WO2019116814A1 - チップ抵抗器 - Google Patents

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WO2019116814A1
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pair
resistor
surface electrodes
protective film
electrodes
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Inventor
裕介 山本
井関　健
Original Assignee
パナソニックＩｐマネジメント株式会社
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    • H01C1/00—Details
    • H01C1/02—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
    • H01C1/034—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure the housing or enclosure being formed as coating or mould without outer sheath
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/142—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being coated on the resistive element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
    • H01C17/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by removing or adding resistive material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material

Definitions

  • the present invention relates to a small chip resistor formed of a thick film resistor used in various electronic devices.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the chip resistor 500.
  • the chip resistor 500 is provided between the insulating substrate 1, the pair of upper surface electrodes 2 provided at both ends of the upper surface of the insulating substrate 1, and the upper surface of the insulating substrate 1 and between the pair of upper electrodes 2.
  • Resistor 3 a pair of top electrodes 2, a pair of top electrodes 4 covering resistor 3, a protective film 5a covering resistor 3, a portion of resistor 3 and a pair of top electrodes 4 A protective film 5b provided, a pair of end surface electrodes 6 provided on both end surfaces of the insulating substrate 1 so as to be electrically connected to the pair of upper surface electrodes 2, a part of the pair of upper surface electrodes 4 and a pair of And a plating layer 7 formed on the surface of the end face electrode 6.
  • the resistor 3 is provided with a trimming groove 8 for adjusting the resistance value.
  • a conventional chip resistor similar to chip resistor 500 is disclosed, for example, in US Pat.
  • the chip resistor is provided between the insulating substrate, the pair of first upper surface electrodes provided at both ends of the upper surface of the insulating substrate, and the upper surface of the insulating substrate and formed between the pair of first upper surface electrodes.
  • a resistor connected to the pair of first upper surface electrodes, a pair of second upper surface electrodes formed on upper surfaces of the pair of first upper surface electrodes to cover the resistor and connected to the resistor;
  • a pair of protective layers provided so as to cover the body and the pair of second upper surface electrodes, and a pair of end surfaces of the insulating substrate provided so as to be electrically connected to at least the pair of first upper surface electrodes.
  • An end surface electrode, a part of the upper surface of the pair of second upper surface electrodes, and a pair of metal layers formed on the surface of the pair of end surface electrodes are provided.
  • a trimming groove is formed in the resistor.
  • the pair of second upper surface electrodes has a portion closer to the trimming groove than the pair of first upper surface electrodes, and does not cover the trimming groove in top view.
  • the protective layer includes a first protective film and a second protective film covering the first protective film.
  • the first protective film has a thermal conductivity higher than that of the second protective film.
  • This chip resistor can handle high power.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of a chip resistor in the embodiment.
  • FIG. 1B is an enlarged cross-sectional view of the chip resistor shown in FIG. 1A.
  • FIG. 2 is a view showing a change in temperature of a resistor of a chip resistor in the embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of another chip resistor in the embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of still another chip resistor in the embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a conventional chip resistor.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of a chip resistor 1000 according to the embodiment.
  • the chip resistor 1000 comprises the insulating substrate 11.
  • the insulating substrate 11 has an upper surface 111, a lower surface 211, and a pair of end surfaces 311a and 311b opposite to each other.
  • the end surfaces 311 a and 311 b are connected to the upper surface 111 and the lower surface 211.
  • the chip resistor 1000 is provided on the insulating substrate 11, a pair of upper surface electrodes 12a and 12b provided at both ends of the upper surface 111 of the insulating substrate 11, and a pair of upper surface electrodes 12a provided on the upper surface 111 of the insulating substrate 11.
  • a pair of end surface electrodes 17a and 17b provided, a part of the pair of upper surface electrodes 15a and 15b, and a metal layer 18 formed on the surface of the pair of end surface electrodes 17a and 17b. , And a 18b.
  • the protective layer 16 is composed of a protective film 16a covering the resistor 13 and the pair of upper surface electrodes 15a and 15b, and a protective film 16b covering the protective film 16a.
  • the thermal conductivity of the protective film 16a is higher than that of the protective film 16b.
  • the insulating substrate 11 is made of alumina containing 96% of Al 2 O 3 .
