JP2003297604A

JP2003297604A - チップ型過電流保護素子

Info

Publication number: JP2003297604A
Application number: JP2002097820A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Kobuke; 恆小更
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2002-03-29
Filing date: 2002-03-29
Publication date: 2003-10-17

Abstract

(57)【要約】【課題】リフロー時に有機ポリマーの融点を越える温度
の熱が加わった時に生じる熱変形により生じる抵抗値の
上昇を低減することができ、かつ少ない工程で製造でき
るチップ型過電流保護素子を提供する。【解決手段】有機ポリマー中に導電性物質が分散された
正の抵抗温度特性を持つ抵抗層１と、該抵抗層１を挟む
少なくとも一対の電極２ａ、２ｂを有する正特性サーミ
スタ３からなる。正特性サーミスタ層３の両主面にシー
ト状の熱硬化型樹脂でなる補強層４ａ、４ｂを固着す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、有機ポリマー中に
導電性物質を分散混合して正の抵抗温度特性（ＰＴＣ特
性）を持たせたサーミスタにより構成されるチップ型過
電流保護素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】昨今のデジタル家電化、マルチメディア
化等により、パソコンを中心に各種機器が多く接続され
る傾向にある。特に、ＵＳＢやＩＥＥＥ１３９４等のイ
ンターフェイスは、今後の主力となるインターフェイス
として注目されている。それらのインターフェイスにお
いては、周辺機器に信号だけでなく、電源をも供給して
いる。一般的には、インターフェイスには一対の信号ラ
インと電源供給ラインとグランドラインとが接続され
る。よって、それらのシステムにおいては、従来からの
ノイズ伝播、輻射の対策だけではなく、各種の誤動作に
よる過電流に対しても対策が必要となっている。そのた
め、過電流保護素子を設けて対策している。また、この
ような過電流保護素子の形状は、一般的には、面実装が
可能なようにチップタイプをなし、リフロー半田付けに
より基板上に装着されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、リフロ
ーにより過電流保護素子を基板に表面実装する場合、過
電流保護素子はおおよそ２３０〜２５０℃程度の温度に
さらされる。このため、過電流保護素子は有機ポリマー
の融点以上の温度にさらされてしまい、その結果、熱変
形を起こして抵抗値がアップしてしまい、本来の性能を
劣化させてしまうという問題点がある。近年の鉛フリー
化の動きの中では半田のリフロー温度が上昇するので、
いままで以上に抵抗値がアップしてしまうおそれがあ
る。このような抵抗値アップを防ぐために樹脂に架橋処
理を施すことにより、耐熱性の向上を図っているが、ま
だ完全なものではない。

【０００４】また、特開平９−３２０８０８号公報に
は、図４（Ｃ）に示すように、有機ポリマー中に導電性
物質が分散された正の抵抗温度特性を持つ抵抗層２０を
挟む電極２１ａ、２１ｂにより正特性サーミスタを構成
し、その両側をアルミナでなる基板２３ａ、２３ｂで挟
んだ構成のものが開示されている。しかしながら、この
ようなアルミナのようなセラミックを用いた場合には、
基板２３ａ、２３ｂと抵抗層２０との間に接着のための
樹脂層２２ａ、２２ｂを設けることが必要であり、工程
数が多くなる上、アルミナ等は加工が容易ではなく、製
造コストがかかるという問題点がある。

【０００５】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑み、リフロー時に有機ポリマーの融点を越える温度の
熱が加わった時に生じる熱変形により生じる抵抗値の上
昇を抑制することができ、かつ少ない工程で製造できる
チップ型過電流保護素子を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明のチップ型過電
流保護素子は、有機ポリマー中に導電性物質が分散され
た正の抵抗温度特性を持つ抵抗層と、該抵抗層を挟む一
対の電極とを有する少なくとも１つの正特性サーミスタ
層を有するチップ型過電流保護素子であって、前記正特
性サーミスタ層の両主面にシート状の熱硬化型樹脂でな
る補強層を固着した層構造を少なくとも１つ有すること
を特徴とする。

【０００７】本発明において、前記補強層の厚みは５０
〜５００μｍ（より好ましくは１００〜２００μｍ）と
することが好ましい。前記厚みが前記範囲未満であると
補強層としての働きが期待できず、一方、前記範囲を超
えると過電流保護素子の厚みが大きくなる。

