JP2021027095A - 積層セラミック電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】メッキ工程で発生する水素による悪影響を受けにくい積層セラミック電子部品を提供する。【解決手段】積層セラミック電子部品は、セラミック素体と、外部電極と、を具備する。上記セラミック素体は、第１軸方向に積層された複数の内部電極と、上記第１軸と直交する第２軸方向を向き、上記複数の内部電極のうちの少なくとも一部が引き出された端面と、を有する。上記外部電極は、上記端面を覆い、メッキ膜と、上記メッキ膜と上記端面との間に位置し、Ｃｒ、Ｗ、及びＰｔの少なくとも１つの元素を主成分とする保護膜と、を含む。【選択図】図２

Description

本発明は、外部電極を備えた積層セラミック電子部品に関する。

一般的に、積層セラミックコンデンサの製造工程には、外部電極を形成するためのメッキ工程が含まれる。このメッキ工程では、水素が発生し、発生した水素が外部電極内に吸蔵されて残存しやすい。積層セラミックコンデンサでは、外部電極内の水素のセラミック素体内への拡散によって、絶縁抵抗の低下などの不具合が発生する。

これに対し、特許文献１には、外部電極内の水素による悪影響を抑制可能な積層セラミックコンデンサが開示されている。特許文献１に記載の積層セラミックコンデンサでは、外部電極内の水素を吸収する保護膜を設けることにより、外部電極内の水素のセラミック素体への拡散を抑制することができる。

特開２０１６−５８７１９号公報

しかしながら、水素を吸収する保護膜では、水素の吸収に伴って脆化が進行する。したがって、このような保護膜では、水素の影響による脆化によって電気抵抗の上昇や機械的強度の低下が生じやすい。これにより、積層セラミックコンデンサでは、性能の低下などの不具合が発生しやすくなる。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、メッキ工程で発生する水素による悪影響を受けにくい積層セラミック電子部品を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る積層セラミック電子部品は、セラミック素体と、外部電極と、を具備する。
上記セラミック素体は、第１軸方向に積層された複数の内部電極と、上記第１軸と直交する第２軸方向を向き、上記複数の内部電極のうちの少なくとも一部が引き出された端面と、を有する。
上記外部電極は、上記端面を覆い、メッキ膜と、上記メッキ膜と上記端面との間に位置し、Ｃｒ、Ｗ、及びＰｔの少なくとも１つの元素を主成分とする保護膜と、を含む。

この構成では、外部電極におけるメッキ膜よりも内側に保護膜が設けられている。この保護膜は、主成分のＣｒ、Ｗ、及びＰｔの少なくとも１つの作用によって、水素を遮蔽する機能を有する。このため、外部電極における保護膜より外側の領域で吸蔵された水素は、保護膜に遮蔽されることにより、セラミック素体への侵入が妨げられる。

上記保護膜は、上記端面に隣接していてもよい。
上記保護膜は、上記端面の全領域を覆っていてもよい。
上記外部電極は、少なくとも１層のメッキ膜を含んでもよい。
上記外部電極は、上記保護層と隣接する少なくとも１層のスパッタ膜を含んでもよい。
上記外部電極は、上記保護膜と、上記少なくとも１層のメッキ膜と、上記少なくとも１層のスパッタ膜と、から構成されていてもよい。
上記メッキ膜は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、及びＡｇの少なくとも１つの元素を主成分としていてもよい。
上記セラミック素体は、上記第１軸方向を向いた主面と、上記第１軸及び上記第２軸と直交する第３軸方向を向いた側面と、を更に有してもよい。
上記外部電極は、上記端面から上記主面及び上記側面に延出していてもよい。

メッキ工程で発生する水素による悪影響を受けにくい積層セラミック電子部品を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの斜視図である。 上記積層セラミックコンデンサの図１のＡ−Ａ'線に沿った断面図である。 上記積層セラミックコンデンサの図１のＢ−Ｂ'線に沿った断面図である。 様々な元素について算出した水素安定化エネルギＥ（Ｈ）を示すグラフである。 上記積層セラミックコンデンサの他の実施形態を示す断面図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。 ステップＳ０１におけるセラミック素体の分解斜視図である。 ステップＳ０２で得られるセラミック素体の斜視図である。 ステップＳ０３を示す断面図である。 ステップＳ０３を示す断面図である。 ステップＳ０３を示す断面図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
図面には、適宜相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は全図において共通である。