  • the upper surface 111, the lower surface 211, and the end faces 311a and 311b of the insulating substrate 11 have a rectangular shape, and the insulating substrate 11 has a rectangular shape in top view.
  • the upper surface electrodes 12a and 12b are provided at both end portions respectively connected to the end surfaces 311a and 311b of the upper surface 111 of the insulating substrate 11, and are formed by printing and baking a thick film material made of silver, silver palladium or copper. ing.
  • Lower surface electrodes 20a and 20b are formed at both end portions connected to the end surfaces 311a and 311b of the lower surface 211 of the insulating substrate 11, respectively.
  • the chip resistor 1000 may not include the lower surface electrodes 20a and 20b.
  • the resistor 13 is formed by printing a thick film material made of silver palladium, ruthenium oxide, or copper nickel between the upper surface electrodes 12 a and 12 b on the upper surface 111 of the insulating substrate 11 and baking it. Both ends of the resistor 13 are located on the top surfaces 112a and 112b of the top electrodes 12a and 12b, respectively.
  • the resistor 13 is not rod-like, and both ends thereof are located inside the insulating substrate 11.
  • the coat layer 14 is provided on the upper surface 113 of the resistor 13 to completely cover the resistor 13.
  • a coat layer 14 made of an insulating material such as borosilicate glass is provided to cover the resistor 13.
  • a trimming groove 19 is provided in the resistor 13 by irradiating a laser from above the coating layer 14. By adjusting the width and length of the trimming groove 19, the resistance value of the resistor 13 can be adjusted.
  • the top electrodes 15a and 15b are formed by printing and baking a thick film material made of silver, silver palladium or copper.
  • the upper surface electrodes 15 a and 15 b are formed on a part of each of the upper surface electrodes 12 a and 12 b which is not covered by the resistor 13 and exposed from the resistor 13 and a part of the upper surface 114 of the coating layer 14.
  • the upper surface electrodes 15 a and 15 b are not in contact with the resistor 13.
  • the upper surface electrodes 15a and 15b are connected to the resistor 13 via the upper surface electrodes 12a and 12b, respectively.
  • the opposing or inward end portions of the pair of upper surface electrodes 15 a and 15 b are covered with a protective layer 16.
  • the upper surface electrodes 15a and 15b respectively have portions 315a and 315b closer to the trimming groove 19 than the upper surface electrodes 12a and 12b.
  • the portions 315a, 315b of the top surface electrodes 15a, 15b are mutually opposing inner portions of the top surface electrodes 15a, 15b.
  • the portions 315a and 315b of the upper surface electrodes 15a and 15b extend to the vicinity of the trimming groove 19, but do not cover the trimming groove 19 in top view. When the upper surface electrodes 15a and 15b cover the trimming groove 19, the resistance value of the chip resistor 1000 may change, or the state of the trimming groove 19 may not be confirmed.
  • the portions 315 a, 315 b of the top electrodes 15 a, 15 b are located above the top surface 113 of the resistor 13.
  • the top electrodes 15a and 15b are completely covered by the protective layer 16 and the metal layers 18a and 18b, respectively, and are not exposed from the protective layer 16 and the metal layers 18a and 18b. Thus, the heat transmitted to the upper surface electrodes 15a and 5b can be directly transmitted to the metal layers 18a and 18b without escape.
  • the protective layer 16 is composed of a protective film 16a and a protective film 16b covering the protective film 16a.
  • the protective film 16 b is provided on the upper surface 116 a of the protective film 16 a.
  • the protective film 16 a is formed to abut directly on the coating layer 14 and a portion of the at least one pair of upper surface electrodes 15 a and 15 b located on the upper surface 114 of the coating layer 14.
  • the protective film 16 a is located between the protective film 16 b and the resistor 13.
  • FIG. 1B is an enlarged cross-sectional view of the chip resistor 1000 shown in FIG. 1A.
  • the protective film 16 a is composed of a resin 91 and a filler 92 made of alumina or silica mixed and dispersed in the resin 91.
  • the resin 91 is an epoxy resin.
  • the protective film 16 b is formed to cover the protective film 16 a.
  • the protective film 16 b is provided by a thick film material made of epoxy resin. Therefore, the protective film 16a is more easily transferred to heat than the protective film 16b, and its thermal conductivity is high.