【０００８】このように、正特性サーミスタ層の両面を
熱硬化型樹脂でなる補強層で挟んだ構造とすることによ
り、リフロー時における変形を抑えることができ、リフ
ローによる抵抗値の上昇を抑制することができる。ま
た、本発明による補強層は、熱硬化型樹脂でなるため、
ポリマーでなる抵抗層をプリプレグとした状態で直接加
熱圧着させることが可能であり、アルミナ等のセラミッ
クでなる場合に比較して接着層が不要となり、工程数が
少なくてすむ上、加工も容易となる。

【０００９】本発明において、前記抵抗層にガラスクロ
スを埋設することにより、前記リフローによる変形をよ
り良く抑えることができる。

【００１０】また、本発明において、前記補強層にガラ
スクロスを埋設することにより、前記補強層のリフロー
による熱変形度合を小さくでき、製品寸法高さを低くす
るために、補強層を薄くした場合に、製造工程における
補強層の強度を確保することが容易となる。

【００１１】また、本発明において、前記電極と前記抵
抗層との間に、正の抵抗温度特性を持たない導電性樹脂
層を介在させれば、電極と抵抗層との接触抵抗を小さく
することができ、その結果、チップとしての抵抗値を小
さくすることができる上、リフローによる抵抗値の増大
をより良く抑制することができる。

【００１２】また、本発明において、前記補強層の前記
抵抗層との固着面を粗面化することにより、接触抵抗を
下げると共に、補強層と抵抗層との固着強度を大とする
ことができる。また、抵抗層のリフローによる変形をよ
り良く抑えることができる。

【００１３】また、電極の前記抵抗層または導電性樹脂
層との固着面が粗面化することにより、接触抵抗を下
げ、電極と抵抗層または導電性樹脂層との固着強度を大
とする。また、抵抗層のリフローによる変形をより良く
抑えることができる。

【００１４】また、本発明において、前記サーミスタ層
を複数層有し、補強層とサーミスタ層とが交互に形成さ
れ、かつ最上層、最下層にも補強層が形成された構造と
することにより、抵抗値が低く、かつリフローによる抵
抗値の増大が良好に抑えられた過電流保護素子が提供で
きる。

【００１５】

【発明の実施の形態】図１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ
本発明による過電流保護素子の一実施の形態を示す断面
図および平面図である。１は有機ポリマー中に導電性物
質が分散された正の抵抗温度特性を持つ抵抗層、２ａ、
２ｂはその両主面に固着して設けられた電極であり、こ
れらによりサーミスタ層３が形成される。４ａ、４ｂは
該サーミスタ層３の両主面に固着して設けられた補強
層、５ａ、５ｂは前記電極２ａ、２ｂの各一端に接続し
て設けられた外部接続用端子である。

【００１６】前記抵抗層１は、有機ポリマーとして熱可
塑性の結晶性高分子（樹脂）が用いられ、例えばポリエ
チレン樹脂、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）樹脂、
ポリプロピレン樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体、ア
イオノマ−のいずれかまたはこれらの共重合体である結
晶性樹脂の１種以上のもの等が用いられる。特にＰＶＤ
Ｆは自消性がある点において、着火の可能性のある箇所
において使用するものに適している。この抵抗層１の厚
みは好ましくは５０μｍ〜２０００μｍ、より好ましく
は１００μｍ〜５００μｍである。

【００１７】また、導電性物質としては、例えば銅、ニ
ッケル、アルミニウム、銀、パラジウム、チタン、タン
グステン等の金属やこれらの合金、導電性を有するホウ
化物、チッ化物、炭化物およびカーボンブラックが用い
られる。また、導電性物質の混合率は、所定値以上の導
電性を得るためにはこれらの導電材の添加量が２０体積
％以上であることが好ましく、また、ＰＴＣ特性を得る
ためには、５０体積％以下であることが好ましい。前記
電極２ａ、２ｂの厚みは好ましくは５μｍ〜７０μｍ、
より好ましくは１８μｍ〜３５μｍである。

【００１８】前記補強層４ａ、４ｂに用いる熱硬化型樹
脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミ
ド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ビスマレイミ
ドトリアジン樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物
樹脂、ポリブタジエン樹脂等を１種以上含むものを用い
る。前記補強層４ａ、４ｂの厚みは好ましくは前記した
理由から５０μｍ〜５００μｍ、より好ましくは１００
μｍ〜２００μｍである。勿論有機ポリマーおよび補強
層に用いる樹脂あるいは導電性物質として上記以外の他
の材質のものを用いることもできる。