［積層セラミックコンデンサ１０の基本構成］
図１〜３は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０を示す図である。図１は、積層セラミックコンデンサ１０の斜視図である。図２は、積層セラミックコンデンサ１０の図１のＡ−Ａ'線に沿った断面図である。図３は、積層セラミックコンデンサ１０の図１のＢ−Ｂ'線に沿った断面図である。

積層セラミックコンデンサ１０は、セラミック素体１１と、第１外部電極１４と、第２外部電極１５と、を具備する。セラミック素体１１の外面は、Ｘ軸方向を向いた第１及び第２端面Ｅ１，Ｅ２と、Ｙ軸方向を向いた第１及び第２側面と、Ｚ軸方向を向いた第１及び第２主面と、を有する。

また、セラミック素体１１には、バレル研磨などで面取りされることにより、第１及び第２端面Ｅ１，Ｅ２、第１及び第２側面、並びに第１及び第２主面を相互に接続する丸みを帯びた稜部が形成されている。なお、セラミック素体１１には、面取りされていなくてもよく、各面を相互に直接接続する稜線が形成されていてもよい。

第１外部電極１４は、セラミック素体１１の第１端面Ｅ１を覆っている。第２外部電極１５は、セラミック素体１１の第２端面Ｅ２を覆っている。外部電極１４，１５は、セラミック素体１１を挟んでＸ軸方向に対向し、積層セラミックコンデンサ１０の端子として機能する。

外部電極１４，１５は、セラミック素体１１の端面Ｅ１，Ｅ２から主面及び側面に沿ってＸ軸方向内側にそれぞれ延出し、主面及び側面上において相互に離間している。これにより、外部電極１４，１５では、図２に示すＸ−Ｚ平面に平行な断面、及びＸ−Ｙ平面に平行な断面がいずれもＵ字状となっている。

なお、外部電極１４，１５の形状は、図１，２に示すものに限定されない。例えば、外部電極１４，１５は、セラミック素体１１の端面Ｅ１，Ｅ２から一方の主面のみに延び、Ｘ−Ｚ平面に平行な断面がＬ字状となっていてもよい。また、外部電極１４，１５は、いずれの主面及び側面にも延出していなくてもよい。

第１外部電極１４は、保護膜１４０と、下地膜１４１と、中間膜１４２と、表面膜１４３と、を含む４層構造を有する。第１外部電極１４では、セラミック素体１１側の内側から外側に向けて、保護膜１４０、下地膜１４１、中間膜１４２、表面膜１４３の順に積層されている。つまり、第１外部電極１４では、保護膜１４０が最内層を構成している。

第２外部電極１５は、保護膜１５０と、下地膜１５１と、中間膜１５２と、表面膜１５３と、を含む４層構造を有する。第２外部電極１５では、セラミック素体１１側の内側から外側に向けて、保護膜１５０、下地膜１５１、中間膜１５２、表面膜１５３の順に積層されている。つまり、第２外部電極１５では、保護膜１５０が最内層を構成している。

保護膜１４０，１５０は、セラミック素体１１の表面を直接覆っている。積層セラミックコンデンサ１０では、保護膜１４０，１５０が、セラミック素体１１に対してメッキ工程で発生する水素による悪影響が加わりにくくする機能を有する。本実施形態に係る保護膜１４０，１５０の詳細については後述する。

下地膜１４１，１５１は、例えば、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｐｄ（パラジウム）、及びＡｇ（銀）の少なくとも１つの元素を主成分とする金属や合金で形成することができる。下地膜１４１，１５１は、例えば、スパッタリング法によって形成された少なくとも１層のスパッタ膜や、導電性金属ペーストを焼き付けた少なくとも１層の焼き付け膜などとして構成することができる。また、下地膜１４１，１５１は、スパッタ膜と焼き付け膜とが組み合わされて構成されていてもよい。

