JP5647305B2

JP5647305B2 - 面実装が可能な導電性ポリマー電子デバイスとその製造方法

Info

Publication number: JP5647305B2
Application number: JP2013154774A
Authority: JP
Inventors: ゴードン・エル・ブアンズ; ステラー・チュー; ダニエル・イー・グリンデル; デーヴィッド・ファン; ジョン・ケリー; エリック・マイヤー
Original assignee: Bourns Inc
Current assignee: Bourns Inc
Priority date: 2006-04-14
Filing date: 2013-07-25
Publication date: 2014-12-24
Anticipated expiration: 2027-04-16
Also published as: EP2014143B1; US9552909B2; EP2014143A4; US9697934B2; WO2007121412A3; WO2007121412A2; WO2007121412B1; JP5822980B2; US20110175700A1; JP2009533880A; TWI427646B; JP2013254971A; EP2014143A2; TW200807456A; US8542086B2; JP5368296B2; US20170098495A1; JP2014140083A; US20140077923A1

Description

本件出願明は、２００６年４月１４日に提出された同時係属中の特許仮出願番号６０／７４４，８９７号の有する３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１９（ｅ）に基づく利益を主張するもので、その開示文書の引用は当該出願の一部とする。連邦政府支援に基づき行われた研究開発において該当するものは無い。

本発明の開示は導電性ポリマー電子部品とデバイスに関するものである。特に面実装が可能な形状を有し、平面電極の間に積層される、導電性ポリマーなどの感熱性抵抗材料の層を含む抵抗デバイスに関する発明の開示である。

導電性ポリマー感熱性抵抗デバイスを電子回路に使用することは一般的になってきた。該抵抗デバイスには抵抗の温度係数が正の値を示す（ＰＴＣ）デバイスと負の値を示す（ＮＴＣ）デバイスがある。とりわけ、正の抵抗温度係数（ＰＴＣ）を示す導電性ポリマー抵抗材料で構成される抵抗デバイスは、過電流状態に即応して抵抗値が（少なくとも１０の３乗または４乗の値に）急速かつ大幅に増加する能力があり、過電流に対する保護デバイスあるいは自己復帰ヒューズとして広く使用されている。

回路基板を占有する表面積、すなわちフットプリントを削減し、基板をできるだけ小型化し、回路基板上の特定エリアにおけるコンポーネント密度を向上させることは、電子部品設計における共通目標である。製造コストを抑制しながら、コンパクトな形状を達成する方法の一つとして、コンポーネントを基板表面に取り付け可能にすることが挙げられる。面実装が可能なコンポーネントは、ソケットや貫通ピンを使用せずに、基板上の導電性端子・パッドに水平に取り付けることができる。
ＰＴＣデバイスなどの導電性ポリマーの感熱抵抗デバイスに対し、面実装が可能なさまざまな形状が考案されている。面実装が可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイスを作製する場合、フットプリントを小さくするための基準に加え、幾つかの設計上の基準が適用される。例えば、デバイスは低コストで製造ができるように設計する必要がある。さらに、金属部分（電極および端子）と非金属部分（ポリマー）が完全に接合されるように設計する必要がある。多くの場合、これら複数の条件を最適化した設計が行われる。

面実装が可能な導電性ポリマーデバイスでは、過電流状態が発生した際に、金属部がポリマー部の熱膨張を物理的に圧迫する傾向のあることが問題の一つとして挙げられる。通常、導電性ポリマーのＰＴＣ部は、カーボンブラックまたは金属粒子が混合されたポリエチレンのような有機ポリマーで形成される。この合成物の導電性（あるいは逆の抵抗性）は、ほとんどの場合、導電粒子間の平均スペースによって決まる。過電流状態になったとき、誘発されて起こる熱膨張により、ＰＴＣデバイスの導電性ポリマー部分の抵抗が急激に増加し、ポリマー素材内の導電性粒子間の平均スペースも増加（膨張）する。当該デバイスの金属部分が導電性ポリマー部分の膨張に加える物理的制限の度合いが大きい場合、特に過電流によるトリップが繰り返された後、デバイスの機能が損なわれる恐れがある。例えば、再現性（デバイスがほぼ同様の機能パラメータを表現する特性）は、負荷サイクル（過電流によるトリップと過電流除去後のリセット）を繰り返すことで、ストレスにより一種のヒステリシス効果が誘発され、劣化する恐れがある。

特許仮出願番号６０／７４４，８９７国際公開特許番号ＷＯ９７／０６６６０号

特に、従来の典型的な技術を用いて作成された導電性ポリマーＰＴＣデバイスは、負荷サイクルが増えるにつれ、抵抗安定性が低下する傾向が顕著である。すなわち、従来の技術を利用した導電性ポリマーＰＴＣデバイスは、多くの場合、わずか４０〜５０回負荷サイクルを繰り返すだけで、通常の（過電流状態ではない）抵抗値が著しく増加する傾向がある。さらに、金属部に対して、ある程度のポリマー膨張が許容される場合でも、負荷サイクルを繰り返すと、金属部に機械的ストレスが負荷され、物理的な保全性を損なう恐れがある。

面実装が可能で、金属部に過度のストレスを与えることなく、ポリマー部の適度な熱膨張を許容し、回路基板のフットプリントが小さく、かつ低コストで製造できる導電性ポリマー抵抗デバイス、特にＰＴＣデバイスに対するニーズが満たされないまま、今日に至っている。

一実施形態において、面実装が可能な導電性ポリマー電子デバイスは、少なくとも一つの導電性ポリマー素材の活性層、活性層の上部面に隣接する上部電極、活性層の下部面に隣接する下部電極、上部電極の上部面に隣接する上部絶縁層、下部電極の下部面に隣接する下部絶縁層、下部絶縁層の下部面に隣接する第１端子と第２端子、デバイスの第１末端に近接する第１交差導体、および反対端にデバイスの第２末端に近接する第２交差導体からなる。第１交差導体によって、下部電極と第１端子が接続され、上部絶縁層の一部によって、第１交差導体が上部電極から絶縁される。第２交差導体によって、上部電極と第２端子が接続され、下部絶縁層の一部によって、第２交差導体が下部電極から絶縁される。

別の実施形態において、面実装が可能な導電性ポリマー電子デバイスは、少なくとも導電性ポリマー素材の第１活性層、第１活性層の上部面に隣接する第１電極、第１活性層の下部表面に隣接する第２電極、第１電極の上部面に隣接する上部絶縁層、少なくとも第１活性層の下に位置する導電性ポリマー素材の第２活性層、第２活性層の上部表面に隣接する第３電極、第２活性層の下部表面に隣接する第４電極、第４電極の下部表面に隣接する下部絶縁層、第２電極と第３電極の間に挟まれかつ隣接する中間絶縁層、下部絶縁層の下部表面と隣接する第１端子と第２端子、デバイスの第１末端に近接する第１交差導体、および反対端にデバイスの第２末端と近接する第２交差導体からなる。第１交差導体によって、第２および第３電極と第１端子が接続される。上部絶縁層の一部によって、第１交差導体と第１電極が分離され、下部絶縁層の一部によって、第１交差電極と第４電極が分離される。第２交差導体によって、第１および第４電極と第２端子が接続される。中間絶縁層の一部によって、第２交差導体が第２および第３電極から分離される。

さらに、別の実施形態において、面実装が可能な導電性ポリマー電子デバイスは、少なくとも導電性ポリマー素材の第１活性層、第１活性層の上部表面に近接する第１電極、第１活性層の下部表面に近接する第２電極、第１電極の上部表面に近接する上部絶縁層、少なくとも第１活性層の下に位置する導電性ポリマー素材の第２活性層、第２活性層の上部表面に近接する第３電極、第２活性層の下部表面に近接する第４電極、第４電極の下部表面に近接する下部絶縁層、第２電極と第３電極の間に挟まれた中間絶縁層および第２電極と第３電極に近接する中間絶縁層、下部絶縁層の下部表面に近接する第１端子と第２端子、デバイスの第１末端に近接する第１交差導体、ならびに反対端にデバイスの第２末端と近接する第２交差導体からなる。第１交差導体によって、第２および第４電極と第１端子が接続される。上部絶縁層の一部によって、第１交差導体が第１電極から分離され、中間絶縁層の一部によって、第１交差電極が第３電極から分離される。第２交差導体によって、第１および第３電極と第２端子が接続される。下部絶縁層の一部によって、第２交差導体が第４電極から分離され、中間絶縁層の一部によって、第２交差導体が第２電極から分離される。

さらに、別の実施形態において、面実装が可能な導電性ポリマー電子デバイスは、少なくとも導電性ポリマー素材の第１活性層、第１活性層の上部表面に近接する第１電極、第１活性層の下部表面に近接する第２電極、第１電極の上部表面に近接する上部絶縁層、少なくとも第１活性層の下に位置する導電性ポリマー素材の第２活性層、第２活性層の上部表面に近接する第３電極、第２活性層の下部表面に近接する第４電極、第２電極と第３電極の間に挟まれかつ近接する第１中間絶縁層、少なくとも第２活性層の下に位置する導電性ポリマー素材の第３活性層、第２活性層の上部表面に近接する第５電極、第２活性層の下部表面に近接する第６電極、第４電極と第５電極の間に挟まれかつ近接する第２中間絶縁層、第６電極の下部表面に近接する下部絶縁層、下部絶縁層の下部表面に近接する第１端子と第２端子、デバイスの第１末端に隣接する第１交差導体、ならびに反対端にデバイスの第２末端と近接する第２交差導体からなる。第１交差導体によって、第２電極、第３電極および第６電極と第１端子が接続される。上部絶縁層の一部によって、第１交差導体が第１電極から分離され、第２中間絶縁層の一部によって、第１交差導体が第４および第５電極から分離される。第２交差導体によって、第１電極、第４電極および第５電極と第２端子が接続され、第１中間絶縁層の一部によって、第２交差導体が第２および第３電極から絶縁される。

また、別の実施形態において、面実装が可能な導電性ポリマー電子デバイスは、上部電極と下部電極の間に積層された導電性ポリマーの活性層、上部電極上に形成される上部絶縁層と下部電極上に形成される下部絶縁層、下部絶縁層上に形成される第１および第２導電性平板端子、下部電極と第１端子を接続し、上部絶縁層の一部によって上部電極から絶縁される第１交差導体、ならびに上部電極と第２端子を接続し、下部絶縁層の一部によって下部電極から絶縁される第２交差導体からなる。本発明は、上記に定義された、垂直に積層され、電気的に並列接続された、二つ以上の単層の活性層で構成されるデバイスよりなる複数の活性層を有するデバイスを含む。

本開示の別の実施形態において、面実装が可能な導電性ポリマー電子デバイスの生産方法における第１実施形態は、以下の工程からなる。導電性ポリマー基板を用意する。上部金属層と下部金属層の間にポリマー基板を積層する。上部金属層と下部金属層にマスキングとエッチングを施して、それぞれ上部電極と下部電極を形成する。上部電極と下部電極の上にそれぞれ上部絶縁層と下部絶縁層を形成する。上部絶縁層と下部絶縁層にそれぞれ金属被覆層を形成する。デバイスの内部に貫通ビアを形成し、交差導体の準備をする。上部金属被覆層、下部金属被覆層、ならびにビアをメッキして交差導体を形成する。ビアにマスキングを施し、下部金属被覆層にマスキングとエッチングを施して、面実装式第１平面端子パッドと第２平面端子パッドを形成する。露出しているデバイスの金属エリアにメッキを施し、グリッド線に沿ってデバイスを積層構造から単一化する。

面実装が可能な導電性ポリマー電子デバイスの生産における別の実施形態は、以下の工程からなる。導電性ポリマー基板を用意する。上部金属層と下部金属層の間にポリマー基板を積層する。上部金属層と下部金属層にマスキングとエッチングを施して、それぞれ上部電極と下部電極を形成する。上部電極と下部電極上に上部絶縁層と下部絶縁層を形成する。上部絶縁層と下部絶縁層の上にそれぞれ上部金属被覆層と下部金属被覆層を形成する。デバイスの内部に貫通ビアを形成して、交差導体の準備をする。上部金属被覆層、下部金属被覆層およびビアにメッキを施して、交差導体を形成する。下部金属被覆層に部分的にフォトレジスト・マスキングを施し、下部金属被覆層の非マスク部はそのままの状態で、上部金属被覆層全体をフォトレジスト・マスキングし、メッキされたビアにはマスキングを行わない。下部金属被覆層の非マスク部とビア上の層、または過剰メッキされた層に電気メッキ蒸着処理を施す。下部金属被覆層と上部金属被覆層のマスク部からフォトレジスト・マスクを除去する。下部金属被覆層のあらかじめマスクした部分を通して、下部絶縁層にエッチングを行い、面実装式第１平面端子パッドと第２平面端子パッド形成すると一緒に、上部金属被覆層を通してエッチングを行う。さらにグリッド線に沿って積層構造からデバイスを単一化する。

面実装が可能な導電性ポリマー電子デバイスの生産における別の実施形態は、以下の工程からなる。導電性ポリマー基板を用意する。上部金属層と下部金属層の間にポリマー基板を積層する。上部金属層と下部金属層にマスキングとエッチングを施して、それぞれ上部電極と下部電極を形成する。上部電極と下部電極上に上部絶縁層と下部絶縁層を形成する。上部絶縁層と下部絶縁層の上にそれぞれ上部金属被覆層と下部金属被覆層を形成する。デバイスの内部に貫通ビアを形成して、交差導体の準備をする。上部金属被覆層、下部金属被覆層およびビアにメッキを施し、交差導体を形成する。下部金属被覆層に部分的にフォトレジスト・マスキングを施し、下部金属被覆層の非マスク部はそのままにし、上部金属被覆層に部分的にフォトレジスト・マスキングを施し、上部金属被覆層の非メッキ部はそのままにし、ビアにはマスキングを行わない。下部金属被覆層の非マスク部、上部金属被覆層の非マスク部、およびビア上の層または過剰メッキされた層に電気メッキ蒸着処理を施す。下部金属被覆層と上部金属被覆層のマスク部からフォトレジスト・マスクを除去する。下部金属被覆層上ですでにマスクされた部分を貫通して下部絶縁層に達するまでエッチングを行い、面実装式第１平面端子パッドと第２平面端子パッド形成すると一緒に、上部金属被覆層上の先にマスクした部分を貫通して上部絶縁層に達するまでエッチングを行い、アンカーパッドを形成する。さらにグリッド線に沿って積層構造からデバイスを単一化する。

面実装が可能な導電性ポリマー電子デバイスの生産における別の実施形態は、以下の工程よりなる。上部金属箔層と下部金属箔層の間に導電性ポリマー基板を積層する。上部箔層と下部箔層の一部を除去して上部電極と下部電極を形成する。上部電極と下部電極の上にそれぞれ上部絶縁層と下部絶縁層を形成し、底部絶縁層の上に底部金属被覆層を形成する。貫通ビアのアレーを形成する。上部電極を底部金属被覆層に接続する第１交差導体と、下部電極を底部金属被覆層に接続する第２交差導体が形成されるようにビアにメッキを施す。さらに底部金属被覆層の一部を除去して、それぞれが一つの交差導体によって、上部電極と下部電極のいずれかに接続され、かつ一つの絶縁層の一部により他の上部電極と下部電極から絶縁された一組の面実装端子を形成する。

上部層状金属層と下部層状金属層の間に積層された導電性ポリマー素材の層よりなる積層構造体またはシートの透視図を表す。図１Ａで示される積層構造体の透視図で、格子状のシンギュレーションラインを表す。本発明における第１実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図を表す。本発明における第１実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第１実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。図２Ｂの２Ｄ−２Ｄラインに沿って切り取った断面図を表す。図２Ｂの２Ｅ−２Ｅラインに沿って切り取った断面図を表す。本発明における第１実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図を表す。本発明における第１実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第１実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明における第１実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図を表す。本発明における第１実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第１実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明における第２実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図、断面図および底面図を表す。本発明における第２実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第２実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明における第３実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図を表す。本発明における第３実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第３実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明における第３実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図、断面図および底面図を表す。本発明における第３実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第３実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明の第４実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図を表す。本発明の第４実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明の第４実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明における第４実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図を表す。本発明における第４実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第４実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明における第５実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図を表す。本発明における第５実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第５実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明における第５実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図を表す。本発明における第５実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第５実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明における第６実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図を表す。本発明における第６実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第６実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明における第６実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図を表す。本発明における第６実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第６実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明における第７実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図を表す。本発明における第７実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第７実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明における第７実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図を表す。本発明における第７実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第７実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明における第８実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図を表す。本発明における第８実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第８実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明における第８実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図を表す。本発明における第８実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第８実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明における第９実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図を表す。本発明における第９実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第９実施形態において、単一の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明における第９実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図を表す。本発明における第９実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第９実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明における第１０実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図を表す。本発明における第１０実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第１０実施形態において、２層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明における第１０実施形態において、３層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの平面図を表す。本発明における第１０実施形態において、３層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの断面図を表す。本発明における第１０実施形態において、３層の活性層を有する導電性ポリマーデバイスの底面図を表す。本発明に基づいた導電性ポリマーデバイスの製造にあたり、最も望ましい方法を示すフローチャートを表す。本発明に基づいた導電性ポリマーデバイスの製造にあたり、２番目に望ましい方法を示すフローチャートを表す。

本書で使用した「発明」および「本発明」なる用語は、本明細書のさまざまな実施形態に述べた発明、態様、ならびに当該技術分野の当業者に容易に察知できる相当語句を包含すると理解すべきである。

本発明に基づくさまざまな実施形態は、図１Ａに示されるタイプの単層または複層の積層シート構造で実現できる。図に示されるように、「積層シート構造体１０」は、上部積層金属層１２と下部積層金属層１４の間に積層された活性ポリマー素材１６で構成される。ポリマー層１６には、抵抗の温度係数が正の値を示すポリマーなどの導電性ポリマー、もしくは誘電性ポリマー素材あるいは強磁性ポリマーを用いることができる。さまざまな導電性ポリマーＰＴＣ素材が公知の材料として知られている。抗酸化剤、架橋剤、カプリング剤および安定化剤を１つまたは複数含むものもある。

金属層１２、１４には、導電性の金属箔を使用するのが好ましく、さらに好ましくは、ポリマー層に対峙する表面に（従来技術により）コブ状の、ニッケルメッキされた銅箔を使用する。具体的な実施形態において、金属層１２、１４は、厚さ約１８ミクロンのコブ状のニッケルメッキされた銅箔で構成される。積層は当該技術分野で公知の積層工程により実施されるが、国際公開特許番号ＷＯ９７／０６６６０号にその例が記載されているので、これを本出願の参考として組み入れる。

使用用途よっては、上部箔シートと下部箔シートの間にポリマー素材を積層する代わりに、ポリマー素材シートの上面と下面を直接金属被覆する方が有利な場合がある。金属被覆は金属メッキ、蒸着、スクリーン印刷、あるいは当該技術分野の当業者が適切であると判断するその他のプロセスによって行うことができる。しかし、本発明の望ましい実施形態においては、上記の積層構造が使用されるので、以降の記載は積層プロセスに基づく。

次に述べる方法で、上部金属層１２と下部金属層１４にフォトレジスト・マスキングとエッチングを施して電極を形成する（図１Ａ、１Ｂには図示せず）。電極が形成されたら、上部電極と下部電極に、それぞれ上部絶縁層１８と下部絶縁層２０を形成する。底部金属被覆層２２を（好ましくは銅を用いて）下部絶縁層２０に形成し、頂部金属被覆層２４を（これにも銅を用いて）上部絶縁層１８の上に形成してもよい。金属被覆層２２と２４は銅箔であることが望ましいが、メッキ、蒸着、スクリーン印刷またはその他の適切な方法により形成してもよい。本発明の実施形態例においては、金属被覆層は厚さ約１８ミクロンの銅箔で形成する。絶縁層と金属被覆層は別々の工程で形成してもよい。また、下部絶縁層２０と底部金属被覆層２２をあらかじめ積層し、同時に形成することもできる。（存在する場合は）上部絶縁層１８および頂部金属被覆層２４も同様である。

以下に詳細に説明するように、貫通ビアの配置は（１Ａ、１Ｂに図示せず）適切な位置で積層構造体１０を貫通して形成される。露出金属面（底部金属被覆層２２、存在する場合には頂部金属被覆層、ならびにビアの内壁面）に電解法で銅メッキを施した後、底部金属被覆層２２にフォトレジスト・マスクを形成し、さらにエッチング処理を施して、面実装端子を形成する（図１Ａ、図１Ｂには図示せず）。頂部金属被覆層２４が存在する場合、これにもフォトレジスト膜によるマスキングとエッチング処理を施して、アンカーパッドと識別用マーキング（オプション）（図１Ａと図１Ｂには図示せず）を形成する。最後に、残りの露出金属面（端子、アンカーパッド、存在する場合は識別用マーキング、およびビアの内壁面）をニッケルでメッキした後に金メッキをする、ニッケルでメッキした後にスズでメッキする、またはスズのみでメッキするなど、１つまたは複数のハンダ付けが可能な金属でメッキする。また、銅でメッキした直後、金属被覆層のエッチングを行う前に、ハンダ付け可能な金属でメッキしてもよい。図に示すように、金属被覆されたビアは各電極を一つの端子に接続する交差導体を形成する。

通常、積層シート構造体１０は、多数の電子デバイスからなるマトリックスを提供できるサイズに設定される。図１Ｂに示すように、シート１０は、構造体１０の内部または最頂部面と最底部面の上に形成され、複数のデバイス２８の境界を定める格子状のシンギュレーションライン２６を有利に備えている。シンギュレーションライン２６は、従来のフォトレジスト・マスキングとエッチング技術を用いて形成することができるが、これらには、シンギュレーションデバイス（図示せず）による単一化を行った後、各デバイス２８のエッジに沿って絶縁バリアとなる小さな空間が形成されるよう、十分な幅を持たせることが好ましい。絶縁バリアにより、隣接する導電部（後述する電極あるいは端子）がショートする確率が最小限に抑えられる。これらの導電部は、電気的に絶縁するのが望ましい。また、シンギュレーションライン２６は、コンピュータ制御のシンギュレーションデバイスのメモリに仮想レファレンス・グリッドとして記憶されるか、それ以外の場合は、シンギュレーションデバイスによって作成される「仮想」ラインである場合もある。