  • the pair of end face electrodes 17a and 17b are respectively provided on both end faces 311a and 311b of the insulating substrate 11, and electrically connected to the pair of upper surface electrodes 12a and 12b and the pair of upper surface electrodes 15a and 15b, respectively. It is formed by printing a material made of resin.
  • Metal layers 18a and 18b made of metal are respectively formed on the surfaces of the pair of end face electrodes 17a and 17b.
  • the metal layer 18a includes a metal film 118a formed on the end face electrode 17a, and a metal film 218a formed on the metal film 118a and covering the metal film 118a.
  • the metal layer 18b includes a metal film 118b formed on the end face electrode 17b and a metal film 218b formed on the metal film 118b and covering the metal film 118b.
  • the metal layer 18 is a plating layer formed by plating a metal.
  • the metal films 118a and 118b are plating films formed by plating nickel (Ni) on the end surface electrodes 17a and 17b, and the metal films 218a and 218b are tin (metal) films on the metal films 118a and 118b. It is another plating film formed by plating Sn).
  • Ni nickel
  • the metal films 218a and 218b are tin (metal) films on the metal films 118a and 118b. It is another plating film formed by plating Sn).
  • materials and manufacturing methods of the metal layers 18a and 18b are not limited thereto.
  • the metal layers 18 a and 18 b are connected to parts of the pair of upper surface electrodes 15 a and 15 b and in contact with the protective layer 16.
  • the vicinity of the trimming groove 19 in the resistor 13 becomes a hot spot which is locally the hottest.
  • the distance between the trimming groove 19 and the pair of upper surface electrodes 15a and 15b is short, and the pair of upper surface electrodes 15a and 15b are in contact with the protective film 16a having high thermal conductivity. Covered. Therefore, the heat generated at the hot spot in the vicinity of the trimming groove 19 can be efficiently released to the metal layers 18a and 18b, whereby the temperature of the hot spot of the resistor 13 can be lowered, and high power is input to the chip resistor. it can.
  • the upper surface electrodes 15a and 15b have higher thermal conductivity than the upper surface electrodes 12a and 12b.
  • the upper surface electrodes 12a and 12b are made of copper, and the upper surface electrodes 15a and 15b are made of silver.
  • the heat generated at the hot spot in the vicinity of the trimming groove 19 is transmitted to the pair of upper surface electrodes 15a and 15b having high thermal conductivity and the protective film 16a, so that the heat is effectively transmitted to the metal layers 18a and 18b more effectively.
  • the heat does not escape upward due to the pair of upper surface electrodes 15a and 15b and the protective film 16b having a thermal conductivity lower than that of the protective film 16a, so the heat is more effectively transmitted to the metal layers 18a and 18b.
  • the temperature of the hot spot of the resistor 13 decreases, and The temperature can be made uniform.
  • the temperature of the hot spot of the resistor 13 is lowered, and the temperature of the resistor 13 can be made uniform. High power can be input to the
  • FIG. 2 shows the content of the filler 92 in the protective film 16 a and the change in temperature of the resistor 13.
  • the vertical axis indicates the change in temperature of the resistor 13
  • the horizontal axis indicates the content of the filler 92 in the protective film 16 a in weight percent.
  • FIG. 2 shows the temperature of the hot spot of the resistor 13 when the content of the filler 92 is 60 wt% (weight%) as a reference point 0 ° C.
  • FIG. 2 shows some values of the content of the filler 92 and the temperature of the hot spot of the resistor 13 at these values as a change (° C.) from the reference point.
  • the amount of the resin 91 is extremely reduced, so that the protective film 16a hardly adheres to the insulating substrate 11, the resistor 13 or the coat layer 14, and the insulating substrate 11 or the resistor 13 or the coating layer 14 is not preferable because the workability at the time of production is deteriorated.
  • the content of the filler 92 in the protective film 16a is set to 90 wt% to 97 wt%.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of another chip resistor 1001 in the embodiment.
  • the same parts as those of the chip resistor 1000 shown in FIG. 1A are denoted by the same reference numerals.
  • the coating layer 14 is provided on the upper surface 113 of the resistor 13 so as to expose the end portions 13 a and 13 b of the resistor 13 and covers the resistor 13.
  • the upper surface electrodes 15 a and 15 b are connected to the end portions 13 a and 13 b of the resistor 13 respectively.
  • the opposing or inward end portions of the pair of upper surface electrodes 15 a and 15 b are covered with a protective layer 16.
