JP4839824B2

JP4839824B2 - コンデンサ内蔵基板およびその製造方法

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Publication number: JP4839824B2
Application number: JP2005367699A
Authority: JP
Inventors: 勝政三木; 康博菅谷; 裕之石富
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2005-12-21
Filing date: 2005-12-21
Publication date: 2011-12-21
Anticipated expiration: 2025-12-21
Also published as: JP2007173439A

Description

本発明は、固体電解コンデンサを内蔵する基板およびその製造方法に関するものである。

従来の固体電解コンデンサ及びその製造方法の代表的なものの１つとしては、シート状の弁金属にます目状に樹脂パターンを形成し、複数箇所において固体電解質層を形成したのち、個片に分割することにより固体電解コンデンサを形成し、その後リードフレームに素子を接合して取り出し電極としていた。

このようなコンデンサをＩＣ周辺に配置することにより、電流量を補償し、かつノイズを低減し、ＩＣの動作の正確性を保つ取り組みがなされている。

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１、２が知られている。
特開２００４−１３４４６２号公報特開２００４−８８７６９号公報

コンデンサをＩＣ周辺に配置して動作を確保する際、コンデンサ自身と、コンデンサとＩＣ間の配線のインピーダンス（特にＥＳＬ：等価直列リアクタンス）が問題となり、インピーダンスが大きいと電流供給を瞬時に行うことができず、またＩＣ内部にノイズが発生して正確な信号伝達が阻害されることとなる。こうした課題に対し、コンデンサの低ＥＳＬ化を進めるとともに、ＩＣとコンデンサ間の短配線化のための、基板内部へのコンデンサの内蔵化も進められているが、コンデンサをそのまま基板に埋めた場合には基板の厚みが増し、コンデンサを小型化すれば容量の低下につながる。また低ＥＳＬコンデンサが実現できた場合でも、コンデンサの実装位置とＩＣとの間に距離があれば、そのままＥＳＬの増加につながる。加えて低ＥＳＬ化のために特殊な形状を有するコンデンサは、基板側のパターン設計の制約となる。

この課題を解決するために、本発明は、表面に誘電体被膜が形成された多孔質部を有する弁金属シート体の１部において、絶縁材料からなる陽陰極分離部を有し、この陽陰極分離部によって陽極と陰極が電気的に絶縁され、前記陰極は多孔質部上に形成された固体電解質層に接続されるとともに、前記陽極は弁金属シート体の金属部分と電気的に接続され、かつ前記陰極を介して離れた位置に複数箇所設けられた固体電解コンデンサを内部に有し、前記固体電解コンデンサが、マザーボードに実装されたＩＣ素子の電源端子に接続される第１の端子と、前記ＩＣ素子のグランド端子に接続される第２の端子と、前記マザーボードのグランドに接続される第３の端子と、前記マザーボードの電源端子に接続される第４の端子と、を有することを特徴とするコンデンサ内蔵基板であって、前記陽陰極分離部は、前記多孔質内部と表面及び側面を覆う絶縁樹脂層と、この絶縁樹脂層を覆う無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物からなるコンポジット樹脂層との積層構造を有し、前記陽極の少なくとも一部は、前記絶縁樹脂層と前記コンポジット樹脂層との積層部において、前記コンポジット樹脂層及び前記弁金属シート体を貫通し、前記弁金属シート体と電気的に導通するスルホール電極であることを特徴とするコンデンサ内蔵基板である。これにより、線路素子構造を有する大容量の固体電解コンデンサを、実装体積を増やすことなく他の部品の直近に容易に配置でき、低ＥＳＬ化実現により電流供給の円滑化、ノイズ低減等に寄与することが可能となる。

本発明のコンデンサ内蔵基板によれば、線路素子構造などを有する特殊な構成の固体電解コンデンサを、ＩＣの近傍に短配線で接続でき、コンデンサ及び配線のＥＳＬを極小化することができる。また固体電解コンデンサを内蔵化することによって薄型、大容量を確保できるとともに、基板側の表面パターンに制約を加えることなく、かつコンデンサの実装体積の低減を図ることができる。

