JP2002261547A - 電子部品装置 - Google Patents

電子部品装置

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JP2002261547A
JP2002261547A JP2001055338A JP2001055338A JP2002261547A JP 2002261547 A JP2002261547 A JP 2002261547A JP 2001055338 A JP2001055338 A JP 2001055338A JP 2001055338 A JP2001055338 A JP 2001055338A JP 2002261547 A JP2002261547 A JP 2002261547A
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光隆 嶌田
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    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】半田リフローなどの熱ストレスが加わったとき
にも蓋が基板から剥離することがなく、電子部品装置が
マザーボードへ実装された後で、電子部品装置とマザー
ボードとの間でショート不良を発生させず、半田リフロ
ー後の洗浄性を低下させない電子部品装置を提供するも
のである。 【解決手段】一面が開口した断面凹部4を有する基板1
に、電子部品素子3を前記凹部4に収納するとともに該
凹部4の開口を封止用蓋体7で封止した電子部品装置で
ある。前記封止用蓋体7が平板状金属層7aと、該金属
層7aの両主面を被覆した樹脂層7b、7cからなり、
前記封止用蓋体7の一方の樹脂層7cが樹脂系接着剤8
を介して前記基板1に接合している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品素子、例え
ば、SAW素子などの圧電素子を基板に形成した凹部
(キャビティ)に収容し、気密封止した電子部品装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】電子部品装置は、近年、小型化、薄型
化、高機能化の要求が高まっており、これらの要求に対
応するために、セラミックなどの基板の一方主面に複数
の電子部品素子を搭載し、また、基板の他方主面に凹部
を形成し、この凹部内に電子部品素子を収容していた。
基板の一方主面に搭載する電子部品素子とは、コンデン
サ、抵抗、ダイオード、コイル、ICやトランジスタ等
の半導体素子などの表面実装型電子部品素子などが例示
できる。また、凹部内に収容する電子部品素子は、圧電
素子などが例示でき、SAW素子、セラミック振動子、
水晶振動子などで、対環境保護のための気密封止を必要
とする素子のことである。
【0003】このような電子部品装置の小型化の観点か
ら、基板の一方主面を利用して表面実装型電子部品素子
を搭載し、基板の他方主面に凹部を形成し、この凹部内
に電子部品素子を収容していた。これにより、基板の平
面形状を小型化することができ、よって小型の電子部品
素子層装置が達成される。
【0004】そして、電子部品装置の凹部に収納される
電子部品素子は、その周囲に空間を必要とする圧電素子
が配置された、凹部の開口を金属やセラミックなどの蓋
を接着して封止をしていた。
【0005】代表的な封止方法は,はんだやAu−Sn
合金を使ったソルダーシール法や開口周囲にシールリン
グをろう付け配置し、このシールリングに金属蓋体をシ
ーム溶接でシールするシームウエルド法、さらに、接合
部材として低融点ガラスを用いて、基板と蓋を接着する
ガラス封止方法が知られている。これらの封止方法は、
気密性が高く、信頼性に優れているが生産性に劣り高価
になる欠点がある。また、封止の際に与える熱を考える
と、シームウエルド法では凹部内の温度が150℃程度
程度であり、ソルターシール法では320〜340℃と
なり、更にガラスシール法では380〜420℃にな
る。このような高い温度では、凹部内に収容する電子部
品素子の特性が大きく変化してしまうことが考えられ、
特に、水晶振動子や弾性表面波素子等の熱に弱い素子で
は素子の特性が劣化するため採用することができない。