  • the upper surface electrodes 15a and 15b are connected to the resistor 13 via the upper surface electrodes 12a and 12b.
  • the upper surface electrodes 15 a and 15 b are in direct contact with the end portions 13 a and 13 b of the resistor 13.
  • the chip resistor 1001 can make the temperature of the resistor 13 low and uniform even when high power is input.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of still another chip resistor 1002 in the embodiment.
  • the same parts as those of the chip resistor 1000 shown in FIG. 1A are denoted by the same reference numerals.
  • the chip resistor 1002 does not include the coat layer 14 of the chip resistor 1000 shown in FIG. 1A.
  • the upper surface electrodes 15 a and 15 b are connected not only to the end portions 13 a and 13 b of the resistor 13 but also in contact with the upper surface 113. Further, the protective film 16a is formed to abut directly on the resistor 13 and a portion of at least a pair of upper surface electrodes 15a and 15b located on the upper surface 113 of the resistor 13. The protective film 16 a of the protective layer 16 abuts on the upper surface 113 of the resistor 13.
  • the chip resistor 1002 can make the temperature of the resistor 13 low and uniform even when high power is input.
  • the term indicating the direction such as “upper surface” or “lower surface” indicates a relative direction determined only by the relative position of chip resistor components such as an insulating substrate, etc. It does not indicate the direction.

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Abstract

チップ抵抗器は、絶縁基板と、絶縁基板の上面の両端部に設けられた一対の第１の上面電極と、絶縁基板の上面に設けられ、かつ一対の第１の上面電極の間に形成されて一対の第１の上面電極に接続された抵抗体と、一対の第１の上面電極の上面に形成されて抵抗体を覆いかつ抵抗体に接続された一対の第２の上面電極と、抵抗体と一対の第２の上面電極を覆うように設けられた保護層と、少なくとも一対の第１の上面電極と電気的に接続されるように絶縁基板の一対の端面にそれぞれ設けられた一対の端面電極と、一対の第２の上面電極の上面の一部と一対の端面電極の表面に形成された一対の金属層とを備える。抵抗体にはトリミング溝が形成されている。保護層は、第１の保護膜と、第１の保護膜を覆う第２の保護膜とを含む。第１の保護膜は第２の保護膜より熱伝導率が高い。