（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１におけるコンデンサ内蔵基板について、図面を参照しながら説明する。

図１、２は本発明の実施の形態１におけるコンデンサ内蔵基板を示す断面図である。

図１において、弁金属シート体１はＡｌやＴａ、Ｎｂなどを材質とし、薬液処理等の手法によって表面が多孔質化した形態をなしている。弁金属シート体１の中央部以外の部位において、陽陰極分離部となる絶縁樹脂層４が形成され、この外側をコンポジット樹脂層７ａで覆った形状をなしている。そして弁金属シート体１の中央部において、ピロールやチオフェン等からなる固体電解質層２が形成されている。

図２にこれらの部位の拡大断面図を示す。弁金属シート体１の表面全域に多孔質部１５が形成され、所定の部位にアクリル、エポキシ、低温硬化型ポリイミド樹脂などの液状樹脂を硬化してなる薄層状の絶縁樹脂層４が設けられる。この絶縁樹脂層４は多孔質部１５の内部に充填され、固体電解質層２の広がりを防止するとともに、後ほど述べるスルホール電極６ａ、６ｂ形成時のめっき薬液等の流入を防止する作用を有する。加えて、コンポジット樹脂層７ａとの密着性を確保する作用も有する。

コンポジット樹脂層７ａは基板としての部材を構成するのみならず、絶縁樹脂層４とともに固体電解質層２を所定の部位に規定する役割を有する。絶縁樹脂層４は液状樹脂であるので、塗布、硬化の際に周囲の素子を形成する部位に拡散し、特性を劣化させることとなるが、極力薄層化することにより、こうした影響を低減できるとともに、硬化収縮などに起因する変形なども防止できる。ただし薄層化した場合には十分な高さがないため、固体電解質層２がこれを乗り越える現象が見られるが、コンポジット樹脂層７ａとの積層化によってこれを防止できる。

コンポジット樹脂層７ａは無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物であり、硬化前においては半硬化状態で可変性があり、硬化の際、流動してコンデンサ等の部品を被覆するが、液状樹脂と比較して極めて流動性が低いものであるので、素子形成部への拡散といった問題は生じない。逆に流動性がないため多孔質部１５内へ流入せず、弁金属シート体との密着性も低いが、液状樹脂を介することによって高い密着力を確保することができる。

固体電解質層２は前述のように、絶縁樹脂層４及びコンポジット樹脂層７ａで部位を規定され、多孔質部１５内部とその表層に形成される。多孔質部１５の表面は酸化物の薄層（図示せず）が形成されており、これが誘電体層として機能する。固体電解質層２上には集電体層３が形成され、これは例えばカーボンとＡｇペーストを塗布して硬化するなどして固体電解コンデンサが形成される。

このような固体電解コンデンサは基板材料であるコンポジット樹脂層７ａ、７ｂ、７ｃによって内蔵化される。コンポジット樹脂層７ｂ及び７ｃには固体電解コンデンサの陰極となるインナービア電極５が複数形成され、インナービア電極５の内部はＡｇペーストなどの導体が充填され、固体電解コンデンサの集電体層と接続し、さらにコンポジット樹脂層７ｂ、７ｃの表層に設けられた表面パターン８と接続する構成となる。

また絶縁樹脂層４とコンポジット樹脂層７ａの積層部において、コンポジット樹脂層７ａ、７ｂ、７ｃ及び弁金属シート体１を貫通し、弁金属シート体１と電気的に導通する固体電解コンデンサの陽極となるスルホール電極６ａ、６ｂが形成されている。

スルホール電極６ａ、６ｂはスルホール側壁に形成された電極と、内部に充填された導電性ペーストからなり、それぞれ表面パターン８と電気的に接続しているが、これらの表面パターンは互いに絶縁され、かつインナービア電極５と接続する配線パターンとも絶縁する構成をなす。

