JP4238335B2 - チップ型ptcサーミスタおよびその製造方法 - Google Patents

チップ型ptcサーミスタおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4238335B2
JP4238335B2 JP50842099A JP50842099A JP4238335B2 JP 4238335 B2 JP4238335 B2 JP 4238335B2 JP 50842099 A JP50842099 A JP 50842099A JP 50842099 A JP50842099 A JP 50842099A JP 4238335 B2 JP4238335 B2 JP 4238335B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sheet
electrode
conductive polymer
lower surfaces
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP50842099A
Other languages
English (en)
Inventor
潤二 小島
光一 森本
隆志 池田
敏之 岩尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Application granted granted Critical
Publication of JP4238335B2 publication Critical patent/JP4238335B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/006Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistor chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/14Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/1406Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/02Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/02Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
    • H01C7/027Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient consisting of conducting or semi-conducting material dispersed in a non-conductive organic material
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49082Resistor making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49082Resistor making
    • Y10T29/49083Heater type
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49082Resistor making
    • Y10T29/49085Thermally variable
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49082Resistor making
    • Y10T29/49099Coating resistive material on a base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

技術分野
本発明は、正の温度係数(Positive Temperature Coefficient、以下「PTC」と記す)特性を有する導電性ポリマを用いたチップ形PTCサーミスタおよびその製造方法に関するものである。
背景技術
PTCサーミスタは過電流保護素子として使用でき、電気回路に過電流が流れると、PTC特性を有する導電性ポリマが自己発熱し、導電性ポリマが熱膨張して高抵抗に変化し、電流を安全な微小領域まで減衰させるものである。
以下、従来のチップ形PTCサーミスタについて説明する。
従来のチップ形PTCサーミスタとしては、特表平9−503097号公報に示されているように、PTC特性を示す抵抗材料から成り、第1面、第2面を有し、第1面と第2面との間を通る開口を規定するPTC抵抗素子と、前記開口の内部に位置し、PTC素子の第1面と第2面との間を通り、上記PTC素子に固定される横方向の導電部材と、上記PTC素子の第1面に固定され、上記横方向の導電部材へ物理的且つ電気的に接続される第1層状導電部材とを有するチップ形PTCサーミスタが開示されている。第14図(a)は従来のチップ形PTCサーミスタを示す断面図であり、第14図(b)は同上面図である。第14図(a)(b)において、61はPTC特性を有する導電性ポリマよりなる抵抗体であり、62a,62b,62c,62dは金属箔よりなる電極であり、63a,63bはスルーホールによる開口部であり、64a,64bはスルーホールによる開口部63a,63bの内部に形成され、電極62aと62dおよび電極62bと62cを電気的に接続するめっきによる導電部材である。
次に、従来のチップ形PTCサーミスタの製造方法について説明する。第15図(a)〜(d)および第16図(a)〜(c)は従来のチップ形PTCサーミスタの製造方法を示す工程図である。
まずポリエチレンと導電性粒子であるカーボンを配合し、第15図(a)に示すようにシート71を成形する。次に第15図(b)に示すように2枚の金属箔72で前記シート71を挟み、加熱加圧成形により一体化した第15図(c)に示すシート73を形成した。次に前記一体化したシート73に電子線照射を行った後、第15図(d)に示すように規則的なパターンでスルーホール74を形成し、第16図(a)に示すように前記スルーホール74の内部と金属箔72にめっき膜75を形成した。次に第16図(b)に示すように金属箔のエッチングをフォトリソ工程により行い、エッチング溝76を形成した。次に第16図(b)に示すような縦方向の切断ライン77と横方向の切断ライン78に沿って個片状に切断し、第16図(c)に示すように従来のチップ形PTCサーミスタ79を製造していた。
しかしながら、上記チップ形PTCサーミスタによれば、第14図(a)に示すように実装時にプリント基板と接続されるべき2つの電極62a,62bあるいは62c,62dが素子の1面にのみ位置しているため、プリント基板にリフローはんだ付けにより実装したときに、はんだフィレットが素子の上部から観察した場合に素子に隠れて見えないため、はんだ付け部の外観検査が困難であり、また素子の側面に電極がないため、フローはんだ付けができないという課題を有していた。
また、従来の製造方法においては、シートの位置決めや、切断のアライメントのばらつきによりスルーホール形成位置に対する切断ラインの位置ずれが起こり、スルーホール内部の導電体と、上下の電極との接合部の面積が変動する。第17図(a)はスルーホールと切断ラインの位置ずれが無い場合であり、第17図(b)はスルーホールの位置に対して、縦方向の切断ラインの位置ずれが起こった場合を示している。第17図(a)(b)において、81はスルーホール、82は切断ライン、83は電極、84はエッチング溝を示す。例えば、第17図(b)に示すようにスルーホール81の一部を切断するように位置ずれが起こった場合には、第17図(c)に示すように切断ラインを挟んだ2個のスルーホールのうち一方のスルーホール内部の導電体と上下の電極との接合部85の面積は位置ずれしない場合よりも少なくなることが分かる。導電体と上下の電極との接合部の面積が少なくなった場合、導電性ポリマの膨張収縮の繰り返しにより導電体と上下の電極との接合部にかかる応力で導電体と上下の電極との接合部にクラックが入るという課題を有していた。
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、実装時のはんだ付け部の外観検査が容易に行え、かつフローはんだ付けが可能であり、しかも導電性ポリマの膨張収縮による応力に対し、導電体と電極との接続部の強度のばらつきが少ないチップ形PTCサーミスタおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。
発明の開示
上記課題を解決するために本発明のチップ形PTCサーミスタは、直方体の形状よりなるPTC特性を有する導電性ポリマと、前記導電性ポリマの第1面に位置する第1の主電極と、前記第1の主電極と同じ面に位置し、かつ前記第1の主電極と独立した第1の副電極と、前記導電性ポリマの前記第1面に対向する第2面に位置する第2の主電極と、前記第2の主電極と同じ面に位置し、かつ前記第2の主電極と独立した第2の副電極と、少なくとも前記導電性ポリマの一方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の主電極と前記第2の副電極とを電気的に接続する第1の側面電極と、少なくとも前記導電性ポリマの一方の側面に対向する他方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の副電極と前記第2の主電極とを電気的に接続する第2の側面電極とを備えたものである。
また、本発明のチップ形PTCサーミスタの製造方法は、PTC特性を有する導電性ポリマの上下面をパターン形成した金属箔で挟み、加熱加圧成形により一体化してシートを形成する工程と、前記一体化したシートに開口部を設ける工程と、前記開口部を設けたシートの上下面に保護コートを形成する工程と、前記保護コートを形成しかつ前記開口部を設けたシートに側面電極を形成する工程と、前記側面電極を形成しかつ前記開口部を設けたシートを個片状に切断する工程を備えたものである。
上記したチップ形PTCサーミスタによれば、少なくとも導電性ポリマの2つの側面全面に側面電極が設けられているため、プリント基板に実装した場合のはんだフィレットを側面に形成することができ、その結果、実装時のはんだ付け部の外観検査が容易に行え、かつフローはんだ付けが可能であるという効果を有するものである。
