JP2019140299A - チップ抵抗器 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、高電力に対応可能なチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。【解決手段】本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板11と、前記絶縁基板11の上面の両端部に設けられた一対の電極12と、前記絶縁基板11の上面に設けられ、かつ一対の電極12間に形成された抵抗体13と、前記抵抗体13を覆うように設けられた第1の保護膜14aと、前記第1の保護膜14aを覆うように設けられた第2の保護膜14bとを備え、前記第1の保護膜14aは樹脂と高熱伝導絶縁体粒子とで構成され、前記第2の保護膜14bは樹脂で構成され、前記第1の保護膜14aの幅は前記抵抗体13の幅より狭く、前記第1の保護膜14aは上面視で抵抗体13から幅方向に露出せず、前記第2の保護膜14bの幅は前記抵抗体13の幅より広いものである。【選択図】図2
Description
本発明は、各種電子機器に使用されるチップ抵抗器に関する。
従来のこの種のチップ抵抗器は、図3、図4に示すように、絶縁基板1と、この絶縁基板1の上面の両端部に設けられた一対の電極2と、絶縁基板1の上面に設けられ、かつ一対の電極2間に形成された抵抗体3と、少なくとも抵抗体3を覆うように設けられた保護膜4と、一対の電極2と電気的に接続されるように絶縁基板1の両端面に設けられた一対の端面電極5と、一対の電極2の一部と一対の端面電極5の表面に形成されためっき層6とを備えていた。
また、保護膜4は第1の保護膜4aと、第1の保護膜4aを覆う樹脂からなる第2の保護膜4bとで構成されていた。そして、第1の保護膜4aは抵抗体3を完全に覆い、第2の保護膜4bは第1の保護膜4aを完全に覆っていた。
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
上記した従来のチップ抵抗器においては、保護膜4の熱伝導率が低いため、高電力に対応しようとすると、抵抗体3の発熱が大きくなり、これにより、抵抗体3の表面温度が高温となるため、対応できないという課題を有していた。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、高電力に対応可能なチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
第1の態様に係るチップ抵抗器は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上面の両端部に設けられた一対の電極と、前記絶縁基板の上面に設けられ、かつ前記一対の電極間に形成された抵抗体と、前記抵抗体を覆うように設けられた第1の保護膜と、前記第1の保護膜を覆うように設けられた第2の保護膜とを備え、前記第1の保護膜は樹脂と高熱伝導絶縁体粒子とで構成され、前記第2の保護膜は樹脂を主成分として構成し、前記第1の保護膜の幅は前記抵抗体の幅より狭く、前記第1の保護膜は上面視で抵抗体から幅方向に露出せず、前記第2の保護膜の幅は前記抵抗体の幅より広い。
第2の態様に係るチップ抵抗器は、第1の態様において、前記第1の保護膜が前記一対の電極と接している。
本発明のチップ抵抗器は、抵抗体が熱伝導率の高い第1の保護膜で覆われているため、抵抗体で発生した熱を効率よく放熱でき、これにより、抵抗体の温度を下げることができるため、高電力に対応でき、さらに、第1の保護膜の幅は抵抗体の幅より狭いため、絶縁
基板と抵抗体との間には第2の保護膜のみが形成され、これにより、第2の保護膜の形成可能なスペースが広がるため、抵抗体を第2の保護膜で確実に保護できるという優れた効果を奏するものである。
基板と抵抗体との間には第2の保護膜のみが形成され、これにより、第2の保護膜の形成可能なスペースが広がるため、抵抗体を第2の保護膜で確実に保護できるという優れた効果を奏するものである。
図1は本開示の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図、図2は同チップ抵抗器の主要部の上面図である。
本開示の一実施の形態におけるチップ抵抗器は、図1、図2に示すように、絶縁基板11と、この絶縁基板11の上面の両端部に設けられた一対の電極12と、絶縁基板11の上面に設けられ、かつ一対の電極12間に形成された抵抗体13と、抵抗体13を覆うように設けられた保護膜14と、一対の電極12と電気的に接続されるように絶縁基板11の両端面に設けられた一対の端面電極15と、一対の電極12の一部と一対の端面電極15の表面に形成されためっき層16とを備えた構成としている。
