JPH04248221A - チップ型ヒューズの製造法 - Google Patents
チップ型ヒューズの製造法Info
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- JPH04248221A JPH04248221A JP625291A JP625291A JPH04248221A JP H04248221 A JPH04248221 A JP H04248221A JP 625291 A JP625291 A JP 625291A JP 625291 A JP625291 A JP 625291A JP H04248221 A JPH04248221 A JP H04248221A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップ型ヒューズの製
造法に関する。
造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に電子回路部品などにおいては、過
電流が流れないようにヒューズを設け破損等を防止する
ようにしている。該ヒューズとしては、近年プリント基
板等に直接実装するためにチップ型のものが開発されて
いる。従来セラミック基板を用いたチップ型ヒューズの
製造法としては、特開昭６２−１７２６２８号広報に示
されるような方法がある。このチップ型ヒューズは、チ
ップの両側端部に金属線が接着されており、過電流によ
り金属線が破断するように構成されている。
電流が流れないようにヒューズを設け破損等を防止する
ようにしている。該ヒューズとしては、近年プリント基
板等に直接実装するためにチップ型のものが開発されて
いる。従来セラミック基板を用いたチップ型ヒューズの
製造法としては、特開昭６２−１７２６２８号広報に示
されるような方法がある。このチップ型ヒューズは、チ
ップの両側端部に金属線が接着されており、過電流によ
り金属線が破断するように構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の方
法によれば、セラミック基板両端部の電極形成工程と金
属線を接着する導体回路形成工程とが必要となり、この
ため工程数が多くなり量産化を阻害していた。また電極
が厚膜ペーストで形成されているため電極とセラミック
基板との密着力が弱く、電極が剥離したり腐食するとい
う欠点がある。
法によれば、セラミック基板両端部の電極形成工程と金
属線を接着する導体回路形成工程とが必要となり、この
ため工程数が多くなり量産化を阻害していた。また電極
が厚膜ペーストで形成されているため電極とセラミック
基板との密着力が弱く、電極が剥離したり腐食するとい
う欠点がある。
【０００４】さらにセラミック基板は、畜熱性が悪く、
溶断時間が長くなり、例えばＬＳＩ〔ラージ・スケール
・インテグレイティッド・サーキット（Ｌａｎｇｅ
Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉ
ｔ）〕の保護回路等に使用され、速断性の要求されるヒ
ューズには適用出来ないという欠点がある。
溶断時間が長くなり、例えばＬＳＩ〔ラージ・スケール
・インテグレイティッド・サーキット（Ｌａｎｇｅ
Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉ
ｔ）〕の保護回路等に使用され、速断性の要求されるヒ
ューズには適用出来ないという欠点がある。
【０００５】本発明は上記の欠点のないチップ型ヒュー
ズの製造法を提供することを目的とするものである。
ズの製造法を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の欠
点について種々検討した結果、フォト、エッチング法を
用いてめっき法で形成したＣｕの被膜を利用して導体回
路及び電極を構成すれば、導体回路と電極とが同一の工
程で形成することができ、かつ電極とセラミック基板と
の密着力に優れ、電極の剥離、腐食等が生ぜず、溶断特
性の優れたチップ型ヒューズが得られることを見出した
。
点について種々検討した結果、フォト、エッチング法を
用いてめっき法で形成したＣｕの被膜を利用して導体回
路及び電極を構成すれば、導体回路と電極とが同一の工
程で形成することができ、かつ電極とセラミック基板と
の密着力に優れ、電極の剥離、腐食等が生ぜず、溶断特
