JP2626329B2 - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
- Publication number
- JP2626329B2 JP2626329B2 JP3200209A JP20020991A JP2626329B2 JP 2626329 B2 JP2626329 B2 JP 2626329B2 JP 3200209 A JP3200209 A JP 3200209A JP 20020991 A JP20020991 A JP 20020991A JP 2626329 B2 JP2626329 B2 JP 2626329B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- terminal electrode
- main body
- heat resistance
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は電子部品に関し、特に
たとえば基板上において半田付けされる端子電極を有す
る積層コンデンサやチップコイル等の電子部品に関す
る。
たとえば基板上において半田付けされる端子電極を有す
る積層コンデンサやチップコイル等の電子部品に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】この種の従来の電子部品としては、たと
えば図２に示すような積層コンデンサ１がある。積層コ
ンデンサ１は、セラミック層２と内部電極３とを交互に
積層して得られる本体４を含み、本体４の外表面には、
ＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ系の電極ペーストを塗布・焼成し
て端子電極５が形成されている。
えば図２に示すような積層コンデンサ１がある。積層コ
ンデンサ１は、セラミック層２と内部電極３とを交互に
積層して得られる本体４を含み、本体４の外表面には、
ＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ系の電極ペーストを塗布・焼成し
て端子電極５が形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の従来技
術では、端子電極５の半田耐熱性が不十分である、
端子電極５のマイグレーションが大きい、貴金属（Ａ
ｇ）を用いているため高価であるという問題点があっ
た。そこで、図３に示すように、Ａｇ電極ペーストを塗
布・焼成して形成した端子電極５の外側に、Ｎｉの導電
層６とＳｎの導電層７を電解めっき（湿式めっき）によ
り形成し、それによって半田耐熱性を向上した積層コン
デンサ８が知られている。
術では、端子電極５の半田耐熱性が不十分である、
端子電極５のマイグレーションが大きい、貴金属（Ａ
ｇ）を用いているため高価であるという問題点があっ
た。そこで、図３に示すように、Ａｇ電極ペーストを塗
布・焼成して形成した端子電極５の外側に、Ｎｉの導電
層６とＳｎの導電層７を電解めっき（湿式めっき）によ
り形成し、それによって半田耐熱性を向上した積層コン
デンサ８が知られている。
【０００４】しかしながら、この従来技術によっても上
述の問題点をいずれも解決することはできず、また、導
電層６および７を電解めっき（湿式めっき）により形成
するため、たとえばセラミックのような本体４に電解液
が入り込んで劣化要因が形成されてしまうという別の問
題点が生じてしまい、コストおよび信頼性の面でなお問
題があった。
述の問題点をいずれも解決することはできず、また、導
電層６および７を電解めっき（湿式めっき）により形成
するため、たとえばセラミックのような本体４に電解液
が入り込んで劣化要因が形成されてしまうという別の問
題点が生じてしまい、コストおよび信頼性の面でなお問
題があった。
【０００５】それゆえに、この発明の主たる目的は、よ
り安価でかつ信頼性の高い、電子部品を提供することで
ある。
り安価でかつ信頼性の高い、電子部品を提供することで
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、端子電極
の少なくとも表面をＮｉ（５〜３０ｗｔ％）とＺｎ（１
０〜３５ｗｔ％）とＣｕ（５０〜８５ｗｔ％）とを含む
導電層で形成したことを特徴とする、電子部品である。
第２の発明は、端子電極の少なくとも表面をＮｉ（８〜
１０ｗｔ％）とＣｕ（８７〜９０ｗｔ％）とＳｎ（２〜
３ｗｔ％）とを含む導電層で形成したことを特徴とす
る、電子部品である。
の少なくとも表面をＮｉ（５〜３０ｗｔ％）とＺｎ（１
０〜３５ｗｔ％）とＣｕ（５０〜８５ｗｔ％）とを含む
導電層で形成したことを特徴とする、電子部品である。
第２の発明は、端子電極の少なくとも表面をＮｉ（８〜
１０ｗｔ％）とＣｕ（８７〜９０ｗｔ％）とＳｎ（２〜
３ｗｔ％）とを含む導電層で形成したことを特徴とす
る、電子部品である。
【０００７】
【作用】端子電極の少なくとも表面に形成された所定の
組成を有する導電層によって半田耐熱性および半田付性
等が確保され得る。
組成を有する導電層によって半田耐熱性および半田付性
等が確保され得る。
【０００８】
【発明の効果】この発明によれば、卑金属の表面層によ
って半田耐熱性および半田付性等を確保でき、全体とし
てより信頼性の高い電子部品を得ることができる。そし
て、端子電極をスパッタリング，蒸着，イオンプレーテ
ィング，溶射等の気相めっきによって形成するようにす
れば、本体がセラミックであっても、その劣化要因の形
成を防止でき、電子部品の信頼性をさらに向上できる。
って半田耐熱性および半田付性等を確保でき、全体とし
てより信頼性の高い電子部品を得ることができる。そし
て、端子電極をスパッタリング，蒸着，イオンプレーテ
ィング，溶射等の気相めっきによって形成するようにす
れば、本体がセラミックであっても、その劣化要因の形
成を防止でき、電子部品の信頼性をさらに向上できる。
【０００９】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１０】
【実施例】図１に示すこの実施例の積層コンデンサ１０
