TWI615880B - 保護元件 - Google Patents

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Description

保護元件
本發明係有關一種過電流/過電壓保護元件，特別是指一種相對較容易控制熔斷溫度，有利於實現產品規格之多樣性的保護元件。
眾所周知，一般電流/過電壓保護元件(以下統稱保護元件)，主要用以保護電路中之電路或電器設施，防止其受到瞬間超額的電流或過高的電壓而對精密電子設備造成損壞。當瞬間電流超過預定的電流額值時，保護元件當中以合金材料所完成熔斷結構因瞬間過大之電流所產生之熱量而被高溫燒熔，進而形成斷路，使過大之電流不再流入電路中，以保護電路及電器設備免於損壞。
已知一種習用保護元件係具有在一絕緣基板上的兩個電極部，另於該兩個電極部之間連接一由低熔點之合金材料所完成的熔斷結構，且於該絕緣基板上罩設一至少將該熔斷結構遮蔽的外殼，防止熔斷結構氧化以及避免周邊的電子元件或電路遭燒熔的金屬損毀。
習用保護元件當中的熔斷結構多係由純錫或其他低熔點合金構成，由於其熔點相對較低(小於攝氏245度)，無法滿足聯合行業標準，不符實際應用；另有同業採用高鉛錫合金做為保護元件當中的熔斷結構，其雖具備相對較高的熔點(攝氏280~300度)，但卻無法通過電氣、電子設備中限制使用某些有害物質指令(the Restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment , RoHS)標準。
再者，礙於高熔點金屬與低熔點金屬之熔化溫度範圍不同，而有高熔點合金與低熔點合金之區別；然而，習用保護元件當中的熔斷結構，主要以合金的型態呈現，以至於較不利於實現規格之多樣性；因此，如何提供一種相對較容易控制熔點，有利於實現產品規格之多樣性，最好能夠通過RoHS標準的保護元件，以及與其相關的熔斷結構，長久以來一直是產業界及學術界所亟欲解決之課題。
有鑒於此，本發明即在提供一種相對較容易控制熔斷溫度，有利於實現產品規格之多樣性的保護元件，為其主要目的者。
本發明之保護元件，係在一絕緣基板上設有至少兩個供與外部電路電氣連接的電極，另有一可供於預先設定溫度下熔斷的熔斷結構電氣連接於該至少兩個電極之間，以及設有一至少將該熔斷結構遮蔽的殼件；其特徵在於：該熔斷結構係由至少兩種不同熔點的金屬層所疊置構成。
利用上述技術特徵，本發明之保護元件，係在其至少兩個電極之間形成由至少兩種不同熔點之金屬層所構成的熔斷結構，可透過調整不同金屬層之質量比的方式控制熔斷結構之熔斷溫度，有利於整體保護元件實現產品規格之多樣性，且其可使用的金屬選擇範圍較大，足以避開可能產生毒性的金屬，有助於保護元件通過RoHS標準。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由下而上依序設有一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由下而上依序設有一低熔點金屬層及一高熔點金屬層。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由下而上依序設有一高熔點金屬層、一低熔點金屬層及一高熔點金屬層。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由下而上依序設有一低熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由下而上依序設有一低熔點金屬層、一高熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由下而上依序設有一高熔點金屬層、一低熔點金屬層、一高熔點金屬層及一高熔點金屬層。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層、一低熔點金屬層及一高熔點金屬層。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構係由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層與該銅金屬層的體積比為30：1~120：1；該銅金屬層之厚度介於0.1~2um；該錫金屬層之厚度介於3~240um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層與該銅金屬層的體積比為60：1；該銅金屬層之厚度為1.5um；該錫金屬層之厚度為90um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層與該鎳金屬層的體積比為50：1~160：1；該鎳金屬層之厚度介於0.1~2um；該錫金屬層之厚度介於5~320um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層與該鎳金屬層的體積比為90