【００１９】図１（Ｃ）に示すように、抵抗層１に図示
のように双方にガラスクロス６ａを埋設することによ
り、リフローによる変形をより良く抑えることができ
る。

【００２０】また、補強層４ａ、４ｂにガラスクロス６
ｂを埋設することにより、前記補強層４ａ、４ｂのリフ
ローによる熱変形度合を小さくできる上、製品寸法高さ
を低くするために、補強層４ａ、４ｂを薄くした場合
に、製造工程における補強層４ａ、４ｂの強度を容易に
確保することができる。

【００２１】図２（Ａ）は前記抵抗層１用のシートを製
造する工程を示す図である。図示のように、粉末状の導
電性物質７と樹脂８とを混合してその混合物９から加熱
プレスにより抵抗層１用のシート１Ａを作製する。図２
（Ａ）ではシート１Ａのうち、１個分については実線で
示し、他の部分を仮想線で示す。ガラスクロス６ａを埋
設する場合には、導電性物質７と樹脂８と溶剤とを混合
して液状とし、その中に帯状のガラスクロスを浸漬し、
ロールに通した後、乾燥し、その後、加熱プレスにより
シート１Ａを作製する。

【００２２】図２（Ｂ）は補強層４ａ、４ｂおよび電極
２ａ、２ｂを形成するためのシート４の形成工程を示
す。４は片面に電極となる電解銅箔２を固着したガラス
エポキシ基板であり、この基板の銅箔２の面にフォトリ
ソ技術およびエッチングにより前記電極２ａまたは２ｂ
となるパターンを縦横に形成したものを得る。図２
（Ｂ）においてもチップ１個分について実線で示し、他
の部分を仮想線で示す。

【００２３】図２（Ａ）、（Ｂ）に示すようにして得た
シート１Ａ、４を図１（Ａ）の断面図で示すように電極
２ａ、２ｂの引き出し方向が交互配置となり、かつ電極
２ａ、２ｂ間で抵抗層１となるシート１Ａを挟むように
重ね、加熱加圧により接着する。その後、端子５ａ、５
ｂとなる箇所にドリルまたレーザによりスルーホールを
開け、無電解めっきにより銅を付け、さらに電解めっき
により端子５ａ、５ｂとなる金属膜を付着させる。その
後、スルーホールの中心を通る線と、それに直交する線
に沿って縦横に切断することにより、図１（Ａ）、
（Ｂ）または図１（Ｃ）に示すチップ型過電流保護素子
を得る。

【００２４】図３は抵抗層１と電極２ａ（２ｂ）と、補
強層となるシート４との密着のための粗面構造を説明す
る図である。図３（Ａ）に示すように、電極２ａ、２ｂ
となる電解銅箔２の前記シート４との固着面には、電解
により粗面１０が形成されているので、電解銅箔２はシ
ート４に強く固着されている。

【００２５】次に図３（Ｂ）に示すように、銅箔２にフ
ォトリソ技術およびエッチングを施すことにより、電極
２ａ（２ｂ）のパターンを形成する。これにより、銅箔
２が除去された部分に前記粗面１０が露出する。

【００２６】次に図３（Ｃ）に示すように電極２ａ、２
ｂの抵抗層１の固着面を、例えばプリント基板の工程に
用いられる黒化処理するように酸処理することにより粗
面１１とする。そして、図３（Ｄ）に示すように、抵抗
層となる導電性物質を含む有機ポリマー（またはさらに
ガラスクロスを埋設した）からなるプリプレグとしての
シート１Ａの両面をガラスエポキシ基板４で挟み、加熱
圧着する。

【００２７】このように、抵抗層１（シート１Ａ）と補
強層４ａ、４ｂ（シート４）とを粗面１０を介して固着
することにより、電極２ａ、２ｂの周囲が強く固着さ
れ、固着強度が上がる。また、電極２ａ、２ｂも粗面１
１に形成して抵抗層１を固着しているので、電極２ａ、
２ｂに対する抵抗層１の固着強度が上がる。このため、
リフローによる抵抗値の変化を小さくすることができ
る。

【００２８】図４（Ａ）は本発明による過電流保護素子
の他の実施の形態を示す断面図であり、前記電極２ａ、
２ｂと前記抵抗層１との間に、正の抵抗温度特性を持た
ない導電性樹脂層１２ａ、１２ｂを介在させたものであ
る。一般的に、導電性物質の添加量を６０体積％以上と
することによってＰＴＣ特性を示さなくなる。該導電性
樹脂層１２ａ、１２ｂを形成する樹脂は抵抗層１を構成
するものと同じあるいは異なる前記した抵抗層１を構成
する樹脂でよく、また導電性材料としては、抵抗層１を
構成する導電性物質と同じかまたは異なる前記した導電
性物質が用いられる。