以下に述べるデバイスは、（単層の活性層を有するデバイス用の）単層積層シート構造体１０によって提供されるマトリックスにおいて、または２枚以上のシート構造体が積層して形成された（２層以上の活性層を有するデバイス用の）多層積層構造体のマトリックスにおいて、相互接続され、大量生産できる利点がある。次に、マトリックスは（例えばライン２６に沿って）単一化され、個々のデバイスを形成する。以下の考察は単一のデバイスを例に挙げて進めるが、以下で説明するプロセスを実行する最中、当該デバイスがマトリックス上で相互接続されていることに注意すべきである。このように各ステップは、マトリック上の所定の複数の位置で同時に実行される。以下に述べる製造プロセスの最終工程では、シンギュレーションライン２６、または（シンギュレーションラインがあらかじめ形成されていない場合は）シンギュレーションデバイスが定めた分離用のグリッド線に沿ってマトリックスを切断、破壊もしくは裁断し、個々のデバイスをマトリックスから分離する（単一化する）。

図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、図２Ｄおよび図２Ｅは、本発明の第１実施形態に従い、導電性ポリマーデバイス３０を図示したものである。デバイス３０は、上部金属箔電極３４と下部箔電極３６の間に積層された、導電性ポリマー素材の単層活性層３２を有する。第１貫通ビア群と第２貫通ビア群の位置は、シート構造体１０（図１Ａ）内に規定される。第１ビア群の各ビア位置は、対応する第２ビア群の各ビア位置から、単一デバイス３０の長さに相当する所定の距離だけ引き離される。第１ビア群の各ビアに隣接する上部電極３４のアーチエリアが（例えば、従来のフォトレジスト・マスキングやエッチングにより）除去され、上部電極３４の第１末端に上部絶縁エリア３８を形成する。同様に、第２ビア群の各ビアに隣接する下部電極３６のアーチエリアが除去され、第２電極３６の反対側の末端に下部絶縁エリア４０を形成する。

プレプレグ、絶縁性ポリマーまたはエポキシなどを使用した上部絶縁層４２を上部電極３４の露出面に形成し、同様の素材を使用した下部絶縁層４４を下部電極３６の露出面に形成する。上部絶縁層４２で上部絶縁エリア３８が充填され、下部絶縁層４４で下部絶縁エリア４０が充填される。（例えば、銅箔のような）金属箔の底部金属被覆層が下部絶縁層の露出面に形成される。以下に述べるように、底部金属被覆層から第１面実装端子４６と第２面実装端子４８が形成される。同様に、以下で述べるように、好ましくは（例えば銅箔などの）金属泊の頂部金属被覆層を上部絶縁層４２に形成し、識別用マーキング５０を形成する。（存在する場合）頂部金属被覆層と上部絶縁層４２は、積層体としてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ形成する。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層４４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。いずれの場合も、結果的に、単層活性ポリマー層３２、上部電極３４、下部電極３６、頂部絶縁層４２、底部絶縁層４４、底部金属被覆層、ならびに頂部金属被覆層（オプション）よりなる積層構造体が得られる。

第１貫通ビア５２が第１ビア群の各ビア位置において、（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）上述の積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア５４も同様に（かつできれば同時に）第２ビア群の各ビア位置において、積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス３０は第１末端に第１貫通ビア５２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア５４を有する。この時、構造体の頂面と底面および貫通ビア５２と５４の内壁面は１つまたは複数の導電性金属でメッキされる。これにより、導電性のある相互接続の第１セット、すなわち交差導体５６が、第１ビア群５２の各ビアにおいて形成される。また、第２交差導体群５８が、第２ビア群５４の各ビアにおいて形成される。金属被覆には、任意の適切なプロセスを使用できるが、銅の電気メッキ層を少なくとも一層は含むことが好ましい。第１交差導体群５６の各導体は、上部絶縁エリア３８によって上部電極３４から電気的に絶縁されると同時に、下部電極３６、底部金属被覆層、ならびに存在する場合は頂部金属被覆層と物理的・電気的に接触する。同様に、第２交差導体群５８の各導体は、下部絶縁エリア４０によって下部電極３６から電気的に絶縁されると同時に、上部電極３４および頂部金属被覆層と物理的・電気的に接触する。

底部金属被覆層は、従来技術を用いて、好ましくはフォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスにより、底部金属被覆層の中央部を除去し、第１平面実装端子４６と第２平面実装端子４８を形成する。この方法により、デバイス３０の底面上の金属被覆された第１面実装端子４６と第２面実装端子４８は、下部絶縁層４４の露出部により、相互絶縁された状態に保たれる。第１端子４６は、第１交差導体５６を通して下部電極３６と電気的に接触し、第２端子４８は、第２交差導体５８を通して上部電極３４と電気的に接触する。上記の方法で頂部金属被覆層が形成されている場合、識別用マーキング５０などの部分を除いた頂部金属被覆層をすべて除去するために、フォトレジスト・マスキングやエッチングプロセスを採用することができる。露出された金属エリア、特に端子４６、４８、交差導体５６、５８（ならびに存在する場合、識別用マーキング５０）は、例えば、非電解メッキ法でニッケルメッキした後、浸せきメッキ法で金メッキをする（ＥｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓＮｉｃｋｅｌ／ＩｍｍｅｒｓｉｏｎＧｏｌｄメッキ法または「ＥＮＩＧ」メッキ法と呼ばれるプロセス）など、１つまたは複数のハンダ付け可能な金属層で過剰メッキを施すことができる。または、無電解メッキ法により、スズの単層メッキを形成してもよい。

また、ハンダ付け可能な金属を使った過剰メッキは、以下で説明する通り、銅メッキ直後、面実装端子（およびオプションの識別用マーキング）を形成する前に実施してもよい。この場合、過剰メッキは、電気メッキ法によりニッケルをメッキした後に、金またはスズを電気メッキするのが好ましい。また、電気メッキ法によりスズ層のみを形成してもよい。

図３Ａ、図３Ｂおよび図３Ｃには、図２Ａ〜２Ｅに示す実施形態の応用例として、少なくとも、１組の面実装端子を用いて並列に接続され、垂直に積層された導電性ポリマー素材の第１活性層７２ａと第２活性層７２ｂを含む、複数の活性層を有するデバイス７０を示す。第１活性層７２ａは第１積層シート構造体の内部にある第１金属箔電極７４ａ、７４ｂの間に積層され、第２活性層７２ｂは第２積層シート構造体の内部にある第３と第４金属箔電極７４ｃと７４ｄの間に積層される。各シート構造体のタイプは、上述された図１Ａと１Ｂに示されている。第１ビア群と第２ビア群の位置は、上述した通りに規定する。第１ビア群の各ビアに隣接する第１電極７４ａと第４電極７４ｄのアーチ型のエリアを（例えば、従来のフォトレジスト・マスキングとエッチングにより）除去し、第１電極７４ａと第４電極７４ｄの第１末端に上部絶縁エリア７６ａと下部絶縁エリア７６ｂを形成する。同様に、第２電極７４ｃ（７４ｂ）と第３電極７４ｄ（７４ｃ）の反対側の末端に、第２ビア群の各ビアに隣接する第２電極７４ｂと第３電極７４ｃのアーチ型のエリアを除去し、中間絶縁エリア７８ａと７８ｂを形成する。その後、第１と第２の積層シート構造体を積層し、（プレレグ、ポリマーまたはエポキシ製）中間絶縁層８０により、複数の活性層を積層した構造体を形成する。この結果、上部絶縁エリア７６ａと下部絶縁エリア７６ｂは、構造体の第１末端に整列され、中間絶縁層７８ａと７８ｂは、構造体の反対側の末端に整列される。中間絶縁エリア７８ａ、７８ｂは中間絶縁層８０により充填される。また、中間絶縁層８０を使用せず、第２電極７４ｂと第３電極７４ｃをハンダ付けしてもよい。次に、スクリーン印刷により、絶縁材料を中間絶縁エリア７８ａ、７８ｂに充填することもできる。電極をハンダで接続すると、アクティブ素子から発生する熱の伝導性が改善され、電気応答速度が向上するので、デバイスの温度上昇を抑えることができる。

プレプレグ、絶縁性ポリマーまたはエポキシ樹脂などの頂部絶縁層８２を、第１電極７４ａの露出面に形成し、同じ素材の底部絶縁層８４を第４電極７４ｄの露出面に形成する。頂部絶縁層８２で上部絶縁エリア７６ａを充填し、底部絶縁層８４で下部絶縁エリア７６ｂを充填する。底部金属被覆層（好ましくは銅箔）を、以下で説明するように、底部絶縁層の露出面に形成して、面実装第１端子と第２端子、または端子パッド８６、８８を形成する。同様に、頂部金属被覆層（好ましくは銅箔）を、以下で説明するように、頂部絶縁層８２に形成して、識別用の識別用マーキング９０を形成してもよい。（存在する場合）頂部金属被覆層と上部絶縁層８２は、積層体としてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用する。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層８４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。どちらの場合も、結果的に、第１活性ポリマー層７２ａと第２活性ポリマー層７２ｂ、第１または上部電極７４ａ、中間第２電極７４ｂと中間第３電極７４ｃ、第４電極または下部電極７４ｄ、中間絶縁層８０、頂部絶縁層８２、底部絶縁層８４、底部金属被覆層、ならびに頂部金属被覆層（オプション）よりなる複数の活性層を有する積層構造体が得られる。

第１貫通ビア９２は、第１ビア群の各ビア位置において、（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）上述の複数の活性層を有する積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア９４も同様に（かつできれば同時に）第２ビア群の各ビア位置において、積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス７０は、第１末端に第１貫通ビア９２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア９４を有する。この時、構造体の頂部と底部の表面、ならびに貫通ビア９２、９４の内壁面は、好ましくは、銅などの単層または複層の導電性金属層によりメッキする。これにより、第１交差導体群９６が、第１ビア群９２の各ビアにおいて形成され、第２交差導体群９８が、第２ビア群９４の各ビアにおいて形成される。第１交差導体群９６の各導体は、上部絶縁エリア７６ａによって第１（上部）電極７４ａ電極から絶縁され、下部絶縁層７６ｂによって第４（下部）電極から絶縁されると同時に、第２および第３（中間）電極７４ｂ、７４ｃ、ならびに頂部金属被覆層および底部金属被覆層と物理的・電気的に接触する。同様に、第２交差導体群の各導体は、中間絶縁エリア７８ａ、７８ｂによって第２と第３（中間）電極７４ｂ、７４ｃから電気的に絶縁されると同時に、第１（上部）電極７４ａと第４電極（下部）電極７４ｄ、頂部金属被覆層および底部金属被覆層と物理的・電気的に接触する。

底部金属被覆層は、好ましくはフォトレジス・マスキングとエッチングなどの従来技術を用いて中央部分を除去することにより、第１端子と第２端子、または端子パッド８６、８８を形成する。この方法により、デバイス７０の底面上にある平面金属被覆第１面実装端子８６と第２面実装端子８８は、下部絶縁層８４の露出面により相互分離された状態に保たれる。第１端子８６は、第１交差導体９６を通して、第２と第３（中間）電極７４ｂ、７４ｃと電気的に接触し、第２端子８８は、第２交差導体９８を通して、第１（上部）電極７４ａと第４（下部）電極７４ｄと電気的に接触する。頂部金属被覆層が上述のように形成されている場合、頂部金属被覆層の識別用マーキング９０などの部分を除く、すべての部分を除去するために、フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスを適用することができる。露出した金属エリア、特に端子８６、８８、交差導体９６、９８（ならびに存在する場合、識別用マーキング９０）は、例えば、ＥＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また、上述したように、銅メッキを行った直後に、ニッケルを電気メッキしてから、金またはスズを電気メッキするか、あるいは無電解のスズで過剰メッキを施してもよい。

図４Ａ、図４Ｂおよび図４Ｃは導電性ポリマーデバイス１３０を本発明の第２実施形態に従って図示したものである。デバイス１３０は、上部金属泊電極１３４と下部箔電極１３６の間に積層される導電性ポリマー素材の単層の活性層１３２を含む。デバイス１３０は、図２Ａ〜２Ｅに示すデバイス３０と同様である。ただし、上部電極１３４は、（フォトレジスト・マスキングとエッチングにより）、デバイス１３０の第１末端から狭い上部残存箔エリア１３９により空間が付与されてなる細長く水平な帯状の上部絶縁エリア１３８と一緒に形成される。同様に、上部電極１３６も、デバイス１３０の第２末端から狭い下部残存箔エリア１４１により空間が付与されてなる細長く水平な帯状の下部絶縁エリア１４０と一緒に形成される。上部絶縁層１４２は、上部電極１３４および上部残存箔エリア１３９上に積層または形成され、上部絶縁エリア１３８を充填する。同様に、底部絶縁層１４４は、下部電極１３６および下部残存箔エリア１４１上に積層または形成され、底部絶縁エリア１４０を充填する。底部金属被覆層（好ましくは銅箔）を、底部絶縁層１４４の露出面に形成し、下に述べるように、第１および第２の端子または端子パッド１４６、１４８を形成する。同様に、頂部金属被覆層（好ましくは銅箔）を、以下で説明するように、頂部絶縁層１４２に形成して、識別用の識別用マーキング１５０を形成してもよい。（存在する場合）頂部金属被覆層と上部絶縁層１４２は、積層体としてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用する。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層１４４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。いずれの場合も、結果的に、単層活性ポリマー層１３２、上部電極１３４、下部電極１３６、頂部絶縁層１４２、底部絶縁層１４４、底部金属被覆層、ならびに頂部金属被覆層（オプション）よりなる積層構造体が得られる。

第１ビア群と第２ビア群の位置は、上述した通りに規定する。第１貫通ビア１５２が第１ビア群の各ビア位置において（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）、上述の積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア１５４も同様に（かつなるべく同時に）第２ビア群の各ビア位置において、積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス１３０は第１末端に第１貫通ビア１５２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア１５４を有する。この時、構造体の頂部と底部の表面ならびに貫通ビア１５２、１５４の内壁面は、好ましくは、銅などの導電性金属が単層または複層でメッキされ、これにより、第１交差導体群１５６が、第１ビア群１５２の各ビア位置において形成され、第２交差導体群１５８が、第２ビア群１５４の各ビアにおいて形成される。第１交差導体群１５６の各導体は、上部絶縁エリア１３８によって上部電極１３４から絶縁されると同時に、下部電極１３６と頂部金属被覆層および底部金属被覆層と物理的・電気的に接触する。同様に、第２交差導体群１５８の各導体は、下部絶縁エリア１４０によって電気的に下部電極１３６から絶縁されると同時に、上部電極１３４および頂部金属被覆と底部金属被覆層に物理的・電気的に接触する。

底部金属被覆層は、好ましくはフォトレジス・マスキングとエッチングなどの従来技術を用いて中央部分を除去することにより、第１と第２端子１４６、１４８を形成する。この方法により、デバイス１３０の底面上にある平面金属被覆第１面実装端子１４６と第２面実装端子１４８は、下部絶縁層１４４の露出面によって相互分離された状態に保たれる。第１端子１４６は、第１交差導体１５６を通して下部電極１３６と電気的に接触する。一方、第２端子１４８は、第２交差導体１５８を通して、上部電極１３４と電気的に接触する。頂部金属被覆層が上述のように形成されている場合、頂部金属被覆層の識別用マーキング１５０などの部分を除く、すべての部分を除去するために、フォトレジスト・マスキング・プロセスとエッチングプロセスを適用してもよい。露出された金属エリア、特に端子１４６、１４８および交差導体１５６、１５８には、例えば、ＥＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また、銅メッキを行った直後にニッケルと金、ニッケルとスズ、またはスズのみを電気メッキ法により過剰メッキすることもできる。

図５Ａ、図５Ｂおよび図５Ｃは、図４Ａ〜４Ｃに示す実施形態の応用例として、少なくとも１組の面実装端子を用いて並列に接続され、垂直に積層された導電性ポリマー素材の第１活性層１７２ａと第２活性層１７２ｂを含む、複数の活性層を有するデバイス１７０を示す。第１活性層１７２ａは、第１積層シート構造体の内部にある第１金属箔電極１７４ａと第２金属泊電極１７４ｂの間に積層され、第２積層シート構造体の内部にある第３金属箔電極１７４ｃと第４金属箔電極１７４ｄの間に第２活性層１７２ｂが積層される。シート構造体のタイプは、上述された図１Ａと１Ｂに図示されている。第１ビア群と第２ビア群の位置は、上述した通りに規定する。第１電極または上部電極１７４ａは、（フォトレジスト・マスキングとエッチングにより）、デバイス１７０の第１末端から上部残存箔エリア１７７ａにより空間が付与されてなる細長く水平な帯状の上部絶縁エリア１７６ａと一緒に形成される。同様に、第４電極または下部電極１７４ｄは、デバイス１７０の第１末端から下部残存箔エリア１７７ｂにより空間が付与されてなる細長く水平な帯状の下部絶縁エリア１７６ｂと一緒に形成される。第２と第３（中間）の電極１７４ｂ、１７４ｃも同様に、デバイス１７０の第２末端から狭い中間残存箔エリア１８１ａ、１８１ｂにより空間が付与されてなる細長い水平な帯状の中間絶縁エリア１７８ａ、１７４ｂと一緒に形成される。その後、第１と第２積層シート構造体が積層され、（プレレグ、ポリマーまたはエポキシ製）中間絶縁層１８０により複数の活性層を積層してなる構造体を形成し、その結果、上部絶縁エリア１７６ａと下部絶縁エリア１７６ｂは構造体の第１末端に整列され、中間絶縁層１７８ａと１７８ｂは構造体の反対側末端に整列される。中間絶縁エリア１７８ａ、１７８ｂは中間絶縁層１８０によって充填される。

プレプレグ、絶縁性ポリマーまたはエポキシ樹脂などの頂部絶縁層１８２を、第１電極１７４ａの露出面と上部残存箔エリア１７７ａに形成し、同じ材料の底部絶縁層１８４を第４電極１７４ｄの露出面と下部残存箔エリア１７７ｂに形成する。頂部絶縁層１８２は、上部絶縁エリア１７６ａを充填し、底部絶縁層１８４は、下部絶縁エリア１７６ｂを充填する。底部金属被覆層（好ましくは銅箔）を底部絶縁層の露出面に形成し、以下で述べる通り、面実装第１端子と第２端子１８６、１８８を形成する。同様に、頂部金属被覆層（好ましくは銅箔）を、以下で説明するように、頂部絶縁層１８２に形成して、識別用の識別用マーキング１９０を形成してもよい。（存在する場合）頂部金属被覆層と上部絶縁層１８２を積層体としてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用できる。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層１８４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用できる。どちらの場合も、結果的に、第１活性ポリマー層１７２ａと第２活性ポリマー層１７２ｂ、第１または上部電極１７４ａ、中間第２電極１７４ｂと中間第３電極１７４ｃ、第４電極または下部電極１７４ｄ、中間絶縁層１８０、頂部絶縁層１８２、底部絶縁層１８４、底部金属被覆層、ならびに頂部金属被覆層（オプション）よりなる複数の活性層を有する積層構造体が得られる。

第１貫通ビア１９２は第１ビア群の各ビア位置において（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）、上述の複数の活性層を有する積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア１９４も同様に（かつできれば同時に）第２ビア群の各ビア位置において、積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス１７０は、第１末端に第１貫通ビア１９２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア１９４を有する。この時、構造体の頂部と底部の表面ならびに貫通ビア１９２、１９４の内壁面は、好ましくは、銅などの単層または複層の導電性金属層でメッキする。これにより、第１交差導体群１９６を第１ビア群１９２の各ビアにおいて形成し、第２交差導体群１９８を第２ビア群１９４の各ビアにおいて形成する。第１交差導体群１９６の各導体が、上部絶縁エリア１７６ａによって第１（上部）電極１７４ａ電極から絶縁され、下部絶縁層１７６ｂによって第４（下部）電極から絶縁されると同時に、第２と第３（中間）電極１７４ｂ、１７４ｃおよび頂部・底部金属被覆層と物理的・電気的に接触する。同様に、第２交差導体群１９８の各導体が、中間絶縁エリア１７８ａ、１７８ｂによって、第２と第３（中間）電極１７４ｂ、１７４ｃから電気的に絶縁されると同時に、第１（上部）電極１７４ａと第４電極（下部）電極１７４ｄ、頂部金属被覆層および底部金属被覆層と物理的・電気的に接触する。

底部金属被覆層は、好ましくはフォトレジス・マスキングとエッチングなどの従来技術を用いて中央部分を除去することにより、第１と第２端子１８６、１８８を形成する。この方法により、デバイス１７０の底面上にある平面金属被覆第１面実装端子１８６と平面金属被覆２面実装端子１８８は、下部絶縁層１８４の露出面によって相互分離された状態に保たれる。第１端子１８６は第１交差導体１９６を通して第２と第３（中間）電極１７４ｂ、１７４ｃと電気的に接続し、また、第２端子１８８は第２交差導体１９８を通して、第１（上部）電極１７４ａと第４（下部）電極１７４ｄと電気的に接触する。頂部金属被覆層が上述の通り形成されている場合、頂部金属被覆層の識別用マーキング１９０などの部分を除く、すべての部分を除去するために、マスキングとフォト・エッチング・プロセスを適用してもよい。露出された金属エリア、特に端子１８６、１８８、交差導体１９６、１９８、（ならびに存在する場合、識別用マーキング１９０）には、上述する通り、例えば、ＥＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また、銅メッキを行った直後に、ニッケルと金、ニッケルとスズ、またはスズのみを電気メッキ法により過剰メッキすることもできる。

図６Ａ、図６Ｂおよび図６Ｃは、本発明の第３実施形態に従って導電性ポリマーデバイス２３０を図示したものである。デバイス２３０は、上部金属泊電極２３４と下部箔電極２３６の間に積層される導電性ポリマー素材の単層の活性層２３２を含む。本実施形態は、上述された図２Ａ〜２Ｃに図示する第１実施形態とは以下の点で異なる。以下に説明するように、積層シート構造体のビアは漏斗形の上部開口部と一緒に形成され、デバイスの各末端に、交差導体用に面取り加工した上部入口面が形成される。構造的には、デバイス２３０は、上部電極２３４とデバイス２３０の第１末端の間、第１貫通ビア２５２に隣接する場所にアーチ型の上部絶縁エリア２３８を有する。また、このデバイスは、下部電極２３６とデバイス２３０の反対側の末端の間、第２貫通ビア２５４に隣接する場所にアーチ型の絶縁エリア２４０も有する。頂部絶縁層２４２は、上部電極２３４の露出面に形成され、上部絶縁エリア２３８を充填し、底部絶縁層２４４は、同様に、下部電極２３６に形成され、下部絶縁エリア２４０を充填する。底部金属被覆層（好ましくは銅箔）を底部絶縁層２４４の露出面に形成し、以下に説明するように、第１面実装端子２４６と第２面実装端子２４８を形成する。同様に、頂部金属被覆層（好ましくは銅箔）を以下で述べるように頂部絶縁層２４２に随意に形成して、識別用マーキング２５０を形成してもよい。（存在する場合）頂部金属被覆層と上部絶縁層２４２を積層体としてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用する。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層２３４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。いずれの場合も、結果的に、単層活性ポリマー層２３２、上部電極２３４、下部電極２３６、頂部絶縁層２４２、底部絶縁層２４４、底部金属被覆層、ならびに頂部金属被覆層（オプション）よりなる積層構造体が得られる。