中間膜１４２，１５２及び表面膜１４３，１５３は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ（錫）、Ｐｄ、及びＡｇの少なくとも１つの元素を主成分とする金属や合金で形成することができる。中間膜１４２，１５２及び表面膜１４３，１５３は、例えば、湿式メッキ法で形成されたメッキ膜として構成することができる。

セラミック素体１１は、誘電体セラミックスで形成されている。セラミック素体１１は、誘電体セラミックスに覆われた第１内部電極１２及び第２内部電極１３を有する。複数の内部電極１２，１３は、いずれもＸ−Ｙ平面に沿って延びるシート状であり、Ｚ軸方向に沿って交互に配置されている。

つまり、セラミック素体１１には、内部電極１２，１３がセラミック層を挟んでＺ軸方向に対向する対向領域が形成されている。第１内部電極１２は、対向領域から第１端面Ｅ１に引き出され、第１外部電極１４に接続されている。第２内部電極１３は、対向領域から第２端面Ｅ２に引き出され、第２外部電極１５に接続されている。

このような構成により、積層セラミックコンデンサ１０では、第１外部電極１４と第２外部電極１５との間に電圧が印加されると、内部電極１２，１３の対向領域において複数のセラミック層に電圧が加わる。これにより、積層セラミックコンデンサ１０では、第１外部電極１４と第２外部電極１５との間の電圧に応じた電荷が蓄えられる。

セラミック素体１１では、内部電極１２，１３間の各セラミック層の容量を大きくするため、高誘電率の誘電体セラミックスが用いられる。高誘電率の誘電体セラミックスとしては、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）に代表される、バリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むペロブスカイト構造の材料が挙げられる。

なお、誘電体セラミックスは、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３）、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉＯ_３）、ジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）、チタン酸ジルコン酸カルシウム（Ｃａ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３）、ジルコン酸バリウム（ＢａＺｒＯ_３）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）などの組成系でもよい。

［保護膜１４０，１５０の詳細構成］
外部電極１４，１５の中間膜１４２，１５２及び表面膜１４３，１５３を形成するための湿式メッキ法（特に電解メッキ法）によるメッキ工程では、セラミック素体１１を劣化させる作用の強い水素が発生する。メッキ工程で発生した水素は、外部電極１４，１５の下地膜１４１，１５１、中間膜１４２，１５２、及び表面膜１４３，１５３内に吸蔵されやすい。

下地膜１４１，１５１、中間膜１４２，１５２、及び表面膜１４３，１５３内に吸蔵された水素のセラミック素体１１への拡散が内部電極１２，１３の対向領域まで進行すると、内部電極１２，１３間のセラミック層の絶縁抵抗が低下する。これにより、積層セラミックコンデンサ１０では、絶縁不良が発生しやすくなる。

なお、外部電極１４，１５に吸蔵される水素は、メッキ工程で発生した水素に限らず、例えば、大気中の水蒸気などの水分に含まれる水素などであってもよい。また、外部電極１４，１５に吸蔵される水素は、水素原子や水素イオンや水素同位体など、水素のとりうるいずれの状態であってもよい。

積層セラミックコンデンサ１０では、外部電極１４，１５内に吸蔵された水素がセラミック素体１１内に拡散することを防止するために、外部電極１４，１５の最内層として保護膜１４０，１５０が設けられる。保護膜１４０，１５０は、セラミック素体１１を覆うことで、外部電極１４，１５内に吸蔵された水素からセラミック素体１１を保護する。

より詳細に、保護膜１４０，１５０は、水素を遮蔽する機能を有する。したがって、外部電極１４，１５内の水素は、保護膜１４０，１５０によって遮蔽されるため、端面Ｅ１，Ｅ２からセラミック素体１１への侵入が妨げられる。このため、積層セラミックコンデンサ１０では、セラミック素体１１内への水素の拡散が抑制される。