このようなコンデンサ内蔵基板はマザーボード１１上に実装され、例えば封止樹脂１４ｂで固定される。このときインナービアと接続する表面パターンはマザーボード１１のグランド配線１３ｃに電気的に接続され、スルホール電極６ａと接続する表面パターンは電源配線１２に接続され、スルホール電極６ｂは直接電源配線１２とは接続されない。また、グランド配線１３ａ、１３ｂは、グランド配線１３ｃと接続されている。

またＩＣ素子９は接続端子１０が下面に設けられ、マザーボード１１と反対側の表面パターン８と接続され、このとき集電体層３およびインナービア電極１０が接続された表面パターンはＩＣ素子９のグランド端子と、スルホール電極６ｂが接続された表面パターンはＩＣ素子９の電源用端子と接続される。またＩＣ素子９は例えば封止樹脂１４ａにより、コンデンサ内蔵基板上に固定される。

このような構成をとることにより、固体電解コンデンサのグランドを通じてＩＣ素子のグランド端子と接続でき、マザーボードの電源配線１２から供給される電流は固体電解コンデンサの一方の電極から他方の電極を経由して、ＩＣ素子に供給される。

次に図３から図１７に、本構成のコンデンサ内蔵基板の製造方法を示す。

図３において、弁金属シート体１は、両面に多孔質部及び誘電体層が形成されている。

次に図４において、重合法によって固体電解質層を形成する部位以外に、液状樹脂を、印刷法などを用いて塗布して硬化し、絶縁樹脂層４を形成する。

次に図５において、くりぬき部が設けられた半硬化状態のコンポジット樹脂７ｄ、７ｅを絶縁樹脂層４上と弁金属シート体の外周部を覆うように重ね合わせた状態とする。

次に図６において、コンポジット樹脂を加圧しつつ加熱して硬化し、弁金属シート体１と圧着するとともに、外周部をコンポジット樹脂７ａで覆い、１部を残して内蔵化する。この１部は固体電解質層が形成される表面及びその側面部であり、コンポジット樹脂層７ａ形成後、中空で保持された形状をなす。

続いて図７において、固体電解質層を形成する際に用いる電極である給電部１６を取り付けた状態となる。

次に図８において、重合法により、固体電解質層２が、弁金属シート体１の表出部の表面及び側面に形成される。重合法の一例としては、たとえばチオフェンを含有する薬液を塗布して硬化する化学重合後、チオフェンを含有する溶液中で電解を加える電解重合によって固体電解質層を成長させるような方法による。

次に図９において、給電部１６を取り除いた状態となる。

次に図１０において、転写法や印刷法等によりカーボン、Ａｇペースト等を塗布して硬化し、集電体層３を形成する。この集電体層３は固体電解質層の表面及び側面部を覆い、両面で電気的に導通した状態とする。

次に図１１において、半硬化状態のコンポジット樹脂層７ｂ、７ｃを重ね合わせた状態とする。コンポジット樹脂層７ｂ、７ｃの集電体層３と当接する部位において、インナービア電極５が設けられ、これはコンポジット樹脂層にスルホールを形成し、スルホールに導電性ペーストを充填することによって得られ、この状態においては、導電性ペーストは未硬化あるいは半硬化状態である。加えてコンポジット樹脂層７ｂ、７ｃの固体電解コンデンサと反対側の面にはＣｕ箔などによる金属箔層１７が重ねられている。

引き続き図１２において、コンポジット樹脂層７ｂ、７ｃを加圧しつつ加熱硬化し、この時の若干の流動により、固体電解コンデンサの段差やコンポジット樹脂層との隙間を埋め、固体電解コンデンサ全体を内蔵化する。同時にインナービア電極５内部の導電性ペーストも集電体層３および金属箔層１７との接続をとりつつ硬化する。加えて金属箔層１７とコンポジット樹脂層７ｂ、７ｃとの密着も実現される。

