CN205944010U - 保护元件 - Google Patents
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title abstract 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 417
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 417
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 156
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 156
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 122
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 83
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 83
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 83
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 67
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 67
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 61
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 claims description 47
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 claims description 44
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010025 steaming Methods 0.000 claims 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 abstract description 5
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 abstract description 5
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N dinuclear copper ion Chemical compound [Cu].[Cu] ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 4
- XIKYYQJBTPYKSG-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni].[Ni] XIKYYQJBTPYKSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OGFYIDCVDSATDC-UHFFFAOYSA-N silver silver Chemical compound [Ag].[Ag] OGFYIDCVDSATDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910000743 fusible alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000648 terne Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Fuses (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
本实用新型的保护元件，供与外部电路电气连接的电极，且于该至少两个电极之间，配置一由至少两种不同熔点的金属层所叠置构成的熔断结构，从而可透过调整不同金属层的质量比的方式控制熔断结构的熔断温度，不但有利于整体保护元件实现产品规格的多样性，且其可使用的金属选择范围较大，足以避开可能产生毒性的金属，有助于保护元件通过RoHS标准。
Description
技术领域
本实用新型有关一种过电流/过电压保护元件，特别是指一种相对较容易控制熔断温度，有利于实现产品规格的多样性的保护元件。
背景技术
众所周知，一般电流/过电压保护元件(以下统称保护元件)，主要用以保护电路中的电路或电器设施，防止其受到瞬间超额的电流或过高的电压而对精密电子设备造成损坏。当瞬间电流超过预定的电流额值时，保护元件当中以合金材料所完成熔断结构因瞬间过大的电流所产生的热量而被高温烧熔，进而形成断路，使过大的电流不再流入电路中，以保护电路及电器设备免于损坏。
已知一种习用保护元件具有在一绝缘基板上的两个电极部，另于该两个电极部之间连接一由低熔点的合金材料所完成的熔断结构，且于该绝缘基板上罩设一至少将该熔断结构遮蔽的外壳，防止熔断结构氧化以及避免周边的电子元件或电路遭烧熔的金属损毁。
习用保护元件当中的熔断结构多由纯锡或其他低熔点合金构成，由于其熔点相对较低(小于摄氏245度)，无法满足联合行业标准，不符实际应用；另有同业采用高铅锡合金做为保护元件当中的熔断结构，其虽具备相对较高的熔点(摄氏280~300度)，但却无法通过电气、电子设备中限制使用某些有害物质指令(the Restriction of the use of certainhazardous substances in electrical and electronic equipment , RoHS)标准。
再者，碍于高熔点金属与低熔点金属的熔化温度范围不同，而有高熔点合金与低熔点合金的区别；然而，习用保护元件当中的熔断结构，主要以合金的型态呈现，以至于较不利于实现规格的多样性；因此，如何提供一种相对较容易控制熔点，有利于实现产品规格的多样性，最好能够通过RoHS标准的保护元件，以及与其相关的熔断结构，长久以来一直是产业界及学术界所亟欲解决的课题。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型所解决的技术问题即在提供一种相对较容易控制熔断温度，有利于实现产品规格的多样性的保护元件。
