸，且該第二跨接導體(358)與在該第一絕緣層(342)上之一第二金屬化錨定觸點(362)實體上接觸。
4. 一種表面可裝設之電子裝置(130)，其包含：一傳導聚合物作用層(132)，其介於一第一電極(134)及一第二電極(136)之間；一位於該第一電極上之第一絕緣層(142)及一位於該第二電極上之第二絕緣層(144)；位在該第二絕緣層(144)上之第一及第二平面傳導端子(146,148)，該第一絕緣層(142)不鄰接其表面上之任何端子；一第一跨接導體(156)，其連接該第二電極(136)及該第一端子(146)，且該第一絕緣層(142)之一部分(138)分離該第一電極(134)及該第一跨接導體，該第一跨接導體除了連接至該第一端子外並未連接至其他端子；及一第二跨接導體(158)，其連接該第一電極(134)及該 第二端子(148)，且該第二絕緣層(144)之一部分(140)分離該第二電極(136)及該第二跨接導體，該第二跨接導體除了連接至該第二端子外並未連接至其他端子；其中分離該第一電極及該第一跨接導體之該第一絕緣層之該部分(138)包含一第一隔離區域，且分離該第二電極及該第二跨接導體之該第二絕緣層之該部分(140)包含一第二隔離區域；且其中該第一隔離區域係與該第一跨接導體分離且同心地圍繞該第一跨接導體延伸之弧形區域，且該第二隔離區域係與該第二跨接導體分離且同心地圍繞該第二跨接導體延伸之弧形區域。
5. 一種表面可裝設之電子裝置(270)，其包含：一第一傳導聚合物作用層(272a)，其介於一第一電極(274a)及一第二電極(274b)之間；一第二傳導聚合物作用層(272b)，其介於一第三電極(274c)及一第四電極(274d)之間；一第一絕緣層(280)，其鄰接該第二及第三電極(274b,274c)之每一者之一表面；一位於該第一電極(274a)上之第二絕緣層(282)及一位於該第四電極(274d)上之第三絕緣層(284)；位於該第三絕緣層(284)上之第一及第二平面傳導端子(286,288)，該第二絕緣層(282)不鄰接其表面上之任何端子；一第一跨接導體(296)，其連接該第二電極(274b)、該 第三電極(274c)、及該第一端子(286)，且該第二絕緣層(282)之一部分(276a)分離該第一電極及該第一跨接導體且該第三絕緣層(284)之一部分(276b)分離該第四電極及該第一跨接導體，該第一跨接導體(296)除了連接至該第一端子(286)外並未連接至其他端子；及一第二跨接導體(298)，其連接該第一電極(274a)、該第四電極(274d)、及該第二端子(288)，且該第一絕緣層(280)之部分(278a,278b)分離該第二及第三電極及該第二跨接導體，該第二跨接導體(298)除了連接至該第二端子(288)外並未連接至其他端子，其中該第一及第二跨接導體(296,298)之一者或兩者包括延伸穿過該第二絕緣層(282)的一金屬化成斜面或削角之進入孔(300,302)。
6. 一種表面可裝設之電子裝置(470)，其包含：一第一傳導聚合物作用層(472a)，其介於一第一電極(474a)及一第二電極(474b)之間；一第二傳導聚合物作用層(472b)，其介於一第三電極(474c)及一第四電極(474d)之間；一第一絕緣層(480)，其鄰接該第二及第三電極(474b,474c)之每一者之一表面；一位於該第一電極(474a)上之第二絕緣層(482)及一位於該第四電極(474d)上之第三絕緣層(484)；位於該第三絕緣層(484)上之第一及第二平面傳導端子(486,488)，該第二絕緣層(482)不鄰接其表面上之任何端子； 一第一跨接導體(496)，其連接該第二電極(474b)、該第三電極(474c)、及該第一端子(486)，且該第二絕緣層(482)之一部分(476a)分離該第一電極及該第一跨接導體且該第三絕緣層(484)之一部分(476b)分離該第四電極及該第一跨接導體，該第一跨接導體(496)除了連接至該第一端子(486)外並未連接至其他端子；及一第二跨接導體(498)，其連接該第一電極(474a)、該第四電極(474d)、及該第二端子(488)，且該第一絕緣層(480)之部分(478a,478b)分離該第二及第三電極及該第二跨接導體，該第二跨接導體(498)除了連接至該第二端子(488)外並未連接至其他端子；其中該第一跨接導體(496)與在該第二絕緣層(482)上之一金屬化錨定觸點(500)實體上接觸，且該第二跨接導體(498)包括延伸穿過該第二絕緣層(482)的一金屬化成斜面或削角之進入孔(502)。
