JP2006318896A - チップ型ヒューズ - Google Patents
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Abstract
【課題】 チップ型ヒューズにおいて、耐パルス性と溶断位置の安定とを両立させること。
【解決手段】 絶縁基板と、絶縁基板の両端部に形成された一対の端面電極と、絶縁基板の上面に形成され一対の端面電極に両端が接続された帯状のヒューズ部13と、を備え、ヒューズ部13が、少なくとも一つの屈曲部18aを途中に有し、屈曲部18aの外周縁が、少なくとも一部分矩形状に形成されていると共に、屈曲部18aの内周縁が、少なくとも一部分円弧状に形成されている。これにより、屈曲部18aの内外周縁が両方とも矩形状又は円弧状に形成されている場合に比べて、抵抗値及び温度が共に低下する。
【選択図】 図2
【解決手段】 絶縁基板と、絶縁基板の両端部に形成された一対の端面電極と、絶縁基板の上面に形成され一対の端面電極に両端が接続された帯状のヒューズ部13と、を備え、ヒューズ部13が、少なくとも一つの屈曲部18aを途中に有し、屈曲部18aの外周縁が、少なくとも一部分矩形状に形成されていると共に、屈曲部18aの内周縁が、少なくとも一部分円弧状に形成されている。これにより、屈曲部18aの内外周縁が両方とも矩形状又は円弧状に形成されている場合に比べて、抵抗値及び温度が共に低下する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、過電流による回路破壊を防止するため各種電子機器に使用されるチップ型ヒューズに関する。
電子機器に故障等で生じた過電流の流入により回路破壊が発生することを防止するためにヒューズが用いられているが、近年、装置の小型化に伴って配線板等に表面実装が容易で量産性に優れたチップ型ヒューズが採用されるようになってきた。
従来、例えば特許文献1には、電源投入時等に生じるパルス的な電流で溶断してしまわないように耐パルス性を向上させるため、ヒューズ素子の長さを電極間距離よりも長くしたチップ型ヒューズが提案されている。
従来、例えば特許文献1には、電源投入時等に生じるパルス的な電流で溶断してしまわないように耐パルス性を向上させるため、ヒューズ素子の長さを電極間距離よりも長くしたチップ型ヒューズが提案されている。
また、特許文献2には、耐パルス性を向上させるために非直線状となるように折り返されたヒューズ素子を備えたチップ型ヒューズが提案されている。
これらのチップ型ヒューズは、図10に示すように、例えば一対の電極1の間に設けられたヒューズ素子2がミアンダ状に形成されて、ヒューズ素子2を長く設定したものである。
これらのチップ型ヒューズは、図10に示すように、例えば一対の電極1の間に設けられたヒューズ素子2がミアンダ状に形成されて、ヒューズ素子2を長く設定したものである。
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
上記特許文献1及び2に記載の技術では、電極間ヒューズ素子の長さを長くすることで耐パルス性は改善されるが、さらに性能を向上させるためには、ヒューズ素子をより長くする必要がある。しかしながら、ヒューズ素子が長くなると、幅及び厚さの寸法のばらつきが原因で製品抵抗値のばらつきが大きくなるおそれがある。このため、耐パルス性に優れても、通常の溶断時に溶断位置が安定しないという不都合があった。
上記特許文献1及び2に記載の技術では、電極間ヒューズ素子の長さを長くすることで耐パルス性は改善されるが、さらに性能を向上させるためには、ヒューズ素子をより長くする必要がある。しかしながら、ヒューズ素子が長くなると、幅及び厚さの寸法のばらつきが原因で製品抵抗値のばらつきが大きくなるおそれがある。このため、耐パルス性に優れても、通常の溶断時に溶断位置が安定しないという不都合があった。
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、耐パルス性と溶断位置の安定とを両立させることができるチップ型ヒューズを提供することを目的とする。
