CN106688073B - 熔线元件、熔断器件、和发热体内置式熔断器件 - Google Patents

熔线元件、熔断器件、和发热体内置式熔断器件 Download PDF

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Abstract

本发明提供即使对于实现了小型化的熔断器件，其快速熔断性和熔断后的绝缘性也优异的熔断器件和熔线元件。熔线元件(5)为，构成熔断器件(1)的通电路径、通过流过超过额定的电流而自身发热从而熔断的熔线元件(5)，相比于通电方向的全长L，与通电方向正交的宽度方向的长度W更大。尤其是，熔线元件(5)具有低熔点金属层(5a)和在低熔点金属层(5a)的上下的高熔点金属层(5b)，低熔点金属层(5a)在通电时侵蚀高熔点金属层(5b)从而熔断。

Description

熔线元件、熔断器件、和发热体内置式熔断器件
技术领域
本发明涉及安装到电流路径中的、在流过超过额定的电流时因自身发热而熔断从而阻断该电流路径的熔线元件和具有这样的熔线元件的熔断器件以及发热体内置式熔断器件，尤其是，涉及快速熔断性优异、熔断后的绝缘性优异的熔线元件、熔断器件和发热体内置式熔断器件。本申请以在2014年9月26日在日本提出申请的日本专利申请特愿2014-197630为基础主张优先权，通过参照该申请以引用于本申请中。
背景技术
以往，使用在流过超过额定的电流时因自身发热而熔断，从而阻断该电流路径的熔线元件。作为熔线元件，例如大多使用将软钎料封入玻璃管的夹具固定型保险丝、在陶瓷基板表面印刷Ag电极而成的晶片保险丝、将铜电极的一部分变细来组装到塑料盒中的螺旋夹型或插入型保险丝等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-82064号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，在上述现有的熔线元件中，被指出有无法通过回流来表面安装、额定电流低、另外由于大型化而提高额定时快速熔断性差这样的问题。
此外，在假定用于回流安装的快速熔断的熔断器件时，一般对于熔线元件，在熔断特性上优选熔点为300℃以上的加入有Pb的高熔点软钎料，以使得不会因回流的热而熔融。但是，在RoHS指令等中尽可能地限制含Pb软钎料的使用，今后，据认为无Pb化的要求会越来越强烈。
即，作为熔线元件，要求：通过回流来表面安装成为可能且对熔断器件的安装性优异、能够提高额定来应对大电流、具有在流过超过额定的过电流时快速地阻断电流路径的快速熔断性。
这里，本发明的目的在于提供一种即使对于实现了小型化的熔断器件，快速熔断性和熔断后的绝缘性也优异的熔断器件和熔线元件。
用于解决课题的方法
为了解决上述课题，本发明所涉及的熔线元件是构成熔断器件的通电路径，通过流过超过额定的电流而自身发热从而熔断的熔线元件，与通电方向上的长度相比，宽度方向上的长度更大。
此外，为了解决上述课题，本发明所涉及的熔线元件通过具有凹陷或贯通孔，从而将通电路径分段。
为了解决上述课题，本发明所涉及的熔断器件是具有构成通电路径，通过流过超过额定的电流而自身发热从而熔断的熔线元件的熔断器件，对于熔线元件，与通电方向上的长度相比，宽度方向上的长度更大。
此外，为了解决上述课题，本发明所涉及的熔断器件通过在熔线元件中具有凹陷或贯通孔，从而将通电路径分段。
为了解决上述课题，本发明所涉及的发热体内置式熔断器件是具有构成通电路径，通过流过超过额定的电流而自身发热从而熔断的熔线元件、和加热熔线元件并使之熔断的发热体的发热体内置式熔断器件，对于熔线元件，与通电方向上的长度相比，宽度方向上的长度更大。
此外，为了解决上述课题，本发明所涉及的发热体内置式熔断器件通过在熔线元件中具有凹陷或贯通孔，从而将通电路径分段。
发明的效果
根据本发明，与熔线元件的通电方向上的长度相比，宽度方向上的长度更大，因而在宽度方向上变得更容易设置多个凹部或贯通孔，此外，通过设置凹部或贯通孔而将通电路径分段，因而因凹部或贯通孔而形成的窄幅部分依次熔断，从而能够抑制因自身发热而熔融、膨胀所引起的熔线元件爆发性的飞散等的发生。由此，使得通过回流来表面安装成为可能，能够通过提高额定来应对大电流，并且，在流过超过额定的过电流时使得到快速地阻断电流路径的快速熔断性成为可能。
附图说明
[图1]图1是显示本发明所应用的熔断器件一例的截面图。
[图2]图2是显示熔线元件一例的立体图。
[图3]图3是显示熔线元件一例的平面图。
[图4]图4是显示本发明所应用的其他熔线元件的在低熔点金属层的上下交替地层叠多个高熔点金属层的例子的截面图。
[图5]图5是显示本发明所应用的其他熔线元件的在低熔点金属层的上下设置高熔点金属层、进而在其上下设置抗氧化膜的例子的截面图。
[图6]图6是显示本发明所应用的其他熔线元件的在低熔点金属层的上下设置高熔点金属层的配置了贯通孔的例子的立体图。
[图7]图7是显示本发明所应用的其他熔线元件的在低熔点金属层的上下以及保险丝的宽度方向侧面设置高熔点金属层的例子的立体图。
[图8]图8是显示形成了保护部件的熔线元件的立体图。
[图9]图9是显示将第1实施方式中的熔线元件的端部弯折而形成端子部的状态的立体图。
[图10]图10是显示在将第1实施方式中的熔线元件的端部弯折而形成端子部状态下设置在绝缘基板上的状态的立体图。
[图11]图11是显示将第1实施方式中的熔线元件的端部弯折而形成端子部的熔断器件一例的截面图。
[图12]图12是显示第2实施方式所涉及的熔线元件一例的平面图。
[图13]图13是显示第2实施方式所涉及的熔线元件一例的立体图。
[图14]图14是显示第3实施方式所涉及的熔线元件一例的平面图。
[图15]图15是显示第3实施方式所涉及的熔线元件一例的立体图。
[图16]图16是显示第4实施方式所涉及的熔线元件一例的平面图。
[图17]图17是显示第4实施方式所涉及的熔线元件一例的立体图。
[图18]图18是显示第5实施方式所涉及的熔线元件一例的平面图。
[图19]图19是显示第5实施方式所涉及的熔线元件一例的立体图。
[图20]图20是显示第6实施方式所涉及的熔线元件一例的平面图。
[图21]图21是显示第6实施方式所涉及的熔线元件一例的立体图。
[图22]图22是显示第7实施方式所涉及的熔线元件一例的截面图。
[图23]图23是显示第7实施方式所涉及的熔线元件一例的立体图。
[图24]图24是显示第8实施方式所涉及的熔线元件一例的截面图。
[图25]图25是显示第8实施方式所涉及的熔线元件一例的立体图。
[图26]图26是显示第8实施方式所涉及的熔线元件的其他例的立体图。
[图27]图27是显示第9实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件一例的截面图。
[图28]图28是显示第10实施方式所涉及的熔断器件一例的分解立体图。
[图29]图29是显示第10实施方式所涉及的熔断器件一例的立体图。
[图30]图30是显示第10实施方式所涉及的熔断器件一例的截面图。
[图31]图31是显示第11实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的制造工序的立体图。
[图32]图32是显示第11实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的制造工序的立体图。
[图33]图33是显示第11实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的制造工序的立体图。
[图34]图34是显示从表面侧观察第11实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的立体图。
[图35]图35是显示从背面侧观察第11实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的立体图。
[图36]图36是显示改变第11实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的熔线元件的例子的立体图。
[图37]图37是显示改变第11实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的熔线元件的例子的平面图。
[图38]图38是显示第12实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的制造工序的立体图。
[图39]图39是显示第12实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的制造工序的立体图。
[图40]图40是显示从表面侧观察第12实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的立体图。
[图41]图41是显示从背面侧观察第12实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的立体图。
[图42]图42是显示从表面观察第13实施方式所涉及的倒装芯片型的发热体内置式熔断器件的立体图。
[图43]图43是显示从背面观察第13实施方式所涉及的倒装芯片型的发热体内置式熔断器件的立体图。
[图44]图44是显示第14实施方式所涉及的倒装芯片型的熔断器件的制造工序的立体图。
[图45]图45是显示第14实施方式所涉及的倒装芯片型的熔断器件的制造工序的立体图。
[图46]图46是显示从表面观察第14实施方式所涉及的倒装芯片型的熔断器件的立体图。
[图47]图47是显示从背面观察第14实施方式所涉及的倒装芯片型的熔断器件的立体图。
具体实施方式