また上記したチップ形PTCサーミスタの製造方法によれば、PTC特性を有する導電性ポリマとパターン形成した金属箔を加熱加圧成形により一体化したシートに開口部を設けた後、めっき等により側面電極を形成する際に、開口部を形成する工程の加工精度の問題で、開口部の形成位置が金属箔のパターンに対して多少ずれても、開口部の端面は直線的な形状であるため、開口部の端面の形状にばらつきが発生することはなく、したがって、その開口部の端面にめっき等で側面電極を形成することにより、その結果として側面電極と第1、第2の主電極との接合面積は一定となるため、導電性ポリマの膨張収縮による応力に対し、側面電極と第1、第2の主電極との接合部の強度のばらつきが少なくなるという効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は本発明の第1の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの斜視図、第1図(b)は第1図(a)におけるA−A線断面図、第1図(c)は同チップ形PTCサーミスタをプリント基板に実装した場合の断面図、第2図(a)〜(c)は本発明の第1の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの製造方法を示す工程図、第3図(a)〜(e)は本発明の第1の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの製造方法を示す工程図、第4図(a)(b)は短冊状および櫛形状加工の例を示す斜視図、第5図は本発明の第2の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの断面図、第6図(a)〜(c)は本発明の第2の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの製造方法を示す工程図、第7図は本発明の第2の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの製造方法を示す工程図、第8図は本発明の第3の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの断面図、第9図(a)〜(d)は本発明の第3の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの製造方法を示す工程図、第10図(a)(b)は本発明の第3の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの製造方法を示す工程図、第11図は本発明の第4の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの断面図、第12図(a)〜(c)は本発明の第4の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの製造方法を示す工程図、第13図(a)〜(c)は本発明の第4の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの製造方法を示す工程図、第14図(a)は従来のチップ形PTCサーミスタの断面図、第14図(b)は同チップ形PTCサーミスタの上面図、第15図(a)〜(d)は従来のチップ形PTCサーミスタの製造方法を示す工程図、第16図(a)〜(c)は従来のチップ形PTCサーミスタの製造方法を示す工程図、第17図(a)〜(c)は従来のチップ形PTCサーミスタにおけるスルーホールの形成位置と切断ラインの位置関係を示す図である。
発明を実施するための最良の形態
(第1の実施例)
以下、本発明の第1の実施例におけるチップ形PTCサーミスタについて図面を参照しながら説明する。
第1図(a)は本発明の第1の実施例におけるPTCサーミスタの斜視図、第1図(b)は第1図(a)のA−A線断面図である。
第1図(a)(b)において、11は結晶性ポリマである高密度ポリエチレンと導電性粒子であるカーボンブラックの混合物からなり、かつ直方体の形状をなすPTC特性を有する導電性ポリマである。12aは前記導電性ポリマ11の第1面に位置する第1の主電極であり、12bは前記第1の主電極12aと同じ面に位置し、かつ前記第1の主電極12aと独立した第1の副電極であり、12cは前記導電性ポリマ11の第1面に対向する第2面に位置する第2の主電極であり、12dは前記第2の主電極12cと同じ面に位置し、かつ前記第2の主電極12cと独立した第2の副電極であり、それぞれ電解銅箔からなる。13aは前記導電性ポリマ11の一方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の主電極12aと前記第2の副電極12dとを電気的に接続するニッケルめっきによる第1の側面電極であり、13bは前記第1の側面電極13aに対向する前記導電性ポリマ11の他方の側面全面に設けられ、かつ前記第2の主電極12cと前記第1の副電極12bとを電気的に接続するニッケルめっきによる第2の側面電極である。14a,14bは第1、第2のエポキシ混合アクリル系樹脂よりなる保護コート層である。
ここで、副電極は側面電極を例えばめっきで形成する際に、導電性ポリマとめっきの密着性が低いため、導電性ポリマの側面から側面電極が剥がれることがないように、導電性ポリマの上下面に形成した主電極と、副電極をめっきの支持体とし、導電性ポリマとめっきによる側面電極の密着性を確保するという作用を持つものである。
以上のように構成されたPTCサーミスタについて、本発明の第1の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの製造方法について図面を参照しながら説明する。
第2図(a)〜(c)および第3図(a)〜(e)は本発明の第1の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの製造方法を示す工程図である。
まず、結晶化度70〜90%の高密度ポリエチレン49重量%と、ファーネス法で製造した平均粒径58nm、比表面績38m2/gのカーボンブラック50重量%と、酸化防止剤1重量%とを約150℃に加熱した2本の熱ロールにより約20分間混合し、そして前記混合物を2本の熱ロールからシート状で取り出し、第2図(a)に示す厚みが約0.3mmの導電性ポリマシート21を作製する。
次に、電解銅箔に金型プレスにより櫛形状にパターン形成を行い、第2図(b)に示す電極22を作製した。第2図(b)の26は後工程で個片状に分割したときに主電極と副電極を独立させるためのギャップを形成する溝であり、27は個片状に分割するときに、電解銅箔を切断する部分を減らし、分割時の電解銅箔のバリを無くするためと、電解銅箔を切断することにより側面への電解銅箔の断面が露出し、電解銅箔が酸化したり、実装時にはんだによるショートが起こるのを防ぐための溝である。次に、第2図(c)、第3図(a)に示すように、導電性ポリマシート21の上下に電極22を重ね、温度175℃、真空度約20Torr、面圧力約50kg/cm2で約1分間の真空熱プレスにより加熱加圧成形し、一体化したシート23を得た。その後、電子線照射装置内で電子線を約40Mrad照射し、高密度ポリエチレンの架橋を行った。
次に、第3図(b)に示すように、細長い一定間隔の開口部(貫通溝)24を金型プレスにより打ち抜くか、あるいはダイシングマシンなどにより切断し、所望のチップ形PTCサーミスタの長手方向の幅を残して開口部を形成した。なお、開口部を設ける工程は第4図(a)(b)に示すような短冊状あるいは櫛形状に加工する工程でも良い。
次に、第3図(c)に示すように、開口部24を形成したシート23の上下に開口部24の周辺を除いて、アクリル系あるいはエポキシ混合アクリル系のUV硬化樹脂をスクリーン印刷し、UV硬化炉での硬化を行って保護コート25を形成した。
次に、第3図(d)に示すようにシート23の保護コート25が形成されていない部分と開口部24の内壁に、ニッケルワット浴中にて約30分間、電流密度約4A/dm2でニッケルめっき膜28を10〜20μmの厚みで形成した。
次に、シート23を金型プレスやダイシングマシンなどにより個片に分割し、第3図(e)のチップ形PTCサーミスタ29を作製した。以上により本発明のチップ形PTCサーミスタを製造した。なお、パターン形成していない金属箔と導電性ポリマシートを加熱加圧成形して一体化し、その後、フォトリソ工程によりエッチングで金属箔にパターン形成を行っても同様のチップ形PTCサーミスタを製造することが可能である。
以下、本発明の第1の実施例の構成についてさらに詳細な説明を行う。
チップ形の電子部品において、プリント基板にリフローはんだ付けで実装した場合、クリームはんだの印刷むら等により、電極と接続不良を起こしたり、あるいははんだ量が少ない場合は、熱サイクルに対するはんだの信頼性が低下するため、一般的にはんだ付け部の外観検査が必要となっている。
本発明のチップ形PTCサーミスタによれば、プリント基板に実装した場合に、はんだフィレットが素子の側面に形成できるため、はんだフィレットが素子の外側にあり、はんだ付け部の外観検査が容易にできる。第1図(c)は本発明のチップ形PTCサーミスタをプリント基板に実装した場合の断面図である。15a,15bははんだフィレットであり、16a,16bはプリント基板のランドである。第1図(c)の矢印のようにはんだフィレットの観察が上部から容易にできることがわかる。またフローはんだ付けも可能であることを確認した。
なお、側面電極を形成しているめっき膜と導電性ポリマの密着性は低いが、本発明の第1の実施例では導電性ポリマの側面から側面電極が剥がれることがないように、導電性ポリマの上下面に形成した主電極と、副電極をめっきの支持体として、導電性ポリマとめっきによる側面電極の密着性を確保し、側面電極の剥がれを防ぐ構造となっている。
また、従来の製造方法では、スルーホール形成位置に対する切断ラインの位置ずれが起こり、スルーホール内部の導電体と、上下の電極との接合部の面積が少なくなる場合がある。しかるに、本発明の第1の実施例の製造方法によれば、PTC特性を有する導電性ポリマと金属箔を加熱加圧成形により一体化したシートに開口部を設け、その後めっき膜を形成することにより、めっき膜と上下の電極との接合面積は一定となる。これにより、めっき膜と上下の電極との接合部の強度が小さくなることはないため、導電性ポリマの膨張収縮による応力で接合部にクラックが入ることはない。また、個片状に切断するのは横方向のみで良く、縦方向の切断をする必要はない。
また、従来の製造方法においては、例えばドリル加工によりスルーホールを形成して、スルーホール内にめっきを形成するが、少なくとも1シートから切り出した個片状の素子数以上のスルーホールを形成する必要があり、時間がかかる。またドリル加工による摩擦熱で導電性ポリマが溶融し、スルーホール内壁が荒れ、めっきが均一に付かない。しかるに、本発明の第1の実施例の製造方法によれば、短冊状に金型プレスやダイシングマシンなどで加工し、開放部を一括で形成するため生産性に優れている。また、導電性ポリマは溶融しないため、開放した部分の表面は比較的滑らかであり、めっきが均一に形成できる。また、スルーホール内はめっき液の循環が良くないため、スルーホール内のめっき液中の金属イオン濃度が不安定となるため、厚みの均一なめっき膜を形成しにくい。めっき厚が均一でない場合、導電性ポリマに過電流が流れて、動作することを繰り返した場合の導電性ポリマの膨張収縮によりめっき膜に応力が発生した場合、応力集中によりめっき膜が破断する可能性がある。しかるに本発明の第1の実施例の製造方法によれば、めっきの形成される部分は開放されているため、めっき液の循環が良く、金属イオン濃度が安定するため厚みの均一なめっき膜が形成できる。また、従来の製造方法によれば、スルーホール内にめっき液中の異物が入り込んだり、スルーホールを例えばドリル加工で形成した場合におけるバリ等の発生によりスルーホール内に異物が付着し、めっきが形成できない部分が発生する場合がある。本発明の第1の実施例の製造方法によれば、側面電極の形成される部分は開放されているため、めっき液中の異物が入り込むことはない。また側面電極は開放されているため、外観検査が容易にできる。なお、めっき時の電流は導電性ポリマが動作する電流に比較して十分低く、導電性ポリマが動作することはない。