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明のチップ型ヒューズは、絶縁基板と、前記絶縁基板の両端部に形成された一対の電極と、前記絶縁基板の上面に形成され前記一対の電極に両端が接続された帯状のヒューズ部と、を備え、前記ヒューズ部が、少なくとも一つの屈曲部を途中に有し、前記屈曲部の外周縁が、少なくとも一部分矩形状に形成されていると共に、前記屈曲部の内周縁が、少なくとも一部分円弧状に形成されていることを特徴とする。
このチップ型ヒューズでは、屈曲部の外周縁が少なくとも一部分矩形状に形成されていると共に、屈曲部の内周縁が少なくとも一部分円弧状に形成されているので、屈曲部の内外周縁が両方とも矩形状又は円弧状に形成されている場合に比べ、内周縁の円弧状としたことによる抵抗値低減効果と外周縁を矩形状としたことによるヒートマス効果とを両立でき、溶断部の発熱を効果的に拡散させ、溶断部温度を低下させ耐パルス性が向上する。今まで耐パルス性を向上させるためヒューズ部長さをより長くしていたが、この屈曲部効果によれば、より短いヒューズ部で同等の効果を得ることが可能となる。
また、本発明のチップ型ヒューズは、前記ヒューズ部が、前記屈曲部による複数の折り返し部を有したミアンダ状に形成されていることを特徴とする。このチップ型ヒューズでは、ヒューズ部がミアンダ状に形成されているので、折り返し部の個数、すなわち折り返し回数でヒューズ部の長さを容易に調整することができると共に耐パルス特性の設定を容易に行うことができる。
さらに、本発明のチップ型ヒューズは、前記屈曲部のうち少なくとも一つが、前記ヒューズ部の他の部分より幅広に形成されていることを特徴とする。すなわち、このチップヒューズでは、少なくとも一部の屈曲部が幅広に形成されているので、外周縁で得られるヒートマス効果がより大きくなると共に、断面積増加による抵抗値低減効果が得られ、耐パルス性をより向上できる。
また、本発明のチップ型ヒューズは、前記幅広に形成された屈曲部が、過電流流入時に溶断する領域に隣接するものであることを特徴とする。前記屈曲部は、折り返し部の一部もしくは全てにあっても屈曲部の効果に問題はないが、溶断部が最も高温となるため、少なくとも溶断部に隣接した折り返し部を幅広に形成することで、耐パルス性の向上を効果的に得られる。
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係るチップ型ヒューズによれば、屈曲部の外周縁が少なくとも一部分矩形状に形成されていると共に、屈曲部の内周縁が少なくとも一部分円弧状に形成されているので、内周縁を円弧状としたことによる抵抗値低減効果と外周縁を矩形状としたことによるヒートマス効果とを両立でき、溶断部の発熱を効果的に拡散させ、溶断部温度を低下させ耐パルス性が向上する。この効果により、耐パルス性を向上させるためヒューズ部長さを長くしなくても、より短いヒューズ部で同等の効果を得ることが可能となる。
すなわち、本発明に係るチップ型ヒューズによれば、屈曲部の外周縁が少なくとも一部分矩形状に形成されていると共に、屈曲部の内周縁が少なくとも一部分円弧状に形成されているので、内周縁を円弧状としたことによる抵抗値低減効果と外周縁を矩形状としたことによるヒートマス効果とを両立でき、溶断部の発熱を効果的に拡散させ、溶断部温度を低下させ耐パルス性が向上する。この効果により、耐パルス性を向上させるためヒューズ部長さを長くしなくても、より短いヒューズ部で同等の効果を得ることが可能となる。
以下、本発明に係るチップ型ヒューズの第1実施形態を、図1から図4を参照して説明する。
本実施形態のチップ型ヒューズは、図1及び図2に示すように、絶縁基板11と、絶縁基板11の両端部に形成された一対の端面電極12と、絶縁基板11の上面に形成され一対の端面電極12に両端が接続された帯状のヒューズ部13と、を備えている。
上記絶縁基板11は、絶縁性及び耐熱性が良好なアルミナセラミックス基板、ガラス基板又は樹脂基板等である。この絶縁基板11の裏面には、Ag(銀)系樹脂(Agペースト等)で形成された一対の裏面電極14が両端に設けられている。
上記絶縁基板11は、絶縁性及び耐熱性が良好なアルミナセラミックス基板、ガラス基板又は樹脂基板等である。この絶縁基板11の裏面には、Ag(銀)系樹脂(Agペースト等)で形成された一対の裏面電極14が両端に設けられている。
