JPH0935995A - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
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- JPH0935995A JPH0935995A JP21004195A JP21004195A JPH0935995A JP H0935995 A JPH0935995 A JP H0935995A JP 21004195 A JP21004195 A JP 21004195A JP 21004195 A JP21004195 A JP 21004195A JP H0935995 A JPH0935995 A JP H0935995A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドライめっき後の保管や外部電極の作製が容
易で、外部電極の電極強度や半田耐食性に優れた電子部
品を得る。 【解決手段】 電子部品10は、セラミックで形成され
た本体12を含む。本体12内には、コンデンサやイン
ダクタなどを形成する。本体12の外面に形成される外
部電極14は、セラミックとの接合性の良好な材料を用
いてドライめっき法によって形成される第1の金属層1
6を含む。第1の金属層16上に、卑金属−ニッケル系
合金を用いて、ドライめっき法によって第2の金属層1
8を形成する。第2の金属層18表面には、空気中の酸
素によって酸化層20が形成される。酸化層20上に、
湿式めっき法によって、第3の金属層22を形成する。
第3の金属層22は、たとえばニッケル層24と錫層2
6とで構成される。
易で、外部電極の電極強度や半田耐食性に優れた電子部
品を得る。 【解決手段】 電子部品10は、セラミックで形成され
た本体12を含む。本体12内には、コンデンサやイン
ダクタなどを形成する。本体12の外面に形成される外
部電極14は、セラミックとの接合性の良好な材料を用
いてドライめっき法によって形成される第1の金属層1
6を含む。第1の金属層16上に、卑金属−ニッケル系
合金を用いて、ドライめっき法によって第2の金属層1
8を形成する。第2の金属層18表面には、空気中の酸
素によって酸化層20が形成される。酸化層20上に、
湿式めっき法によって、第3の金属層22を形成する。
第3の金属層22は、たとえばニッケル層24と錫層2
6とで構成される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は電子部品に関し、
特にたとえば、セラミックで形成された本体の外面に外
部電極を形成した電子部品に関する。
特にたとえば、セラミックで形成された本体の外面に外
部電極を形成した電子部品に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は従来の電子部品の一例を示す斜視
図である。電子部品1は、セラミックで形成された本体
2を含む。本体2は、たとえばセラミックグリーンシー
トを積層し、焼成することによって形成される。本体2
内には内部電極などが形成され、それによってコンデン
サやインダクタが形成される。また、これらのコンデン
サやインダクタなどが組み合わされることによって、共
振器やフィルタなどが形成される。
図である。電子部品1は、セラミックで形成された本体
2を含む。本体2は、たとえばセラミックグリーンシー
トを積層し、焼成することによって形成される。本体2
内には内部電極などが形成され、それによってコンデン
サやインダクタが形成される。また、これらのコンデン
サやインダクタなどが組み合わされることによって、共
振器やフィルタなどが形成される。
【0003】本体2の外面には、複数の外部電極3が形
成される。これらの外部電極3が本体2内に形成された
コンデンサ,インダクタ,共振器,フィルタなどに接続
される。外部電極3は、図4に示すように、非磁性ニッ
ケル合金などのようなセラミックとの接合性の良好な材
料で形成された第1の金属層4を含む。非磁性ニッケル
合金としては、たとえばニクロムなどが用いられる。セ
ラミックに直接かつ選択的に電解めっきなどの湿式めっ
きを施すことは難しいので、第1の金属層4は、スパッ
タリングなどのドライめっき法によって形成される。さ
らに、第1の金属層4上には、金,銀,パラジウムなど
の半田付け性の良好な材料によって、第2の金属層5が
形成される。この第2の金属層5も、ドライめっき法に
よって形成される。
成される。これらの外部電極3が本体2内に形成された
コンデンサ,インダクタ,共振器,フィルタなどに接続
される。外部電極3は、図4に示すように、非磁性ニッ