第１貫通ビア２５２は、第１ビア群の各ビア位置に（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）上述の積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア２５４も同様に（かつなるべく同時に）第２ビア群の各ビア位置に積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス２３０は、第１末端に第１貫通ビア２５２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア２５４を有する。この時、ビア２５２、２５４のそれぞれの頂部入り口または開口部を、例えば円錐形のドリルビット（図示せず）など公知の技術で面取りするか傾斜をつけ、第１ビア２５２用の面取り加工またはベベル加工された第１入口穴２６０と、第２ビア２５４用の面取り加工またはベベル加工された第２入口穴２６２を形成する。第１入口穴２６０は、第１絶縁層２４２および第１絶縁エリア２３８を通して拡張し、第１絶縁エリア２３８の一部が、第１入口穴２６０を上部電極２３４の第１末端から分離されると同時に、第２入口穴２６２は、上部絶縁層２４２を通って、上部電極２３４の反対の末端に隣接または貫通する第２ビア２５４にまで拡張する。まず、ビア２５２と２５４に穴を開け、面取り・加工された入口穴２６０、２６２を形成することが望ましいが、ビア２５２、２５４に穴を開ける前に、所定のビア位置に面取り加工またはベベル加工した入口穴２６０、２６２を形成してもよい。

構造体の頂部・底部表面とそれぞれの入口穴２６０、２６２を含む貫通ビア２５２、２５４の内壁面を、好ましくは、銅などの単層または複層の導電性金属でメッキする。これにより、第１ビア群２５２にそれぞれ第１交差導体群２５６と面取り加工またはベベル加工した第１入口穴２６０を形成し、第２ビア群２５４にそれぞれ第２交差導体群２５８と面取り加工またはベベル加工した第２入口穴２６２を形成する。第１交差導体群２５６の各導体は、上部絶縁エリア２３８によって上部電極２３４から電気的に絶縁されると同時に、下部電極２３６、および頂部と底部の金属被覆層と物理的・電気的に接触する。同様に、第２交差導体群２５８の各導体は、下部絶縁エリア２４０によって下部電極２３６から絶縁されると同時に、上部電極２３４および頂部と底部の金属被覆層と物理的・電気的に接触する。銅メッキされた第１ビア群２５２は、それぞれ、面取りされた入口穴２６０によって、第１交差導体群２５６に傾斜した肩を提供する。同様に、銅メッキされた第２ビア群２５４は、面取りされた入口穴２６２によって、第２交差導体群２５８に傾斜した肩を提供する。交差導体２５６、２５８の傾斜した肩により、例えば図２Ａ〜２Ｃに示すような、まっすぐなビアを貫通して形成された交差導体に比べ、上部絶縁層２４２とより緊密で安全な接触が形成される。

底部金属被覆層は、好ましくはフォトレジス・マスキングとエッチングなどの従来技術を用いて中央部分を除去することにより、第１と第２端子２４６、２４８を形成する。この方法により、デバイス２３０の底面上にある平面金属被覆第１面実装端子２４６と平面金属被覆第２面実装端子２４８は、下部絶縁層２３４の露出面によって相互分離された状態に保たれる。第１端子２４６は、第１交差導体２５６を通して、下部電極２３６と電気的に接触し、第２端子２４８は、第２交差導体２５８を通して、上部電極２３４と電気的に接続する。頂部金属被覆層が上述の通り形成されている場合、頂部金属被覆層の識別用マーキング２５０などの部分を除く、すべての部分を除去するために、フォトレジスト・マスキング・プロセスとエッチングプロセスを適用してもよい。露出された金属エリア、特に端子２４６、２４８および交差導体２５６、２５８（ならびに存在する場合は、識別用マーキング２５０）は、例えば、ＥＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また銅メッキを行った直後に、ニッケルと金、ニッケルとスズ、またはスズのみを電気メッキ法により過剰メッキすることもできる。

図７Ａ、図７Ｂおよび図７Ｃは、図６Ａ〜６Ｃに示す第３実施形態の応用例として、複数の活性層を有するデバイス２７０を示す。複数の活性層を有するデバイス２７０は、少なくとも１組の面実装端子を用いて並列に接続され、垂直に積層された導電性ポリマー素材の第１活性層２７２ａと第２活性層２７２ｂを含む。第１活性層２７２ａは、第１積層シート構造体の第１および第２金属箔電極２７４ａと２７４ｂの間に積層され、第２活性層２７６ｂ（２７２ｂ）は、第２積層シート構造体の第５（第３）および第４金属箔電極２７４ｃと２７４ｄの間に積層される。シート構造体のタイプは、上述通りで、図１Ａと１Ｂに図示されている。第１ビア群と第２ビア群の位置は、上述した通りに規定する。第１電極または上部電極２７４ａは、（フォトレジスト・マスキングとエッチングにより）、第１電極２７４ａとデバイス２７０の第１末端との間、第１貫通ビア２９２に隣接する位置に、アーチ型の上部絶縁エリア２７６ａと一緒に形成される。同様に、第４または下部電極２７４ｄは、第４電極２７４ｄとデバイス２７０の第１末端の間にある第１貫通ビア２９２に隣接する位置に、アーチ型の下部絶縁エリア２７６ｂと一緒に形成される。第２電極と第３電極（中間）２７４ｂ、２７４ｃは、同様に、中間電極２７４ｂ、２７４ｃとデバイス２７０の第２末端の間にある第２貫通ビア２９４に隣接する位置に、中間アーチ型絶縁エリア２７８ｃ、２７８ｂと一緒に形成される。次に、第１と第２シート構造体が積層され、（プレプレグ、ポリマーまたはエポキシ樹脂の）中間絶縁層２８０によって複数の活性層を積層して構造体を形成する。その結果、上部絶縁エリア２７６ａと下絶縁エリア２７６ｂが構造体の第１末端に整列され、中間絶縁エリア２７８ａ、２７８ｂは構造体の反対の末端に１列に整列される。中間絶縁エリア２７８ａ、２７８ｂは、中間絶縁層２８０によって充填される。

プレプレグ、絶縁性ポリマーまたはエポキシ樹脂などの頂部絶縁層２８２を、第１電極２７４ａの露出面に形成し、同じ素材の底部絶縁層２８４を第４電極２７４ｄの露出面に形成する。頂部絶縁層２８２は上部絶縁エリア２７６ａを充填し、底部絶縁層２８４は下部絶縁エリア２７６ｂを充填する。底部金属被覆層（好ましくは銅箔）を底部絶縁層の露出面に形成し、以下で述べる通り、面実装第１端子と第２端子２８６、２８８を形成する。同様に、頂部金属被覆層（好ましくは銅箔）を以下で述べるように頂部絶縁層２８２に随意に形成して、識別用マーキング２９０を形成してもよい。（存在する場合）頂部金属被覆層と上部絶縁層２８２を積層体としてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用する。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層２８４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。（本書で述べた他の多層活性層の実施形態と同様に）本実施形態において、第１積層シート構造体、第２積層シート構造体および中間絶縁層２８０の積層は、頂部絶縁層２８２、頂部金属被覆層、底部絶縁層２８４および底部金属被覆層の一つまたは複数の積層と同時に実施してもよい。どちらの場合も、結果的に、第１活性ポリマー層２７２ａおよび第２活性ポリマー層２７２ｂ、第１または上部電極２７４ａ、中間第２電極と第３電極２７４ｂ、２７４ｃ、第４または下部電極２７４ｄ、中間絶縁層２８０、頂部絶縁層２８２、底部絶縁層２８４、底部金属被覆層および頂部金属被覆層（オプション）で構成される多層の活性層積層構造体が得られる。

第１貫通ビア２９２は、第１ビア群の各ビア位置に（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）上述の複数の活性層を有する積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア２９４も同様に（かつできれば同時に）第２ビア群の各ビア位置で、積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス２７０は、第１末端に第１貫通ビア２９２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア２９４を有する。この時、ビア２９２、２９４の入口・開口部はそれぞれ、円錐形ドリルビット（図示せず）を用いて面取りし、第１ビア２９２用の面取りされた、または傾斜をつけた第１入口穴３００と、第２ビア２９４用の面取りされた、または傾斜をつけた第２入口穴３０２を形成する。ビア２９２と２９４の開口部・入口における絶縁材料の除去は、当該技術分野の当業者に自明な機械的・化学的メカニズムもしくはプロセスを使用して実施することができる。第１入口穴３００は、上部絶縁層２８２および第１絶縁エリア２７６ａを貫通し、第１入口穴３００と上部電極２７４ａの第１末端を分離するように第１絶縁エリア２７６ａの一部を残す。第２入口穴３０２は、上部絶縁層２８２を貫通して、第１または上部電極２７４ａの反対の末端に隣接または貫通する第２ビア２９４まで拡張する。まず、ビア２９２、２９４を穿孔し、続いて面取り加工またはベベル加工した入口穴３００、３０２を形成するのが好ましいが、ビア２９２、２９４が穿孔される前にあらかじめ定めたビア位置に入口穴３００、３０２を形成してもよい。さらに、例えば、第１入口穴３００あるいは第２入口穴３０２等、面取り加工またはベベル加工した入口穴を一つだけを各デバイスに形成する方が有利な場合がある。

構造体の頂部と底部の表面ならびに貫通ビア２９２、２９４の内壁面、および面取り加工された入口穴３００、３０２は、好ましくは、銅などの単層または複層の導電性の金属層でメッキする。これにより、第１交差導体群２９６を第１ビア群２９２において形成し、第２交差導体群２９８を第２ビア群２９４の各ビアにおいて形成する。第１交差導体群２９６の各導体は、上部絶縁エリア２７６ａによって第１（上部）電極２７４ａ電極から絶縁され、下部絶縁層２７６ｂによって第４（下部）電極２７４ｄから絶縁されると同時に、第２と第３（中間）電極２７４ｂ、２７４ｃおよび頂部・底部金属被覆層と物理的・電気的に接触する。同様に、第２交差導体群２９８の各導体は、中間絶縁エリア２７８ａ、２７８ｂによって第２と第３（中間）電極２７４ｂ、２７４ｃから電気的に絶縁されると同時に、第１（上部）電極２７４ａと第４（下部）電極２７４ｄならびに頂部金属被覆層および底部金属被覆層と物理的・電気的に接触する。

銅メッキされた第１ビア群２９２の各ビアは、面取り加工した第１入口穴３００によって、第１交差電極２９６に傾斜した肩を提供する。同様に、銅メッキした第１ビア群２９４の各ビアは、面取り加工した第２入口穴３０２によって、第２交差電極２９８に傾斜した肩を提供する。交差導体２９６、２９８の傾斜した肩部は、例えば、図３Ａ〜３Ｃに図示される直線状のビアを通して形成された交差導体に比べ、頂部絶縁層２８２とのより強固で安全な接続を確立する。

底部金属被覆層は、好ましくはフォトレジス・マスキングとエッチングなどの従来技術を用いて中央部分を除去することにより、第１と第２端子２８６、２８８を形成する。この方法により、デバイス２７０の底面上にある平面金属被覆第１面実装端子２８６と第２面実装端子２８８は、下部絶縁層２８４の露出面によって相互分離された状態に保たれる。第１端子２８６は、第１交差導体２９６を通して、第２と第３（中間）電極２７４ｂ、２７４ｃと電気的に接触し、第２端子２８８は、第２交差導体２９８を通して、第１（上部）電極２７４ａと第４（下部）電極２７４ｄと電気的に接触する。頂部金属被覆層が上述の通り形成されている場合、頂部金属被覆層の識別用マーキング２９０などの部分を除く、すべての部分を除去するために、フォトレジスト・マスキング・プロセスとエッチングプロセスを適用してもよい。露出された金属エリア、特に端子２８６、２８８および交差導体２９６、２９８、（ならびに存在する場合は、識別用マーキング２９０）は、例えばＥＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また、銅メッキを行った直後に、ニッケルと金、ニッケルとスズ、またはスズのみを電気メッキ法により過剰メッキしてもよい。

図８Ａ、図８Ｂおよび図８Ｃは、本発明の第４実施形態に従って、導電性ポリマーデバイス３３０を図示したものである。デバイス３３０は、上部金属箔電極３３４と下部箔電極３３６の間に積層した導電性ポリマー素材の単層の活性層３３２を有する。第１貫通ビア群と第２貫通ビア群の位置は、シート構造体１０（図１Ａ）の中で規定される。第１ビア群の各ビア位置は、対応する第２ビア群の各ビア位置から、単一デバイス３３０の長さに相当する所定の距離だけ離される。第１ビア群の各ビアに隣接する上部電極３３４のアーチ型のエリアが（例えば、従来のフォトレジスト・マスキングやエッチングにより）除去され、上部電極３３４の第１末端に上部絶縁エリア３３８を形成する。同様に、第２ビア群の各ビアに隣接する下部電極３３６のアーチ型のエリアが除去され、第２電極３３６の反対側の末端に下部絶縁エリア３４０を形成する。

プレプレグ、絶縁性ポリマーまたはエポキシ製などの上部絶縁層３４２を上部電極３３４の露出面に形成し、同等な材質の下部絶縁層３４４を下部電極３３６の露出面に形成する。頂部絶縁層３４２で上部絶縁エリア３３８を充填し、底部絶縁層３４４で下部絶縁エリア３４０を充填する。底部金属被覆層（好ましくは銅箔）を下部絶縁層の露出面に形成し、後述するように、第１面実装端子３４６と第２面実装端子３４８を形成する。同様に、頂部金属被覆層（好ましくは銅箔）を頂部絶縁層３４２の露出面に形成して、後述するように、第１アンカーパッド３６０、第２アンカーパッド３６２、および識別用マーキング３５０（オプション）を形成する。（存在する場合）頂部金属被覆層と上部絶縁層３４２を積層体としてとしてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用する。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層３４４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。どちらの場合も、結果的に、単層の活性層３３２、上部電極３３４、下部電極３３６、頂部絶縁層３４２、底部絶縁層３４４、底部金属被覆層、ならびに頂部金属被覆層で構成される積層構造体が得られる。

第１貫通ビア３５２は、第１ビア群の各ビア位置に（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）上述の積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア３５４も同様に（かつなるべく同時に）第２ビア群の各ビア位置に積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス３３０は、第１末端に第１貫通ビア３５２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア３５４を有する。

この時点で、構造体の頂部面、底部面、および貫通ビア３５２、３５４の内壁面は、好ましくは、銅などの単層または複層の伝導性金属層でメッキされる。これにより、第１ビア群３５２の各ビアにおいて、第１交差導体群３５６を形成し、第２ビア群３５４の各ビアにおいて、第２交差導体群３５８を形成する。フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスにより、頂部金属被覆層から第１と第２アンカーパッド３６０、３６２の一方または両方、およびオプションの識別用マーキング３５０を形成し、底部金属被覆層から平板端子３４６、３４８を形成する。マスキングとエッチングプロセスは、ビア３５２、３５４を形成する前か後のどちらかで行うことができる。第１交差導体群３５６は、上部絶縁エリア３３８によって上部電極３３４から絶縁されると同時に、下部電極３３６と第１端子３４６に電気的・物理的に接触する。第１交差導体群３５６の各導体は、第１端子３４６と一緒に第１交差導体群３５６に対するアンカーポイントの役目を果たすアンカーパッド３６０に物理的に接続される。同様に、第２交差導体群３５８の各導体は、下部絶縁エリア３４０によって下部電極３３６から電気的に絶縁されると同時に、上部電極３３４と第２端子３４８に物理的・電気的に接触する。第２交差導体群３５８の各導体も、第２端子３４８と一緒に第２交差導体群３５８に対するアンカーポイントの役目を果たす第２アンカーパッド３６２に物理的に接続される。露出金属エリア、特に端子３４６、３４８、交差導体３５６、３５８、およびオプションのアンカーパッド３６０、３６２、ならびに（存在する場合）識別用マーキング３５０は、例えば、ＥＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また、銅メッキを行った直後に、ニッケルと金、ニッケルとスズ、またはスズのみを電気メッキ法により過剰メッキしてもよい。

交差導体３５６と３５８がそれぞれアンカーパッド３６０、３６２に対して有する連続性が、デバイスにさらなる構造的な保全性を実現すると同時に、表面エリアの占有面積が比較的小さいアンカーパッド３６０、３６２が、ポリマー層３３２の熱膨張を過度に抑制しないことが評価される。

図９Ａ、図９Ｂおよび図９Ｃは、図８Ａ〜８Ｃに示す実施形態の応用例として、複数の活性層を有するデバイス３７０を示す。複数の活性層を有するデバイス３７０は、少なくとも１組の面実装端子を用いて並列に接続され、垂直に積層された導電性ポリマー素材の第１活性層３７２ａと第２活性層３７２ｂを含む。第１活性層３７２ａは、第１積層シート構造体の第１および第２金属箔電極３７４ａと３７４ｂの間に積層され、第２活性層３７２ｂは、第２積層シート構造体の第３および第４金属箔電極３７４ｃと３７４ｄの間に積層される。各シート構造体のタイプは、上述した図１Ａと１Ｂに図示されている。第１ビア群と第２ビア群の位置は、上述した通りに規定する。第１ビア群の各ビア位置に隣接する第１電極３７４ａと第４電極３７４ｄのアーチ型エリアは、（例えば、従来のフォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスにより）除去され、第１と第４電極３７４ａ、３７４ｄの第１末端に上部絶縁エリア３７６ａと下部絶縁エリア３７６ｂを形成する。同様に、第２ビア群の各ビア位置に隣接する第２電極３７４ｂと第３電極３７４ｃのアーチ型のエリアを除去し、第２電極３７４ｂと第３電極３７４ｃの反対側の末端に、中間絶縁エリア３７８ａと３７８ｂを形成する。次に、第１と第２積層シート構造体を積層し、（プレレグ、ポリマーまたはエポキシ製）中間絶縁層３８０によって複数の活性層を有する積層構造体を形成する。この結果、上部絶縁エリア３７６ａと下部絶縁エリア３７６ｂは、構造体の第１末端に整列され、中間絶縁層３７８ａと３７８ｂは、構造体の反対側の末端に整列される。中間絶縁エリア３７８ａ、３７８ｂは、中間絶縁層３８０によって充填される。

プレプレグ、絶縁性ポリマーまたはエポキシ樹脂などの頂部絶縁層３８２は、第１電極３７４ａの露出面に形成し、材質が同じ底部絶縁層３８４は、第４電極３７４ｄの露出面に形成する。頂部絶縁層３８２は上部絶縁エリア３７６ａを充填し、底部絶縁層３８４は下部絶縁エリア３７６ｂを充填する。底部金属被覆層（好ましくは銅箔）を底部絶縁層の露出面に形成し、以下で述べる通り、面実装第１端子と第２端子３８６、３８８を形成する。同様に、後述するように、頂部絶縁層３８２の露出面に底部金属被覆層（好ましくは銅箔）を形成し、第１アンカーパッド４００と第２アンカーパッド４０２、およびオプションの識別用マーキング３９０を形成する。頂部金属被覆層と上部絶縁層３８２を積層体としてとしてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用する。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層３８４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。どちらの場合も、結果的に、第１活性ポリマー層３７２ａと第２活性ポリマー層３７２ｂ、第１または上部電極３７４ａ、中間第２電極３７４ｂと中間第３電極３７４ｃ、第４または下部電極３７４ｄ、中間絶縁層３８０、頂部絶縁層３８２、底部絶縁層３８４、底部金属被覆層、ならびに頂部金属被覆層で構成される複数の活性層が積層された構造体が得られる。

第１貫通ビア３９２は、第１ビア群の各ビア位置に（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）上述の複数の活性層を有する積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア３９４も同様に（かつできれば同時に）第２ビア群の各ビア位置で、積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス３７０は、第１末端に第１貫通ビア３９２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア３９４を有する。

この時点で、構造体の頂部面、底部面、および貫通ビア３９２、３９４の内壁面は、好ましくは、銅などの単層または複層の導電性金属層でメッキされる。これにより、第１ビア群３９２の各ビアにおいて、第１交差導体群３９６を形成し、第２ビア群３９４の各ビアにおいて、第２交差導体群３９８を形成する。フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスにより、頂部金属被覆層から第１と第２アンカーパッド４００、４０２の一方または両方、およびオプションの識別用マーキング３９０を形成し、底部金属被覆層から平板端子３８６、３８８を形成する。マスキングとエッチングプロセスは、ビア３９２、３９４を形成・メッキする前か後のどちらかで行うことができる。第１交差導体群３９６の各導体は、上部絶縁エリア３７６ａと下部絶縁エリア３７６ｂによって第１（上部）電極３７４ａと第４（下部）電極３７４ｄから電気的に絶縁されると同時に、第２と第３（中間）電極３７４ｂ、３７４ｃおよび第１端子３８６に物理的・電気的に接触する。第１交差導体群３９６の各導体も、第１端子３８６と一緒に、第１交差導体３９６に対してアンカーポイントの役目を果たす第１アンカーパッド４００に物理的に接続される。同様に、第２交差導体群３９８の各導体は、中間絶縁エリア３７８ａ、３７８ｂによって第２電極および第３（中間）電極３７４ｂ、３７４ｃから絶縁されると同時に、第１（上部）電極３７４ａ、第４（下部）電極３７４ｄおよび第２端子３８８に物理的・電気的に接触する。第２交差導体群３９８の各導体も、第２端子３８８と一緒に、第２交差導体群３９８に対してアンカーポイントの役目を果たす第２アンカーパッド４０２に物理的に接続される。露出金属エリア、特に端子３８６、３８８、交差導体３９６、３９８、およびオプションのアンカーパッド４００、４０２、ならびに（存在する場合）識別用マーキング３９０は、例えば、ＥＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また、銅メッキを行った直後に、ニッケルと金、ニッケルとスズ、またはスズのみを電気メッキ法により過剰メッキしてもよい。