7. 一種表面可裝設之電子裝置(970)，其包含：一第一傳導聚合物作用層(972a)，其介於一第一電極(974a)及一第二電極(974b)之間；一第二傳導聚合物作用層(972b)，其介於一第三電極(974c)及一第四電極(974d)之間；一第一絕緣層(980)，其鄰接該第二及第三電極(974b,974c)之每一者之一表面；一位於該第一電極(974a)上之第二絕緣層(982)及一位於該第四電極(974d)上之第三絕緣層(984)； 位於該第三絕緣層(984)上之第一及第二平面傳導端子(986,988)，該第二絕緣層(982)不鄰接其表面上之任何端子；一連接該第二及第四電極(974b,974d)及該第一端子(986)之第一跨接導體(996)，其中該第二絕緣層(982)之一部分(976a)分離該第一跨接導體及該第一電極(974a)，其中該第一絕緣層(980)之一部分(978b)分離該第一跨接導體及該第三電極(974c)，其中該第一跨接導體(996)除了連接至該第一端子(986)外並未連接至其他端子；及一連接該第一及第三電極(974a,974c)及該第二端子(988)之第二跨接導體(998)，其中該第一絕緣層(980)之一部分(978a)分離該第二跨接導體及該第二電極(974b)，其中該第三絕緣層(984)之一部分(976b)分離該第二跨接導體及該第四電極(974d)，及其中該第二跨接導體(998)除了連接至該第二端子(988)外並未連接至其他端子；其中該第一跨接導體(996)與在該第二絕緣層(982)上之一金屬化錨定觸點(1000)實體上接觸，且該第二跨接導體(998)包括延伸穿過該第二絕緣層(982)的一金屬化成斜面或削角之進入孔(1002)。
8. 一種表面可裝設之電子裝置(370)，其包含：一第一傳導聚合物作用層(372a)，其介於一第一電極(374a)及一第二電極(374b)之間；一第二傳導聚合物作用層(372b)，其介於一第三電極(374c)及一第四電極(374d)之間； 一第一絕緣層(380)，其鄰接該第二及第三電極(374b,374c)之每一者之一表面；一位於該第一電極(374a)上之第二絕緣層(382)及一位於該第四電極(374d)上之第三絕緣層(384)；位於該第三絕緣層(384)上之第一及第二平面傳導端子(386,388)，該第二絕緣層(382)不鄰接其表面上之任何端子；一第一跨接導體(396)，其連接該第二電極(374b)、該第三電極(374c)、及該第一端子(386)，且該第二絕緣層(382)之一部分(376a)分離該第一電極及該第一跨接導體且該第三絕緣層(384)之一部分(376b)分離該第四電極及該第一跨接導體，該第一跨接導體(396)除了連接至該第一端子(386)外並未連接至其他端子；及一第二跨接導體(398)，其連接該第一電極(374a)、該第四電極(374d)、及該第二端子(388)，且該第一絕緣層(380)之部分(378a,378b)分離該第二及第三電極及該第二跨接導體，該第二跨接導體(398)除了連接至該第二端子(388)外並未連接至其他端子；其中該第一跨接導體(396)與在該第二絕緣層(382)上之一金屬化錨定觸點(400)實體上接觸，且該第二跨接導體(398)與在該第二絕緣層(382)上之一金屬化錨定觸點(402)實體上接觸。
