JPH10106883A - 積層セラミック電子部品 - Google Patents
積層セラミック電子部品Info
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- JPH10106883A JPH10106883A JP8262973A JP26297396A JPH10106883A JP H10106883 A JPH10106883 A JP H10106883A JP 8262973 A JP8262973 A JP 8262973A JP 26297396 A JP26297396 A JP 26297396A JP H10106883 A JPH10106883 A JP H10106883A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 はんだに含まれるＳｎの、セラミック素子へ
の拡散を抑制して、信頼性の高い積層セラミック電子部
品を提供することを目的とする。 【解決手段】 内部に複数の電極が埋設されたセラミッ
ク素子と、このセラミック素子の端面に形成された前記
電極と電気的に接続された外部電極とから構成される積
層セラミック電子部品において、前記外部電極は、三つ
の層からなり、前記セラミック素子の端面に形成された
第一層が、Ｓｎの拡散を抑制することのできる金属から
なり、その上に形成された第二層が、はんだ耐熱性の優
れた金属からなり、さらに、その上に形成された第三層
が、はんだ濡れ性の良い金属からなることを特徴とす
る。
の拡散を抑制して、信頼性の高い積層セラミック電子部
品を提供することを目的とする。 【解決手段】 内部に複数の電極が埋設されたセラミッ
ク素子と、このセラミック素子の端面に形成された前記
電極と電気的に接続された外部電極とから構成される積
層セラミック電子部品において、前記外部電極は、三つ
の層からなり、前記セラミック素子の端面に形成された
第一層が、Ｓｎの拡散を抑制することのできる金属から
なり、その上に形成された第二層が、はんだ耐熱性の優
れた金属からなり、さらに、その上に形成された第三層
が、はんだ濡れ性の良い金属からなることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、積層セラミック
電子部品に関し、より詳しくは、はんだで配線基板など
に取り付けられる積層セラミック電子部品の外部電極の
構造に関する。
電子部品に関し、より詳しくは、はんだで配線基板など
に取り付けられる積層セラミック電子部品の外部電極の
構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミック電子部品、例えば、積層
セラミックコンデンサは、図２に示すように、複数の内
部電極２０が、セラミックからなる誘電体層３０を介し
て重なり合うように配置されて、かつ交互に両端面に引
き出されてなるセラミック素子１０と、その両端面に形
成された外部電極４０とから構成されている。
セラミックコンデンサは、図２に示すように、複数の内
部電極２０が、セラミックからなる誘電体層３０を介し
て重なり合うように配置されて、かつ交互に両端面に引
き出されてなるセラミック素子１０と、その両端面に形
成された外部電極４０とから構成されている。
【０００３】この外部電極４０は、通常、三つの層から
なり、セラミック素子１０の端面に形成された第一層４
０ａが、たとえば、導電ペーストを塗布、焼付けて形成
されたＡｇからなり、その上に形成された第二層４０ｂ
が、たとえば、電解メッキで形成されたＮｉからなり、
さらに、その上に形成された第三層４０ｃが、たとえ
ば、電解メッキで形成されたＳｎからなる。また、内部
電極２０は、誘電体層３０に、たとえば、スクリーン印
刷で形成されたＡｇ／Ｐｄ合金からなるものである。
なり、セラミック素子１０の端面に形成された第一層４
０ａが、たとえば、導電ペーストを塗布、焼付けて形成
されたＡｇからなり、その上に形成された第二層４０ｂ
が、たとえば、電解メッキで形成されたＮｉからなり、
さらに、その上に形成された第三層４０ｃが、たとえ
ば、電解メッキで形成されたＳｎからなる。また、内部
電極２０は、誘電体層３０に、たとえば、スクリーン印
刷で形成されたＡｇ／Ｐｄ合金からなるものである。
【０００４】上記外部電極４０の第一層４０ａのＡｇ
は、セラミック素子１０との接合強度が強く、また、第
二層４０ｂのＮｉは、はんだ耐熱性が優れ、前記第一層
４０ａのＡｇのはんだ食われを防止することができ、さ
らに、第三層４０ｃのＳｎは、はんだ濡れ性が良い。
は、セラミック素子１０との接合強度が強く、また、第
二層４０ｂのＮｉは、はんだ耐熱性が優れ、前記第一層
４０ａのＡｇのはんだ食われを防止することができ、さ