Description

チップ抵抗器
　本発明は、各種電子機器に使用される厚膜抵抗体で形成された小形のチップ抵抗器に関する。
　図５はチップ抵抗器５００の断面図である。チップ抵抗器５００は、絶縁基板１と、絶縁基板１の上面の両端部に設けられた一対の上面電極２と、絶縁基板１の上面に設けられてかつ一対の上面電極２間に形成された抵抗体３と、一対の上面電極２と、抵抗体３を覆う一対の上面電極４と、抵抗体３を覆う保護膜５ａと、抵抗体３と一対の上面電極４の一部を覆うように設けられた保護膜５ｂと、一対の上面電極２と電気的に接続されるように絶縁基板１の両端面に設けられた一対の端面電極６と、一対の上面電極４の一部と一対の端面電極６の表面に形成されためっき層７とを備えている。抵抗体３には抵抗値調整用のトリミング溝８が設けられている。
　チップ抵抗器５００に類似する従来のチップ抵抗器が、例えば、特許文献１に開示されている。
　チップ抵抗器５００においては、高電力を入力すると抵抗体３の発熱が大きくなり、高電力を入力できない場合がある。
特開２０１１－２２２７５７号公報
　チップ抵抗器は、絶縁基板と、絶縁基板の上面の両端部に設けられた一対の第１の上面電極と、絶縁基板の上面に設けられ、かつ一対の第１の上面電極の間に形成されて一対の第１の上面電極に接続された抵抗体と、一対の第１の上面電極の上面に形成されて抵抗体を覆いかつ抵抗体に接続された一対の第２の上面電極と、抵抗体と一対の第２の上面電極を覆うように設けられた保護層と、少なくとも一対の第１の上面電極と電気的に接続されるように絶縁基板の一対の端面にそれぞれ設けられた一対の端面電極と、一対の第２の上面電極の上面の一部と一対の端面電極の表面に形成された一対の金属層とを備える。抵抗体にはトリミング溝が形成されている。一対の第２の上面電極は、一対の第１の上面電極よりトリミング溝に近い部分を有しかつ上面視でトリミング溝を覆っていない。保護層は、第１の保護膜と、第１の保護膜を覆う第２の保護膜とを含む。第１の保護膜は第２の保護膜より熱伝導率が高い。
　このチップ抵抗器は高電力に対応可能である。
図１Ａは実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図である。 図１Ｂは図１Ａに示すチップ抵抗器の拡大断面図である。 図２は実施の形態におけるチップ抵抗器の抵抗体の温度の変化を示す図である。 図３は実施の形態における他のチップ抵抗器の断面図である。 図４は実施の形態におけるさらに他のチップ抵抗器の断面図である。 図５は従来のチップ抵抗器の断面図である。
　図１Ａは実施の形態におけるチップ抵抗器１０００の断面図である。チップ抵抗器１０００は絶縁基板１１を備える。絶縁基板１１は、上面１１１と、下面２１１と、互いに反対側の一対の端面３１１ａ、３１１ｂとを有する。端面３１１ａ、３１１ｂは上面１１１と下面２１１とに繋がる。チップ抵抗器１０００は、絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の上面１１１の両端部に設けられた一対の上面電極１２ａ、１２ｂと、絶縁基板１１の上面１１１に設けられてかつ一対の上面電極１２ａ、１２ｂの間に形成された抵抗体１３と、抵抗体１３を覆うコート層１４と、一対の上面電極１２ａ、１２ｂの上面１１２ａ、１１２ｂに形成されて抵抗体１３を覆う一対の上面電極１５ａ、１５ｂと、抵抗体１３とコート層１４と一対の上面電極１５ａ、１５ｂとを覆う保護層１６と、少なくとも一対の上面電極１２ａ、１２ｂと電気的に接続されるように絶縁基板１１の両端面に設けられた一対の端面電極１７ａ、１７ｂと、一対の上面電極１５ａ、１５ｂの一部と一対の端面電極１７ａ、１７ｂの表面にそれぞれ形成された金属層１８ａ、１８ｂとを備えている。
　保護層１６は、抵抗体１３と一対の上面電極１５ａ、１５ｂを覆う保護膜１６ａと、保護膜１６ａを覆う保護膜１６ｂとで構成されている。保護膜１６ａは保護膜１６ｂより熱伝導率が高くなっている。