ケル合金などのようなセラミックとの接合性の良好な材
料で形成された第1の金属層4を含む。非磁性ニッケル
合金としては、たとえばニクロムなどが用いられる。セ
ラミックに直接かつ選択的に電解めっきなどの湿式めっ
きを施すことは難しいので、第1の金属層4は、スパッ
タリングなどのドライめっき法によって形成される。さ
らに、第1の金属層4上には、金,銀,パラジウムなど
の半田付け性の良好な材料によって、第2の金属層5が
形成される。この第2の金属層5も、ドライめっき法に
よって形成される。
【0004】また、図5に示すように、第1の金属層4
上に、ニッケルや銅などの金属によって別の第2の金属
層6を形成してもよい。第2の金属層6としては、たと
えばニッケルの層7の上に錫や錫−鉛合金の層8を形成
するなどのように、多層に形成される。この第2の金属
層6は、電解めっきなどの湿式めっき法によって形成さ
れる。この電子部品1では、本体2に第1の金属層4を
形成することにより、電解めっきなどの方法を用いて、
第2の金属層を形成することができる。また、第1の金
属層4と第2の金属層6との結合力を高めるために、こ
れらの金属層の間に金や銀などの層を形成してもよい。
上に、ニッケルや銅などの金属によって別の第2の金属
層6を形成してもよい。第2の金属層6としては、たと
えばニッケルの層7の上に錫や錫−鉛合金の層8を形成
するなどのように、多層に形成される。この第2の金属
層6は、電解めっきなどの湿式めっき法によって形成さ
れる。この電子部品1では、本体2に第1の金属層4を
形成することにより、電解めっきなどの方法を用いて、
第2の金属層を形成することができる。また、第1の金
属層4と第2の金属層6との結合力を高めるために、こ
れらの金属層の間に金や銀などの層を形成してもよい。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】図4に示す電子部品で
は、第2の金属層として金,銀,パラジウムなどを使用
しているため、製造コストが高くなる。また、ドライめ
っき法で電極層を形成すると、半田濡れ性を確保する目
的でその厚みを大きくすることが難しいが、特に銀を用
いた場合、マイグレーションの発生の可能性がある。そ
のため、電極強度,半田耐食性,耐圧性に問題がある。
は、第2の金属層として金,銀,パラジウムなどを使用
しているため、製造コストが高くなる。また、ドライめ
っき法で電極層を形成すると、半田濡れ性を確保する目
的でその厚みを大きくすることが難しいが、特に銀を用
いた場合、マイグレーションの発生の可能性がある。そ
のため、電極強度,半田耐食性,耐圧性に問題がある。
【0006】また、図5に示す電子部品では、第1の金
属層をドライめっきした後、第2の金属層を湿式めっき
している。しかしながら、第1の金属層を形成してから
湿式めっきの工程に移るまでの間に、空気中の酸素によ
って第1の金属層の表面が酸化しやすい。第1の金属層
に用いられるニクロムなどが酸化すると、第1のドライ
めっき層と第2の湿式めっき層の密着強度が低下し、よ
って電極強度が低下する。そのため、ドライめっき後の
第1の金属層の酸化を抑える必要があり、その保管管理
が難しい。さらに、第1の金属層が酸化した場合、湿式
めっきの工程の前に、酸処理などによって、第1の金属
層の酸化層を除去する必要が生じる。
属層をドライめっきした後、第2の金属層を湿式めっき
している。しかしながら、第1の金属層を形成してから
湿式めっきの工程に移るまでの間に、空気中の酸素によ
って第1の金属層の表面が酸化しやすい。第1の金属層
に用いられるニクロムなどが酸化すると、第1のドライ
めっき層と第2の湿式めっき層の密着強度が低下し、よ
って電極強度が低下する。そのため、ドライめっき後の
第1の金属層の酸化を抑える必要があり、その保管管理
が難しい。さらに、第1の金属層が酸化した場合、湿式
めっきの工程の前に、酸処理などによって、第1の金属
層の酸化層を除去する必要が生じる。
【0007】それゆえに、この発明の主たる目的は、ド
ライめっき後の保管や外部電極の作製が容易で、外部電
極の電極強度,半田耐食性,耐圧性などに優れた電子部
品を提供することである。
ライめっき後の保管や外部電極の作製が容易で、外部電
極の電極強度,半田耐食性,耐圧性などに優れた電子部
品を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明は、セラミック
で形成された本体と、本体の外面にセラミックとの接合
性の良好な金属材料を用いてドライめっき法によって形
成される第1の金属層と、第1の金属層上に卑金属−ニ