性の優れたチップ型ヒューズが得られることを見出した
。
【０００７】本発明は、複数個のチップ型ヒューズを一
括して形成するセラミック基板の表面を粗化し、無電解
めっき法で２〜１０μｍの厚さにＣｕの被膜を形成し、
ついでＣｕの被膜の上面にレジスト膜を形成し、しかる
後露光、現像、エッチング、レジスト膜の剥離をし、Ｃ
ｕの被膜の必要な部分のみを残して導体回路及び電極を
形成した後、導体回路の上面及びセラミック基板の上部
露出面にシリコーン被膜を形成し、さらに電極の上面に
Ｎｉめっき及びＡｕめっきを施した後、前記セラミック
基板を個々に分割してチップ状に成形するチップ型ヒュ
ーズの製造法に関する。
括して形成するセラミック基板の表面を粗化し、無電解
めっき法で２〜１０μｍの厚さにＣｕの被膜を形成し、
ついでＣｕの被膜の上面にレジスト膜を形成し、しかる
後露光、現像、エッチング、レジスト膜の剥離をし、Ｃ
ｕの被膜の必要な部分のみを残して導体回路及び電極を
形成した後、導体回路の上面及びセラミック基板の上部
露出面にシリコーン被膜を形成し、さらに電極の上面に
Ｎｉめっき及びＡｕめっきを施した後、前記セラミック
基板を個々に分割してチップ状に成形するチップ型ヒュ
ーズの製造法に関する。
【０００８】本発明においてセラミック基板の材質とし
ては、アルミナ、ＰＺＴ（鉛、ジルコニア及びチタンを
主成分としたもの）、ムライト、チッ化アルミニウム等
が用いられる。
ては、アルミナ、ＰＺＴ（鉛、ジルコニア及びチタンを
主成分としたもの）、ムライト、チッ化アルミニウム等
が用いられる。
【０００９】セラミック基板の表面を粗化する方法につ
いては特に制限はないが、セラミック基板を融点以上の
温度に加熱したアルカリ融液中に３０秒以上浸漬して粗
化すれば作業性に優れ、またばらつきが少なく、均一に
粗化することができるので好ましい。
いては特に制限はないが、セラミック基板を融点以上の
温度に加熱したアルカリ融液中に３０秒以上浸漬して粗
化すれば作業性に優れ、またばらつきが少なく、均一に
粗化することができるので好ましい。
【００１０】Ｃｕの被膜は、無電解めっき法で形成する
ものとし、電気めっき法ではリード端子を必要とするた
め工程が煩雑となり、まためっきの厚さにばらつきが生
じ、他の蒸着法、スパッタ法では特殊な装置を必要とす
るため高価になるという欠点が生じる。
ものとし、電気めっき法ではリード端子を必要とするた
め工程が煩雑となり、まためっきの厚さにばらつきが生
じ、他の蒸着法、スパッタ法では特殊な装置を必要とす
るため高価になるという欠点が生じる。
【００１１】Ｃｕの被膜の厚さは２〜１０μｍの範囲と
され、２μｍ未満であると定格電流で長時間通電した場
合、導体回路の抵抗変更率が３７％以上となりヒューズ
として使用出来ない。また１０μｍを越えると定格電流
の２０倍の電流を通電し溶断時間を測定すると溶断時の
Ｃｕが残存し、アークが発生して回路遮断時間が長くな
るという欠点がある。
され、２μｍ未満であると定格電流で長時間通電した場
合、導体回路の抵抗変更率が３７％以上となりヒューズ
として使用出来ない。また１０μｍを越えると定格電流
の２０倍の電流を通電し溶断時間を測定すると溶断時の
Ｃｕが残存し、アークが発生して回路遮断時間が長くな
るという欠点がある。
【００１２】Ｎｉめっき及びＡｕめっきの厚さについて
は特に制限はないが、Ｎｉめっきの厚さが２〜５μｍの
範囲でＡｕめっきの厚さが０．０８〜０．２μｍであれ
ば半田濡れ性の面で好ましい。
は特に制限はないが、Ｎｉめっきの厚さが２〜５μｍの
範囲でＡｕめっきの厚さが０．０８〜０．２μｍであれ
ば半田濡れ性の面で好ましい。
【００１３】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。
実施例１
図３の（ａ）に示すように複数個のチップ型ヒューズを
一括して形成する直径が０．８ｍｍ（φ）のスルーホー
ル５を形成したアルミナセラミック基板（日立化成工業
製、商品名ハロックス５５２、寸法８０×８０×厚さ０
．６３５ｍｍ）２を脱脂液（日立化成工業製、商品名Ｈ
ＣＲ−２０１）で洗浄し、乾燥後ＮＨ４Ｆ １０ｇ（４
０．５重量％）、（ＮＨ４）２ＳＯ４ １ｇ（４．１重
量％）、濃Ｈ２ＳＯ４ ２ｍｌ（１４．９重量％）及び
Ｈ２Ｏ １０ｍｌ（４０．５重量％）の混合溶液（液温
７０℃）中に１０分間浸漬して粗化を行った。なお図３
の（ａ）において１１は基板分割部である。