これらの問題を解決するために、従来より、接合材とし
て樹脂系接着剤を使用して基板と蓋を接着する方法が提
案されている(例えば特開平4−85857号や特開平
7−212169号)。これらの封止構造では、蓋材と
して、プラスチック、セラミック、ガラス、金属の平板
部材及び金属箔体が用いられ、エポキシ樹脂などの樹脂
系接着剤で封止する例である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このような電子部品装
置の第1の問題点は、近年小型化、低背化の要求に対
し、電子部品素子の低背化の為に蓋体を薄くする必要が
あるが、プラスチック、セラミック、ガラスは機械的強
度に問題があり、金属を採用する例が多い。金属を蓋体
とする場合は、錯や腐食が発生するため品位及び信頼性
が劣化するためメッキ処理等の腐食防止をする必要が生
じる。
【0007】また、蓋体に金属部材を用いた場合、例え
ば図3に示すように、凹部4内で電子部品素子3をボン
ディングワイヤで接続するようと時に、金属蓋体とボン
ディングワイヤとの間でショートすることがあり、電子
部品装置の小型化が達成しにくい。また、凹部内に収容
する電子部品素子に接続方法に大きな制約が発生してし
まう。尚、図3において、1は基板であり、2は基板の
一方主面側に配置した電子部品素子であり、6はシール
ドケースであり、4は凹部であり、3は凹部4内に収容
された電子部品素子3であり、70は金属蓋体であり、
8は樹脂系接着剤であり、9は外部端子電極であり、1
0はマザーボードであり、11は外部端子電極用配線パ
ターンであり、12は配線パターンであり、13は半田
である。
【0008】また、この電子部品装置をマザーボード1
0に実装した時に、金属蓋体70とマザーボード10の
配線パターン間とのショート不良が発生することであ
り、マザーボード10の配線ハターンの引き回しを、金
属蓋体70から避けなくてはならず、その制約が伴って
しまう。また、凹部4開口の周囲に、外部端子電極9が
配置されている場合には、電子部品装置の外部端子電極
9とマザーボード10の配線パターン11との半田13
接合時に、金属蓋体70と配線パターン12との間で半
田ブリッジが形成されてしまう。また、洗浄性が低下し
て、半田ボールやフラックスが残留し易くなり、パター
ン間のショート不良や信頼性低下などの不具合となる。
【0009】さらに、電子部品装置の基板の他方面から
金属蓋体70が突出するような場合には、電子部品装置
をマザーボード10に表面実装できなくなる。
【0010】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、半田リフローなどの熱スト
レスが加わったときにも蓋が基板から剥離することがな
く、電子部品装置がマザーボードへ実装された後で、電
子部品装置とマザーボードとの間でショート不良を発生
させず、半田リフロー後の洗浄性を低下させない電子部
品装置を提供するものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、一面が開口し
た断面凹部を有する基板に、電子部品素子を前記凹部に
収納するとともに該凹部の開口を封止用蓋体で封止した
電子部品装置において、前記封止用蓋体が平板状金属層
と、該金属層の両主面を被覆した樹脂層からなり、前記
封止用蓋体の一方の樹脂層が樹脂系接着剤を介して前記
基板に接合して、前記凹部開口を閉塞することを特徴と
する電子部品装置である。
【0012】このましくは、前記凹部開口の周囲には、
少なくとも前記封止用蓋体の厚み以上の窪みが周設され
ているとともに、前記窪み部の周囲の基板表面に外部端
子電極が配置されている。また、前記電子部品素子は圧
電素子である。
【作用】本発明によれば、封止用蓋体は両面を樹脂で被
覆した部材を用いている。この被覆した樹脂層と電子部
品装置の基板が樹脂系接着剤を介して接着されるか、も
しくは、蓋体として内面側に被覆した樹脂層を接着層と
して用いて基板に直接接着される。これにより、封止用
蓋体と電子部品装置の基板との接着力が高くなり、半田
リフローなどの熱ストレスが加わった場合でも封止用蓋
体が基板から剥離するということがなくなる。
【0013】電子部品装置の凹部開口を封止する封止用
蓋体は、金属層の両主面に樹脂層が被覆されており、金