図１０Ａ、図１０Ｂおよび図１０Ｃは、本発明の第５実施形態に従って、導電性ポリマーデバイス４３０を図示したものである。デバイス４３０は、上部金属箔電極４３４と下部箔電極４３６の間に積層される単層の導電性ポリマー素材の活性層４３２を有する。構造的にデバイス４３０は、上部電極４３４とデバイス４３０の第１末端の間の第１貫通ビア４５２に隣接する位置に、アーチ型上部絶縁エリア４３８を有する。また、当該デバイスは、下部電極４３６とデバイス４３０の反対側の末端の間の第２貫通ビア４５４と隣接する位置にアーチ型下部絶縁エリア４４０を有する。頂部絶縁層４４２は、上部電極４３４の露出面に形成され、上部絶縁エリア４３８を充填する。底部絶縁層４４４は、同様に、下部電極４３６の露出面に形成され、下部絶縁エリア４４０を充填する。底部金属被覆層２２（図１Ａ、図１Ｂ）（好ましくは銅箔）を底部絶縁層の露出面に形成し、後述するように、第１面実装端子４４６、第２面実装端子４４８を形成する。同様に、頂部金属被覆層２４（図１Ａ、図１Ｂ）（好ましくは銅箔）を頂部絶縁層４４２に形成し、後述するように、アンカーパッド４６０および（オプションの）識別用マーキング４５０を形成する。頂部金属被覆層１８と上部絶縁層４４２積層体としてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用する。底部金属被覆層２０と底部絶縁層４４４は、あらかじめ積層した積層体として一緒に用いるか、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。どちらの場合も、結果的に、単層の活性層４３２、上部電極４３４、下部電極４３６、頂部絶縁層４４２、底部絶縁層４４４、底部金属被覆層、ならびに頂部金属被覆層よりなる積層体構造物が得られる。

第１貫通ビア４５２は、第１ビア群の各ビア位置に（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）上述の積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア４５４も同様に（かつなるべく同時に）第２ビア群の各ビア位置に積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス４３０は第１末端に第１貫通ビア４５２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア４５４を有する。この時、第２ビア４５４の頂部入り口・開口部を、例えば円錐形のドリルビット（図示せず）などで面取りまたはベベル加工し、第２ビア４５４用の面取り加工またはベベル加工された第２入口穴４６２を形成する。面取り加工またはベベル加工された第２入口穴４６２は、上部絶縁層４４２を貫通して、上部電極４３４の末端に隣接または通り越して第２ビア４５４まで拡張する。まず、ビア４５２と４５４を穿孔し、次に面取りした入口穴４６２を形成する方法が望ましいが、ビア４５２と４５４が穿孔される前に、面取り加工を施した入口穴４６２を所定の第２ビア位置に形成してもよい。

面取り加工を施した入口穴４６２を含む構造体の頂部面と底面および貫通ビア４５２、４５４の内壁面は、好ましくは、銅などの単層または複層の導電性金属層でメッキする。これにより、第１交差導体群４５６が第１ビア４５２群の各ビアにおいて形成され、第２交差導体群４５８が第２ビア群４５４の各ビアおよび付属する面取り加工した第２入口穴４６２において形成される。フォトレジスト・マスキングおよびエッチングプロセスを用いて、頂部金属被覆層からアンカーパッド４６０とオプションの識別用マーキング４５０を形成し、底部金属被覆層から平面端子４４６、４４８の一方または両方を形成する。マスキングとエッチングプロセスは、ビア４５２、４５４を形成・メッキする前か後のどちらかで行うことができる。第１交差導体群４５６の各導体は、上部絶縁エリア４３８によって上部電極４３４から絶縁されると同時に、下部電極４３６および第１端子４４６と物理的・電気的に接触する。同様に、第２交差導体群４５８の各導体は、下部絶縁エリア４４０によって下部電極４３６から絶縁されると同時に、上部電極４３４および第２端子４４８と物理的・電気的に接触する。このように、第１端子４４６は、第１交差導体４５６を通して下部電極４３６と電気的に接触し、第２端子４４８は、第２交差導体４５８を通して上部電極４３４と電気的に接触する。露出金属エリア、特に端子４４６、４４８、交差導体４５６、４５８、およびオプションのアンカーパッド４６０、ならびに（存在する場合）識別用マーキング４５０は、例えば、ＥＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また、銅メッキを行った直後に、ニッケルと金、ニッケルとスズ、またはスズのみを電気メッキ法により過剰メッキしてもよい。

第１交差導体４５６の上部末端と下部末端はそれぞれ、アンカーパッド４６０と第１端子４４６に接続することによってしっかり固定される。第２交差導体４５８の上部末端と下部末端はそれぞれ、上部電極４３４と第２端子４４８に接続することによってしっかり固定される。

図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１１Ｃは、図１０Ａ〜１０Ｃに示す実施形態の応用例として、複数の活性層を有するデバイス４７０を示す。複数の活性層を有するデバイス４７０は、少なくとも１組の面実装端子を用いて並列に接続され、垂直に積層されてなる導電性ポリマー素材の第１活性層４７２ａと第２活性層４７２ｂを含む。第１活性層４７２ａは、第１積層シート構造体の第１および第２金属箔電極４７４ａと４７４ｂの間に積層され、第２活性層４７２ｂは、第２積層シート構造体の第３および第４金属箔電極４７４ｃと４７４ｄの間に積層される。それぞれのシート構造体のタイプは、上述した図１Ａと１Ｂに図示される。第１ビア群と第２ビア群の位置は、上述した通りに規定する。第１（上部）電極４７４ａは、（フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスにより）第１電極４７４ａとデバイス４７０の第１末端との間の第１貫通ビア４９２に隣接する位置に、アーチ型の上部絶縁エリア４７６ａと一緒に形成される。同様に、第４または下部電極４７４ｄは、第４電極４７６ｄとデバイス４７０の第１末端の間に、アーチ型の下部絶縁エリア４７６ｂと一緒に形成される。第２および第３（中間）電極４７４ｂ、４７４ｃも同様に、中間電極４７４ｂ、４７４ｃとデバイス４７０の第２末端の間に、中間アーチ型絶縁エリア４７８ａ、４７８ｂと一緒に形成される。次に、第１と第２シート構造体が積層され、（プレプレグ、ポリマーまたはエポキシ樹脂の）中間絶縁層４８０によって複数の活性層を有する積層構造物を形成する。この結果、上部絶縁エリア４７６ａと下部絶縁エリア４７６ｂは、構造体の第１末端に整列され、中間絶縁エリア４７８ａ、４７８ｂは、構造体の反対の末端に整列される。中間絶縁エリア４７８ａ、４７８ｂは、中間絶縁層４８０によって充填される。

プレプレグ、絶縁性ポリマーまたはエポキシ樹脂などの頂部絶縁層４８２は、第１電極４７４ａの露出面に形成され、材質が同じ底部絶縁層４８４は、第４電極４７４ｄの露出面に形成される。頂部絶縁層４８２は上部絶縁エリア４７６ａを充填し、底部絶縁層４８４は下部絶縁エリア４７６ｂを充填する。底部金属被覆層（好ましくは銅箔）を底部絶縁層４８４の露出面に形成し、フォトレジスト・マスクとエッチングプロセスにより、底部絶縁層４８４の露出エリアによって分離される第１と第２面実装端子４８６、４８８を形成する。同様に、頂部金属被覆層（好ましくは銅箔）を頂部絶縁層４８２に形成し、フォトレジスト・マスクとエッチングプロセスによってアンカーパッド５００とオプションの識別用マーキング４９０を形成する。頂部金属被覆層と底部金属被覆層のフォトレジスト・マスクとエッチングは、後述するように、ビア４９２、４９４が形成・メッキされる前か後のどちらかで実施される。頂部金属被覆層と上部絶縁層４８２を積層体としてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用する。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層４８４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。どちらの場合も、結果的に、第１活性ポリマー層４７２ａと第２活性ポリマー層４７２ｂ、第１または上部電極４７４ａ、中間第２、第３電極４７４ｂ、４７４ｃ、第４または下部電極４７４ｄ、中間絶縁層４８０、頂部絶縁層４８２、底部絶縁層４８４、底部金属被覆層、ならびに頂部金属被覆層を積層した複数の活性層を有する構造体が得られる。頂部および底部金属の被覆層は、アンカーパッド５００、識別用マーキング４９０および端子４８６、４８８に成形することができる。

第１貫通ビア４９２は、第１ビア群の各ビア位置に（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）上述の複数の活性層を有する積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア４９４も同様に（かつできれば同時に）第２ビア群の各ビア位置で、積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス４７０は、第１末端に第１貫通ビア４９２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア４９４を有する。この時、第２ビア４９４の頂部入り口・開口部を、例えば円錐形のドリルビット（図示せず）などで面取りまたはベベル加工し、第２ビア４９４用の面取り加工またはベベル加工された入口穴５０２を形成する。面取り加工またはベベル加工された入口穴５０２は、上部絶縁層４８２を貫通して、第１（上部）電極４７４ａの末端に隣接または通り越して第２ビア４９４まで拡張する。まず、ビア４９２、４９４を穿孔し、続いて入口穴５０２を面取り加工またはベベル加工するのが好ましいが、第２ビア４９２、４９４が穿孔される前に、所定のビア位置にベベル加工した入口穴５０２を形成してもよい。

構造体における頂部面と底部面、および第２ビア群４９４の各ビアの面取りまたはベベル加工された入口穴５０２を含む貫通ビア４９２、４９４の内壁面を、好ましくは、銅などの単層または複層の導電性金属層でメッキする。これにより、第１ビア群４９２の各ビアにおいて、第１交差導体群４９６を形成し、第２ビア群４９４の各ビアにおいて、第２交差導体群４９８を形成する。フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスにより、頂部金属被覆層からアンカーパッド５００およびオプションの識別用マーキング４９０を形成し、底部金属被覆層から平板端子４８６、４８８を形成する。マスキングとエッチングプロセスは、ビア４９２、４９４を形成・メッキする前か後のどちらかで行うことができる。第１交差導体群４９６の各導体は、上部絶縁エリア４７６ａによって第１（上部）電極４７４ａから電気的に絶縁され、下部絶縁エリア４７６ｂによって第４（下部）電極４７４ｄから電気的に絶縁されると同時に、第２および第３（中間）電極４７４ｂ、４７４ｃ、アンカーパッド５００、および第１平板端子４８６に物理的・電気的に接触する。同様に、第２交差導体群４９８の各導体は、中間絶縁エリア４７８ａ、４７８ｂによって第２と第３（中間）電極４７４ｂ、４７４ｃから電気的に絶縁されると同時に、第１（上部）電極４７４ａ、第４電極（下部）電極４７４ｄ、および第２平面端子４８８に物理的・電気的に接触する。第１端子４８６は、第１交差導体４９６を経由して第２および第３（中間）電極４７４ｂ、４７４ｃと電気的に接触し、第２端子４８８は、第２交差導体４９８を経由して第１（上部）電極４７４ａおよび第４（下部）電極４７４ｄに電気的に接触する。

第１交差導体４９６の上部末端と下部末端はそれぞれ、アンカーパッド５００および第１平面端子４８６によってしっかり固定される。第２交差導体４９８の上部末端と下部末端はそれぞれ上部電極４７４ａおよび下部第２端子４８８に接続され、しっかり固定される。露出金属エリア、特に端子４８６、４８８、交差導体４９６、４９８、オプションのアンカーパッド５００、ならびに（存在する場合）オプションの識別用マーキング４９０は、例えば、ＥＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また、銅メッキを行った直後に、ニッケルと金、ニッケルとスズ、またはスズのみを電気メッキ法により過剰メッキしてもよい。

図１２Ａ、図１２Ｂおよび図１２Ｃは、本発明の第６実施形態に従って、導電性ポリマーデバイス５３０を図示したものである。デバイス５３０は、上部金属泊電極５３４と下部箔電極５３６の間に積層される導電性ポリマー素材の単層の活性層５３２を有する。本実施形態は、上述された図１０Ａ〜１０Ｃに図示する実施形態と類似しているが、以下の点で異なる。アンカーパッドの反対側のデバイス末端にあるビアの面取りまたはベベル加工された入口穴の代わりに、以下で述べるように、頂部絶縁層の一部を除去することによってメッキされたアンカー部を提供する。

具体的には、デバイス５３０は、上部電極５３４とデバイス５３０の第１末端の間の第１貫通ビア５５２と隣接する位置にアーチ型上部絶縁エリア５３８を有する。また、デバイス５３０は、下部電極５３６とデバイス５３０の反対側の末端の間の第２貫通ビア５５４に隣接する位置にアーチ型の下部絶縁エリア５４０を有する。上部絶縁層５４２は、上部電極５３４の露出面上に形成され、上部絶縁エリア５３８を充填し、底部絶縁層５４４は同様に、下部電極５３６の露出面上に形成され、下部絶縁エリア５４０を充填する。後述するように、底部金属被覆層（好ましくは銅箔）を底部絶縁層の露出面に形成し、第１と第２面実装端子５４６、５４８を形成する。同様に、後述するように、頂部絶縁層５４２の露出面に、頂部金属被覆層（好ましくは銅箔）を形成し、アンカーパッド５６０と（オプションの）識別用マーキング５５０を形成する。頂部金属被覆層と上部絶縁層５４２を一つの積層体としてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用する。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層５４４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。どちらの場合も、結果的に、単層の活性層５３２、上部電極５３４、下部電極５３６、頂部絶縁層５４２、底部絶縁層５４４、底部金属被覆層、ならびに頂部金属被覆層よりなる積層構造体が得られる。

第１貫通ビア５５２は、第１ビア群の各ビア位置に（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）上述の積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア５５４も同様に（かつなるべく同時に）第２ビア群の各ビア位置にそれぞれ積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス５３０は、第１末端に第１貫通ビア５５２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア５５４を有する。次に、第２ビア５５４に隣接する頂部絶縁層５４２のアーチ型の部分を化学エッチング、プラズマエッチング、機械穿孔、またはレーザー穿孔などの適切な方法で除去し、上部電極５３４上に露出アンカー面５６４を形成する。目的は後述する。ビア５５２、５５４をまず穿孔加工し、次にアンカー面５６４を形成するのが望ましいが、ビア５５２、５５４を穿孔加工する前に、所定の第２ビア位置にアンカー面５６４を形成してもよい。

構造体の頂部面と底部面、貫通ビア５５２、５５４、ならびにアンカー面５６４は、好ましくは、銅などの単層または複層の導電性金属層でメッキする。これにより、第１ビア群５５２の各ビアにおいて、第１交差導体群５５６を形成し、第２ビア群５５４の各ビアにおいて、第２交差導体群５５８を形成し、さらにアンカー面５６４上に、第２交差導体群５５８に隣接する位置にメッキされたアンカー部５６２を形成する。フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスにより、上部金属被覆層からアンカーパッド５６０を第１貫通ビア５５２（および場合によりマーキング５５０）に隣接する位置に形成し、底部金属被覆層から平面端子５４６、５４８を形成する。マスキングとエッチングプロセスは、ビア５５２、５５４を形成する前か後のどちらかで行うことができる。第１交差導体群５５６の各導体は、上部絶縁エリア５３８によって上部電極５３４から絶縁されると同時に、下部電極５３６および第１端子５４６と物理的・電気的に接触する。同様に、第２交差導体群５５８の各導体は、下部絶縁エリア５４０によって下部電極５３６から絶縁されると同時に、上部電極５３４および第２端子５４８と物理的・電気的に接触する。このように、第１端子５４６は、第１交差導体５５６を通して下部電極５３６と電気的に接触し、第２端子５４８は、第２交差導体５５８を通して上部電極５３４と電気的に接触する。露出金属エリア、特に端子５４６、５４８、交差導体５５６、５５８、アンカーパッド５６０、メッキされたアンカー部５６２、（ならびに存在する場合、識別用マーキング５５０）は、例えば、ＥＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また、銅メッキを行った直後に、ニッケルと金、ニッケルとスズ、またはスズのみを電気メッキ法により過剰メッキしてもよい。

第１交差導体５５６の上部と下部末端は、それぞれアンカーパッド５６０と第１端子５４６に接続され、しっかりと固定される。第２交差導体５５８の上部末端は、上部電極５３４およびアンカー部５６２に接続され、しっかりと固定され、第２交差導体の下部末端は、第２端子５４８に接続され、しっかりと固定される。アンカー部５６２は、例えば、図３Ａ〜３Ｃに図示されるように、第２交差導体５５８と上部電極５３４の露出アンカー面５６４の間で、ストレートビアを経由して形成される交差導体による接続よりも、さらに緊密で強固な接続を実現する。これにより、ポリマー活性層５３２の熱膨張を過度に抑制することなく、デバイスの構造的な保全性が向上する。

図１３Ａ、図１３Ｂおよび図１３Ｃは、図１２Ａ〜１２Ｃに示す実施形態の応用例として、複数の活性層を有するデバイス５７０を示す。複数の活性層を有するデバイス５７０は、少なくとも１組の面実装端子を用いて並列に接続され、垂直に積層されてなる導電性ポリマー素材の第１活性層５７２ａと第２活性層５７２ｂを含む。第１活性層５７２ａは、第１積層シート構造体の中にある第１金属箔電極５７４ａと第２金属箔電極５７４ｂの間に積層され、第２活性層５７２ｂは、第２積層シート構造体中の第３金属箔電極５７４ｃと第４金属箔層５７４ｄの間に積層される。シート構造体のタイプは、上述の通り、図１Ａと図１Ｂに図示されている。第１ビア群と第２ビア群の位置は、上述通りに規定する。第１電極または上部電極５７４ａは、アーチ型の上部絶縁エリア５７６ａと一緒に（フォトレジスト・マスキングとエッチングにより）、第１電極５７４ａとデバイス５７０の第１末端の間の第１貫通ビア５９２に隣接する場所に形成される。同様に、第４または下部電極５７４ｄは、アーチ型の下部絶縁エリア５７６ｂと一緒に、第４電極５７４ｄとデバイス５７０の第１末端の間にある第１貫通ビア５９２に隣接する場所に形成される。第２電極と第３電極（中間）５７４ｂ、５７４ｃも同様に、中間アーチ型絶縁エリア５７８ａ、５７８ｂと一緒に、中間電極５７４ｂ、５７４ｃとデバイス５７０の第２末端の間にある第２貫通ビア５９４に隣接する場所に形成される。次に、第１積層シート構造体と第２積層シート構造体は、（プレプレグ、ポリマーまたはエポキシ樹脂の）中間絶縁層５８０によって複数の活性層を積層した構造体の内部に一緒に積層され、その結果、下部絶縁エリア５７６ａと下部絶縁エリア５７６ｂが構造体の第１末端に整列され、中間絶縁エリア５７８ａ、５７８ｂは構造体の反対末端に整列される。中間絶縁エリア５７８ａ、５７８ｂは、中間絶縁層５８０によって充填される。

プレプレグ、絶縁性ポリマーまたはエポキシ樹脂製などの頂部絶縁層５８２は、第１電極５７４ａの露出面に形成され、材質が同じ底部絶縁層５８４は、第４電極５７４ｄの露出面に形成される。頂部絶縁層５８２は、上部絶縁エリア５７６ａを充填し、底部絶縁層５８４は、下部絶縁エリア５７６ｂを充填する。底部金属被覆層（好ましくは銅箔）を底部絶縁層５８４の露出面に形成し、フォトレジスト・マスクとエッチングプロセスにより、底部絶縁層５８４の露出エリアによって分離される第１と第２面実装端子５８６、５８８を形成する。同様に、頂部金属被覆層（好ましくは銅箔）を頂部絶縁層５８２に形成し、フォトレジスト・マスクとエッチングプロセスによりアンカーパッド６００と（オプションの）識別用マーキング５９０を形成する。頂部金属被覆層と底部金属被覆層のフォトレジスト・マスクとエッチングは、後述するように、ビア５９２、５９４が形成・メッキされる前か後に実施される。頂部金属被覆層と頂部絶縁層５８２は、積層体としてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用する。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層５８４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。どちらの場合も、結果として、第１活性ポリマー層５７２ａと第２活性ポリマー層５７２ｂ、第１または上部電極５７４ａ、中間第２電極５７４ｂと中間第３電極５７４ｃ、第４または下部電極５７４ｄ、中間絶縁層５８０、頂部絶縁層５８２、底部絶縁層５８４、底部金属被覆層で構成される複数の活性層を積層した構造体が得られる。フォトレジスト・マスキングとエッチングのような従来技術を用いて、頂部金属被覆層は、アンカーパッド６００とオプションの識別用マーキング５９０を形成し、底部金属被覆層は、平板端子５８６、５８８を形成する。当該プロセスは、以下に述べる通り、ビアの形成とメッキの前か後のどちらかで実施することができる。

第１貫通ビア５９２は、第１ビア群の各ビア位置において（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）、上述の複数の活性層を有する積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア５９４も同様に（かつできれば同時に）第２ビア群の各ビア位置において、積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス５７０は、第１末端に第１貫通ビア５９２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア５９４を有する。化学エッチング、プラズマエッチング、機械穿孔またはレーザー穿孔などの適切な方法を用いて第２ビア５９４に隣接する頂部絶縁層５８２のアーチ型の部分を除去し、上部電極５７４ａの上に露出アンカー面６０４を形成する。目的は後述する。ビア５９２、５９４をまず穿孔加工し、次にアンカー面６０４を形成するのが望ましいが、ビア５９２、５９４を穿孔加工する前に、所定の第２ビア位置にアンカー面６０４を形成してもよい。

構造体の頂部面と底部面および貫通ビア５９２、５９４ならびにアンカー面６０４は、好ましくは、銅などの単層または複数層の導電性金属層でメッキし、これにより、第１ビア群５９２の各ビアにおいて、第１交差導体群５９６を形成し、第２ビア群５９４の各ビアにおいて、第２交差導体群５９８を形成し、さらにメッキを施したアンカー部６０２をアンカー面６０４の上に形成するが、メッキしたアンカー部６０２は、第２交差導体５９８に隣接する。この時点で、フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスを採用して、第１貫通ビア５９２（ならびにオプションの識別用マーキング５９０）に隣接する位置に頂部金属被覆層からアンカーパッド６００を形成し、さらに底部金属被覆層から平面端子パッド５８６、５８８を形成する。マスキングとエッチングプロセスは、ビア５９２、５９４を形成・メッキする前か後のどちらかで行うことができる。第１交差導体群５９６の各導体は、上部絶縁エリア５７６ａによって第１（上部）電極５７４ａから絶縁され、また下部絶縁層５７６ｂによって第４（下部）電極５７４ｄから絶縁されると同時に、第２と第３（中間）電極５７４ｂ、５７４ｃ、アンカーパッド６００および第１平板端子５８６と物理的・電気的に接触する。同様に、第２交差導体群５９８の各導体は、中間絶縁エリア５７８ａ、５７８ｂによって第２と第３（中間）電極５７４ｂ、５７４ｃから絶縁されると同時に、第１（上部）電極５７４ａ、第４（下部）電極５７４ｄおよび第２平板端子５８８と物理的・電気的に接触する。第１端子５８６は、第１交差導体５９６を経由して第２および第３（中間）電極５７４ｂ、５７４ｃと電気的に接触し、第２端子５８８は、第２交差導体５９８を経由して第１（上部）電極５７４ａおよび第４（下部）電極５７４ｄと電気的に接触する。