：1；該鎳金屬層之厚度為1um；該錫金屬層之厚度為90um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層與該銀金屬層的體積比為25：1~110：1；該銀金屬層之厚度介於0.1~2um；該錫金屬層之厚度介於2.5~220um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層與該銀金屬層的體積比為50：1；該銀金屬層之厚度為1.5um；該錫金屬層之厚度為75um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層及該銀金屬層的體積比為60：1：1~240：1：1；該銅金屬層加上該銀金屬層之厚度介於0.2~4um；該錫金屬層之厚度介於6~480um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層及該銀金屬層的體積比為120：1：1；該銅金屬層加上該銀金屬層之厚度為1.5um；該錫金屬層之厚度為90um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層、該鎳金屬層及該銅金屬層的體積比為100：0.5：1~320：0.5：1；該鎳金屬層加上該銅金屬層之厚度介於0.15~3um；該錫金屬層之厚度介於10~640um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層、該鎳金屬層及該銅金屬層的體積比為200：0.5：1；該鎳金屬層加上該銅金屬層之厚度為0.6um；該錫金屬層之厚度為80um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銀構成的銀金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層、該銀金屬層及該鎳金屬層的體積比為50：1：0.5~220：1：0.5；該銀金屬層加上該鎳金屬層之厚度介於0.15~3um；該錫金屬層之厚度介於5~440um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銀構成的銀金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層、該銀金屬層及該鎳金屬層的體積比為150：1：0.5；該銀金屬層加上該鎳金屬層之厚度為0.6um；該錫金屬層之厚度為80um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由鉻構成的鉻金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層、該鎳金屬層及該鉻金屬層的體積比為80：1：0.5：0.125~300：1：0.5：0.125；該銅金屬層加上該鎳金屬層加上該鉻金屬層之厚度介於0.1625~3.25um；該錫金屬層之厚度介於8~600um。
依據上述技術特徵，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由鉻構成的鉻金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層、該鎳金屬層及該鉻金屬層的體積比為120：1：0.5：0.125；該銅金屬層加上該鎳金屬層加上該鉻金屬層之厚度為06um；該錫金屬層之厚度為92um。
所述各該低熔點金屬層之熔點係介於攝氏60~350度，各該高熔點金屬層之熔點係介於攝氏600~1900度。
所述各該低熔點金屬層之金屬係可以為錫、銦或鉍其中之一者；各該高熔點金屬層之金屬係可以為鋁、銀、銅、鎳、鉻、鐵、金、鉑、鈀或鈦其中之一者。
所述各該金屬層係可選擇以濺鍍、蒸鍍、化學鍍、離子鍍、電鍍或氣相沉積其中一種方式建置成型。
所述各該金屬層係建置呈矩形輪廓。
所述各該金屬層係建置呈工字形輪廓。
所述各該金屬層係建置呈蛇形輪廓。
本發明所揭露之保護元件，主要利用在其至少兩個電極之間形成由至少兩種不同熔點之金屬層所構成的熔斷結構之結構設計，使得以透過調整不同金屬層之質量比的方式控制熔斷結構之熔斷溫度，不但有利於整體保護元件實現產品規格之多樣性，且其可使用的金屬選擇範圍較大，足以避開可能產生毒性的金屬，有助於保護元件通過RoHS標準。
本發明主要提供一種相對較容易控制熔斷溫度，有利於實現產品規格之多樣性的保護元件，如第1圖至第3圖所示，本發明之保護元件，係在一絕緣基板10上設有至少兩個供與外部電路電氣連接的電極21、22，另有一可供於預先設定溫度下熔斷的熔斷結構30電氣連接於該至少兩個電極21、22之間，以及設有一至少將該熔斷結構30遮蔽的殼件40。
本發明之特徵在於：該熔斷結構30係由至少兩種不同熔點的金屬層所疊置構成，在第2圖及第3圖所示之實施例中，所述該熔斷結構30係由下而上依序設有一高熔點金屬層31及一低熔點金屬層32；當然，所述該熔斷結構亦可由下而上依序設有一低熔點金屬層及一高熔點金屬層。
