JP3339964B2

JP3339964B2 - 表面実装型水晶発振器及びその製造方法

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Publication number: JP3339964B2
Application number: JP11700394A
Authority: JP
Inventors: 洋一村木
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1994-05-30
Filing date: 1994-05-30
Publication date: 2002-10-28
Anticipated expiration: 2017-10-28
Also published as: JPH07321555A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータ、ＡＶ機
器等のクロック信号発生用や通信機器の基準周波数発生
用の表面実装型水晶発振器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】水晶発振器は、水晶振動子、ＩＣ素子、
必要に応じてコンデンサや抵抗器などの受動電子部品、
およびこれらの各部品を接続する配線回路の形成された
絶縁基板、気密ケースなどから構成される。

【０００３】従来、水晶発振器に用いられる水晶振動子
やＩＣ素子は各々別個にケースやパッケージに封入され
たものが使用されていたが、近年の水晶発振器の小型化
要求に応じ、最近では水晶振動子、ＩＣ素子ともに、裸
の素子（ベアチップ）を用い、これらの素子を、一体的
に気密ケースで封止することにより信頼性を確保すると
いう部品になっている。このようにすることによって、
水晶振動子やＩＣ素子自身のケーシングが省略でき、小
型化ととも、製造コストを削減することもできる。

【０００４】上述の気密ケースとしては、従来、金属ケ
ース（キャンケースとステム基板）が一般的であった
が、シールのための鍔部が必要で、プリント配線基板実
装時の占有面積が大きくなること、コスト高であるなど
の問題点があり、表面実装型の適応性を考慮して、封止
の信頼性が高く、小型・低コスト化の可能なセラミック
ケースを用いて表面実装に対応した水晶発振器が提案さ
れている（例えば、特開平４−３６０９）。

【０００５】このような表面実装型水晶発振器はその内
部に配線パターンを形成した筺体状のセラミック基板の
内部に、水晶振動子、ＩＣベアチップなどを搭載接続
し、さらに、蓋体で封止することにより構成されてい
る。また、セラミック基板の端面や裏面には、前記配線
パターンと導通する実装用端子電極が形成されている。

【０００６】ここで、上記配線パターンや実装用端子電
極の導体層は、タングステンメタライズ等の下地層、Ｎ
ｉメッキ層、表面金メッキ層を施した３層構造となって
いる。これは、配線パターンと実装用端子電極とが同一
工程で形成されるため、両者が同じ構造となっている。
そして、配線パターンにおいては、ＩＣベアチップの接
続信頼性を高めるため、表面には一定厚み以上に金メッ
キ層を形成しておく必要がある。

【０００７】また、蓋体に金属部材を用いる場合、上述
の配線パターンや実装用端子電極以外に、蓋体と気密封
止されるセラミック基板には封止用導体層を形成してお
く必要がある。この導体層の構成は、例えばシーム溶接
を行う場合、タングステンメタライズ等の下地導体層、
Ａｇろう層、コバールなどの金属リング体、Ｎｉメッキ
層、Ａｕメッキ層となっていた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記のような表面実装
型水晶発振器をプリント配線基板に実装するにあたり、
まず、プリント配線基板上に形成した接続パッドに半田
ペーストを塗布し、次に、前記発振器を接続パッドに搭
載し、続いて、リフロー炉を通すことにより、接続パッ
ドと実装用端子電極とを電気的、機械的に接合する。

【０００９】この時、実装用端子電極の最表面層である
金メッキ層は、溶融した半田中のスズに固溶して金−ス
ズ合金層を形成するため、良好な半田付け性が得られ
る。しかしながら、このようにプリント配線基板に接合
した表面実装型水晶発振器を所定の信頼性試験、特に−
４０℃〜＋９０℃、７００サイクルの温度サイクル試験
にかけた時に導通不良が発生しやすい。

【００１０】この導通不良を種々検討したたところ、前
記表面実装型水晶発振器とプリント配線基板との接合部
において、表面実装型水晶発振器の実装用端子電極４の
最表面の金メッキ層が消失し、半田接合部分にクラック
が生じることがわかった。即ち、金はいわゆる”半田食
われ”を生じ、完全に半田中に固溶する。