ッケル系合金を用いてドライめっき法によって形成され
る第2の金属層と、第2の金属層上に半田濡れ性および
半田耐食性の良好な金属を用いて湿式めっき法によって
形成される第3の金属層とを含む、電子部品である。こ
の電子部品において、第2の金属層の表面に卑金属−ニ
ッケル系合金の酸化層が形成されていてもよい。また、
第2の金属層は、複数の層によって形成されてもよい。
で形成された本体と、本体の外面にセラミックとの接合
性の良好な金属材料を用いてドライめっき法によって形
成される第1の金属層と、第1の金属層上に卑金属−ニ
ッケル系合金を用いてドライめっき法によって形成され
る第2の金属層と、第2の金属層上に半田濡れ性および
半田耐食性の良好な金属を用いて湿式めっき法によって
形成される第3の金属層とを含む、電子部品である。こ
の電子部品において、第2の金属層の表面に卑金属−ニ
ッケル系合金の酸化層が形成されていてもよい。また、
第2の金属層は、複数の層によって形成されてもよい。
【0009】第1の金属層が、ドライめっき法によっ
て、セラミックで形成された本体に強固に接合される。
さらに、第2の金属層で、第1の金属層が被覆される。
第2の金属層に用いられる卑金属−ニッケル系合金は、
その表面に酸化層が形成されても、フラックスなどによ
って簡単に酸化層が還元される性質をもつ。よって、第
2の金属層の酸化層が湿式めっきによって簡単に還元さ
れるため、第3の金属層が第2の金属層上に強固に形成
される。しかも、第3の金属層は、湿式めっき法によっ
て形成されるため、十分な電極厚みを得ることができ
る。また、第2の金属層を複数の層によって形成すれ
ば、半田付け性,半田耐食性および半田濡れ性の良好な
複数の金属材料を用いることにより、所望の特性を有す
る外部電極にすることができる。
て、セラミックで形成された本体に強固に接合される。
さらに、第2の金属層で、第1の金属層が被覆される。
第2の金属層に用いられる卑金属−ニッケル系合金は、
その表面に酸化層が形成されても、フラックスなどによ
って簡単に酸化層が還元される性質をもつ。よって、第
2の金属層の酸化層が湿式めっきによって簡単に還元さ
れるため、第3の金属層が第2の金属層上に強固に形成
される。しかも、第3の金属層は、湿式めっき法によっ
て形成されるため、十分な電極厚みを得ることができ
る。また、第2の金属層を複数の層によって形成すれ
ば、半田付け性,半田耐食性および半田濡れ性の良好な
複数の金属材料を用いることにより、所望の特性を有す
る外部電極にすることができる。
【0010】
【発明の効果】この発明によれば、ドライめっき法によ
って形成される第1の金属層が、セラミックで形成され
た本体と強固に結合する。第1の金属層に続いて、第2
の金属層がドライめっき法によって形成されるため、空
気中において第1の金属層が酸化されにくい。第2の金
属層として用いられる卑金属−ニッケル系合金の酸化物
は、フラックスなどによって簡単に還元される性質をも
つ。そのため、第2の金属層に形成された酸化層が湿式
めっきによって還元されることにより、第3の金属層と
の結合性を大きくすることができ、外部電極の電極強度
を大きくすることができる。
って形成される第1の金属層が、セラミックで形成され
た本体と強固に結合する。第1の金属層に続いて、第2
の金属層がドライめっき法によって形成されるため、空
気中において第1の金属層が酸化されにくい。第2の金
属層として用いられる卑金属−ニッケル系合金の酸化物
は、フラックスなどによって簡単に還元される性質をも
つ。そのため、第2の金属層に形成された酸化層が湿式
めっきによって還元されることにより、第3の金属層と
の結合性を大きくすることができ、外部電極の電極強度
を大きくすることができる。
【0011】また、第2の金属層の酸化が多少残ってい
ても、実装時にはフラックスによって簡単に還元される
ため、第2の金属層に酸化層が形成されても実装上不都
合な点が少なく、酸化層を除去しにくい第1の金属層が
酸化する場合に比べて、ドライめっき後の保管が容易で
ある。さらに、ドライめっきした第1の金属層および第
2の金属層の酸化やその酸化層の除去などに気をつかう
必要がなく、外部電極の作製が容易である。
ても、実装時にはフラックスによって簡単に還元される
ため、第2の金属層に酸化層が形成されても実装上不都
合な点が少なく、酸化層を除去しにくい第1の金属層が
酸化する場合に比べて、ドライめっき後の保管が容易で
ある。さらに、ドライめっきした第1の金属層および第
2の金属層の酸化やその酸化層の除去などに気をつかう
必要がなく、外部電極の作製が容易である。