らに、第三層４０ｃのＳｎは、はんだ濡れ性が良い。
【０００５】このような外部電極４０を有する積層セラ
ミックコンデンサを配線基板に実装する場合は、配線基
板上の電極ランドに前記外部電極４０をはんだで取り付
けて行うのが一般的である。
ミックコンデンサを配線基板に実装する場合は、配線基
板上の電極ランドに前記外部電極４０をはんだで取り付
けて行うのが一般的である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように、外部電極４０を有する積層セラミックコンデン
サをはんだで配線基板に取り付け、これを、たとえば、
自動車のエンジンルームの電子燃料噴射制御の回路部に
使用する場合のように、高温の環境で使用した場合、図
３の配線基板６０上の電極ランド７０にはんだ８０で取
り付けられた積層セラミックコンデンサの部分拡大断面
図に示すように、（拡散したＳｎを点で表す）はんだお
よび外部電極４０の第三層４ａのＳｎが、第二層４ｂの
Ｎｉ、第一層のＡｇに順次拡散し、さらに、セラミック
素子１０の内部電極２０のＡｇ／Ｐｄ合金に拡散する。
これは、Ｓｎが濃度の高い側から低い側へ拡散し易い性
質を有するからである。そして、このＳｎがセラミック
素子１０の対向する内部電極２０部分まで拡散すると、
セラミック素子１０の誘電体層３０の絶縁抵抗が低くな
ったりして、電子部品の信頼性が悪くなる問題が生じ
る。この絶縁抵抗が低下する原因は、Ｓｎが誘電体層３
０の酸素と結合して、誘電体層３０が酸素欠乏になった
りすることが考えられる。
ように、外部電極４０を有する積層セラミックコンデン
サをはんだで配線基板に取り付け、これを、たとえば、
自動車のエンジンルームの電子燃料噴射制御の回路部に
使用する場合のように、高温の環境で使用した場合、図
３の配線基板６０上の電極ランド７０にはんだ８０で取
り付けられた積層セラミックコンデンサの部分拡大断面
図に示すように、（拡散したＳｎを点で表す）はんだお
よび外部電極４０の第三層４ａのＳｎが、第二層４ｂの
Ｎｉ、第一層のＡｇに順次拡散し、さらに、セラミック
素子１０の内部電極２０のＡｇ／Ｐｄ合金に拡散する。
これは、Ｓｎが濃度の高い側から低い側へ拡散し易い性
質を有するからである。そして、このＳｎがセラミック
素子１０の対向する内部電極２０部分まで拡散すると、
セラミック素子１０の誘電体層３０の絶縁抵抗が低くな
ったりして、電子部品の信頼性が悪くなる問題が生じ
る。この絶縁抵抗が低下する原因は、Ｓｎが誘電体層３
０の酸素と結合して、誘電体層３０が酸素欠乏になった
りすることが考えられる。
【０００７】本発明の目的は、上記の問題点を解決する
ために、セラミック素子１０へのＳｎの拡散を抑制し
て、信頼性の高い積層セラミック電子部品を提供するこ
とにある。
ために、セラミック素子１０へのＳｎの拡散を抑制し
て、信頼性の高い積層セラミック電子部品を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明は、内部に複数の電極が埋設された
セラミック素子と、このセラミック素子の端面に形成さ
れた前記電極と電気的に接続された外部電極とから構成
される積層セラミック電子部品において、前記外部電極
は、三つの層からなり、前記セラミック素子の端面に形
成された第一層が、Ｓｎの拡散を抑制することのできる
金属からなり、その上に形成された第二層が、はんだ耐
熱性の優れた金属からなり、さらに、その上に形成され
た第三層が、はんだ濡れ性の良い金属からなることを特
徴とする積層セラミック電子部品である。
に、請求項１の発明は、内部に複数の電極が埋設された
セラミック素子と、このセラミック素子の端面に形成さ
れた前記電極と電気的に接続された外部電極とから構成
される積層セラミック電子部品において、前記外部電極
は、三つの層からなり、前記セラミック素子の端面に形
成された第一層が、Ｓｎの拡散を抑制することのできる
金属からなり、その上に形成された第二層が、はんだ耐
熱性の優れた金属からなり、さらに、その上に形成され
た第三層が、はんだ濡れ性の良い金属からなることを特
徴とする積層セラミック電子部品である。
【０００９】請求項２の発明は、請求項１の外部電極の
第一層が、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｗ、
Ａｌの中から選択された一種の金属又はこれらの合金か
らなることを特徴とする積層セラミック電子部品であ
る。
第一層が、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｗ、
Ａｌの中から選択された一種の金属又はこれらの合金か
らなることを特徴とする積層セラミック電子部品であ
る。
【００１０】請求項３の発明は、請求項１又は２の外部