【００１１】表面実装型水晶発振器において、特にこの
ような問題が生じたのは、水晶発振器は高い動作信頼性
を要求されるために信頼性試験の条件が厳しいこと、プ
リント配線基板の接続パッドと前記表面実装型水晶発振
器の端子電極との熱膨張係数の違いによって生じる応力
が、表面実装型水晶発振器のセラミック基板に直接被着
・形成された実装用端子電極で、その熱膨張係数の差に
よる弾性を十分に吸収されることがないため、その応力
が接合部に集中することなどに加え、金が固溶した半田
層がこの集中応力に耐えられない脆い性質になるためと
考えられる。尚、端子電極は、表面実装させる場合、セ
ラミック基板の裏面に端子電極を形成すればよいが、あ
えて端面スルーホール導体部を用いることは、半田リフ
ローによる実装時に半田と端子電極との接合状態が確認
できるようにし、さらに、半田フィレット（半田のせり
上がり）の形成によって、より強固な接合を行うためで
ある。

【００１２】本発明は上述の課題に鑑みて案出されたも
のであり、その目的はプリント配線基板との接続部分の
導通不良や接続不良を生じない、実装信頼性が高く、作
業能率に優れた表面実装型水晶発振器およびその製造方
法を提供することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、配線パタ
ーンを有するセラミック基板上に、少なくとも水晶振動
子、発振回路用ＩＣベアチップを搭載接続し、且つ前記
少なくとも水晶振動子、発振回路用ＩＣベアチップが気
密に収納されるよう、前記セラミック基板に蓋体を取着
するとともに、セラミック基板の少なくとも裏面に前記
配線パターンから導出する実装用端子電極を形成した表
面実装型水晶発振器において、前記配線パターンは下地
導体層、表面金メッキ層の積層構造を有し、且つ実装用
端子電極は、上述の配線パターンと同一層構成であり、
さらに、その表面に、Ｎｉメッキ層、半田メッキ層を形
成した表面実装型水晶発振器である。

【００１４】第２の発明は、配線パターンを有するセラ
ミック基板上に、少なくとも水晶振動子、発振回路用Ｉ
Ｃベアチップを搭載接続し、且つ前記少なくとも水晶振
動子、発振回路用ＩＣベアチップが気密に収納されるよ
う、前記セラミック基板に蓋体を取着するとともに、セ
ラミック基板の少なくとも裏面に前記配線パターンから
導出する実装用端子電極を形成した表面実装型水晶発振
器の製造方法であって、前記セラミック基板表面に配線
パターンとなる下地導体層を、少なくとも裏面に前記配
線パターンから導出する実装用端子電極となる下地導体
層を形成する工程と、前記各下地導体層の表面に金メッ
キ層を形成する工程と、前記セラミック基板表面の配線
パターンに、少なくとも水晶振動子、発振回路用ＩＣベ
アチップを搭載接続する工程と、前記セラミック基板
に、蓋体を前記少なくとも水晶振動子、発振回路用ＩＣ
ベアチップが気密に収納されるように取着する工程と、
前記実装用端子電極の表面の金メッキ層に、Ｎｉメッキ
層、半田メッキ層を形成する工程とを順次行う表面実装
型水晶発振器の製造方法である。

【００１５】尚、上述の下地導体層とは、セラミック基
板上に被着されたメタライズ層をいい、この下地導体層
上に必要に応じて、Ｎｉメッキ層や銀メッキ層などの中
間層を設けてもよい。

【００１６】

【作用】第１の発明においては、配線パターンは、その
表面を金メッキ層としているためにＩＣベアチップのワ
イヤボンディング用金ワイヤと配線パターンの接続信頼
性が高く、また、実装用端子電極には金メッキ層上に、
バリア層としてＮｉメッキ層、表面の半田メッキ層を形
成しているため、プリント配線基板上に、半田接合した
時、接合用半田が実装用端子電極の半田メッキ層との間
で濡れ性が向上して、安定した半田接合が可能になる。

【００１７】また、Ｎｉメッキ層がバリア層として作用
するため、金メッキ層と半田メッキ層、または接合用半
田との間で、Ａｕ−Ｓｎの共晶反応を軽減させることが
できるため、下地導体層とメッキ層間で剥離を有効に防
止することができる。