属層の露出面に露出することはない。従って、凹部内部
において、電子部品素子と基板との電気的な接合方法
が、例えばボンディングワイヤであっても、この蓋体の
表面が絶縁材料であることから、ボンディングワイヤの
ショートが発生しない。また、封止用蓋体の外面側にお
いては、樹脂層が被覆されているため、電子部品装置を
マザーボードに実装した後で、封止用蓋体と電子部品装
置の外部端子電極の間で半田ブリッジが形成されなくな
る。また、電子部品装置とマザーボード間の隙間に半田
ボールが侵入しても、封止用蓋体とマザーボードの配線
パターン間が半田ボールを介してショートすることがな
くなる。また、樹脂被覆されているため、錆、腐食を有
効に防止することができる。
【0014】封止用蓋体が、電子部品装置の基板面から
突出することがないため、電子部品装置とマザーボード
との隙間が、実質的に基板とマザーボード間の隙間と同
等になり、半田リフローでの実装性が良く、洗浄時に電
子部品装置とマザーボード間に洗浄液が回り込み易くな
り、洗浄性が向上する。
【0015】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の電子部品装置に
ついて図面を基づいて説明する。
【0016】図1は、本発明の電子部品素子層装置の断
面図であり、図2は、本発明の電子部品装置の底面側の
平面図である。尚、図3と同一箇所は同一番号を付す。
【0017】図において、1は基板であり、2は基板の
一方主面に配置した電子部品素子であり、4は凹部であ
り、3は凹部4内に収容された電子部品素子であり、7
は凹部4の開口を封止する封止用蓋体であり、8は樹脂
接着剤であり、9は外部端子電極である。
【0018】基板1は、セラミック、ガラスセラミック
材料、ガラスエポキシなどの樹脂系材料が挙げられる。
【0019】基板1の一方主面には所定配線導体が形成
されており、その配線導体上に電子部品素子2が搭載さ
れている。尚、この電子部品素子2は、コンデンサ、抵
抗、ダイオード、コイル、ICやトランジスタ等の半導
体素子などの表面実装型電子部品素子などが例示でき
る。基板1の電子部品素子の2を被覆するようにシール
ドケース6が被覆されている。
【0020】また、基板1の他方主面に、所定深さで、
所定平面形状を有する凹部4が形成されている。そし
て、この凹部4の底面には、図示されていないが、電極
パッドが形成されている。そして、この凹部4内には、
電子部品素子3が収容されている。この電子部品素子3
は、上述の電子部品素子2のようにコンデンサ、抵抗、
ダイオード、コイル、ICやトランジスタ等の半導体素
子などを配置してもよいが、とりわけ、SAW素子、セ
ラミック振動子、水晶振動子などの圧電部品が有利であ
る。このように圧電部品は、凹部4に収容され、蓋体7
で封止しているため圧電部品(電子部品素子3)を確実
に気密的に封止でき、機能的に圧電部品3の周囲に空間
を形成することができる。例えば、圧電部品の特性に大
きく影響する振動や弾性波を安定して発生させることが
できる。
【0021】このような基板1の配線導体や電極パッ
ド、さらには後述する外部端子電極9は、従来周知の方
法で形成される。例えば、基板がセラミックやガラスセ
ラミックである場合、多層回路基板の形成と同様、各導
体膜を基板材料の焼成時に、同時焼成して形成したり、
また、焼成した後の基板に導体膜の焼き付けにより形成
される。また、基板材料がガラスエポキシ材料である場
合でも、従来のように銅箔のエッチングなどにより所定
形状に形成される。
【0022】このような基板1の凹部4の開口周囲に
は、基板1の他方主面から一段窪んだ窪み部5が周設さ
れている。この窪み部5の全体の形状、深さは、蓋体7
の形状、厚みに応じて設計され、この窪み部5内に、樹
脂系接着剤8を介して蓋体7を配置しても、基板1の他
方主面から蓋体が突出しないような寸法となっている。
尚、窪み部5の深さは、例えば100μm程度となって
いる。
【0023】また、基板1の凹部4に配置される電子部
品素子3と凹部4の電極パッドとの接続は、バンプを介
して接続されている。また、バンプによる接続以外にボ
ンディングワイヤを用いることもできる。
【0024】例えば凹部4に収容する圧電部品(電子部
品素子)3は、例えば、圧電基板上にインターデジタル