次に図１３において、固体電解質層２及び集電体層３の近傍に位置する貫通スルホール１８を、固体電解質層２及び集電体層３が形成された部位を介して両側に形成する。

次に図１４において、貫通スルホール１８の内壁に、弁金属シート体の露出部と電気的に導通する内部電極層１９を、めっき法を用いて形成する。このときの方法としては例えば、Ａｌ表面の酸化層を酸系の薬液で処理して素面出しし、Ｚｎ層をＡｌ面上に形成した後、Ｎｉ、Ｃｕ層を順次形成するなどの方法による。

次に図１５において、コンデンサ内蔵基板表面の金属箔層をパターニングして表面パターン８を形成する。

そして図１６において、貫通スルホール１８内部に導電性ペーストを充填して硬化し、スルホール電極６ａ、６ｂを形成して完成となる。

図１７は基板内部に内蔵された固体電解コンデンサを示す斜視図である。固体電解コンデンサは長手方向に両側に突出する弁金属シート体を有し、中央部に表裏面で導通してなる固体電解質層（図示せず）、集電体層３が形成されている。弁金属シート体１と接続するスルホール電極６ａ、６ｂが陽極を構成し、集電体層３と接続してなるインナービア電極５が陰極を構成する。

本実施の形態のコンデンサ内蔵基板は、表面に誘電体被膜が形成された多孔質部を有する弁金属シート体の１部において、絶縁材料からなる陽陰極分離部を有し、この陽陰極分離部によって陽極と陰極が電気的に接続され、前記陰極は多孔質部上に形成された固体電解質層に接続されるとともに、前記陽極は弁金属シート体の金属部分と電気的に接続され、かつ前記陰極を介して離れた位置に複数箇所設けられた固体電解コンデンサを内部に有し、前記陽極の一部から電流が流入するとともに、他の陽極から電流が流出する電極構成を有することを特徴とするコンデンサ内蔵基板であるので、線路素子構造を有する大容量の固体電解コンデンサを、実装体積を増やすことなく他の部品の直近に容易に配置でき、低ＥＳＬ化実現により電流供給の円滑化、ノイズ低減等に寄与する。

また本実施の形態のコンデンサ内蔵基板は、半導体素子の直下に配置されてなる、請求項１のコンデンサ内蔵基板であるので、特にノイズ低減、電源電流の安定化が求められるＩＣ素子に対し、低ＥＳＬ化によって動作の安定化を図ることができ、加えてコンデンサの基板内蔵化により、ＩＣ周辺部の実装体積が低減でき、機器の小型化に寄与する。

また本実施の形態のコンデンサ内蔵基板は、基板を構成する材料が、無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物である、請求項１のコンデンサ内蔵基板であるので、固体電解コンデンサの基板内蔵化を容易に実現できるとともに、材料組成を適切に組み合わせることにより、所望の熱特性、機械特性を得ることができる。

また本実施の形態のコンデンサ内蔵基板は、陰極がグランドに接続されるとともに、外部へと電気的に導通するビア電極と接続されてなる、請求項１のコンデンサ内蔵基板であるので、固体電解コンデンサの陰極を介してＩＣ素子のＧＮＤとの接続が容易にでき、かつ線路の周囲をＧＮＤに接続することによってノイズ低減が図れる。

また本実施の形態のコンデンサ内蔵基板は、ビア電極は硬化された導電性樹脂ペーストによって充填されてなる、請求項４のコンデンサ内蔵基板であるので、固体電解コンデンサの陰極を容易に、低損失かつ最短経路で外部に引き出すことができ、ＥＳＬの低減が図れる。