以下，对于本发明所应用的熔断器件、熔线元件和发热体内置式熔断器件，一边参照附图一边进行详细地说明。需要说明的是，本发明并不仅仅限定于以下的实施方式，当然可以在不脱离本发明的宗旨的范围内进行各种改变。此外，附图仅是示意图，各尺寸的比例等与现实会有所不同。具体的尺寸等应该参考以下的说明来判断。此外，当然，附图相互之间也包括相互尺寸关系、比例不同的部分。
[第1实施方式]
[熔断器件]
本发明所涉及的熔断器件1如图1所示，具有：绝缘基板2、在绝缘基板2上设置的第1和第2电极3、4、在第1和第2电极3、4之间安装的熔线元件5以及覆盖在设置有熔线元件5的绝缘基板2的表面2a上的覆盖部件20，其中，熔线元件5通过流过超过额定的电流而自身发热从而熔断，来阻断第1电极3和第2电极4之间的电流路径。
绝缘基板2例如可以由氧化铝、玻璃陶瓷、莫来石、氧化锆等具有绝缘性的部件而形成为方形。此外，绝缘基板2还可以使用玻璃环氧基板、苯酚基板等用于印刷布线基板的材料。
在绝缘基板2的相对的两个端部形成第1、第2电极3、4。第1、第2电极3、4分别由Cu、Ag布线等导电图案来形成，在Cu等易于氧化的布线材料时，在表面适宜地设置Ni/Au镀敷、Sn镀敷等的保护层6来作为氧化防止对策。此外，第1、第2电极3、4从绝缘基板2的表面2a经由侧面延伸至背面2b。熔断器件1经由在背面2b形成的第1、第2电极3、4安装到电路基板的电流路径中。
熔断器件1是实现了小型且高额定的熔断器件，例如，作为绝缘基板2的尺寸为3～4mm×5～6mm程度的小型基板，则可以实现电阻值为0.5～1mΩ、50～60A额定这样的高额定化。需要说明的是，本发明当然可以适用于具有任何尺寸、电阻值和额定电流的熔断器件。
需要说明的是，熔断器件1在绝缘基板2的表面2a上安装有保护内部的同时防止熔融的熔线元件5飞散的覆盖部件20。覆盖部件20具有搭载于绝缘基板2的表面2a上的侧壁20a和构成熔断器件1的上面的顶面20b。该覆盖部件20可以使用例如热塑性塑料、陶瓷、玻璃环氧基板等具有绝缘性的部件来形成。
[熔线元件]
在第1和第2电极3、4之间安装的熔线元件5为，因流过超过额定的电流而自身发热(焦耳热)从而熔断，来阻断第1电极3与第2电极4之间的电流路径。
如图1所示，熔线元件5是由内层和外层构成的层叠结构体，具有作为内层的低熔点金属层5a和在低熔点金属层5a上层叠的作为外层的高熔点金属层5b，形成为大致矩形的板状。熔线元件5介由软钎料等接合材料8搭载于第1和第2电极3、4之间后，通过回流焊接等连接到绝缘基板2上。
低熔点金属层5a优选为以Sn为主成分的金属，即一般被称为“无铅软钎料”的材料。低熔点金属层5a的熔点没有必要一定比回流炉的温度高，可以在200℃左右熔融。高熔点金属层5b是在低熔点金属层5a的表面层叠的金属层，例如是Ag或Cu，或是这些中的任一种为主成分的金属，具有在将熔线元件5经回流炉进行安装至绝缘基板2上时也不熔融的高熔点。
熔线元件5通过在作为内层的低熔点金属层5a上层叠作为外层的高熔点金属层5b，即使在回流温度超过低熔点金属层5a的熔融温度的情况下，也不至于使熔线元件5熔断。因此，熔线元件5可以通过回流而有效地安装。
此外，熔线元件5在低熔点金属层5a的熔点以上的温度熔断，将第1和第2电极3、4之间的电流路径阻断。此时，熔线元件5通过熔融的低熔点金属层5a将高熔点金属层5b侵蚀，由此，高熔点金属层5b在比高熔点金属层5s的熔点低的温度下开始熔融。因此，熔线元件5通过利用低熔点金属层5a对高熔点金属层5b的侵蚀作用而能够在短时间内熔断。而且，熔线元件5的熔融金属通过第1和第2电极3、4的物理的牵引作用而分离为左右，从而可以快速且确实地阻断第1和第2电极3、4之间的电流路径。
此外，如图2和图3所示，熔线元件5的层叠结构体为大致矩形板状，且构成为宽幅结构，即，与通电方向的全长L相比，与通电方向正交的宽度方向的长度W(以下也简单称为“宽度W”)更大。需要说明的是，图2和图3中，用箭头来表示通电方向，在以后的附图中箭头也同样表示通电方向。熔线元件5在通电方向的中间部分具有并列的圆形的贯通孔5d、5e。需要说明的是，贯通孔5d、5e也可以是非贯通的凹陷，在熔线元件5中设置凹陷的例子，将由另外的实施方式来进行说明。此外，贯通孔5d、5e并不限于圆形，也可以是其他形状，对于其他形状的例子，由其他实施方式来进行说明。此外，熔线元件5的贯通孔、凹陷并不是必须的，也可以通过将熔线元件的厚度调整为较薄，而成为平坦的矩形形状。例如，通过将熔线元件5的厚度t调整为熔线元件5的宽度W的1/30以下，能够实现良好的电流阻断。进而，通过使熔线元件5的厚度t为熔线元件5的宽度W的1/60以下的比率，适当地加大熔线元件5的宽度W，从而能够应对50A以上的大电流。
这里，通电方向的全长L是指熔线元件5的熔断部平面中的通电方向的最大长度。后文中显示的弯折端子部，大多附着安装软钎料等连接材料，实质上不能作为熔断部位来发挥功能，因此，不作为熔线元件5的通电长度的对象。在通电方向的全长L在熔线元件5上不相同时，将长度成为最少的部分作为熔线元件5的通电方向的全长L。此外，宽度方向的长度W是指熔线元件5的与通电方向正交的方向上的长度。宽度方向的长度W在熔线元件5上为不相同时，以长度成为最大的部分作为熔线元件5的宽度方向的长度W。
以下，将使用2个贯通孔5d、5e在宽度方向上并列的熔线元件5的情况作为示例来进行说明。如图2和图3所示，构成为由2个贯通孔5d、5e将熔线元件5在宽度方向上分开的多个通电路径。而且，被2个贯通孔5d、5e分开的多个窄幅部分5f～5h，如图3所示，通过流过超过额定的电流而自身发热(焦耳热)从而熔断。熔线元件5中通过全部的窄幅部分5f～5h熔断而将第1、第2电极3、4之间的电流路径阻断。
熔线元件5通过具有贯通孔5d、5e而形成并列的多个窄幅部分5f～5h，因此如果流过超过额定的电流，则在电阻值低的窄幅部分流过较多的电流，会因自身发热而依次熔断，仅在最后剩余的窄幅部分熔断时产生电弧放电。因此，根据熔线元件5，即使在最后剩余的窄幅部分熔断时产生电弧放电，也是相应于窄幅部分的体积为小规模的电弧放电，能够防止熔融金属的爆发性的飞散，也能够大幅提高熔断后的绝缘性。此外，由于是熔线元件5中的多个窄幅部分5f～5h逐一熔断，各窄幅部分的熔断所需的热能少即可，在短时间内即可阻断。
此外，熔线元件5通过将与通电方向的全长L相比宽度方向的长度W设为更大的宽幅结构，因此，能够确保熔线元件5的体积，同时使贯通孔5d、5e并列变得容易。
此外，熔线元件5在流过超过额定的电流、熔断时，即使产生电弧放电，也能够防止熔融的熔线元件大范围地飞散，因飞散的金属形成新的电流路径或飞散的金属附着在端子、周围的电子部件等。
即，对于在绝缘基板上的电极端子之间被大范围地搭载的熔线元件，如果施加超过额定的电压而流过大电流，则整体地发热。而且，熔线元件整体熔融并成为凝集状态后，会在产生大规模电弧放电的同时熔断。因此，熔线元件的熔融物会爆发性地飞散。因此，会因飞散的金属形成新的电流路径而损害绝缘性，或者，使在绝缘基板上形成的电极端子熔融并飞散，从而有附着到周围的电子部件等的危险。而且，这样的熔线元件在整体凝集后，由于其熔融、阻断，因此熔断所需要的热能也增加，快速熔断性变差。
作为快速阻止电弧放电来阻断电路的对策，还曾提出了在中空壳内填充消弧材料、在放热材料的周围将熔线元件卷绕成螺旋状，从而发生时延的应对高电压的电流保险丝。但是，以往的应对高电压的电流保险丝中，消弧材的封入、螺旋保险丝的制造都需要复杂的材料、加工工艺，这对于熔断器件的小型化、电流的高额定化方面是不利的。
需要说明的是，为了实现同样的效果，也曾考虑将熔线元件在宽度方向上分段，从而将细长电阻丝进行并列，细长电阻丝因剧烈的加热而熔断，整体易于飞散，因此，更优选具有仅将通电路径的一部分进行分段的2个贯通孔5d、5e的熔线元件5。
即，熔线元件5在将通电路径分段成多个的同时，在第1、第2电极3、4附近确保具有规定热容量的电阻丝体积，因此，能够首先加热熔断2个贯通孔5d、5e附近，能够防止熔融金属的爆发性的飞散。
[贯通孔]
接着，对设置熔线元件5的贯通孔5d、5e的位置及其大小进行说明。如上所述，在贯通孔5d、5e附近最早被熔断，因此为了调整熔断位置，特别优选为通电方向上的全长L的中央附近。换而言之，如果要切断第1、第2电极3、4间的电路，优选在第1、第2电极3、4之间的中央附近。
具体而言，设置贯通孔5d、5e的位置，优选为从熔线元件5的通电方向的两端各自仅离开L1、L2的位置。这里，L1、L2的具体大小为(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。这是因为，要将熔线元件5的通电路径分段成多个的同时，在第1、第2电极3、4附近确保具有规定热容量的保险丝体积。
此外，如果贯通孔5d、5e的直径为L0，则其大小相对于熔线元件5的通电路径的全长L，优选设定为(L/2)＞L0。这是因为，如果与此相比变得更大，则贯通孔5d、5e可能会延伸到第1、第2电极3、4中的部分。
如上所述的熔线元件5构成为在作为内层的低熔点金属层5a上层叠高熔点金属层5b，因此，与以往的由高熔点金属形成的晶片保险丝等相比，熔断温度可以大幅降低。因此，熔线元件5与相同尺寸的晶片保险丝等相比，能够增大截面积、大幅提高额定电流。
此外，与具有相同额定电流的以往的晶片保险丝相比，能够实现小型化、薄型化，快速熔断性优异。此外，熔线元件5能够提高组装有熔断器件1的电气系统中瞬间施加异常高的电压的浪涌的耐性(耐脉冲性)。即，熔线元件5例如在100A的电流流过数毫秒时不会熔断。这一点是因为与以往的Pb系熔线元件相比，由Sn和Ag形成的本实施方式的熔线元件的比电阻降低至约1/4～1/3，以低电阻且在极短时间内流过的大电流是在导体的表层流动(表皮效应)，而熔线元件5作为外层设置电阻值低的Ag镀敷等高熔点金属层5b，因而易于流过因施加浪涌导致的电流，防止因自身发热而导致的熔断。因此，熔线元件5与以往的由Pb系软钎料合金构成的保险丝相比，能够大幅度提高对浪涌的耐性。
[耐脉冲试验]