電極を形成した弾性表面波素子が例示できる。この場
合、インターデジタル電極を形成した面に引き出し電極
を形成して、その電極上に金などからなるバンプを形成
しておく。そして、このインターデジタル電極を形成し
た圧電基板の表面側が凹部4の底面と対向するように配
置し、超音波振動を用いてバンプ接続を行なう。
【0025】また、この凹部4の開口を封止する封止用
蓋体7は、平板状の金属層7aと、この金属層7aの両
主面を被覆した樹脂層7b、7cとから構成されてい
る。金属層7aは、例えば鉄、ニッケル、銅、金、銀、
アルミニウム、錫、ステンレス、鉛、及びこれらの合金
等が挙げられる。これらのなかでも、薄型に加工でき、
本体の基板と熱膨張係数が近く、熱ストレスが発生しに
くい材料が好ましい。金属層の厚さは、湿気の浸入を遮
断できる厚みであればよく、2μmから300μmの範
囲が好ましい。具体的には、ステンレス(SUS43
0)で30μm程度である。また、樹脂層7b、7c
は、材質に特に制限は無いが、耐熱性、絶縁性、接着性
に優れたものが、好ましく例えばポリミド(PI)、ポ
リフェニレンサルファイド(PPS)、ポリエチレンテ
レフタレート(PET)、ポリエーテルイミド、ポリス
ルホン、ポリエーテルスルホン、ポリヒドロキシフェニ
レンエーテル(PPO)、ポリエーテルケトン(PEE
K)、ポリケトンスルファイド(PKS)、フッ素樹
脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、フェノール系
樹脂、マレイミド系樹脂、ウレタン系樹脂、ジアリルフ
レタート樹脂などが挙げられる。各樹脂層の厚さは、金
属層7aに対する絶縁性を考慮して、適宜選定すること
ができ、2〜300μmの範囲が好ましい。具体的に
は、ポリミド樹脂が用いられ、その厚みは、12.5μ
mである。このような積層構造の封止用蓋体7は、金属
層7aと樹脂層7b、7cとはキャスト法で直接接合さ
れて形成される。また、金属層7aが数μmの場合、例
えば、樹脂層7bをベースに、その表面に金属層をメッ
キや蒸着などにより形成し、さらに、金属層7a上に樹
脂層7cを被覆するようにしてもよい。
【0026】接着剤8は、例えば、エポキシ系接着剤な
どが例示でき、封止用蓋体7と基板1の凹部4の周囲の
窪み部5の底面とを接続するものである。接着層の厚み
は10μm〜60μmである。具体的には、封止用蓋体
7の内面側に接着剤を印刷し、Bステージ化しておくこ
とが望ましい。接着剤8は、蓋体7の内面側の樹脂層7
c(樹脂をBステージ化しておく)を接着剤としても構わ
ない。この場合、封止用蓋体7の内面側の周囲に位置す
る樹脂層(窪み部5の底面と接合する部位)は接着部材
として機能し、その他の樹脂層7cは、金属層7aの内
面を絶縁被覆機能を有している。これにより、接着層8
を省略(封止用蓋体7の樹脂層7cを省略)することが
でき、封止用蓋体7自身の厚みを薄くすることができ、
電子部品装置の低背化に寄与できる。
【0027】このような接着剤8の封止条件は、所定圧
力を加えながら、温度150℃で2hrの圧着する。こ
れにより、Bステージ状態の接着剤8が溶融し、基板1
と封止用蓋体との強固な接合が得られる。
【0028】尚、樹脂系接着剤8の材料としては、特に
制限はなくエポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリミ
ド系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリエステル系樹脂など
が挙げられ、このなかでも耐熱性や耐湿性に優れたエポ
キシ系樹脂が好ましい。
【0029】また、基板1の他方主面において、凹部4
開口(窪み部5)の周囲には、外部端子電極9が形成さ
れている。この外部端子電極9は、基板1の他方主面に
導電性ペーストの印刷、焼き付けにより形成する。ま
た、上述の配線導体の形成時、同時に外部端子電極を形
成しても構わない。尚、各外部端子電極は、図示してい
ないが、ビアホール導体や内部導体を介して、表面に搭
載された各種電子部品素子2、凹部4内に収容された電
子部品素子3と電気的に接続されている。そして、この
外部端子電極9は、マザーボード10上に電子部品装置
を搭載する際に、マザーボード10上の配線パターン1
1と半田13接合され外部回路との接続される。
