JP2012129480A - 電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決の手段】貫通電極5が形成された基板1に下地金属層12が形成されその上に下地金属層12とはんだ付け金属層13に熱膨張率が近く、かつ下地金属層12とはんだ付け金属層13とはんだ付け温度で反応しにくい金属よりなるバリア金属層15が形成され、更にその上にはんだ付け金属層13が形成される。そして最終的に最上層には保護金属層14が形成される。
【選択図】図1
Description
また、前記下地金属層がTiあるいはTi合金で形成されることを特徴とする。
また、前記基板がソーダガラスであることを特徴とする。
また、前記電子素子が水晶振動片であることを特徴とする。
以下に、本発明の第一実施形態に係る電子部品を図1から図3を用いて詳細に説明する。
はんだ付け金属層13、はNiまたはCoあるいはNi合金を使用する。Ni合金としては例えばNi−Co合金、Ni−Cr−Fe合金、Ni−Cr−Mo−Fe合金などが挙げられる。Ni−Cr−Fe合金としては、たとえばインコネル(登録商標)、Ni−Cr−Mo−Fe合金としては、ハステロイ(登録商標)などが例として挙げられる。
本発明に係る電子部品100は、基板1に形成された貫通孔に貫通電極5を形成する工程を行う。
また、蓋2が金属の場合はろう材を挟んでの溶接が可能である。
次に、はんだ付け金属層13上に保護金属層14を形成する工程を行う。
以上により、図2に示すような電子部品100を形成することができる。
特に、落下衝撃性は、Cr−Ni−Auの3層構造の外部電極より非常に優れている。
2 蓋
3 接合材
4 外部電極
5 貫通電極
6 内部電極
7 接続材
8 水晶振動片
9 はんだ
10 ランド
11 回路基板
12 下地金属層
13 はんだ付け金属層
14 保護金属層
15 バリア金属層
16 層間電極
17 引き回し電極
18 電子素子
19 ワイヤボンディング
20 封止樹脂
100 電子部品
Claims (7)
- 脆性材料で形成された基板と、前記基板を備えたパッケージと、前記パッケージに設置された電子素子と、前記基板上に形成された外部電極と、を備える電子部品において、
前記外部電極が、前記基板上に形成された下地金属層と、前記下地金属層上に形成されたバリア金属層と、前記バリア金属層上に形成されたはんだ付け金属層と、前記はんだ付け金属層上に形成された保護金属層を備え、
前記バリア金属層は、前記下地金属層及び前記はんだ付け金属層の熱膨張率と近い熱膨張率を有するとともに、前記下地金属層及び前記はんだ付け金属層とはんだ付け温度より低い温度で反応しない金属で形成されていることを特徴とする電子部品。 - 前記バリア金属層がVあるいはV合金で形成されることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。
- 前記下地金属層がTiあるいはTi合金で形成されることを特徴とする請求項2に記載の電子部品。
- 前記はんだ付け金属層はNi、Co、及びNi合金のいずれかで形成されることを特徴とする請求項3に記載の電子部品。
- 前記基板がソーダガラスであることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電子部品。
- 前記電子素子が水晶振動片であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の電子部品。
- 脆性材料で形成された基板と、前記基板を備えたパッケージと、前記パッケージに設置された電子素子と、前記基板上に形成され、下地金属層、はんだ付け金属層、及び保護金属層を有する外部電極と、を備える電子部品の製造方法において、
前記基板上に前記下地金属層を形成する工程と、
前記下地金属層及び前記はんだ付け金属層の熱膨張率と近い熱膨張率を有するとともに、前記下地金属層及び前記はんだ付け金属層とはんだ付け温度より低い温度で反応しないバリア金属層を前記下地金属層上に形成する工程と、
前記バリア金属層上に前記はんだ付け金属層を形成する工程と、
前記はんだ付け金属層上に前記保護金属層を形成する工程とにより外部電極を形成する外部電極形成工程を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
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