TWI615879B - 薄型化保護元件 - Google Patents

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Description

薄型化保護元件
本發明係有關一種過電流/過電壓保護元件，特別是指一種可以有效縮減體積，有助於所應用之產品朝向薄型化方向發展的薄型化保護元件。
眾所周知，一般電流/過電壓保護元件(以下統稱保護元件)，主要用以保護電路中之電路或電器設施，防止其受到瞬間超額的電流或過高的電壓而對精密電子設備造成損壞。當瞬間電流超過預定的電流額值時，保護元件當中以合金材料所完成熔斷結構因瞬間過大之電流所產生之熱量而被高溫燒熔，進而形成斷路，使過大之電流不再流入電路中，以保護電路及電器設備免於損壞。
如第1圖所示，已知一種習用保護元件係具有在一絕緣基板11上的兩個電極部12，另於該兩個電極部12之間連接一由低熔點之合金材料所完成的熔斷結構13，且於該絕緣基板11上罩設一至少將該熔斷結構遮蔽的屏蔽結構14，防止熔斷結構氧化以及避免周邊的電子元件或電路遭燒熔的金屬損毀。
一般熔斷結構13因為高溫而燒熔的部分會因為內聚現象而呈如圖中所示之隆凸狀；再者，習用保護元件使用屏蔽結構14多係由相對較具剛性的材料製成，且透過組裝或黏著的方式固定於該絕緣基板11上，其為避免遭熔斷結構13燒熔的部位撐毀，而必須在其與熔斷結構13之間形成一腔室空間。
如此不但無法有效縮減保護元件之體積，且亦相對較不利於所應用的產品朝薄型化方向發展；尤其，整個保護元件於實際生產時，同時必須囊括屏蔽結構14之成型及組裝之工時、工序成本，甚至因為屏蔽結構14組裝不良而影響保護元件之良率。
有鑒於此，本發明主要提供一種可以有效縮減體積，有助於所應用之產品朝向薄型化方向發展的薄型化保護元件，為其主要目的者。
本發明之薄型化保護元件，係在一絕緣基板上設有至少兩個供與外部電路電氣連接的電極，另有一可供於預先設定溫度下熔斷的熔斷結構電氣連接於該至少兩個電極之間，以及設有一至少將該熔斷結構遮蔽的屏蔽結構；其特徵在於：該屏蔽結構係由絕緣熱塑性材料透過成膜加工技術直接覆設於該熔斷結構表面。
利用上述結構特徵，本發明之薄型化保護元件在瞬間電流超過預定的電流額值，而使熔斷結構被高溫燒熔的情況下，其屏蔽結構係可配合燒熔的熔斷結構之隆起而對應變型，且同時接受高溫作用而產生極佳的延展性，不致被隆起的熔斷結構撐毀，藉以可以有效縮減整體保護元件之體積，有助於所應用之產品朝向薄型化方向發展。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係以合金型態呈現。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由至少兩種不同熔點的金屬層所疊置構成。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由下而上依序設有一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由下而上依序設有一低熔點金屬層及一高熔點金屬層。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由下而上依序設有一高熔點金屬層、一低熔點金屬層及一高熔點金屬層。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由下而上依序設有一低熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由下而上依序設有一低熔點金屬層、一高熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由下而上依序設有一高熔點金屬層、一低熔點金屬層、一高熔點金屬層及一高熔點金屬層。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層、一低熔點金屬層及一高熔點金屬層。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層與該銅金屬層的體積比為30：1~120：1；該銅金屬層之厚度介於0.1~2um；該錫金屬層之厚度介於3~240um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層與該銅金屬層的體積比為60：1；該銅金屬層之厚度為1.5um；該錫金屬層之厚度為90um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層與該鎳金屬層的體積比為50：1~160：1；該鎳金屬層之厚度介於0.1~2um；該錫金屬層之厚度介於5~320um