【0030】本発明の電子部品装置によれば、封止用蓋
体7が、平板状金属層7aの両主面に樹脂層7b、7c
を被覆した部材を用いる。そして、蓋体7と基板1とが
樹脂系接着剤8で接着・封止されている。このため、樹
脂系接着剤8が蓋体側では樹脂層7cと接合することが
でき、樹脂と樹脂との接合となり、なじみ性がよく、蓋
体7と樹脂系接着剤8との界面での剥離が発生しにくく
なる。そして、例えば、マザーボード10に半田リフロ
ー処理を行なったとしても、安定した接合が維持でき
る。
【0031】また、封止用蓋体7が、凹部4の周囲に形
成された窪み部5内に接合されても、基板1の表面によ
り突出することがないため、このためマザーボード10
上にこの電子部品装置を安定して表面実装することがで
きる。尚、封止用蓋体7の露出面は、樹脂層7bで被覆
され絶縁性を有しているため、外部端子電極9の厚み
が、封止用蓋体7よりも厚い場合には、窪み部5を省略
してもよい。この場合であっても、電子部品装置を安定
してマザーボード10に搭載することができる。
【0032】また、封止用蓋体7の露出面(外面)側が
樹脂層7bとなるため、マザーボード10上に搭載し、
半田13接合してもマザーボード10の配線パターン1
1と封止用蓋体7とがショートすることが一切ない。従
って、マザーボード10上の配線パターン12の引き回
しの自由度が向上する。
【0033】また、凹部4の開口周囲(蓋体の周囲)に
外部端子電極9を配置し、マザーボード10の配線パタ
ーン11と半田13接合しても、封止用蓋体7に半田ブ
リッジが形成されることがなく、また、半田フラックス
を除去する洗浄性も向上することになる。
【0034】半田リフローなどの熱ストレスを加えた場
合でも、金属層7aと樹脂層7b、7cは、それぞれが
剥離することがない高い密着力を得ることができる。
【0035】また、凹部4内に収容される電子部品素子
3が、ボンディングワイヤによって接続されても、封止
用蓋体7の内面が樹脂層7cで被覆されているため、ボ
ンディングワイヤと蓋体とのショートを防止することが
できる。
【0036】また、前記の金属層7aの両面に被覆した
樹脂層のうち、内面側に被覆された樹脂層7cをそのま
ま接着剤として使用しても良い。この場合は、接着剤8
の塗布工程が不要となるため、生産性が向上する。
【0037】また、封止用蓋体7の全体の厚みは、高々
100μm前後またはそれ以下にすることができるた
め、封止した後、さらに、マザーボード10の実装時に
凹部4内の内圧の変化が発生しても、その内圧の変化に
封止用蓋体7自身が弾性変形し、内圧に追随されること
になり、電子部品素子3の特性に変動をきたすことがな
い。
【0038】上述の封止用蓋体7は、ステンレスの金属
層7aとポリミド樹脂からなる樹脂層7b、7cを夫々
12.5μmの厚みで被覆している。そして金属層7a
と樹脂層7b、7cとはキャスト法で直接接合されて形
成される。
【0039】その他に、金属層7aを圧延銅箔で、樹脂
層7b、7cをポリミド樹脂で構成することもできる。
このときの金属層7aの厚みは18μmで、樹脂層7
b、7cの厚みは12.5μmとしてもよい(封止用蓋
体7全体の厚み53μm)。そして、樹脂系接着剤8と
して10μmの熱可塑性ポリミドを用いても構わない。
【0040】さらに、封止用蓋体7の金属層7aが電解
銅箔で、樹脂層7b、7cはポリミド樹脂で構成してい
る。このときの金属層7aの厚みは8μmで、樹脂層7
b、7cの厚みは12.5μmであった。金属層7aは
ポリミドフィイルムにメッキで形成した。厚さ33μm
の複合材であってもかまわない。
【0041】さらに、封止用蓋部材7の金属層7aがS
US430で樹脂層7bはポリミド樹脂、7cは変性ポ
リミト系接着剤をコートして構成している。このときの
金属層の厚みは30μmで、樹脂層7b、7cの厚みは
12.5μmであって構わない。この時、樹脂層7cは
変性ポリミド系接着剤を基板面に接着し封止されてい
る。このときの封止条件は、所定圧力で、温度180℃
で5分の圧着であった。
【0042】以上の条件にて作成したサンプル各22個
を温度サイクル試験(−40〜100℃各30分500
サイクル)高温高温試験(85℃/85%RH500時
間)にてフィルタ特性に異常ないことが確認した。ま