そして、保護膜14は下層の第1の保護膜14aと、第1の保護膜14aを覆う上層の第2の保護膜14bとで構成され、第1の保護膜14aは抵抗体13の幅より狭い幅にし、第2の保護膜14bは抵抗体13の幅より広い幅にし、さらに、第1の保護膜14aは樹脂と高熱伝導絶縁体粒子とで構成し、第2の保護膜14bは樹脂で構成している。
なお、図2では、一対の端面電極15、めっき層16を省略し、第1の保護膜14a、第2の保護膜14bを透過している。
上記構成において、前記絶縁基板11は、Al2O3を96%含有するアルミナで構成され、その形状は矩形状(上面視にて長方形)となっている。
また、前記一対の電極12は、絶縁基板11の上面の両端部に設けられ、銀等の金属を有する厚膜材料を印刷、焼成することによって形成されている。なお、一対の電極12の上面に一対の再上面電極(図示せず)を設けてもよく、絶縁基板11の裏面の両端部に一対の裏面電極(図示せず)を設けてもよい。
さらに、前記抵抗体13は、絶縁基板11の上面において、一対の上面電極12間に、銅ニッケル、銀パラジウム、または酸化ルテニウムからなる厚膜材料を印刷した後、焼成することによって形成されている。なお、抵抗体13に抵抗値調整用のトリミング溝17を設けてもよい。また、図1では、抵抗体13の両端部が一対の電極12の両端部の上面に形成されているが、一対の電極12の両端部の下面に形成してもよい。
そして、前記保護膜14は、一対の電極12の一部と抵抗体13を覆うように設けられ、下層の第1の保護膜14aと、上層の第2の保護膜14bで構成されている。
下層の第1の保護膜14aは、その幅が抵抗体13の幅より狭く、上面視で抵抗体13から幅方向に露出していない。また、この第1の保護膜14aは一対の電極12の一部と抵抗体13の一部を覆って(被覆して)いる。
ここで幅は、一対の電極12間に流れる電流方向(絶縁基板11の長手方向)Xと直交するY方向の寸法をいう。
さらに、長手方向Xにおいて、第1の保護膜14aの長さは、抵抗体13の長さより長く、一対の電極12と直接接しており、また、絶縁基板11とは接していない。
第1の保護膜14aは、アルミナ等からなる高熱伝導性絶縁体粒子であるフィラーとエポキシ樹脂とで構成されている。第1の保護膜14aに対するフィラーの含有量は85wt%以上とするのが好ましい。
抵抗体13の側縁部13aと、第1の保護膜14aの側縁部14cとの間の寸法t1は、印刷位置ずれやにじみ等を考慮して、例えば、50μm以上とされる。また、第1の保護膜14aの幅は、抵抗体13の幅の1/2以上とするのが好ましい。なお、第1の保護膜14aは、抵抗体13の少なくともホットスポットを覆っている。
上層の第2の保護膜14bは、その幅が抵抗体13の幅より広く、幅方向において上面視で抵抗体13が第2の保護膜14bから露出していない。また、長手方向Xにおいて、第2の保護膜14bの長さは、抵抗体13、第1の保護膜14aの長さより長く、そして、第2の保護膜14bの両端部は絶縁基板11と直接接している。この第2の保護膜14bは、抵抗体13と第1の保護膜14aを完全に被覆して保護している。
さらに、第2の保護膜14bは、シリカ等からなる一般的な保護膜用フィラーとエポキシ樹脂とで構成されている。したがって、第1の保護膜14aは第2の保護膜14bより熱伝導率が高い。
また、前記一対の端面電極15は、絶縁基板11の両端面に設けられ、保護膜14から露出した一対の電極12の上面と電気的に接続されるように、Agと樹脂からなる材料を印刷することによって形成される。なお、金属材料をスパッタすることにより形成してもよい。
さらに、一対の電極12の一部と一対の端面電極15の表面には、Niめっき層、Snめっき層からなるめっき層16が形成されている。このとき、めっき層16は保護膜14と接している。なお、Niめっき層の下層にCuめっき層があってもよい。
上記したように本一実施の形態においては、抵抗体13が熱伝導率の高い第1の保護膜14aで覆われているため、抵抗体13で発生した熱を効率よく放熱でき、これにより、抵抗体13の温度を下げることができるため、高電力に対応でき、さらに、第1の保護膜14aの幅は抵抗体13の幅より狭いため、絶縁基板11と抵抗体13との間には第2の保護膜14bのみが形成され、これにより、第2の保護膜14bの形成可能なスペースを広くとることができるため、抵抗体13を第2の保護膜14bで確実に保護できるという効果が得られるものである。
さらに、第1の保護膜14aが一対の電極12と接しているため、抵抗体13で発生した熱を、第1の保護膜14a、一対の電極12を介してめっき層16により効率よく放熱させることができる。
ここで、上述したように第1の保護膜14aは、高熱伝導体粒子を含有させて、熱伝導性、耐熱性を向上させているため、抵抗体13との密着力が一般的な樹脂で構成されたものより小さく、さらに、抵抗体13の耐湿性を確保する必要があり、一般的な樹脂で構成された第2の保護膜14bで第1の保護膜14aを完全に被覆する必要がある。