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層與該鎳金屬層的體積比為90：1；該鎳金屬層之厚度為1um；該錫金屬層之厚度為90um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層與該銀金屬層的體積比為25：1~110：1；該銀金屬層之厚度介於0.1~2um；該錫金屬層之厚度介於2.5~220um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層與該銀金屬層的體積比為50：1；該銀金屬層之厚度為1.5um；該錫金屬層之厚度為75um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層及該銀金屬層的體積比為60：1：1~240：1：1；該銅金屬層加上該銀金屬層之厚度介於0.2~4um；該錫金屬層之厚度介於6~480um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層及該銀金屬層的體積比為120：1：1；該銅金屬層加上該銀金屬層之厚度為1.5um；該錫金屬層之厚度為90um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層、該鎳金屬層及該銅金屬層的體積比為100：0.5：1~320：0.5：1；該鎳金屬層加上該銅金屬層之厚度介於0.15~3um；該錫金屬層之厚度介於10~640um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層、該鎳金屬層及該銅金屬層的體積比為200：0.5：1；該鎳金屬層加上該銅金屬層之厚度為0.6um；該錫金屬層之厚度為80um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銀構成的銀金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層、該銀金屬層及該鎳金屬層的體積比為50：1：0.5~220：1：0.5；該銀金屬層加上該鎳金屬層之厚度介於0.15~3um；該錫金屬層之厚度介於5~440um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銀構成的銀金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層、該銀金屬層及該鎳金屬層的體積比為150：1：0.5；該銀金屬層加上該鎳金屬層之厚度為0.6um；該錫金屬層之厚度為80um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由鉻構成的鉻金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層、該鎳金屬層及該鉻金屬層的體積比為80：1：0.5：0.125~300：1：0.5：0.125；該銅金屬層加上該鎳金屬層加上該鉻金屬層之厚度介於0.1625~3.25um；該錫金屬層之厚度介於8~600um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由鉻構成的鉻金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層、該鎳金屬層及該鉻金屬層的體積比為120：1：0.5：0.125；該銅金屬層加上該鎳金屬層加上該鉻金屬層之厚度為06um；該錫金屬層之厚度為92um。
所述該熔斷結構當中之各該低熔點金屬層之熔點係介於攝氏60~350度，各該高熔點金屬層之熔點係介於攝氏600~1900度。
所述該熔斷結構當中之各該低熔點金屬層之金屬係可以為錫、銦或鉍其中之一者；各該高熔點金屬層之金屬係可以為鋁、銀、銅、鎳、鉻、鐵、金、鉑、鈀或鈦其中之一者。
所述該熔斷結構當中之各該金屬層係可選擇以濺鍍、蒸鍍、化學鍍、離子鍍、電鍍或氣相沉積其中一種方式建置成型。
所述該熔斷結構當中之各該金屬層係建置呈矩形輪廓。
所述該熔斷結構當中之各該金屬層係建置呈工字形輪廓。
所述該熔斷結構當中之各該金屬層係建置呈蛇形輪廓。
所述該屏蔽結構係可以選擇由環氧樹脂油墨、聚苯乙烯(PS)、聚酰胺(PA)、聚碳酸脂、聚苯醚或橡膠其中一種材料加工成型。
所述該屏蔽結構係可以選擇由塗覆、網版印刷、噴塗、氣相沉積或蒸鍍其中一種方式加工成型。
所述該薄型化保護元件，係於該熔斷結構與各該電極之間分別連接一高熔點導電材料。
所述該薄型化保護元件，係於該熔斷結構與各該電極之間分別連接一高熔點導電材料，各該高熔點導電材料之總體積概等於該熔斷結構之體積。