【００２９】これらの導電性樹脂層１２ａ、１２ｂの形
成は、樹脂と導電性物質と有機溶剤により塗料化したも
のをスプレーや印刷等により塗布したり、樹脂と導電性
物質との混練物をシート状に成形した後、加熱加圧接着
により成形することにより行うことができる。

【００３０】このような導電性樹脂層１２ａ、１２ｂを
設けることにより、有機ポリマーでなる抵抗層１と電極
２ａ、２ｂとの界面抵抗が小さくなり、しかもリフロー
による抵抗増大をより良く抑えることができる。

【００３１】図５は本発明の過電流保護素子の他の実施
の形態を示すもので、（Ａ）は層構造図、（Ｂ）は断面
図である。本実施の形態は、複数の抵抗層１ａ〜１ｃお
よび電極２ａ〜２ｆにより複数のサーミスタ層３ａ〜３
ｃを設け、これらのサーミスタ層３ａ〜３ｃを補強層４
ａ〜４ｄにより挟む構造としたものである。

【００３２】このように、サーミスタを多層構造とする
ことにより、低い抵抗値の過電流保護素子を得ることが
できる。また、この場合も補強層４ａ〜４ｄにより、リ
フローによる抵抗値の増大を抑えることができる。図５
において、中間の補強層４ｂ、４ｃを省略し、最上下層
の補強層４ａ、４ｄを設けた構造も実現できる。また、
前記導電性樹脂層１２ａ、１２ｂを電極２ａ〜２ｆと抵
抗層１ａ〜１ｃとの間に介在させた構造としてもよい。

【００３３】

【実施例１】（単層タイプ）（１）ＰＣＴ挙動を示す抵抗層の成形図１(Ｃ)に示す構造の過電流保護素子を下記の工程によ
り得た。有機ポリマーとしてのＰＶＤＦ（呉羽化学株式
会社製ＫＦ１０００）に対し、有機ポリマーと導電性
物質とのぬれ性向上のためのシランカップリング剤（信
越化学工業株式会社製ＫＢＣ１００３）を、ＰＶＤＦ
１００重量部に対して１０重量部を加え、また、架橋反
応を促進させて耐熱性を向上させるための有機過酸化物
である２、５−ジメチル−２、５−ジ（ｔ−ブチルパー
オキシン）ヘキシン−３を１重量部加えてＮＭＰ（Ｎ−
メチル−ピロリドン）溶液中に溶解させ、さらに導電性
物質としてのＷＣ粉（日本新金属株式会社製ＷＣ−
Ｆ、平均粒径０．６５μｍ）を、そのポリマーとの混合
物中の含有率が最終的に３０体積％となるように、攪拌
槽にて秤量混合し、さらに、スチールボールがメディア
として混入したボールミルによって塗料化を行った。

【００３４】上述のような工程によって導電性物質を上
記混合物に適度に分散させた後、塗工槽に前記塗料化混
合物を入れておき、リールから繰り出されるガラスクロ
スを前記混合物中に浸漬し、その後、膜厚制御用ローラ
に通して膜厚を一定に制御する。その後、乾燥炉に通し
て前記ＮＭＰ溶液を飛ばしてＰＶＤＦの乾燥を行うこと
により、ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマー（抵抗層）
用シートを得る。そしてこの導電性ポリマーを冷却後、
巻き取りリールに巻き取る。

【００３５】次にリールに巻かれた導電性ポリマーを繰
り出しながらカッターにより一定幅に切断する。次にこ
のようにして得たシートを、２００℃に加熱されたプレ
ス板にて、上下より、２ＭＰａの圧力にて１５分の間加
圧・加熱して０．２ｍｍの厚みのシートに成形する。

【００３６】（２）電極および補強層の形成図１（Ｂ）、（Ｃ）に示すような電極２ａ、２ｂのパタ
ーニングを行ったガラスエポキシ基板４（通常のプリン
ト基板工程により作製したもの）を作製する。その後、
プリント基板工程により一般的に行われる黒化処理（酸
処理による粗面化）を行う。