【0012】この発明の上述の目的,その他の目的,特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【0013】
【発明の実施の形態】図1はこの発明の電子部品の一例
を示す斜視図である。電子部品10は、セラミックで形
成された本体12を含む。本体12内には、たとえば内
部電極によってコンデンサやインダクタが形成され、ま
たはこれらが組み合わされて共振器やフィルタなどが形
成される。本体12の側面には、複数の外部電極14が
形成される。これらの外部電極14が、本体12内に形
成されたコンデンサ,インダクタ,共振器およびフィル
タなどに接続される。そして、この電子部品10がプリ
ント基板などに実装されるときに、外部電極14とプリ
ント基板のパターン電極とが半田付けされる。
を示す斜視図である。電子部品10は、セラミックで形
成された本体12を含む。本体12内には、たとえば内
部電極によってコンデンサやインダクタが形成され、ま
たはこれらが組み合わされて共振器やフィルタなどが形
成される。本体12の側面には、複数の外部電極14が
形成される。これらの外部電極14が、本体12内に形
成されたコンデンサ,インダクタ,共振器およびフィル
タなどに接続される。そして、この電子部品10がプリ
ント基板などに実装されるときに、外部電極14とプリ
ント基板のパターン電極とが半田付けされる。
【0014】外部電極14は、図2に示すように、第1
の金属層16を含む。第1の金属層16は、セラミック
との接合性の良好な金属材料を用いて、たとえばスパッ
タリングなどのドライめっき法によって形成される。第
1の金属層16の材料としては、たとえばニッケル,ニ
クロム,ニッケル−クロム−シリコンなどのニッケル系
合金,クロムおよびチタンなどのようなセラミックとの
接合性の良好な材料が用いられる。第1の金属層16
は、これらの金属を多層に形成してもよく、本体12と
の良好な接合性を得るために、少なくとも1000オン
グストローム以上の厚みにすることが望ましく、200
0オングストローム程度が最も望ましい。
の金属層16を含む。第1の金属層16は、セラミック
との接合性の良好な金属材料を用いて、たとえばスパッ
タリングなどのドライめっき法によって形成される。第
1の金属層16の材料としては、たとえばニッケル,ニ
クロム,ニッケル−クロム−シリコンなどのニッケル系
合金,クロムおよびチタンなどのようなセラミックとの
接合性の良好な材料が用いられる。第1の金属層16
は、これらの金属を多層に形成してもよく、本体12と
の良好な接合性を得るために、少なくとも1000オン
グストローム以上の厚みにすることが望ましく、200
0オングストローム程度が最も望ましい。
【0015】さらに、第1の金属層16上には、第2の
金属層18が形成される。第2の金属層18は、はんだ
濡れ性が良好で、錫が拡散しにくい金属材料を用いて、
スパッタリングなどのドライめっき法によって形成され
る。第2の金属層18の材料としては、たとえばモネ
ル,ニッケル−バナジウム、ニッケル−銅−亜鉛などの
卑金属−ニッケル系合金が用いられる。第2の金属層1
8は、半田耐食性を得るために、少なくとも1000オ
ングストローム以上の厚みにすることが望ましい。さら
に、第2の金属層18の表面には、第2の金属層18が
酸化されて形成される酸化層20が形成される。酸化層
20は、ドライめっきの工程の後、空気中の酸素で酸化
されることによって形成される。この酸化層20は、空
気中において自然に形成されるが、次の製造過程(湿式
めっき)において酸化層20は還元されてもよい。その
場合、最終的に、外部電極14中に酸化層はほとんど残
らない。なお、酸化層20は、第2の金属層18表面に
止まらず、その金属に及んでいてもよい。
金属層18が形成される。第2の金属層18は、はんだ
濡れ性が良好で、錫が拡散しにくい金属材料を用いて、
スパッタリングなどのドライめっき法によって形成され
る。第2の金属層18の材料としては、たとえばモネ
ル,ニッケル−バナジウム、ニッケル−銅−亜鉛などの
卑金属−ニッケル系合金が用いられる。第2の金属層1
8は、半田耐食性を得るために、少なくとも1000オ
ングストローム以上の厚みにすることが望ましい。さら
に、第2の金属層18の表面には、第2の金属層18が
酸化されて形成される酸化層20が形成される。酸化層
20は、ドライめっきの工程の後、空気中の酸素で酸化
されることによって形成される。この酸化層20は、空
気中において自然に形成されるが、次の製造過程(湿式
めっき)において酸化層20は還元されてもよい。その
場合、最終的に、外部電極14中に酸化層はほとんど残
らない。なお、酸化層20は、第2の金属層18表面に