这里，对熔断器件1的耐脉冲试验进行说明。本试验中，作为熔断器件，准备在低熔点金属箔(Sn96.5/Ag/Cu)的两面分别实施厚度4μm的Ag镀敷的熔线元件(实施例)以及仅由低熔点金属箔(Pb90/Sn/Ag)形成的熔线元件(比较例)。实施例所涉及的熔线元件，其截面积为0.1mm2、全长L为1.5mm、熔断器件的电阻为2.4mΩ。比较例所涉及的熔线元件，其截面积为0.15mm2、全长L为1.5mm、熔断器件的电阻为2.4mΩ。
将这样的实施例和比较例所涉及的熔线元件的两端分别通过软钎料连接到在绝缘基板上形成的第1、第2电极之间(参照图1)，以10秒的间隔流过10毫秒的100A的电流(通电＝10毫秒/关闭＝10秒)，测量直至熔断的脉冲数。
[表1]
熔线元件 截面积(mm<sup>2</sup>) 长度(mm) 熔断器件的电阻(mΩ) 耐脉冲性(次)
实施例 Sn96.5/Ag/Cu+镀银 0.1 1.5 2.4 3890
比较例 Pb90/Sn/Ag 0.15 1.5 2.4 412
如表1所示，实施例所涉及的熔线元件耐受了3890次脉冲直至熔断，而比较例所涉及的熔线元件，截面积与实施例中的熔线元件相比虽然大，但也只耐受了412次。由此可知，在低熔点金属层上层叠有高熔点金属层而成的熔线元件能大幅提高耐脉冲性。
需要说明的是，熔线元件5优选低熔点金属层5a的体积比高熔点金属层5b的体积大。熔线元件5通过增大低熔点金属层5a的体积，从而能够有效地进行因高熔点金属层5b的侵蚀而在短时间内发生的熔断。
具体而言，熔线元件5是内层为低熔点金属层5a、外层为高熔点金属层5b的被覆结构，低熔点金属层5a与高熔点金属层5b的层厚比，甚至可以为低熔点金属层:高熔点金属层＝2.1:1～100:1。由此，可以确实地使得低熔点金属层5a的体积比高熔点金属层5b的体积大，能够有效地进行因高熔点金属层5b的侵蚀而在短时间内发生的熔断。
即，熔线元件5由于在构成内层的低熔点金属层5a的上下面层叠有高熔点金属层5b，因而层厚比若为低熔点金属层:高熔点金属层＝2.1:1以上，则低熔点金属层5a越厚则低熔点金属层5a的体积比高熔点金属层5b的体积大。此外，熔线元件5，其层厚比如果超过低熔点金属层:高熔点金属层＝100:1，则低熔点金属层5a变厚、高熔点金属层5b变薄，高熔点金属层5b会有被因回流安装时的热而熔融的低熔点金属层5a侵蚀的危险。
所涉及的膜厚范围，是通过准备改变膜厚的多个熔线元件的样品，介由软钎料糊搭载在第1和第2电极3、4上之后，放置在与回流相当的260℃的温度，观察熔线元件不熔断的状态来求出的。
对于在100μm厚的低熔点金属层5a(Sn96.5/Ag/Cu)的上下面，形成厚度1μm的Ag镀敷层的熔线元件，在260℃的温度下，Ag镀敷熔融，不能维持保险丝的形状。如果考虑到通过回流的表面安装，相对于100μm厚的低熔点金属层5a，确认了高熔点金属层5b的厚度如果为3μm以上，则即使通过回流的表面安装也能确实地维持形状。需要说明的是，如果作为高熔点金属使用Cu时，厚度如果为0.5μm以上，则即使通过回流的表面安装也能确实地维持形状。
此外，通过对高熔点金属层采用Cu来减轻侵蚀性，对低熔点金属层的材料采用Sn/Bi、In/Sn等熔点低的合金来降低Sn含有量，由此，甚至使得低熔点金属层:高熔点金属层＝100:1成为可能。
需要说明的是，低熔点金属层5a的厚度，如果考虑到扩散至对高熔点金属层5b的侵蚀并快速熔断，虽然随着熔线元件的尺寸的不同而不同，但一般优选为30μm以上。
[制造方法]
熔线元件5可以通过在低熔点金属层5a的表面采用镀敷技术使高熔点金属层5b成膜来制造。熔线元件5可以通过例如在长条状的软钎料箔的表面实施Ag镀敷来效率良好地制造，使用时根据尺寸来切断，易于使用。
此外，熔线元件5还可以通过将低熔点金属箔与高熔点金属箔贴合在一起来制造。熔线元件5可以通过例如在轧制的2张Cu箔或Ag箔之间夹入同样轧制的软钎料箔来进行冲压而制造。这种情况下，低熔点金属箔优选选择比高熔点金属箔更柔软的材料。由此，能够吸收厚度的不均，使得低熔点金属箔和高熔点金属箔无间隙地密合。此外，由于是将低熔点金属箔经过冲压来使膜厚变薄，因此达到预定的膜厚即可。低熔点金属箔由于冲压从熔线元件端面突出来时，优选通过剪切来整齐形状。
此外，熔线元件5可以采用蒸镀等薄膜形成技术、其他公知的层叠技术，形成在低熔点金属层5a上层叠有高熔点金属层5b的熔线元件5。
此外，熔线元件5还可以如图4所示，将低熔点金属层5a与高熔点金属层5b交替地形成多个层。这种情况下，作为最外层可以是低熔点金属层5a和高熔点金属层5b中的任一种，但优选为低熔点金属层20a。最外层为低熔点金属层20a时，在熔融过程中，高熔点金属层21a从两面受到因低熔点金属层20a的侵蚀，能够效率良好地在短时间内熔断。最外层的低熔点金属层20a还可以通过在熔线元件的安装时在熔线元件的表面/背面适量涂布软钎料糊，通过回流加热在与电极连接的同时进行涂覆。
此外，熔线元件5，如图5所示，在将高熔点金属层5b作为最外层时，可以进一步在该最外层的高熔点金属层5b的表面形成抗氧化膜7。熔线元件5通过进一步由抗氧化膜7被覆最外层的高熔点金属层5b，即使例如作为高熔点金属层5b形成Cu镀敷、Cu箔的情况下，也能够防止Cu的氧化。因此，熔线元件5能够防止因Cu的氧化所引起的熔断时间变长的事态的发生，能够在短时间内进行熔断。
此外，作为高熔点金属层5b可以使用Cu等廉价但易于氧化的金属，而不使用Ag等高价的材料来形成熔线元件5。
高熔点金属的抗氧化膜7可以采用与内层的低熔点金属层5a相同的材料，例如可以使用以Sn为主成分的无Pb软钎料。此外，抗氧化膜7可以通过在高熔点金属层5b的表面实施镀锡来形成。此外，抗氧化膜7还可以通过镀Au、有机防氧化保焊剂来形成。
此外，熔线元件5还可以如图6所示，在低熔点金属层5a的上面和背面层叠高熔点金属层5b，或者，如图7所示，也可以除了低熔点金属层5a相对的2个端面之外，外周部由高熔点金属层5b被覆。即，可以是通电方向的侧面被高熔点金属层5b覆盖。图6中所示的熔线元件5，低熔点金属层5a从侧面露出，因此会有低熔点金属熔融而流出到外部的危险，存在损害熔断器件1的功能的可能性。但是，通过如图7所示的熔线元件5这样的结构，能够减小低熔点金属熔融而流出到外部的危险，使得保持熔断器件1的功能成为可能。
此外，熔线元件5如图8所示，还可以在外周的至少一部分设置保护部件10。保护部件10防止熔线元件5的回流安装时连接用软钎料的流入、内层的低熔点金属层5a的流出，并维持形状，同时，即使流过超过额定的电流时，也防止熔融软钎料的流入，防止因额定上升而导致的快速熔断性的下降。
即，熔线元件5通过在外周设置保护部件10，能够防止在回流温度下熔融的低熔点金属层5a的流出，维持保险丝的形状。尤其是，对于在低熔点金属层5a的上面和下面层叠有高熔点金属层5b、从侧面露出低熔点金属层5a的熔线元件5而言，通过在外周部设置保护部件10，能够防止低熔点金属从该侧面的流出，维持形状。
此外，通过在外周设置保护部件10，熔线元件5在流过超过额定的电流时，能够防止熔融软钎料的流入。熔线元件5在由软钎料连接到第1、第2电极3、4上时，会有因流过超过额定的电流时的发热从而使与第1、第2电极连接用的软钎料、构成低熔点金属层5a的金属熔融，流入到应该熔断的熔线元件5的中央部的危险。熔线元件5如果流入软钎料等熔融金属，则会有电阻值下降，阻碍发热，在规定电流值下不熔断或熔断时间延长，或者熔断后损害第1、第2电极3、4之间的绝缘可靠性的危险。这里，熔线元件5通过在外周设置保护部件10，能够防止熔融金属的流入，使电阻值固定，在规定电流值下快速熔断，且能够确保第1、第2电极3、4之间的绝缘可靠性。
因此，作为保护部件10，优选具有绝缘性、回流温度时的耐热性，且对于熔融软钎料等具有抗蚀性的材料。例如，保护部件10可以使用聚酰亚胺膜，如图8所示，通过用粘接剂11贴附到带状的熔线元件5的中央部来形成。此外，保护部件10可以通过将具有绝缘性、耐热性、抗蚀性的油墨涂布到熔线元件5的外周来形成。或者，保护部件10可以通过使用阻焊剂涂布到熔线元件5的外周来形成。
上述的由膜、油墨、阻焊剂等形成的保护部件10可以通过在长条状的熔线元件5的外周贴附或涂布来形成，另外，使用时只要将设置有保护部件10的熔线元件5切断即可，操作性优异。
此外，如图6和图7所示，作为熔线元件5中设置贯通孔5d、5e的方法，可以由穿孔机进行穿孔来进行开孔加工，也可以利用具有锐利的前端部分的打孔器等来进行开孔加工。此外，也可以利用冲压加工来进行开孔加工，也可以采用由切断机等进行切断的方法。即，可以适宜地采用对于熔线元件5进行开孔的各种公知的加工方法。
[安装状态]
接着，对熔线元件5的安装状态进行说明。如图1所示，熔断器件1要使得熔线元件5从绝缘基板2的表面2a分隔开来安装。由此，熔断器件1在流过超过额定的电流时，在第1、第2电极3、4之间的熔线元件5的熔融金属不会附着到绝缘基板2的表面2a上，能够确实地阻断电流路径。
而另一方面，对于将熔线元件通过印刷形成在绝缘基板的表面等熔线元件与绝缘基板的表面接触的熔断器件，在第1、第2电极间的熔线元件的熔融金属附着在绝缘基板上，产生泄漏。例如，在通过将Ag糊印刷到陶瓷基板上来形成熔线元件的熔断器件中，陶瓷与Ag烧结而陷入，残留在第1、第2电极之间。因此，因该残留物导致在第1、第2电极之间流过泄漏电流，不能完全阻断电流路径。
就这点而言，熔断器件1中，在与绝缘基板2不同的单体上形成熔线元件5，且从绝缘基板2的表面2a分隔开来安装。因此，熔断器件1即使在熔线元件5熔融时，熔融金属也不会陷入到绝缘基板2而被拉向第1、第2电极上，能够确实地使第1、第2电极间绝缘。
[助焊剂涂覆]
此外，熔线元件5为了防止外层的高熔点金属层5b或低熔点金属层5a的氧化，并去除熔断时的氧化物和提高软钎料的流动性，如图1所示，还可以在熔线元件5上的外层的几乎整个面上涂布助焊剂17。通过涂布助焊剂17，能够提高低熔点金属(例如软钎料)的润湿性，同时能除去低熔点金属熔融时的氧化物，能够通过对高熔点金属(例如Ag)的侵蚀作用来提高快速熔断性。