一括して形成する直径が０．８ｍｍ（φ）のスルーホー
ル５を形成したアルミナセラミック基板（日立化成工業
製、商品名ハロックス５５２、寸法８０×８０×厚さ０
．６３５ｍｍ）２を脱脂液（日立化成工業製、商品名Ｈ
ＣＲ−２０１）で洗浄し、乾燥後ＮＨ４Ｆ １０ｇ（４
０．５重量％）、（ＮＨ４）２ＳＯ４ １ｇ（４．１重
量％）、濃Ｈ２ＳＯ４ ２ｍｌ（１４．９重量％）及び
Ｈ２Ｏ １０ｍｌ（４０．５重量％）の混合溶液（液温
７０℃）中に１０分間浸漬して粗化を行った。なお図３
の（ａ）において１１は基板分割部である。
【００１４】次に流水中で十分に水洗し、乾燥後３５０
℃に加熱したＮａＯＨ融液中に５分間浸漬して再粗化を
行った。この後、濃度１０重量％のＨ２ＳＯ４溶液中に
５分間浸漬し、超音波（出力３００Ｗ）による振動エネ
ルギーを付与し、アルミナセラミック基板２の表面を中
和し、ついで水洗を行い、無電解Ｃｕめっきを４時間行
って図３の（ｂ）に示すように厚さ９μｍのＣｕの被膜
６を形成した。なお無電解Ｃｕめっき液はｐＨが１２．
４で表１に示す組成のものを用いた。
℃に加熱したＮａＯＨ融液中に５分間浸漬して再粗化を
行った。この後、濃度１０重量％のＨ２ＳＯ４溶液中に
５分間浸漬し、超音波（出力３００Ｗ）による振動エネ
ルギーを付与し、アルミナセラミック基板２の表面を中
和し、ついで水洗を行い、無電解Ｃｕめっきを４時間行
って図３の（ｂ）に示すように厚さ９μｍのＣｕの被膜
６を形成した。なお無電解Ｃｕめっき液はｐＨが１２．
４で表１に示す組成のものを用いた。
【００１５】
【表１】
【００１６】Ｃｕめっき後感光性レジストフィルム（日
立化成工業製、商品名ＰＨＴ−８６２ＡＦ−２５）を前
記Ｃｕの被膜６上に全面貼付し、さらにその上面に、得
られる導体回路と同形状に透明な部分を形成したネガフ
ィルム（図示せず）を貼付した後、露光してネガフィル
ムの透明な部分の下面に配設した感光性レジストフィル
ムを硬化させた。ついでネガフィルムを取り除き、さら
に現像して硬化していない部分、詳しくは露光していな
い部分の感光性レジストフィルムを除去し、図３の（ｃ
）に示すようなレジスト膜１０を形成した。しかる後濃
度２５重量％の過硫酸アンモニウムの溶液でエッチング
を行い、図３の（ｄ）に示すように導体回路として不必
要な部分のＣｕの被膜６を除去した。
立化成工業製、商品名ＰＨＴ−８６２ＡＦ−２５）を前
記Ｃｕの被膜６上に全面貼付し、さらにその上面に、得
られる導体回路と同形状に透明な部分を形成したネガフ
ィルム（図示せず）を貼付した後、露光してネガフィル
ムの透明な部分の下面に配設した感光性レジストフィル
ムを硬化させた。ついでネガフィルムを取り除き、さら
に現像して硬化していない部分、詳しくは露光していな
い部分の感光性レジストフィルムを除去し、図３の（ｃ
）に示すようなレジスト膜１０を形成した。しかる後濃
度２５重量％の過硫酸アンモニウムの溶液でエッチング
を行い、図３の（ｄ）に示すように導体回路として不必
要な部分のＣｕの被膜６を除去した。
【００１７】この後濃度５重量％のＮａＯＨ溶液で硬化
している感光性レジストフィルムを剥離し、図３の（ｅ
）に示すように導体回路３及び電極４を同時に形成した
セラミック配線板を得た。
している感光性レジストフィルムを剥離し、図３の（ｅ
）に示すように導体回路３及び電極４を同時に形成した
セラミック配線板を得た。
【００１８】次に該セラミック配線板を水洗し、乾燥後
印刷法で導体回路３の上面及びアルミナセラミック基板
２の上部露出面にシリコーン樹脂（東レ・ダウ・コーニ
ング製、商品名ＳＥ−１７００）を６０μｍの厚さに塗
布し、オーブン中で、１３０℃で１５分間硬化させ、図
３の（ｆ）に示すようにシリコーン被膜９を形成した。
印刷法で導体回路３の上面及びアルミナセラミック基板
２の上部露出面にシリコーン樹脂（東レ・ダウ・コーニ
ング製、商品名ＳＥ−１７００）を６０μｍの厚さに塗
布し、オーブン中で、１３０℃で１５分間硬化させ、図
３の（ｆ）に示すようにシリコーン被膜９を形成した。
【００１９】ついで脱脂液（日立化成工業製、商品名Ｈ
ＣＲ−２０１）で洗浄し、水洗後濃度１０重量％のＨ２
ＳＯ４溶液中に１分間浸漬し、再度水洗後、従来公知の
方法で無電解Ｎｉ及びＡｕめっきを施し、図３の（ｇ）
に示すようにそれぞれ厚さ２．０μｍ及び０．１μｍの
Ｎｉの被膜７及びＡｕの被膜８を形成したチップ型ヒュ