本实用新型所采用的技术手段如下。
本实用新型的保护元件，在一绝缘基板上设有至少两个供与外部电路电气连接的电极，另有一可供于预先设定温度下熔断的熔断结构电气连接于该至少两个电极之间，以及设有一至少将该熔断结构遮蔽的壳件；其特征在于：该熔断结构由至少两种不同熔点的金属层所叠置构成。
利用上述技术特征，本实用新型的保护元件，在其至少两个电极之间形成由至少两种不同熔点的金属层所构成的熔断结构，可透过调整不同金属层的质量比的方式控制熔断结构的熔断温度，有利于整体保护元件实现产品规格的多样性，且其可使用的金属选择范围较大，足以避开可能产生毒性的金属，有助于保护元件通过RoHS标准。
依据上述技术特征，所述该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层及一低熔点金属层。
依据上述技术特征，所述该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层及一高熔点金属层。
依据上述技术特征，所述该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一低熔点金属层及一高熔点金属层。
依据上述技术特征，所述该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。
依据上述技术特征，所述该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。
依据上述技术特征，所述该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层、一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。
依据上述技术特征，所述该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一低熔点金属层、一高熔点金属层及一高熔点金属层。
依据上述技术特征，所述该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层、一低熔点金属层及一高熔点金属层。
依据上述技术特征，所述该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。
依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层与该铜金属层的体积比为30：1~120：1；该铜金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于3~240um。
依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层与该铜金属层的体积比为60：1；该铜金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为90um。
依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层与该镍金属层的体积比为50：1~160：1；该镍金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于5~320um。
依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层与该镍金属层的体积比为90：1；该镍金属层的厚度为1um；该锡金属层的厚度为90um。
依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层与该银金属层的体积比为25：1~110：1；该银金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于2.5~220um。
依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层与该银金属层的体积比为50：1；该银金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为75um。
依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层、该铜金属层及该银金属层的体积比为60：1：1~240：1：1；该铜金属层加上该银金属层的厚度介于0.2~4um；该锡金属层的厚度介于6~480um。
依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层、该铜金属层及该银金属层的体积比为120：1：1；该铜金属层加上该银金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为90um。
依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由镍构成的镍金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层、该镍金属层及该铜金属层的体积比为100：0.5：1~320：0.5：1；该镍金属层加上该铜金属层的厚度介于0.15~3um；该锡金属层的厚度介于10~640um。
依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由镍构成的镍金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层、该镍金属层及该铜金属层的体积比为200：0.5：1；该镍金属层加上该铜金属层的厚度为0.6um；该锡金属层的厚度为80um。
依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由银构成的银金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层、该银金属层及该镍金属层的体积比为50：1：0.5~220：1：0.5；该银金属层加上该镍金属层的厚度介于0.15~3um；该锡金属层的厚度介于5~440um。
依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由银构成的银金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层、该银金属层及该镍金属层的体积比为150：1：0.5；该银金属层加上该镍金属层的厚度为0.6um；该锡金属层的厚度为80um。