は、複数の内部電極１２と複数のセラミック層１４とを
交互に積み重ねて得られる本体１６を含む。本体１６の
両端部には、それぞれが卑金属のみを成分とする第１導
電層１８および第２導電層２０ならびに第３導電層２２
を含む端子電極２４が形成される。
は、複数の内部電極１２と複数のセラミック層１４とを
交互に積み重ねて得られる本体１６を含む。本体１６の
両端部には、それぞれが卑金属のみを成分とする第１導
電層１８および第２導電層２０ならびに第３導電層２２
を含む端子電極２４が形成される。
【００１１】すなわち、第１導電層１８は、Ｔｉ，Ｍ
ｏ，ＣｒおよびＮｉの１つ以上をターゲットとして、Ａ
ｒ量１×１０-3Ｔｏｒｒ中のプレーナマグネトロンスパ
ッタリング（以下、単に「スパッタリング」という）に
より本体１６の両端面に付与される。第２導電層２０
は、ＮｉおよびＣｕの少なくとも１つをターゲットとし
て、スパッタリングにより第１導電層１８の外側からこ
れを被うようにして付与される。第３導電層２２は、Ｎ
ｉ，ＺｎおよびＣｕの合金をターゲットとして、スパッ
タリングにより第２導電層２０のさらに外側からこれを
被うようにして付与される。この第３導電層は、半田耐
熱性あるいは半田付性等に直接影響を与えるため、特に
その組成が重要であり、この実施例では、Ｎｉ：５ｗｔ
％，Ｚｎ：１０ｗｔ％，Ｃｕ：８５ｗｔ％に設定され
る。
ｏ，ＣｒおよびＮｉの１つ以上をターゲットとして、Ａ
ｒ量１×１０-3Ｔｏｒｒ中のプレーナマグネトロンスパ
ッタリング（以下、単に「スパッタリング」という）に
より本体１６の両端面に付与される。第２導電層２０
は、ＮｉおよびＣｕの少なくとも１つをターゲットとし
て、スパッタリングにより第１導電層１８の外側からこ
れを被うようにして付与される。第３導電層２２は、Ｎ
ｉ，ＺｎおよびＣｕの合金をターゲットとして、スパッ
タリングにより第２導電層２０のさらに外側からこれを
被うようにして付与される。この第３導電層は、半田耐
熱性あるいは半田付性等に直接影響を与えるため、特に
その組成が重要であり、この実施例では、Ｎｉ：５ｗｔ
％，Ｚｎ：１０ｗｔ％，Ｃｕ：８５ｗｔ％に設定され
る。
【００１２】そして、発明者の実験によれば、肉厚１μ
ｍの第３導電層２２について、２７０℃・３０秒の半田
付条件の下で半田耐熱性および半田付性がともに良好で
あることが確認できた。また、第３導電層２２の各成分
の含有量を変更した場合、ＮｉおよびＺｎの含有量がそ
れぞれ３０ｗｔ％および３５ｗｔ％を超えたとき半田付
性が低下する。また、Ｃｕの含有量が１００ｗｔ％のと
きには耐熱試験後の半田付性が低下する。しかしなが
ら、Ｎｉ：５〜３０ｗｔ％，Ｚｎ：１０〜３５ｗｔ％，
Ｃｕ：５０〜８５ｗｔ％の範囲内であれば所定の半田耐
熱性および半田付性が得られることが確認できた。
ｍの第３導電層２２について、２７０℃・３０秒の半田
付条件の下で半田耐熱性および半田付性がともに良好で
あることが確認できた。また、第３導電層２２の各成分
の含有量を変更した場合、ＮｉおよびＺｎの含有量がそ
れぞれ３０ｗｔ％および３５ｗｔ％を超えたとき半田付
性が低下する。また、Ｃｕの含有量が１００ｗｔ％のと
きには耐熱試験後の半田付性が低下する。しかしなが
ら、Ｎｉ：５〜３０ｗｔ％，Ｚｎ：１０〜３５ｗｔ％，
Ｃｕ：５０〜８５ｗｔ％の範囲内であれば所定の半田耐
熱性および半田付性が得られることが確認できた。
【００１３】さらに、図１の第３導電層２２として、Ｎ
ｉ：８〜１０ｗｔ％，Ｃｕ：８７〜９０ｗｔ％，Ｓｎ：
２〜３ｗｔ％からなる導電層を用いた場合にも同様に、
良好な半田耐熱性および半田付性が得られることが確認
できた。なお、上述の実施例における端子電極２４は、
導電層１８〜２２を含む３層構造に形成されたが、これ
に限らず第３導電層２２の１層のみでもよいし、２層あ
るいは４層以上の積層構造であってもよい。そして、表
面層を除く各層の成分や組成は貴金属または卑金属のい
ずれでもよくかつ形成方法も任意でよい。
ｉ：８〜１０ｗｔ％，Ｃｕ：８７〜９０ｗｔ％，Ｓｎ：
２〜３ｗｔ％からなる導電層を用いた場合にも同様に、
良好な半田耐熱性および半田付性が得られることが確認
できた。なお、上述の実施例における端子電極２４は、
導電層１８〜２２を含む３層構造に形成されたが、これ
に限らず第３導電層２２の１層のみでもよいし、２層あ
るいは４層以上の積層構造であってもよい。そして、表
面層を除く各層の成分や組成は貴金属または卑金属のい
ずれでもよくかつ形成方法も任意でよい。
【００１４】また、各導電層１８〜２２を付与するため
のスパッタリングの条件は実施例のものに限られず、必
要に応じて適宜変更されてもよい。さらに、各導電層１
８〜２２は、スパッタリング以外に、蒸着やイオンプレ
ーティングあるいは溶射等の任意の気相めっきにより付
与されてもよい。そして、この発明は、積層コンデンサ
以外に、フィルムコンデンサ，チップコイル，チップＬ
Ｃフィルタやその他本体の外表面に端子電極が形成され
る任意の電子部品に適用可能である。
のスパッタリングの条件は実施例のものに限られず、必
要に応じて適宜変更されてもよい。さらに、各導電層１
８〜２２は、スパッタリング以外に、蒸着やイオンプレ
ーティングあるいは溶射等の任意の気相めっきにより付
与されてもよい。そして、この発明は、積層コンデンサ
以外に、フィルムコンデンサ，チップコイル，チップＬ
Ｃフィルタやその他本体の外表面に端子電極が形成され
る任意の電子部品に適用可能である。
【図１】この発明の一実施例を示す断面図解図である。
【図２】従来技術を示す断面図解図である。
【図３】他の従来技術を示す断面図解図である。
１０ …積層コンデンサ １６ …本体 １８ …第１導電層 ２０ …第２導電層 ２２ …第３導電層 ２４ …端子電極
Claims (2)
- 【請求項１】本体上に端子電極が形成された電子部品に
おいて、 前記端子電極の少なくとも表面をＮｉ（５〜３０ｗｔ
％）とＺｎ（１０〜３５ｗｔ％）とＣｕ（５０〜８５ｗ
ｔ％）とを含む導電層で形成したことを特徴とする、電
子部品。 - 【請求項２】本体上に端子電極が形成された電子部品に
おいて、 前記端子電極の少なくとも表面をＮｉ（８〜１０ｗｔ
％）とＣｕ（８７〜９０ｗｔ％）とＳｎ（２〜３ｗｔ
％）とを含む導電層で形成したことを特徴とする、電子
