JP3214239B2 - セラミック電子部品のメッキ方法 - Google Patents
セラミック電子部品のメッキ方法Info
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- JP3214239B2 JP3214239B2 JP15885894A JP15885894A JP3214239B2 JP 3214239 B2 JP3214239 B2 JP 3214239B2 JP 15885894 A JP15885894 A JP 15885894A JP 15885894 A JP15885894 A JP 15885894A JP 3214239 B2 JP3214239 B2 JP 3214239B2
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- plating
- ceramic electronic
- organic acid
- electronic component
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば積層コンデンサ
等のセラミック電子部品の電極上にメッキ膜を形成する
ための方法に関し、特に、メッキ浴中にて電気メッキに
よりメッキ膜を形成する方法の改良に関する。
等のセラミック電子部品の電極上にメッキ膜を形成する
ための方法に関し、特に、メッキ浴中にて電気メッキに
よりメッキ膜を形成する方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のセラミック電子部品の一例とし
て、積層コンデンサを図１に示す。積層コンデンサ１
は、誘電体セラミックスよりなる焼結体２内に、複数の
内部電極３，３をセラミック層を介して積層した構造を
有する。焼結体２の両端面２ａ，２ｂには、所定の内部
電極３に電気的に接続されるように、一対の外部電極
４，５が形成されている。外部電極４，５は、例えばＡ
ｇもしくはＡｇ−Ｐｄの厚膜により形成されている。
て、積層コンデンサを図１に示す。積層コンデンサ１
は、誘電体セラミックスよりなる焼結体２内に、複数の
内部電極３，３をセラミック層を介して積層した構造を
有する。焼結体２の両端面２ａ，２ｂには、所定の内部
電極３に電気的に接続されるように、一対の外部電極
４，５が形成されている。外部電極４，５は、例えばＡ
ｇもしくはＡｇ−Ｐｄの厚膜により形成されている。
【０００３】また、積層コンデンサ１では、プリント基
板等への半田付けに際しての外部電極４，５の半田喰わ
れ現象を防止するために、図１に示されているように、
例えばＮｉよりなる第１のメッキ層６，７が形成されて
いる。さらに、Ｎｉよりなる第１のメッキ膜６，７の半
田付け性を補うために、その上に、半田付け性に優れた
例えばＳｎもしくはＳｎ−Ｐｂよりなる第２のメッキ膜
８，９が電気メッキにより形成されている。
板等への半田付けに際しての外部電極４，５の半田喰わ
れ現象を防止するために、図１に示されているように、
例えばＮｉよりなる第１のメッキ層６，７が形成されて
いる。さらに、Ｎｉよりなる第１のメッキ膜６，７の半
田付け性を補うために、その上に、半田付け性に優れた
例えばＳｎもしくはＳｎ−Ｐｂよりなる第２のメッキ膜
８，９が電気メッキにより形成されている。
【０００４】ところで、上記ＳｎもしくはＳｎ−Ｐｂよ
りなるメッキ膜を形成する場合、メッキ浴としては、錯
化剤として例えばカルボン酸系の有機酸を含む中性のメ
ッキ浴が用いられている。このメッキ浴中に含まれてい
る有機酸は、Ｓｎ２価イオンを錯化させ、Ｓｎ４価イオ
ンへの酸化反応を抑制するために、並びに陽極をスムー
ズに溶解させるために加えられている。
りなるメッキ膜を形成する場合、メッキ浴としては、錯
化剤として例えばカルボン酸系の有機酸を含む中性のメ
ッキ浴が用いられている。このメッキ浴中に含まれてい
る有機酸は、Ｓｎ２価イオンを錯化させ、Ｓｎ４価イオ
ンへの酸化反応を抑制するために、並びに陽極をスムー
ズに溶解させるために加えられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】錯化剤としての有機酸
は上記のような作用をもたらすものであるが、過剰の有
機酸を添加した場合には、Ｓｎ２価イオンとの錯体形成
に関与していないフリーの有機酸イオンが過剰に存在す
ることになる。その結果、フリーの有機酸イオンが、外
部電極中のガラスフリットを溶解し、積層コンデンサ等
のセラミック電子部品の耐熱性や耐機械衝撃性等を低下
させるという問題があった。
は上記のような作用をもたらすものであるが、過剰の有