また、本発明の第1の実施例の製造方法によれば、開口部を形成したシートにめっきにより側面電極を形成した後、個片に分割しているため、2つの側面電極以外の2つの側面にめっきが形成されることはない。例えば個片に分割後、バレルめっきした場合は素子側面が導電性であるために4つの側面にめっきが形成され、第1の主電極と第2の主電極がショートしてしまうという問題がある。
(第2の実施例)
以下、本発明の第2の実施例におけるチップ形PTCサーミスタについて図面を参照しながら説明する。第5図は本発明の第2の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの断面図である。
第5図において、41は結晶性ポリマである高密度ポリエチレンと導電性粒子であるカーボンブラックの混合物からなり、かつ直方体の形状をなすPTC特性を有する導電性ポリマである。42aは前記導電性ポリマ41の第1面に位置する第1の主電極であり、42bは前記第1の主電極42aと同じ面に位置し、かつ前記第1の主電極42aと独立した第1の副電極であり、42cは前記導電性ポリマ41の第1面に対向する第2面に位置する第2の主電極であり、42dは前記第2の主電極42cと同じ面に位置し、かつ前記第2の主電極42cと独立した第2の副電極であり、それぞれ電解銅箔からなる。43aは前記導電性ポリマ41の一方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の主電極42aと前記第2の主電極42cとを電気的に接続するニッケルめっきによる第1の側面電極であり、43bは前記第1の側面電極43aに対向する前記導電性ポリマ41の他方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の副電極42bと前記第2の副電極42dとを電気的に接続するニッケルめっきによる第2の側面電極である。44a,44bは第1、第2のエポキシ混合アクリル系樹脂よりなる保護コート層である。45aは前記導電性ポリマ41の内部に位置して前記第1の主電極42aと前記第2の主電極42cに平行に設けられ、かつ前記第2の側面電極43bと電気的に接続された内層主電極であり、45bは前記内層主電極45aと同じ面に位置し、かつこの内層主電極45aと独立し、前記第1の側面電極43aに電気的に接続された内層副電極である。
以上のように構成されたチップ形PTCサーミスタについて、本発明の第2の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの製造方法について図面を参照しながら説明する。
第6図(a)〜(c)および第7図は本発明の第2の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの製造方法を示す工程図である。上記した本発明の第1の実施例と同様に第6図(a)に示す導電性ポリマシート51を作製し、電解銅箔に金型プレスでパターニングを行い、第6図(b)に示す電極52を作製する。内層の電解銅箔は後の工程で積層体を加熱加圧成形するときに導電性ポリマが広がる力で銅箔の破れが起こらないように、少なくとも35μm、特に70μm以上の厚みをもつことが望ましい。次に第6図(c)に示すように導電性ポリマシート51と電極52を交互に重ね、加熱加圧成形して一体化した第7図に示すシート53を作製する。なお、第6図(c)の3枚の電極52は同形状にすることができ、1種類の金型で打ち抜きができるため、低コスト化が可能である。以下本発明の第1の実施例と同様に製造を行い、本発明の第2の実施例におけるチップ形PTCサーミスタを作製した。なお、最外層をパターン形成していない金属箔とし、それ以外の金属箔を金型プレスによりパターン形成し、これらの金属箔と導電性ポリマシートとを加熱加圧成形して一体化し、その後、フォトリソ工程によりエッチングで最外層の金属箔にパターン形成を行い、そして積層体を形成した後、第1の実施例と同様に製造を行っても同様のチップ形PTCサーミスタを製造することが可能である。
上記した本発明の第2の実施例によれば、導電性ポリマと金属箔を交互に積層することにより、外形寸法を大きくすることなく、対向電極の面積を増やすことができ、すなわち抵抗値を下げることが可能となり、その結果、小型で大電流を流すことができるチップ形PTCサーミスタを提供できる。例えば、外形が3.2mm×4.5mmで導電性ポリマが1層の場合は第1、第2の主電極間の電極のオーバーラップ量(対向電極面積)は9mm2で、抵抗値は約150mΩであったものが、2層で対向電極面積は18mm2で、抵抗値は約80mΩとなり低抵抗化が実現できた。またさらに低抵抗化するための実施例を説明する。
(第3の実施例)
第8図は本発明の第3の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの断面図である。
第8図において、1は結晶性ポリマである高密度ポリエチレンと導電性粒子であるカーボンブラックの混合物からなり、かつ直方体の形状をなすPTC特性を有する導電性ポリマである。2aは前記導電性ポリマ1の第1面に位置する第1の主電極であり、2bは前記第1の主電極2aと同じ面に位置し、かつ前記第1の主電極2aと独立した第1の副電極であり、2cは前記導電性ポリマ1の第1面に対向する第2面に位置する第2の主電極であり、2dは前記第2の主電極2cと同じ面に位置し、かつ前記第2の主電極2cと独立した第2の副電極であり、それぞれ電解銅箔からなる。3aは前記導電性ポリマ1の一方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の主電極2aと前記第2の副電極2dとを電気的に接続するニッケルめっきによる第1の側面電極であり、3bは前記第1の側面電極3aに対向する前記導電性ポリマ1の他方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の副電極2bと前記第2の主電極2cとを電気的に接続するニッケルめっきによる第2の側面電極である。4a,4bは第1、第2のエポキシ混合アクリル系樹脂よりなる保護コート層である。5aは前記導電性ポリマ1の内部に位置して前記第1の主電極2aと前記第2の主電極2cに平行に設けられ、かつ前記第2の側面電極3bと電気的に接続された第1の内層主電極であり、5bは前記第1の内層主電極5aと同じ面に位置し、かつこの第1の内層主電極5aと独立し、前記第1の側面電極3aに電気的に接続された第1の内層副電極であり、5cは前記導電性ポリマ1の内部に位置して前記第1の主電極2aと前記第2の主電極2cに平行に設けられ、かつ前記第1の側面電極3aと電気的に接続された第2の内層主電極であり、5dは前記第2の内層主電極5cと同じ面に位置し、かつ前記第2の内層主電極5cと独立し、前記第2の側面電極3bに電気的に接続された第2の内層副電極である。この場合、例えば、外形が3.2mm×4.5mmで導電性ポリマ1が3層の場合は、第1の主電極2aと第1の内層主電極5a間、第1の内層主電極5aと第2の内層主電極5c間、第2の内層主電極5cと第2の主電極2c間の抵抗が3つ並列に接続されているために実質の対向電極面積は27mm2となり、抵抗値は約50mΩでさらに低抵抗化が実現できた。
続いて、本発明の第3の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの製造方法について図面を参照しながら説明する。
第9図(a)〜(d)および第10図(a)(b)は導電性ポリマの積層数が3の場合の製造方法を示す工程図である。上記した本発明の第1の実施例と同様に第9図(a)に示す導電性ポリマシート31を作製し、電解銅箔に金型プレスでパターニングを行い、第9図(b)に示す電極32を作製する。内層の電解銅箔は2層のときと同様に後の加熱加圧成形工程において、導電性ポリマが広がる力で銅箔の破れが起こらないように、少なくとも35μm、特に70μm以上の厚みをもつことが望ましい。次に第9図(c)(d)に示すように2枚の電極32で導電性ポリマシート31を挟み、加熱加圧成形して一体化した第9図(d)に示す第1のシート33を作製する。次に、第10図(a)に示すように第1のシート33の両側から、2枚の導電性ポリマシート31と、2枚の電極32を電極32が最外層にくるように交互に積層し、加熱加圧成形して一体化した第10図(b)に示す第2のシート34を作製する。以下本発明の第1の実施例と同様に製造を行い、導電性ポリマの積層数が3であるチップ形PTCサーミスタを作製した。この第3の実施例において2回に分けて加熱加圧成形をするのは、同時に加熱加圧成形した場合、内部の導電性ポリマシートに熱が伝わりにくいことから、外側の導電性ポリマシートと内部の導電性ポリマシートの温度差によりポリマシートの厚みが不均一に成形されることを防ぐものである。この場合も最外層をパターン形成していない金属箔とし、それ以外の金属箔を金型プレスでパターン形成し、これらの金属箔と導電性ポリマシートとを加熱加圧成形して一体化し、その後、フォトリソ工程によりエッチングで最外層の金属箔にパターン形成を行い、シートを形成した後、第1の実施例と同様に製造を行っても同様のチップ形PTCサーミスタを製造することが可能である。また、第2のシートの両側から導電性ポリマシートとその外側にパターン形成した電極を配置し、加熱加圧成形することを繰り返せば、導電性ポリマの積層数が5以上の奇数であるチップ形PTCサーミスタを製造することが可能である。この場合も、最外層をパターン形成していない金属箔とすれば、後工程で、エッチングによりパターン形成することが可能である。
(第4の実施例)
第11図は本発明の第4の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの断面図である。