【００１８】また、第２の発明は、第１の発明の構造を
形成する方法を示したものであり、水晶振動子、ＩＣベ
アチップを搭載・接続し、蓋体で気密封止したのちに、
セラミック基板の少なくとも裏面に形成した実装用端子
電極の金メッキ層上にＮｉメッキ層、半田メッキ層を形
成している。従って、上述の配線パターン回路部には何
等影響を与えることなく、実装用端子電極の表面には半
田メッキ層を形成しているので、接合用半田による表面
実装接合が可能となり、且つ、多数個の水晶発振器を一
括的にメッキ処理を行うことができ、作業能率が高く、
製造工程が簡略化される。

【００１９】

【実施例】本発明の表面実装型水晶発振器及びその製造
方法を図面に基づいて説明する。

【００２０】図１は、本発明の表面実装型水晶発振器の
外観斜視図であり、図２にその断面構造を示す図であ
り、図３に蓋体を除いた平面図であり、図４は、配線パ
ターン、実装用端子電極の層構成を説明するための部分
断面図である。

【００２１】図１において、１はセラミック基板であ
り、２は蓋体、３は水晶振動子、４はＩＣベアチップで
あり、５は配線パターン、６は実装用端子電極である。
尚、実装用端子電極６は、セラミック基板１の端面の一
部が窪んだ端面導通スルーホール部と裏面の端子電極と
から成っている。

【００２２】セラミック基板１は、例えば筺体状となて
おり、その内部には、水晶振動子３が載置・電気的接続
される接続パターンを有する段差部１１ａ、１１ｂが形
成されており、内部底部の表面には、所定配線パターン
５が形成されている。また、セラミック基板１の外表面
の一部には、端面から裏面にかけて実装用端子電極６が
形成されている。

【００２３】また、セラミック基板１の表面の周囲に
は、封止用導体層１３が形成されている。

【００２４】このようなセラミック基板１は、例えば３
層の多層構造であり、各層が夫々所定形状となってい
る。例えば、下層１ｃは平面視平板状であり、その端部
が実装用端子電極６の一部となる端面導通スルーホール
を形成されるように窪みが形成され、その表面には所定
配線パターン５が、その裏面及び前記窪には実装用端子
電極６が夫々形成されている。中間層１ｂは、水晶振動
子３を載置する段差部１１ａ、１１ｂを形成するような
平面視リング状となっている。この中間層１ｂの表面の
一部、即ち、段差部１１ａ、１１ｂ部分には、水晶振動
子３と接合するための接続パターン１２ａ、１２ｂとな
る導体層が形成されている。また、上層１ａは平面視リ
ング状となっており、その表面の周囲、即ち開口周囲は
蓋体２との気密封止部分となる。このような、下層１
ｃ、中間層１ｂ、上層１ａを積層することにより、上述
の形状のセラミック基板１が達成される。尚、図示して
いないが、段差部１１ａ、１１ｂ上の接続パターンと所
定配線パターン５とは、中間層１ｂの厚み方向を貫くビ
アホールや段差部１１ａ、１１ｂの端面を利用して、互
いに接続されている。また、配線パターン５は、下層１
ｃと中間層１ｂとの界面を用いて実装用端子電極６に導
通している。このようなセラミック基板１は、セラミッ
クグリーンシートのプレス成型方法、グリーンシート上
のメタライズ形成方法、グリーンシートの積層技術を用
いて、一体的に焼成することにより簡単に達成できる。

【００２５】セラミック基板１の内部には、水晶振動子
３、発振回路用ＩＣベアチップ４、各種電子部品（図示
せず）が配置される。

【００２６】ＩＣベアチップ４は、発振回路に必要なイ
ンバーター、抵抗などが集積されており、セラミック基
板１の内部の表面、即ち、下層１ｃの表面にダイボンド
され、所定配線パターン５との間を金のボンディングワ
イヤ１０で電気的に接続されている。