機酸を添加した場合には、Ｓｎ２価イオンとの錯体形成
に関与していないフリーの有機酸イオンが過剰に存在す
ることになる。その結果、フリーの有機酸イオンが、外
部電極中のガラスフリットを溶解し、積層コンデンサ等
のセラミック電子部品の耐熱性や耐機械衝撃性等を低下
させるという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、セラミック電子部品の電
極上に、セラミック電子部品の特性を低下させることな
く、メッキ膜を安定に形成することを可能とするセラミ
ック電子部品のメッキ方法を提供することにある。
極上に、セラミック電子部品の特性を低下させることな
く、メッキ膜を安定に形成することを可能とするセラミ
ック電子部品のメッキ方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミック電
子部品のガラスフリット含有電極上にメッキ浴中にて電
気メッキによりメッキ膜を形成する方法において、メッ
キ浴中の錯化剤としての有機酸と、メッキされる金属イ
オンとの割合をモル比で０．６〜２．４の範囲としてメ
ッキを行うことを特徴とするセラミック電子部品のメッ
キ方法である。
子部品のガラスフリット含有電極上にメッキ浴中にて電
気メッキによりメッキ膜を形成する方法において、メッ
キ浴中の錯化剤としての有機酸と、メッキされる金属イ
オンとの割合をモル比で０．６〜２．４の範囲としてメ
ッキを行うことを特徴とするセラミック電子部品のメッ
キ方法である。
【０００８】本発明は、セラミック電子部品のメッキ方
法に関し、例えば積層コンデンサ、セラミック多層基板
等のセラミック積層電子部品の外部電極上にメッキ膜を
形成する場合、あるいはセラミック積層電子部品以外の
セラミック電子部品の任意の電極上にメッキ膜を形成す
る用途に用いることができる。
法に関し、例えば積層コンデンサ、セラミック多層基板
等のセラミック積層電子部品の外部電極上にメッキ膜を
形成する場合、あるいはセラミック積層電子部品以外の
セラミック電子部品の任意の電極上にメッキ膜を形成す
る用途に用いることができる。
【０００９】また、本発明のメッキ方法は、種々の金属
からなるメッキ膜を電極上に形成するのに用い得るが、
例えばＳｎ２価イオンを含むメッキ浴を用い、Ｓｎ膜
や、Ｓｎ−Ｐｂ膜を形成する場合に好適に用いることが
できる。
からなるメッキ膜を電極上に形成するのに用い得るが、
例えばＳｎ２価イオンを含むメッキ浴を用い、Ｓｎ膜
や、Ｓｎ−Ｐｂ膜を形成する場合に好適に用いることが
できる。
【００１０】なお、本発明で用いられる錯化剤としての
有機酸としては、例えばシュウ酸、クエン酸等を挙げる
ことができる。
有機酸としては、例えばシュウ酸、クエン酸等を挙げる
ことができる。
【００１１】
【作用】本発明では、メッキ浴中の錯化剤としての有機
酸と、メッキされる金属イオンの割合を、モル比で０．
６〜２．４の範囲とすることにより、フリーの有機酸イ
オンの量を抑制することが可能とされている。従って、
外部電極中に含まれているガラスフリット等が有機酸イ
オンにより溶解され難いので、特性の安定なセラミック
電子部品を得ることができる。
酸と、メッキされる金属イオンの割合を、モル比で０．
６〜２．４の範囲とすることにより、フリーの有機酸イ
オンの量を抑制することが可能とされている。従って、
外部電極中に含まれているガラスフリット等が有機酸イ
オンにより溶解され難いので、特性の安定なセラミック
電子部品を得ることができる。
【００１２】上記有機酸と金属イオンとの割合をモル比
で０．６〜２．４の範囲とすれば上記のように特性の安
定なセラミック電子部品の得られることは、本願発明者
により実験的に確かめられたものである。なお、有機酸
と金属イオンとの割合が０．６未満の場合には、有機酸
の量が少なくなりすぎ、金属イオンの酸化が進み易くな
り、好ましくない。他方、２．４を越えると、フリーの
有機酸が過剰に存在し、前述した問題点が生じる。
で０．６〜２．４の範囲とすれば上記のように特性の安
定なセラミック電子部品の得られることは、本願発明者
により実験的に確かめられたものである。なお、有機酸
と金属イオンとの割合が０．６未満の場合には、有機酸
の量が少なくなりすぎ、金属イオンの酸化が進み易くな
り、好ましくない。他方、２．４を越えると、フリーの
有機酸が過剰に存在し、前述した問題点が生じる。
【００１３】
【実施例の説明】以下、実施例を説明することにより、
本発明を明らかにする。以下の実施例は、チップ型積層
コンデンサの外部電極上に、Ｓｎメッキ膜を形成する方
法に適用したものである。