依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层、一由镍构成的镍金属层及一由铬构成的铬金属层；该锡金属层、该铜金属层、该镍金属层及该铬金属层的体积比为80：1：0.5：0.125~300：1：0.5：0.125；该铜金属层加上该镍金属层加上该铬金属层的厚度介于0.1625~3.25um；该锡金属层的厚度介于8~600um。
依据上述技术特征，所述该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层、一由镍构成的镍金属层及一由铬构成的铬金属层；该锡金属层、该铜金属层、该镍金属层及该铬金属层的体积比为120：1：0.5：0.125；该铜金属层加上该镍金属层加上该铬金属层的厚度为06um；该锡金属层的厚度为92um。
所述各该低熔点金属层的熔点介于摄氏60~350度，各该高熔点金属层的熔点介于摄氏600~1900度。
所述各该低熔点金属层的金属可以为锡、铟或铋其中之一；各该高熔点金属层的金属可以为铝、银、铜、镍、铬、铁、金、铂、钯或钛其中之一。
所述各该金属层可选择以溅镀、蒸镀、化学镀、离子镀、电镀或气相沉积其中一种方式建置成型。
所述各该金属层建置呈矩形轮廓。
所述各该金属层建置呈工字形轮廓。
所述各该金属层建置呈蛇形轮廓。
本实用新型所产生的有益效果：本实用新型所揭露的保护元件，主要利用在其至少两个电极之间形成由至少两种不同熔点的金属层所构成的熔断结构的结构设计，使得以透过调整不同金属层的质量比的方式控制熔断结构的熔断温度，不但有利于整体保护元件实现产品规格的多样性，且其可使用的金属选择范围较大，足以避开可能产生毒性的金属，有助于保护元件通过RoHS标准。
附图说明
图1为本实用新型第一实施例的保护元件外观结构图。
图2为本实用新型第一实施例的保护元件结构剖视图。
图3为本实用新型第一实施例的保护元件结构分解图。
图4为本实用新型第二实施例的保护元件结构剖视图。
图5为本实用新型第三实施例的保护元件结构剖视图。
图6为本实用新型第四实施例的保护元件当中的熔断结构外观轮廓示意图。
图7为本实用新型第五实施例的保护元件当中的熔断结构外观轮廓示意图。
图号说明：
10绝缘基板
21电极
22电极
30熔断结构
31高熔点金属层
32低熔点金属层
40壳件。
具体实施方式
本实用新型主要提供一种相对较容易控制熔断温度，有利于实现产品规格的多样性的保护元件，如图1至图3所示，本实用新型的保护元件，在一绝缘基板10上设有至少两个供与外部电路电气连接的电极21、22，另有一可供于预先设定温度下熔断的熔断结构30电气连接于该至少两个电极21、22之间，以及设有一至少将该熔断结构30遮蔽的壳件40。
本实用新型的特征在于：该熔断结构30由至少两种不同熔点的金属层所叠置构成，在图2及图3所示的实施例中，所述该熔断结构30由下而上依序设有一高熔点金属层31及一低熔点金属层32；当然，所述该熔断结构亦可由下而上依序设有一低熔点金属层及一高熔点金属层。
于实施时，所述该熔断结构30亦如图4所示，由下而上依序设有一高熔点金属层31、一低熔点金属层32及一高熔点金属层31；或由下而上依序设有一低熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层；或由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。
以及，所述该熔断结构30亦可如图5所示，由下而上依序设有一低熔点金属层32、一高熔点金属层31、一高熔点金属层31及一高熔点金属层31；或由下而上依序设有一高熔点金属层、一低熔点金属层、一高熔点金属层及一高熔点金属层；或由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层、一低熔点金属层及一高熔点金属层；或由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。
至于，上述各该低熔点金属层的熔点可介于摄氏60~350度，各该高熔点金属层的熔点则可介于摄氏600~1900度。以及，所述各该低熔点金属层的金属可以为锡、铟或铋其中之一；各该高熔点金属层的金属可以为铝、银、铜、镍、铬、铁、金、铂、钯或钛其中之一。
以图2及图3所示的结构型态为例，本实用新型的保护元件，可在其至少两个电极21、22之间形成由至少两种不同熔点的金属层(如图中所示的高熔点金属层31、低熔点金属层32所构成的熔断结构30，且在常态下由熔断结构30的全数金属层(高熔点金属层31、低熔点金属层32)构成保护元件的电极导通，使保护元件得以应用于需要具备过电流或或电压保护的电路中。
当瞬间电流超过预定的电流额值时，熔断结构30当中熔点相对较低的金属层(低熔点金属层32)首先熔断，同时熔断结构30因为电流阻抗瞬间增加，致使其他熔点相对较高的金属层(高熔点金属层31)可被高温烧熔，藉以产生使其所保护的电路免于损坏的断电效果；尤其，可透过调整不同金属层的质量比的方式控制熔断结构的熔断温度，有利于整体保护元件实现产品规格的多样性，且其可使用的金属选择范围较大，足以避开可能产生毒性的金属，有助于保护元件通过RoHS标准。
本实用新型的第一具体实施型态下，所述该熔断结构可设有一由锡构成的锡金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层与该铜金属层的体积比为30：1~120：1；该铜金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于3~240um。在此实施型态下；该锡金属层与该铜金属层的体积比为60：1；该铜金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为90um为佳。
本实用新型的第二具体实施型态下，所述该熔断结构可设有一由锡构成的锡金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层与该镍金属层的体积比为50：1~160：1；该镍金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于5~320um。在此实施型态下，该锡金属层与该镍金属层的体积比为90：1；该镍金属层的厚度为1um；该锡金属层的厚度为90um为佳。