於實施時，所述該熔斷結構30亦如第4圖所示，由下而上依序設有一高熔點金屬層31、一低熔點金屬層32及一高熔點金屬層31；或由下而上依序設有一低熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層；或由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。
以及，所述該熔斷結構30亦可如第5圖所示，由下而上依序設有一低熔點金屬層32、一高熔點金屬層31、一高熔點金屬層31及一高熔點金屬層31；或由下而上依序設有一高熔點金屬層、一低熔點金屬層、一高熔點金屬層及一高熔點金屬層；或由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層、一低熔點金屬層及一高熔點金屬層；或由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。
至於，上述各該低熔點金屬層之熔點係可介於攝氏60~350度，各該高熔點金屬層之熔點則可介於攝氏600~1900度。以及，所述各該低熔點金屬層之金屬係可以為錫、銦或鉍其中之一者；各該高熔點金屬層之金屬係可以為鋁、銀、銅、鎳、鉻、鐵、金、鉑、鈀或鈦其中之一者。
以第2圖及第3圖所示之結構型態為例，本發明之保護元件，可在其至少兩個電極21、22之間形成由至少兩種不同熔點之金屬層(如圖中所示之高熔點金屬層31、低熔點金屬層32)所構成的熔斷結構30，且在常態下由熔斷結構30之全數金屬層(高熔點金屬層31、低熔點金屬層32)構成保護元件之電極導通，使保護元件得以應用於需要具備過電流或或電壓保護之電路中。
當瞬間電流超過預定的電流額值時，熔斷結構30當中熔點相對較低的金屬層(低熔點金屬層32)首先熔斷，同時熔斷結構30因為電流阻抗瞬間增加，致使其他熔點相對較高的金屬層(高熔點金屬層31)可被高溫燒熔，藉以產生使其所保護之電路免於損壞之斷電效果；尤其，可透過調整不同金屬層之質量比的方式控制熔斷結構之熔斷溫度，有利於整體保護元件實現產品規格之多樣性，且其可使用的金屬選擇範圍較大，足以避開可能產生毒性的金屬，有助於保護元件通過RoHS標準。
本發明之第一具體實施型態下，所述該熔斷結構係可設有一由錫構成的錫金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層與該銅金屬層的體積比為30：1~120：1；該銅金屬層之厚度介於0.1~2um；該錫金屬層之厚度介於3~240um。在此實施型態下；該錫金屬層與該銅金屬層的體積比為60：1；該銅金屬層之厚度為1.5um；該錫金屬層之厚度為90um為佳。
本發明之第二具體實施型態下，所述該熔斷結構係可設有一由錫構成的錫金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層與該鎳金屬層的體積比為50：1~160：1；該鎳金屬層之厚度介於0.1~2um；該錫金屬層之厚度介於5~320um。在此實施型態下，該錫金屬層與該鎳金屬層的體積比為90：1；該鎳金屬層之厚度為1um；該錫金屬層之厚度為90um為佳。
本發明之第三具體實施型態下，所述該熔斷結構係可設有一由錫構成的錫金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層與該銀金屬層的體積比為25：1~110：1；該銀金屬層之厚度介於0.1~2um；該錫金屬層之厚度介於2.5~220um。在此實施型態下，該錫金屬層與該銀金屬層的體積比為50：1；該銀金屬層之厚度為1.5um；該錫金屬層之厚度為75um為佳。
本發明之第四具體實施型態下，所述該熔斷結構係可設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層及該銀金屬層的體積比為60：1：1~240：1：1；該銅金屬層加上該銀金屬層之厚度介於0.2~4um；該錫金屬層之厚度介於6~480um。在此實施型態下，該錫金屬層、該銅金屬層及該銀金屬層的體積比為120：1：1；該銅金屬層加上該銀金屬層之厚度為1.5um；該錫金屬層之厚度為90um為佳。
本發明之第五具體實施型態下，所述該熔斷結構係可設有一由錫構成的錫金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層、該鎳金屬層及該銅金屬層的體積比為100：0.5：1~320：0.5：1；該鎳金屬層加上該銅金屬層之厚度介於0.15~3um；該錫金屬層之厚度介於10~640um。在此實施型態下，該錫金屬層、該鎳金屬層及該銅金屬層的體積比為200：0.5：1；該鎳金屬層加上該銅金屬層之厚度為0.6um；該錫金屬層之厚度為80um為佳。