また、保護膜１４０，１５０は、水素を遮蔽する作用によって、水素を吸収しにくくなる。したがって、保護膜１４０，１５０では、水素の吸収による脆化が生じにくく、つまり脆化に伴う電気抵抗の上昇や機械的強度の低下が生じにくい。これにより、積層セラミックコンデンサ１０では、保護膜１４０，１５０の劣化による不具合が生じにくい。

本実施形態では、保護膜１４０，１５０における水素を遮蔽する機能を得るために、保護膜１４０，１５０の主成分として水素を遮蔽する作用を有する元素を用いる。これに対し、本願の発明者は、水素安定化エネルギＥ（Ｈ）を指標として水素を遮蔽する作用を有する元素を見出した。各元素における水素安定化エネルギＥ（Ｈ）は、以下の式で定義される。

Ｅ（Ｈ）＝Ｅ（ｃｒｙｓｔａｌ）＋１／２Ｅ（Ｈ_２）−Ｅ（ｃｒｙｓｔａｌ＋Ｈ）
なお、Ｅ（ｃｒｙｓｔａｌ）は、各元素について経験的に安定とされる結晶構造のエネルギとして算出される。Ｅ（Ｈ_２）は、水素ガスのエネルギとして算出される。Ｅ（ｃｒｙｓｔａｌ＋Ｈ）は、水素原子を挿入した結晶構造のエネルギとして算出される。

上記の式中の「Ｅ（ｃｒｙｓｔａｌ）＋１／２Ｅ（Ｈ_２）」は、水素が結晶中に吸蔵されていない状態を想定した結晶構造と水素との合計エネルギを表現している。したがって、水素が結晶中に吸蔵されていない状態の安定性の高い元素ほど、「Ｅ（ｃｒｙｓｔａｌ）＋１／２Ｅ（Ｈ_２）」が小さくなる。

これに対し、上記の式中のＥ（ｃｒｙｓｔａｌ＋Ｈ）は、上記の状態とは反対に、水素が結晶中に吸蔵された状態を想定した水素を含む結晶構造のエネルギを表現している。したがって、水素が結晶中に吸蔵された状態の安定性が高い元素ほど、Ｅ（ｃｒｙｓｔａｌ＋Ｈ）が小さくなる。

つまり、水素安定化エネルギＥ（Ｈ）が大きい元素ほど、水素が結晶中に吸蔵された状態の安定性が高いことがわかる。反対に、水素安定化エネルギＥ（Ｈ）が小さい元素ほど、水素が結晶中に吸蔵されていない状態の安定性が高いことがわかる。なお、水素安定化エネルギＥ（Ｈ）のマイナスの値は、絶対値が大きいほど小さいものとしている。

水素が結晶中に吸蔵されていない状態の安定性が高く、つまり水素安定化エネルギＥ（Ｈ）が小さい元素ほど、水素を遮蔽する作用が強くなる傾向があるものと考えられる。したがって、保護膜１４０，１５０では、水素を遮蔽する機能を得るために、水素安定化エネルギＥ（Ｈ）が低い元素を主成分として用いる必要がある。

上記の式を用いて、様々な元素について水素安定化エネルギＥ（Ｈ）を算出した。表１は、各元素についての水素安定化エネルギＥ（Ｈ）を示している。なお、表１には、経験的に安定とされる結晶構造が複数存在する元素について、それぞれの結晶構造ごとの水素安定化エネルギＥ（Ｈ）が示されている。また、表１に示す結晶構造について、「ｈｃｐ」は六方最密構造を示し、「ｂｃｃ」は体心立方格子を示し、「ｆｃｃ」は面心立方格子を示している。

図４は、表１に示す各元素について水素安定化エネルギＥ（Ｈ）をプロットしたグラフである。図４には、Ｅ（Ｈ）＝−０．４０［ｅＶ］の直線が示されている。本実施形態では、この直線より下の領域にプロットが存在する元素を保護膜１４０，１５０の主成分とすることで、保護膜１４０，１５０における水素を遮蔽する機能を確保することができる。