止まらず、その金属に及んでいてもよい。
【0016】酸化層20上には、第3の金属層22が形
成される。第3の金属層22は、たとえば電解めっきな
どの湿式めっき法によって形成される。ここでは、第3
の金属層22は、半田付け性,半田耐食性のあるニッケ
ル層24と、半田濡れ性のある錫層26とで形成され
る。ニッケル層24の厚みは、第1の金属層16および
第2の金属層18の厚みの合計の3倍未満であることが
好ましい。具体的には、従来の外部電極では、ニッケル
層の厚みが1μm以上あったが、この電子部品10の外
部電極14においては、ニッケル層の厚みを0.6μm
以下にすることが望ましい。これは、ニッケル層24が
厚すぎると、その内部応力によって第2の金属層18と
の密着性が悪くなり、電極強度が弱くなるためである。
さらに、ニッケル層24上には、錫層26が形成され
る。
成される。第3の金属層22は、たとえば電解めっきな
どの湿式めっき法によって形成される。ここでは、第3
の金属層22は、半田付け性,半田耐食性のあるニッケ
ル層24と、半田濡れ性のある錫層26とで形成され
る。ニッケル層24の厚みは、第1の金属層16および
第2の金属層18の厚みの合計の3倍未満であることが
好ましい。具体的には、従来の外部電極では、ニッケル
層の厚みが1μm以上あったが、この電子部品10の外
部電極14においては、ニッケル層の厚みを0.6μm
以下にすることが望ましい。これは、ニッケル層24が
厚すぎると、その内部応力によって第2の金属層18と
の密着性が悪くなり、電極強度が弱くなるためである。
さらに、ニッケル層24上には、錫層26が形成され
る。
【0017】なお、第3の金属層22としては、錫層だ
けであってもよく、ニッケル層,錫層の上に鉛層を形成
してもよい。さらに、ニッケル層を形成せず、第2の金
属層22を錫層と鉛層とで形成してもよい。また、この
ような金属層の組み合わせにおいて、ニッケル層の代わ
りに、銅層またはニッケル−銅合金の層を形成してもよ
い。
けであってもよく、ニッケル層,錫層の上に鉛層を形成
してもよい。さらに、ニッケル層を形成せず、第2の金
属層22を錫層と鉛層とで形成してもよい。また、この
ような金属層の組み合わせにおいて、ニッケル層の代わ
りに、銅層またはニッケル−銅合金の層を形成してもよ
い。
【0018】この電子部品10では、第1の金属層16
が、セラミックで形成された本体12に強固に接合され
る。この第1の金属層16は半田濡れ性が悪く、半田付
けしにくいものであるが、第2の金属層18によって、
半田濡れ性および半田耐食性が与えられる。さらに、第
3の金属層22によって外部電極14の厚みが得られる
とともに、半田付け性,半田耐食性および半田濡れ性が
よりいっそう得られる。
が、セラミックで形成された本体12に強固に接合され
る。この第1の金属層16は半田濡れ性が悪く、半田付
けしにくいものであるが、第2の金属層18によって、
半田濡れ性および半田耐食性が与えられる。さらに、第
3の金属層22によって外部電極14の厚みが得られる
とともに、半田付け性,半田耐食性および半田濡れ性が
よりいっそう得られる。
【0019】第3の金属層22が湿式めっきにより形成
されるとき、酸化層20は、湿式めっき中にて還元され
る。したがって、酸化層による電極強度の低下はなく、
強固な外部電極14を得ることができる。
されるとき、酸化層20は、湿式めっき中にて還元され
る。したがって、酸化層による電極強度の低下はなく、
強固な外部電極14を得ることができる。
【0020】この電子部品10では、第2の金属層18
によって、セラミックとの接合性の良好な第1の金属層
16への酸化が抑えられる。第1の金属層として用いら
れるニクロムなどの金属材料の酸化物は除去することが
難しいが、この電子部品では、湿式めっきを行うとき
に、第1の金属層16の酸化物の除去を行う必要がな
い。また、第2の金属層18の表面が酸化した酸化層2
0は、フラックスなどによって簡単に還元される性質を
もつため、湿式めっき中に還元されてしまうので、酸化
層20をわざわざ除去する必要がない。したがって、本
体12に外部電極14を作製することが容易である。ま
た、第1の金属層16および第2の金属層18をドライ
めっきした後、金属層表面の酸化防止に気をつかう必要
がなく、保管が容易である。
によって、セラミックとの接合性の良好な第1の金属層
16への酸化が抑えられる。第1の金属層として用いら
れるニクロムなどの金属材料の酸化物は除去することが
難しいが、この電子部品では、湿式めっきを行うとき
に、第1の金属層16の酸化物の除去を行う必要がな
い。また、第2の金属層18の表面が酸化した酸化層2