　絶縁基板１１は、Ａｌ２Ｏ３を９６％含有するアルミナで構成されている。絶縁基板１１の上面１１１と下面２１１と端面３１１ａ、３１１ｂとは矩形状を有し、絶縁基板１１は上面視で矩形状を有する。
　上面電極１２ａ、１２ｂは、絶縁基板１１の上面１１１の端面３１１ａ、３１１ｂにそれぞれ繋がる両端部に設けられており、銀、銀パラジウム、または銅からなる厚膜材料を印刷、焼成することによって形成されている。なお、絶縁基板１１の下面２１１の端面３１１ａ、３１１ｂにそれぞれ繋がる両端部には下面電極２０ａ、２０ｂが形成されている。チップ抵抗器１０００は下面電極２０ａ、２０ｂを備えていなくてもよい。
　抵抗体１３は、絶縁基板１１の上面１１１において上面電極１２ａ、１２ｂの間に、銀パラジウム、酸化ルテニウム、または銅ニッケルからなる厚膜材料を印刷した後、焼成することによって形成されている。抵抗体１３の両端部は上面電極１２ａ、１２ｂの上面１１２ａ、１１２ｂにそれぞれ位置している。なお、抵抗体１３は棒状ではなく、その両端部は絶縁基板１１の内側に位置している。
　コート層１４は抵抗体１３の上面１１３に設けられて抵抗体１３を完全に覆う。抵抗体１３を覆うように硼珪酸ガラス等の絶縁材料で構成されたコート層１４が設けられている。コート層１４の上方からレーザを照射して抵抗体１３にトリミング溝１９設けられている。トリミング溝１９の幅や長さを調整することで、抵抗体１３の抵抗値を調整することができる。
　上面電極１５ａ、１５ｂは、銀、銀パラジウム、または銅からなる厚膜材料を印刷、焼成することによって形成されている。上面電極１５ａ、１５ｂは、抵抗体１３に覆われておらず抵抗体１３から露出する上面電極１２ａ、１２ｂのそれぞれの一部とコート層１４の上面１１４の一部に形成されている。上面電極１５ａ、１５ｂは抵抗体１３に当接していない。上面電極１５ａ、１５ｂは、抵抗体１３にそれぞれ上面電極１２ａ、１２ｂを介して接続されている。一対の上面電極１５ａ、１５ｂの互いに対向するすなわち内側に向かう端部は保護層１６に覆われている。
　上面電極１５ａ、１５ｂは、上面電極１２ａ、１２ｂに比べてトリミング溝１９に近い部分３１５ａ、３１５ｂをそれぞれ有する。上面電極１５ａ、１５ｂの部分３１５ａ、３１５ｂは上面電極１５ａ、１５ｂの互いに対向する内側の部分である。上面電極１５ａ、１５ｂの部分３１５ａ、３１５ｂはトリミング溝１９の近傍まで延びているが、上面視でトリミング溝１９を覆わない。上面電極１５ａ、１５ｂがトリミング溝１９を覆うとチップ抵抗器１０００の抵抗値が変化したり、トリミング溝１９の状態を確認できなかったりする場合がある。上面電極１５ａ、１５ｂの部分３１５ａ、３１５ｂは抵抗体１３の上面１１３の上方に位置する。
　上面電極１５ａ、１５ｂは、保護層１６と金属層１８ａ、１８ｂによってそれぞれ完全に覆われ、保護層１６と金属層１８ａ、１８ｂから露出していない。これにより、上面電極１５ａ、５ｂに伝わった熱が逃げずに、直接金属層１８ａ、１８ｂまで伝わるようにすることができる。
　保護層１６は、保護膜１６ａと、保護膜１６ａを覆う保護膜１６ｂとで構成されている。保護膜１６ｂは保護膜１６ａの上面１１６ａに設けられている。
　保護膜１６ａは、コート層１４と、少なくとも一対の上面電極１５ａ、１５ｂのコート層１４の上面１１４に位置する部分とに当接して直接覆うように形成されている。保護膜１６ａは、保護膜１６ｂと抵抗体１３との間に位置する。
　図１Ｂは図１Ａに示すチップ抵抗器１０００の拡大断面図である。保護膜１６ａは、樹脂９１と、樹脂９１に混合されて分散するアルミナまたはシリカからなるフィラー９２とで構成されている。実施の形態では、樹脂９１はエポキシ樹脂である。
　保護膜１６ｂは、保護膜１６ａを覆うように形成されている。保護膜１６ｂは、エポキシ樹脂からなる厚膜材料により設けられている。したがって、保護膜１６ａは、保護膜１６ｂより熱が伝わりやすく、熱伝導率が高くなっている。
　一対の端面電極１７ａ、１７ｂは絶縁基板１１の両端面３１１ａ、３１１ｂにそれぞれ設けられ、一対の上面電極１２ａ、１２ｂと一対の上面電極１５ａ、１５ｂとそれぞれ電気的に接続されるように、Ａｇと樹脂からなる材料を印刷することによって形成される。