【００３７】（３）積層前記（１）に記載したように切断、加熱、加圧成形した
抵抗層用シート１Ａを、前記電極パターン２ａ、２ｂ付
きのガラスエポキシ基板４による挟み込み、加熱加圧プ
レスにより（必要ならば真空プレスとする）、２００℃
で、５ＭＰａの圧力にて１０分の間加圧・加熱して固着
した。

【００３８】（４）端子の形成さらにチップ両端の端子５ａ、５ｂとなるべき部分にド
リルによりスルーホールを形成し、めっき処理を行うこ
とにより、端子５ａ、５ｂとなるべき導体を形成した。
この場合のめっき構成としては、銅、ニッケル、金をこ
の順に形成した。

【００３９】（５）切断次に、スルーホールに金属をめっきした積層体を、カッ
ターにより、スルーホールの中心を通る切断線と、それ
に直交する切断線により、３２１６形状（縦３．２ｍ
ｍ、横１．６ｍｍ）のチップサイズに切り出した。

【００４０】

【実施例２】（多層タイプ）図５に示す３層のサーミスタ３ａ〜３ｃを有する構造の
過電流保護素子を下記の工程により作製した。前記実施
例１における前記（１）のＰＣＴ挙動を示す抵抗層の成
形、（２）の電極および補強層の形成、（３）積層、
（４）端子の形成、（５）切断の工程は、層数が異なる
点以外は、実施例１と同様にして行い、３２１６形状の
チップを作製した。

【００４１】

【実施例３】（多層タイプ＋導電性樹脂層）図５に示す
３層のサーミスタ３ａ〜３ｃを有する構造の過電流保護
素子において、図４（Ａ）に示した導電性樹脂層１３
ａ、１３ｂを有するものを、導電性樹脂層１２ａ、１２
ｂを設ける点以外は実施例２と同様に作製した。導電性
樹脂層１２ａ、１２ｂを構成する樹脂としては、ＰＶＤ
Ｆを用い、導電性物質としてはカーボンブラック（ケッ
チェンブラックＥＣ６００）を用い、その組成をＰＶＤ
Ｆ７０体積％、カーボンブラック３０体積％とした。そ
の導電性物質素体の比抵抗は０．００１Ω・ｃｍであっ
た。他の工程、組成は実施例３と同様とした。

【００４２】

【実施例４】（単層タイプ）実施例１において、抵抗層
１の導電性物質としてＷＣ粉の代わりにカーボンブラッ
ク（東海カーボン（株）製トーカブラック＃４５００）
を用い、その組成をカーボンブラック２５体積％とした
以外は実施例１と同様に単層構造で過電流保護素子を作
製した。

【００４３】

【比較例１】（単層タイプ＋補強層なし）図４（Ｂ）に
示すように、抵抗層１の両側に電極２ａ、２ｂでなるサ
ーミスタ層の両側に絶縁用の２０μｍ厚の保護膜１４
ａ、１４ｂを設けたものを作製した。この場合、前記実
施例１における（１）ＰＣＴ挙動を示す抵抗層１の成形
は実施例１と同様に行った。また、電極２ａ、２ｂは、
抵抗層１と電解銅箔を２００℃、３ＭＰａで１０分加熱
加圧することにより固着した後、パターニングすること
により形成した。保護膜１４ａ、１４ｂの形成は、パタ
ーニングした電極を有するシートの両面に、エポキシ樹
脂でなるレジストを印刷、硬化することにより形成し
た。切断は前記実施例と同様に３２１６形状で行った。

【００４４】［評価］前記実施例１〜４、比較例１の初
期抵抗値とリフローによる抵抗変化率を求めた。リフロ
ー試験の条件は、予熱温度が１５０℃で１００秒、ピー
ク温度２３０℃で５０秒とした。リフロー抵抗変化率ｒ
は下記の（１）式により算出した。ｒ＝（Ｒ２-Ｒ１）／Ｒ１ …（１）ただしＲ２：リフロー後の抵抗値、Ｒ１：初期抵抗値表１に前記実施例１〜４、比較例１における組成、初期
抵抗値、リフローによる抵抗変化率を示す。

【００４５】表１に示すように、本発明による実施例１
〜４の場合、比較例１の場合に比較して、リフローによ
る抵抗の変化率が大幅に低下する（すなわちリフローに
よる抵抗値の増大が抑制される）ことが分かる。また、
実施例２、３の多層構造の場合、実施例１、４の単層構
造に比較して初期抵抗値が大幅に低くなった。また、実
施例３のように導電性樹脂層１２ａ、１２ｂを設けた場
合、これを有しない場合に比較してリフローによる抵抗
変化率が小さくなった。