第１交差導体５９６の上部と下部末端は、それぞれアンカーパッド６００および第１平板端子５８６と接続することにより、しっかりと固定される。第２交差導体５９８の上部末端は、上部電極５７４ａおよびアンカー部６０２との接続により、しっかり固定され、第２交差導体の下部末端は、下部第２端子５８８との接続により、しっかり固定される。露出金属エリア、特に端子５８６、５８８、交差導体５９６、５９８、アンカーパッド６００およびメッキしたアンカー部６０２（ならびに存在する場合、識別用マーキング５９０）は、例えば、ＥＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また、銅メッキを行った直後に、ニッケルと金、ニッケルとスズ、またはスズのみを電気メッキ法により過剰メッキしてもよい。

図１４Ａ、図１４Ｂおよび図１４Ｃは、本発明の第７実施形態に従って、導電性ポリマーデバイス６３０を図示したものである。デバイス６３０は、前述した図８Ａ〜８Ｃの実施形態とは異なり、頂部絶縁層上のアンカーパッドは一つしかない。デバイス６３０には、上部金属箔電極６３４と下部箔電極６３６の間に積層された導電性ポリマー素材の単層の活性層６３２が含まれる。第１貫通ビア群と第２貫通ビア群の位置は、シート構造体１０（図１Ａ）の内部で規定される。第１ビア群の各ビア位置は、対応する第２ビア群の各ビア位置から、単一デバイス６３０の長さに相当する所定の距離だけ離される。第１ビア群の各ビア位置に隣接する上部電極６３４のアーチ型のエリアが（例えば、従来のフォトレジスト・マスキングやエッチングにより）除去され、上部電極６３４の第１末端に上部絶縁エリア６３８を形成する。同様に、第２ビア群の各ビア位置に隣接する下部電極６３６のアーチ型のエリアが除去され、第２電極６３６の反対側の末端に下部絶縁エリア６４０を形成する。

プレプレグ、絶縁性ポリマーまたはエポキシ製などの上部絶縁層６４２を上部電極６３４の露出面に形成し、材質が同じ下部絶縁層６４４を下部電極６３６の露出面に形成する。頂部絶縁層６４２が上部絶縁エリア６３８を充填し、底部絶縁層６４４が下部絶縁エリア６４０を充填する。後述するように、底部金属被覆層（好ましくは銅箔）を底部絶縁層の露出面に形成して、第１面実装端子６４６と第２面実装端子６４８を形成する。同様に、頂部金属被覆層（好ましくは銅箔）を頂部絶縁層６４２に形成し、後述するように、アンカーパッド６６０およびオプションの識別用マーキング６５０を形成する。頂部金属被覆層と頂部絶縁層６４２は、積層体としてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用する。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層６４４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。どちらの場合も、結果として、単層の活性ポリマー層６３２、上部電極６３４、下部電極６３６、頂部絶縁層６４２、底部絶縁層６４４、底部金属被覆層、ならびに頂部金属被覆層で構成される積層構造体が得られる。

第１貫通ビア６５２は、第１ビア群の各ビア位置において（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）、上述の積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア６５４も同様に（かつなるべく同時に）第２ビア群の各ビア位置において、積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス６３０は、第１末端に第１貫通ビア６５２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア６５４を有する。

この時、構造体の頂部面と底部面および貫通ビア６５２、６５４の内壁面は、好ましくは、銅など単層または複層の導電性金属層でメッキされ、これにより、第１交差導体群６５６を第１ビア群６５２の各ビアにおいて形成し、第２交差導体群６５８を第２ビア群６５４の各ビアにおいて形成する。フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスを用いて、頂部金属被覆層からアンカーパッド６６０とオプションの識別用マーキング６５０を形成し、さらに底部金属被覆層から平板端子６４６、６４８を形成する。マスキングとエッチングプロセスは、ビア６５２、６５４を形成・メッキする前か後のどちらかで行うことができる。第１交差導体群６５６の各導体は、上部絶縁エリア６３８によって上部電極６３４から絶縁されると同時に、下部電極６３６、および第１端子６４６と物理的・電気的に接触する。また、第１交差導体群６５６の各導体は、第１端子６４６と一緒に第１交差導体６５６のアンカーポイントとしての役割を果たす第１アンカーパッド６６０と物理的に接続される。同様に、第２交差導体群６５８の各導体は、下部絶縁エリア６４０によって下部電極６３６から電気的に絶縁されると同時に、上部電極６３４、および第２端子６４８と物理的・電気的に接触する。露出金属エリア、特に端子６４６、６４８、交差導体６５６、６５８、オプションのアンカーパッド６６０、ならびに（存在する場合は識別用マーキング６５０）は、例えば、ＥＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また、銅メッキを行った直後に、ニッケルと金、ニッケルとスズ、またはスズのみを電気メッキ法により過剰メッキしてもよい。

図１５Ａ、図１５Ｂおよび図１５Ｃは、図１４Ａ〜１４Ｃに示す実施形態の応用例として、複数の活性層を有するデバイス６７０を示す。複数の活性層を有するデバイス６７０は、少なくとも１組の面実装端子を用いて並列に接続され、垂直に積層された導電性ポリマー素材の第１活性層６７２ａと第２活性層６７２ｂを含む。第１活性層６７２ａは、第１積層シート構造体の第１および第２金属箔電極６７４ａと６７４ｂの間に積層され、第２活性層６７２ｂは、第２積層シート構造体の第３および第４金属箔電極６７４ｃと６７４ｄの間に積層される。各シート構造体のタイプは、上述した図１Ａと１Ｂに図示される。第１ビア群と第２ビア群の各ビア位置は、上述した通りに規定する。第１ビア群の各ビア位置に隣接する第１電極６７４ａと第４電極６７４ｄのアーチ型エリアは（例えば、従来のフォトレジスト・マスキングとエッチングにより）除去され、第１電極６７４ａと第４電極６７４ｄの第１末端に上部絶縁エリア６７６ａと下部絶縁エリア６７６ｂを形成する。同様に、第２ビア群の各ビア位置に隣接する第２と第３電極６７４ｂ、６７４ｃのアーチ型エリアが除去され、第２と第３電極６７４ｂ、６７４ｃの反対側末端に中間絶縁エリア６７８ａと６７８ｂを形成する。次に、第１と第２積層シート構造体は、（プレレグ、ポリマーまたはエポキシ製）中間絶縁層６８０により、複数の活性層を積層した構造体を形成し、その結果、上部絶縁エリア６７６ａと下部絶縁エリア６７６ｂは、構造体の第１末端に整列され、中間絶縁層６７８ａと６７８ｂは構造体の反対側末端に整列される。中間絶縁エリア６７８ａ、６７８ｂは中間絶縁層６８０により充填される。

プレプレグ、絶縁性ポリマーまたはエポキシ樹脂などの頂部絶縁層６８２は、第１電極６７４ａの露出面に形成され、材質が同じ底部絶縁層６８４は第４電極６７４ｄの露出面に形成される。頂部絶縁層６８２は上部絶縁エリア６７６ａを充填し、底部絶縁層６８４は下部絶縁エリア６７６ｂを充填する。底部金属被覆層（好ましくは銅箔）を底部絶縁層の露出面に形成し、以下で述べる通り、面実装第１端子と第２端子６８６、６８８を形成する。同様に、頂部金属被覆層（好ましくは銅箔）を頂部絶縁層６８２の露出面に形成し、後述するように、アンカーパッド７００および（オプションの）識別マーキング６９０を形成する。頂部金属被覆層と頂部絶縁層６８２は、積層体としてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用する。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層６８４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。どちらの場合も、結果として、第１と第２活性ポリマー層６７２ａ、６７２ｂ、第１または上部電極６７４ａ、中間第２電極６７４ｂと中間第３電極６７４ｃ、第４または下部電極６７４ｄ、中間絶縁層６８０、頂部絶縁層６８２、底部絶縁層６８４、底部金属被覆層、ならびに頂部金属被覆層からなる複数の活性層を積層してなる構造体が得られる。

第１貫通ビア６９２は、第１ビア群の各ビア位置において（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）、上述の複数の活性層を有する積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア６９４も同様に（かつできれば同時に）第２ビア群の各ビア位置において、積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス６７０は第１末端に第１貫通ビア６９２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア６９４を有する。

この時、構造体の頂部面と底部面および貫通ビア６９２、６９４の内壁面は、好ましくは、銅など単層または複層の導電性金属層でメッキされ、これによって、第１交差導体群６９６を第１ビア群６９２の各ビアにおいて形成し、第２交差導体群６９８を第２ビア群６９４の各ビアに形成する。フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスを用いて、頂部金属被覆層からアンカーパッド７００とオプションの識別用マーキング６９０を形成し、さらに底部金属被覆層から平板端子６８６、６８８を形成する。マスキングとエッチングプロセスは、ビア６９２、６９４を形成（・メッキ）する前か後のどちらかで行うことができる。第１交差導体群６９６の各導体は、上部絶縁エリア６７６ａおよび下部絶縁エリア６７６ｂによって第１（上部）電極６７４ａおよび第４（下部）電極６７４ｄから絶縁されると同時に、第２と第３（中間）電極６７４ｂ、６７４ｃおよび第１端子６８６と物理的・電気的に接触する。第１交差導体群６９６もそれぞれ、第１端子６８６と一緒に第１交差導体群６９６に対してアンカーポイントの役目を果たす第１アンカーパッド７００に物理的に接続される。同様に、第２交差導体群６９８の各導体は、中間絶縁エリア６７８ａ、６７８ｂによって第２および第３（中間）電極６７４ｂ、６７４ｃから電気的に絶縁されると同時に、第１（上部）電極６７４ａ、第４（下部）電極６７４ｄおよび第２端子６８８と物理的・電気的に接触する。露出金属エリア、特に端子６８６、６８８、交差導体６９６、６９８およびオプションのアンカーパッド７００（ならびに存在する場合、識別用マーキング６９０）は、例えば、ＥＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また、銅メッキを行った直後に、ニッケルと金、ニッケルとスズ、またはスズのみを電気メッキ法により過剰メッキしてもよい。

図１６Ａ、図１６Ｂおよび図１６Ｃは、導電性ポリマーデバイス７３０を本発明の第８実施形態に従って図示したものである。この実施形態は、図１４Ａ〜１４Ｃの実施形態と同様であるが、デバイス７３０が頂部絶縁層の他方の末端上にアンカーパッドを有する点で異なる。デバイス７３０には、上部金属箔電極７３４と下部箔電極７３６の間に積層した導電性ポリマー素材の単層の活性層７３２が含まれる。第１と第２の貫通ビア群の位置は、シート構造体１０（図１Ａ）の内部で規定される。第１ビア群の各ビア位置は、対応する第２ビア群の各ビア位置から、単一のデバイス７３０の長さに対応する所定の距離だけ離される。第１ビア群の各ビア位置に隣接する上部電極７３４のアーチ型エリアは（例えば、従来のフォトレジスト・マスキングやエッチングにより）除去され、上部電極７３４の第１末端に上部絶縁エリア７３８を形成する。同様に、第２ビア群の各ビア位置に隣接する下部電極７３６のアーチ型エリアが除去され、第２電極７３６の反対側末端に下部絶縁エリア７４０を形成する。

プレプレグ、絶縁性ポリマーまたはエポキシ製などの上部絶縁層７４２を上部電極７３４の露出面に形成し、材質が同じ下部絶縁層７４４を下部電極７３６の露出面に形成する。頂部絶縁層７４２が上部絶縁エリア７３８を充填し、底部絶縁層７４４が下部絶縁エリア７４０を充填する。後述するように、底部金属被覆層（好ましくは銅箔）を底部絶縁層の露出面に形成して、第１面実装端子７４６と第２面実装端子７４８を形成する。同様に、頂部金属被覆層（好ましくは銅箔）を頂部絶縁層７４２に形成し、後述するように、アンカーパッド７６２およびオプションの識別用マーキング７５０を形成する。頂部金属被覆層と頂部絶縁層７４２は、積層体としてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用する。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層７４４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。どちらの場合も、結果として、単層の活性ポリマー層７３２、上部電極７３４、下部電極７３６、頂部絶縁層７４２、底部絶縁層７４４、底部金属被覆層、ならびに頂部金属被覆層で構成される積層構造体が得られる。

第１貫通ビア７５２は、第１ビア群の各ビア位置において（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）、上述の積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア７５４も同様に（かつなるべく同時に）第２ビア群の各ビア位置において、積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス７３０は、第１末端に第１貫通ビア７５２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア７５４を有する。

この時、構造体の頂部面と底部面および貫通ビア７５２、７５４の内壁面は、好ましくは、銅などの単層または複層の導電性金属層でメッキされ、これにより、第１交差導体群７５６を第１ビア群７５２の各ビアにおいて形成し、第２交差導体群７５８を第２ビア群７５４の各ビアにおいて形成する。フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスを採用して、頂部金属被覆層からアンカーパッド７６２とオプションの識別用マーキング７５０を形成し、底部金属被覆層から平板端子７４６、７４８を形成（・メッキ）する。マスキングとエッチングプロセスは、ビア７５２、７５４を形成・メッキする前か後のどちらかで行うことができる。第１交差導体群７５６の各導体は、上部絶縁エリア７３８によって上電極７３４から電気的に絶縁さると同時に、下部電極７３６および第１端子７４６と物理的・電気的に接触する。また、第１交差導体群７５６の各導体は、第１端子７４６と一緒に、第１交差導体群７５６に対するアンカーポイントの役目を果たすアンカーパッド７６２と物理的に接続する。同様に、第２交差導体群７５８の各導体は、下部絶縁エリア７４０によって下部電極７３６から電気的に絶縁されると同時に、上部電極７３４および第２端子７４８と物理的・電気的に接触する。露出金属エリア、特に端子７４６、７４８、交差導体７５６、７５８、オプションのアンカーパッド７６２、（ならびに存在する場合は識別用マーキング７５０）は、例えば、ＥＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また、銅メッキを行った直後に、ニッケルと金、ニッケルとスズ、またはスズのみを電気メッキ法により過剰メッキしてもよい。

図１７Ａ、図１７Ｂおよび図１７Ｃは、図１６Ａ〜１６Ｃの実施形態の応用例である複数の活性層を有するデバイス７７０を示す。複数の活性層を有するデバイス７７０は、少なくとも１組の面実装端子を用いて並列に接続され、垂直に積層されてなる導電性ポリマー素材の第１活性層７７２ａと第２活性層７７２ｂを含む。第１活性層７７２ａは第１積層シート構造体の第１と第２金属箔電極７７４ａ、７７４ｂの間に積層され、第２活性層７７２ｂは第２積層シート構造体の第３と第４金属箔電極７７４ｃと７７４ｄの間に積層される。各シート構造体のタイプは、上述された図１Ａと１Ｂに示される。第１ビア群と第２ビア群の各ビア位置は、上述した通りに規定する。第１ビア群の各ビア位置に隣接する第１電極７７４ａと第４電極７７４ｄのアーチ型のエリアを（例えば、従来のフォトレジスト・マスキングとエッチングにより）除去し、第１電極７７４ａと第４電極７７４ｄの第１末端に上部絶縁エリア７７６ａと下部絶縁エリア７７６ｂを形成する。同様に、第２ビア群の各ビア位置に隣接する第２電極７７４ｂと第３電極７７４ｃのアーチ型のエリアを除去し、第２電極７７４ｂと第３電極７７４ｃの反対側の末端に、中間絶縁エリア７７８ａと７７８ｂを形成する。次に、第１と第２積層シート構造体は、（プレレグ、ポリマーまたはエポキシ製）中間絶縁層７８０により、複数の活性層を積層した構造体を形成し、その結果、上部絶縁エリア７７６ａと下部絶縁エリア７７６ｂは、構造体の第１末端に整列され、中間絶縁層７７８ａと７７８ｂは、構造体の反対側末端に整列される。中間絶縁エリア７７８ａ、７７８ｂは、中間絶縁層７８０により充填される。

プレプレグ、絶縁性ポリマーまたはエポキシ樹脂などの頂部絶縁層７８２を、第１電極７７４ａの露出面に形成し、同じ材料の底部絶縁層７８４を第４電極７７４ｄの露出面に形成する。頂部絶縁層７８２は、上部絶縁エリア７７６ａを充填し、底部絶縁層７８４は、下部絶縁エリア７７６ｂを充填する。底部金属被覆層（好ましくは銅箔）を底部絶縁層の露出面に形成し、後述する通り、第１と第２面実装端子７８６、７８８を形成する。同様に、頂部金属被覆層（好ましくは銅箔）を頂部絶縁層７８２の露出面に形成し、後述するように、アンカーパッド８０２および（オプションの）識別マーキング７９０を形成する。頂部金属被覆層と頂部絶縁層７８２は、積層体としてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用する。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層７８４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。いずれの場合も、結果として、第１と第２活性ポリマー層７７２ａ、７７２ｂ、第１または上部電極７７４ａ、中間第２と第３電極７７４ｂ、７７４ｃ、第４または下部電極７７４ｄ、中間絶縁層７８０、頂部絶縁層７８２、底部絶縁層７８４、底部金属被覆層、および頂部金属被覆層からなる複数の活性層を積層した構造体が得られる。

第１貫通ビア７９２は、第１ビア群の各ビア位置において（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）、上述の複数の活性層を有する積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア７９４も同様に（かつできれば同時に）第２ビア群の各ビア位置において、積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス７７０は、第１末端に第１貫通ビア７９２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア７９４を有する。

この時、構造体の頂部面と底部面および貫通ビア７９２、７９４の内壁面は、好ましくは、銅など単層または複層の導電性金属層でメッキされ、これにより、第１交差導体群７９６を第１ビア群７９２の各ビアにおいて形成し、第２交差導体群７９８を第２ビア群７９４の各ビアにおいて形成する。フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスを用いて、頂部金属被覆層からアンカーパッド８０２とオプションの識別用マーキング７９０を形成し、さらに底部金属被覆層から平板端子７８６、７８８を形成する。マスキングとエッチングプロセスは、ビア７９２、７９４を形成・メッキする前か後のどちらかで行うことができる。第１交差導体群７９６の各導体は、上部絶縁エリア７７６ａと下部絶縁エリア７７６ｂによりそれぞれ、第１（上部）電極７７４ａおよび第４（下部）電極７７４ｄから電気的に絶縁されると同時に、第２と第３（中間）電極７７４ｂ、７７４ｃおよび第１端子７８６と物理的・電気的に接触する。同様に、第２交差導体群７９８の各導体は、中間絶縁エリア７７８ａ、７７８ｂにより第２と第３（中間）電極７７４ｂ、７７４ｃから電気的に絶縁されると同時に、第１（上部）電極７７４ａ、第４電極（下部）電極７７４ｄおよび第２金属被覆層７８８と物理的・電気的に接触する。第２交差導体群７９８の各導体も、第２端子７８８と一緒に、第２交差導体７９６に対してアンカーポイントの役目をするアンカーパッド８０２と物理的に接続する。露出金属エリア、特に端子７８６、７８８、交差導体７９６、７９８およびオプションのアンカーパッド８０２（ならびに存在する場合、オプションの識別用マーキング７９０）は、例えば、ＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また、銅メッキを行った直後に、ニッケルと金、ニッケルとスズ、またはスズのみを電気メッキ法により過剰メッキしてもよい。

図１８Ａ、図１８Ｂおよび図１８Ｃは、本発明の第９実施形態に従って、導電性ポリマーデバイス８３０を図示したものである。この実施形態は、図１０Ａ〜１０Ｃの実施形態と同様であるが、デバイス８３０ではビア位置用の面取り加工された入口穴とアンカーパッドの位置が入れ替わる（一方の端から他方の端へ）という点で異なる。デバイス８３０は、上部金属箔電極８３４と下部箔電極８３６の間に積層した単層の導電性ポリマー素材の活性層８３２を含む。構造的には、デバイス８３０は、上部電極８３４とデバイス８３０の第１末端の間の第１貫通ビア８５２に隣接する位置に、アーチ型上部絶縁エリア８３８を有する。また、当該デバイスは、下部電極８３６とデバイス８３０の反対末端の間の第２貫通ビア８５４と隣接する位置にアーチ型下部絶縁エリア８４０を有する。頂部絶縁層８４２は、上部電極８３４の露出面に形成され、上部絶縁エリア８３８に充填され、底部絶縁層８４４は同様に、下部電極８３６の露出面に形成され、下部絶縁エリア８４０に充填される。後述するように、好ましくは、銅箔の底部金属被覆層２０（図１Ａ、図１Ｂ）（好ましくは銅箔）を底部絶縁層の露出面に形成し、後述するように、第１面実装端子８４６、第２面実装端子８４８を形成する。同様に、好ましくは銅箔の頂部金属被覆層１８（図１Ａ、図１Ｂ）を頂部絶縁層８４２に形成し、後述するように、アンカーパッド８６２および（オプションの）識別用マーキング８５０を形成する。頂部金属被覆層と頂部絶縁層８４２は、積層体としてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用する。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層８４４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。どちらの場合も、結果として、単層の活性ポリマー層８３２、上部電極８３４、下部電極８３６、頂部絶縁層８４２、底部絶縁層８４４、底部金属被覆層、ならびに頂部金属被覆層で構成される積層構造体が得られる。

第１貫通ビア８５２は、第１ビア群の各ビア位置において（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）、上述の積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア８５４も同様に（かつなるべく同時に）、第２ビア群の各ビア位置において、積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス８３０は、第１末端に第１貫通ビア８５２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア８５４を有する。この時、第１ビア８５２の頂部入口または開口部は、例えば円錐形ドリルビット（図示せず）を用いた穿孔など、適切なメカニズムまたは方法で、面取り加工かベベル加工が施され、第１ビア８５２用の面取り加工またはベベル加工された入口穴８６０を形成する。まずビア８５２、８５４を穿孔し、次に面取り加工した入口穴８６０を形成することが望ましいが、所定の第１ビア位置に面取り加工した入口穴８６０を形成し、次にビア８５２、８５４を穿孔してもよい。入口穴８６０は、上部絶縁層８４２と上部絶縁エリア８３８を貫通させて拡張する。