本發明所揭露之薄型化保護元件，主要透過成膜加工技術直接於熔斷結構表面覆設由絕緣熱塑性材料成型的屏蔽結構，可以有效縮減整體保護元件之體積，有助於所應用之產品朝向薄型化方向發展；尤其，可利用在其至少兩個電極之間形成由至少兩種不同熔點之金屬層所構成的熔斷結構之結構設計，不但有利於整體保護元件實現產品規格之多樣性，且其可使用的金屬選擇範圍較大，足以避開可能產生毒性的金屬，有助於保護元件通過RoHS標準。
本發明主要提供一種可以有效縮減體積，有助於所應用之產品朝向薄型化方向發展的薄型化保護元件，如第2圖至第4圖所示，本發明之薄型化保護元件，係在一絕緣基板20上設有至少兩個供與外部電路電氣連接的電極31、32，另有一可供於預先設定溫度下熔斷的熔斷結構40電氣連接於該至少兩個電極31、32之間，以及設有一至少將該熔斷結構40遮蔽的屏蔽結構50。
本發明之特徵在於：該屏蔽結構50係由絕緣熱塑性材料透過成膜加工技術直接覆設於該熔斷結構40表面；於實施時，所述該屏蔽結構50係可以選擇由環氧樹脂油墨、聚苯乙烯(PS)、聚酰胺(PA)、聚碳酸脂、聚苯醚或橡膠其中一種材料加工成型；以及，可以選擇由塗覆、網版印刷、噴塗、氣相沉積或蒸鍍其中一種方式加工成型。
如第5圖所示，本發明之薄型化保護元件在瞬間電流超過預定的電流額值，而使熔斷結構40被高溫燒熔的情況下，其屏蔽結構50係可配合燒熔的熔斷結構40之隆起而對應變型，且同時接受高溫作用而產生極佳的延展性，不致被隆起的熔斷結構40撐毀，藉以可以有效縮減整體保護元件之體積，有助於所應用之產品朝向薄型化方向發展。
本發明之薄型化保護元件，於實施時，所述該熔斷結構40係可以合金型態呈現；所述該熔斷結構40亦可如第2圖及4圖所示，由至少兩種不同熔點的金屬層所疊置構成；在第2圖及第4圖所示之實施例中，所述該熔斷結構40係由下而上依序設有一高熔點金屬層41及一低熔點金屬層42；當然，所述該熔斷結構40亦可由下而上依序設有一低熔點金屬層及一高熔點金屬層。
再者，不論所述該熔斷結構係以合金型態呈現，或是由至少兩種不同熔點的金屬層所疊置構成，整體薄型化保護元件，係可進一步於該熔斷結構40與各該電極之間分別連接一高熔點導電材料60，得以進一步縮減熔斷結構40，藉以降低其高溫燒熔時之隆起程度；在此結構型態下，所述各該高熔點導電材料60之總體積概等於該熔斷結構40之體積為佳。
本發明之薄型化保護元件，於實施時，於實施時，所述該熔斷結構40亦可如第6圖所示，由下而上依序設有一高熔點金屬層41、一低熔點金屬層42及一高熔點金屬層41；或由下而上依序設有一低熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層；或由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。
以及，所述該熔斷結構40亦可如第7圖所示，由下而上依序設有一低熔點金屬層42、一高熔點金屬層41、一高熔點金屬層41及一高熔點金屬層41；或由下而上依序設有一高熔點金屬層、一低熔點金屬層、一高熔點金屬層及一高熔點金屬層；或由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層、一低熔點金屬層及一高熔點金屬層；或由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。
至於，上述各該低熔點金屬層之熔點係可介於攝氏60~350度，各該高熔點金屬層之熔點則可介於攝氏600~1900度。以及，所述各該低熔點金屬層之金屬係可以為錫、銦或鉍其中之一者；各該高熔點金屬層之金屬係可以為鋁、銀、銅、鎳、鉻、鐵、金、鉑、鈀或鈦其中之一者。
以第2圖及第4圖所示之結構型態為例，本發明之薄型化保護元件，可在其至少兩個電極31、32之間形成由至少兩種不同熔點之金屬層(如圖中所示之高熔點金屬層41、低熔點金屬層42)所構成的熔斷結構40，且在常態下由熔斷結構40之全數金屬層(高熔點金屬層41、低熔點金屬層42)構成保護元件之電極導通，使保護元件得以應用於需要具備過電流或或過電壓保護之電路中。
當瞬間電流超過預定的電流額值時，熔斷結構40當中熔點相對較低的金屬層(低熔點金屬層42)首先熔斷，同時熔斷結構40因為電流阻抗瞬間增加，致使其他熔點相對較高的金屬層(高熔點金屬層41)可被高溫燒熔，藉以產生使其所保護之電路免於損壞之斷電效果。
尤其，可透過調整不同金屬層之質量比的方式控制熔斷結構之熔斷溫度，有利於整體保護元件實現產品規格之多樣性，且其可使用的金屬選擇範圍較大，足以避開可能產生毒性的金屬，有助於保護元件通過電氣、電子設備中限制使用某些有害物質指令(the Restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment , RoHS)標準。