また本実施の形態のコンデンサ内蔵基板は、陽極の少なくとも１部は、外部とつながる貫通スルホール内の側面に設けられた電極を介して外部と電気的に導通してなる、請求項１のコンデンサ内蔵基板であり、固体電解の陽極を低損失でかつ最短経路で外部に引き出すことができ、ＥＳＬの低減が図れる。

また本実施の形態のコンデンサ内蔵基板は、貫通スルホール内の側面に設けられた電極層は、ＮｉとＣｕの積層構造からなる、請求項７のコンデンサ内蔵基板であるので、Ａｌ面との密着性がよく、低抵抗の引き出しができる。

また本実施の形態のコンデンサ内蔵基板は、貫通スルホール内部に導電性ペーストを充填してなる、請求項７のコンデンサ内蔵基板であり、低抵抗のスルホール引き出しを実現できる。

また本実施の形態のコンデンサ内蔵基板は、陽陰極分離部において貫通スルホールが形成されてなる、請求項７のコンデンサ内蔵基板であり、陰極とより近い部位から陽極取出しが行えるため低ＥＳＬ化が図れるとともに、陽陰極分離部の樹脂によって絶縁が確保されるので、スルホール電極形成が容易である。

また本実施の形態のコンデンサ内蔵基板は、陽陰極分離部は、多孔質部内部と表面及び側面を覆う絶縁樹脂層と、これを覆う無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物からなるコンポジット樹脂層との積層構造によってなる、請求項１のコンデンサ内蔵基板であり、弁金属表面の凹凸を絶縁樹脂層で覆うことにより高い絶縁性が得られるとともに、コンポジット樹脂層と弁金属との密着性を向上することができる。

また本実施の形態のコンデンサ内蔵基板は、第１の樹脂層は、アクリル、エポキシないし低温硬化型ポリイミド樹脂のいずれかを主剤としてなる、請求項１１記載のコンデンサ内蔵基板であり、弁金属の表面の凹凸部を効率よく被覆でき、かつ比較的低温で硬化できるので、熱応力による弁金属の変形を低減でき、弁金属の平坦性を確保できる。

また本実施の形態のコンデンサ内蔵基板は、第１の樹脂層は、弁金属シート体はアルミ、タンタル、ニオブのいずれかよりなる、請求項１のコンデンサ内蔵基板であり、いずれも表面に誘電体層となる酸化層を容易に形成できる。

また本実施の形態のコンデンサ内蔵基板は、弁金属シート体の陰極部を形成する部位以外に第１の樹脂層を形成する工程と、無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物からなる半硬化状態の樹脂シートに、弁金属シート体の陰極部を形成する部位を中空で保持しつつ、陽極部と陽陰極分離部を構成する部位を圧着する工程と、前記樹脂シートを硬化する工程と、重合法によって固体電解質層を形成する工程と、固体電解質層上に導電性ペーストを塗布する工程と、ビア電極付きの樹脂シートを重ね合わせて圧着して硬化し固体電解コンデンサを内蔵化する工程と、所定の部位に貫通スルホールを形成する工程と、めっきによって貫通スルホール内壁に弁金属シート体と導通する内部電極層を形成する工程とを少なくとも有するコンデンサ内蔵基板の製造方法であり、線路素子構造を有する固体電解コンデンサを内蔵するコンデンサ内蔵基板を容易に形成できる。

なお、本実施の形態においては、ＩＣ素子をコンデンサ内蔵基板の上に直接配置したが、ＩＣ素子の端子側との整合を図る必要がある場合、両者の間に配線基板等の配線層を介入させてもよく、この場合配線層の厚みが、固体電解コンデンサを表面に実装した時の配線引き回し距離よりも短ければ、実施の形態にあげた効果と同様の効果が得られることは言うまでもない。

（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２におけるコンデンサ内蔵基板について、図面を参照しながら説明する。