【００２７】水晶振動子３は、所定振動モード、所定周
波数で発振するように規定された矩形状の水晶片と、そ
の両主面に異なる端面方向に延びる振動電極とから成
り、その両端は段差部１１ａ、１１ｂの接続パターン１
２ａ、１２ｂにポリイミド系樹脂などに導電性粉末を添
加した耐熱性導電ペースト８で電気的、機械的に接続さ
れている。即ち、水晶振動子３は、ＩＣベアチップ４の
上方に横たわるように配置される。従って、段差部１１
ａ、１１ｂの厚み、即ち中間層１ｂの厚みを、ＩＣベア
チップ４の厚みを考慮し、さらに、ボンディングワイヤ
と水晶振動子３とが接触しないように考慮する必要があ
る。例えば、ＩＣベアチップ４の厚みが、中間層１ｂの
厚みにより厚い場合、下層１ｃに、ＩＣベアチップ４の
全部又は一部が収容されるような深さのキャビティーを
形成してもよい。この場合、下層１ｃはさらに２層構造
とすればよく、全体として４層構造となる。尚、このよ
うな構造にすれば、配線パターン５とＩＣベアチップ４
表面との段差が少なくなるため、ボンディングワイヤの
距離が短くなり、ボンディング信頼性が向上することに
なる。

【００２８】蓋体２は、例えば金属部材、セラミックな
どからなり、セラミック基板１の内部に収容した水晶振
動子３、ＩＣベアチップ４などを気密収容するよう、セ
ラミック基板１の開口周囲に取着されている。

【００２９】その封止構造の一例として、蓋体２に金属
部材を用いる場合、セラミック基板１の開口周囲に封止
用金属層１３を形成し、蓋体２をシーム溶接により接合
する。この封止用金属層１３はモリブデン、タングステ
ンなどのメタライズ下地導体層上に、コバールなどの金
属リング体７をろう付けして、さらにその表面に、Ｎｉ
メッキ、Ａｕメッキを施した積層構造である。一方の蓋
体２は少なくとも封止部分にはＮｉメッキを施す。

【００３０】また、上述のコバールなどの金属リング体
７を用いず、単に、高温半田でセラミック基板１と蓋体
２とを接合しても構わない。

【００３１】ここで、蓋体２は金属部材とすることによ
り、電磁波シールド効果を持たせており、不要輻射を防
止している。また、このセラミック基板１の内部は窒素
やアルゴンなどの不活性ガスを充填して、素子の経時変
化を防止することが望ましい。

【００３２】さらに、蓋体２にセラミック部材を用いる
場合、封止用金属層１３の変わりに低融点ガラス層を形
成しておき、低融点ガラス層上に蓋体２を載置した状態
で、ガラス層を溶融し、両者を気密封止して構わない。

【００３３】尚、上述の構造において、プリント配線基
板上に表面実装した後の洗浄性を考慮して、セラミック
基板１の裏面の実装用端子電極６の中央部に突起を形成
しても構わない。

【００３４】実装用端子電極６は接合後の温度サイクル
試験で線膨張係数の差によって加わる応力の影響を小さ
くし、また接合強度を大きくするために、隣あう端子電
極６・・・間の最大の間隔は２０ｍｍ以下で、１つの端
子電極６の面積は１．０ｍｍ²以上が好ましい。

【００３５】次に、図４の部分断面図を用いて、セラミ
ック基板１の所定配線パターン５及び実装用端子電極６
の導体層の層構成を説明する。

【００３６】所定配線パターン５の導体層の構成は、タ
ングステン、モリブデン・マンガンなどのメタライズの
下地導体層１４、中間のＮｉメッキ層１５、表面の金メ
ッキ層１６とが積層された基本的には３層構造である。
一方、実装用端子電極６の導体層の構成は、タングステ
ン、モリブデン・マンガンなどのメタライズの下地導体
層１４、中間のＮｉメッキ層１５、金メッキ層１６、Ｎ
ｉメッキ層１７、表面の半田メッキ層１８とが積層され
た基本的には５層構造である。尚、配線パターン５及び
実装要端子電極６の導体層を構成するメタライズの各下
地導体層１４、中間のＮｉメッキ層１５、金メッキ層１
６は互いに同一工程で同時に被着形成されるものであ
る。

【００３７】また、配線パターン５と実装用端子電極６
とを接続するセラミック基板１の下層１ｃ、中間層１ｂ
との界面に形成される導体層はタングステン、モリブデ
ン・マンガンなどのメタライズ層のみの一層構造であ
る。