この第11図において、91は結晶性ポリマである高密度ポリエチレンと導電性粒子であるカーボンブラックの混合物からなり、かつ直方体の形状をなすPTC特性を有する導電性ポリマである。92aは前記導電性ポリマ91の第1面に位置する第1の主電極であり、92bは前記第1の主電極92aと同じ面に位置し、かつ前記第1の主電極92aと独立した第1の副電極であり、92cは前記導電性ポリマ91の第1面に対向する第2面に位置する第2の主電極であり、92dは前記第2の主電極92cと同じ面に位置し、かつ前記第2の主電極92cと独立した第2の副電極であり、それぞれ電解銅箔からなる。93aは前記導電性ポリマ91の一方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の主電極92aと前記第2の主電極92cとを電気的に接続するニッケルめっきによる第1の側面電極であり、93bは前記第1の側面電極93aに対向する前記導電性ポリマ91の他方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の副電極92bと前記第2の副電極92dとを電気的に接続するニッケルめっきによる第2の側面電極である。94a,94bは第1、第2のエポキシ混合アクリル系樹脂よりなる保護コート層である。95aは前記導電性ポリマ91の内部に位置して前記第1の主電極92aと前記第2の主電極92cに平行に設けられ、かつ前記第2の側面電極93bと電気的に接続された第1の内層主電極であり、95bは前記第1の内層主電極95aと同じ面に位置し、かつ前記第1の内層主電極95aと独立し、前記第1の側面電極93aに電気的に接続された第1の内層副電極であり、95cは前記導電性ポリマ91の内部に位置して前記第1の主電極92aと前記第2の主電極92cに平行に設けられ、かつ前記第1の側面電極93aと電気的に接続された第2の内層主電極であり、95dは前記第2の内層主電極95cと同じ面に位置し、かつ前記第2の内層主電極95cと独立し、前記第2の側面電極93bに電気的に接続された第2の内層副電極であり、95eは前記導電性ポリマ91の内部に位置して前記第1の主電極92aと前記第2の主電極92cに平行に設けられ、かつ前記第2の側面電極93bと電気的に接続された第3の内層主電極であり、95fは前記第3の内層主電極95eと同じ面に位置し、かつ前記第3の内層主電極95eと独立し、前記第1の側面電極93aに電気的に接続された第3の内層副電極である。
続いて、本発明の第4の実施例におけるチップ形PTCサーミスタの製造方法について図面を参照しながら説明する。
第12図(a)〜(c)および第13図(a)〜(c)は導電性ポリマの積層数が4の場合の製造方法を示す工程図である。上記した本発明の第1の実施例と同様に第12図(a)に示す導電性ポリマシート101を作製し、電解銅箔に金型プレスでパターニングを行い、第12図(b)に示す電極102を作製する。内層の電解銅箔は2層のときと同様に後の工程で積層体を加熱加圧成形するときに導電性ポリマが広がる力で銅箔の破れが起こらないように、少なくとも35μm、特に70μm以上の厚みをもつことが望ましい。次に第12図(c)に示すように3枚の電極102と2枚の導電性ポリマシート101を電極102が最外層にくるように交互に重ね、加熱加圧成形して一体化した第13図(a)に示す第1のシート103を作製する。次に、第13図(b)に示すように第1のシート103の両側から、2枚の導電性ポリマシート101と、2枚の電極102が最外層にくるように交互に積層し、加熱加圧成形して、一体化した第13図(c)に示す第2のシート104を作製する。以下本発明の第1の実施例と同様に製造を行い、導電性ポリマの積層数が4であるチップ形PTCサーミスタを作製した。この場合も最外層をパターン形成していない金属箔とし、それ以外の金属箔を金型プレスでパターン形成し、これらの金属箔と導電性ポリマシートとを加熱加圧成形して一体化し、その後、フォトリソ工程によりエッチングで最外層の金属箔にパターン形成を行い、その後、第1の実施例と同様に製造を行っても同様のチップ形PTCサーミスタを製造することが可能である。さらに積層数を増やすには、前述した第2のシートの両側から、導電性ポリマシートと電極を配置し、加熱加圧成形して一体化する工程を繰り返せば、導電性ポリマの積層数が6以上の偶数であるチップ形PTCサーミスタを製造することが可能である。この場合も、最外層をパターン形成していない金属箔とすれば、後工程で、エッチングによりパターン形成することが可能である。
以上のようにして導電性ポリマの積層数を増やすことができるが、導電性ポリマに過電流が流れて、動作することを繰り返した場合の導電性ポリマの膨張収縮による応力は積層数が増えるほど積算されて増加し、側面電極と主電極1,2との接続信頼性が課題となる。しかるに、本発明の実施例によれば側面全面に側面電極が形成されているため、応力が分散し、これにより積層しても接続の信頼性を十分確保できる構造となっている。なお、内層副電極は側面電極付近の導電性ポリマシートの厚みが増すことに伴う膨張量の増加を防止することができるため、側面電極への導電性ポリマシートの膨張収縮による応力を抑制することができ、信頼性向上に有用である。
また本発明において側面電極をニッケルにすることは、銅や銅合金などと比較して前述の信頼性を向上させるのにより効果的である。本発明の第1の実施例に記載した方法で側面電極をニッケルめっきにより形成したサンプルを作製し、比較例として側面電極を銅めっきにより形成したサンプルを、以下の条件で作製した。第1の実施例で作製した短冊状に加工したシートの側面に硫酸銅めっき浴中で、約60分間、電流密度1.5A/dm2の条件で厚み20μmの銅めっきを形成し、個片に分割してサンプルを作製した。ここで、側面電極の熱サイクルに対する強度の信頼性を確認するために、以下の試験を行った。試験は前述した側面電極をニッケルめっきにより形成したサンプルと、銅めっきにより形成したサンプルの、それぞれ30個ずつをプリント基板に実装し、12Vの直流電源に接続し、40Aの過電流を流して導電性ポリマを動作(トリップ)させ、そのまま1分間通電し、5分間通電を中止するのを1サイクルとし、それぞれ100,200,1000サイクル後に10個ずつ抜き取った。その後、それぞれのサンプルを側面電極に対して垂直に研磨していき、断面を観察して、側面電極のクラックの有無を確認した。試験の結果、側面電極をニッケルめっきにより形成したサンプルは1000サイクルでクラックは発生しなかった。比較例として側面電極を銅めっきにより形成したサンプルでは100サイクル以内で10/10すべてに側面電極と上部電極の接続部分のコーナーにクラックが発生した。
上記した本発明の第1の実施例のチップ形PTCサーミスタにおいては、直方体の形状よりなるPTC特性を有する導電性ポリマ11と、前記導電性ポリマ11の第1面に位置する第1の主電極12aと、前記第1の主電極12aと同じ面に位置し、かつ前記第1の主電極12aと独立した第1の副電極12bと、前記導電性ポリマ11の前記第1面に対向する第2面に位置する第2の主電極12cと、前記第2の主電極12cと同じ面に位置し、かつ前記第2の主電極12cと独立した第2の副電極12dと、少なくとも前記導電性ポリマ11の一方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の主電極12aと前記第2の副電極12dとを電気的に接続する第1の側面電極13aと、少なくとも前記導電性ポリマ11の一方の側面に対向する他方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の副電極12bと前記第2の主電極12cとを電気的に接続する第2の側面電極13bとを備えているもので、この構成によれば、少なくとも導電性ポリマ11の2つの側面全面に側面電極13a,13bが設けられているため、プリント基板に実装した場合のはんだフィレットを側面に形成することができ、その結果、実装時のはんだ付け部の外観検査が容易に行え、かつフローはんだ付けが可能であるという作用効果を有するものである。
また本発明の第2の実施例および第4の実施例のチップ形PTCサーミスタにおいては、直方体の形状よりなるPTC特性を有する導電性ポリマ41,91と、前記導電性ポリマ41,91の第1面に位置する第1の主電極42a,92aと、前記第1の主電極42a,92aと同じ面に位置し、かつ前記第1の主電極42a,92aと独立した第1の副電極42b,92bと、前記導電性ポリマ41,91の前記第1面に対向する第2面に位置する第2の主電極42c,92cと、前記第2の主電極42c,92cと同じ面に位置し、かつ前記第2の主電極42c,92cと独立した第2の副電極42d,92dと、少なくとも前記導電性ポリマ41,91の一方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の主電極42a,92aと前記第2の主電極42c,92cとを、電気的に接続する第1の側面電極43a,93aと、少なくとも前記導電性ポリマ41,91の一方の側面に対向する他方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の副電極42b,92bと前記第2の副電極42d,92dとを電気的に接続する第2の側面電極43b,93bと、前記導電性ポリマ41,91の内部に位置して前記第1の主電極42a,92aおよび第2の主電極42c,92cに平行に設けられた奇数の内層主電極45a,95a,95c,95eと、この内層主電極45a,95a,95c,95eと同じ面に位置し、かつこの内層主電極45a,95a,95c,95eと独立した奇数の内層副電極45b,95b,95d,95fとを備え、前記第1の主電極42a,92aに直接対向する前記内層主電極45a,95a,95eは前記第2の側面電極43b,93bに電気的に接続され、かつ前記第1の主電極42a,92aに直接対向する前記内層主電極45a,95aと同じ面に位置する前記内層副電極45b,95bは前記第1の側面電極43a,93aに電気的に接続され、さらに隣り合う前記内層主電極95c,95eおよび内層副電極95d,95fは前記第1の側面電極93aと前記第2の側面電極93bに交互に電気的に接続されるようにしているもので、この構成によれば、例えば内層主電極が1つのときは、素子の全体の抵抗値は、第1の主電極と内層主電極間の導電性ポリマの抵抗と、第2の主電極と内層主電極間の導電性ポリマの抵抗を並列接続した抵抗値となり、その結果、素子の抵抗値を主電極の面積を大きくすることなく下げることができるため、素子の外形を大きくすることなく素子の低抵抗化が図れるという作用効果を有するものである。