此外，通过涂布助焊剂17，即使在最外层的高熔点金属层5b的表面形成以Sn为主成分的无Pb软钎料等的抗氧化膜7的情况下，也能除去该抗氧化膜7的氧化物，有效地防止高熔点金属层5b的氧化，能够维持、提高快速熔断性。此外，助焊剂17还抑制因电流阻断时的电弧放电所引起的熔融飞散物对绝缘基板表面、保护部件表面的附着，抑制绝缘电阻的下降。
这样的熔线元件5可以如上所述那样通过施加回流软钎料来连接到第1、第2电极3、4上，除此之外，还可以通过超声波焊接将熔线元件5连接到第1、第2电极3、4上。
[熔断顺序的控制]
熔断器件1能够使得熔线元件5的各贯通孔5d之间依次熔断。
例如，熔线元件5通过使多个通电路径中的中央附近的一部分的截面积小于其他窄幅部分的截面积，来进行相对的高电阻化，由此，如果流过超过额定的电流，首先从比较低电阻的部分流过更多的电流并熔断。该熔断是因自身发热所致，而没有伴随电弧放电，因此不会产生熔融金属的爆发性的飞散。之后，电流集中于剩余的该被高电阻化的部分，最后伴随着电弧放电而熔断。由此，熔线元件5可以使由各贯通孔5d、5e分开的窄幅部分5f～5h依次熔断。熔线元件5中，截面积小的部分的熔断时尽管发生电弧放电，但对应于该部分的体积是小规模的，因而能够防止熔融金属的爆发性的飞散。
此时，熔断器件1在最初熔断的比较低电阻的部分和与该部分相邻的窄幅部分之间还可以设置绝缘部。这种情况可以通过绝缘部来防止因熔线元件5自身发热引起的膨胀而导致的相邻的窄幅部分彼此接触、凝集。由此，熔断器件1在使窄幅部分以规定熔断顺序熔断的同时，还能防止因相邻的窄幅部分彼此一体化而导致的熔断时间的增加、因电弧放电的大规模化而导致的绝缘性的下降。
具体而言，在图3所示的搭载了由3个窄幅部分5f～5h形成的熔线元件5的熔断器件1中，通过相对地减小中间的窄幅部分5g的截面积而高电阻化，在从外侧的窄幅部分5f、5h优先地流过较多的电流而熔断后，最后使中间的窄幅部分5g熔断。此时，熔断器件1通过在与窄幅部分5g、5h之间和窄幅部分5g、5f之间的贯通孔5e，5d中分别设置绝缘部，由此，即使窄幅部分5f、5h因自身发热而熔融时，也不会与相邻的窄幅部分5g接触，而在短时间内熔断，同时，窄幅部分5g最后熔断。此外，截面积小的窄幅部分5g不与相邻的窄幅部分5f、5h接触，熔断时的电弧放电也限制在小规模。
需要说明的是，熔线元件5在设置2个以上的贯通孔5d、5e时，优选外侧的窄幅部分最初熔断，内侧的窄幅部分最后熔断。例如，如图3所示，熔线元件5优选设置3个窄幅部分5f、5g、5h，同时使中间的窄幅部分5g最后熔断。
如上所述，如果熔线元件5中流过超过额定的电流，则首先在外侧设置的2个窄幅部分5f、5h中流过较多的电流，会因自身发热而熔断。这样的窄幅部分5f、5h的熔断是因自身发热所导致的，不会伴随着电弧放电，因此，熔融金属也不会爆发性地飞散。
接着，电流集中于设置在内侧的窄幅部分5g，伴随着电弧放电的同时发生熔断。这时，熔线元件5通过在内侧设置的窄幅部分5g最后熔断，即使发生电弧放电，也能抑制窄幅部分5g的熔融金属的飞散，防止因熔融金属所导致的短路等。
此时，也可以使熔线元件5的3个窄幅部分5f～5h中的位于内侧的中间的窄幅部分5g的截面积小于位于外侧的其他窄幅部分5f、5h的截面积，从而相对的高电阻化，由此使得中间的窄幅部分5g最后熔断。这种情况下，由于通过使截面积相对减小而最后熔断，因此电弧放电也是对应于窄幅部分5g的体积而成为小规模，能够更加抑制熔融金属的爆发性的飞散。
[端子部]
这里，熔线元件5如图9所示，将通电方向的两端向着电路基板侧弯折90度，就可将该端面作为端子部30。
在将搭载了熔线元件5的熔断器件1安装于电路基板时，端子部30就与在该电路基板上形成的连接端子直接连接，如图9所示，形成在通电方向的两端。而且，如图10和图11所示，通过将熔断器件1安装到电路基板上，端子部30介由软钎料等与在电路基板上形成的连接端子相连接。
熔断器件1通过介由在熔线元件5中形成的端子部30与电路基板导通连接，使得器件整体的电阻值下降，可以实现小型化且高额定化。即，熔断器件1在绝缘基板2的背面2b设置与电路基板连接用的电极，同时介由填充有导电糊的通孔等与第1、第2电极3、4进行连接的情况下，即使通过对通孔、城齿孔(Castellation)的孔径、孔数的限制或对导电糊的电阻率、膜厚的限制，也难以实现熔线元件的电阻值以下的电阻值，高额定化变得困难。
这里，熔断器件1在熔线元件5形成端子部30。而且，熔断器件1如图图10和图11所示，通过安装在电路基板上，端子部30与电路基板的连接端子直接连接。由此，熔断器件1可以防止因介入导电通孔而导致的高电阻化，可以由熔线元件5来决定器件的额定，在实现小型化的同时实现高额定化。
此外，熔断器件1通过在熔线元件5中形成端子部30，就不再需要在绝缘基板2的背面2b形成用于与电路基板连接的电极，仅在表面2a形成第1、第2电极3、4即可，能够实现制造工序数量的减少。
此外，作为在熔线元件5中形成端子部30的方法，可以通过利用冲压机等的挤压来将两侧边缘部弯折来制造。此外，设置了端子部30的熔线元件5，通过利用用于形成贯通孔5e、5f的冲压加工中，从而可以与开孔加工同时进行弯折加工。
需要说明的是，熔断器件1在采用设置端子部30并具有多个贯通孔5d、5e的熔线元件5时，在绝缘基板2上也可以不设置第1、第2电极3、4。这种情况下，绝缘基板2由于要用于将熔线元件5的热散热，适宜地使用热传导性良好的陶瓷基板。此外，作为将熔线元件5连接到绝缘基板2的粘接剂，可以不具有导电性，优选热传导性优异。
[熔断器件的制造工序]
使用熔线元件5的熔断器件1通过以下的工序来制造。搭载有熔线元件5的绝缘基板2，在其表面2a形成第1、第2电极3、4。第1、第2电极3、4与熔线元件5通过焊接等来连接。由此，通过将熔断器件1安装到电路基板中，从而使熔线元件5串联地组装到在电路基板上形成的电路中。
熔线元件5介由软钎料等接合材料搭载于第1、第2电极3、4之间，通过回流安装来进行连接。在将以往的Pb系软钎料(熔点300℃左右)作为熔线元件时，如果用Sn系软钎料(熔点220℃左右)来安装，则在250℃左右的回流温度下，Sn和Pb会合金化而熔线元件熔断，因此，必须使用Sn比率较少且熔点高的Pb系软钎料。但是，通过采用低熔点金属层与高熔点金属层的层叠保险丝，即使用Sn系软钎料(熔点220℃左右)进行安装，熔线元件也不会熔断，能够实现安装工艺的低温化，并实现无Pb化。此外，如图1所示，在熔线元件5上设置助焊剂17。通过设置助焊剂17，能够防止熔线元件5的氧化，实现润湿性的提高，能够快速地使其熔断。此外，通过设置助焊剂17，能够抑制因电弧放电所导致的熔融金属对绝缘基板2的附着，提高熔断后的绝缘性。
[第2实施方式]
[熔线元件]
需要说明的是，以下对于熔线元件5的其他例进行说明。作为熔断器件1的结构，与第1实施方式中的将熔线元件的两端弯折来设置端子部30的结构大致相同，因而未特别图示。此外，作为与第1实施方式中的熔线元件5的结构的相同功能的部分，赋予相同的符号，省略其说明。
如图12和图13所示，熔线元件5的层叠结构体为大致矩形板状，是与通电方向的全长L相比宽度方向的长度W更大的宽幅结构。此外，熔线元件5具有通电方向的端部向着电路基板侧弯折的端子部30。
熔线元件5具有在熔线元件的宽度方向的侧面并列的贯通孔5d、5e，开口形状为大致半圆形。即，贯通孔5d、5e成为在熔线元件5的宽度方向的侧面露出的状态。
[贯通孔]
接着，对设置熔线元件5的贯通孔5d、5e的位置及其大小进行说明。贯通孔5d、5e附近由于与其他实施方式同样地最早被熔断，为了调整熔断位置，特别优选为通电方向的全长L的中央附近。换而言之，为了切断第1、第2电极3、4间的电路，优选在第1、第2电极3、4之间的大致略中央附近。
具体而言，设置贯通孔5d、5e的位置优选为从熔线元件5的通电方向的两端各自仅离开L1、L2的位置。这里，L1、L2的具体的大小为(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。这是因为，要将熔线元件5的通电路径分段成多个的同时，在第1、第2电极3、4附近确保具有规定热容量的保险丝体积。
此外，对于贯通孔5d、5e的大小，如果熔线元件5的通电方向上的最大长度为L0，则相对于熔线元件5的通电路径的全长L，优选设定为(L/2)＞L0。这是因为，如果与此相比变得更大，则贯通孔5d、5e可能会延伸到第1、第2电极3、4中的部分。
熔线元件5在贯通孔5d、5e之间具有窄幅部分5g，在因通电电流而熔断时，从窄幅部分5g发生熔断。
[第3实施方式]
[熔线元件]
接着，对熔线元件5的其他例进行说明。作为熔断器件1的结构，与第1实施方式中的将熔线元件的两端弯折来设置端子部30的结构大致相同，因而未特别图示。此外，作为与第1实施方式中的熔线元件5的结构的相同功能的部分，赋予相同的符号，省略其说明。
此外，如图14和图15所示，熔线元件5的层叠结构体为大致矩形板状，是与通电方向的全长L相比宽度方向的长度W更大的宽幅结构。此外，熔线元件5具有通电方向的端部向着电路基板侧弯折的端子部30。
熔线元件5在通电方向的中间部分，具有在熔线元件5的宽度方向并列的圆形的贯通孔5d1、5e1以及贯通孔5d2、5e2。贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2分别在熔线元件5的通电方向上以规定间隔设置。贯通孔5d1、5d2在通电方向上并列，贯通孔5e1、5e2在通电方向上并列。即、对于熔线元件5而言，可以说贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2并列成阵列状。
[贯通孔]
接着，对设置熔线元件5的贯通孔5d1、5e1以及贯通孔5d2、5e2的位置及其大小进行说明。在贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2附近，如上所述，最早被熔断，因此为了调整熔断位置，特别优选为通电方向上的全长L的中央附近。换而言之，如果要切断第1、第2电极3、4间的电路，优选在第1、第2电极3、4之间的中央附近。