本实用新型的第三具体实施型态下，所述该熔断结构可设有一由锡构成的锡金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层与该银金属层的体积比为25：1~110：1；该银金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于2.5~220um。在此实施型态下，该锡金属层与该银金属层的体积比为50：1；该银金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为75um为佳。
本实用新型的第四具体实施型态下，所述该熔断结构可设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层、该铜金属层及该银金属层的体积比为60：1：1~240：1：1；该铜金属层加上该银金属层的厚度介于0.2~4um；该锡金属层的厚度介于6~480um。在此实施型态下，该锡金属层、该铜金属层及该银金属层的体积比为120：1：1；该铜金属层加上该银金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为90um为佳。
本实用新型的第五具体实施型态下，所述该熔断结构可设有一由锡构成的锡金属层、一由镍构成的镍金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层、该镍金属层及该铜金属层的体积比为100：0.5：1~320：0.5：1；该镍金属层加上该铜金属层的厚度介于0.15~3um；该锡金属层的厚度介于10~640um。在此实施型态下，该锡金属层、该镍金属层及该铜金属层的体积比为200：0.5：1；该镍金属层加上该铜金属层的厚度为0.6um；该锡金属层的厚度为80um为佳。
本实用新型的第六具体实施型态下，所述该熔断结构可设有一由锡构成的锡金属层、一由银构成的银金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层、该银金属层及该镍金属层的体积比为50：1：0.5~220：1：0.5；该银金属层加上该镍金属层的厚度介于0.15~3um；该锡金属层的厚度介于5~440um。在此实施型态下，该锡金属层、该银金属层及该镍金属层的体积比为150：1：0.5；该银金属层加上该镍金属层的厚度为0.6um；该锡金属层的厚度为80um为佳。
本实用新型的第七具体实施型态下，所述该熔断结构可设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层、一由镍构成的镍金属层及一由铬构成的铬金属层；该锡金属层、该铜金属层、该镍金属层及该铬金属层的体积比为80：1：0.5：0.125~300：1：0.5：0.125；该铜金属层加上该镍金属层加上该铬金属层的厚度介于0.1625~3.25um；该锡金属层的厚度介于8~600um。在此实施型态下，该锡金属层、该铜金属层、该镍金属层及该铬金属层的体积比为120：1：0.5：0.125；该铜金属层加上该镍金属层加上该铬金属层的厚度为06um；该锡金属层的厚度为92um为佳。
本实用新型的保护元件在上揭各种可能实施的结构型态下，所述各该金属层可选择以溅镀、蒸镀、化学镀、离子镀、电镀或气相沉积其中一种方式建置成型。特别说明的是，除了与绝缘基板接触面的金属层外，其各该金属层皆可使用电镀的方式建置成型。至于，各该金属层(如图所示的高熔点金属层31、低熔点金属层32)可建置呈如图3所示的矩形轮廓，使整个熔断结构30可做较小阻值的一次性熔断效果；各该金属层(如图所示的高熔点金属层31、低熔点金属层32)亦可建置呈如图6所示的工字形轮廓，使得以藉以控制整个熔断结构30的熔断位置；各该金属层(如图所示的高熔点金属层31、低熔点金属层32)亦可建置呈如图7所示的蛇形轮廓，使整个熔断结构30可做较高阻值的一次性熔断效果。
具体而言，本实用新型所揭露的保护元件，主要利用在其至少两个电极之间形成由至少两种不同熔点的金属层所构成的熔断结构的结构设计，使得以透过调整不同金属层的质量比的方式控制熔断结构的熔断温度，不但有利于整体保护元件实现产品规格的多样性，且其可使用的金属选择范围较大，足以避开可能产生毒性的金属，有助于保护元件通过RoHS标准。
Claims (30)
1.一种保护元件，在一绝缘基板上设有至少两个供与外部电路电气连接的电极，另有一可供于预先设定温度下熔断的熔断结构电气连接于该至少两个电极之间，以及设有一至少将该熔断结构遮蔽的壳件；其特征在于：
该熔断结构由至少两种不同熔点的金属层所叠置构成。
2.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层及一低熔点金属层。
3.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层及一高熔点金属层。
4.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一低熔点金属层及一高熔点金属层。
5.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。
6.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。
7.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层、一高熔点金属层、一高熔点金属层及一高熔点金属层。
8.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一低熔点金属层、一高熔点金属层及一高熔点金属层。
9.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层、一低熔点金属层及一高熔点金属层。
10.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。
11.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层与该铜金属层的体积比为30：1~120：1；该铜金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于3~240um。
12.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层与该铜金属层的体积比为60：1；该铜金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为90um。
