TWI456618B - 保護元件 - Google Patents

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TWI456618B
TWI456618B TW100136221A TW100136221A TWI456618B TW I456618 B TWI456618 B TW I456618B TW 100136221 A TW100136221 A TW 100136221A TW 100136221 A TW100136221 A TW 100136221A TW I456618 B TWI456618 B TW I456618B
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TW
Taiwan
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intermediate electrode
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low melting
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metal layer
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Inventor
Kuo Shu Chen
Chung Hsiung Wang
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Cyntec Co Ltd
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Claims (10)

  1. 一種保護元件,用以透過迴焊製程而安裝至物件上,該保護元件包含:一基板;二第一電極,分別設置於該基板之兩相反側;一低熔點金屬層,設置於該等第一電極上;一輔助層,形成於該低熔點金屬層上;以及一橋接結構,該輔助層位於該橋接結構及該低熔點金屬層之間,其中,該輔助層之液相點溫度較該低熔點金屬層之液相點溫度為低,且該輔助層之液相點溫度不低於該迴焊製程之最高溫度以下25度。
  2. 如申請專利範圍第1項之保護元件,其中該輔助層之液相點溫度不低於該迴焊製程之最高溫度。
  3. 如申請專利範圍第1項之保護元件,其中該輔助層包含錫成分。
  4. 如申請專利範圍第1項之保護元件,更包含一沿該等第一電極之間延伸的中間電極,該低熔點金屬層位於該中間電極上,並露出該中間電極之兩相反端。
  5. 如申請專利範圍第4項之保護元件,其中該橋接結構由該中間電極之一端延伸跨過該低熔點金屬層上方。
  6. 如申請專利範圍第5項之保護元件,其中該輔助層是以其熔融態形成於該橋接結構與該低熔點金屬層之間,並經過固化所形成。
  7. 如申請專利範圍第4項之保護元件,更包含一位在該基板之下表 面的發熱體,以及二分別設置於該基板的另外兩相反側且電連接該發熱體的第二電極,且其中一第二電極與該中間電極電連接。
  8. 如申請專利範圍第4項之保護元件,更包含一位在該基板之上表面與該中間電極之間的發熱體、一位於該發熱體與該中間電極之間的絕緣層,以及二分別設置於該基板的另外兩相反側且電連接該發熱體的第二電極,且其中一第二電極與該中間電極電連接。
  9. 如申請專利範圍第1項之保護元件,其中該基板為無機材料所製成。
  10. 如申請專利範圍第1項之保護元件,其中該輔助層之材料包含錫、銀、銅或其合金。
TW100136221A 2010-11-09 2011-10-06 保護元件 TWI456618B (zh)

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