本發明之第一具體實施型態下，所述該熔斷結構係可設有一由錫構成的錫金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層與該銅金屬層的體積比為30：1~120：1；該銅金屬層之厚度介於0.1~2um；該錫金屬層之厚度介於3~240um。在此實施型態下；該錫金屬層與該銅金屬層的體積比為60：1；該銅金屬層之厚度為1.5um；該錫金屬層之厚度為90um為佳。
本發明之第二具體實施型態下，所述該熔斷結構係可設有一由錫構成的錫金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層與該鎳金屬層的體積比為50：1~160：1；該鎳金屬層之厚度介於0.1~2um；該錫金屬層之厚度介於5~320um。在此實施型態下，該錫金屬層與該鎳金屬層的體積比為90：1；該鎳金屬層之厚度為1um；該錫金屬層之厚度為90um為佳。
本發明之第三具體實施型態下，所述該熔斷結構係可設有一由錫構成的錫金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層與該銀金屬層的體積比為25：1~110：1；該銀金屬層之厚度介於0.1~2um；該錫金屬層之厚度介於2.5~220um。在此實施型態下，該錫金屬層與該銀金屬層的體積比為50：1；該銀金屬層之厚度為1.5um；該錫金屬層之厚度為75um為佳。
本發明之第四具體實施型態下，所述該熔斷結構係可設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層及該銀金屬層的體積比為60：1：1~240：1：1；該銅金屬層加上該銀金屬層之厚度介於0.2~4um；該錫金屬層之厚度介於6~480um。在此實施型態下，該錫金屬層、該銅金屬層及該銀金屬層的體積比為120：1：1；該銅金屬層加上該銀金屬層之厚度為1.5um；該錫金屬層之厚度為90um為佳。
本發明之第五具體實施型態下，所述該熔斷結構係可設有一由錫構成的錫金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層、該鎳金屬層及該銅金屬層的體積比為100：0.5：1~320：0.5：1；該鎳金屬層加上該銅金屬層之厚度介於0.15~3um；該錫金屬層之厚度介於10~640um。在此實施型態下，該錫金屬層、該鎳金屬層及該銅金屬層的體積比為200：0.5：1；該鎳金屬層加上該銅金屬層之厚度為0.6um；該錫金屬層之厚度為80um為佳。
本發明之第六具體實施型態下，所述該熔斷結構係可設有一由錫構成的錫金屬層、一由銀構成的銀金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層、該銀金屬層及該鎳金屬層的體積比為50：1：0.5~220：1：0.5；該銀金屬層加上該鎳金屬層之厚度介於0.15~3um；該錫金屬層之厚度介於5~440um。在此實施型態下，該錫金屬層、該銀金屬層及該鎳金屬層的體積比為150：1：0.5；該銀金屬層加上該鎳金屬層之厚度為0.6um；該錫金屬層之厚度為80um為佳。
本發明之第七具體實施型態下，所述該熔斷結構係可設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由鉻構成的鉻金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層、該鎳金屬層及該鉻金屬層的體積比為80：1：0.5：0.125~300：1：0.5：0.125；該銅金屬層加上該鎳金屬層加上該鉻金屬層之厚度介於0.1625~3.25um；該錫金屬層之厚度介於8~600um。在此實施型態下，該錫金屬層、該銅金屬層、該鎳金屬層及該鉻金屬層的體積比為120：1：0.5：0.125；該銅金屬層加上該鎳金屬層加上該鉻金屬層之厚度為06um；該錫金屬層之厚度為92um為佳。
本發明之薄型化保護元件在上揭各種可能實施之結構型態下，所述各該金屬層係可選擇以濺鍍、蒸鍍、化學鍍、離子鍍、電鍍或氣相沉積其中一種方式建置成型。特別說明的是，除了與絕緣基板接觸面之金屬層外，其各該金屬層皆可使用電鍍的方式建置成型。至於，各該金屬層(如圖所示之高熔點金屬層41、低熔點金屬層42)係可建置呈如第3圖所示之矩形輪廓，使整個熔斷結構40可做較小阻值之一次性熔斷效果；各該金屬層(如圖所示之高熔點金屬層41、低熔點金屬層42)亦可建置呈如第8圖所示之工字形輪廓，使得以藉以控制整個熔斷結構40之熔斷位置；各該金屬層(如圖所示之高熔點金屬層41、低熔點金屬層42)亦可建置呈如第9圖所示之蛇形輪廓，使整個熔斷結構40可做較高阻值之一次性熔斷效果。