本發明之第六具體實施型態下，所述該熔斷結構係可設有一由錫構成的錫金屬層、一由銀構成的銀金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層、該銀金屬層及該鎳金屬層的體積比為50：1：0.5~220：1：0.5；該銀金屬層加上該鎳金屬層之厚度介於0.15~3um；該錫金屬層之厚度介於5~440um。在此實施型態下，該錫金屬層、該銀金屬層及該鎳金屬層的體積比為150：1：0.5；該銀金屬層加上該鎳金屬層之厚度為0.6um；該錫金屬層之厚度為80um為佳。
本發明之第七具體實施型態下，所述該熔斷結構係可設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由鉻構成的鉻金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層、該鎳金屬層及該鉻金屬層的體積比為80：1：0.5：0.125~300：1：0.5：0.125；該銅金屬層加上該鎳金屬層加上該鉻金屬層之厚度介於0.1625~3.25um；該錫金屬層之厚度介於8~600um。在此實施型態下，該錫金屬層、該銅金屬層、該鎳金屬層及該鉻金屬層的體積比為120：1：0.5：0.125；該銅金屬層加上該鎳金屬層加上該鉻金屬層之厚度為06um；該錫金屬層之厚度為92um為佳。
本發明之保護元件在上揭各種可能實施之結構型態下，所述各該金屬層係可選擇以濺鍍、蒸鍍、化學鍍、離子鍍、電鍍或氣相沉積其中一種方式建置成型。特別說明的是，除了與絕緣基板接觸面之金屬層外，其各該金屬層皆可使用電鍍的方式建置成型。至於，各該金屬層(如圖所示之高熔點金屬層31、低熔點金屬層32)係可建置呈如第3圖所示之矩形輪廓，使整個熔斷結構30可做較小阻值之一次性熔斷效果；各該金屬層(如圖所示之高熔點金屬層31、低熔點金屬層32)亦可建置呈如第6圖所示之工字形輪廓，使得以藉以控制整個熔斷結構30之熔斷位置；各該金屬層(如圖所示之高熔點金屬層31、低熔點金屬層32)亦可建置呈如第7圖所示之蛇形輪廓，使整個熔斷結構30可做較高阻值之一次性熔斷效果。
具體而言，本發明所揭露之保護元件，主要利用在其至少兩個電極之間形成由至少兩種不同熔點之金屬層所構成的熔斷結構之結構設計，使得以透過調整不同金屬層之質量比的方式控制熔斷結構之熔斷溫度，不但有利於整體保護元件實現產品規格之多樣性，且其可使用的金屬選擇範圍較大，足以避開可能產生毒性的金屬，有助於保護元件通過RoHS標準。
以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。
10絕緣基板 21電極 22電極 30熔斷結構 31高熔點金屬層 32低熔點金屬層 40殼件
第1圖係為本發明第一實施例之保護元件外觀結構圖。 第2圖係為本發明第一實施例之保護元件結構剖視圖。 第3圖係為本發明第一實施例之保護元件結構分解圖。 第4圖係為本發明第二實施例之保護元件結構剖視圖。 第5圖係為本發明第三實施例之保護元件結構剖視圖。 第6圖係為本發明第四實施例之保護元件當中之熔斷結構外觀輪廓示意圖。 第7圖係為本發明第五實施例之保護元件當中之熔斷結構外觀輪廓示意圖。
10絕緣基板 21電極 22電極 30熔斷結構 31高熔點金屬層 32低熔點金屬層 40殼件

Claims (23)

  1. 一種保護元件，係在一絕緣基板上設有至少兩個供與外部電路電氣連接的電極，另有一可供於預先設定溫度下熔斷的熔斷結構電氣連接於該至少兩個電極之間，以及設有一至少將該熔斷結構遮蔽的殼件；其特徵在於：該熔斷結構係由至少兩種不同熔點的金屬層所疊置構成；其中，該熔斷結構係由下而上依序設有一高熔點金屬層、一低熔點金屬層及一高熔點金屬層。
  2. 如請求項1所述之保護元件，其中，該熔斷結構係由下而上依序設有一高熔點金屬層、一低熔點金屬層、一高熔點金屬層及一高熔點金屬層。
  3. 如請求項1所述之保護元件，其中，該熔斷結構係由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層、一低熔點金屬層及一高熔點金屬層。
  4. 如請求項1所述之保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層與該銅金屬層的體積比為30：1~120：1；該銅金屬層之厚度介於0.1~2um；該錫金屬層之厚度介於3~240um。
  5. 如請求項1所述之保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層與該銅金屬層的體積比為60：1；該銅金屬層之厚度為1.5um；該錫金屬層之厚度為90um。
  6. 如請求項1所述之保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層與該鎳金屬層的體積比為50：1~160：1；該鎳金屬層之厚度介於0.1~2um；該錫金屬層之厚度介於5~320um。
  7. 如請求項1所述之保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層與該鎳金屬層的體積比為90：1；該鎳金屬層之厚度為1um；該錫金屬層之厚度為90um。