0は、フラックスなどによって簡単に還元される性質を
もつため、湿式めっき中に還元されてしまうので、酸化
層20をわざわざ除去する必要がない。したがって、本
体12に外部電極14を作製することが容易である。ま
た、第1の金属層16および第2の金属層18をドライ
めっきした後、金属層表面の酸化防止に気をつかう必要
がなく、保管が容易である。
【0021】したがって、接合力を大きくするために金
や銀の層を形成する必要がなく、強固な電極強度を得る
ことができる。また、湿式めっきによって第3の金属層
22を形成する前に、ドライめっきされた層の半田付け
性をみれば、電極強度の目安となり、管理が容易であ
る。しかも、第2の金属層18や第3の金属層22とし
て、半田耐食性を有する材料が用いられるため、半田付
け時に外部電極14が崩壊しにくい。また、第3の金属
層22として、金や銀以外の半田濡れ性の良好な卑金属
材料が用いられているため、マイグレーションがなく、
しかも安価に製造することができる。
や銀の層を形成する必要がなく、強固な電極強度を得る
ことができる。また、湿式めっきによって第3の金属層
22を形成する前に、ドライめっきされた層の半田付け
性をみれば、電極強度の目安となり、管理が容易であ
る。しかも、第2の金属層18や第3の金属層22とし
て、半田耐食性を有する材料が用いられるため、半田付
け時に外部電極14が崩壊しにくい。また、第3の金属
層22として、金や銀以外の半田濡れ性の良好な卑金属
材料が用いられているため、マイグレーションがなく、
しかも安価に製造することができる。
【0022】なお、第3の電極層22を電解めっきする
ときに、めっき浴に還元剤を入れたり、電解めっきの前
に還元することにより、酸化層20を完全に還元しても
よい。この場合においても、第2の金属層18の酸化物
は簡単に還元できるため、第1の金属層16が酸化した
場合に比べて、外部電極14の作製が容易である。この
ように、電解めっき前に酸化層20を還元すれば、電子
部品10の外部電極14には酸化層20が存在しない。
したがって、外部電極14の電極強度を大きくすること
ができる。
ときに、めっき浴に還元剤を入れたり、電解めっきの前
に還元することにより、酸化層20を完全に還元しても
よい。この場合においても、第2の金属層18の酸化物
は簡単に還元できるため、第1の金属層16が酸化した
場合に比べて、外部電極14の作製が容易である。この
ように、電解めっき前に酸化層20を還元すれば、電子
部品10の外部電極14には酸化層20が存在しない。
したがって、外部電極14の電極強度を大きくすること
ができる。
【0023】また、第3の金属層22の中のニッケル層
24は、従来の電子部品に比べて薄いため、短時間でニ
ッケル層24を作製することができる。さらに、第3の
金属層22の中のニッケル層24は、必ずしも形成する
必要はない。第2の金属層18は十分に半田濡れ性およ
び半田耐食性を有しているため、ニッケル層24が形成
されなくても、良好に半田付けを行うことができる。
24は、従来の電子部品に比べて薄いため、短時間でニ
ッケル層24を作製することができる。さらに、第3の
金属層22の中のニッケル層24は、必ずしも形成する
必要はない。第2の金属層18は十分に半田濡れ性およ
び半田耐食性を有しているため、ニッケル層24が形成
されなくても、良好に半田付けを行うことができる。
【図1】この発明の電子部品の一例を示す斜視図であ
る。
る。
【図2】図1に示す電子部品の外部電極部分を示す図解
図である。
図である。
【図3】従来の電子部品の一例を示す斜視図である。
【図4】従来の電子部品の外部電極部分を示す図解図で
ある。
ある。
【図5】従来の電子部品の外部電極部分の他の例を示す
図解図である。
図解図である。
10 電子部品 12 本体 14 外部電極 16 第1の金属層 18 第2の金属層 20 酸化層 22 第3の金属層
Claims (3)
- 【請求項1】 セラミックで形成された本体、 前記本体の外面に前記セラミックとの接合性の良好な金
属材料を用いてドライめっき法によって形成される第1
の金属層、 前記第1の金属層上に卑金属−ニッケル系合金を用いて
ドライめっき法によって形成される第2の金属層、およ
び前記第2の金属層上に半田濡れ性および半田耐食性の
良好な金属を用いて湿式めっき法によって形成される第
3の金属層を含む、電子部品。 - 【請求項2】 前記第2の金属層の表面に前記卑金属−
ニッケル系合金の酸化層が形成された、請求項1に記載
の電子部品。 - 【請求項3】 前記第3の金属層は複数の層によって形