9. 一種表面可裝設之電子裝置(170)，其包含：一第一傳導聚合物作用層(172a)，其介於一第一電極 (174a)及一第二電極(174b)之間；一第二傳導聚合物作用層(172b)，其介於一第三電極(174c)及一第四電極(174d)之間；一第一絕緣層(180)，其鄰接該第二及第三電極(174b,174c)之每一者之一表面；一位於該第一電極(174a)上之第二絕緣層(182)及一位於該第四電極(174d)上之第三絕緣層(184)；形成於該第三絕緣層(184)上之第一及第二平面傳導端子(186,188)，該第二絕緣層(182)不鄰接其表面上之任何端子；一第一跨接導體(196)，其連接該第二電極(174b)、該第三電極(174c)、及該第一端子(186)，且該第二絕緣層(182)之一部分(176a)分離該第一電極及該第一跨接導體且該第三絕緣層(184)之一部分(176b)分離該第四電極及該第一跨接導體，該第一跨接導體(196)除了連接至該第一端子(186)外並未連接至其他端子；及一第二跨接導體(198)，其連接該第一電極(174a)、該第四電極(174d)、及該第二端子(188)，且該第一絕緣層(180)之部分(178a,178b)分離該第二及第三電極及該第二跨接導體，該第二跨接導體(198)除了連接至該第二端子(188)外並未連接至其他端子；其中分離該第一電極及該第一跨接導體之該第二絕緣層之該部分(176a)包含一第一隔離區域，分離該第四電極及該第一跨接導體之該第三絕緣層之該部分(176b)包 含一第三隔離區域，且分離該第二及第三電極及該第二跨接導體之該第一絕緣層之該等部分(178a,178b)包含一第二隔離區域；且其中該第一及第三隔離區域係與該第一跨接導體分離且同心地圍繞該第一跨接導體延伸之弧形區域，且該第二隔離區域係與該第二跨接導體分離且同心地圍繞該第二跨接導體延伸之弧形區域。
10. 一種表面可裝設之電子裝置(1070)，其包含：一第一傳導聚合物作用層(1072a)，其介於一第一電極(1074a)及一第二電極(1074b)之間；一第二傳導聚合物作用層(1072b)，其介於一第三電極(1074c)及一第四電極(1074d)之間；一第三傳導聚合物作用層(1072c)，其介於一第五電極(1074e)及一第六電極(1074f)之間；一第一絕緣層(1080a)，其鄰接該第二及第三電極(1074b,1074c)每一者之一表面；一第二絕緣層(1080b)，其鄰接該第四及第五電極(1074d,1074e)每一者之一表面；位於該第一電極(1074a)上之一第三絕緣層(1082)及位於該第六電極(1074f)上之一第四絕緣層(1084)；在該第四絕緣層(1084)上之第一及第二平面傳導端子(1086,1088)，該第三絕緣層(1082)不鄰接其表面上之任何端子；一第一跨接導體(1096)，其連接該第二電極(1074b)、 該第三電極(1074c)、該第六電極(1074f)、及該第一端子(1086)，且該第三絕緣層(1082)之一部分(1076a)分離該第一電極(1074a)及該第一跨接導體且該第二絕緣層(1080b)之部分(1078c,1078d)分離該第四電極(1074d)及該第五電極(1074e)及該第一跨接導體，該第一跨接導體(1096)除了連接至該第一端子(1086)外並未連接至其他端子；及一第二跨接導體(1098)，其連接該第一電極(1074a)、該第四電極(1074d)、該第五電極(1074e)、及該第二端子(1088)，且該第一絕緣層(1080a)之部分(1078a,1078b)分離該第二電極(1074b)及第三電極(1074c)及該第二跨接導體，且該第四絕緣層(1084)之一部分(1076b)分離該第六電極(1074f)及該第二跨接導體，該第二跨接導體(1098)除了連接至該第二端子(1085)外並未連接至其他端子；其中該第一跨接導體(1096)與在該第三絕緣層(1082)上之一金屬化錨定觸點(1100)實體上接觸，且該第二跨接導體(1098)包括延伸穿過該第三絕緣層(1082)的一金屬化成斜面或削角之進入孔(1102)。