具體而言，本發明所揭露之薄型化保護元件，主要透過成膜加工技術直接於熔斷結構表面覆設由絕緣熱塑性材料成型的屏蔽結構，可以有效縮減整體保護元件之體積，有助於所應用之產品朝向薄型化方向發展；尤其，可利用在其至少兩個電極之間形成由至少兩種不同熔點之金屬層所構成的熔斷結構之結構設計，不但有利於整體保護元件實現產品規格之多樣性，且其可使用的金屬選擇範圍較大，足以避開可能產生毒性的金屬，有助於保護元件通過RoHS標準。
以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。
[先前技術] 11絕緣基板 12電極部 13熔斷結構 14屏蔽結構 [本發明] 20絕緣基板 31電極 32電極 40熔斷結構 41高熔點金屬層 42低熔點金屬層 50屏蔽結構 60高熔點導電材料
第1圖係為一習用保護元件之結構剖視圖。 第2圖係為本發明第一實施例之薄型化保護元件結構剖視圖。 第3圖係為本發明第一實施例之薄型化保護元件外觀結構圖。 第4圖係為本發明第一實施例之薄型化保護元件結構分解圖。 第5圖係為本發明當中之屏蔽結構配合燒熔的熔斷結構之隆起而變型之狀態示意圖。 第6圖係為本發明第二實施例之薄型化保護元件結構剖視圖。 第7圖係為本發明第三實施例之薄型化保護元件結構剖視圖。 第8圖係為本發明第四實施例之薄型化保護元件當中之熔斷結構外觀輪廓示意圖。 第9圖係為本發明第五實施例之薄型化保護元件當中之熔斷結構外觀輪廓示意圖。
20絕緣基板 31電極 32電極 40熔斷結構 41高熔點金屬層 42低熔點金屬層 50屏蔽結構 60高熔點導電材料

Claims (27)

  1. 一種薄型化保護元件，係在一絕緣基板上設有至少兩個供與外部電路電氣連接的電極，另有一可供於預先設定溫度下熔斷的熔斷結構電氣連接於該至少兩個電極之間，以及設有一至少將該熔斷結構遮蔽的屏蔽結構；其特徵在於：該屏蔽結構係由絕緣熱塑性材料透過成膜加工技術直接覆設於該熔斷結構表面；其中，該熔斷結構係由下而上依序設有一高熔點金屬層、一低熔點金屬層及一高熔點金屬層。
  2. 如請求項1所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構係由下而上依序設有一高熔點金屬層、一低熔點金屬層、一高熔點金屬層及一高熔點金屬層。
  3. 如請求項1所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構係由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層、一低熔點金屬層及一高熔點金屬層。
  4. 如請求項1所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層與該銅金屬層的體積比為30：1~120：1；該銅金屬層之厚度介於0.1~2um；該錫金屬層之厚度介於3~240um。
  5. 如請求項1所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層與該銅金屬層的體積比為60：1；該銅金屬層之厚度為1.5um；該錫金屬層之厚度為90um。
  6. 如請求項1所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層與該鎳金屬層的體積比為50：1~160：1；該鎳金屬層之厚度介於0.1~2um；該錫金屬層之厚度介於5~320um。
  7. 如請求項1所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層與該鎳金屬層的體積比為90：1；該鎳金屬層之厚度為1um；該錫金屬層之厚度為90um。
  8. 如請求項1所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層與該銀金屬層的體積比為25：1~110：1；該銀金屬層之厚度介於0.1~2um；該錫金屬層之厚度介於2.5~220um。
  9. 如請求項1所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層與該銀金屬層的體積比為50：1；該銀金屬層之厚度為1.5um；該錫金屬層之厚度為75um。
  10. 如請求項1所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層及該銀金屬層的體積比為60：1：1~240：1：1；該銅金屬層加上該銀金屬層之厚度介於0.2~4um；該錫金屬層之厚度介於6~480um。
  11. 如請求項1所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層及該銀金屬層的體積比為120：1：1；該銅金屬層加上該銀金屬層之厚度為1.5um；該錫金屬層之厚度為90um。