上記ヒューズ部13は、一対の端面電極12に両端が接続され銅箔をラミネート方式で貼り付けた銅層15a及びAgめっきによる銀層15bからなる第1エレメント15と、第1エレメント15の溶断部となる所定の中間部分に積層され第1エレメント15よりも低融点な金属で形成された第2エレメント16と、を備えている。
すなわち、この第2エレメント16を構成する金属材料は、第1エレメント15の金属材料よりも融点が低く、第1エレメント15の金属材料と合金化することで、第1エレメント15の融点を下げるものが選択される。したがって、過電流が印加された場合、この第2エレメント16の形成箇所が溶断の主要部となる。本実施形態では、第2エレメント16をSn(錫)めっきでパターン形成している。なお、第2エレメント16を、第1エレメント15上にNiめっきによるNi層(他の金属層)を介して積層しても構わない。
上記第1エレメント15は、絶縁基板11上に、例えばエポキシ系樹脂シート、アクリル系樹脂シート又はシリコーン系樹脂シート等の接着シート17を介して設けられている。また、第1エレメント15の両端には、端面電極12と接続された表面電極15cがパターン形成されている。
さらに、ヒューズ部13は、図2に示すように、屈曲部18aによる複数の折り返し部18を有したミアンダ状に形成されている。上記屈曲部18aは、その外周縁が直角の矩形状に形成されていると共に、その内周縁が円弧状に形成されている。
また、過電流流入時に溶断する領域、すなわち第2エレメント16の形成箇所を主要部とする溶断領域に隣接する一対の折り返し部18は、第1エレメント15の他の部分より幅広に形成されている。
なお、第1エレメント15の銅層15aは、上記ミアンダ形状に合わせてフォトリソグラフィ技術によるパターンエッチングで表面電極15cと共に形成される。
また、過電流流入時に溶断する領域、すなわち第2エレメント16の形成箇所を主要部とする溶断領域に隣接する一対の折り返し部18は、第1エレメント15の他の部分より幅広に形成されている。
なお、第1エレメント15の銅層15aは、上記ミアンダ形状に合わせてフォトリソグラフィ技術によるパターンエッチングで表面電極15cと共に形成される。
上記接着シート17には、第1エレメント15の溶断部となる所定の中間部分(第2エレメント16の形成箇所を主要部とする溶断領域)が重なる領域に円形の切り欠き部17aが形成されている。なお、この接着シート17は、絶縁基板11上にラミネート方式により貼り付けられる。
上記切り欠き部17aには、アンダーレイヤー樹脂19が充填されている。すなわち、アンダーレイヤー樹脂19は、第1エレメント15の下部に接して配されている。なお、このアンダーレイヤー樹脂19は、スクリーン印刷又はポッティングにより切り欠き部17aに充填される。
上記切り欠き部17aには、アンダーレイヤー樹脂19が充填されている。すなわち、アンダーレイヤー樹脂19は、第1エレメント15の下部に接して配されている。なお、このアンダーレイヤー樹脂19は、スクリーン印刷又はポッティングにより切り欠き部17aに充填される。
さらに、第1エレメント15及び第2エレメント16上には、これらを覆うようにアンダーコート樹脂20が形成されている。
上記アンダーレイヤー樹脂19は、例えばシリコーン系樹脂で形成されていると共に、上記アンダーコート樹脂20は、例えばエポキシ系樹脂でスクリーン印刷等により形成されている。
上記アンダーレイヤー樹脂19は、例えばシリコーン系樹脂で形成されていると共に、上記アンダーコート樹脂20は、例えばエポキシ系樹脂でスクリーン印刷等により形成されている。
また、上記アンダーコート樹脂20及び第1エレメント15上には、これらを覆うようにフィラー含有エポキシ系樹脂等の保護用樹脂21がスクリーン印刷等により形成されている。
上記端面電極12は、絶縁基板11の端面に導電性樹脂ペースト又はスパッタにより形成され、本実施形態では、Ag系樹脂(Agペースト等)で形成されている。また、上記裏面電極14は、絶縁基板11の裏面に導電性樹脂の印刷硬化等によりパターン形成される。
さらに、端面電極12及び裏面電極14上には、これらを覆うようにCu、Ni(ニッケル)又はSn等で端面電極メッキ部22が形成されている。