部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200209A JP2626329B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200209A JP2626329B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547585A JPH0547585A (ja) | 1993-02-26 |
| JP2626329B2 true JP2626329B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=16420627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3200209A Expired - Lifetime JP2626329B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2626329B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3018830B2 (ja) * | 1993-06-14 | 2000-03-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
| JPH08330169A (ja) * | 1995-06-05 | 1996-12-13 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型コイルおよびその製造方法 |
| JP6260169B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2018-01-17 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
| JP6809865B2 (ja) * | 2016-10-17 | 2021-01-06 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP3200209A patent/JP2626329B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0547585A (ja) | 1993-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3612963A (en) | Multilayer ceramic capacitor and process | |
| JP3031268B2 (ja) | 磁器コンデンサ | |
| JPH06302404A (ja) | 積層型正特性サ−ミスタ | |
| JP6965865B2 (ja) | セラミック電子部品およびセラミック電子部品の製造方法 | |
| EP1006535B1 (en) | Ceramic electronic part | |
| JP4548471B2 (ja) | コンデンサアレイおよびその製造方法 | |
| JP2020174110A (ja) | 積層セラミック電子部品及び回路基板 | |
| US4615908A (en) | Method for the manufacture of plasma-polymer multilayer capacitors | |
| EP1134757B1 (en) | Ceramic electronic component having lead terminal | |
| JP2626329B2 (ja) | 電子部品 | |
| JPH11307391A (ja) | 電子部品用端子電極及び電子部品 | |
| JPH10106883A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP7307547B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及び回路基板 | |
| JPH0563928B2 (ja) | ||
| KR101901708B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그의 제조 방법 | |
| JPH0722268A (ja) | チップ型電子部品 | |
| JPH06196351A (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP2000299243A (ja) | 積層チップ型電子部品 | |
| JP2000077253A (ja) | 電子部品、チップ型セラミック電子部品、およびそれらの製造方法 | |
| JP2003243245A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JPH02121313A (ja) | 多層薄膜コンデンサ | |
| WO2023176594A1 (ja) | セラミック電子部品 | |
| JP2004055679A (ja) | 電子部品及び積層セラミック電子部品 | |
| US20230298818A1 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| JP3458701B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970218 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090411 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090411 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100411 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120411 Year of fee payment: 15 |