つまり、積層セラミックコンデンサ１０では、保護膜１４０，１５０の主成分として、水素安定化エネルギＥ（Ｈ）が−０．４０［ｅＶ］未満である元素、つまり具体的にはＣｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｐｔ（白金）の少なくとも１つの元素を用いる。これにより、外部電極１４，１５において、最内層の保護膜１４０，１５０が水素を遮蔽する機能を発揮することができる。

また、保護膜１４０，１５０は、水素を遮蔽する作用によって、水素を吸収しにくくなる。したがって、保護膜１４０，１５０では、水素の吸収による脆化が生じにくく、つまり脆化に伴う電気抵抗の上昇や機械的強度の低下が生じにくい。これにより、積層セラミックコンデンサ１０では、保護膜１４０，１５０の劣化による不具合が生じにくい。

なお、積層セラミックコンデンサ１０では、図２に示すような保護膜１４０，１５０が下地膜１４１，１５１とセラミック素体１１との間の全領域に配置されている構成は必須ではない。保護膜１４０，１５０は、少なくとも湿式メッキ法で形成されるメッキ膜とセラミック素体１１との間の領域の一部に配置されていればよい。

ただし、積層セラミックコンデンサ１０では、水素による悪影響を効果的に抑制するために、保護膜１４０，１５０がセラミック素体１１の端面Ｅ１，Ｅ２に隣接する位置に配置されていることが好ましい。更に、保護膜１４０，１５０は、セラミック素体１１の端面Ｅ１，Ｅ２の全領域を覆っていることがより好ましい。

また、積層セラミックコンデンサ１０では、保護膜１４０，１５０が湿式メッキ法で形成されるメッキ膜よりも内側に配置されていればよい。したがって、積層セラミックコンデンサ１０では、例えば、図５に示すように保護膜１４０，１５０が下地膜１４１，１５１と中間膜１４２，１５２との間に配置されていてもよい。

［積層セラミックコンデンサ１０の製造方法］
図６は、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を示すフローチャートである。図７〜１１は、積層セラミックコンデンサ１０の製造過程を示す図である。以下、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について、図６に沿って、図７〜１１を適宜参照しながら説明する。

（ステップＳ０１：セラミック素体作製）
ステップＳ０１では、未焼成のセラミック素体１１を作製する。未焼成のセラミック素体１１は、図７に示すように、複数のセラミックシートをＺ軸方向に積層して熱圧着することにより得られる。セラミックシートに予め所定のパターンの導電性ペーストを印刷しておくことにより、内部電極１２，１３を配置することができる。

セラミックシートは、セラミックスラリーをシート状に成形した未焼成の誘電体グリーンシートである。セラミックシートは、例えば、ロールコーターやドクターブレードなどを用いてシート状に成形される。セラミックスラリーの成分は、所定の組成のセラミック素体１１が得られるように調整される。

（ステップＳ０２：焼成）
ステップＳ０２では、ステップＳ０１で得られた未焼成のセラミック素体１１を焼成する。これにより、セラミック素体１１が焼結し、図８に示すセラミック素体１１が得られる。セラミック素体１１の焼成は、例えば、還元雰囲気下、又は低酸素分圧雰囲気下において行うことができる。セラミック素体１１の焼成条件は、適宜決定可能である。

（ステップＳ０３：外部電極形成）
ステップＳ０３では、ステップ０２で得られたセラミック素体１１に外部電極１４，１５を形成する。これにより、図１〜３に示す積層セラミックコンデンサ１０が完成する。具体的に、ステップＳ０４では、保護膜１４０，１５０と、下地膜１４１，１５１と、中間膜１４２，１５２と、表面膜１４３，１５３と、を形成する。

まず、図９に示すように、ステップ０２で得られたセラミック素体１１の端面Ｅ１，Ｅ２を覆うように保護膜１４０，１５０を形成する。保護膜１４０，１５０の形成には、水素の発生が伴う湿式メッキ法以外の方法を用いることができ、例えば、スパッタリング法や蒸着法などを用いることができる。