  12. 如請求項1所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層、該鎳金屬層及該銅金屬層的體積比為100：0.5：1~320：0.5：1；該鎳金屬層加上該銅金屬層之厚度介於0.15~3um；該錫金屬層之厚度介於10~640um。
  13. 如請求項1所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層、該鎳金屬層及該銅金屬層的體積比為200：0.5：1；該鎳金屬層加上該銅金屬層之厚度為0.6um；該錫金屬層之厚度為80um。
  14. 如請求項1所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銀構成的銀金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層、該銀金屬層及該鎳金屬層的體積比為50：1：0.5~220：1：0.5；該銀金屬層加上該鎳金屬層之厚度介於0.15~3um；該錫金屬層之厚度介於5~440um。
  15. 如請求項1所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銀構成的銀金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層、該銀金屬層及該鎳金屬層的體積比為150：1：0.5；該銀金屬層加上該鎳金屬層之厚度為0.6um；該錫金屬層之厚度為80um。
  16. 如請求項2所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由鉻構成的鉻金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層、該鎳金屬層及該鉻金屬層的體積比為80：1：0.5：0.125~300：1：0.5：0.125；該銅金屬層加 上該鎳金屬層加上該鉻金屬層之厚度介於0.1625~3.25um；該錫金屬層之厚度介於8~600um。
  17. 如請求項2所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由鉻構成的鉻金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層、該鎳金屬層及該鉻金屬層的體積比為120：1：0.5：0.125；該銅金屬層加上該鎳金屬層加上該鉻金屬層之厚度為06um；該錫金屬層之厚度為92um。
  18. 如請求項2至3其中任一項所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構當中之各該低熔點金屬層之熔點係介於攝氏60~350度，各該高熔點金屬層之熔點係介於攝氏600~1900度。
  19. 如請求項2至3其中任一項所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構當中之各該低熔點金屬層之金屬係可以為錫、銦或鉍其中之一者；各該高熔點金屬層之金屬係可以為鋁、銀、銅、鎳、鉻、鐵、金、鉑、鈀或鈦其中之一者。
  20. 如請求項2至17其中任一項所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構當中之各該金屬層係可選擇以濺鍍、蒸鍍、化學鍍、離子鍍、電鍍或氣相沉積其中一種方式建置成型。
  21. 如請求項2至17其中任一項所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構當中之各該金屬層係建置呈矩形輪廓。
  22. 如請求項2至17其中任一項所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構當中之各該金屬層係建置呈工字形輪廓。
  23. 如請求項2至17其中任一項所述之薄型化保護元件，其中，該熔斷結構當中之各該金屬層係建置呈蛇形輪廓。
  24. 如請求項1至17其中任一項所述之薄型化保護元件，其中，該屏蔽結構係可以選擇由環氧樹脂油墨、聚苯乙烯(PS)、聚酰胺(PA)、聚碳酸脂、聚苯醚或橡膠其中一種材料加工成型。
  25. 如請求項1至17其中任一項所述之薄型化保護元件，其中，該屏蔽結構係可以選擇由塗覆、網版印刷、噴塗、氣相沉積或蒸鍍其中一種方式加工成型。
  26. 如請求項1至17其中任一項所述之薄型化保護元件，其中，該薄型化保護元件，係於該熔斷結構與各該電極之間分別連接一高熔點導電材料。
  27. 如請求項1至17其中任一項所述之薄型化保護元件，其中，該薄型化保護元件，係於該熔斷結構與各該電極之間分別連接一高熔點導電材料，各該高熔點導電材料之總體積概等於該熔斷結構之體積。
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