13.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层与该镍金属层的体积比为50：1~160：1；该镍金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于5~320um。
14.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层与该镍金属层的体积比为90：1；该镍金属层的厚度为1um；该锡金属层的厚度为90um。
15.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层与该银金属层的体积比为25：1~110：1；该银金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于2.5~220um。
16.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层与该银金属层的体积比为50：1；该银金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为75um。
17.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层、该铜金属层及该银金属层的体积比为60：1：1~240：1：1；该铜金属层加上该银金属层的厚度介于0.2~4um；该锡金属层的厚度介于6~480um。
18.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层、该铜金属层及该银金属层的体积比为120：1：1；该铜金属层加上该银金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为90um。
19.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由镍构成的镍金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层、该镍金属层及该铜金属层的体积比为100：0.5：1~320：0.5：1；该镍金属层加上该铜金属层的厚度介于0.15~3um；该锡金属层的厚度介于10~640um。
20.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由镍构成的镍金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层、该镍金属层及该铜金属层的体积比为200：0.5：1；该镍金属层加上该铜金属层的厚度为0.6um；该锡金属层的厚度为80um。
21.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由银构成的银金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层、该银金属层及该镍金属层的体积比为50：1：0.5~220：1：0.5；该银金属层加上该镍金属层的厚度介于0.15~3um；该锡金属层的厚度介于5~440um。
22.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由银构成的银金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层、该银金属层及该镍金属层的体积比为150：1：0.5；该银金属层加上该镍金属层的厚度为0.6um；该锡金属层的厚度为80um。
23.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层、一由镍构成的镍金属层及一由铬构成的铬金属层；该锡金属层、该铜金属层、该镍金属层及该铬金属层的体积比为80：1：0.5：0.125~300：1：0.5：0.125；该铜金属层加上该镍金属层加上该铬金属层的厚度介于0.1625~3.25um；该锡金属层的厚度介于8~600um。
24.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层、一由镍构成的镍金属层及一由铬构成的铬金属层；该锡金属层、该铜金属层、该镍金属层及该铬金属层的体积比为120：1：0.5：0.125；该铜金属层加上该镍金属层加上该铬金属层的厚度为06um；该锡金属层的厚度为92um。
25.如权利要求2至10其中任一所述的保护元件，其特征在于，各该低熔点金属层的熔点介于摄氏60~350度，各该高熔点金属层的熔点介于摄氏600~1900度。
26.如权利要求2至10其中任一所述的保护元件，其特征在于，各该低熔点金属层的金属为锡、铟或铋其中之一；各该高熔点金属层的金属为铝、银、铜、镍、铬、铁、金、铂、钯或钛其中之一。
27.如权利要求1至24其中任一所述的保护元件，其特征在于，各该金属层以溅镀、蒸镀、化学镀、离子镀、电镀或气相沉积其中一种方式建置成型。
28.如权利要求1至24其中任一所述的保护元件，其特征在于，各该金属层建置呈矩形轮廓。
29.如权利要求1至24其中任一所述的保护元件，其特征在于，各该金属层建置呈工字形轮廓。
30.如权利要求1至24其中任一所述的保护元件，其特征在于，各该金属层建置呈蛇形轮廓。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201620775179.2U CN205944010U (zh) | 2016-07-21 | 2016-07-21 | 保护元件 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201620775179.2U CN205944010U (zh) | 2016-07-21 | 2016-07-21 | 保护元件 |
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| CN205944010U true CN205944010U (zh) | 2017-02-08 |
Family
ID=57926047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201620775179.2U Active CN205944010U (zh) | 2016-07-21 | 2016-07-21 | 保护元件 |
Country Status (1)
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