　一対の端面電極１７ａ、１７ｂの表面には、金属よりなる金属層１８ａ、１８ｂがそれぞれ形成されている。金属層１８ａは、端面電極１７ａ上に形成された金属膜１１８ａと、金属膜１１８ａ上に形成されて金属膜１１８ａを覆う金属膜２１８ａからなる。金属層１８ｂは、端面電極１７ｂ上に形成された金属膜１１８ｂと、金属膜１１８ｂ上に形成されて金属膜１１８ｂを覆う金属膜２１８ｂからなる。実施の形態では、金属層１８は金属をめっきして形成されるめっき層である。具体的には実施の形態では金属膜１１８ａ、１１８ｂは端面電極１７ａ、１７ｂにニッケル（Ｎｉ）をめっきして形成されためっき膜であり、金属膜２１８ａ、２１８ｂは金属膜１１８ａ、１１８ｂにすず（Ｓｎ）をめっきして形成され他めっき膜である。ただし、金属層１８ａ、１８ｂ（金属膜１１８ａ、１１８ｂ、２１８ａ、２１８ｂ）の材料や製法はこれらに限らない。金属層１８ａ、１８ｂは、一対の上面電極１５ａ、１５ｂの一部と接続され、かつ保護層１６と接する。
　上面電極１２ａ、１２ｂ、１５ａ、１５ｂを通して抵抗体１３に電流が流れると、抵抗体１３のうちトリミング溝１９の近傍が局部的に最も高温であるホットスポットとなる。上記したように実施の形態におけるチップ抵抗器１０００では、トリミング溝１９と一対の上面電極１５ａ、１５ｂとの距離が近く、また一対の上面電極１５ａ、１５ｂが熱伝導率の高い保護膜１６ａに接触して覆われている。したがって、トリミング溝１９近傍のホットスポットで発生した熱を効率よく金属層１８ａ、１８ｂに放出でき、これにより、抵抗体１３のホットスポットの温度を下げることができ、高電力をチップ抵抗器に入力できる。
　上面電極１５ａ、１５ｂは上面電極１２ａ、１２ｂより熱伝導率が高い。実施の形態では、上面電極１２ａ、１２ｂは銅よりなり、上面電極１５ａ、１５ｂは銀よりなる。これにより、トリミング溝１９近傍のホットスポットで発生した熱が、熱伝導性が高い一対の上面電極１５ａ、１５ｂと保護膜１６ａへ伝わるので、効果的に金属層１８ａ，１８ｂへより効果的に伝わる。さらに、一対の上面電極１５ａ、１５ｂと保護膜１６ａより熱伝導性が低い保護膜１６ｂによってその熱が上方へ逃げないので、金属層１８ａ、１８ｂへより効果的に熱が伝わる。
　さらに、金属層１８ａ、１８ｂから実装用はんだを介して実装用基板へ熱をチップ抵抗器１０００の外部に伝えて逃がすことができるので、抵抗体１３のホットスポットの温度が下がり、抵抗体１３の温度を均一化させることができる。
　図５に示すチップ抵抗器５００においては、高電力を入力すると抵抗体３の発熱が大きくなるので抵抗体３の表面の温度が高くなり、高電力を入力することができない場合がある。
　実施の形態におけるチップ抵抗器１０００では、抵抗体１３で発生した熱を効率よく放出できるので、抵抗体１３のホットスポットの温度が下がり、抵抗体１３の温度を均一化させることができ、チップ抵抗器１０００に高電力を入力できる。
　図２は、保護膜１６ａでのフィラー９２の含有量と抵抗体１３の温度の変化とを示す。図２において、縦軸は抵抗体１３の温度の変化を示し横軸は保護膜１６ａにおけるフィラー９２の含有量を重量パーセントで示す。
　図２は、フィラー９２の含有量が６０ｗｔ％（重量％）の場合の抵抗体１３のホットスポットの温度を基準点０℃として示す。図２は、フィラー９２の含有量のいくつかの値と、それら値での抵抗体１３のホットスポットの温度を上記基準点からの変化（℃）として示している。
　図２から明らかなように、フィラー９２の含有量が９０ｗｔ％以上になると、急激に温度が下がる。
　フィラー９２の含有量を９７ｗｔ％より増やすと、樹脂９１の量が極端に減るので、保護膜１６ａが絶縁基板１１や抵抗体１３もしくはコート層１４への密着しにくくなり、絶縁基板１１や抵抗体１３もしくはコート層１４から剥がれたり、製造の際の作業性が悪化したりして好ましくない。
　以上のことから、保護膜１６ａに対するフィラー９２の含有量を９０ｗｔ％～９７ｗｔ％とすることが好ましい。
　図３は実施の形態における他のチップ抵抗器１００１の断面図である。図３において、図１Ａに示すチップ抵抗器１０００と同じ部分には同じ参照番号を付す。チップ抵抗器１００１では、コート層１４は、抵抗体１３の端部１３ａ、１３ｂを露出するように抵抗体１３の上面１１３に設けられて抵抗体１３を覆う。上面電極１５ａ、１５ｂは、抵抗体１３の端部１３ａ、１３ｂにそれぞれ接続されている。一対の上面電極１５ａ、１５ｂの互いに対向するすなわち内側に向かう端部は保護層１６に覆われている。