電極の第二層が、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕの中から選択
された一種の金属又はこれらの合金からなることを特徴
とする積層セラミック電子部品である。
電極の第二層が、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕの中から選択
された一種の金属又はこれらの合金からなることを特徴
とする積層セラミック電子部品である。
【００１１】請求項４の発明は、請求項１、２又は３の
外部電極の第三層が、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕの中から選択さ
れた一種の金属又はこれらの合金からなることを特徴と
する積層セラミック電子部品である。
外部電極の第三層が、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕの中から選択さ
れた一種の金属又はこれらの合金からなることを特徴と
する積層セラミック電子部品である。
【００１２】請求項５の発明は、請求項１ないし４の外
部電極の第一層の膜厚が０．５μｍ以上であることを特
徴とする積層セラミック電子部品である。この発明の積
層セラミック電子部品によれば、セラミック素子の端面
に形成された外部電極の第一層が、Ｓｎの拡散を抑制す
ることができる金属からなるので、この外部電極を有す
る積層セラミック電子部品をはんだで配線基板に取り付
けて実装し、これを高温の環境で使用しても、はんだに
含まれるＳｎの、セラミック素子への拡散を上記外部電
極の第一層目の金属で抑制することができる。
部電極の第一層の膜厚が０．５μｍ以上であることを特
徴とする積層セラミック電子部品である。この発明の積
層セラミック電子部品によれば、セラミック素子の端面
に形成された外部電極の第一層が、Ｓｎの拡散を抑制す
ることができる金属からなるので、この外部電極を有す
る積層セラミック電子部品をはんだで配線基板に取り付
けて実装し、これを高温の環境で使用しても、はんだに
含まれるＳｎの、セラミック素子への拡散を上記外部電
極の第一層目の金属で抑制することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
積層セラミック電子部品の一実施例を積層セラミックコ
ンデンサを用いて説明する。
積層セラミック電子部品の一実施例を積層セラミックコ
ンデンサを用いて説明する。
【００１４】図１は、積層セラミックコンデンサの断面
図である。図１に示すように、この積層セラミックコン
デンサは、複数の内部電極２が、セラミックからなる誘
電体層３を介して重なり合うように配置されて、かつ交
互に両端面に引き出されてなるセラミック素子１と、そ
の両端面に形成された外部電極４とから構成されてい
る。
図である。図１に示すように、この積層セラミックコン
デンサは、複数の内部電極２が、セラミックからなる誘
電体層３を介して重なり合うように配置されて、かつ交
互に両端面に引き出されてなるセラミック素子１と、そ
の両端面に形成された外部電極４とから構成されてい
る。
【００１５】この外部電極４は、三つの層からなり、セ
ラミック素子１の端面に形成された第一層４ａが、たと
えば、スパッタリングで形成されたＴｉからなり、その
上に形成された第二層４ｂが、たとえば、スパッタリン
グで形成されたＮｉからなり、さらに、その上に形成さ
れた第三層４ｃが、たとえば、電解メッキで形成された
Ｓｎからなる。また、内部電極２は、誘電体層３に、た
とえば、スクリーン印刷などで形成された、Ａｇ／Ｐｄ
合金からなるが、その他の金属、たとえば、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｎｉなどの金属からなるものであってもよい。
ラミック素子１の端面に形成された第一層４ａが、たと
えば、スパッタリングで形成されたＴｉからなり、その
上に形成された第二層４ｂが、たとえば、スパッタリン
グで形成されたＮｉからなり、さらに、その上に形成さ
れた第三層４ｃが、たとえば、電解メッキで形成された
Ｓｎからなる。また、内部電極２は、誘電体層３に、た
とえば、スクリーン印刷などで形成された、Ａｇ／Ｐｄ
合金からなるが、その他の金属、たとえば、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｎｉなどの金属からなるものであってもよい。
【００１６】上記外部電極４の第一層４ａのＴｉは、Ｓ
ｎが拡散するのを抑制し、また、第二層４ｂのＮｉは、
はんだ耐熱性が優れ、さらに、第三層４ｃのＳｎは、は
んだ濡れ性が良い。よって、この外部電極４は、はんだ
耐熱性が優れ、かつ、はんだ濡れ性が良く、しかも、は