【００３８】従って、ＩＣベアチップ４とのボンディン
グワイヤを介して接続される所定配線パターン５は、そ
の表面が金メッキ層１６であるため、強固に且つ確実に
接合することができる。

【００３９】また、図５のように、プリント配線基板２
０の所定接続パッド２１との間で接合用半田２２を介し
て接合される実装用端子電極６は、表面に半田メッキ層
１８が形成されているため、リフロー処理した時に、接
合用半田２２と半田メッキ層１８とが拡散しあって、半
田濡れ性が向上し、両者の間を強固に且つ確実に接合で
きる。この時、半田２２はセラミック基板１の裏面のみ
ならず、セラミック基板１の端面の導通スルーホール部
分にまで、半田２２がせりあがるため、一層強固の接合
が可能となり、その接合状態を簡単に、目視によって確
認できる。

【００４０】特に、実装用端子電極６には、金メッキ層
１６の表面にＡｕ−Ｓｎの共晶反応を防止するＮｉメッ
キ層１７が介在されているため、従来のように、金が半
田２２中のスズと固溶して食われることがなく、強固な
接合強度が維持できる。

【００４１】尚、この時、Ｎｉメッキ層１７を電解メッ
キ法によって、均一で充分な厚みとなるように形成する
ことが重要である。Ｎｉメッキ層を均一且つ充分な厚み
とするのは、根本的にＡｕとＮｉとの拡散が生じる可能
性があるが、仮にＡｕとＮｉとの拡散しても、充分にＮ
ｉメッキ層が残存できるようにするためである。具体的
には、Ｎｉメッキ層の厚みは、６μｍ以上とすることが
望ましい。

【００４２】これにより、実装後に厳しい条件の温度サ
イクル試験にかけても接合部に、Ｎｉメッキ層１７の存
在により、金メッキ層１６と表面半田メッキ層１８や接
合用半田２２との間でＡｕ−Ｓｎの合金層が形成されて
いないため、プリント配線基板２０とセラミック基板１
との熱膨張係数の差による応力が発生しても、従来のよ
うにクラックが発生するまでには到らず、導通不良が皆
無となる。

【００４３】次に、本発明の表面実装型水晶発振器の製
造方法について図６の工程図に従って順に述べる。

【００４４】セラミック基板の形成工程まず、セラミック基板１を形成する。セラミック基板１
は上述のように配線パターン５、実装用端子電極６、接
続パターン１２ａ、１２ｂとなる導体膜が印刷形成され
た所定形状のセラミックグリーンシートを積層し、焼成
することにより形成される。

【００４５】具体的には、各層１ａ〜１ｃとなる、厚
み、例えば３５０μｍのグリーンシートをプレス成形に
より、リング状、端部の窪み、ビアホール導体となるよ
うに所定貫通穴を形成し、各々のグリーンシートに必要
に応じて、その表面、または表裏両面、さらに貫通穴の
端面などに、配線パターン５、実装用端子電極６、接続
パターン１２ａ、１２ｂとなる導体膜をタングステンペ
ースト等で印刷する。このようなグリーンシートを複数
積層し、さらに寸方を整え、また複数の基板を抽出する
ように裁断を行い、還元性雰囲気中で焼成する。

【００４６】配線パターン５、実装用端子電極６、接続
パターン１２ａ、１２ｂは、タングステンの下地導体層
１４のみである。尚、発振器全体の高さは、通常、強度
を考慮して３００〜１００００μｍ程度であるが、例え
ば、夫々の層を、電気的な妨げをしないようなグリーン
シートを積層しても構わない。

【００４７】その後、下地導体層１４上にＮｉメッキ層
１５、金メッキ層１６を順次形成する。Ｎｉメッキ層１
５の厚みは下地導体層１４との密着性を高めるために２
〜６μｍの範囲が好ましく、金メッキ層１６の厚みはワ
イヤボンディング強度を高めるために０．７５〜２μｍ
の範囲が好ましい。

【００４８】尚、蓋体２に金属部材を用いて、シーム溶
接する場合には、セラミック基板１の開口周囲に封止用
導体層１３を形成する。具体的には、上述の下地導体層
１４と同時にタングタテンの下地導体層を形成し、続い
てこの下地導体層上にＡｇろう付けでコバールの金属リ
ング体７を被着し、その表面を上述のＮｉメッキ層、金
メッキ層の形成と同時に、Ｎｉメッキ層、金メッキ層を
順次形成する。