成される、請求項1または請求項2に記載の電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21004195A JPH0935995A (ja) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21004195A JPH0935995A (ja) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | 電子部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0935995A true JPH0935995A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16582834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21004195A Pending JPH0935995A (ja) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | 電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0935995A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1060420C (zh) * | 1997-04-18 | 2001-01-10 | 清华大学 | 电镀后性能可恢复的片式元件的端电极的制备方法 |
US6400553B2 (en) | 2000-04-25 | 2002-06-04 | Tdk Corporation | Multi-layer ceramic electronic device and method for producing same |
KR100456040B1 (ko) * | 2001-10-01 | 2004-11-08 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층형 전자 부품 |
WO2007007677A1 (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 電子部品、電子部品の実装構造および電子部品の製造方法 |
JP2011014698A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
-
1995
- 1995-07-25 JP JP21004195A patent/JPH0935995A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1060420C (zh) * | 1997-04-18 | 2001-01-10 | 清华大学 | 电镀后性能可恢复的片式元件的端电极的制备方法 |
US6400553B2 (en) | 2000-04-25 | 2002-06-04 | Tdk Corporation | Multi-layer ceramic electronic device and method for producing same |
KR100456040B1 (ko) * | 2001-10-01 | 2004-11-08 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층형 전자 부품 |
WO2007007677A1 (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 電子部品、電子部品の実装構造および電子部品の製造方法 |
US7719852B2 (en) | 2005-07-07 | 2010-05-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component, mounting structure of electronic component |
JP2011014698A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040511 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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A521 | Written amendment |
Effective date: 20040706 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050301 |