11. 一種製造一表面可裝設電子裝置(230)之方法，其包含：於第一與第二金屬箔層之間層壓一傳導聚合物基板(232)；移除該第一箔層之一部分以形成一第一電極(234)及移除該第二箔層之一部分以形成一第二電極(236)；分別於該第一及第二電極(234,236)上施加一第一絕緣 層(242)及第二絕緣層(244)；於該第一絕緣層(242)上施加一第一金屬化層；於該第二絕緣層(244)上施加一第二金屬化層；形成並電鍍穿透孔通道(252,254)之一陣列，以便能形成將該第二電極(236)連接至該第一及第二金屬化層的一第一跨接導體(256)及將該第一電極(234)連接至該第一及第二金屬化層的一第二跨接導體(258)，該第一及第二跨接導體之至少一者界定延伸穿過該第一絕緣層(242)的一金屬化成斜面或削角之進入孔(260,262)；移除該第二金屬化層之部分以形成一連接至該第一跨接導體(256)之第一表面裝設端子(246)及一連接至該第二跨接導體(258)之第二表面裝設端子(248)，該等端子之每一者連接至該第一及第二電極之一者且該等絕緣層之一者之一部分隔離該等端子之每一者及該第一及第二電極之另一者；及移除該第一金屬化層相鄰於該第一及第二進入孔(260,262)之每一者之至少一部分。
12. 一種製造一表面可裝設電子裝置(430)之方法，其包含：於第一與第二金屬箔層之間層壓一傳導聚合物基板(432)；移除該第一箔層之一部分以形成一第一電極(434)及移除該第二箔層之一部分以形成一第二電極(436)；分別於該第一及第二電極(434,436)上施加一第一絕緣層(442)及第二絕緣層(444)； 於該第一絕緣層(442)上施加一第一金屬化層；於該第二絕緣層(444)上施加一第二金屬化層；形成並電鍍穿透孔通道(452,454)之一陣列，以便能形成將該第二電極(436)連接至該第一及第二金屬化層的一第一跨接導體(456)及將該第一電極(434)連接至該第一及第二金屬化層的一第二跨接導體(458)，該第二跨接導體界定一金屬化成斜面或削角延伸穿過該第一絕緣層(442)之進入孔(462)；移除該第二金屬化層之部分以形成一連接至該第一跨接導體(456)之第一表面裝設端子(446)及一連接至該第二跨接導體(458)之第二表面裝設端子(448)，該等端子之每一者連接至該第一及第二電極之一者且該等絕緣層之一者之一部分隔離該等端子之每一者及該第一及第二電極之另一者；及移除該第一金屬化層之至少一部份以便在該第一絕緣層(442)上留下一金屬化錨定觸點(460)，該金屬化錨定觸點實體上與該第一跨接導體(456)接觸。
13. 一種製造一表面可裝設電子裝置(330)之方法，其包含：於第一與第二金屬箔層之間層壓一傳導聚合物基板(332)；移除該第一箔層之一部分以形成一第一電極(334)及移除該第二箔層之一部分以形成一第二電極(336)；分別於該第一及第二電極(334,336)上施加一第一絕緣層(342)及第二絕緣層(344)； 於該第一絕緣層(342)上施加一第一金屬化層；於該第二絕緣層(344)上施加一第二金屬化層；形成並電鍍穿透孔通道(352,354)之一陣列，以便能形成將該第二電極(336)連接至該第一及第二金屬化層的一第一跨接導體(356)及將該第一電極(334)連接至該第一及第二金屬化層的一第二跨接導體(358)；移除該第二金屬化層之部分以形成一連接至該第一跨接導體(356)之第一表面裝設端子(346)及一連接至該第二跨接導體(358)之第二表面裝設端子(348)，該等端子之每一者連接至該第一及第二電極之一者且該等絕緣層之一者之一部分隔離該等端子之每一者及該第一及第二電極之另一者；及移除該第一金屬化層之至少一部份以便在該第一絕緣層(342)上留下一第一金屬化錨定觸點(360)，該第一金屬化錨定觸點實體上與該第一跨接導體(356)接觸，及在該第一絕緣層(342)上留下一第二金屬化錨定觸點(362)，該第二金屬化錨定觸點實體上與該第二跨接導體(358)接觸。
14. 一種製造一表面可裝設電子裝置(270)之方法，其包含：於第一與第二金屬箔層之間層壓一第一傳導聚合物基板(272a)；移除該第一箔層之一部分以形成一第一電極(274a)及移除該第二金屬箔層之一部分以形成一第二電極(274b)，從而形成一第一傳導聚合物作用層壓薄板結 