ーズ基板を得た。なお無電解Ｎｉめっき液は、日本カニ
ゼン製の商品名Ｓ−６８０を用い、浴温７０℃で１０分
間行い、無電解Ａｕめっき液は、ＥＥＪＡ製の商品名レ
クトロレスプレップを用い浴温９０℃で１０分間行った
。
ＣＲ−２０１）で洗浄し、水洗後濃度１０重量％のＨ２
ＳＯ４溶液中に１分間浸漬し、再度水洗後、従来公知の
方法で無電解Ｎｉ及びＡｕめっきを施し、図３の（ｇ）
に示すようにそれぞれ厚さ２．０μｍ及び０．１μｍの
Ｎｉの被膜７及びＡｕの被膜８を形成したチップ型ヒュ
ーズ基板を得た。なお無電解Ｎｉめっき液は、日本カニ
ゼン製の商品名Ｓ−６８０を用い、浴温７０℃で１０分
間行い、無電解Ａｕめっき液は、ＥＥＪＡ製の商品名レ
クトロレスプレップを用い浴温９０℃で１０分間行った
。
【００２０】このようにして得られたチップ型ヒューズ
基板をスライシングマシーン（ディスコ製、商品名ＤＡ
Ｄ−２Ｈ−６）を用いて基板分割部１１で個々に分割し
て個々の寸法が３．２×１．６ｍｍとした図１及び図２
に示すチップ型ヒューズ１を得た。
基板をスライシングマシーン（ディスコ製、商品名ＤＡ
Ｄ−２Ｈ−６）を用いて基板分割部１１で個々に分割し
て個々の寸法が３．２×１．６ｍｍとした図１及び図２
に示すチップ型ヒューズ１を得た。
【００２１】次に上記で得たチップ型ヒューズ１を１０
ケ用い半田濡れ性試験を行った。試験はチップ型ヒュー
ズ１を２４０℃に加熱して溶融した６：４半田（Ｐｂ：
Ｓｎ＝６：４）中に５秒間浸漬した後引上げ、再度５秒
間浸漬する工程を５回繰り返し行った。その結果半田く
われも無く、１００％濡れており良好であった。また上
記で得たチップ型ヒューズ１を１０ケ用い電極４の部分
に、錫めっきを施した直径０．８ｍｍの銅線を垂直に半
田付けしたものを用いて密着強度（プル強度）を測定し
た。その結果２４〜３２ＭＰａの範囲で、平均値２６Ｍ
Ｐａの密着強度を示し良好であった。
ケ用い半田濡れ性試験を行った。試験はチップ型ヒュー
ズ１を２４０℃に加熱して溶融した６：４半田（Ｐｂ：
Ｓｎ＝６：４）中に５秒間浸漬した後引上げ、再度５秒
間浸漬する工程を５回繰り返し行った。その結果半田く
われも無く、１００％濡れており良好であった。また上
記で得たチップ型ヒューズ１を１０ケ用い電極４の部分
に、錫めっきを施した直径０．８ｍｍの銅線を垂直に半
田付けしたものを用いて密着強度（プル強度）を測定し
た。その結果２４〜３２ＭＰａの範囲で、平均値２６Ｍ
Ｐａの密着強度を示し良好であった。
【００２２】さらに上記で得たチップ型ヒューズ（定格
電流３００ｍＡ品、導体回路部分の抵抗０．８Ω、導体
回路の厚さ９μｍ、導体回路の幅５０μｍ、導体回路の
長さ１８ｍｍ）１を１０ケ用い、速断性を調べた。測定
方法は、定格電流の２０倍に相当する定電流６Ａを通電
し、溶断するまでの時間をオシロスコープを用いて測定
した。その結果溶断時間は、最長が０．１７×１０−３
秒、最短が０．０８×１０−３秒で、平均が０．１２×
１０−３秒であった。また外観を観察したところアルミ
ナセラミック基板２に割れは発生していなかった。
電流３００ｍＡ品、導体回路部分の抵抗０．８Ω、導体
回路の厚さ９μｍ、導体回路の幅５０μｍ、導体回路の
長さ１８ｍｍ）１を１０ケ用い、速断性を調べた。測定
方法は、定格電流の２０倍に相当する定電流６Ａを通電
し、溶断するまでの時間をオシロスコープを用いて測定
した。その結果溶断時間は、最長が０．１７×１０−３
秒、最短が０．０８×１０−３秒で、平均が０．１２×
１０−３秒であった。また外観を観察したところアルミ
ナセラミック基板２に割れは発生していなかった。
【００２３】比較例１
Ｃｕの被膜（導体回路）の厚さを１５μｍ、導体回路の
長さを１０ｍｍとした以外は、実施例１と同様の工程を
経てチップ型ヒューズを得た。ついで得られたチップ型
ヒューズを１０ケ用いて実施例１と同様の方法で半田濡
れ性試験、密着強度及び速断性を調べた。その結果半田
くわれは無く、１００％濡れており、密着強度も２０〜
３１ＭＰａの範囲で、平均値が２５ＭＰａと良好であり
問題はなかったが、溶断時間が最長で６．６×１０−３
秒、最短が３．７×１０−３秒で平均が４．４×１０−
３秒と長く、また外観を観察したところ３ケのアルミナ
セラミック基板に割れが発生していた。
長さを１０ｍｍとした以外は、実施例１と同様の工程を
経てチップ型ヒューズを得た。ついで得られたチップ型
ヒューズを１０ケ用いて実施例１と同様の方法で半田濡