本発明を明らかにする。以下の実施例は、チップ型積層
コンデンサの外部電極上に、Ｓｎメッキ膜を形成する方
法に適用したものである。
【００１４】有機酸としてカルボン酸系のものを用いて
表１に示すＡ浴〜Ｇ浴の７種類のメッキ浴を用意し、図
１に示した積層コンデンサ１の外部電極４，５上にＳｎ
メッキ膜を電気メッキにより形成した。
表１に示すＡ浴〜Ｇ浴の７種類のメッキ浴を用意し、図
１に示した積層コンデンサ１の外部電極４，５上にＳｎ
メッキ膜を電気メッキにより形成した。
【００１５】
【表１】
【００１６】上記Ａ〜Ｇのメッキ浴を用いてメッキされ
た積層コンデンサにつき、下記の要領ではんだ熱衝撃試
験を実施した。 はんだ熱衝撃試験…温度Ｔ＝２００，２５０，３００，
３５０，４００℃の溶融はんだに、３秒浸漬した。
た積層コンデンサにつき、下記の要領ではんだ熱衝撃試
験を実施した。 はんだ熱衝撃試験…温度Ｔ＝２００，２５０，３００，
３５０，４００℃の溶融はんだに、３秒浸漬した。
【００１７】上記はんだ熱衝撃試験の結果を図２に示
す。図２から明らかなように、有機酸と、Ｓｎ２価イオ
ンのモル比が、０．６〜２．４の場合、すなわちＢ浴〜
Ｅ浴では、従来のメッキ浴であるＡ浴を用いた場合に比
べ、製品の耐熱衝撃性が高められていることがわかる。
す。図２から明らかなように、有機酸と、Ｓｎ２価イオ
ンのモル比が、０．６〜２．４の場合、すなわちＢ浴〜
Ｅ浴では、従来のメッキ浴であるＡ浴を用いた場合に比
べ、製品の耐熱衝撃性が高められていることがわかる。
【００１８】次に、上記Ａ浴〜Ｇ浴を用いてメッキ膜を
形成した各積層コンデンサの外部電極上にＣｕよりなる
リード線を外部電極に直交する方向にはんだ付けにより
接合し、該リード線を外部電極と直交する方向外側に引
っ張り、引っ張り試験を行った。結果を図３に示す。
形成した各積層コンデンサの外部電極上にＣｕよりなる
リード線を外部電極に直交する方向にはんだ付けにより
接合し、該リード線を外部電極と直交する方向外側に引
っ張り、引っ張り試験を行った。結果を図３に示す。
【００１９】図３から明らかなように、上記耐熱衝撃性
の結果と同様に、有機酸のＳｎ２価イオンに対する割合
が小さいほど、上記引っ張り強度が高められることがわ
かる。
の結果と同様に、有機酸のＳｎ２価イオンに対する割合
が小さいほど、上記引っ張り強度が高められることがわ
かる。
【００２０】上記はんだ熱衝撃試験及びリード線引っ張
り試験の結果から、メッキ浴中の有機酸とＳｎ２価イオ
ンのモル比が小さくなると、Ｓｎ２価イオンと錯体を形
成していないフリーの有機酸イオンが減少し、それによ
って上記のような結果が生じているものと考えられる。
すなわち、フリーの有機酸イオンにより、外部電極中の
ガラスフリットが飛び出す現象が抑制され、セラミック
焼結体内へのメッキ液の侵入が抑制され、それによって
耐熱衝撃性及び耐機械衝撃性の低下が抑制されているも
のと考えられる。
り試験の結果から、メッキ浴中の有機酸とＳｎ２価イオ
ンのモル比が小さくなると、Ｓｎ２価イオンと錯体を形
成していないフリーの有機酸イオンが減少し、それによ
って上記のような結果が生じているものと考えられる。
すなわち、フリーの有機酸イオンにより、外部電極中の
ガラスフリットが飛び出す現象が抑制され、セラミック
焼結体内へのメッキ液の侵入が抑制され、それによって
耐熱衝撃性及び耐機械衝撃性の低下が抑制されているも
のと考えられる。
【００２１】なお、Ｇ浴を用いた場合の結果から明らか
なように、有機酸の濃度を低下させた場合には、Ｓｎ２
価イオンの濃度を高めてメッキ浴を調製したとしても、
Ｂ浴〜Ｅ浴と同様の結果が得られることが確認されてい
る。
なように、有機酸の濃度を低下させた場合には、Ｓｎ２
価イオンの濃度を高めてメッキ浴を調製したとしても、
Ｂ浴〜Ｅ浴と同様の結果が得られることが確認されてい
る。
【００２２】本実施例では、有機酸としてカルボン酸系
を用い、金属イオンとしてＳｎ２価イオンを用いた場合
を例に取り説明したが、本発明のメッキ方法は、例えば
アミン系等の他の有機酸を用いたメッキ浴を用い、Ｓｎ
以外の他の金属をメッキする方法にも適用することがで
きる。
を用い、金属イオンとしてＳｎ２価イオンを用いた場合
を例に取り説明したが、本発明のメッキ方法は、例えば
アミン系等の他の有機酸を用いたメッキ浴を用い、Ｓｎ
以外の他の金属をメッキする方法にも適用することがで
きる。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、メッキ浴中の錯化剤と
しての有機酸とメッキされる金属イオンとの割合が、上
記特定の範囲内とされているため、メッキ液のセラミッ