具体而言，设置贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2的位置，优选为从熔线元件5的通电方向的两端各自仅离开L1、L2的位置。这里，L1、L2的具体大小为(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。这是因为，要将熔线元件5的通电路径分段成多个的同时，在第1、第2电极3、4附近确保具有规定热容量的保险丝体积。
此外，对于贯通孔5d1、5d2的大小，如果满足各自直径与贯通孔5d1、5d2之间间隔的大小，即熔线元件5的通电方向的最大长度为L0，则相对于熔线元件5的通电路径的全长L，优选设定为(L/2)＞L0。这是因为，如果与此相比变得更大，则通孔5d1、5d2可能会延伸到第1、第2电极3、4中的部分。此外，贯通孔5e1、5e2的大小因能够与贯通孔5d1、5d2的大小同样地定义，因此省略其说明。
熔线元件5在贯通孔5d1、5e1之间和贯通孔5d2、5e2之间分别具有窄幅部分5g，在贯通孔5d1、5d2的熔线元件5的宽度方向的外侧具有窄幅部分5f，在贯通孔5e1、5e2的熔线元件5的宽度方向的外侧具有窄幅部分5h。
如上述那样构成的熔线元件5在熔线元件5的通电方向具有多个窄幅部分，与仅由1列并列的第1实施方式相比，能够在多个部位更精确地控制熔线元件5的熔断位置。
[第4实施方式]
[熔线元件]
接着，对熔线元件5的其他例进行说明。作为熔断器件1的结构，与第1实施方式中的将熔线元件的两端弯折来设置端子部30的结构大致相同，因而未特别图示。此外，作为与第1实施方式中的熔线元件5的结构相同功能的部分，赋予相同的符号，省略其说明。
如图16和图17所示，熔线元件5的层叠结构体为大致矩形板状，是与通电方向的全长L相比宽度方向的长度W更大的宽幅结构。此外，熔线元件5具有通电方向的端部向着电路基板侧弯折的端子部30。
熔线元件5在通电方向的中间部分具有在熔线元件5的宽度方向并列的圆形的贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2。贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2分别在熔线元件5的通电方向上以规定的间隔设置。贯通孔5d1、5d2并列为相对于通电方向中心位置偏移，贯通孔5e1、5e2并列为相对于通电方向中心位置偏移。更具体而言，熔线元件5中贯通孔5d1、5d2和贯通孔5e1、5e2分别并列但在通电方向上不重叠。
[贯通孔]
接着，对设置熔线元件5的贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2的位置及其大小进行说明。如上所述，在贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2附近最早被熔断，因此为了调整熔断位置，特别优选为通电方向上的全长L的中央附近。换而言之，如果要切断第1、第2电极3、4间的电路，优选在第1、第2电极3、4之间的中央附近。
具体而言，设置贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2的位置，优选为从熔线元件5的通电方向的两端各自仅离开L1、L2的位置。这里，L1、L2的具体大小为(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。这是因为，要将熔线元件5的通电路径分段成多个的同时，在第1、第2电极3、4附近确保具有规定热容量的保险丝体积。
此外，对于贯通孔5d1、5d2的大小，如果将包括贯通孔5d1、5d2的通电方向上的最大长度设定为L0，则相对于熔线元件5的通电路径的全长L，优选设定为(L/2)＞L0。这是因为，如果与此相比变得更大，则贯通孔5d1、5d2可能会延伸到第1、第2电极3、4中的部分。此外，贯通孔5e1、5e2的大小因能够与贯通孔5d1、5d2的大小同样地定义，因此省略其说明。
熔线元件5在贯通孔5d2、5e1之间具有窄幅部分5g，在贯通孔5d1的熔线元件5的宽度方向的外侧具有窄幅部分5f，在贯通孔5e2的熔线元件5的宽度方向的外侧具有窄幅部分5h。
如上述那样构成的熔线元件5在熔线元件5的通电方向具有多个窄幅部分，与仅由1列并列的第1实施方式相比，能够在多个部位更精确地控制熔线元件5的熔断位置。
[第5实施方式]
[熔线元件]
以下，对熔线元件5的其他例进行说明。作为熔断器件1的结构，与第1实施方式中的将熔线元件的两端弯折来设置端子部30的结构大致相同，因而未特别图示。此外，作为与第1实施方式中的熔线元件5的结构的相同功能的部分，赋予相同的符号，省略其说明。
如图18和图19所示，熔线元件5的层叠结构体为大致矩形板状，是与通电方向的全长L相比宽度方向的长度W更大的宽幅结构。此外，熔线元件5具有通电方向的端部向着电路基板侧弯折的端子部30。
熔线元件5在通电方向的中间部分，具有在熔线元件5的宽度方向上并列的矩形的贯通孔5d、5e。
[贯通孔]
接着，对设置熔线元件5的贯通孔5d、5e的位置及其大小进行说明。如上所述，在贯通孔5d、5e附近最早被熔断，因此为了调整熔断位置，特别优选为通电方向上的全长L的中央附近。换而言之，如果要切断第1、第2电极3、4间的电路，优选在第1、第2电极3、4之间的中央附近。
具体而言，设置贯通孔5d、5e的位置，优选为从熔线元件5的通电方向的两端各自仅离开L1、L2的位置。这里，L1、L2的具体大小为(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。这是因为，要将熔线元件5的通电路径分段成多个的同时，在第1、第2电极3、4附近确保具有规定热容量的保险丝体积。
此外，对于贯通孔5d、5e的大小，如果矩形的通电方向的一边的长度、即通电方向的最大长度为L0，相对于熔线元件5的通电路径的全长L，优选设定为(L/2)＞L0。这是因为，如果与此相比变得更大，则贯通孔5d、5e可能会延伸到第1、第2电极3、4中的部分。
熔线元件5在贯通孔5d、5e之间具有窄幅部分5g，在贯通孔5d的熔线元件5的宽度方向的外侧具有窄幅部分5f，在贯通孔5e的熔线元件5的宽度方向的外侧具有窄幅部分5h。
[第6实施方式]
[熔线元件]
以下，对熔线元件5的其他例进行说明。作为熔断器件1的结构，与第1实施方式中的将熔线元件的两端弯折来设置端子部30的结构大致相同，因而未特别图示。此外，作为与第1实施方式中的熔线元件5的结构的相同功能的部分，赋予相同的符号，省略其说明。
如图20和图21所示，熔线元件5的层叠结构体为大致矩形板状，是与通电方向的全长L相比宽度方向的长度W更大的宽幅结构。此外，熔线元件5具有通电方向的端部向着电路基板侧弯折的端子部30。
熔线元件5在通电方向的中间部分，具有在熔线元件5的宽度方向上并列的菱形贯通孔5d、5e。
[贯通孔]
接着，对设置熔线元件5的贯通孔5d、5e的位置及其大小进行说明。如上所述，贯通孔5d、5e附近最早被熔断，因此为了调整熔断位置，特别优选为通电方向上的长度L的中央附近。换而言之，如果要切断第1、第2电极3、4间的电路，优选在第1、第2电极3、4之间的中央附近。
具体而言，设置贯通孔5d、5e的位置，优选为从熔线元件5的通电方向的两端各自仅离开L1、L2的位置。这里，L1、L2的具体大小为(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。这是因为，要将熔线元件5的通电路径分段成多个的同时，在第1、第2电极3、4附近确保具有规定热容量的保险丝体积。
此外，对于贯通孔5d、5e的大小，如果通电方向的菱形的对角线的长度、即通电方向的最大长度为L0，相对于熔线元件5的通电路径的全长L，优选设定为(L/2)＞L0。这是因为，如果与此相比变得更大，则贯通孔5d、5e可能会延伸到第1、第2电极3、4中的部分。
熔线元件5在贯通孔5d、5e之间，即宽度方向的菱形的顶点间具有窄幅部分5g，在贯通孔5d的熔线元件5的宽度方向的菱形的顶点的外侧具有窄幅部分5f，在贯通孔5e的熔线元件5的宽度方向的菱形的顶点的外侧具有窄幅部分5h。
如上述那样构成的熔线元件5可以得到与第1实施方式同等的效果。
[第7实施方式]
[熔线元件]
以下，对熔线元件5的其他例进行说明。作为熔断器件1的结构，与第1实施方式中的将熔线元件的两端弯折来设置端子部30的结构大致相同，因而未特别图示。此外，作为与第1实施方式中的熔线元件5的结构的相同功能的部分，赋予相同的符号，省略其说明。
如图22和图23所示，熔线元件5的层叠结构体为大致矩形板状，是与通电方向的全长L相比宽度方向的长度W更大的宽幅结构。此外，熔线元件5具有通电方向的端部向着电路基板侧弯折的端子部30。
熔线元件5在通电方向的中间部分，具有在熔线元件5的宽度方向并列的圆形凹陷部5d3、5e3。凹陷部5d3、5e3是使熔线元件5不贯通的结构。具体而言，是将低熔点金属层5a挤出而仅由高熔点金属层5b形成的擂钵状的结构。
凹陷部5d3、5e3可以简单地通过利用前端不锐利的打孔器等对熔线元件5进行挤压来形成。此外，凹陷部5d3、5e3与贯通孔的形成相比，可以确实地以简单的工序来形成。
[凹陷部]
接着，对设置熔线元件5的凹陷部5d3，5e3的位置及其大小进行说明。如上所述，在凹陷部5d3，5e3附近最早被熔断，因此为了调整熔断位置，特别优选为通电方向上的全长L的中央附近。换而言之，如果要切断第1、第2电极3、4间的电路，优选在第1、第2电极3、4之间的中央附近。
