JP2004311604A - 多層基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スルーホールを形成し、張り合わせる面のみエッチングした基板を張り合わせ、全層スルーホールを形成する。次に上下の最表面をエッチングでパターン化するが、一番下側の導体層は、電極の部分を残してすべてエッチングすることにより、絶縁シートや絶縁材料を不要とする。
【選択図】図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁シートをしかなくとも電気的に接続できる基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来基板の上に基板を搭載する場合は、ターミナルなどを使って基板を接続する方法が一般的である。しかし、装置全体が大型化するといった問題点があった。そこで,発明者は、特願2002−336308号で、基板の上に直接基板を搭載可能な複合基板装置を発明した。しかし、この構造は、装置は小型化するが、下の基板の表面回路パターンと上の基板の下面との絶縁をはかるため、絶縁シートや絶縁材料をしかなくてはならなかった。
【0003】
【特許文献1】
特願2002−336308号、発明者が前に提供した特許である。基板の上に基板を搭載することで、装置全体を小型化したものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本願は、基板の上に直接基板を搭載する複合基板に特に有効な多層基板の製造方法を供給するもので、絶縁シートや絶縁材料をしかなくとも、搭載可能な多層基板の製造方法を供給するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本願は、基板を張り合わせて、一番下側の両面基板は、電極の部分を残してエッチングすることにより、絶縁シートや絶縁材料をしかなくとも、放熱フィンや基板の上に搭載可能な多層基板の製造方法を供給するものである。
【0006】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。本願は複数の両面基板を絶縁層(プリプレグ)で張り合わせて製造する。図2において上側の基板の製造方法を、図3において下側の基板の製造方法を図4、図5において張り合わせた以降の製造方法を、図1において、できあがった多層基板の製造方法の断面図を記載している。
上側の基板の製造方法を図2にもとづき説明する。
両面に銅の母材の両面基板を準備する。(両面基板)
基板上面と下面のパターンを電気的に接続するためのスルーホールを形成する。(IVH加工)
IVHメッキをおこない、上面と下面のパターンを電気的に接続する。
基板の下面をのみをエッチングする。(2層エッチング)
【0007】
次に、下基板の製造方法を図3に示す。下基板は上側だけをエッチングしている。本実施例では、この層を安定電位層として用いた。下基板下側は電極部分を除いてエッチングした。
【0008】
その後、図4のように、上の基板と下の基板をプリプレグを用いて張り合わせる。この実施例では、基板2枚の例を用いて説明したが、基板の数は2枚以上であればいくつでもよい。このようにして、下の基板と上の基板を機械的に接続する。
【0009】
次に基板の上側と下側の電気的接続をおこなう。図5よりわかるように、基板にドリル等で穴をあける。次にその基板に銅でメッキをおこない基板の上と下の電気的接続を終了する。最後に最上端の基板の上側(外側)の回路パターンを除いた部分及び最下端の下側(外側)の電極部分を除いて、エッチングをおこなう。このとき、第一基板の母材(銅)の厚みを12ミクロン、第二基板の母材(銅)の厚みを18ミクロン、IVHメッキを10ミクロン、貫通THメッキを15ミクロンとした。このように第一基板の母材(銅)の厚みを薄くして、第二基板の母材(銅)の厚みを厚くしたのは、層の全体としてのバランスをとって、基板のそり等を考慮したものである。以下厚みを算出すると、
最上層外側 12+10+15=37、最上層内側12+10=22、最下層外側18+15=33、最下層内側18 と外側の層と内側の層の銅の厚みを近似値にして、基板のそりなどを防止した。このように積層する基板の銅の厚みを調節することにより、更に基板のそり対策が可能となる。このようにして、本多層基板は製造を終了する。
【0010】
【発明の効果】
このように本発明は絶縁シートをしかなくとも、実装可能な基板を供給することができ、産業上利用可能性大なるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の基板の側面図の一実施例
【図2】本発明実施例の上の基板の工程図
【図3】本発明実施例の下の基板の工程図
【図4】本発明実施例の上の基板と下の基板張り合わせている工程図
【図5】本発明実施例の基板張り合わせ後の工程図
【符号の説明】
1…貫通THメッキ
2…IVHメッキ
3…第一基板母材(Cu)
4…第一基板コア
5…プリプレグ
6…第二基板母材(Cu)
7…第二基板コア
8…貫通TH
9…IVH
Claims (4)
- 第一の両面基板に穴をあけてメッキをおこないスルーホールを形成し、下部をエッチングする第一の工程と、第二の両面基板上部を、エッチングして回路パターンを形成する工程と、前記第一の基板と前記第2の基板を、絶縁層を介してエッチングした面を内側にして、直接あるいは間接的に張り合わせる工程と、前記張り合わせた基板に貫通スルーホールをあけて貫通スルーホールメッキする工程と、前記張り合わせた基板の両面のエッチングをして回路パターンを形成する工程により形成した基板において少なくとも片側の面は他の基板との接続用にランドのみを残して銅箔を全てエッチングすることを特徴とする多層基板の製造方法。
- 貫通スルーホールは他の基板と電気的に接続するための端子であることを特徴とした、請求項1記載の多層基板の製造方法。
- 第三の基板の上に、請求項1の基板を直接搭載し、請求項1の基板下部電極部と第三基板上部の電極部とを導電物で電気的に接続した事を特徴とした多層基板の製造方法。
前記第三の基板には電源回路を搭載し、請求項1の基板には電源の制御回路を搭載したことを特徴とする請求項2の基板。 - 前記両基板の接続は、請求項1の基板端部の帯状電極につながるはんだ確認部と請求項1の基板の他のスルーホールによるはんだ強度確保部により接続されたことを特徴とする請求項1〜請求項4記載の多層基板の製造方法。
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JP2003101011A JP2004311604A (ja) | 2003-04-04 | 2003-04-04 | 多層基板の製造方法 |
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