【００４９】また、セラミック基板材料としてガラスセ
ラミックなどの低温焼成材料を用いる場合、内部導体層
も配線抵抗を少なくするために銀や銅にするが、その他
基本的な手順は上述の場合とほとんど同じである。

【００５０】水晶振動子、ＩＣベアチップの素子搭載工
程次に、セラミック基板１内の所定位置にＩＣベアチップ
４を搭載し、配線パターン５との電気的接続を金ワイヤ
のワイヤボンディングで行う。また、水晶振動子３はセ
ラミック基板１の内部の段差部１１ａ、１１ｂの接続パ
ターン１２ａ、１２ｂに耐熱性導電ペースト８で電気的
接続と同時に機械的接続を行う。

【００５１】また、その他の電子部品を搭載する場合に
は、周知の方法で配線パターン５に搭載接続を行う。

【００５２】ここでＩＣベアチップ４はワイヤボンディ
ング以外に、フリップチップ接続する場合がある。この
時、ＩＣベアチップ４の接合部には半田バンプを用いる
ことができず、通常金バンプが用いられ、接合はポリイ
ミド樹脂などの耐熱性樹脂ベースのペーストで行うた
め、フリップチップ接続する場合であっても、配線パタ
ーン５の表面層を金メッキ層１６とすることが好適であ
る。

【００５３】蓋体の取着工程次に、上述のように各素子３、４を収容したセラミック
基板１に、蓋体２を取着する。

【００５４】例えば、金属部材、例えばコバールからな
る蓋体２の少なくとも接合部分にＮｉメッキを施し、こ
の蓋体２を開口を覆うようにしてセラミック基板１上に
載置して、シーム溶接を行い密閉封止する。この作業は
窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気中で行い、封止
後これら不活性ガスが密閉空間内に充填されるようにす
る。

【００５５】この封止工程では、低融点ガラス封止や高
温半田封止を適用することもできる。低融点ガラス封止
の場合、上記のような金属リングは不要で蓋体２はセラ
ミック部材とすることができるが、封止時に約４００℃
まで加熱するため、ＩＣに与える熱的影響を考慮せねば
ならない。一方、高温半田封止においては、封止時の加
熱は３００℃以下に軽減される。

【００５６】メッキ工程その後、実装用端子電極６の表面（金メッキ層１６）上
に、無電解メッキ法により、Ｎｉメッキ層１７、半田メ
ッキ層１８を順次形成する。

【００５７】これによって、実装用端子電極６は、下地
導体層１４上にＮｉメッキ層１５、金メッキ層１６、Ｎ
ｉメッキ層１７、半田メッキ層１８が順次形成された層
構成となる。ここで、Ｎｉメッキ層１７の層厚は６〜１
１μｍの範囲が好ましい。６μｍ未満では半田メッキ層
１８の付着強度が不足し、金メッキ層１６と半田メッキ
層１８や接合用半田２２との間でＡｕ−Ｓｎの共晶反応
を有効に防止できる。

【００５８】また、半田メッキ層１８には、半光沢半田
（Ｓｎ：Ｐｂ＝９：１）が使用され、その好適な層厚は
４〜１０μｍの範囲である。

【００５９】上記実施例の水晶発振器においては、セラ
ミック基板１の材料としてアルミナを用い、タングステ
ンメタライズ等で下地導体層１４を形成しているが、そ
れに変えてセラミック基板１にガラス−セラミックなど
の低温焼成基板材料を用いて、配線パターン５などの下
地導体層に銀や銅の導体層を厚膜印刷で形成し、導体層
部分表面に金メッキ層を形成したものでも良い。この場
合、焼成温度が低いため基板の低コスト化が可能にな
る。

【００６０】また、実装用端子電極６の下地導体層上に
形成するＮｉメッキ層１５、金メッキ層１６、Ｎｉメッ
キ層１７、半田メッキ層１８に形成されているが、この
組み合わせには限定されず、例えば、上記の低温焼成基
板を用いた場合、ニッケルメッキ層１５も省略すること
ができ、下地導体層１４上に直接金メッキ層１６を形成
することができる。