  8. 如請求項1所述之保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層與該銀金屬層的體積比為25：1~110：1；該銀金屬層之厚度介於0.1~2um；該錫金屬層之厚度介於2.5~220um。
  9. 如請求項1所述之保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層與該銀金屬層的體積比為50：1；該銀金屬層之厚度為1.5um；該錫金屬層之厚度為75um。
  10. 如請求項1所述之保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層及該銀金屬層的體積比為60：1：1~240：1：1；該銅金屬層加上該銀金屬層之厚度介於0.2~4um；該錫金屬層之厚度介於6~480um。
  11. 如請求項1所述之保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫 金屬層、該銅金屬層及該銀金屬層的體積比為120：1：1；該銅金屬層加上該銀金屬層之厚度為1.5um；該錫金屬層之厚度為90um。
  12. 如請求項1所述之保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層、該鎳金屬層及該銅金屬層的體積比為100：0.5：1~320：0.5：1；該鎳金屬層加上該銅金屬層之厚度介於0.15~3um；該錫金屬層之厚度介於10~640um。
  13. 如請求項1所述之保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層、該鎳金屬層及該銅金屬層的體積比為200：0.5：1；該鎳金屬層加上該銅金屬層之厚度為0.6um；該錫金屬層之厚度為80um。
  14. 如請求項1所述之保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銀構成的銀金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層、該銀金屬層及該鎳金屬層的體積比為50：1：0.5~220：1：0.5；該銀金屬層加上該鎳金屬層之厚度介於0.15~3um；該錫金屬層之厚度介於5~440um。
  15. 如請求項1所述之保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銀構成的銀金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層、該銀金屬層及該鎳金屬層的體積比為150：1：0.5；該銀金屬層加上該鎳金屬層之厚度為0.6um；該錫金屬層之厚度為80um。
  16. 如請求項2所述之保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由鉻構成的鉻金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層、該鎳金屬層及該鉻金屬層的體積比為80：1：0.5：0.125~300：1：0.5：0.125；該銅金屬層加上該鎳金屬層加上該鉻金屬層之厚度介於0.1625~3.25um；該錫金屬層之厚度介於8~600um。
  17. 如請求項2所述之保護元件，其中，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由鉻構成的鉻金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層、該鎳金屬層及該鉻金屬層的體積比為120：1：0.5：0.125；該銅金屬層加上該鎳金屬層加上該鉻金屬層之厚度為06um；該錫金屬層之厚度為92um。
  18. 如請求項2至3其中任一項所述之保護元件，其中，各該低熔點金屬層之熔點係介於攝氏60~350度，各該高熔點金屬層之熔點係介於攝氏600~1900度。
  19. 如請求項2至3其中任一項所述之保護元件，其中，各該低熔點金屬層之金屬係可以為錫、銦或鉍其中之一者；各該高熔點金屬層之金屬係可以為鋁、銀、銅、鎳、鉻、鐵、金、鉑、鈀或鈦其中之一者。
  20. 如請求項1至17其中任一項所述之保護元件，其中，各該金屬層係可選擇以濺鍍、蒸鍍、化學鍍、離子鍍、電鍍或氣相沉積其中一種方式建置成型。
  21. 如請求項1至17其中任一項所述之保護元件，其中，各該金屬層係建置呈矩形輪廓。
  22. 如請求項1至17其中任一項所述之保護元件，其中，各該金屬層係建置呈工字形輪廓。
  23. 如請求項1至17其中任一項所述之保護元件，其中，各該金屬層係建置呈蛇形輪廓。
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