構；於第三與第四金屬箔層之間層壓一第二傳導聚合物基板(272b)；移除該第三金屬箔層之一部分以形成一第三電極(274c)及移除該第四金屬箔層之一部分以形成一第四電極(274d)，從而形成一第二傳導聚合物作用層壓薄板結構；層壓該第一及第二層壓薄板結構及一第一絕緣層(280)以形成一多作用層層壓結構；在該第一及第四電極(274a,274d)上分別施加一第二絕緣層(282)及一第三絕緣層(284)；於該第二絕緣層(282)上施加一第一金屬化層；於該第三絕緣層(284)上施加一第二金屬化層；形成並電鍍穿透孔通道(292,294)之一陣列，以便能形成將該第二及第三電極(274b,274c)連接至該第一及第二金屬化層的一第一跨接導體(296)及將該第一及第四電極(274a,274d)連接至該第一及第二金屬化層的一第二跨接導體(298)，該第一及第二跨接導體之至少一者界定一延伸穿過該第二絕緣層(282)之金屬化成斜面或削角之進入孔(300,302)；移除該第二金屬化層之部分以形成一連接至該第一跨接導體(296)之第一表面裝設端子(286)及一連接至該第二跨接導體(298)之第二表面裝設端子(288)，該等端子之每一者連接至該等電極之兩者且該等絕緣層部分隔離 該等端子之每一者及另兩個電極；及移除該第一金屬化層相鄰於該等進入孔(300,302)之每一者之至少一部分。
15. 一種製造一表面可裝設電子裝置(470)之方法，其包含：於第一與第二金屬箔層之間層壓一第一傳導聚合物基板(472a)；移除該第一箔層之一部分以形成一第一電極(474a)及移除該第二金屬箔層之一部分以形成一第二電極(474b)，從而形成一第一傳導聚合物作用層壓薄板結構；於第三與第四金屬箔層之間層壓一第二傳導聚合物基板(472b)；移除該第三金屬箔層之一部分以形成一第三電極(474c)及移除該第四金屬箔層之一部分以形成一第四電極(474d)，從而形成一第二傳導聚合物作用層壓薄板結構；層壓該第一及第二層壓薄板結構及一第一絕緣層(480)以形成一多作用層層壓結構；分別於該第一及第四電極(474a,474d)上施加一第二絕緣層(482)及第三絕緣層(484)；於該第二絕緣層(482)上施加一第一金屬化層；於該第三絕緣層(484)上施加一第二金屬化層；形成並電鍍穿透孔通道(492,494)之一陣列，以便能形成將該第二及第三電極(474b,474c)連接至該第一及第二 金屬化層的一第一跨接導體(496)，及將該第一及第四電極(474a,474d)連接至該第一及第二金屬化層的一第二跨接導體(498)，該第二跨接導體(498)界定一延伸穿過該第二絕緣層(482)之金屬化成斜面或削角之進入孔(502)；移除該第二金屬化層之部分以形成一連接至該第一跨接導體(496)之第一表面裝設端子(486)及一連接至該第二跨接導體(498)之第二表面裝設端子(488)，該等端子之每一者連接至該等電極之兩者且該等絕緣層部分隔離該等端子之每一者及另兩個電極；及移除該第一金屬化層之至少一部份以便在該第二絕緣層(482)上留下一金屬化錨定觸點(500)，該金屬化錨定觸點實體上與該第一跨接導體(496)接觸。
16. 一種製造一表面可裝設電子裝置(970)之方法，其包含：於第一與第二金屬箔層之間層壓一第一傳導聚合物基板(972a)；移除該第一箔層之一部分以形成一第一電極(974a)及移除該第二金屬箔層之一部分以形成一第二電極(974b)，從而形成一第一傳導聚合物作用層壓薄板結構；於第三與第四金屬箔層之間層壓一第二傳導聚合物基板(972b)；移除該第三金屬箔層之一部分以形成一第三電極(974c)及移除該第四金屬箔層之一部分以形成一第四電 極(974d)，從而形成一第二傳導聚合物作用層壓薄板結構；層壓該第一及第二層壓薄板結構及一第一絕緣層(980)以形成一多作用層層壓結構；分別於該第一及第四電極(974a,974d)上施加一第二絕緣層(982)及第三絕緣層(984)；於該第二絕緣層(982)上施加一第一金屬化層；於該第三絕緣層(984)上施加一第二金屬化層；形成並電鍍穿透孔通道(992,994)之一陣列，以便能形成將該第二及第四電極(974b,974d)連接至該第一及第二金屬化層的一第一跨接導體(996)，及將該第一及第三電極(974a,974c)連接至該第一及第二金屬化層的一第二跨接導體(998)，該第二跨接導體界定一延伸穿過該第二絕緣層(982)之金屬化成斜面或削角之進入孔(1002)；移除該第二金屬化層之部分以形成一連接至該第一跨接導體(996)之第一表面裝設端子(986)及一連接至該第二跨接導體(998)之第二表面裝設端子(988)，該等端子之每一者連接至該等電極之兩者且該等絕緣層部分隔離該等端子之每一者及另兩個電極；移除該第一金屬化層之至少一部份以便在該第二絕緣層(982)上留下一金屬化錨定觸點(1000)，該金屬化錨定觸點實體上與該第一跨接導體(996)接觸。