　図１Ａに示すチップ抵抗器１０００では、上面電極１５ａ、１５ｂは上面電極１２ａ、１２ｂを介して抵抗体１３に接続されている。図３に示すチップ抵抗器１００１では、上面電極１５ａ、１５ｂは抵抗体１３の端部１３ａ、１３ｂに当接して直接的に接続されている。
　チップ抵抗器１００１は図１Ａに示すチップ抵抗器１０００と同様に高電力が入力されても抵抗体１３の温度を低くかつ均一にすることができる。
　図４は実施の形態におけるさらに他のチップ抵抗器１００２の断面図である。図４において、図１Ａに示すチップ抵抗器１０００と同じ部分には同じ参照番号を付す。チップ抵抗器１００２は、図１Ａに示すチップ抵抗器１０００のコート層１４を備えていない。
　図４に示すチップ抵抗器１００２では、上面電極１５ａ、１５ｂは抵抗体１３の端部１３ａ、１３ｂのみならず、上面１１３に当接して接続されている。また、保護膜１６ａは、抵抗体１３と、少なくとも一対の上面電極１５ａ、１５ｂの抵抗体１３の上面１１３に位置する部分とに当接して直接覆うように形成されている。保護層１６の保護膜１６ａは抵抗体１３の上面１１３に当接する。
　チップ抵抗器１００２は図１Ａに示すチップ抵抗器１０００と同様に高電力が入力されても抵抗体１３の温度を低くかつ均一にすることができる。
　実施の形態において、「上面」「下面」等の方向を示す用語は絶縁基板等のチップ抵抗器の構成部品の相対的な位置でのみ決まる相対的な方向を示し、鉛直方向等の絶対的な方向を示すものではない。
１１　　絶縁基板
１２ａ、１２ｂ　　上面電極（第１の上面電極）
１３　　抵抗体
１５ａ、１５ｂ　　上面電極（第２の上面電極）
１６　　保護層
１６ａ　　保護膜（第１の保護膜）
１６ｂ　　保護膜（第２の保護膜）
１８ａ、１８ｂ　　金属層

Claims (7)

  1. 上面と下面と一対の端面とを有する絶縁基板と、
    前記絶縁基板の前記上面の両端部に設けられた一対の第１の上面電極と、
    前記絶縁基板の前記上面に設けられ、かつ前記一対の第１の上面電極の間に形成されて前記一対の第１の上面電極に接続された抵抗体と、
    前記一対の第１の上面電極の上面に形成されて前記抵抗体の上面の一部を覆う一対の第２の上面電極と、
    前記抵抗体と前記一対の第２の上面電極を覆うように設けられた保護層と、
    少なくとも前記一対の第１の上面電極と電気的に接続されるように前記絶縁基板の前記一対の端面にそれぞれ設けられた一対の端面電極と、
    前記一対の第２の上面電極の上面の一部と前記一対の端面電極の表面に形成された一対の金属層と、
    を備え、
    前記抵抗体にはトリミング溝が形成されており、
    前記一対の第２の上面電極は、前記一対の第１の上面電極より前記トリミング溝に近い部分を有しかつ上面視で前記トリミング溝を覆わず、
    前記保護層は、第１の保護膜と、前記第１の保護膜を覆う第２の保護膜とを含み、
    前記第１の保護膜は前記第２の保護膜より熱伝導率が高い、チップ抵抗器。
  2. 前記第１の保護膜は、樹脂と、アルミナまたはシリカで構成されてかつ前記樹脂に混合されたフィラーとで構成され、
    前記第１の保護膜に対する前記フィラーの含有量は９０ｗｔ％～９７ｗｔ％である、請求項１に記載のチップ抵抗器。
  3. 前記第１の保護膜は、前記抵抗体の前記上面と前記一対の第２の前記上面電極の上面とに設けられており、
    前記第２の保護膜は前記第１の保護膜の上面に設けられて前記第１の保護膜を覆う、請求項１または２に記載のチップ抵抗器。
  4. 前記抵抗体は前記一対の第１の上面電極の前記上面まで延びている、請求項１から３のいずれか１項に記載のチップ抵抗器。
  5. 前記一対の第２の上面電極の前記部分は前記抵抗体の前記上面の上方に位置する、請求項１から４のいずれか１項に記載のチップ抵抗器。
  6. 前記一対の第２の上面電極は前記抵抗体に接続されている、請求項１から５のいずれか１項に記載のチップ抵抗器。
  7. 前記一対の第２の上面電極は前記一対の第１の上面電極より熱伝導率が高い、請求項１から６のいずれか１項に記載のチップ抵抗器。
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