【００６１】さらに、セラミック基板１の形状を筺体状
から平板状として、蓋体２を平板状から筺体状にしても
構わない。

【００６２】

【発明の効果】本発明の表面実装型水晶発振器は、配線
パターンの導体表面層を金メッキ層としているため、特
に、ＩＣベアチップとの接合、例えば、ワイヤボンディ
ングやフリップチップボンディングの接続信頼性が高
い。

【００６３】同時に、実装用端子電極の層構成が、配線
パターンの層構成に加え、Ｎｉメッキ層、半田メッキが
形成されているため、特に、プリント配線基板上に半田
接合を行った場合、金メッキ層と半田メッキ層、接合用
半田との間でＡｕ−Ｓｎの共晶反応防止することがで
き、安定的な接合が可能となる。

【００６４】また、本発明の表面実装型水晶発振器の製
造方法においては、上述の構造を達成するために、実装
用端子電極には、配線パターンと同様に金メッキ層を形
成し、蓋体で封止した後、金メッキ層上にＮｉメッキ
層、半田メッキ層を形成しているので、複数の発振器
を、簡単に且つ一括的に実装用端子電極を形成すること
ができる。従って、作業能率が高く、製造工程が簡略化
される。その結果、信頼性の高い小型化した表面実装水
晶発振器を低コストで製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表面実装型水晶発振器の外観斜視図で
ある。

【図２】本発明の表面実装型水晶発振器の断面図であ
る。

【図３】本発明の表面実装型水晶発振器の蓋体を除いた
平面図である。

【図４】本発明の表面実装型水晶発振器のセラミック基
板の部分断面図である。

【図５】プリント配線基板に表面実装した状態の部分断
面図である。

【図６】本発明の表面実装型水晶発振器の製造方法を説
明する工程図である。

【符号の説明】

１・・・・・セラミック基板２・・・・・蓋体３・・・・水晶振動子４・・・・ＩＣベアチップ５・・・・配線パターン６・・・・実装用端子電極７・・・・金属リング体８・・・・耐熱性導電ペースト１４・・・下地導体層１５・・・Ｎｉメッキ層１６・・・金メッキ層１７・・・Ｎｉメッキ層１８・・・半田メッキ層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03B 5/32 H01L 23/48 H01L 23/50 H05K 1/09 H05K 3/24

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】配線パターンを有するセラミック基板上
に、少なくとも水晶振動子、発振回路用ＩＣベアチップ
を搭載接続し、且つ前記少なくとも水晶振動子、発振回
路用ＩＣベアチップが気密に収納されるよう、前記セラ
ミック基板に蓋体を取着するとともに、セラミック基板
の少なくとも裏面に前記配線パターンから導出する実装
用端子電極を形成した表面実装型水晶発振器において、前記配線パターンは下地導体層、表面金メッキ層の積層
構造を有し、且つ実装用端子電極は下地導体層、金メッ
キ層、Ｎｉメッキ層、表面半田メッキ層の積層構造を有
することを特徴とする表面実装型水晶発振器。
【請求項２】配線パターンを有するセラミック基板上
に、少なくとも水晶振動子、発振回路用ＩＣベアチップ
を搭載接続し、且つ前記少なくとも水晶振動子、発振回
路用ＩＣベアチップが気密に収納されるよう、前記セラ
ミック基板に蓋体を取着するとともに、セラミック基板
の少なくとも裏面に前記配線パターンから導出する実装
用端子電極を形成した表面実装型水晶発振器の製造方法
であって、前記セラミック基板表面に配線パターンとなる下地導体
層を、少なくとも裏面に前記配線パターンから導出する
実装用端子電極となる下地導体層を形成する工程と、前記各下地導体層の表面に金メッキ層を形成する工程
と、前記セラミック基板表面の配線パターンに、少なくとも
水晶振動子、発振回路用ＩＣベアチップを搭載接続する
工程と、前記セラミック基板に、蓋体を前記少なくとも水晶振動
子、発振回路用ＩＣベアチップが気密に収納されるよう
に取着する工程と、前記実装用端子電極の表面の金メッキ層上に、Ｎｉメッ
キ層、半田メッキ層を形成する工程とを順次行うことを
特徴とする表面実装型水晶発振器の製造方法。