んだや外部電極４に含まれるＳｎのセラミック素子１へ
の拡散を抑制することができる。
ｎが拡散するのを抑制し、また、第二層４ｂのＮｉは、
はんだ耐熱性が優れ、さらに、第三層４ｃのＳｎは、は
んだ濡れ性が良い。よって、この外部電極４は、はんだ
耐熱性が優れ、かつ、はんだ濡れ性が良く、しかも、は
んだや外部電極４に含まれるＳｎのセラミック素子１へ
の拡散を抑制することができる。
【００１７】次に、上記のような外部電極４を有する積
層セラミック電子部品（積層セラミックコンデンサ）の
効果を確認するため、以下に示す実験を行った。
層セラミック電子部品（積層セラミックコンデンサ）の
効果を確認するため、以下に示す実験を行った。
【００１８】まず、Ａｇ／Ｐｄ合金からなる内部電極２
を複数、セラミックからなる誘電体層を介して重なり合
うように配置して形成された、Ｌ寸２、０ｍｍ、Ｗ寸
１．２５ｍｍ、Ｔ寸０．８ｍｍのセラミック素子を用意
し、次に、このセラミック素子の両端面に、０．３、
０．５、１．０、２．０μｍのそれぞれの厚みのＴｉか
らなる第一層４ａをスパッタリングで形成し、それらの
上に、１．０μｍの厚みのＮｉからなる第二層４ｂをス
パッタリングで形成し、更に、それらの上に、２μｍの
厚みのＳｎからなる第三層４ｃを電解メッキで形成し
て、本発明の積層セラミックコンデンサ（本発明品）を
それぞれ１００個作製した。比較例として、上記と同じ
セラミック素子を用いて、そのセラミック素子の両端面
に、５〜１０μｍの範囲の厚みのＡｇからなる第一層４
０ａを導電ペーストを塗布、焼付けして形成し、その上
に、１．０μｍの厚みのＮｉからなる第二層４０ｂをス
パッタリングで形成し、更に、その上に、２μｍのＳｎ
からなる第三層４ｃを電解メッキで形成して、積層セラ
ミックコンデンサ（比較品）を１００個作製した。
を複数、セラミックからなる誘電体層を介して重なり合
うように配置して形成された、Ｌ寸２、０ｍｍ、Ｗ寸
１．２５ｍｍ、Ｔ寸０．８ｍｍのセラミック素子を用意
し、次に、このセラミック素子の両端面に、０．３、
０．５、１．０、２．０μｍのそれぞれの厚みのＴｉか
らなる第一層４ａをスパッタリングで形成し、それらの
上に、１．０μｍの厚みのＮｉからなる第二層４ｂをス
パッタリングで形成し、更に、それらの上に、２μｍの
厚みのＳｎからなる第三層４ｃを電解メッキで形成し
て、本発明の積層セラミックコンデンサ（本発明品）を
それぞれ１００個作製した。比較例として、上記と同じ
セラミック素子を用いて、そのセラミック素子の両端面
に、５〜１０μｍの範囲の厚みのＡｇからなる第一層４
０ａを導電ペーストを塗布、焼付けして形成し、その上
に、１．０μｍの厚みのＮｉからなる第二層４０ｂをス
パッタリングで形成し、更に、その上に、２μｍのＳｎ
からなる第三層４ｃを電解メッキで形成して、積層セラ
ミックコンデンサ（比較品）を１００個作製した。
【００１９】次に、上記各本発明品および比較品のそれ
ぞれ１００個を、ＳｎとＰｂの共晶はんだが付与された
配線基板に搭載して、２５０℃の温度のリフロー炉に通
して前記はんだを溶融させて取り付け、その取り付けら
れたそれぞれの製品について高温負荷試験を行った。そ
の結果を表１に示す。この表１には、積層セラミックコ
ンデンサの絶縁抵抗が１００ＭΩ以下に低くなったもの
の個数が示されている。なお、上記高温負荷試験は、１
５０℃で定格電圧の６倍の３００Ｖの負荷を２００時間
かける加速試験条件で行なった。
ぞれ１００個を、ＳｎとＰｂの共晶はんだが付与された
配線基板に搭載して、２５０℃の温度のリフロー炉に通
して前記はんだを溶融させて取り付け、その取り付けら
れたそれぞれの製品について高温負荷試験を行った。そ
の結果を表１に示す。この表１には、積層セラミックコ
ンデンサの絶縁抵抗が１００ＭΩ以下に低くなったもの
の個数が示されている。なお、上記高温負荷試験は、１
５０℃で定格電圧の６倍の３００Ｖの負荷を２００時間
かける加速試験条件で行なった。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１より、絶縁抵抗が１００ＭΩ以下に低
くなったものは、比較品は８５個、本発明品は、Ｔｉ膜
厚が０．３μｍのものが８個、Ｔｉ膜厚が０．５〜２．
０μｍのものが０個の結果となった。従って、本発明品
は比較品に比べ、絶縁抵抗が低下しにくいことがわか
る。特に、Ｔｉ膜厚が０．５μｍ以上の場合にその効果
が顕著に現れ、好ましい。この理由は、Ｔｉ膜厚を０．
５μｍ以上にすることにより、Ｓｎのセラミック素子へ
の拡散が抑制されたためと考える。
くなったものは、比較品は８５個、本発明品は、Ｔｉ膜
厚が０．３μｍのものが８個、Ｔｉ膜厚が０．５〜２．
０μｍのものが０個の結果となった。従って、本発明品
は比較品に比べ、絶縁抵抗が低下しにくいことがわか