構造体の頂部と底部表面、および面取り加工した入口穴８６０を含む貫通ビア８５２、８５４の内壁面は、好ましくは、銅などの単層または複層の導電性金属層でメッキされ、これにより、第１交差導体群８５６を第１ビア群８５２の各ビアにおいて形成し、第２交差導体群８５８を第２ビア群８５４の各ビアにおいて形成する。フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスにより、頂部金属被覆層からアンカーパッド８６２とオプションの識別用マーキング８５０を形成し、さらに底部金属被覆層から平面端子８４６、８４８の一方または両方を形成する。マスキングとエッチングプロセスは、ビア８５２、８５４を形成・メッキする前か後のどちらかで行うことができる。第１交差導体８５６の各導体は、上部絶縁エリア８３８によって上部電極８３４から電気的に絶縁されると同時に、下部電極８３６および第１端子８４６と物理的・電気的に接触する。同様に、第２交差導体群８５８の各導体は、下部絶縁エリア８４０によって下部電極８３６から絶縁されると同時に、アンカーパッド８６２、上部電極８３４および第２端子８４８と物理的・電気的に接触する。このように、第１端子８４６は、第１交差導体群８５６を通して、下部電極８３６と電気的に接触し、第２端子８４８は、第２交差導体群８５８を通して、上部電極８３４と電気的に接触する。露出金属エリア、特に端子８４６、８４８、交差導体８５６、８５８、アンカーパッド８６２、ならびに（存在する場合）オプションの識別用マーキング８５０は、例えば、ＥＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また、銅メッキを行った直後に、ニッケルと金、ニッケルとスズ、またはスズのみを電気メッキ法により過剰メッキしてもよい。

第２交差導体群８５８の上部末端と下部末端は、それぞれアンカーパッド８６２と第２端子８４８に接続することによって、しっかり固定される。第１交差導体群８５６の上部末端と下部末端は、それぞれ面取りしたビア入口穴８６０と第１端子８４６に接続することによって、しっかり固定される。

図１９Ａ、図１９Ｂおよび図１９Ｃは、図１８Ａ〜１８Ｃに示す実施形態の応用例として、複数の活性層を有するデバイス８７０を示す。複数の活性層を有するデバイス８７０は、少なくとも１組の面実装端子を用いて並列に接続され、垂直に積層された導電性ポリマー素材の第１活性層８７２ａと第２活性層８７２ｂを有する。デバイス８７０は、導電性ポリマー素材の第１と第２活性層８７２ａ、８７２ｂを有する。第１活性層８７２ａは、第１積層シート構造体内の第１、第２金属箔電極８７４ａ、８７４ｂの間に積層され、第２活性層８７２ｂは、第２積層シート構造体中の第３と第４金属箔電極８７４ｃ、８７４ｄの間に積層される。各シート構造体のタイプは各々、上述の通り、図１Ａと図１Ｂに図示される。第１ビア群と第２ビア群の各ビア位置は、上述した通りに規定する。第１または上部電極８７４ａは（フォトレジスト・マスキングとエッチングにより）、アーチ型の上部絶縁エリア８７６ａと一緒に、第１電極８７４ａとデバイス８７０の第１末端の間の第１貫通ビア８９２に隣接する位置に形成される。同様に、第４または下部電極８７４ｄは、アーチ型の下部絶縁エリア８７６ｂと一緒に、第４電極８７６ｄとデバイス８７０の第１末端の間に形成される。第２と第３（中間）電極８７４ｂ、８７４ｃは同様に、中間アーチ型絶縁エリア８７８ａ、８７８ｂと一緒に、中間電極８７４ｂ、８７４ｃとデバイス８７０の第２末端の間に形成される。次に、第１と第２の積層シート構造体は、（プレプレグ、ポリマーまたはエポキシ樹脂の）中間絶縁層８８０により、複数の活性層を積層した構造体を形成し、その結果、上部絶縁エリア８７６ａと下部絶縁エリア８７６ｂが構造体の第１末端に整列され、中間絶縁エリア８７８ａ、８７８ｂは構造体の反対側の末端に整列される。中間絶縁エリア８７８ａ、８７８ｂは、中間絶縁層８８０によって充填される。

プレプレグ、絶縁性ポリマーまたはエポキシ樹脂などの頂部絶縁層８８２は、第１電極８７４ａの露出面に形成され、材質が同じ底部絶縁層８８４は、第４電極８７４ｄの露出面に形成される。頂部絶縁層８８２は、上部絶縁エリア８７６ａを充填し、底部絶縁層８８４は、下部絶縁エリア８７６ｂを充填する。底部金属被覆層（好ましくは銅箔）を底部絶縁層８８４の露出面に形成し、フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスにより、底部絶縁層８８４の露出面によって分離される第１と第２面実装端子８８６、８８８を形成する。同様に、頂部金属被覆層（好ましくは銅箔）を頂部絶縁層８８２に形成し、フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスにより、アンカーパッド９０２と（オプションの）識別用マーキング８９０を形成する。頂部と底部金属被覆層のフォトレジスト・マスクとエッチング工程は、後述するように、ビア８９２、８９４を形成・メッキする前か後のどちらかで行うことができる。頂部金属被覆層と頂部絶縁層８８２は、積層体としてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用する。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層８８４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。どちらの場合も、結果として、第１と第２活性ポリマー層８７２ａ、８７２ｂ、第１または上部電極８７４ａ、中間第２、第３電極８７４ｂ、８７４ｃ、第４または下部電極８７４ｄ、中間絶縁層８８０、頂部絶縁層８８２、底部絶縁層８８４、底部金属被覆層、ならびにオプションの頂部金属被覆層で構成される複数の活性層を有する積層体が得られる。頂部および底部金属被覆層は、アンカーパッド９０２、識別用マーキング８９０および端子８８６、８８８に成形することができる。

第１貫通ビア８９２は、第１ビア群の各ビア位置において（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）、上述の複数の活性層を有する積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア８９４も同様に（かつできれば同時に）第２ビア群の各ビア位置において、積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス８７０は、第１末端に第１貫通ビア８９２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア８９４を有する。この時、第１ビア８９２の頂部入口または開口部は、例えば円錐形ドリルビット（図示せず）など、適切な機械的または化学的方法により面取り加工が施され、第１ビア８９２用の面取り加工またはベベル加工された入口穴９００を形成する。まずビア８９２、８９４を穿孔し、次に面取りした入口穴９００を形成することが望ましいが、所定のビア位置に面取りした入口穴９００を形成した後で、第２ビア８９２、８９４を穿孔してもよい。入口穴９００は、上部絶縁層８４２（８８２）と上部絶縁エリア８７６ａを貫通して拡張する。

構造体の頂部と底部表面、および各第１ビア８９２の面取り加工した入口穴９００を含む貫通ビア８９２、８９４の内壁面は、好ましくは、銅などの単層または複層の導電性金属層でメッキする。これにより、第１交差導体群８９６を第１ビア群８９２の各ビアにおいて形成し、第２交差導体群８９８を第２ビア群８９４の各ビアにおいて形成する。フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスにより、頂部金属被覆層からアンカーパッド９０２およびオプションの識別用マーキング８９０を形成し、底部金属被覆層から平面端子８８６、８８８を形成する。マスキングとエッチングプロセスは、ビア８９２、８９４を形成・メッキする前か後のどちらかで行うことができる。第１交差導体群８９６の各導体は、上部絶縁エリア８７６ａによって第１（上部）電極８７４ａから電気的に絶縁され、下部絶縁層８７６ｂによって第４（下部）電極８７４ｄから電気的に絶縁されると同時に、第２と第３（中間）電極８７４ｂ、８７４ｃ、および第１平板端子８８６と物理的・電気的に接触する。同様に、第２交差導体群８９８の各導体は、中間絶縁エリア８７８ａ、８７８ｂによって第２と第３（中間）電極８７４ｂ、８７４ｃから電気的に絶縁されると同時に、第１（上部）電極８７４ａ、第４（下部）電極８７４ｄ、アンカーパッド９０２、ならびに第２平面端子８８８と物理的・電気的に接触する。第１端子８８６は、第１交差導体群８９６を経由して第２および第３（中間）電極８７４ｂ、８７４ｃと接続し、第２端子８８８は、第２交差導体８９８を経由して第１（上部）電極８７４ａおよび第４（下部）電極８７４ｄと電気的に接続する。

第１交差導体群８９６の上部末端と下部末端は、それぞれ面取り加工した入口穴９００と第１平板端子８８６に接続することによって、しっかり固定される。第２交差導体群８９８の上部末端と下部末端は、それぞれアンカーパッド９０２と下部第２端子８８８に接続することによって、しっかり固定される。露出金属エリア、特に端子８８６、８８８、交差導体８９６、８９８、アンカーパッド９０２、（ならびに存在する場合、オプションの識別用マーキング８９０）は、例えば、ＥＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また、銅メッキを行った直後に、ニッケルと金、ニッケルとスズ、またはスズのみを電気メッキ法により過剰メッキしてもよい。

図２０Ａ、図２０Ｂおよび図２０Ｃは、本発明の第１０実施形態に従って、導電性ポリマーデバイス９７０を図示したものである。複数の活性層を有するデバイス９７０は、少なくとも１組の面実装端子を用いて並列に接続され、垂直に積層されてなる導電性ポリマー素材の第１活性層９７２ａと第２活性層９７２ｂを有する。デバイス９７０は、主に貫通ビア中に形成される交差導体に関する電極の配置に関して、前述のデバイスとは異なる。デバイス９７０は、導電性ポリマー素材の第１と第２活性層９７２ａ、９７２ｂを有する。第１活性層９７２ａは、第１積層シート構造体中の第１、第２金属箔電極９７４ａ、９７４ｂの間に積層され、第２活性層９７２ｂは、第２積層シート構造体中の第３と第４金属箔電極９７４ｃ、９７４ｄの間に積層される。各シート構造体のタイプは、上述した図１Ａと図１Ｂに図示される。第１ビア群と第２ビア群の各ビア位置は、上述した通りに規定する。第１または上部電極９７４ａおよび第３電極９７４ｃを形成する箔層は、（例えば、フォトレジスト・マスキングとエッチングにより）エッチングされ、第１と第３電極９７４ａ、９７４ｃとデバイス９７０の第１末端の間の第１貫通ビア９９２位置に隣接する場所に、それぞれアーチ型の上部絶縁エリア９７６ａおよび第１中間絶縁エリア９７８ａを形成する。同様に、第２電極９７４ｂおよび第４（下部）電極９７４ｄを形成する箔は、第２と第４電極９７４ｂ、９７４ｄおよびデバイス９７０の第２末端との間の第２貫通ビア９９４位置に隣接する場所に、それぞれアーチ型の第２中間絶縁エリア９７８ｂとアーチ型の下部絶縁エリア９７６ｂを形成する。第１と第２積層シート構造体は、（プレプレグ、ポリマーまたはエポキシ樹脂の）中間絶縁層９８０により、複数の活性層を積層した構造体を形成し、上部と第１中間絶縁エリア９７６ａ、９７８ａは、構造体の第１末端に整列され、下部および第２絶縁エリア９７６ｂ、９７８ｂは構造体の反対の末端に整列される。中間絶縁エリア９７８ａ、９７８ｂは、中間絶縁層９８０により充填される。

プレプレグ、絶縁性ポリマーまたはエポキシ樹脂などの頂部絶縁層９８２は、第１電極９７４ａの露出面に形成され、同じ材料の底部絶縁層９８４は第４電極９７４ｄの露出面に形成される。頂部絶縁層９８２は、上部絶縁エリア９７６ａを充填し、底部絶縁層９８４は、下部絶縁エリア９７６ｂを充填する。底部金属被覆層（好ましくは銅箔）を底部絶縁層９８４の露出面に形成し、フォトレジスト・マスクとエッチングプロセスにより、底部絶縁層９８４の露出エリアによって分離される第１と第２面実装端子９８６、９８８を形成する。同様に、頂部金属被覆層（好ましくは銅箔）を頂部絶縁層９８２に形成し、フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスによりアンカーパッド１０００と（オプションの）識別用マーキング９９０を形成する。頂部と底部金属被覆層のフォトレジスト・マスキングとエッチングは、後述するように、ビア９９２、９９４が形成・メッキされる前か後に実施される。頂部金属被覆層と頂部絶縁層９８２は、積層体としてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用する。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層９８４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。どちらの場合も、結果として、第１と第２活性ポリマー層９７２ａ、９７２ｂ、第１または上部電極９７４ａ、中間第２と中間第３電極９７４ｂ、９７４ｃ、第４または下部電極９７４ｄ、中間絶縁層９８０、頂部絶縁層９８２、底部絶縁層９８４、底部金属被覆層、ならびに頂部金属被覆層で構成される複数の活性層を有する積層体が得られる。頂部および底部金属被覆層は、アンカーパッド１０００、識別用マーキング９９０および端子９８６、９８８に成形することができる。

第１貫通ビア９９２は、第１ビア群の各ビア位置において（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）、上述の複数の活性層を有する積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア９９４も同様に（かつできれば同時に）、第２ビア群の各ビア位置において、積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス９７０は、第１末端に第１貫通ビア９９２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア９９４を有する。この時、第２ビア９９４の頂部入り口・開口部を、例えば円錐形のドリルビット（図示せず）などで面取りまたはベベル加工し、第２ビア９９４用の面取り加工またはベベル加工された入口穴１００２を形成する。面取り加工された入口穴１００２は、第１または上部電極９７４ａの末端に隣接または通り越して第２ビア９９４まで拡張する。まず、ビア９９２、９９４を穿孔し、続いて面取り加工された入口穴１００２を形成するのが好ましいが、第２ビア９９２、９９４が穿孔される前に、所定のビア位置に面取り加工された入口穴１００２を形成してもよい。入口穴１００２は、上部絶縁層９８２を通って、第１または上部電極９７４ａの末端に隣接もしくは付近を通って第２ビア９９４まで拡張する。

構造体の頂部と底部表面、および面取り加工した第２ビア９９４のそれぞれの入口穴１００２を含む貫通ビア９９２、９９４は、好ましくは、銅などの単層または複層の導電性金属層でメッキされ、これにより、第１交差導体群９９６を第１ビア群９９２の各ビアにおいて形成し、第２交差導体群９９８を第２ビア群９９４の各ビアにおいて形成する。フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスにより、頂部金属被覆層からアンカーパッド１０００とオプションの識別用マーキング９９０を形成し、底部金属被覆層から平面端子９８６、９８８を形成する。マスキングとエッチングプロセスは、ビア９９２、９９４を形成・メッキする前か後のどちらかで行うことができる。第１交差導体群９９６の各導体は、上部絶縁エリア９７６ａによって第１（上部）電極９７４ａから電気的に絶縁され、第１中間絶縁層９７８ａによって第３（中間）電極９７４ｃから電気的に絶縁されると同時に、第２と第４電極９７４ｂ、９７４ｄ、アンカーパッド１０００および第１平板端子９８６と物理的・電気的に接触する。同様に、第２交差導体群９８８は、第２中間絶縁層９７８ａと下部絶縁エリア９７６ｂによって、第２と第４電極９７４ｂ、９７４ｄから電気的に絶縁されると同時に、第一（上部）電極９７４ａ、第３（中間）電極９７４ｃならびに第２平面端子９８８と物理的・電気的に接触する。第１端子９８６は、第１交差導体９９６を経由して第２および第４電極９７４ｂ、９７４ｄと電気的に接触し、第２端子９８８は、第２交差導体９９８を経由して第１（上部）電極９７４ａおよび第３電極９７４ｃと電気的に接触する。

第１交差導体群９９６の上部末端と下部末端は、それぞれアンカーパッド１０００および第１平面端子９８６と接続することによって、しっかり固定される。第２交差導体群９９８の上部末端と下部末端は、それぞれ上部電極９７４ａと下部第２端子９８８に接続することによって、しっかり固定される。露出金属エリア、特に端子９８６、９８８、交差導体９９６、９９８およびアンカーパッド１０００は、例えば、ＥＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また、銅メッキを行った直後に、ニッケルと金、ニッケルとスズ、またはスズのみを電気メッキ法により過剰メッキしてもよい。

図２１Ａ、図２１Ｂおよび図２１Ｃは、図２０Ａ〜２０Ｃに示す実施形態の応用例として、複数の活性層を有するデバイス１０７０を示す。ここでは、三層の積層シート構造体を用いて三層の活性層を有するデバイスを形成している。複数の活性層を有するデバイス１０７０は、少なくとも１組の面実装端子のみ用いて並列に接続され、垂直に積層した導電性ポリマー素材の第１活性層１０７２ａ、第２活性層１０７２ｂおよび第３活性層１０７２ｃで構成される。４層以上の積層シート構造体を用いて、４層以上の活性層を有するデバイスを形成できれば良い。デバイス１０７０は、導電性ポリマー素材の第１、第２、第３活性層１０７２ａ、１０７２ｂ、１０７２ｃを有する。第１活性層１０７２ａは、第１積層シート構造体の第１と第２金属箔電極１０７４ａ、１０７４ｂの間に積層され、第２活性層１０７２ｂは、第２積層シート構造体の第３と第４金属箔電極１０７４ｃ、１０７４ｄの間に積層され、第３活性層１０７２ｃは、第３積層シート構造体の第５と第６金属箔電極１０７４ｅと１０７４ｆの間に積層される。各シート構造体のタイプは、そ上記通り、図１Ａと図１Ｂに図示される。第１ビア群と第２ビア群の各ビア位置は、上述した通りに規定する。第１または上部電極１０７４ａは（フォトレジスト・マスキングとエッチングにより）アーチ型の上部絶縁エリア１０７６ａと一緒に、第１電極１０７４ａとデバイス１０７０の第１末端の間の第１貫通ビア１０９２と隣接する位置に形成される。同様に、第６または下部電極１０７４ｆはアーチ型の下部絶縁エリア１０７６ｂと一緒に、第６電極１０７４ｆとデバイス１０７０の第１末端の間に形成される。第２と第３（中間）電極１０７４ｂ、１０７４ｃも同様に、アーチ型の中間絶縁エリア１０７８ａ、１０７８ｂと一緒に、中間電極１０７４ｂ、１０７４ｃとデバイス１０７０の第２末端の間に形成される。第４と第５（中間）電極１０７４ｄ、１０７４ｅも同様に、アーチ型の中間絶縁エリア１０７８ｃ、１０７８ｄと一緒に、中間電極１０７４ｄ、１０７４ｅとデバイス１０７０の第１末端の間に形成される。次に、第１、第２および第３積層シート構造体は、（プレプレグ、ポリマーまたはエポキシ樹脂）の中間絶縁層１０８０ａ、１０８０ｂを用いて積層され、複数の活性層を積層した構造体を形成する。その結果、絶縁エリア１０７６ａ、１０７８ｃ、１０７８ｄが構造体の第１末端に整列され、中間絶縁エリア１０７８ａ、１０７８ｂ、１０７６ｄが構造体の反対の末端に整列される。中間絶縁エリア１０７８ａ、１０７８ｂは、中間絶縁層１０８０ａで充填され、中間絶縁エリア１０７８ｃ、１０７８ｄは中間絶縁層１０８０ｂによって充填される。

プレプレグ、絶縁性ポリマーまたはエポキシ樹脂などの頂部絶縁層１０８２を第１電極１０７４ａの露出面に形成し、同じ材料の底部絶縁層１０８４を第６電極１０７４ｆの露出面に形成する。頂部絶縁層１０８２は、上部絶縁エリア１０７６ａを充填し、底部絶縁層１０８４は、下部絶縁エリア１０７６ｂを充填する。底部金属被覆層（好ましくは銅箔）を底部絶縁層１０８４の露出面に形成し、フォトレジスト・マスクとエッチングプロセスにより、底部絶縁層１０８４の露出エリアによって分離される第１と第２面実装端子１０８６、１０８８を形成する。同様に、頂部金属被覆層（好ましくは銅箔）を頂部絶縁層１０８２に形成し、フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスによりアンカーパッド１１００と（オプションの）識別用マーキング１０９０を形成する。頂部と底部金属被覆層のフォトレジスト・マスキングとエッチングは、後述するように、ビア１０９２、１０９４が形成・メッキされる前か後に実施される。頂部金属被覆層と頂部絶縁層１０８２は、積層体としてあらかじめ形成して適用するか、順番に一層ずつ適用する。同様に、底部金属被覆層と底部絶縁層１０８４は、あらかじめ形成された積層体として一緒に適用するか、順番に一層ずつ適用する。いずれの場合も、結果として、第１、第２および第３活性ポリマー層１０７２ａ、１０７２ｂ、１０７２ｃ、第１または上部電極１０７４ａ、中間第２、第３、第４および第５電極１０７４ｂ、１０７４ｃ、１０７４ｄ、１０７４ｅ、第６または下部電極１０７４ｆ、中間絶縁層１０８０ａ、１０８０ｂ、頂部絶縁層１０８２、底部絶縁層１０８４、底部金属被覆層、ならびに頂部金属被覆層で構成される複数の活性層を有する積層体が形成される。頂部および底部金属被覆層は、アンカーパッド１１００、識別用マーキング１０９０および端子１０８６、１０８８に成形することができる。

第１貫通ビア１０９２は、第１ビア群の各ビア位置において（例えば、機械穿孔やレーザー穿孔により）、上述の複数の活性層を有する積層構造体の全厚みを貫通して形成され、第２貫通ビア１０９４も同様に（かつできれば同時に）、第２ビア群の各ビア位置において、積層構造体の全厚みを貫通して形成される。このようにして、各デバイス１０７０は、第１末端に第１貫通ビア１０９２を有し、反対側の末端に第２貫通ビア１０９４を有する。この時、第２ビア１０９４の頂部入口または開口部には、例えば円錐形ドリルビット（図示せず）など、適切な機械的または化学的手段により面取り加工かベベル加工を施し、第２ビア１０９４用の面取りまたはベベル加工された入口穴１１０２を形成する。面取り加工された入口穴１１０２は、第１または上部電極１０７４ａの末端に隣接または貫通して第２ビア１０９４まで拡張する。まず、ビア１０９２、１０９４を穿孔し、続いて面取り加工された入口穴１１０２を形成するのが好ましいが、第２ビア１０９２、１０９４が穿孔される前に、所定のビア位置に面取り加工された入口穴１１０２を形成してもよい。