【００４６】

【表１】

【００４７】

【発明の効果】本発明によれば、サーミスタ層の両側
に、リフロー時に抵抗層を構成する有機ポリマーの融点
を越える温度の熱が加わった時に生じる熱変形により生
じる抵抗値の上昇を低減することができる。また、多層
型チップの場合には、リフローにより大きな応力が発生
すると、電極引き出し部に断線が生じやすくなるが、熱
硬化型樹脂でサーミスタ層を挟むことにより、サーミス
タ層に変形応力が発生しにくくなり、信頼性の高い過電
流保護素子の実現が可能となる。

【００４８】また、補強層として熱硬化性樹脂を用いて
いるので、セラミックを使用する場合に比較し、加工が
容易であり、しかもサーミスタ層をプリプレグの状態で
加熱圧着することにより、サーミスタ層と補強層との間
に接着層を塗布する工程を要することなく補強層の付設
工程を実施することができ、工程数が低減され、コスト
低減に寄与できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）は本発明による過電流保護素子の一実施
の形態を示す断面図、（Ｂ）はその平面図、（Ｃ）は本
発明による過電流保護素子の他の実施の形態を示す断面
図である。

【図２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ図１（Ａ）、（Ｂ）
の過電流保護素子の抵抗層用シート、補強層用シートの
製造工程の一例を示す図である。

【図３】（Ａ）〜（Ｄ）は前記実施の形態の過電流保護
素子の接合部の断面構造を工程毎に示す断面図である。

【図４】（Ａ）は本発明による過電流保護素子の他の実
施の形態を示す断面図、（Ｂ）は比較例の過電流保護素
子を示す断面図、（Ｃ）は従来の過電流保護素子を示す
断面図である。

【図５】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明による過電流
保護素子の他の実施の形態を示す層構造図、断面図であ
る。

【符号の説明】

１、１ａ〜１ｃ：抵抗層、２：銅箔、２ａ、２ｂ：電
極、３、３ａ〜３ｃ：サーミスタ層、４：補強層用シー
ト、４ａ〜４ｄ：補強層、５ａ、５ｂ：端子、６ａ、６
ｂ：ガラスクロス、７：導電性物質、８：樹脂、９：混
練物、１０、１１：粗面、１２ａ、１２ｂ：導電性樹脂
層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】有機ポリマー中に導電性物質が分散された
正の抵抗温度特性を持つ抵抗層と、該抵抗層を挟む一対
の電極とを有する少なくとも１つの正特性サーミスタ層
を有するチップ型過電流保護素子であって、前記正特性サーミスタ層の両主面にシート状の熱硬化型
樹脂でなる補強層を固着した層構造を少なくとも１つ有
することを特徴とするチップ型過電流保護素子。
【請求項２】請求項１に記載のチップ型過電流保護素子
において、前記補強層が５０〜５００μｍの厚みを有することを特
徴とするチップ型過電流保護素子。
【請求項３】請求項１または２に記載のチップ型過電流
保護素子において、前記抵抗層にガラスクロスが埋設されていることを特徴
とするチップ型過電流保護素子。
【請求項４】請求項１から３までのいずれかに記載のチ
ップ型過電流保護素子において、前記補強層にガラスクロスが埋設されていることを特徴
とするチップ型過電流保護素子。
【請求項５】請求項１から４までのいずれかに記載のチ
ップ型過電流保護素子において、前記電極と前記抵抗層との間に、正の抵抗温度特性を持
たない導電性樹脂層を介在させたことを特徴とするチッ
プ型過電流保護素子。
【請求項６】請求項１から５までのいずれかに記載のチ
ップ型過電流保護素子において、前記補強層の前記抵抗層との固着面が粗面化されている
ことを特徴とするチップ型過電流保護素子。
【請求項７】請求項１から６までのいずれかに記載のチ
ップ型過電流保護素子において、前記電極の前記抵抗層または導電性樹脂層との固着面が
粗面化されていることを特徴とするチップ型過電流保護
素子。
【請求項８】請求項１から７までのいずれかに記載のチ
ップ型過電流保護素子において、前記サーミスタ層を複数層有し、補強層とサーミスタ層
とが交互に形成され、かつ最上層、最下層にも補強層が
形成されていることを特徴とするチップ型過電流保護素
子。