17. 一種製造一表面可裝設電子裝置(370)之方法，其包含：於第一與第二金屬箔層之間層壓一第一傳導聚合物基 板(372a)；移除該第一箔層之一部分以形成一第一電極(374a)及移除該第二金屬箔層之一部分以形成一第二電極(374b)，從而形成一第一傳導聚合物作用層壓薄板結構；於第三與第四金屬箔層之間層壓一第二傳導聚合物基板(372b)；移除該第三金屬箔層之一部分以形成一第三電極(374c)及移除該第四金屬箔層之一部分以形成一第四電極(374d)，從而形成一第二傳導聚合物作用層壓薄板結構；層壓該第一及第二層壓薄板結構及一第一絕緣層(380)以形成一多作用層層壓結構；分別於該第一及第四電極(374a,374d)上施加一第二絕緣層(382)及第三絕緣層(384)；於該第二絕緣層(382)上施加一第一金屬化層；於該第三絕緣層(384)上施加一第二金屬化層；形成並電鍍穿透孔通道(392,394)之一陣列，以便能形成將該第二及第三電極(374b,374c)連接至該第一及第二金屬化層的一第一跨接導體(396)，及將該第一及第四電極(374a,374d)連接至該第一及第二金屬化層的一第二跨接導體(398)；移除該第二金屬化層之部分以形成一連接至該第一跨接導體(396)之第一表面裝設端子(386)及一連接至該第 二跨接導體(398)之第二表面裝設端子(388)，該等端子之每一者連接至該等電極之兩者且該等絕緣層部分隔離該等端子之每一者及另兩個電極；及移除該第一金屬化層之至少一部份以便在該第二絕緣層(382)上留下一第一金屬化錨定觸點(400)，該第一金屬化錨定觸點實體上與該第一跨接導體(396)接觸，及在該第二絕緣層(382)上留下一第二金屬化錨定觸點(402)，該第二金屬化錨定觸點實體上與該第二跨接導體(398)接觸。
18. 一種製造一表面可裝設電子裝置(1070)之方法，其包含：於第一與第二金屬箔層之間層壓一第一傳導聚合物基板(1072a)；移除該第一箔層之一部分以形成一第一電極(1074a)及移除該第二金屬箔層之一部分以形成一第二電極(1074b)，從而形成一第一傳導聚合物作用層壓薄板結構；於第三與第四金屬箔層之間層壓一第二傳導聚合物基板(1072b)；移除該第三金屬箔層之一部分以形成一第三電極(1074c)及移除該第四金屬箔層之一部分以形成一第四電極(1074d)，從而形成一第二傳導聚合物作用層壓薄板結構；於第五與第六金屬箔層之間層壓一第三傳導聚合物基 板(1072c)；移除該第五金屬箔層之一部分以形成一第五電極(1074e)及移除該第六金屬箔層之一部分以形成一第六電極(1074f)，從而形成一第三傳導聚合物作用層壓薄板結構；層壓該第一及第二層壓薄板結構及一第一絕緣層(1080a)，及層壓該第二及第三層壓薄板結構及一第二絕緣層(1080b)以形成一多作用層層壓結構；分別於該第一及第六電極(1074a,1074f)上施加一第三絕緣層(1082)及第四絕緣層(1084)；於該第三絕緣層(1082)上施加一第一金屬化層；於該第四絕緣層(1084)上施加一第二金屬化層；形成並電鍍穿透孔通道(1092,1094)之一陣列，以便能形成將該第二、第三及第六電極(1074b,1074c,1074f)連接至該第一及第二金屬化層的一第一跨接導體(1096)，及將該第一、第四及第五電極(1074a,1074d,1074e)連接至該第一及第二金屬化層的一第二跨接導體(1098)，該第二跨接導體界定一延伸穿過該第三絕緣層(1082)之金屬化成斜面或削角之進入孔(1102)；移除該第二金屬化層之部分以形成一連接至該第一跨接導體(1096)之第一表面裝設端子(1086)及一連接至該第二跨接導體(1098)之第二表面裝設端子(1088)，該等端子之每一者連接至該等電極之其中三者且該第一、第二、第三、及第四絕緣層之部分隔離該等端子之每一者 及該等電極之另外三者；及移除該第一金屬化層之至少一部份以便在該第三絕緣層(1082)上留下一金屬化錨定觸點(1100)，該金屬化錨定觸點實體上與該第一跨接導體(1096)接觸。