た、封止用蓋体7の金属面が露出していないため、信頼
性試験後、金属表面の腐食等の品位を落とすことがない
ことが確認された。
【0043】
【発明の効果】本発明の電子部品装置によれば、封止用
蓋体と電子部品装置の基板との接着性が高くなり、気密
性が高く信頼性が向上し、電子部品装置をマザーボード
に実装した後で、封止用蓋体と電子部品装置の外部端子
の間での半田ブリッジの形成や、封止用蓋と電子部品装
置の外部端子電極やマザーボードの配線パターン間での
半田ボールによるショート不良が発生することがなく、
また、半田リフロー後の洗浄性を向上し、半田ボールや
フラックス等が残留しない信頼性の高い電子部品装置を
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による電子部品装置の断面図である。
【図2】本発明による電子部品装置の底面側の平面図で
ある。
【図3】従来の電子部品装置の実装断面図である。
【符号の説明】
1・・基板 2、3・・電子部品素子 4・・凹部 5・・窪み部 7・・封止用蓋体 7a・・平板状金属層 7b、7c・・樹脂層 8・・樹脂系接着剤 9・・外部端子電極

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一面が開口した断面凹部を有する基板に、
    電子部品素子を前記凹部に収納するとともに該凹部の開
    口を封止用蓋体で封止した電子部品装置において、前記
    封止用蓋体が平板状金属層と、該金属層の両主面を被覆
    した樹脂層からなり、前記封止用蓋体の一方の樹脂層が
    樹脂系接着剤を介して前記基板に接合して、前記凹部開
    口を閉塞することを特徴とする電子部品装置。
  2. 【請求項2】 前記凹部開口の周囲には、少なくとも前
    記封止用蓋体の厚み以上の窪みが周設されているととも
    に、前記窪み部の周囲の基板表面に外部端子電極が配置
    されていることを特徴とする請求項1の電子部品装置。
  3. 【請求項3】 前記電子部品素子は圧電素子であること
    を特徴とする請求項1の電子部品装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006157674A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Kyocera Kinseki Corp 温度補償型水晶発振器
JP2008252065A (ja) * 2007-03-02 2008-10-16 Murata Mfg Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JP2010124165A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装水晶発振器
JP2013211752A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Kyocera Crystal Device Corp 温度制御型デバイス
JP2018033062A (ja) * 2016-08-26 2018-03-01 京セラ株式会社 圧電デバイス

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006157674A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Kyocera Kinseki Corp 温度補償型水晶発振器
JP2008252065A (ja) * 2007-03-02 2008-10-16 Murata Mfg Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JP2010124165A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装水晶発振器
JP2013211752A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Kyocera Crystal Device Corp 温度制御型デバイス
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