図１８は本発明の実施の形態２におけるコンデンサ内蔵基板を示す断面図である。

図１８において実施の形態１と同様であるが、ＩＣ素子９が多電源系で接続端子が多く、またこれに対応して、コンデンサ内蔵基板内の弁金属シート体に対し複数の固体電解質層、集電体層が設けられ、これに対応してスルホール電極６ｃ、６ｄのほか、陰極接続用のインナービア電極等も設けられている。

このように本実施の形態のコンデンサ内蔵基板は、形状が同じないし異なる固体電解コンデンサが複数配列されてなる、請求項１のコンデンサ内蔵基板であるので、１つのＩＣ素子内部に多電源系の回路を有するような場合において、それぞれ独立した電化供給を行うことができる。あるいは１つの電源系に対し、複数の固体電解コンデンサを接続することもでき、容量の増加や、電流による線路の発熱を低下させることができる。

（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３におけるコンデンサ内蔵基板について、図面を参照しながら説明する。

図１９は本発明の実施の形態３におけるコンデンサ内蔵基板を示す断面図である。

図１９においては実施の形態１と同様であるが、集電体層上に電極板２１が設けられている点が異なる。電極板２１はスルホール電極を形成する部位等が除去されたパターンを有し、集電体層３の構成材料である導電性樹脂ペーストが硬化する際に同時に接着されるなどして取り付けられる。この後、実施の形態１の固定と同様にして基板内蔵化が行われる。

このように本実施の形態のコンデンサ内蔵基板は、陰極がパターニングされた電極上に搭載されてなる、請求項１のコンデンサ内蔵基板であるので、固体電解コンデンサの抵抗値を下げることができるとともに、固体電解コンデンサの強度が増すとともに平坦度が向上できるので、基板内蔵化が容易になる。加えて、電極板を熱伝導性のよい材料によって構成することにより、固体電解コンデンサから発生する熱を外部へ放出することができ、安定動作に寄与する。

以上のように本発明のコンデンサ内蔵基板は、線路素子構造を有する固体電解コンデンサをＩＣ素子直下に短配線でかつ小スペースで実装、接続でき、インピーダンス特性が向上し、映像機器やサーバ用パソコンなど、高速ＩＣを用いた機器の高性能化、小型化に寄与する。

本発明の実施の形態１におけるコンデンサ内蔵基板の断面図同実施の形態における拡大断面図同実装の形態における断面工程図同実装の形態における断面工程図同実装の形態における断面工程図同実装の形態における断面工程図同実装の形態における断面工程図同実装の形態における断面工程図同実装の形態における断面工程図同実装の形態における断面工程図同実装の形態における断面工程図同実装の形態における断面工程図同実装の形態における断面工程図同実装の形態における断面工程図同実装の形態における断面工程図同実装の形態における断面工程図同実施の形態における固体電解コンデンサの斜視図本発明の実施の形態２におけるコンデンサ内蔵基板の断面図本発明の実施の形態３におけるコンデンサ内蔵基板の断面図

１弁金属シート体
２固体電解質層
３集電体層
４絶縁樹脂層
５インナービア電極
６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄスルホール電極
７ａ、７ｂ、７ｃ、２０コンポジット樹脂層
８表面パターン
９ＩＣ素子
１０接続端子
１１マザーボード
１２電源配線
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄグランド配線
１４ａ、１４ｂ封止樹脂
１５多孔質部
１６給電部
１７金属箔層
１８貫通スルホール
１９内部電極層
２１電極板