具体而言，设置凹陷部5d3、5e3的位置，优选为从熔线元件5的通电方向的两端各自仅离开L1、L2的位置。这里，L1、L2的具体大小为(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。这是因为，要将熔线元件5的主通电路径分段成多个的同时，在第1、第2电极3、4附近确保具有规定热容量的保险丝体积。需要说明的是，凹陷部5d3、5e3构成通电路径、即为仅由高熔点金属层5b形成的区域。只是，考虑到该熔线元件5的特性，即，低熔点金属层5a由于通电而首先开始熔融，在第7实施方式中，将具有低熔点金属层5a的层叠结构部分定义为主通电路径，与凹陷部5d3、5e3的通电路径相区别。
此外，关于凹陷部5d3、5e3的大小，凹陷部5d3、5e3的直径、即通电方向的最大长度为L0，相对于熔线元件5的通电路径的全长L，优选设定为(L/2)＞L0。这是因为，如果与此相比变得更大，则开孔加工(凹陷加工)变得困难的同时，凹陷部5d3、5e3可能会延伸到第1、第2电极3、4中的部分。
熔线元件5在凹陷部5d3、5e3之间具有窄幅部分5g，在凹陷部5d3的熔线元件5的宽度方向的外侧具有窄幅部分5f，在凹陷部5e3的熔线元件5的宽度方向的外侧具有窄幅部分5h。
如上述那样构成的熔线元件5，在凹陷部5d3、5e3中如果进行通电，则低熔点金属层5a会由于高熔点金属层5b而分离，因此，作为熔线元件5整体不会爆发性地熔融，而在主通电路径一同熔断，能够实现与第1实施方式同等的效果。
[第8实施方式]
[熔线元件]
接下来，对熔线元件5的其他例进行说明。作为熔断器件1的结构，与第1实施方式中的将熔线元件的两端弯折来设置端子部30的结构大致相同，因而未特别图示。此外，作为与第1实施方式中的熔线元件5的结构的相同功能的部分，赋予相同的符号，省略其说明。
如图24和图25所示，熔线元件5的层叠结构体为大致矩形板状，是与通电方向的全长L相比宽度方向的长度W更大的宽幅结构。此外，熔线元件5具有通电方向的端部向着电路基板侧弯折的端子部30。
熔线元件5在通电方向的中间部分，具有在熔线元件5的宽度方向上并列的矩形的切割贯通孔5d4、5e4。
切割贯通孔5d4、5e4具有矩形的开口，可以通过在熔线元件5的中央部切割出三个边，并使熔线元件5的一部分翘起来形成。切割贯通孔5d4、5e4可以与形成端子部30的冲压加工同时切割出三个边，并将该区域翘起来形成，因而可以容易地进行加工。
对于切割贯通孔5d4、5e4确定翘起的方向，以使得在熔线元件5的宽度方向上露出切口。
[切割贯通孔]
接着，对设置熔线元件5的切割贯通孔5d4、5e4的位置及其大小进行说明。如上所述，在切割贯通孔5d4、5e4附近最早被熔断，因此为了调整熔断位置，特别优选为通电方向上的全长L的中央附近。换而言之，如果要切断第1、第2电极3、4间的电路，优选在第1、第2电极3、4之间的中央附近。
具体而言，设置切割贯通孔5d4、5e4的位置，优选为从熔线元件5的通电方向的两端各自仅离开L1、L2的位置。这里，L1、L2的具体大小为(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。这是因为，要将熔线元件5的通电路径分段成多个的同时，在第1、第2电极3、4附近确保具有规定热容量的保险丝体积。
此外，关于切割贯通孔5d4、5e4的大小，矩形在通电方向上的一边的长度、即通电方向的最大长度为L0，相对于熔线元件5的通电路径的全长L，优选设定为(L/2)＞L0。这是因为，如果与此相比变得更大，则切割贯通孔5d4、5e4可能会延伸到第1、第2电极3、4中的部分。
熔线元件5在切割贯通孔5d4、5e4之间具有窄幅部分5g，在切割贯通孔5d4的熔线元件5的宽度方向的外侧具有窄幅部分5f，在切割贯通孔5e4的熔线元件5的宽度方向的外侧具有窄幅部分5h。
如上述那样构成的熔线元件5，可以由更简单的加工方法来制造，能够实现与第1实施方式同等的效果。
此外，切割贯通孔5d4、5e4还可以如图26所示，确定翘起的方向使得切口在熔线元件5的通电方向上露出。即，可以将图25中说明的切割贯通孔5d4、5e4的切割位置和翘起方向旋转90度。
[第9实施方式]
[发热体内置式熔断器件]
需要说明的是，本发明所涉及的熔断器件1对于发热体内置式熔断器件也可适用。具体而言，图27所示，发热体内置式熔断器件100具有：绝缘基板2，在绝缘基板2上层叠的被绝缘部件15覆盖的发热体14，在绝缘部件15上以与发热体14相重叠的方式层叠的发热体引出电极16，在两端具有端子部30、通过软钎料糊等接合材料8将端子部30连接到电路基板上的电路图案且中央部连接至发热体引出电极16的熔线元件5，设置在熔线元件5之上、在除去在熔线元件5上产生的氧化膜的同时提高熔线元件5的润湿性的多个助焊剂17，以及成为覆盖熔线元件5的外装体的覆盖部件20。
对于熔线元件5的结构，由于是与第1实施方式中说明的、具有端子部30的情况大致相同，省略其详细说明，但设置贯通孔5d的位置优选为从发热体引出电极16的端部向着桥接部、即端子部30侧跨过。此外，通过调整熔线元件5的厚度t，也可以不具有贯通孔。
如图27所示，熔线元件5是由内层和外层形成的层叠结构体，具有作为内层的低熔点金属层5a和在低熔点金属层5a上层叠的作为外层的高熔点金属层5b，形成为大致矩形板状。熔线元件5介由软钎料等接合材料8连接到电路基板上的电路图案中。此外，虽未图示，但还可以介由软钎料等接合材料8与设置在绝缘基板的通电方向的两端的电极相连接。这种情况下，经由绝缘基板使端子部的热散热，由此能够降低额定通电时的素子表面温度，能够较高地设定额定电流。
发热体14是电阻值比较高且如果通电就会发热的具有导电性的部件，例如由W、Mo、Ru等形成。将这些合金或组合物、化合物的粉状体与树脂粘合剂等混合成为糊状，并使用丝网印刷技术将该糊状物在绝缘基板2上形成图案，经烧成等形成。
配置覆盖发热体14的绝缘部件15，隔着该绝缘部件15配置发热体引出电极16以与发热体14相对。为了将发热体14的热效率良好地传输至熔线元件5，还可以在发热体14与绝缘基板11之间层叠绝缘部件15。作为绝缘部件15，可以使用例如玻璃。
发热体引出电极16与发热体14的一端连接，同时，一端与未图示的发热体电极连接，另一端隔着发热体14与另一未图示的发热体电极连接。
发热体14由未图示的电极供给电流从而发热，能够对熔线元件5进行加热。
因此，对于发热体内置式熔断器件100，即使在熔线元件5中没有流过超过额定电流的异常电流时，由于在发热体14中流过电流，将熔线元件5加热，能够在所希望的条件下使熔线元件5熔断。
[第10实施方式]
[熔断器件]
需要说明的是，以下对熔断器件1的其他例进行说明。作为熔断器件1的结构，与第1实施方式中的将熔线元件的两端弯折来设置端子部30的结构大致相同，对于除此之外的结构没有特别图示。此外，作为与第1实施方式中的熔断器件1的结构的相同功能的部分，赋予相同的符号，省略其说明。
具体而言，如图28～图30所示，熔断器件1具有绝缘基板2、熔线元件5和覆盖部件20。
绝缘基板2具有在长度方向的两端设置的侧壁2c、在宽度方向的两端设置的侧壁2d以及由侧壁2c、2d包围的凹部2e。侧壁2c间的距离大于熔线元件5的与通电方向正交的宽度方向的长度W，在宽度方向的长度W基础上再隔开规定空隙，从而分离开。
覆盖部件20在宽度方向的两端具有侧壁20a。侧壁20a间的距离大于熔线元件5的通电方向的全长L，在通电方向的全长L的基础上再具有规定空隙，以这样的距离分离开。
熔线元件5的层叠结构体为大致矩形板状，是与通电方向的全长L相比与通电方向正交的宽度方向的长度W更大的宽幅结构。此外，熔线元件5具有通电方向的端部多处弯折的端子部30。通电方向的全长L为从中央部观察时在通电方向的两端最初弯折部分之间的长度。特别是，熔线元件5在通电方向的两个端部经过3段的弯折来形成端子部30。
更具体而言，熔线元件5是如下的结构体：通电方向的两端向着未图示的电路基板侧以90度的角度弯折，进而在其前端弯折90度以与电路基板并行，进而在其前端弯折90度使得在与电路基板垂直方向上朝向上方。即，熔线元件5的通电方向的端面相对于电路基板形成为向着上方的形态的点，这与第1实施方式中的将熔线元件的两端弯折来设置端子部30不同。
熔线元件5的弯折加工如图28所示，在具有与端子部30对应的形状的未图示的夹具上，放置作为下侧的基体部件的绝缘基板2，在绝缘基板2的侧壁2c之间放置矩形平板状的熔线元件5，在熔线元件5的上部放置覆盖部件20，通过按压覆盖部件20就可以进行弯折加工。
熔线元件5的弯折位置应该说由覆盖部件20的侧壁20a和绝缘基板2的侧壁2d来确定。在将覆盖部件20和绝缘基板2组合时，覆盖部件20的侧壁20a与绝缘基板2的侧壁2d之间，与熔线元件5的膜厚相比，要保持充分的分离开的距离。即，熔断器件1中要在覆盖部件20的侧壁20a与绝缘基板2的侧壁2d之间的空间保持熔线元件5。而且，如图10和图11所示，通过将熔断器件1安装到电路基板上，端子部30介由软钎料等与在电路基板上形成的连接端子连接。
熔断器件1介由在熔线元件5上形成的端子部30与电路基板导通连接，由此能够降低器件整体的电阻值，能够实现小型化且高额定化。即，可以防止因存在导电通孔而导致的高电阻化，由熔线元件5来决定器件的额定，在实现小型化的同时能够实现高额定化。
此外，熔断器件1中，通过在熔线元件5上形成端子部30，不再需要在绝缘基板2上形成用于与电路基板连接的电极，可以实现制造工时的削减。
此外，熔断器件1通过将熔线元件5的端子部30多次弯折使得与电路基板相对的位置成为平面，能够提高与电路基板的连接稳定性。
此外，熔断器件1是熔线元件5的端子部30多次弯折的结构，如上述所说明的那样，通过使用夹具的冲压加工，可以对平板上的熔线元件容易地进行弯折加工，因而能够提高生产性。
需要说明的是，如图30所示，通过在绝缘基板2的凹部2e配设发热体，可以容易地构成发热体内置式熔断器件。
[第11实施方式]
[发热体内置式熔断器件]
接着，对发热体内置式熔断器件的其他构成例进行说明，作为与第1实施方式中的熔断器件的结构的相同功能的部分，赋予相同的符号，省略其说明。