上記端面電極12は、絶縁基板11の端面に導電性樹脂ペースト又はスパッタにより形成され、本実施形態では、Ag系樹脂(Agペースト等)で形成されている。また、上記裏面電極14は、絶縁基板11の裏面に導電性樹脂の印刷硬化等によりパターン形成される。
さらに、端面電極12及び裏面電極14上には、これらを覆うようにCu、Ni(ニッケル)又はSn等で端面電極メッキ部22が形成されている。
このように本実施形態のチップ型ヒューズでは、屈曲部18aの外周縁が矩形状に形成され、屈曲部18aの内周縁が円弧状に形成されていると共に、溶断領域に隣接する折り返し部18がヒューズ部13の他の部分より幅広に形成されているので、当該屈曲部18の内周縁を円弧状としたことによる抵抗値低減効果と外周縁を矩形状としたことによるヒートマス効果とを両立でき、溶断部の発熱を効果的に拡散させ、耐パルス性を向上させることが可能となる。上記耐パルス性向上効果により、ヒューズ部13を短く設定した場合でも、従来と同様の効果が得られる。また、ヒューズ部13がミアンダ状に形成されているので、折り返し部18の個数,すなわち折り返し回数でヒューズ部13の長さを調節することができると共に耐パルス特性の設定を容易に行うことができる。
次に、本実施形態のチップ型ヒューズについて、抵抗値及び温度についてシミュレーションした結果を、図3及び図4を参照して説明する。
本シミュレーションでは、図3に示すパターン形状のヒューズ部100について、その中央に形成された折り返し部101の屈曲部形状を変えて抵抗値及び温度の計算を行った。まず、従来の基本形として、図4の(a)に示すように、屈曲部の外周縁及び内周縁のいずれも直角の矩形状に形成されたものをパターン1として、その抵抗値及び温度を100%とした。
これに対して、本実施形態のチップ型ヒューズで採用する屈曲部として、図4の(b)に示すように、その外周縁が直角の矩形状に形成されていると共にその内周縁にRを設けて円弧状内周縁としたパターン2について、上記従来のパターン1との相対的比較でシミュレーションを行った。なお、もう一つの比較例として、従来の屈曲部パターンとして、屈曲部の外周縁及び内周縁のいずれもRを設けて円弧状としたパターン3についても、同様にパターン1との相対的比較でシミュレーションを行った。これらのシミュレーションの結果を、表1に示す。
シミュレーション結果から、本発明のパターン2は、内周縁及び外周縁のいずれも矩形状の従来のパターン1に比べて、抵抗値及び温度のいずれも低下することがわかる。これに対し、内周縁及び外周縁のいずれも円弧状の従来のパターン3では、パターン1に比べて抵抗値が低下しているにも関わらず、温度が上昇してしまっていることがわかる。このように、本発明のパターン3では、抵抗値低減効果に加え、屈曲部の外周縁において熱拡散による温度低下効果を得ることができ、耐パルス性をさらに向上させることができる。
次に、本実施形態のチップ型ヒューズについて,ヒューズ部の他の例について図5を参照して説明する。
上記実施形態のヒューズ部13が折り返し部を2つ有するミアンダ状に形成されているのに対し、他の例としてヒューズ部33は,図5に示すように,折り返し部18を4つ有するミアンダ状に形成されている。この場合、溶断部の発熱を効果的に拡散させるのは溶断部に隣接する部位であるが、隣接しない部位においても抵抗値低減による発熱の抑制効果が得られ、耐パルス性を向上させる。また、図6のように屈曲部を幅広とすることで上記効果が増す。
上記実施形態のヒューズ部13が折り返し部を2つ有するミアンダ状に形成されているのに対し、他の例としてヒューズ部33は,図5に示すように,折り返し部18を4つ有するミアンダ状に形成されている。この場合、溶断部の発熱を効果的に拡散させるのは溶断部に隣接する部位であるが、隣接しない部位においても抵抗値低減による発熱の抑制効果が得られ、耐パルス性を向上させる。また、図6のように屈曲部を幅広とすることで上記効果が増す。
なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、ヒューズ部13が複数の折り返し部18を有したミアンダ状に形成されているが、折り返し部18を有さず、図7に示すように、2つの屈曲部18aからなるクランク状のヒューズ部を採用したものでも、屈曲部18aによる同様の効果を得ることができる。