ク電子部品内への侵入が抑制され、セラミック電子部品
の耐熱性及び耐機械的衝撃性が高められる。よって、信
頼性に優れたセラミック電子部品を安定に供給すること
が可能となる。
しての有機酸とメッキされる金属イオンとの割合が、上
記特定の範囲内とされているため、メッキ液のセラミッ
ク電子部品内への侵入が抑制され、セラミック電子部品
の耐熱性及び耐機械的衝撃性が高められる。よって、信
頼性に優れたセラミック電子部品を安定に供給すること
が可能となる。
【図１】セラミック電子部品の一例としての積層コンデ
ンサを示す断面図。
ンサを示す断面図。
【図２】熱衝撃試験結果を示す。
【図３】外部電極引っ張り試験結果を示す図。
１…積層コンデンサ（セラミック電子部品） ２…焼結体 ３…内部電極 ４，５…外部電極 ６，７，８，９…メッキ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−301589（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−301588（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−254194（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−194194（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25D 3/30 C25D 5/54 C25D 7/00 H01G 4/12
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミック電子部品のガラスフリット含
有電極上にメッキ浴中にて電気メッキによりメッキ膜を
形成する方法において、 メッキ液浴中の錯化剤としての有機酸と、メッキされる
金属イオンとの割合をモル比で０．６〜２．４の範囲と
してメッキを行うことを特徴とする、セラミック電子部
品のメッキ方法。 - 【請求項２】 前記メッキされる金属イオンがＳｎイオ
ンである、請求項１に記載のセラミック電子部品のメッ
キ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15885894A JP3214239B2 (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | セラミック電子部品のメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15885894A JP3214239B2 (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | セラミック電子部品のメッキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0820886A JPH0820886A (ja) | 1996-01-23 |
| JP3214239B2 true JP3214239B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=15680945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15885894A Expired - Lifetime JP3214239B2 (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | セラミック電子部品のメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3214239B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5585280B2 (ja) * | 2010-08-05 | 2014-09-10 | Ｔｄｋ株式会社 | 電気スズめっき液及びセラミック電子部品の製造方法 |
-
1994
- 1994-07-11 JP JP15885894A patent/JP3214239B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0820886A (ja) | 1996-01-23 |
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Legal Events
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