具体而言，如图31～图35所示，发热体内置式熔断器件100具有：绝缘基板2，在绝缘基板2上层叠的被绝缘部件15覆盖的发热体14，在绝缘部件15上以与发热体14相重叠的方式而层叠的发热体引出电极16，在绝缘基板2上设置的第1和第2电极3、4，在第1和第2电极3、4之间安装的熔线元件5，设置在熔线元件5之上、在除去在熔线元件5上产生的氧化膜的同时提高熔线元件5的润湿性的多个助焊剂17，以及作为覆盖熔线元件5的外装体的覆盖部件20。其中，熔线元件5的中央部连接至发热体引出电极16，通过流过超过额定的电流而因自身发热或由发热体14的加热而熔断，阻断第1电极3和第2电极4之间的电流路径。
这里，图31显示了在绝缘基板2上放置熔线元件5之前的状态，图32显示在绝缘基板2上放置有熔线元件5的状态，图33显示在熔线元件5上涂布有助焊剂17的状态，图34显示在涂布了助焊剂17之后安装有覆盖部件20的状态。即，是按照图31～图34的顺序说明发热体内置式熔断器件100的制造工序的图。需要说明的是，图35是对发热体内置式熔断器件100的背面进行说明的说明图。
熔线元件5的层叠结构体为大致矩形板状，是与通电方向的全长L相比与通电方向正交的宽度方向的长度W更大的宽幅结构。
发热体14通过供给电流从而发热，能够对熔线元件5进行加热。
因此，对于发热体内置式熔断器件100，即使在熔线元件5中未流过超过额定电流的异常电流时，由于在发热体14中流过电流，将熔线元件5加热，能够在所希望的条件下使熔线元件5熔断。
需要说明的是，对于发热体内置式熔断器件100，连接绝缘基板2的表面2a和背面2b的第1电极3和第2电极4通过通孔来确保绝缘基板2表面和背面的导通，构成熔线元件5的通电路径。
需要说明的是，熔线元件5还可以如图36和图37所示，设置贯通孔5d1、5e1、贯通孔5d2、5e2。
具体而言，熔线元件5在通电方向的中间部分，具有在熔线元件5的宽度方向上并列的圆形的贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e3。贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2分别在熔线元件5的通电方向上以规定的间隔设置。贯通孔5d1、5d2并列为其中心位置相对于通电方向偏移，贯通孔5e1、5e2并列为其中心位置相对于通电方向偏移。更具体而言，熔线元件5中贯通孔5d1、5d2和贯通孔5e1、5e2分别并列以使得在通电方向上不重叠。
[贯通孔]
接着，对设置熔线元件5的贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2的位置及其大小进行说明。如上所述，在贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2附近最早被熔断，因此为了调整熔断位置，特别优选在通电方向上的全长L的中央附近。换而言之，如果要切断第1、第2电极3、4间的电路，优选在第1、第2电极3、4之间的中央附近。
具体而言，设置贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2的位置，优选为从熔线元件5的通电方向的两端各自仅离开L1、L2的位置。这里，L1、L2的具体大小为(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。这是因为，要将熔线元件5的通电路径分段成多个的同时，在第1、第2电极3、4附近确保具有规定热容量的保险丝体积。此外，设置贯通孔5d1、5e1，5d2、5e2的位置，优选设置为从发热体引出电极16的端部向着桥接部、即端子部30侧跨过。
此外，对于贯通孔5d1、5d2的大小，如果将包括贯通孔5d1、5d2的通电方向上的最大长度设定为L0，则相对于熔线元件5的通电路径的全长L，优选设定为(L/2)＞L0。这是因为，如果与此相比变得更大，则贯通孔5d1、5d2可能会延伸到第1、第2电极3、4中的部分。此外，贯通孔5e1、5e2的大小因能够与贯通孔5d1、5d2的大小同样地定义，省略其说明。
熔线元件5在贯通孔5d2、5e1之间具有窄幅部分5g，在贯通孔5d1的熔线元件5的宽度方向的外侧具有窄幅部分5f，在贯通孔5e2的熔线元件5的宽度方向的外侧具有窄幅部分5h。
如上述那样构成的熔线元件5在熔线元件5的通电方向具有多个窄幅部分，与仅由1列并列的第1实施方式相比，能够在多个部位更精确地控制熔线元件5的熔断位置。
[第12实施方式]
[发热体内置式熔断器件]
接着，对发热体内置式熔断器件的其他构成例进行说明，作为与第1实施方式中的熔线元件5的结构的相同功能的部分，赋予相同的符号，省略其说明。
具体而言，如图38～图41所示，发热体内置式熔断器件100具有：绝缘基板2，在绝缘基板2上层叠的被绝缘部件15覆盖的发热体14，在绝缘部件15上以与发热体14相重叠的方式层叠的发热体引出电极16，中央部连接至发热体引出电极16并在通电方向的两端具有端子部30、由端子部30之间通过流过超过额定的电流而自身发热或由发热体14加热而熔断从而阻断电流路径的熔线元件5，设置在熔线元件5之上、在除去在熔线元件5上产生的氧化膜的同时提高熔线元件5的润湿性的多个助焊剂17，以及成为覆盖熔线元件5的外装体的覆盖部件20。
这里，图38显示在绝缘基板2上放置熔线元件5的状态，图39显示在熔线元件5上涂布有助焊剂17的状态，图40显示涂布了助焊剂17之后安装有覆盖部件20的状态。即，是按照图38～图41的顺序说明发热体内置式熔断器件100的制造工序的图。需要说明的是，图41是对发热体内置式熔断器件100的背面进行说明的说明图。需要说明的是，在绝缘基板2上放置熔线元件5之前的状态与图31基本相同，因而省略其图示。
熔线元件5的层叠结构体为大致矩形板状，是与通电方向的全长L相比与通电方向正交的宽度方向的长度W更大的宽幅结构。需要说明的是，对于全长L、宽度W，由于与图37基本相同，因而省略其图示和说明。
此外，熔线元件5中，将通电方向的两端向着电路基板侧90度弯折，将该端面作为端子部30。
在搭载有熔线元件5的发热体内置式熔断器件100安装于电路基板时，端子部30要与在该电路基板上形成的连接端子直接连接，因而在通电方向的两端形成。而且，端子部30如图40和图41所示，通过熔断器件1安装到电路基板上，介由软钎料等与电路基板上形成的连接端子连接。
对于发热体内置式熔断器件100，介由在熔线元件5上形成的端子部30与电路基板导通连接，由此能够降低器件整体的电阻值，能够实现小型化和高额定化。由此，发热体内置式熔断器件100可以防止因存在导电通孔而导致的高电阻化，由熔线元件5来决定器件的额定，在实现小型化的同时能够实现高额定化。
此外，如图38所示，熔线元件5中也可以设置贯通孔5d1、5e1、贯通孔5d2、5e2。需要说明的是，对于设置贯通孔5d1、5e1、贯通孔5d2、5e2的位置，由于与图37基本相同，因而省略其图示和说明。
具体而言，熔线元件5在通电方向的中间部分，具有在熔线元件5的宽度方向上并列的圆形的贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2。贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2分别在熔线元件5的通电方向上以规定的间隔设置。贯通孔5d1、5d2并列为其中心位置相对于通电方向偏移，贯通孔5e1、5e2并列为其中心位置相对于通电方向偏移。更具体而言，对于熔线元件5，贯通孔5d1、5d2和贯通孔5e1、5e2分别并列以使得在通电方向上不重叠。
[贯通孔]
接着，对设置熔线元件5的贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2的位置及其大小进行说明。如上所述，在贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2附近最早被熔断，因此为了调整熔断位置，特别优选为通电方向上的全长L的中央附近。换而言之，为了切断端子部30间的电路，优选在端子部30之间的中央附近。
具体而言，设置贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2的位置，优选为从熔线元件5的通电方向的两端各自仅离开L1、L2的位置。这里，L1、L2的具体大小为(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。这是因为，要将熔线元件5的通电路径分段成多个的同时，在第1、第2电极3、4附近确保具有规定热容量的保险丝体积。此外，设置贯通孔5d1、5e1、5d2、5e2的位置优选设置为从发热体引出电极16的端部向着桥接部、即端子部30侧跨过。
此外，对于贯通孔5d1、5d2的大小，如果将包括贯通孔5d1、5d2的通电方向上的最大长度设定为L0，则相对于熔线元件5的通电路径的全长L，优选设定为(L/2)＞L0。这是因为，如果与此相比变得更大，则贯通孔5d1、5d2可能会延伸到弯折部分。此外，贯通孔5e1、5e2的大小因能够与贯通孔5d1、5d2的大小同样地定义，省略其说明。
熔线元件5在贯通孔5d2、5e1之间具有窄幅部分5g，在贯通孔5d1的熔线元件5的宽度方向的外侧具有窄幅部分5f，在贯通孔5e2的熔线元件5的宽度方向的外侧具有窄幅部分5h。需要说明的是，对于窄幅部分5g～5f，由于与图37基本相同，因而省略其图示和说明。
如上述那样构成的熔线元件5在熔线元件5的通电方向具有多个窄幅部分，与仅由1列并列的第1实施方式相比，能够在多个部位更精确地控制熔线元件5的熔断位置。
发热体14由未图示的电极供给电流而发热，能够对熔线元件5进行加热。
因此，对于发热体内置式熔断器件100，即使在熔线元件5中未流过超过额定电流的异常电流时，由于在发热体14中流过电流，将熔线元件5加热，能够在所希望的条件下将熔线元件5熔断。