る。特に、Ｔｉ膜厚が０．５μｍ以上の場合にその効果
が顕著に現れ、好ましい。この理由は、Ｔｉ膜厚を０．
５μｍ以上にすることにより、Ｓｎのセラミック素子へ
の拡散が抑制されたためと考える。
【００２２】なお、以上の実施例では、第一層４ａの金
属にＳｎの拡散を抑制することができるＴｉを用いた
が、これと同様の効果のある金属であればこれに限らな
い。たとえばＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ａｌ
のいずれかの金属、あるいは、これらの金属の合金やＴ
ｉの合金、たとえばＴｉ／Ａｌ合金、Ｔｉ／Ｍｏ合金な
どであってもよいことが実験により確かめられている。
属にＳｎの拡散を抑制することができるＴｉを用いた
が、これと同様の効果のある金属であればこれに限らな
い。たとえばＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ａｌ
のいずれかの金属、あるいは、これらの金属の合金やＴ
ｉの合金、たとえばＴｉ／Ａｌ合金、Ｔｉ／Ｍｏ合金な
どであってもよいことが実験により確かめられている。
【００２３】また、本発明の積層セラミック電子部品の
第二層４ｂの金属に、上記実施例では、はんだ耐熱性の
優れたＮｉを用いたが、これと同様の効果のある金属で
あればこれに限らず、たとえばＦｅ、Ｃｏ、Ｃｕなどの
いずれかの金属、あるいは、これらの金属の合金やＮｉ
の合金、たとえばＮｉ／Ｃｕ合金、Ｎｉ／Ｃｒ合金など
であってもよい。また、第三層４ｃの金属に、上記実施
例では、はんだ濡れ性の良いＳｎを用いたが、これと同
様の効果のある金属であればこれに限らず、たとえばＡ
ｇ、Ａｕなどのいずれかの金属、あるいは、これらの金
属の合金やＳｎの合金、たとえばＳｎ／Ｐｂ合金などで
あってもよい。
第二層４ｂの金属に、上記実施例では、はんだ耐熱性の
優れたＮｉを用いたが、これと同様の効果のある金属で
あればこれに限らず、たとえばＦｅ、Ｃｏ、Ｃｕなどの
いずれかの金属、あるいは、これらの金属の合金やＮｉ
の合金、たとえばＮｉ／Ｃｕ合金、Ｎｉ／Ｃｒ合金など
であってもよい。また、第三層４ｃの金属に、上記実施
例では、はんだ濡れ性の良いＳｎを用いたが、これと同
様の効果のある金属であればこれに限らず、たとえばＡ
ｇ、Ａｕなどのいずれかの金属、あるいは、これらの金
属の合金やＳｎの合金、たとえばＳｎ／Ｐｂ合金などで
あってもよい。
【００２４】また、本発明の積層セラミック電子部品の
外部電極４の各層の金属の形成方法は、上記実施例に限
るものではない。すなわち、外部電極４の第一層４ａの
金属の形成方法は、上記実施例のスパッタリングに限ら
ず、たとえば蒸着などの他の乾式メッキなど、他の手段
であってもよく、また、第二層４ｂの金属の形成方法
は、上記実施例のスパッタリングに限らず、たとえば蒸
着などの他の乾式メッキや、無電解メッキなどであって
もよく、更に、第三層４ｃの金属の形成方法は、上記実
施例の電解メッキに限らず、たとえば無電解メッキや、
スパッタリング、蒸着などの乾式メッキ、あるいは印刷
や浸漬などの塗布方式などであってもよい。
外部電極４の各層の金属の形成方法は、上記実施例に限
るものではない。すなわち、外部電極４の第一層４ａの
金属の形成方法は、上記実施例のスパッタリングに限ら
ず、たとえば蒸着などの他の乾式メッキなど、他の手段
であってもよく、また、第二層４ｂの金属の形成方法
は、上記実施例のスパッタリングに限らず、たとえば蒸
着などの他の乾式メッキや、無電解メッキなどであって
もよく、更に、第三層４ｃの金属の形成方法は、上記実
施例の電解メッキに限らず、たとえば無電解メッキや、
スパッタリング、蒸着などの乾式メッキ、あるいは印刷
や浸漬などの塗布方式などであってもよい。
【００２５】また、本発明に係わる積層セラミック電子
部品の適用は、上記実施例の積層セラミックコンデンサ
に限るものではなく、他の積層セラミック電子部品、例
えば積層インダクタや積層ＬＣフイルタなどに適用する
ことができる。
部品の適用は、上記実施例の積層セラミックコンデンサ
に限るものではなく、他の積層セラミック電子部品、例
えば積層インダクタや積層ＬＣフイルタなどに適用する
ことができる。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、セラミック素子の端面に形成された外部電極
の第一層が、Ｓｎの拡散を抑制することができる金属か
らなるので、この外部電極を有する積層セラミック電子
部品をはんだで配線基板に取り付け、これを高温の環境
で使用しても、はんだに含まれるＳｎの、セラミック素
子への拡散を上記外部電極の第一層目の金属で抑制する
ことができる。従って、Ｓｎのセラミック素子への拡散
が原因による、セラミック素子の誘電体層の絶縁抵抗の