そしてまた本発明の第3の実施例のチップ形PTCサーミスタにおいては、直方体の形状よりなるPTC特性を有する導電性ポリマ1と、前記導電性ポリマ1の第1面に位置する第1の主電極2aと、前記第1の主電極2aと同じ面に位置し、かつ前記第1の主電極2aと独立した第1の副電極2bと、前記導電性ポリマ1の前記第1面に対向する第2面に位置する第2の主電極2cと、前記第2の主電極2cと同じ面に位置し、かつ前記第2の主電極2cと独立した第2の副電極2dと、少なくとも前記導電性ポリマ1の一方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の主電極2aと前記第2の副電極2dとを電気的に接続する第1の側面電極3aと、少なくとも前記導電性ポリマ1の一方の側面に対向する他方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の副電極2bと前記第2の主電極2cとを電気的に接続する第2の側面電極3bと、前記導電性ポリマ1の内部に位置して、前記第1の主電極2aおよび第2の主電極2cに平行に設けられた偶数の内層主電極5a,5cと、この内層主電極5a,5cと同じ面に位置し、かつこの内層主電極5a,5cと独立した偶数の内層副電極5b,5dとを備え、前記第1の主電極2aに直接対向する前記内層主電極5aは前記第2の側面電極3bに電気的に接続され、かつ前記第1の主電極2aに直接対向する前記内層主電極5aと同じ面に位置する前記内層副電極5bは前記第1の側面電極3aに電気的に接続され、さらに隣り合う前記内層主電極5cおよび内層副電極5dは前記第1の側面電極3aと前記第2の側面電極3bに交互に電気的に接続されるようにしているため、例えば内層主電極が2つのときは、素子の全体の抵抗値は、第1の主電極と第1の内層主電極間の導電性ポリマの抵抗と、第2の主電極と第2の内層主電極間の導電性ポリマの抵抗と、第1の内層主電極と第2の内層主電極間の導電性ポリマの抵抗とを並列接続した抵抗値となり、その結果、素子の抵抗値を主電極の面積を大きくすることなく下げることができるため、素子の外形を大きくすることなく素子の低抵抗化が図れるという作用効果を有するものである。
さらに本発明の第1〜第4の各実施例においては、側面電極をニッケルまたはその合金で構成しているもので、この構成によれば、導電性ポリマの膨張収縮により主電極と側面電極の接続部のコーナー部に応力が繰り返し集中して発生することに対して、繰り返し応力に比較的強いニッケル、またはその合金を用いて側面電極を形成しているため、第1、第2の主電極と側面電極の接続信頼性を向上させることができるという作用効果を有するものである。
また本発明の第1の実施例のチップ形PTCサーミスタの製造方法においては、PTC特性を有する導電性ポリマの上下面をパターン形成した金属箔で挟み、加熱加圧成形により一体化してシート23を形成する工程と、前記一体化したシート23に開口部(貫通溝)24を設ける工程と、前記開口部24を設けたシート23の上下面に保護コート25を形成する工程と、前記保護コート25を形成しかつ前記開口部24を設けたシート23に側面電極13a,13bを形成する工程と、前記側面電極13a,13bを形成しかつ前記開口部24を設けたシート23を個片状に切断する工程を備えているもので、この製造方法によれば、PTC特性を有する導電性ポリマとパターン形成した金属箔を加熱加圧成形により一体化したシート23に開口部24を設けた後、めっき等により側面電極13a,13bを形成する際に、開口部24を形成する工程の加工精度の問題で、開口部24の形成位置が金属箔のパターンに対して多少ずれても、開口部24の端面は直線的な形状であるため、開口部24の端面の形状にばらつきが発生することはなく、したがって、その開口部24の端面にめっき等で側面電極13a,13bを形成すれば、側面電極13a,13bと第1の主電極12aおよび第2の主電極12cとの接合面積は一定となるため、導電性ポリマの膨張収縮による応力に対し、側面電極13a,13bと第1の主電極12aおよび第2の主電極12cとの接合部の強度のばらつきが少なくなるという作用効果を有するものである。
そしてまた本発明の第1の実施例のチップ形PTCサーミスタの製造方法においては、他の例として、PTC特性を有する導電性ポリマの上下面を金属箔で挟み、加熱加圧成形により一体化してシート23を形成する工程と、前記一体化したシート23の上下面の金属箔をエッチングしてパターン形成を行う工程と、前記一体化したシート23に開口部(貫通溝)24を設ける工程と、前記開口部24を設けたシート23の上下面に保護コート25を形成する工程と、前記保護コートを形成しかつ前記開口部24を設けたシート23に側面電極13a,13bを形成する工程と、前記側面電極13a,13bを形成しかつ前記開口部24を設けたシート23を個片状に切断する工程を備えているもので、この製造方法によれば、PTC特性を有する導電性ポリマと金属箔を加熱加圧成形により一体化したシート23に開口部24を設けた後、めっき等により側面電極13a,13bを形成する際に、開口部24を形成する工程の加工精度の問題で、開口部24の形成位置が多少ずれても、開口部24の端面は直線的な形状であるため、開口部24の端面の形状にばらつきが発生することはなく、その開口部24の端面にめっき等で側面電極13a,13bを形成すれば、側面電極13a,13bと第1の主電極12aおよび第2の主電極12cとの接合面積は一定となるため、導電性ポリマの膨張収縮による応力に対し、側面電極13a,13bと第1の主電極12aおよび第2の主電極12cとの接合部の強度のばらつきが少なくなるという作用効果を有するものである。またパターン形成は加熱加圧成形した後にエッチングで行うため、導電性ポリマの上下面に位置する上下の金属箔のパターン形成の位置精度が良くなり、これにより、素子の抵抗値に関係する第1の主電極12aおよび第2の主電極12cがオーバーラップする面積のばらつきが少なくなるため、抵抗値のばらつきが少なくなるという作用効果を有するものである。
さらに本発明の第2の実施例のチップ形PTCサーミスタの製造方法においては、パターン形成した金属箔の上下面をPTC特性を有する導電性ポリマで挟み、さらにその上下面をパターン形成した金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化してシート53を形成する工程と、前記一体化したシート53に開口部を設ける工程と、前記開口部を設けたシート53の上下面に保護コートを形成する工程と、前記保護コートを形成しかつ前記開口部を設けたシート53に側面電極43a,43bを形成する工程と、前記側面電極43a,43bを形成しかつ前記開口部を設けたシート53を個片状に切断する工程を備えているもので、この製造方法によれば、2枚の導電性ポリマと3枚のパターン形成した金属箔を交互に積層し、加熱加圧成形により同時に一体化するため、導電性ポリマとパターン形成した金属箔の積層体が一回の加熱加圧成形で形成することができるという作用効果を有するものである。
さらにまた本発明の第2の実施例のチップ形PTCサーミスタの製造方法においては、他の例として、パターン形成した金属箔の上下面をPTC特性を有する導電性ポリマで挟み、さらにその上下面を金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化してシート53を形成する工程と、前記一体化したシート53の上下面の金属箔をエッチングしてパターン形成を行う工程と、前記一体化したシート53に開口部を設ける工程と、前記開口部を設けたシート53の上下面に保護コートを形成する工程と、前記保護コートを形成しかつ前記開口部を設けたシート53に側面電極43a,43bを形成する工程と、前記側面電極43a,43bを形成しかつ前記開口部を設けたシート53を個片状に切断する工程を備えているもので、この製造方法によれば、2枚の導電性ポリマと、1枚のパターン形成した金属箔と、最外層に配置される2枚の金属箔を交互に積層し、加熱加圧成形により同時に一体化し、最外層に配置される2枚の金属箔は、パターン形成を加熱加圧成形した後にエッチングで行うようにしているため、上下の金属箔のパターン形成の位置精度が良くなり、これにより、素子の抵抗値に関係する第1の主電極42a、第2の主電極42cおよび内層主電極45aがオーバーラップする面積のばらつきが少なくなるため、抵抗値のばらつきが少なくなるという作用効果を有するものである。
また本発明の第3の実施例のチップ形PTCサーミスタの製造方法においては、PTC特性を有する導電性ポリマの上下面をパターン形成した金属箔で挟み、加熱加圧成形により一体化して第1のシート33を形成する工程と、前記一体化した第1のシート33の上下面にPTC特性を有する導電性ポリマを配置するとともに、このPTC特性を有する導電性ポリマの上下面をパターン形成した金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化する工程を一回、または二回以上繰り返して積層し、第2のシート34を形成する工程と、前記一体化した第2のシート34に開口部を設ける工程と、前記開口部を設けた第2のシート34の上下面に保護コートを形成する工程と、前記保護コートを形成しかつ前記開口部を設けた第2のシート34に側面電極3a,3bを形成する工程と、前記側面電極3a,3bを形成しかつ前記開口部を設けた第2のシート34を個片状に切断する工程を備えているもので、この製造方法によれば、まず1枚の導電性ポリマと2枚のパターン形成した金属箔を加熱加圧成形により一体化し、その外側に2枚以上の偶数の導電性ポリマと2枚以上の偶数のパターン形成した金属箔を交互に配置して加熱加圧成形により一体化する工程を繰り返して3枚以上の奇数の導電性ポリマをパターン形成した金属箔と交互に積層して一体化することを特徴としているため、導電性ポリマとパターン形成した金属箔の積層体を形成するのに中心から外側に向かって段階的に加熱加圧成形して積層していくことにより、積層体の中心付近の導電性ポリマの厚みと外側の導電性ポリマの厚みのばらつきを少なくできるという作用効果を有するものである。
そしてまた本発明の第3の実施例のチップ形PTCサーミスタの製造方法においては、他の例として、PTC特性を有する導電性ポリマの上下面をパターン形成した金属箔で挟み、加熱加圧成形により一体化して第1のシート33を形成する工程と、前記一体化した第1のシート33の上下面にPTC特性を有する導電性ポリマを配置するとともに、このPTC特性を有する導電性ポリマの上下面を金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化して第2のシート34を形成する工程と、前記一体化した第2のシート34の上下面の金属箔をエッチングしてパターン形成を行う工程と、前記一体化した第2のシート34に開口部を設ける工程と、前記開口部を設けた第2のシート34の上下面に保護コートを形成する工程と、前記保護コートを形成しかつ前記開口部を設けた第2のシート34に側面電極3a,3bを形成する工程と、前記側面電極3a,3bを形成しかつ前記開口部を設けた第2のシート34を個片状に切断する工程を備えているもので、この製造方法によれば、まず1枚の導電性ポリマと2枚のパターン形成した金属箔を加熱加圧成形により一体化し、さらにその外側に2枚の導電性ポリマと最外層のパターン形成していない2枚の金属箔を配置して一体化し、最外層の2枚の金属箔は、パターン形成を加熱加圧成形した後にエッチングで行うようにしているため、上下の金属箔のパターン形成の位置精度が良くなり、これにより、素子の抵抗値に関係する第1の主電極2a、第2の主電極2cおよび内層主電極5aがオーバーラップする面積のばらつきが少なくなるため、抵抗値のばらつきが少なくなるという作用効果を有するものである。