また、2つ以上の折り返し部18を有するヒューズ部の場合、折り返し部18のうち過電流流入時に溶断する領域に隣接する一対について、図8に示すように、ヒューズ部の他の部分より幅広に形成することで、上記実施形態と同様にヒートマス効果を得ることができる。なお、溶断領域に隣接する折り返し部18を幅広にすることが好ましいが、他の折り返し部18でも幅広にすることで、抵抗値低減効果を得ることができる。さらに、図9の(a)(b)に示すように、折り返し部18の片側の屈曲部18aのみ外周縁を矩形状にし、内周縁を円弧状としても屈曲部18aでの効果は得られる。このように屈曲部の外周縁のうち、少なくとも一部分を矩形状にし、内周縁のうち、少なくとも一部分を円弧状としても構わない。
例えば、上記実施形態では、ヒューズ部13が複数の折り返し部18を有したミアンダ状に形成されているが、折り返し部18を有さず、図7に示すように、2つの屈曲部18aからなるクランク状のヒューズ部を採用したものでも、屈曲部18aによる同様の効果を得ることができる。
また、2つ以上の折り返し部18を有するヒューズ部の場合、折り返し部18のうち過電流流入時に溶断する領域に隣接する一対について、図8に示すように、ヒューズ部の他の部分より幅広に形成することで、上記実施形態と同様にヒートマス効果を得ることができる。なお、溶断領域に隣接する折り返し部18を幅広にすることが好ましいが、他の折り返し部18でも幅広にすることで、抵抗値低減効果を得ることができる。さらに、図9の(a)(b)に示すように、折り返し部18の片側の屈曲部18aのみ外周縁を矩形状にし、内周縁を円弧状としても屈曲部18aでの効果は得られる。このように屈曲部の外周縁のうち、少なくとも一部分を矩形状にし、内周縁のうち、少なくとも一部分を円弧状としても構わない。
11…絶縁基板、12…端面電極、13、33、43…ヒューズ部、14…裏面電極、15c…表面電極、15…第1エレメント、16…第2エレメント、18…折り返し部、18a…屈曲部、22…端面電極メッキ部
Claims (4)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板の両端部に形成された一対の電極と、
前記絶縁基板の上面に形成され前記一対の電極に両端が接続された帯状のヒューズ部と、を備え、
前記ヒューズ部が、少なくとも一つの屈曲部を途中に有し、
前記屈曲部の外周縁が、少なくとも一部分矩形状に形成されていると共に、前記屈曲部の内周縁が、少なくとも一部分円弧状に形成されていることを特徴とするチップ型ヒューズ。 - 請求項1に記載のチップ型ヒューズにおいて、
前記ヒューズ部が、前記屈曲部による複数の折り返し部を有したミアンダ状に形成されていることを特徴とするチップ型ヒューズ。 - 請求項1又は2に記載のチップ型ヒューズにおいて、
前記屈曲部のうち少なくとも1つが、前記ヒューズ部の他の部分より幅広に形成されていることを特徴とするチップ型ヒューズ。 - 請求項3に記載のチップ型ヒューズにおいて、
前記幅広に形成された屈曲部が、過電流流入時に溶断する領域に隣接するものであることを特徴とするチップ型ヒューズ。
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JP2006108903A JP2006318896A (ja) | 2005-04-12 | 2006-04-11 | チップ型ヒューズ |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005114739 | 2005-04-12 | ||
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2006
- 2006-04-11 JP JP2006108903A patent/JP2006318896A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
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---|---|---|---|
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