しかし、第1の保護膜14aが従来のように抵抗体13を幅方向において完全に被覆した場合、抵抗体13を第1の保護膜14a、第2の保護膜14bの2つで2重で被覆することになるため、2つの第1、第2の保護膜14a、14bを形成するためのスペースが、幅方向で抵抗体13の側縁部13aと絶縁基板11の側縁部11aとの間に必要になり、この結果、抵抗体13の幅を小さくする必要が生じ、負荷特性が劣化してしまう。
これに対し、本開示のように、第1の保護膜14aを抵抗体13の幅より小さい幅で形成することによって、幅方向で抵抗体13の側縁部13aと絶縁基板11の側縁部11aとの間のスペースには、第2の保護膜14bのみを形成するだけですむため、抵抗体13の幅を小さくすることなく、第2の保護膜14bで抵抗体13と第1の保護膜14aを完全に被覆することができ、これにより、耐湿性を確保することができる。
なお、第1の保護膜14aの幅を抵抗体13の幅より小さくしても、抵抗体13の負荷発熱による温度上昇は抵抗体13中央部(ホットスポット)に集中するため、熱を逃がして温度上昇をしにくくする能力は殆ど劣化しない。
本発明に係るチップ抵抗器は、高電力に対応できるという効果を有するものであり、特に、各種電子機器に使用されるチップ抵抗器等において有用となるものである。
11 絶縁基板
12 一対の電極
13 抵抗体
14 保護膜
14a 第1の保護膜
14b 第2の保護膜
12 一対の電極
13 抵抗体
14 保護膜
14a 第1の保護膜
14b 第2の保護膜
Claims (2)
- 絶縁基板と、前記絶縁基板の上面の両端部に設けられた一対の電極と、前記絶縁基板の上面に設けられ、かつ前記一対の電極間に形成された抵抗体と、前記抵抗体を覆うように設けられた第1の保護膜と、前記第1の保護膜を覆うように設けられた第2の保護膜とを備え、前記第1の保護膜は樹脂と高熱伝導絶縁体粒子とで構成され、前記第2の保護膜は樹脂を主成分として構成され、前記第1の保護膜の幅は前記抵抗体の幅より狭く、前記第1の保護膜は上面視で抵抗体から幅方向に露出せず、前記第2の保護膜の幅は前記抵抗体の幅より広いチップ抵抗器。
- 前記第1の保護膜が前記一対の電極と接している請求項1に記載のチップ抵抗器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018023628A JP2019140299A (ja) | 2018-02-14 | 2018-02-14 | チップ抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2018023628A JP2019140299A (ja) | 2018-02-14 | 2018-02-14 | チップ抵抗器 |
Publications (1)
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JP2019140299A true JP2019140299A (ja) | 2019-08-22 |
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ID=67694394
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JP2018023628A Pending JP2019140299A (ja) | 2018-02-14 | 2018-02-14 | チップ抵抗器 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2019140299A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023149034A1 (ja) * | 2022-02-04 | 2023-08-10 | Koa株式会社 | チップ抵抗器 |
WO2023218710A1 (ja) * | 2022-05-11 | 2023-11-16 | Koa株式会社 | チップ抵抗器 |
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2018
- 2018-02-14 JP JP2018023628A patent/JP2019140299A/ja active Pending
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WO2023149034A1 (ja) * | 2022-02-04 | 2023-08-10 | Koa株式会社 | チップ抵抗器 |
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