さらに本発明の第3の実施例のチップ形PTCサーミスタの製造方法においては、さらに他の例として、PTC特性を有する導電性ポリマの上下面をパターン形成した金属箔で挟み、加熱加圧成形により一体化して第1のシート33を形成する工程と、前記一体化した第1のシート33の上下面にPTC特性を有する導電性ポリマを配置するとともに、このPTC特性を有する導電性ポリマの上下面をパターン形成した金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化する工程を一回、または二回以上繰り返して積層し、第2のシート34を形成する工程と、前記一体化した第2のシート34の上下面にPTC特性を有する導電性ポリマを配置するとともに、このPTC特性を有する導電性ポリマの上下面を金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化して第3のシートを形成する工程と、前記一体化した第3のシートの上下面の金属箔をエッチングしてパターン形成を行う工程と、前記一体化した第3のシートに開口部を設ける工程と、前記開口部を設けた第3のシートの上下面に保護コートを形成する工程と、前記保護コートを形成しかつ前記開口部を設けた第3のシートに側面電極3a,3bを形成する工程と、前記側面電極3a,3bを形成しかつ前記開口部を設けた第3のシートを個片状に切断する工程を備えているもので、この製造方法によれば、まず1枚の導電性ポリマと2枚のパターン形成した金属箔を加熱加圧成形により一体化し、その外側に2枚以上の偶数の導電性ポリマと2枚以上の偶数のパターン形成した金属箔を交互に配置して加熱加圧成形により一体化する工程を繰り返し、さらに最外層はパターン形成していない金属箔を配置し、5枚以上の奇数の導電性ポリマとパターン形成した金属箔と最外層のパターン形成していない金属箔を交互に積層して一体化するとともに、最外層の2枚の金属箔は、パターン形成を加熱加圧成形した後にエッチングで行うようにしているため、上下の金属箔のパターン形成の位置精度が良くなり、これにより、素子の抵抗値に関係する第1の主電極2a、第2の主電極2cおよび内層主電極5aがオーバーラップする面積のばらつきが少なくなるため、抵抗値のばらつきが少なくなるという作用効果を有するものである。
さらにまた本発明の第4の実施例のチップ形PTCサーミスタの製造方法においては、パターン形成した金属箔の上下面をPTC特性を有する導電性ポリマで挟み、さらにその上下面をパターン形成した金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化して第1のシート103を形成する工程と、前記一体化した第1のシート103の上下面にPTC特性を有する導電性ポリマを配置するとともに、このPTC特性を有する導電性ポリマの上下面をパターン形成した金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化する工程を一回、または二回以上繰り返して積層し、第2のシート104を形成する工程と、前記一体化した第2のシート104に開口部を設ける工程と、前記開口部を設けた第2のシート104の上下面に保護コートを形成する工程と、前記保護コートを形成しかつ前記開口部を設けた第2のシート104に側面電極93a,93bを形成する工程と、前記側面電極93a,93bを形成しかつ前記開口部を設けた第2のシート104を個片状に切断する工程を備えているもので、この製造方法によれば、まず2枚の導電性ポリマと3枚のパターン形成した金属箔を加熱加圧成形により一体化し、その外側に2枚以上の偶数の導電性ポリマと2枚以上の偶数のパターン形成した金属箔を交互に配置して加熱加圧成形により一体化する工程を繰り返して、4枚以上の偶数の導電性ポリマとパターン形成した金属箔を交互に積層して一体化することを特徴としているため、導電性ポリマとパターン形成した金属箔の積層体を形成するのに中心から外側に向かって段階的に加熱加圧成形して積層していくことにより、積層体の中心付近の導電性ポリマの厚みと外側の導電性ポリマの厚みのばらつきを少なくできるという作用効果を有するものである。
また本発明の第4の実施例のチップ形PTCサーミスタの製造方法においては、他の例として、パターン形成した金属箔の上下面をPTC特性を有する導電性ポリマで挟み、さらにその上下面をパターン形成した金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化して第1のシート103を形成する工程と、前記一体化した第1のシート103の上下面にPTC特性を有する導電性ポリマを配置するとともに、このPTC特性を有する導電性ポリマの上下面を金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化して第2のシート104を形成する工程と、前記一体化した第2のシート104の上下面の金属箔をエッチングしてパターン形成を行う工程と、前記一体化した第2のシート104に開口部を設ける工程と、前記開口部を設けた第2のシート104の上下面に保護コートを形成する工程と、前記保護コートを形成しかつ前記開口部を設けた第2のシート104に側面電極93a,93bを形成する工程と、前記側面電極93a,93bを形成しかつ前記開口部を設けた第2のシート104を個片状に切断する工程を備えているもので、この製造方法によれば、まず2枚の導電性ポリマと3枚のパターン形成した金属箔を加熱加圧成形により一体化し、さらにその外側に2枚の導電性ポリマと最外層のパターン形成していない2枚の金属箔を配置して一体化し、最外層の2枚の金属箔は、パターン形成を加熱加圧成形した後にエッチングで行うようにしているため、上下の金属箔のパターン形成の位置精度が良くなり、これにより、素子の抵抗値に関係する第1の主電極92a、第2の主電極92cおよび内層主電極95a,95c,95eがオーバーラップする面積のばらつきが少なくなるため、抵抗値のばらつきが少なくなるという作用効果を有するものである。
そしてまた本発明の第4の実施例のチップ形PTCサーミスタの製造方法においては、さらに他の例として、パターン形成した金属箔の上下面をPTC特性を有する導電性ポリマで挟み、さらにその上下面をパターン形成した金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化して第1のシート103を形成する工程と、前記一体化した第1のシート103の上下面にPTC特性を有する導電性ポリマを配置するとともに、このPTC特性を有する導電性ポリマの上下面をパターン形成した金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形にて一体化する工程を一回、または二回以上繰り返して積層し、第2のシート104を形成する工程と、前記一体化した第2のシート104の上下面にPTC特性を有する導電性ポリマを配置するとともに、このPTC特性を有する導電性ポリマの上下面を金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化して第3のシートを形成する工程と、前記一体化した第3のシートの上下面の金属箔をエッチングしてパターン形成を行う工程と、前記一体化した第3のシートに開口部を設ける工程と、前記開口部を設けた第3のシートの上下面に保護コートを形成する工程と、前記保護コートを形成しかつ前記開口部を設けた第3のシートに側面電極93a,93bを形成する工程と、前記側面電極93a,93bを形成しかつ前記開口部を設けた第3のシートを個片状に切断する工程を備えているもので、この製造方法によれば、まず2枚の導電性ポリマと3枚のパターン形成した金属箔を加熱加圧成形により一体化し、その外側に2枚以上の偶数の導電性ポリマと2枚以上の偶数のパターン形成した金属箔を交互に配置して加熱加圧成形して一体化する工程を繰り返し、さらに最外層はパターン形成していない金属箔を配置し、6枚以上の偶数の導電性ポリマとパターン形成した金属箔と最外層のパターン形成していない金属箔を交互に積層して一体化し、最外層の金属箔は、パターン形成を加熱加圧成形した後にエッチングで行うようにしているため、上下の金属箔のパターン形成の位置精度が良くなり、これにより、素子の抵抗値に関係する第1の主電極92a、第2の主電極92cおよび内層主電極95a,95c,95eがオーバーラップする面積のばらつきが少なくなるため、抵抗値のばらつきが少なくなるという作用効果を有するものである。
さらに本発明の第1の実施例のチップ形PTCサーミスタの製造方法においては、開口部(貫通溝)24を設ける工程を、短冊状あるいは櫛形状に加工する工程としているため、短冊状あるいは櫛形状に加工する工程の加工精度の問題で、短冊状あるいは櫛形状に加工した端面の形成位置が金属箔のパターンに対して多少ずれても、短冊状あるいは櫛形状に加工した端面は直線的な形状であり、したがって、端面の形状にばらつきが発生することはなくなるため、その端面にめっき等で側面電極13a,13bを形成すれば、側面電極13a,13bと第1の主電極12aおよび第2の主電極12cとの接合面積は一定となり、これにより、導電性ポリマの膨張収縮による応力に対し、側面電極13a,13bと第1の主電極12aおよび第2の主電極12cとの接合部の強度のばらつきが少なくなるという作用効果を有するものである。
さらにまた本発明の第1の実施例のチップ形PTCサーミスタの製造方法においては、パターン形成後の金属箔の開口部(貫通溝)24の形状を櫛形状としているため、櫛形の刃に相当する部分の開口部を、後工程の個片分割時の分割ラインに沿って切断することにより、櫛形状の開口部のない金属箔を切断するようにしたものに比べて、金属箔を切断する部分が減り、これにより、分割時の金属箔のバリの発生量を低減することができ、さらに素子側面への金属箔の断面の露出を少なくすることができるため、金属箔の露出面が酸化したり、実装時にはんだによるショートが起こるのも少なくすることができるという作用効果を有するものである。
産業上の利用可能性
以上のように本発明のチップ形PTCサーミスタは、直方体の形状よりなるPTC特性を有する導電性ポリマと、前記導電性ポリマの第1面に位置する第1の主電極と、前記第1の主電極と同じ面に位置し、かつ前記第1の主電極と独立した第1の副電極と、前記導電性ポリマの前記第1面に対向する第2面に位置する第2の主電極と、前記第2の主電極と同じ面に位置し、かつ前記第2の主電極と独立した第2の副電極と、少なくとも前記導電性ポリマの一方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の主電極と前記第2の副電極とを電気的に接続する第1の側面電極と、少なくとも前記導電性ポリマの一方の側面に対向する他方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の副電極と前記第2の主電極とを電気的に接続する第2の側面電極とを備えたものであり、この構成によれば、少なくとも導電性ポリマの2つの側面全面に側面電極が設けられているため、プリント基板に実装した場合のはんだフィレットを側面に形成することができ、その結果、実装時のはんだ付け部の外観検査が容易に行え、かつフローはんだ付けが可能であるというすぐれた効果を有するものである。