れ性試験、密着強度及び速断性を調べた。その結果半田
くわれは無く、１００％濡れており、密着強度も２０〜
３１ＭＰａの範囲で、平均値が２５ＭＰａと良好であり
問題はなかったが、溶断時間が最長で６．６×１０−３
秒、最短が３．７×１０−３秒で平均が４．４×１０−
３秒と長く、また外観を観察したところ３ケのアルミナ
セラミック基板に割れが発生していた。
【００２４】
【発明の効果】本発明の製造法によって得られるチップ
型ヒューズは、電極とセラミック基板との密着強度に優
れ、電極の剥離、腐食等が生ぜず、速断性に優れ、電極
形成工程と導体回路形成工程とを同一工程で形成できる
ため量産化に優れ、工業的に極めて好適なチップ型ヒュ
ーズである。
型ヒューズは、電極とセラミック基板との密着強度に優
れ、電極の剥離、腐食等が生ぜず、速断性に優れ、電極
形成工程と導体回路形成工程とを同一工程で形成できる
ため量産化に優れ、工業的に極めて好適なチップ型ヒュ
ーズである。
【図１】本発明の実施例になるチップ型ヒューズの傾斜
図である。
図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】本発明の実施例になるチップ型ヒューズの製造
作業状態を示す断面図である。
作業状態を示す断面図である。
１ チップ型ヒューズ
２ アルミナセラミック基板 ３ 導体回路
４ 電極５ スルーホー
ル ６
Ｃｕの被膜 ７ Ｎｉの被膜
８ Ａｕの被膜 ９ シリコーン被膜
１０ レジスト膜 １１ 基板分割部
２ アルミナセラミック基板 ３ 導体回路
４ 電極５ スルーホー
ル ６
Ｃｕの被膜 ７ Ｎｉの被膜
８ Ａｕの被膜 ９ シリコーン被膜
１０ レジスト膜 １１ 基板分割部
Claims (1)
- 【請求項１】 複数個のチップ型ヒューズを一括して
形成するセラミック基板の表面を粗化し、無電解めっき
法で２〜１０μｍの厚さにＣｕの被膜を形成し、ついで
Ｃｕの被膜の上面にレジスト膜を形成し、しかる後露光
、現像、エッチング、レジスト膜の剥離をし、Ｃｕの被
膜の必要な部分のみを残して導体回路及び電極を形成し
た後、導体回路の上面及びセラミック基板の上部露出面
にシリコーン被膜を形成し、さらに電極の上面にＮｉめ
っき及びＡｕめっきを施した後、前記セラミック基板を
個々に分割してチップ状に成形することを特徴とするチ
ップ型ヒューズの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP625291A JPH04248221A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | チップ型ヒューズの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP625291A JPH04248221A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | チップ型ヒューズの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04248221A true JPH04248221A (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=11633296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP625291A Pending JPH04248221A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | チップ型ヒューズの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04248221A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996041359A1 (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-19 | Littelfuse, Inc. | Improved method and apparatus for a surface-mounted fuse device |