構造体の頂部と底部表面、および第２ビア１０９４のそれぞれの面取り加工された入口穴１１０２を含む貫通ビア１０９２、１０９４の内壁面を、好ましくは、銅などの単層または複層の導電性金属層でメッキし、これにより、第１交差導体群１０９６を第１ビア群１０９２の各ビアにおいて形成し、第２交差導体群１０９８を第２ビア群１０９４の各ビアにおいて形成する。フォトレジスト・マスキングとエッチングプロセスを用いて、頂部金属被覆層からアンカーパッド１１００とオプションの識別用マーキング１０９０を形成し、底部金属被覆層から平面端子１０８６、１０８８を形成する。マスキングとエッチングプロセスは、ビア１０９２、１０９４を形成・メッキする前か後のどちらかで行うことができる。第１交差導体群１０９６は、上部絶縁エリア１０７６ａによって第２（上部）電極１０７４ａから電気的に絶縁され、絶縁層１０７８ｃによって第４電極１０７４ｄから、さらに絶縁層１０７８ｄによって第５電極１０７４ｅから電気的に絶縁されると同時に、第２、第３および第６電極１０７４ｂ、１０７４ｃ、１０７４ｆ、アンカーパッド１１００および第１平面端子１０８６と物理的・電気的に接触する。同様に、第２交差導体群１０９８は、それぞれ中間絶縁エリア１０７８ａ、１０７８ｂによって第２および第３（中間）電極１０７４ｂ、１０７４ｃから電気的に絶縁され、絶縁層１０７６ｂによって第６（下部）電極１０７４ｆから電気的に絶縁されると同時に、第１（上部）電極１０７４ａ、第４および第５電極１０７４ｄ、１０７４ｅ、および第２平面端子１０８８と物理的・電気的に接触する。第１端子１０８６は、第１交差導体１０９６を経由して第２、第３および第６電極１０７４ｂ、１０７４ｃ、１０７４ｆと接続し、第２端子１０８８は、第２交差導体１０９８を通して第１（上部）電極１０７４ａ、および第４と第５（中間）電極１０７４ｄ、１０７４ｅと電気的に接触する。

第１交差導体群１０９６の上部末端と下部末端は、それぞれアンカーパッド１１００および第１平面端子１０８６と接続することによって、しっかり固定される。第２交差導体１０９８の上部末端と下部末端は、それぞれ上部電極１０７４ａと下部第２端子１０８８に接続することによって、しっかり固定される。露出金属エリア、特に端子１０８６、１０８８、交差導体１０９６、１０９８およびアンカーパッド１１００は、例えば、ＥＮＩＧ法によるニッケルや金によるメッキ、または無電解のスズのみによるメッキなど、単層または複層のハンダ付けが可能な金属層による過剰メッキを施すのがよい。また、銅メッキを行った直後に、ニッケルと金、ニッケルとスズ、またはスズのみを電気メッキ法により過剰メッキしてもよい。

図２２は本発明の１つの態様に従って（例えば、図１０Ａ〜１０Ｃに例示したデバイス４３０などの）、ポリマーデバイスを生産するための方法２２００を例示したフローチャートである。図２２、および図１Ａ、図１Ｂ、図１０Ａ、図１０Ｂならびに図１０Ｃに従い、ステップＳ２２０２においてプロセスが開始し、導電性ポリマー基板１６（図１Ａと図１Ｂ）が提供される。ステップＳ２２０４では、ポリマー基板１６が上部金属層１２と下部金属層１４（図１Ａと図１Ｂ）の間に積層される。ステップＳ２２０６において、金属層１２と１４がマスキングおよびエッチングされ、上部電極４３４と下部電極４３６（図１０Ｂ）を形成する。ステップＳ２２０８では、上部絶縁層４４２と下部絶縁層４４４が上部電極４３４と下部電極４３６の上にそれぞれ形成される。ステップＳ２２１０で、底部金属被覆層２２および頂部金属被覆層２４（図１Ａ、図１Ｂ）が下部絶縁層４４４と上部絶縁層４４２にそれぞれ形成される。ステップＳ２２１２では、貫通ビア４５２、４５４およびベベル加工された入口穴４６２（図１０Ｂ）が形成される。当該技術分野の一般の当業者は、ある種の実施形態では、貫通ビア４５２、４５４がベベル加工した入口穴を必ずしも含めないと理解するべきである。ステップＳ２２１４において、頂部金属被覆層と底部金属被覆および（ベベル加工した入口穴４６２を含む）ビア４５２、４５４を（好ましくは、厚みが約２５ミクロンの）銅で電気メッキし、交差導体４５６、４５８（図１０Ａ、図１０Ｂ）を与える。ステップＳ２２１６では、下部金属被覆層をマスキング、およびエッチングし、面実装平板端子パッド４４６、４４８（図１０Ｂ、図１０Ｃ）を形成し、また、上部金属被覆層をマスキング、およびエッチングし、アンカーパッド４６２とオプションの識別用マーキング４５０（図１０Ａ、図１０Ｂ）を形成する。このステップで、端子パッドが形成される下部金属被覆層の一部と、アンカーパッド４６２とオプションの識別用マーキング４５０が形成される上部金属被覆層と、メッキされたビアの内壁面（すなわち交差導体４５６、４５８）にマスキングを行う。エッチングの後、マスキングが除去され、ステップＳ２２１８で、露出金属エリア（端子パッド４４６、４４８。交差導体４５６、４５８。アンカーパッド４６２。および識別用マーキング４５０）を１つまたは複数のハンダ付け可能な金属で過剰メッキする。第１実施形態例では、ＥＮＩＧ法によりニッケルと金で過剰メッキを行い、厚さ約３．４ミクロンのニッケル層と厚さ約０．１ミクロンの金層を得る。また、無電解メッキのスズをメッキし、厚さ約３．５から６ミクロンのスズ層を得ても良い。最後に、ステップＳ２２２０において、デバイス４３０は、グリッド線２６（図１Ｂ）に沿って積層構造体１０から単一化される。

図２３は本発明に従い、例えば、図１０Ａ〜１０Ｃに図示されるデバイス４３０などのデバイスを別の方法で作成するフローチャートを示す。図２３、および図１Ａ、図１Ｂ、図１０Ａ、図１０Ｂならびに図１０Ｃに従い、ステップＳ２３０２においてプロセスが開始し、導電性ポリマー基板１６（図１Ａと図１Ｂ）が提供される。ステップＳ２３０４では、ポリマー基板１６が上部金属層１２と下部金属層１４（図１Ａと図１Ｂ）の間に積層される。ステップＳ２３０６において、金属層１２と１４がマスキングおよびエッチングされ、上部電極４３４と下部電極４３６（図１０Ｂ）を形成する。ステップＳ２３０８では、上部絶縁層４４２と下部絶縁層４４４が上部電極４３４と下部電極４３６の上にそれぞれ形成される。ステップＳ２３１０では、底部金属被覆層２２および頂部金属被覆層２４（図１Ａ、図１Ｂ）が、下部絶縁層４４４と上部絶縁層４４２にそれぞれ形成される。ステップＳ２３１２では、貫通ビア４５２、４５４およびベベル加工された入口穴４６２（図１０Ｂ）が形成される。当該技術分野の一般の当業者は、ある種の実施形態では、貫通ビア４５２、４５４がベベル加工した入口穴を必ずしも含めないと理解するべきである。ステップＳ２３１４において、頂部金属被覆層と底部金属被覆および（ベベル加工した入口穴４６２を含む）ビア４５２、４５４を（好ましくは、厚みが約２５ミクロンの）銅で電気メッキし、交差導体４５６、４５８（図１０Ａ、図１０Ｂ）を与える。ステップＳ２３１６では、端子４４６、４４８、アンカーパッド４６２ならびにオプションの識別用マーキング４５０が形成されるエリアに、ハンダ付けが可能な金属層で電気メッキ蒸着による過剰メッキを行うために、銅メッキした頂部、および底部金属被覆層にフォトレジスト・マスキングを行う。ハンダ付け可能な金属による過剰メッキは、銅メッキされたビアの内壁面（すなわち交差導体４５６、４５８）を含むマスキングされていない部分に適用される。ニッケルの上に金を電気メッキする場合は、ニッケル層は、例えば、厚さ約３．４ミクロンにし、その上に厚さ約０．１ミクロンの金をメッキする。ニッケルの上にスズを電気メッキする場合は、ニッケル層は、例えば、厚さ約３．５ミクロンにし、スズの厚さを約２．５ミクロンにする。スズだけで電気メッキを行う場合、スズ層の厚さは約３．５から６．０ミクロンにする。ステップＳ２３１８において、（過剰メッキされていない）銅メッキエリアからフォトレジスト・マスクキングを除去し、銅が露出した部分に、金属被覆層を通って絶縁層４４２、４４４に到達するまでエッチングを行い、端子４４６、４４８（図１０Ｂ、図１０Ｃ）、アンカーパッド４６２およびオプションの識別用マーキング４５０（図１０Ａ、図１０Ｂ）を形成する。最後に、ステップＳ２３２０において、デバイス４３０は、グリッド線２６（図１Ｂ）に沿って積層構造体１０から単一化される。

本発明には幾つかの実施形態が記載されているが、これらの例は他を排除するものではない。従って、ここに開示されかつ主張される発明の範囲には、いかなる他の実施形態、応用例、改善例も、本明細書に記載される具体的な実施形態と同等であると理解される。

ここに与えられるフローチャートは、本発明の実施形態例を図示したものである。実施形態の中には、これらの図に示されたステップの順序が異なる場合があるかもしれない。例えば、連続して行うように示される二段階のステップが、実質的に同時に実行される場合や、時には逆の順序で実行される場合があるかもしれない。当該技術分野の当業者は、本発明の範囲は下記に記載される請求範囲によってのみ規定されことを理解し、すべての実施形態が本発明で提供される図で示されるすべてのステップを含んでいると理解してはならない。

１０単層積層シート構造体
１２上部積層金属層
１４下部積層金属層
１６導電性ポリマー基板
１８頂部金属被覆層
２０底部金属被覆層
２２底部金属被覆層
２４頂部金属被覆層
２６グリッド線
２８デバイス
３０導電性ポリマーデバイス
３２単層活性ポリマー層
３４上部金属箔電極
３６下部箔電極
３８上部絶縁エリア
４０下部絶縁エリア
４２上部絶縁層
４４底部絶縁層
４６平面実装端子
４８平面実装端子
５０識別用マーキング
５２第１貫通ビア
５４第２貫通ビア
５６交差導体
５８交差導体
７０デバイス
７２ａ活性ポリマー層
７２ｂ活性ポリマー層
７４ａ上部電極
７４ｂ電極
７４ｃ金属箔電極
７４ｄ下部電極
７６ａ上部絶縁エリア
７６ｂ下部絶縁エリア
７８ａ中間絶縁エリア
８０中間絶縁層
８２上部絶縁層
８４下部絶縁層
８６面実装端子
８８面実装端子
９０識別用マーキング
９２第１貫通ビア
９４第２貫通ビア
９６交差導体
９８交差導体
１３０デバイス
１３２単層活性ポリマー層
１３４上部金属泊電極
１３６下部箔電極
１３８上部絶縁エリア
１３９上部残存箔エリア
１４０下部絶縁エリア
１４１下部残存箔エリア
１４２上部絶縁層
１４４下部絶縁層
１４６面実装端子
１４８面実装端子
１５０識別用マーキング
１５２第１貫通ビア
１５４第２貫通貫通ビア
１５６交差導体
１５８交差導体
１６１活性ポリマー素材
１７０デバイス
１７２ａ活性ポリマー層
１７２ｂ活性ポリマー層
１７４ａ金属箔電極
１７４ｂ金属泊電極
１７４ｃ金属箔電極
１７４ｄ金属箔電極
１７６ａ上部絶縁エリア
１７６ｂ下部絶縁エリア
１７７ａ上部残存箔エリア
１７７ｂ下部残存箔エリア
１７８ａ中間絶縁エリア
１８０中間絶縁層
１８１ａ中間残存箔エリア
１８２上部絶縁層
１８４下部絶縁層
１８６面実装端子
１８８面実装端子
１９０識別用マーキング
１９２第１貫通貫通ビア
１９４第２貫通貫通ビア
１９６交差導体
１９８交差導体
２３０導電性ポリマーデバイス
２３２単層活性ポリマー層
２３４上部金属泊電極
２３６下部箔電極
２３８上部絶縁エリア
２４０下部絶縁エリア
２４２上部絶縁層
２４４底部絶縁層
２４６面実装端子
２４８面実装端子
２５０識別用マーキング
２５２第１貫通貫通ビア
２５４第２貫通ビア
２５６交差導体
２６０入口穴
２６２入口穴
２７０デバイス
２７２ａ活性ポリマー層
２７２ｂ活性ポリマー層
２７４ａ金属箔電極
２７４ｂ中間電極
２７４ｃ金属箔電極
２７４ｄ下部電極
２７６ａ上部絶縁エリア
２７６ｂ下部絶縁層
２７８ａ中間絶縁エリア
２７８ｃ中間アーチ型絶縁エリア
２８０中間絶縁層
２８２上部絶縁層
２８４下部絶縁層
２８６面実装端子
２８８面実装端子
２９０識別用マーキング
２９２第１貫通貫通ビア
２９４第２貫通貫通ビア
２９６交差導体
２９８交差導体
３００入口穴
３０２入口穴
３３０導電性ポリマーデバイス
３３２ポリマー層
３３４上部金属箔電極
３３６下部箔電極
３３８上部絶縁エリア
３４０下部絶縁エリア
３４２上部絶縁層
３４４下部絶縁層
３４６面実装端子
３４８面実装端子
３５０識別用マーキング
３５２第１貫通ビア
３５４第２貫通ビア
３５６交差導体
３５８交差導体群
３６０アンカーパッド
３６２アンカーパッド
３７０デバイス
３７２ａ活性ポリマー層
３７２ｂ活性ポリマー層
３７４ａ金属箔電極
３７４ｂ電極
３７４ｃ金属箔電極
３７４ｄ下部電極
３７６ａ上部絶縁エリア
３７６ｂ下部絶縁エリア
３７８ａ中間絶縁エリア
３８０中間絶縁層
３８２上部絶縁層
３８４底部絶縁層
３８６平板端子
３８８端子
３９０識別用マーキング
３９２第１貫通ビア
３９４第２貫通ビア
３９６交差導体
３９８交差導体
４００アンカーパッド
４０２アンカーパッド
４３０導電性ポリマーデバイス
４３２活性層
４３４上部金属箔電極
４３６下部箔電極
４３８アーチ型上部絶縁エリア
４４０アーチ型下部絶縁エリア
４４２上部絶縁層
４４４下部絶縁層
４４６面実装平板端子パッド
４４８面実装端子
４５０識別用マーキング
４５２第１貫通ビア
４５４第２貫通ビア
４５６交差導体
４５８交差導体
４６０アンカーパッド
４６２入口穴
４７０デバイス
４７２ａ活性ポリマー層
４７２ｂ活性ポリマー層
４７４ａ金属箔電極
４７４ｂ中間電極
４７４ｃ金属箔電極
４７４ｄ下部電極
４７６ａ上部絶縁エリア
４７６ｂ下部絶縁エリア
４７６ｄ電極
４７８ａ中間絶縁エリア
４８０中間絶縁層
４８２上部絶縁層
４８４底部絶縁層
４８６面実装端子
４８８平面端子
４９０識別用マーキング
４９２第１貫通ビア
４９４第２貫通ビア
４９６交差導体
４９８交差導体
５００アンカーパッド
５０２入口穴
５３０導電性ポリマーデバイス
５３２ポリマー活性層
５３４上部金属泊電極
５３６下部箔電極
５３８アーチ型上部絶縁エリア
５４０下部絶縁エリア
５４２上部絶縁層
５４４底部絶縁層
５４６面実装端子
５４８端子
５５０識別用マーキング
５５２第１貫通ビア
５５４第２貫通ビア
５５６交差導体
５５８交差導体
５６０アンカーパッド
５６２アンカー部
５６４露出アンカー面
５７０デバイス
５７２ａ活性ポリマー層
５７２ｂ活性ポリマー層
５７４ａ金属箔電極
５７４ｂ金属箔電極
５７４ｃ金属箔電極
５７４ｄ金属箔層
５７６ａ上部絶縁エリア
５７６ｂ下部絶縁エリア
５７８ａ中間アーチ型絶縁エリア
５８０中間絶縁層
５８２頂部絶縁層
５８４底部絶縁層
５８６面実装端子
５８８平板端子
５９０識別用マーキング
５９２第１貫通ビア
５９４第２貫通ビア
５９６交差導体
５９８交差導体
６００アンカーパッド
６０２アンカー部
６０４露出アンカー面
６３０デバイス
６３２活性ポリマー層
６３４上部金属箔電極
６３６下部箔電極
６３８上部絶縁エリア
６４０下部絶縁エリア
６４２上部絶縁層
６４４下部絶縁層
６４６面実装端子
６４８面実装端子
６５０識別用マーキング
６５２第１貫通ビア
６５４第２貫通ビア
６５６交差導体
６５８交差導体群
６６０アンカーパッド
６７０デバイス
６７２ａ活性ポリマー層
６７２ｂ活性層
６７４ａ金属箔電極
６７４ｂ電極
６７４ｃ金属箔電極
６７４ｄ下部電極
６７６ａ上部絶縁エリア
６７６ｂ下部絶縁エリア
６７８ａ中間絶縁エリア
６８０中間絶縁層
６８２頂部絶縁層
６８４底部絶縁層
６８６平板端子
６８８端子
６９０識別用マーキング
６９２第１貫通ビア
６９４第２貫通ビア
６９６交差導体
６９８交差導体
７００アンカーパッド
７３０導電性ポリマーデバイス
７３２活性ポリマー層
７３４上部金属箔電極
７３６下部箔電極
７３８上部絶縁エリア
７４０下部絶縁エリア
７４２上部絶縁層
７４４下部絶縁層
７４６面実装端子
７４８面実装端子
７５０識別用マーキング
７５２第１貫通ビア
７５４第２貫通ビア
７５６交差導体
７６２アンカーパッド
７７０デバイス
７７２ａ活性ポリマー層
７７２ｂ活性層
７７４ａ上部電極
７７４ｂ電極
７７４ｃ金属箔電極
７７４ｄ下部電極
７７６ａ上部絶縁エリア
７７６ｂ下部絶縁エリア
７７８ａ中間絶縁エリア
７８０中間絶縁層
７８２頂部絶縁層
７８４底部絶縁層
７８６面実装端子
７８８金属被覆層
７９０識別用マーキング
７９２第１貫通ビア
７９４第２貫通ビア
７９６交差導体
７９８交差導体群
８０２アンカーパッド
８３０導電性ポリマーデバイス
８３２活性ポリマー層
８３４上部金属箔電極
８３６下部箔電極
８３８アーチ型上部絶縁エリア
８４０アーチ型下部絶縁エリア
８４２上部絶縁層
８４４底部絶縁層
８４６面実装端子
８４８面実装端子
８５０識別用マーキング
８５２第１貫通ビア
８５４第２貫通ビア
８５６交差導体
８５８交差導体
８６０入口穴
８６２アンカーパッド
８７０デバイス
８７２ａ活性ポリマー層
８７２ｂ活性層
８７４ａ金属箔電極
８７４ｂ中間電極
８７４ｃ金属箔電極
８７４ｄ下部電極
８７６ａ上部絶縁エリア
８７６ｂ下部絶縁エリア
８７６ｄ電極
８７８ａ中間アーチ型絶縁エリア
８８０中間絶縁層
８８２頂部絶縁層
８８４底部絶縁層
８８６面実装端子
８８８平面端子
８９０識別用マーキング
８９２第１貫通ビア
８９４第２貫通ビア
８９６交差導体
８９８交差導体
９００入口穴
９０２アンカーパッド
９７０デバイス
９７２ａ活性ポリマー層
９７２ｂ活性層
９７４ａ金属箔電極
９７４ｂ電極
９７４ｃ金属箔電極
９７４ｄ下部電極
９７６ａ上部絶縁エリア
９７６ｂ下部絶縁エリア
９７８ａ中間絶縁エリア
９７８ｂ中間絶縁エリア
９８０中間絶縁層
９８２上部絶縁層
９８４底部絶縁層
９８６面実装端子
９８８交差導体群
９９０識別用マーキング
９９２第１貫通ビア
９９４第２貫通ビア
９９６交差導体
９９８交差導体
１０００アンカーパッド
１００２入口穴
１０７０デバイス
１０７２ａ活性ポリマー層
１０７２ｂ活性層
１０７２ｃ活性層
１０７４ａ金属箔電極
１０７４ｂ中間電極
１０７４ｃ金属箔電極
１０７４ｄ中間電極
１０７４ｅ金属箔電極
１０７４ｆ下部電極
１０７６ａ上部絶縁エリア
１０７６ｂ下部絶縁エリア
１０７８ａ中間絶縁エリア
１０７８ｃ中間絶縁エリア
１０７８ｄ絶縁層
１０８０ａ中間絶縁層
１０８０ｂ中間絶縁層
１０８２頂部絶縁層
１０８４底部絶縁層
１０８６面実装端子
１０８８平面端子
１０９０識別用マーキング
１０９２第１貫通ビア
１０９４第２貫通ビア
１０９６交差導体
１０９８交差導体
１１００アンカーパッド
１１０２入口穴