Claims (12)

  1. 直方体の形状よりなるPTC特性を有する導電性ポリマと、前記導電性ポリマの第1面に位置する第1の主電極と、前記第1の主電極と同じ面に位置し、かつ前記第1の主電極と独立した第1の副電極と、前記導電性ポリマの前記第1面に対向する第2面に位置する第2の主電極と、前記第2の主電極と同じ面に位置し、かつ前記第2の主電極と独立した第2の副電極と、少なくとも前記導電性ポリマの一方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の主電極と前記第2の主電極とを電気的に接続する第1の側面電極と、少なくとも前記導電性ポリマの一方の側面に対向する他方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の副電極と前記第2の副電極とを電気的に接続する第2の側面電極と、前記導電性ポリマの内部に位置して前記第1、第2の主電極に平行に設けられた奇数の内層主電極と、前記内層主電極と同じ面に位置し、かつこの内層主電極と独立した奇数の内層副電極とを備え、前記第1の主電極に直接対向する前記内層主電極は前記第2の側面電極に電気的に接続され、かつ前記第1の主電極に直接対向する前記内層主電極と同じ面に位置する前記内層副電極は前記第1の側面電極に電気的に接続され、さらに隣り合う前記内層主電極および内層副電極は前記第1の側面電極と前記第2の側面電極に交互に電気的に接続されることを特徴とするチップ形PTCサーミスタ。
  2. 直方体の形状よりなるPTC特性を有する導電性ポリマと、前記導電性ポリマの第1面に位置する第1の主電極と、前記第1の主電極と同じ面に位置し、かつ前記第1の主電極と独立した第1の副電極と、前記導電性ポリマの前記第1面に対向する第2面に位置する第2の主電極と、前記第2の主電極と同じ面に位置し、かつ前記第2の主電極と独立した第2の副電極と、少なくとも前記導電性ポリマの一方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の主電極と前記第2の副電極とを電気的に接続する第1の側面電極と、少なくとも前記導電性ポリマの一方の側面に対向する他方の側面全面に設けられ、かつ前記第1の副電極と前記第2の主電極とを電気的に接続する第2の側面電極と、前記導電性ポリマの内部に位置して前記第1、第2の主電極に平行に設けられた偶数の内層主電極と、前記内層主電極と同じ面に位置し、かつこの内層主電極と独立した偶数の内層副電極とを備え、前記第1の主電極に直接対向する前記内層主電極は前記第2の側面電極に電気的に接続され、かつ前記第1の主電極に直接対向する前記内層主電極と同じ面に位置する前記内層副電極は前記第1の側面電極に電気的に接続され、さらに隣り合う前記内層主電極および内層副電極は前記第1の側面電極と前記第2の側面電極に交互に電気的に接続されることを特徴とするチップ形PTCサーミスタ。
  3. パターン形成した金属箔の上下面をPTC特性を有する導電性ポリマで挟み、さらにその上下面をパターン形成した金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化してシートを形成する工程と、前記一体化したシートに開口部を設ける工程と、前記開口部を設けたシートの上下面に保護コートを形成する工程と、前記保護コートを形成しかつ前記開口部を設けたシートに側面電極を形成する工程と、前記側面電極を形成しかつ前記開口部を設けたシートを個片状に切断する工程を備えたチップ形PTCサーミスタの製造方法。
  4. パターン形成した金属箔の上下面をPTC特性を有する導電性ポリマで挟み、さらにその上下面を金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化してシートを形成する工程と、前記一体化したシートの上下面の金属箔をエッチングしてパターン形成を行う工程と、前記一体化したシートに開口部を設ける工程と、前記開口部を設けたシートの上下面に保護コートを形成する工程と、前記保護コートを形成しかつ前記開口部を設けたシートに側面電極を形成する工程と、前記側面電極を形成しかつ前記開口部を設けたシートを個片状に切断する工程を備えたチップ形PTCサーミスタの製造方法。
  5. PTC特性を有する導電性ポリマの上下面をパターン形成した金属箔で挟み、加熱加圧成形により一体化して第1のシートを形成する工程と、前記一体化した第1のシートの上下面にPTC特性を有する導電性ポリマを配置するとともに、このPTC特性を有する導電性ポリマの上下面をパターン形成した金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化する工程を一回、または二回以上繰り返して積層し、第2のシートを形成する工程と、前記一体化した第2のシートに開口部を設ける工程と、前記開口部を設けた第2のシートの上下面に保護コートを形成する工程と、前記保護コートを形成しかつ前記開口部を設けた第2のシートに側面電極を形成する工程と、前記側面電極を形成しかつ前記開口部を設けた第2のシートを個片状に切断する工程を備えたチップ形PTCサーミスタの製造方法。
  6. PTC特性を有する導電性ポリマの上下面をパターン形成した金属箔で挟み、加熱加圧成形により一体化して第1のシートを形成する工程と、前記一体化した第1のシートの上下面にPTC特性を有する導電性ポリマを配置するとともに、このPTC特性を有する導電性ポリマの上下面を金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化して第2のシートを形成する工程と、前記一体化した第2のシートの上下面の金属箔をエッチングしてパターン形成を行う工程と、前記一体化した第2のシートに開口部を設ける工程と、前記開口部を設けた第2のシートの上下面に保護コートを形成する工程と、前記保護コートを形成しかつ前記開口部を設けた第2のシートに側面電極を形成する工程と、前記側面電極を形成しかつ前記開口部を設けた第2のシートを個片状に切断する工程を備えたチップ形PTCサーミスタの製造方法。
  7. PTC特性を有する導電性ポリマの上下面をパターン形成した金属箔で挟み、加熱加圧成形により一体化して第1のシートを形成する工程と、前記一体化した第1のシートの上下面にPTC特性を有する導電性ポリマを配置するとともに、このPTC特性を有する導電性ポリマの上下面をパターン形成した金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化する工程を一回、または二回以上繰り返して積層し、第2のシートを形成する工程と、前記一体化した第2のシートの上下面にPTC特性を有する導電性ポリマを配置するとともに、このPTC特性を有する導電性ポリマの上下面を金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化して第3のシートを形成する工程と、前記一体化した第3のシートの上下面の金属箔をエッチングしてパターン形成を行う工程と、前記一体化した第3のシートに開口部を設ける工程と、前記開口部を設けた第3のシートの上下面に保護コートを形成する工程と、前記保護コートを形成しかつ前記開口部を設けた第3のシートに側面電極を形成する工程と、前記側面電極を形成しかつ前記開口部を設けた第3のシートを個片状に切断する工程を備えたチップ形PTCサーミスタの製造方法。
  8. パターン形成した金属箔の上下面をPTC特性を有する導電性ポリマで挟み、さらにその上下面をパターン形成した金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化して第1のシートを形成する工程と、前記一体化した第1のシートの上下面にPTC特性を有する導電性ポリマを配置するとともに、このPTC特性を有する導電性ポリマの上下面をパターン形成した金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化する工程を一回、または二回以上繰り返して積層し、第2のシートを形成する工程と、前記一体化した第2のシートに開口部を設ける工程と、前記開口部を設けた第2のシートの上下面に保護コートを形成する工程と、前記保護コートを形成しかつ前記開口部を設けた第2のシートに側面電極を形成する工程と、前記側面電極を形成しかつ前記開口部を設けた第2のシートを個片状に切断する工程を備えたチップ形PTCサーミスタの製造方法。
  9. パターン形成した金属箔の上下面をPTC特性を有する導電性ポリマで挟み、さらにその上下面をパターン形成した金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化して第1のシートを形成する工程と、前記一体化した第1のシートの上下面にPTC特性を有する導電性ポリマを配置するとともに、このPTC特性を有する導電性ポリマの上下面を金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化して第2のシートを形成する工程と、前記一体化した第2のシートの上下面の金属箔をエッチングしてパターン形成を行う工程と、前記一体化した第2のシートに開口部を設ける工程と、前記開口部を設けた第2のシートの上下面に保護コートを形成する工程と、前記保護コートを形成しかつ前記開口部を設けた第2のシートに側面電極を形成する工程と、前記側面電極を形成しかつ前記開口部を設けた第2のシートを個片状に切断する工程を備えたチップ形PTCサーミスタの製造方法。
  10. パターン形成した金属箔の上下面をPTC特性を有する導電性ポリマで挟み、さらにその上下面をパターン形成した金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化して第1のシートを形成する工程と、前記一体化した第1のシートの上下面にPTC特性を有する導電性ポリマを配置するとともに、このPTC特性を有する導電性ポリマの上下面をパターン形成した金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化する工程を一回、または二回以上繰り返して積層し、第2のシートを形成する工程と、前記一体化した第2のシートの上下面にPTC特性を有する導電性ポリマを配置するとともに、このPTC特性を有する導電性ポリマの上下面を金属箔で挟んで積層し、加熱加圧成形により一体化して第3のシートを形成する工程と、前記一体化した第3のシートの上下面の金属箔をエッチングしてパターン形成を行う工程と、前記一体化した第3のシートに開口部を設ける工程と、前記開口部を設けた第3のシートの上下面に保護コートを形成する工程と、前記保護コートを形成しかつ前記開口部を設けた第3のシートに側面電極を形成する工程と、前記側面電極を形成しかつ前記開口部を設けた第3のシートを個片状に切断する工程を備えたチップ形PTCサーミスタの製造方法。
  11. 請求の範囲第3項第10項のいずれかにおいて、開口部を設ける工程は、短冊状あるいは櫛形状に加工する工程であるチップ形PTCサーミスタの製造方法。
  12. 請求の範囲第3項第10項のいずれかにおいて、パターン形成後の金属箔の開口部の形状を櫛形状としたチップ形PTCサーミスタの製造方法。
JP50842099A 1997-07-07 1998-04-30 チップ型ptcサーミスタおよびその製造方法 Expired - Lifetime JP4238335B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18103997 1997-07-07
PCT/JP1998/001969 WO1999003113A1 (fr) 1997-07-07 1998-04-30 Puce comprenant un thermistor a coefficient de temperature positif et procede de fabrication