低下がなくなり、信頼性の高い積層セラミック電子部品
を提供することができる。
によれば、セラミック素子の端面に形成された外部電極
の第一層が、Ｓｎの拡散を抑制することができる金属か
らなるので、この外部電極を有する積層セラミック電子
部品をはんだで配線基板に取り付け、これを高温の環境
で使用しても、はんだに含まれるＳｎの、セラミック素
子への拡散を上記外部電極の第一層目の金属で抑制する
ことができる。従って、Ｓｎのセラミック素子への拡散
が原因による、セラミック素子の誘電体層の絶縁抵抗の
低下がなくなり、信頼性の高い積層セラミック電子部品
を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例に係わる積層セラミックコン
デンサの断面図である。
デンサの断面図である。
【図２】従来の積層セラミックコンデンサの断面図であ
る。
る。
【図３】はんだで配線基板に取り付けられた従来の積層
セラミックコンデンサの部分拡大断面図である。
セラミックコンデンサの部分拡大断面図である。
１・・・セラミック素子 ２・・・内部電極 ３・・・誘電体層 ４・・・外部電極 ４ａ・・・第一層 ４ｂ・・・第二層 ４ｃ・・・第三層
Claims (5)
- 【請求項１】 内部に複数の電極が埋設されたセラミッ
ク素子と、このセラミック素子の端面に形成された前記
電極と電気的に接続された外部電極とから構成される積
層セラミック電子部品において、 前記外部電極は、三つの層からなり、前記セラミック素
子の端面に形成された第一層が、Ｓｎの拡散を抑制する
ことのできる金属からなり、その上に形成された第二層
が、はんだ耐熱性の優れた金属からなり、さらに、その
上に形成された第三層が、はんだ濡れ性の良い金属から
なることを特徴とする積層セラミック電子部品。 - 【請求項２】 前記外部電極の第一層が、Ｔｉ、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ａｌの中から選択された
一種の金属又はこれらの合金からなることを特徴とする
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。 - 【請求項３】 前記外部電極の第二層が、Ｎｉ、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｃｕの中から選択された一種の金属又はこれらの
合金からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の
積層セラミック電子部品。 - 【請求項４】 前記外部電極の第三層が、Ｓｎ、Ａｇ、
Ａｕの中から選択された一種の金属又はこれらの合金か
らなることを特徴とする請求項１、２又は３に記載の積
層セラミック電子部品。 - 【請求項５】 前記外部電極の第一層の膜厚が０．５μ
ｍ以上であることを特徴とする請求項１ないし４に記載
の積層セラミック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8262973A JPH10106883A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | 積層セラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8262973A JPH10106883A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | 積層セラミック電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH10106883A true JPH10106883A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17383128
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP8262973A Pending JPH10106883A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | 積層セラミック電子部品 |
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| JP (1) | JPH10106883A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1996
- 1996-10-03 JP JP8262973A patent/JPH10106883A/ja active Pending
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