Claims

面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイス（２３０）であって、
上部電極（２３４）と下部電極（２３６）との間に積層され、活性層積層シート構造体を構成する活性層（２３２）と、
上部電極（２３４）の上に形成した上部絶縁層（２４２）と、
下部電極（２３６）の下に形成した下部絶縁層（２４４）と、
下部絶縁層（２４４）の下に形成した第１面実装端子（２４６）及び第２面実装端子（２４８）と、
下部電極（２３６）と第１面実装端子（２４６）に接続し、上部絶縁層の一部（２３８）により上部電極（２３４）から絶縁され且つ第１面実装端子以外の端子とは接続しない第１交差導体（２５６）と、
上部電極（２３４）と第２面実装端子（２４８）に接続し、下部絶縁層の一部（２４０）により下部電極（２３６）から絶縁され且つ第２面実装端子以外の端子とは接続しない第２交差導体（２５８）と、
を含み、
上部絶縁層（２４２）は、その上面に接触する端子を有さず、
第１交差導体及び第２交差導体の一つまたは両方が、上部絶縁層（２４２）を貫通して伸びる入口穴（２６０、２６２）にして、金属のベベルまたは面取りが加工された入口穴を含む面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイス。
面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイス（４３０）であって、
上部電極（４３４）と下部電極（４３６）との間に積層され、活性層積層シート構造体を構成する活性層（４３２）と、
上部電極（４３４）の上に形成した上部絶縁層（４４２）と、
下部電極（４３６）の下に形成した下部絶縁層（４４４）と、
下部絶縁層（４４４）の下に形成した第１面実装端子（４４６）及び第２面実装端子（４４８）と、
下部電極（４３６）及び第１面実装端子（４４６）に接続し、上部絶縁層（４４２）の一部（４３８）により上部電極から絶縁され且つ第１面実装端子（４４６）以外の端子とは接続されない第１交差導体（４５６）と、
上部電極（４３４）及び第２面実装端子（４４８）に接続し、下部絶縁層（４４４）の一部（４４０）により下部電極（４３６）から絶縁され且つ第２面実装端子（４４８）以外の端子とは接続されない第２交差導体（４５８）と、
を含み、
上部絶縁層（４４２）は、その上面に接触する端子を有さず、
第１交差導体（４５６）が、上部絶縁層（４４２）の上に金属で形成したアンカーパッド（４６０）と物理的に接触し、第２交差導体（４５８）が、上部絶縁層（４４２）を貫通して伸びる入口穴（４６２）にして、金属のベベルまたは面取りが加工された入口穴を含む面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイス。
面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイス（２７０）であって、
上部電極（２７４ａ）と第１中間電極（２７４ｂ）との間に積層され、第１活性層積層シート構造体を構成する第１活性層（２７２ａ）と、
第２中間電極（２７４ｃ）と下部電極（２７４ｄ）との間に積層され、第２活性層積層シート構造体を構成する第２活性層（２７２ｂ）と、
第１中間電極（２７４ｂ）及び第２中間電極（２７４ｃ）の各表面に接触する中間絶縁層（２８０）と、
上部電極（２７４ａ）の上に形成した上部絶縁層（２８２）と、
下部電極（２７４ｄ）の下に形成した下部絶縁層（２８４）と、
下部絶縁層（２８４）の下に形成した第１面実装端子（２８６）及び第２面実装端子（２８８）と、
第１中間電極（２７４ｂ）と、第２中間電極（２７４ｃ）と、第１面実装端子（２８６）とに接続し、上部絶縁層（２８２）の一部（２７６ａ）により上部電極から絶縁され且つ下部絶縁層（２８４）の一部（２７６ｂ）により下部電極から絶縁され、且つ第１面実装端子（２８６）以外の端子とは接続されない第１交差導体（２９６）と、
上部電極（２７４ａ）と、下部電極（２７４ｄ）と、第２面実装端子（２８８）とに接続し、中間絶縁層（２８０）の一部（２７８ａ）により第１中間電極から絶縁され且つ中間絶縁層（２８０）の一部（２７８ｂ）により第２中間電極から絶縁され、且つ第２面実装端子（２８８）以外の端子とは接続されない第２交差導体（２９８）と、
を含み、
上部絶縁層（２８２）は、その上面に接触する端子を有さず、
第１交差導体（２９６）及び第２交差導体（２９８）の１つまたは両方が、
上部絶縁層（２８２）を貫通して伸びる入口穴にして、金属のベベルまたは面取りが
加工された入口穴（３００、３０２）を含むことを特徴とする面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイス。
面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイス（４７０）であって、
上部電極（４７４ａ）と第１中間電極（４７４ｂ）との間に積層され、活性層積層シート構造体を構成する第１活性層（４７２ａ）と、
第２中間電極（４７４ｃ）と下部電極（４７４ｄ）との間に積層され、活性層積層シート構造体を構成する第２活性層（４７２ｂ）と、
第１中間電極（４７４ｂ）及び第２中間電極（４７４ｃ）の各表面と接触する中間絶縁層（４８０）と、
上部電極（４７４ａ）の上に形成した上部絶縁層（４８２）と、
下部電極（４７４ｄ）の下に形成した下部絶縁層（４８４）と、
下部絶縁層（４８４）の下に形成した第１面実装端子（４８６）及び第２面実装端子（４８８）と、
第１中間電極（４７４ｂ）と第２中間電極（４７４ｃ）と、第１面実装端子（４８６）とに接続し、上部絶縁層（４８２）の一部（４７６ａ）により上部電極から絶縁され且つ下部絶縁層（４８４）の一部（４７６ｂ）により下部電極（４７４ｄ）から絶縁され、且つ第１面実装端子（４８６）以外の端子には接続されない第１交差導体（４９６）と、
上部電極（４７４ａ）と、下部電極（４７４ｄ）と、第２面実装端子（４８８）とに接続し、中間絶縁層（４８０）の一部（４７８ａ）によって第１中間電極（４７４ｂ）から絶縁され、且つ中間絶縁層の一部（４７８ｂ）によって第２中間電極（４７４ｃ）から絶縁され、且つ第２面実装端子（４８８）以外の端子には接続されない第２交差導体（４９８）と、
を含み、
上部絶縁層（４８２）は、その上面に接触する端子を有さず、
第１交差導体（４９６）が、上部絶縁層（４８２）の上に金属で形成したアンカーパッド（５００）と物理的に接触され、
第２交差導体（４９８）が、上部絶縁層（４８２）を貫通して伸びる入口穴（５０２）にして、金属のベベルまたは面取りが加工された入口穴（５０２）を含む面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイス。
面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイス（９７０）であって、
上部電極（９７４ａ）と第１中間電極（９７４ｂ）との間の第１活性層（９７２ａ）と、
第２中間電極（９７４ｃ）と下部電極（９７４ｄ）との間の第２活性層（９７２ｂ）と、
第１及び第２中間電極（９７４ｂ、９７４ｃ）の各表面と接触する中間絶縁層（９８０）と、
上部電極（９７４ａ）上の上部絶縁層（９８２）及び下部電極（９７４ｄ）下の下部絶縁層（９８４）と、
下部絶縁層（９８４）下の第１面実装端子（９８６）及び第２面実装端子（９８８）と、
を含み、
第１中間電極（９７４ｂ）、下部電極（９７４ｄ）及び第１面実装端子（９８６）と接続する第１交差導体（９９６）にして、上部絶縁層（９８２）の一部（９７６ａ）により上部電極（９７４ａ）から絶縁され、中間絶縁層（９８０）の一部（９７８ｂ）により第２中間電極（９７４ｃ）から絶縁され、且つ第１面実装端子（９８６）以外の端子とは接続しない第１交差導体と、
上部電極（９７４ａ）、第２中間電極（９７４ｃ）及び第２面実装端子（９８８）と接続する第２交差導体（９９８）にして、中間絶縁層（９８０）の一部（９７８ａ）により第１中間電極（９７４ｂ）から絶縁され、下部絶縁層（９８４）の一部（９７６ｂ）により下部電極（９７４ｄ）から絶縁され、且つ第２面実装端子（９８８）以外の端子とは接続しない第２交差導体と、
を含み、
上部絶縁層（９８２）は、その上面に接触する端子を有さず、
第１交差導体（９９６）が、上部絶縁層（９８２）の上に金属で形成したアンカーパッド（１０００）と物理的に接触され、第２交差導体（９９８）が、上部絶縁層（９８２）を貫通して伸びる入口穴（１００２）にして、金属のベベルまたは面取りが加工された入口穴を含む面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイス。
面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイス（１０７０）であって、
上部電極（１０７４ａ）と第１中間電極（１０７４ｂ）との間に積層され、第１活性層積層シート構造体を構成する第１活性層（１０７２ａ）と、
第２中間電極（１０７４ｃ）と第３中間電極（１０７４ｄ）との間に積層され、第２活性層積層シート構造体を構成する第２活性層（１０７２ｂ）と、
第４中間電極（１０７４ｅ）と下部電極（１０７４ｆ）との間に積層され、第３活性層積層シート構造体を構成する第３活性層（１０７２ｃ）と、
第１中間電極（１０７４ｂ）及び第２中間電極（１０７４ｃ）の各表面と接触する第１中間絶縁層（１０８０ａ）と、
第３中間電極（１０７４ｄ）及び第４中間電極（１０７４ｅ）の各表面と接触する第２中間絶縁層（１０８０ｂ）と、
上部電極（１０７４ａ）の上に形成した上部絶縁層（１０８２）と、
下部電極（１０７４ｆ）の下に形成した下部絶縁層（１０８４）と、
下部絶縁層（１０８４）の下に形成した第１面実装端子（１０８６）及び第２面実装端子（１０８８）と、
第１中間電極（１０７４ｂ）、第２中間電極（１０７４ｃ）、下部電極（１０７４ｆ）、第１面実装端子（１０８６）、に接続し、上部絶縁層（１０８２）の一部（１０７６ａ）により上部電極（１０７４ａ）から絶縁され、且つ第２中間絶縁層（１０８０ｂ）の一部（１０７８ｃ）により第３中間電極（１０７４ｄ）から絶縁され、且つ第２中間絶縁層（１０８０ｂ）の一部（１０７８ｄ）により第４中間電極（１０７４ｅ）から絶縁され、且つ第１面実装端子（１０８６）以外の端子とは接続しない第１交差導体（１０９６）と、
上部電極（１０７４ａ）、第３中間電極（１０７４ｄ）、第４中間電極（１０７４ｅ）、第２面実装端子（１０８８）、に接続し、第１中間絶縁層（１０８０ａ）の一部（１０７８ａ）により第１中間電極（１０７４ｂ）から絶縁され、且つ第１中間絶縁層（１０８０ａ）の一部（１０７８ｂ）により第２中間電極（１０７４ｃ）から絶縁され、且つ下部絶縁層（１０８４）の一部（１０７６ｂ）により下部電極（１０７４ｆ）から絶縁され、且つ第２面実装端子（１０８８）以外の端子とは接続しない第２交差導体（１０９８）と、
を含み、
上部絶縁層（１０８２）はその上面に接触する端子を有さず、
第１交差導体（１０９６）が、上部絶縁層（１０８２）の上に金属で形成したアンカーパッド（１１００）と物理的に接触し、第２交差導体（１０９８）が、上部絶縁層（１０８２）を貫通して伸びる入口穴（１１０２）にして、金属のベベルまたは面取りが加工された入口穴を含む面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイス。
面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイス（２３０）の製造方法であって、
第１金属箔層と第２金属箔層との間に活性層（２３２）を積層する工程、
第１金属箔層の一部を除去して上部電極（２３４）を形成し、第２金属箔層の一部を除去して下部電極（２３６）を形成する工程、
上部電極（２３４）の上に上部絶縁層（２４２）を形成し、下部電極（２３６）の下に下部絶縁層（２４４）を形成する工程、
上部絶縁層（２４２）の上に第１金属被覆層を形成する工程、
下部絶縁層（２４４）の下に第２金属被覆層を形成する工程、
貫通ビア（２５２、２５４）のアレーを形成・メッキし、下部電極（２３６）を第１及び第２金属被覆層に接続する第１交差導体（２５６）と、上部電極（２３４）を第１及び第２金属被覆層に接続する第２交差導体（２５８）とを形成する工程、
第２金属被覆層の一部を除去して、それぞれが上部電極（２３４）と下部電極（２３６）の一つに接続され、上部電極（２３４）と下部電極（２３６）の他方からは一つの絶縁層の一部により絶縁される、第１交差導体（２５６）に接続された第１面実装端子（２４６）と、第２交差導体（２５８）に接続された第２面実装端子（２４８）とを形成する工程、
を含み、
第１交差導体と第２交差導体の少なくとも一方が、上部絶縁層（２４２）を貫通して伸びる入口穴（２６０、２６２）にして、金属のベベルまたは面取りを加工した入口穴を画定し、
第１金属被覆層の、入口穴（２６０、２６２）に隣り合う少なくとも一部を除去する工程を更に含む、面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイスの製造方法。
面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイス（４３０）の製造方法であって、
第１金属箔層と第２金属箔層との間に活性層（４３２）を積層する工程、
第１金属箔層の一部を除去して上部電極（４３４）を形成し、第２金属箔層の一部を除去して下部電極（４３６）を形成する工程、
上部電極（４３４）の上に上部絶縁層（４４２）を形成し、下部電極（４３６）の下に下部絶縁層（４４４）を形成する工程、
上部絶縁層（４４２）の上に第１金属被覆層を形成する工程、
下部絶縁層（４４４）の下に第２金属被覆層を形成する工程、
貫通ビア（４５２、４５４）のアレーを形成・メッキし、下部電極（４３６）を第１及び第２金属被覆層に接続する第１交差導体（４５６）及び、上部電極（４３４）を第１及び第２金属被覆層に接続する第２交差導体（４５８）を形成する工程、
を含み、
第２交差導体が、上部絶縁層（４４２）を貫通して伸びる入口穴（４６２）にして、金属のベベルまたは面取りを加工した入口穴を画定し、
第２金属被覆層の一部を除去して、それぞれが上部電極（４３４）と下部電極（４３６）の一つに接続され、上部電極（４３４）と下部電極（４３６）の他方からは一つの絶縁層の一部により絶縁される、第１交差導体（４５６）に接続された第１面実装端子（４４６）と、第２交差導体に接続された第２面実装端子（４４８）とを形成する工程、
第１金属被覆層の少なくとも一部を除去し、上部絶縁層（４４２）の上に、第１交差導体（４５６）と物理的に接触する、金属で形成したアンカーパッド（４６０）を残す工程、
を更に含む面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイスの製造方法。
面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイス（２７０）の製造方法であって、
第１金属箔層と第２金属箔層との間に第１活性層（２７２ａ）を積層する工程、
第１金属箔層の一部を除去して上部電極（２７４ａ）を形成し、第２金属箔層の一部を除去して第１中間電極（２７４ｂ）を形成し、かくして第１活性層積層シート構造体を構成する第１活性層を形成する工程、
第３金属箔層と第４金属箔層との間に第２活性層（２７２ｂ）を積層する工程、
第３金属箔層の一部を除去して第２中間電極（２７４ｃ）を形成し、第４金属箔層の一部を除去して下部電極（２７４ｄ）を形成し、かくして第２活性層積層シート構造体を構成する第２活性層を形成する工程、
第１活性層積層シート構造体と第２活性層積層シート構造体とを中間絶縁層（２８０）と一緒に積層し、かくして多層の活性層を有する積層構造体を形成する工程、
上部電極（２７４ａ）の上に上部絶縁層（２８２）を形成し、下部電極（２７４ｄ）の下に下部絶縁層（２８４）を形成する工程、
上部絶縁層（２８２）の上に第１金属被覆層を形成する工程、
下部絶縁層（２８４）の下に第２金属被覆層を形成する工程、
貫通ビア（２９２、２９４）のアレーを形成・メッキし、第１及び第２中間電極（２７４ｂ、２７４ｃ）を第１金属被覆層及び第２金属被覆層とに接続する第１交差導体（２９６）と、上部電極（２７４ａ）及び下部電極（２７４ｄ）を第１金属被覆層及び第２金属被覆層に接続する第２交差導体（２９８）とを形成する工程、
を含み、
第１交差導体及び第２交差導体の一つが、上部絶縁層（２８２）を貫通して伸びる入口穴（３００、３０２）にして、金属のベベルまたは面取りを加工した入口穴（３００、３０２）を画定し、
第２金属被覆層の一部を除去して、それぞれが二つの電極に接続され、残りの二つの電極からは絶縁層の一部により絶縁される、第１交差導体（２９６）に接続する第１面実装端子（２８６）と、第２交差導体（２９８）に接続する第２面実装端子（２８８）とを形成する工程、及び
少なくとも前記入口穴（３００、３０２）に隣り合う部分の第１金属被覆層を除去する工程、
を更に含む面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイスの製造方法。
面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイス（４７０）の製造方法であって、
第１金属箔層と第２金属箔層との間に第１活性層（４７２ａ）を積層する工程、
第１金属箔層及び第２金属箔層の一部を除去して、上部電極（４７４ａ）及び第１中間電極（４７４ｂ）を形成し、かくして第１活性層積層シート構造体を構成する第１活性層を形成する工程、
第３金属箔層と第４金属箔層との間に第２活性層（４７２ｂ）を積層する工程、
第３金属箔層の一部を除去して第２中間電極（４７４ｃ）を形成し、第４金属箔層の一部を除去して下部電極（４７４ｄ）を形成し、かくして第２活性層積層シート構造体を構成する第２活性層を形成する工程、
第１活性層積層シート構造体及び第２活性層積層シート構造体を中間絶縁層（４８０）と一緒に積層し、かくして多層の活性層を有する積層構造体を形成する工程、
上部電極（４７４ａ）の上に上部絶縁層（４８２）を形成し、下部電極（４７４ｄ）の下に下部絶縁層（４８４）を形成する工程、
上部絶縁層（４８２）の上に第１金属被覆層を形成する工程、
下部絶縁層（４８４）の下に第２金属被覆層を形成する工程、
貫通ビア（４９２、４９４）のアレーを形成・メッキし、第１及び第２中間電極（４７４ｂ、４７４ｃ）を第１及び第２金属被覆層に接続する第１交差導体（４９６）と、上部電極（４７４ａ）及び下部電極（４７４ｄ）を第１及び第２金属被覆層に接続する第２交差導体（４９８）とを形成する工程、
を含み、
第２交差導体が、上部絶縁層（４８２）を貫通して伸びる入口穴（５０２）にして、金属のベベルまたは面取りを加工した入口穴（５０２）を画定し、
第２金属被覆層の一部を除去して、それぞれが二つの電極に接続され、残りの二つの電極からは絶縁層の一部により絶縁される、第１交差導体（４９６）に接続する第１面実装端子（４８６）と、第２交差導体（４９８）に接続する第２面実装端子（４８８）とを形成する工程、及び
第１金属被覆層の少なくとも一部を除去し、上部絶縁層（４８２）の上に、第１交差導体（４９６）と物理的に接触する、金属で形成したアンカーパッド（５００）を残す工程を更に含む面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイスの製造方法。
面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイス（９７０）の製造方法であって、
第１金属箔層と第２金属箔層との間に第１活性層（９７２ａ）を積層する工程、
第１金属箔層の一部を除去して上部電極（９７４ａ）を形成し、第２金属箔層の一部を除去して第１中間電極（９７４ｂ）を形成し、かくして第１活性層積層シート構造体を構成する第１活性層を形成する工程、
第３金属箔層と第４金属箔層との間に第２活性層（９７２ｂ）を積層する工程、
第３金属箔層の一部を除去して第２中間電極（９７４ｃ）を形成し、第４金属箔層の一部を除去して下部電極（９７４ｄ）を形成し、かくして第２活性層積層シート構造体を構成する第２活性層を形成する工程、
第１活性層積層シート構造体と第２活性層積層シート構造体とを中間絶縁層（９８０）と一緒に積層し、かくして多層の活性層を有する積層構造体を形成する工程、
上部電極（９７４ａ）の上に上部絶縁層（９８２）を形成し、下部電極（９７４ｄ）の下に下部絶縁層（９８４）を形成する工程、
上部絶縁層（９８２）の上に第１金属被覆層を形成する工程、
下部絶縁層（９８４）の下に第２金属被覆層を形成する工程、
貫通ビア（９９２、９９４）のアレーを形成・メッキし、第１中間電極（９７４ｂ）及び下部電極（９７４ｄ）を第１及び第２金属被覆層に接続する第１交差導体（９９６）と、上部電極（９７４ａ）及び第２中間電極（９７４ｃ）を第１及び第２金属被覆層に接続する第２交差導体（９９８）とを形成する工程にして、第２交差導体が、上部絶縁層（９８２）を貫通して伸びる、金属のベベルまたは面取りを加工した入口穴（１００２）を画定する工程、
第２金属被覆層の一部を除去し、第１交差導体（９９６）に接続された第１面実装端子（９８６）及び、第２交差導体（９９８）に接続された第２面実装端子（９８８）にして、前記電極の２つに接続され、且つ上部絶縁層及び下部絶縁層の一部により前記電極の他の２つから絶縁された第１及び第２交差導体を形成する工程、
第１金属被覆層の少なくとも一部を除去し、第１交差導体（９９６）と物理的に接触する、金属で形成したアンカーパッド（１０００）を上部絶縁層（９８２）上に残す工程、を含む面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイスの製造方法。
面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイス（１０７０）の製造方法であって、
第１金属箔層と第２金属箔層との間に第１活性層（１０７２ａ）を積層する工程、
第１金属箔層の一部を除去して上部電極（１０７４ａ）を形成し、第２金属箔層の一部を除去して第１中間電極（１０７４ｂ）を形成し、かくして第１活性層積層シート構造体を構成する第１活性層を形成する工程、
第３金属箔層と第４金属箔層との間に第２活性層（１０７２ｂ）を積層する工程、
第３金属箔層の一部を除去して第２中間電極（１０７４ｃ）を形成し、第４金属箔層の一部を除去して第３中間電極（１０７４ｄ）を形成し、かくして第２活性層積層シート構造体を構成する第２活性層を形成する工程、
第５金属箔層と第６金属箔層との間に第３活性層（１０７２ｃ）を積層する工程、第５金属箔層の一部を除去して第４中間電極（１０７４ｅ）を形成し、第６金属箔層の一部を除去して下部電極（１０７４ｆ）を形成し、かくして第３活性層積層シート構造体を構成する第３活性層を形成する工程、
第１及び第２の活性層積層シート構造体を第１中間絶縁層（１０８０ａ）と一緒に積層し、第２及び第３の活性層積層シート構造体を第２中間絶縁層（１０８０ｂ）と一緒に積層し、かくして多層の活性層を有する積層構造体を形成する工程、
上部電極（１０７４ａ）の上に上部絶縁層（１０８２）を形成し、下部電極（１０７４ｆ）の下に下部絶縁層（１０８４）を形成する工程、
上部絶縁層（１０８２）の上に第１金属被覆層を形成する工程、
下部絶縁層（１０８４）の下に第２金属被覆層を形成する工程、
貫通ビア（１０９２、１０９４）のアレーを形成・メッキし、第１及び第２中間電極（１０７４ｂ、１０７４ｃ）及び下部電極（１０７４ｆ）、を第１、第２金属被覆層に接続する第１交差導体（１０９６）と、上部電極（１０７４ａ）及び第３、第４中間電極（１０７４ｄ、１０７４ｅ）、を第１と第２金属被覆層に接続する第２交差導体（１０９８）とを形成する工程、
を含み、
第２交差導体が、上部絶縁層（１０８２）を貫通して伸びる入口穴（１１０２）にして、金属のベベルまたは面取りを加工した入口穴を画定し、
第２金属被覆層の一部を除去して、それぞれが三つの電極に接続され、残りの三つの電極からは上部絶縁層、２つの中間絶縁層、下部絶縁層、の一部により絶縁される、第１交差導体（１０９６）に接続する第１面実装端子（１０８６）と、第２交差導体（１０９８）に接続する第２面実装端子（１０８８）とを形成する工程、
第１金属被覆層の少なくとも一部を除去し、第１交差導体（１０９６）と物理的に接触する、金属で形成したアンカーパッド（１１００）を上部絶縁層（１０８２）上に残す工程、
を更に含む面実装可能な導電性ポリマーＰＴＣデバイスの製造方法。