Claims

表面に誘電体被膜が形成された多孔質部を有する弁金属シート体の１部において、絶縁材料からなる陽陰極分離部を有し、この陽陰極分離部によって陽極と陰極が電気的に絶縁され、前記陰極は多孔質部上に形成された固体電解質層に接続されるとともに、前記陽極は弁金属シート体の金属部分と電気的に接続され、かつ前記陰極を介して離れた位置に複数箇所設けられた固体電解コンデンサを内部に有し、前記固体電解コンデンサが、マザーボードに実装されたＩＣ素子の電源端子に接続される第１の端子と、前記ＩＣ素子のグランド端子に接続される第２の端子と、前記マザーボードのグランドに接続される第３の端子と、前記マザーボードの電源端子に接続される第４の端子と、を有することを特徴とするコンデンサ内蔵基板であって、
前記陽陰極分離部は、前記多孔質内部と表面及び側面を覆う絶縁樹脂層と、この絶縁樹脂層を覆う無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物からなるコンポジット樹脂層との積層構造を有し、
前記陽極の少なくとも一部は、前記絶縁樹脂層と前記コンポジット樹脂層との積層部において、前記コンポジット樹脂層及び前記弁金属シート体を貫通し、前記弁金属シート体と電気的に導通するスルホール電極であることを特徴とするコンデンサ内蔵基板。
半導体素子の直下に配置されてなる、請求項１に記載のコンデンサ内蔵基板。
基板を構成する材料が、無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物である、請求項１に記載のコンデンサ内蔵基板。
陰極がグランドに接続されるとともに、外部へと電気的に導通するビア電極と接続されてなる、請求項１に記載のコンデンサ内蔵基板。
ビア電極は硬化された導電性樹脂ペーストによって充填されてなる、請求項４に記載のコンデンサ内蔵基板。
陰極がパターニングされた電極上に搭載されてなる、請求項１に記載のコンデンサ内蔵基板。
陽極の少なくとも１部は、外部とつながる貫通スルホール内の側面に設けられた電極を介して外部と電気的に導通してなる、請求項１に記載のコンデンサ内蔵基板。
貫通スルホール内の側面に設けられた電極層は、ＮｉとＣｕの積層構造からなる、請求項７に記載のコンデンサ内蔵基板。
貫通スルホール内部に導電性ペーストを充填してなる、請求項７に記載のコンデンサ内蔵基板。
陽陰極分離部において貫通スルホールが形成されてなる、請求項７に記載のコンデンサ内蔵基板。
陽陰極分離部は、多孔質部内部と表面及び側面を覆う絶縁樹脂層と、これを覆う無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物からなるコンポジット樹脂層との積層構造によってなる、請求項１に記載のコンデンサ内蔵基板。
第１の樹脂層は、アクリル、エポキシないし低温硬化型ポリイミド樹脂のいずれかを主剤としてなる、請求項１１に記載のコンデンサ内蔵基板。
弁金属シート体はアルミ、タンタル、ニオブのいずれかよりなる、請求項１に記載のコンデンサ内蔵基板。
形状が同じないし異なる固体電解コンデンサが複数配列されてなる、請求項１に記載のコンデンサ内蔵基板。
弁金属シート体の陰極部を形成する部位以外に第１の樹脂層を形成する工程と、無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物からなる半硬化状態の樹脂シートに、弁金属シート体の陰極部を形成する部位を中空で保持しつつ、陽極部と陽陰極分離部を構成する部位を圧着する工程と、前記樹脂シートを硬化する工程と、重合法によって固体電解質層を形成する工程と、固体電解質層上に導電性ペーストを塗布する工程と、ビア電極付きの樹脂シートを重ね合わせて圧着して硬化し固体電解コンデンサを内蔵化する工程と、所定の部位に貫通スルホールを形成する工程と、めっきによって貫通スルホール内壁に弁金属シート体と導通する内部電極層を形成する工程とを少なくとも有する、コンデンサ内蔵基板の製造方法であって、
前記陽陰極分離部は、前記弁金属シート体の多孔質内部と表面及び側面を覆う絶縁樹脂層と、この絶縁樹脂層を覆う無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物からなるコンポジット樹脂層との積層構造を有し、
前記陽極の少なくとも一部は、前記絶縁樹脂層と前記コンポジット樹脂層との積層部において、前記コンポジット樹脂層及び前記弁金属シート体を貫通し、前記弁金属シート体と電気的に導通するスルホール電極であることを特徴とするコンデンサ内蔵基板の製造方法。