次に、図１０に示すように、セラミック素体１１に設けられた保護膜１４０，１５０上に下地膜１４１，１５１を形成する。下地膜１４１，１５１の形成には、例えば、スパッタリング法や、セラミック素体１１に導電性金属ペーストを焼き付ける焼き付け法などを用いることができる。

なお、保護膜１４０，１５０の主成分を構成する元素がセラミック素体１１に拡散しやすい性質を有する場合、保護膜１４０，１５０を維持するために、外部電極１４，１５の形成には加熱プロセスを用いないことが好ましい。この観点から、下地膜１４１，１５１の形成には、焼き付け法ではなく、スパッタリング法などを用いることが好ましい。

続いて、図１１に示すように、セラミック素体１１に設けられた下地膜１４１，１５１上に中間膜１４２，１５２を形成する。更に、中間膜１４２，１５２上に表面膜１４３，１５３を形成することにより、図１，２に示す外部電極１４，１５が完成する。中間膜１４２，１５２及び表面膜１４３，１５３の形成には湿式メッキ法を用いる。

湿式メッキ法（特に電解メッキ法）では、その過程において水素が発生し、発生した水素が下地膜１４１，１５１や、中間膜１４２，１５２及び表面膜１４３，１５３自体に侵入する。しかしながら、保護膜１４０，１５０で覆われたセラミック素体１１では、端面Ｅ１，Ｅ２から内部への水素の侵入が妨げられる。

［その他の実施形態］
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。

例えば、本発明に係る外部電極の構成は、上記実施形態のような４層構造に限定されず、２層構造、３層構造、又は５層以上の構造であってもよい。また、本発明に係る外部電極は、湿式メッキで形成されたメッキ膜が、保護膜の内側に配置されず、かつ保護膜の外側に少なくとも１層配置された構成であればよい。

また、本発明は、積層セラミックコンデンサのみならず、外部電極を有する積層セラミック電子部品全般に適用可能である。本発明を適用可能な積層セラミック電子部品としては、積層セラミックコンデンサ以外に、例えば、チップバリスタ、チップサーミスタ、積層インダクタなどが挙げられる。

１０…積層セラミックコンデンサ
１１…セラミック素体
１２，１３…内部電極
１４，１５…外部電極
１４０，１５０…保護膜
１４１，１５１…下地膜
１４２，１５２…中間膜
１４３，１５３…表面膜
Ｅ１，Ｅ２…端面

Claims (7)

1. 第１軸方向に積層された複数の内部電極と、前記第１軸と直交する第２軸方向を向き、前記複数の内部電極のうちの少なくとも一部が引き出された端面と、を有するセラミック素体と、
   前記端面を覆い、メッキ膜と、前記メッキ膜と前記端面との間に位置し、Ｃｒ、Ｗ、及びＰｔの少なくとも１つの元素を主成分とする保護膜と、を含む外部電極と、
   を具備する積層セラミック電子部品。
2. 請求項１に記載の積層セラミック電子部品であって、
   前記保護膜は、前記端面に隣接している
   積層セラミック電子部品。
3. 請求項２に記載の積層セラミック電子部品であって、
   前記保護膜は、前記端面の全領域を覆っている。
   積層セラミック電子部品。
4. 請求項２又は３に記載の積層セラミック電子部品であって、
   前記外部電極は、前記保護層と隣接する少なくとも１層のスパッタ膜を含む
   積層セラミック電子部品。
5. 請求項４に記載の積層セラミック電子部品であって、
   前記外部電極は、前記保護膜と、前記少なくとも１層のメッキ膜と、前記少なくとも１層のスパッタ膜と、から構成される
   積層セラミック電子部品。
6. 請求項１から５のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品であって、
   前記メッキ膜は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、及びＡｇの少なくとも１つの元素を主成分とする
   積層セラミック電子部品。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品であって、
   前記セラミック素体は、前記第１軸方向を向いた主面と、前記第１軸及び前記第２軸と直交する第３軸方向を向いた側面と、を更に有し、
   前記外部電極は、前記端面から前記主面及び前記側面に延出している
   積層セラミック電子部品。

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