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP4238335B2 true JP4238335B2 (ja) 2009-03-18

Family

ID=16093704

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP50842099A Expired - Lifetime JP4238335B2 (ja) 1997-07-07 1998-04-30 チップ型ptcサーミスタおよびその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6782604B2 (ja)
EP (1) EP1020877B1 (ja)
JP (1) JP4238335B2 (ja)
KR (1) KR100507457B1 (ja)
CN (1) CN1123895C (ja)
DE (1) DE69838727T2 (ja)
WO (1) WO1999003113A1 (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6020808A (en) * 1997-09-03 2000-02-01 Bourns Multifuse (Hong Kong) Ltd. Multilayer conductive polymer positive temperature coefficent device
JP4419214B2 (ja) * 1999-03-08 2010-02-24 パナソニック株式会社 チップ形ptcサーミスタ
JP2003297603A (ja) * 2001-06-01 2003-10-17 Murata Mfg Co Ltd チップ型サーミスタおよびチップ型サーミスタの実装構造
JP3857571B2 (ja) * 2001-11-15 2006-12-13 タイコ エレクトロニクス レイケム株式会社 ポリマーptcサーミスタおよび温度センサ
JP4135651B2 (ja) * 2003-03-26 2008-08-20 株式会社村田製作所 積層型正特性サーミスタ
KR100694383B1 (ko) * 2003-09-17 2007-03-12 엘에스전선 주식회사 표면 실장형 서미스터
DE10358282A1 (de) * 2003-12-12 2005-07-28 Georg Bernitz Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US7072664B2 (en) * 2004-01-13 2006-07-04 Telcordia Technologies, Inc. Estimating non-uniform spatial offered loads in a cellular wireless network
DE102005014602A1 (de) * 2005-03-31 2006-10-05 Conti Temic Microelectronic Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung eines kommutierten Elektromotors
US20090027821A1 (en) * 2007-07-26 2009-01-29 Littelfuse, Inc. Integrated thermistor and metallic element device and method
US7830022B2 (en) * 2007-10-22 2010-11-09 Infineon Technologies Ag Semiconductor package
CN103885520B (zh) * 2008-11-25 2016-08-17 凌力尔特有限公司 一种具有静电屏蔽的温度补偿金属电阻器
TWI394176B (zh) * 2009-03-06 2013-04-21 Sfi Electronics Technology Inc 一種晶片型熱敏電阻及其製法
KR101009280B1 (ko) * 2010-07-07 2011-01-19 지엔이텍(주) 인쇄회로기판의 갭 서포터 및 그 제조방법
CN203491732U (zh) * 2013-08-13 2014-03-19 中兴通讯股份有限公司 一种移动终端充电器
CN103515040A (zh) * 2013-10-21 2014-01-15 上海长园维安电子线路保护有限公司 表面贴装型热敏电阻元件
JP6193772B2 (ja) * 2014-01-30 2017-09-06 京セラ株式会社 熱電モジュール
CN108962516B (zh) * 2018-08-10 2024-04-30 广东风华高新科技股份有限公司 一种片式电阻器及其制造方法
US11854723B2 (en) 2019-03-22 2023-12-26 Littelfuse Electronics (Shanghai) Co., Ltd. PTC device including polyswitch
US11570852B2 (en) * 2020-10-15 2023-01-31 Littelfuse, Inc. PPTC heating element having varying power density

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5330848A (en) * 1976-09-03 1978-03-23 Murata Manufacturing Co Surface acoustic wave device
US4426633A (en) * 1981-04-15 1984-01-17 Raychem Corporation Devices containing PTC conductive polymer compositions
US4486738A (en) * 1982-02-16 1984-12-04 General Electric Ceramics, Inc. High reliability electrical components
US4549161A (en) * 1982-02-17 1985-10-22 Raychem Corporation PTC Circuit protection device
DE3381424D1 (de) * 1982-04-20 1990-05-10 Fujitsu Ltd Herstellungsverfahrenfuer einen piezoelektrischen resonator.
JPS6110203A (ja) * 1984-06-25 1986-01-17 株式会社村田製作所 有機正特性サ−ミスタ
JPS61111502A (ja) * 1984-11-05 1986-05-29 松下電器産業株式会社 チツプバリスタ
US4766409A (en) * 1985-11-25 1988-08-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Thermistor having a positive temperature coefficient of resistance
US4706060A (en) * 1986-09-26 1987-11-10 General Electric Company Surface mount varistor
JPH0547446Y2 (ja) * 1986-10-27 1993-12-14
USH415H (en) * 1987-04-27 1988-01-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Multilayer PTCR thermistor
EP0327860A1 (de) * 1988-02-10 1989-08-16 Siemens Aktiengesellschaft Elektrisches Bauelement in Chip-Bauweise und Verfahren zu seiner Herstellung
JPH01257304A (ja) * 1988-04-06 1989-10-13 Murata Mfg Co Ltd 有機正特性サーミスタ
US4882466A (en) * 1988-05-03 1989-11-21 Raychem Corporation Electrical devices comprising conductive polymers
CA2002319C (en) * 1988-11-07 1995-04-04 Yasuaki Matsuda Positive-temperature-coefficient heating device and process for fabricating the same
AU637370B2 (en) * 1989-05-18 1993-05-27 Fujikura Ltd. Ptc thermistor and manufacturing method for the same
US4949505A (en) * 1989-05-26 1990-08-21 Von Duprin, Inc. Door cordinator
EP0489826B1 (de) * 1989-08-29 1996-01-17 E + E Elektronik Gesellschaft M.B.H. Verwendung eines quellfähigen kunststoffes, sowie verfahren zur herstellung eines resistiven feuchtigkeitssensors
JP2833242B2 (ja) * 1991-03-12 1998-12-09 株式会社村田製作所 Ntcサーミスタ素子
JPH04346409A (ja) * 1991-05-24 1992-12-02 Rohm Co Ltd 積層セラミックコンデンサ及びチップヒューズ
JPH0547446A (ja) 1991-08-15 1993-02-26 Matsushita Electric Works Ltd 電気配線接続装置
US5166656A (en) * 1992-02-28 1992-11-24 Avx Corporation Thin film surface mount fuses
US5852397A (en) * 1992-07-09 1998-12-22 Raychem Corporation Electrical devices
DE69333211T2 (de) 1992-07-09 2004-07-01 Tyco Electronics Corp. Elektrische Bauelemente
JP3286855B2 (ja) * 1992-11-09 2002-05-27 株式会社村田製作所 チップ型ptcサーミスタの製造方法
US5488348A (en) * 1993-03-09 1996-01-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. PTC thermistor
JPH06302404A (ja) * 1993-04-16 1994-10-28 Murata Mfg Co Ltd 積層型正特性サ−ミスタ
KR100327876B1 (ko) * 1993-09-15 2002-10-12 타이코 일렉트로닉스 코포레이션 Ptc저항소자를포함하는전기어셈블리
EP0692798A4 (en) * 1994-01-31 1997-05-14 Nippon Tungsten FLAT HEATING ELEMENT C.T.P. AND METHOD FOR REGULATING THE RESISTANCE VALUE OF THIS ELEMENT
CN1054941C (zh) * 1994-05-16 2000-07-26 雷伊化学公司 有聚合物正温度系数电阻元件的电路保护器件
US5552757A (en) * 1994-05-27 1996-09-03 Littelfuse, Inc. Surface-mounted fuse device
JPH08138905A (ja) * 1994-11-14 1996-05-31 Murata Mfg Co Ltd 正特性サーミスタ
US5929741A (en) * 1994-11-30 1999-07-27 Hitachi Chemical Company, Ltd. Current protector
JPH08250307A (ja) * 1995-03-15 1996-09-27 Murata Mfg Co Ltd チップサーミスタ
JPH0945505A (ja) * 1995-07-31 1997-02-14 Taiyo Yuden Co Ltd サーミスターとその抵抗値調整方法
US5855849A (en) * 1996-01-16 1999-01-05 Industrial Technology Research Institute Solid state humidity sensor
US5884391A (en) * 1996-01-22 1999-03-23 Littelfuse, Inc. Process for manufacturing an electrical device comprising a PTC element
US6023403A (en) * 1996-05-03 2000-02-08 Littlefuse, Inc. Surface mountable electrical device comprising a PTC and fusible element
US5896081A (en) * 1997-06-10 1999-04-20 Cyntec Company Resistance temperature detector (RTD) formed with a surface-mount-device (SMD) structure
US5963416A (en) * 1997-10-07 1999-10-05 Taiyo Yuden Co., Ltd. Electronic device with outer electrodes and a circuit module having the electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010021548A (ko) 2001-03-15
CN1261979A (zh) 2000-08-02
US6782604B2 (en) 2004-08-31
WO1999003113A1 (fr) 1999-01-21
US20040252006A1 (en) 2004-12-16
US7183892B2 (en) 2007-02-27
US20020021203A1 (en) 2002-02-21
DE69838727T2 (de) 2008-03-06
KR100507457B1 (ko) 2005-08-10
EP1020877A1 (en) 2000-07-19
EP1020877A4 (en) 2000-08-09
EP1020877B1 (en) 2007-11-14
CN1123895C (zh) 2003-10-08
DE69838727D1 (de) 2007-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4238335B2 (ja) チップ型ptcサーミスタおよびその製造方法
JP4511614B2 (ja) 電気的なアッセンブリ
US5351390A (en) Manufacturing method for a PTC thermistor
JP2999374B2 (ja) 積層チップインダクタ
JP2004327907A (ja) チップ抵抗器およびその製造方法
EP1139352B1 (en) Method of manufacturing a ptc chip thermistor
KR100479964B1 (ko) 칩형 ptc 서미스터
JP2000188205A (ja) チップ形ptcサ―ミスタ
US6481094B1 (en) Method of manufacturing chip PTC thermistor
KR100362730B1 (ko) 칩형 양의 온도계수 서미스터
JP3820629B2 (ja) Ptcサーミスタ
JP3444240B2 (ja) チップ形ptcサーミスタの製造方法
JP2002260902A (ja) チップ形ptcサーミスタ
JP3838560B2 (ja) 低い抵抗値を有するチップ抵抗器とその製造方法
KR20120040241A (ko) 저저항의 칩형 저항기와 그 제조 방법
TWI275107B (en) Electrical devices and process for making such devices
JP2000114004A (ja) チップ形ptcサ―ミスタ及びこれを用いた回路基板
JPH11111551A (ja) 積層型電子部品の製造方法
JP2768655B2 (ja) チップ部品の製造方法
JP2000311801A (ja) チップ型有機質サーミスタおよびその製造方法
JPH0417385A (ja) 複合回路基板の製造方法
KR20050054276A (ko) 칩형 피티씨 서미스터 및 그 제조 방법
JP2002260903A (ja) 積層型電子部品の製造方法
JP2000077206A (ja) チップ形ptcサーミスタおよびその製造方法
JPS60176254A (ja) 取出電極を有するチツプ状電子部品の基板製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050422

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20050512

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20050915

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080325

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080523

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081104

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081203

A72 Notification of change in name of applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A721

Effective date: 20081203

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120109

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120109

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130109

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130109

Year of fee payment: 4

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term