| US5790008A (en) * | 1994-05-27 | 1998-08-04 | Littlefuse, Inc. | Surface-mounted fuse device with conductive terminal pad layers and groove on side surfaces |
| US5844477A (en) * | 1994-05-27 | 1998-12-01 | Littelfuse, Inc. | Method of protecting a surface-mount fuse device |
| US5929741A (en) * | 1994-11-30 | 1999-07-27 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Current protector |
| US5974661A (en) * | 1994-05-27 | 1999-11-02 | Littelfuse, Inc. | Method of manufacturing a surface-mountable device for protection against electrostatic damage to electronic components |
| US6878004B2 (en) | 2002-03-04 | 2005-04-12 | Littelfuse, Inc. | Multi-element fuse array |
-
1991
- 1991-01-23 JP JP625291A patent/JPH04248221A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5790008A (en) * | 1994-05-27 | 1998-08-04 | Littlefuse, Inc. | Surface-mounted fuse device with conductive terminal pad layers and groove on side surfaces |
| US5844477A (en) * | 1994-05-27 | 1998-12-01 | Littelfuse, Inc. | Method of protecting a surface-mount fuse device |
| US5943764A (en) * | 1994-05-27 | 1999-08-31 | Littelfuse, Inc. | Method of manufacturing a surface-mounted fuse device |
| US5974661A (en) * | 1994-05-27 | 1999-11-02 | Littelfuse, Inc. | Method of manufacturing a surface-mountable device for protection against electrostatic damage to electronic components |
| US6023028A (en) * | 1994-05-27 | 2000-02-08 | Littelfuse, Inc. | Surface-mountable device having a voltage variable polgmeric material for protection against electrostatic damage to electronic components |
| US5929741A (en) * | 1994-11-30 | 1999-07-27 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Current protector |
| WO1996041359A1 (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-19 | Littelfuse, Inc. | Improved method and apparatus for a surface-mounted fuse device |
| US6878004B2 (en) | 2002-03-04 | 2005-04-12 | Littelfuse, Inc. | Multi-element fuse array |
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