[第13实施方式]
[发热体内置式熔断器件]
接着，对发热体内置式熔断器件的其他构成例进行说明，作为与第1实施方式中的熔断器件的结构的相同功能的部分，赋予相同的符号，省略其说明。本实施方式中的熔断器件是倒装芯片型的发热体内置式熔断器件的一个例子。
具体而言，如图42和图43所示，发热体内置式熔断器件100具有：绝缘基板2，在绝缘基板2上层叠的被绝缘部件覆盖的发热体，在绝缘部件上以与发热体相重叠的方式层叠的发热体引出电极16，中央部连接至发热体引出电极16并在通电方向的两端具有端子部30、由端子部30之间通过流过超过额定的电流而自身发热或由发热体加热而熔断从而阻断电流路径的熔线元件5，设置在熔线元件5之上、在除去在熔线元件5上产生的氧化膜的同时提高熔线元件5的润湿性的助焊剂，以及作为覆盖熔线元件5的外装体的覆盖部件20。
这里，图42是对发热体内置式熔断器件100的表面进行说明的图，图43是对发热体内置式熔断器件100的背面进行说明的图。需要说明的是，对于内部的详细结构，由于与第12实施方式大致相同，因而省略其图示和说明。
熔线元件5的层叠结构体为大致矩形板状，是与通电方向的全长L相比与通电方向正交的宽度方向的长度W更大的宽幅结构。
此外，熔线元件5中，将通电方向的两端向着电路基板侧90度弯折，将该端面作为端子部30。需要说明的是，本实施方式中的发热体内置式熔断器件100是倒装芯片型的，因此，在电路基板上的安装方向与其他实施方式不同，是上下颠倒的(面朝下)。因此，熔线元件5的端面的弯折方向相对于绝缘基板2为垂直方向朝向上的方向。此外，发热体引出电极16也同样地在相对于绝缘基板2在垂直方向搭载有用于确保连接路径的端子部40。
如果将搭载有熔线元件5的发热体内置式熔断器件100安装到电路基板，端子部30会与在该电路基板上形成的连接端子直接连接，形成于通电方向的两端。而且，如图43所示，由于熔断器件1是面朝下安装于电路基板的，端子部30介由软钎料等与在电路基板上形成的连接端子相连接。此外，端子部40也同样地面朝下安装于电路基板。
对于发热体内置式熔断器件100，介由在熔线元件5上形成的端子部30与电路基板导通连接，由此能够降低器件整体的电阻值，能够实现小型化和高额定化。由此，发热体内置式熔断器件100可以防止因存在导电通孔而导致的高电阻化，由熔线元件5来决定器件的额定，在实现小型化的同时能够实现高额定化。
[第14实施方式]
[熔断器件]
接着，对倒装芯片型的熔断器件的其他构成例进行说明，作为与第1实施方式中的熔断器件的结构的相同功能的部分，赋予相同的符号，省略其说明。
具体而言，如图44～图47所示，熔断器件1具有：绝缘基板2，在绝缘基板2上层叠的并在通电方向的两端具有端子部30、端子部30之间通过流过超过额定的电流而自身发热而熔断从而阻断电流路径的熔线元件5，设置在熔线元件5之上、在除去在熔线元件5上产生的氧化膜的同时提高熔线元件5的润湿性的多个助焊剂17，以及成为覆盖熔线元件5的外装体的覆盖部件20。
这里，图44显示在绝缘基板2上放置有熔线元件5的状态，图45显示在熔线元件5上涂布有助焊剂17的状态，图46显示在涂布了助焊剂17之后安装有覆盖部件20的状态。即，是按照图44～图46的顺序说明熔断器件1的制造工序的说明图。需要说明的是，图47是对熔断器件1的背面进行说明的图。
熔线元件5的层叠结构体为大致矩形板状，是与通电方向的全长L相比与通电方向正交的宽度方向的长度W更大的宽幅结构。需要说明的是，对于全长L、宽度W，由于与图37基本相同，因而省略其图示和说明。
此外，对于熔线元件5，将通电方向的两端向着电路基板侧90度弯折，将该端面作为端子部30。
在搭载有熔线元件5的熔断器件1安装于电路基板时，端子部30要与在该电路基板上形成的连接端子直接连接，形成在通电方向的两端。而且，端子部30如图47所示，通过熔断器件1面朝下安装到电路基板上，介由软钎料等与电路基板上形成的连接端子连接。
对于熔断器件1，介由在熔线元件5上形成的端子部30与电路基板导通连接，由此能够降低器件整体的电阻值，能够实现小型化和高额定化。由此，熔断器件1可以防止因存在导电通孔而导致的高电阻化，由熔线元件5来决定器件的额定，在实现小型化的同时能够实现高额定化。
此外，如图43所示，熔线元件5中也可以设置贯通孔5d1、5e1、贯通孔5d2、5e2。此外，也可以不是贯通孔形状而是凹陷形状。需要说明的是，对于设置贯通孔5d1、5e1、贯通孔5d2、5e2的位置，由于与图37基本相同，因而省略其图示和说明。
具体而言，熔线元件5在通电方向的中间部分，具有在熔线元件5的宽度方向上并列的圆形的贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2。贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2分别在熔线元件5的通电方向上以规定的间隔设置。贯通孔5d1、5d2并列为其中心位置相对于通电方向偏移，贯通孔5e1、5e2并列为其中心位置相对于通电方向偏移。更具体而言，熔线元件5中贯通孔5d1、5d2和贯通孔5e1、5e2分别并列以使得在通电方向上不重叠。
[贯通孔]
接着，对设置熔线元件5的贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2的位置及其大小进行说明。如上所述，在贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2附近最早被熔断，因此为了调整熔断位置，特别优选为通电方向上的全长L的中央附近。换而言之，为了切断端子部30间的电路，优选在端子部30间的中央附近。
具体而言，设置贯通孔5d1、5e1和贯通孔5d2、5e2的位置，优选为从熔线元件5的通电方向的两端各自仅离开L1、L2的位置。这里，L1、L2的具体大小为(L/4)＜L1、(L/4)＜L2。这是因为，要将熔线元件5的通电路径分段成多个的同时，在第1、第2电极3、4附近确保具有规定热容量的保险丝体积。
此外，对于贯通孔5d1、5d2的大小，如果将包括贯通孔5d1、5d2的通电方向上的最大长度设定为L0，则相对于熔线元件5的通电路径的全长L，优选设定为(L/2)＞L0。这是因为，如果与此相比变得更大，则贯通孔5d1、5d2可能会延伸到弯折部分。此外，贯通孔5e1、5e2的大小因能够与贯通孔5d1、5d2的大小同样地定义，因此省略其说明。
熔线元件5在贯通孔5d2、5e1之间具有窄幅部分5g，在贯通孔5d1的熔线元件5的宽度方向的外侧具有窄幅部分5f，在贯通孔5e2的熔线元件5的宽度方向的外侧具有窄幅部分5h。需要说明的是，对于窄幅部分5g～5f，由于与图37基本相同，因而省略其图示和说明。
如上述那样构成的熔线元件5在熔线元件5的通电方向具有多个窄幅部分，与仅由1列并列的第1实施方式相比，能够在多个部位更精确地控制熔线元件5的熔断位置。
[小结]
如上所述，适用本发明的各实施方式中的熔线元件构成为宽幅结构，即与通电方向的全长L相比，与通电方向正交的宽度方向的长度W更大，特别是通过成为低熔点金属层与高熔点金属层的层叠结构体，能够以简单的结构提供小型且能应对大电流的熔断器件或发热体内置式熔断器件。
此外，提供一种通过在熔线元件中设置贯通孔或凹陷部，能够抑制熔线元件的爆发性的熔融，即使熔线元件熔断后，也能够确保绝缘性的高安全性的熔断器件和发热体内置式熔断器件。
需要说明的是，在熔线元件中设置的贯通孔或凹陷部的数量、种类可以适当地选择，可以将包括端子部的有无这样的各实施方式中说明的结构进行适当组合来使用。
此外，适用本发明的各实施方式的熔线元件，全部都能适用于发热体内置式熔断器件，能够容易地得到能应对大电流化的小型的表面安装型的熔断器件。
符号说明
1熔断器件，2绝缘基板，2a表面，2b背面，3第1电极，4第2电极，5熔线元件，5a低熔点金属层，5b高熔点金属层，5e～5d贯通孔(凹陷部)，5f～5h窄幅部分，6保护层，7抗氧化膜，8接合材料，10保护部件，11粘接剂，14发热体，15绝缘部件，16发热体引出电极，20覆盖部件，20a侧壁，20b顶面，30端子部，40端子部，100发热体内置式熔断器件。

Claims (54)

1.一种熔线元件，其构成熔断器件的通电路径并通过流过超过额定电流的电流而自身发热从而熔断，
具有低熔点金属层和在所述低熔点金属层上层叠的高熔点金属层，
所述低熔点金属层的膜厚为30μm以上，
所述高熔点金属层的膜厚为3μm以上，
与通电方向的全长相比，与通电方向正交的宽度方向上的长度更大。
2.如权利要求1所述的熔线元件，
在所述低熔点金属层的上下具有所述高熔点金属层。
3.如权利要求2所述的熔线元件，
所述低熔点金属层在通电方向的两侧面具有高熔点金属层。
4.如权利要求1所述的熔线元件，
具有凹陷或贯通孔。
5.如权利要求4所述的熔线元件，
相对于该熔线元件的通电方向的全长L，所述凹陷或贯通孔的通电方向的最大长度L0小于L/2。
6.如权利要求5所述的熔线元件，
所述凹陷或贯通孔设置成，该凹陷或贯通孔距通电方向的两个端部的距离分别为L1、L2时，在L1大于L/4且L2大于L/4的位置上。
7.如权利要求4所述的熔线元件，
所述凹陷或贯通孔在宽度方向上并列多个。
8.如权利要求4所述的熔线元件，
所述凹陷或贯通孔为圆形、矩形或菱型中的任一种。
9.如权利要求1～8中任一项所述的熔线元件，
所述低熔点金属层为软钎料，
所述高熔点金属层为Ag、Cu或以Ag或Cu为主成分的合金。
10.如权利要求1～8中任一项所述的熔线元件，
所述低熔点金属层与所述高熔点金属层相比，体积更大。
11.如权利要求1～8中任一项所述的熔线元件，
所述低熔点金属层与所述高熔点金属层的膜厚比为低熔点金属层:高熔点金属层＝2:1～100:1。
12.如权利要求1～8中任一项所述的熔线元件，
所述高熔点金属层通过在所述低熔点金属层的表面实施镀敷来形成。
13.如权利要求1～8中任一项所述的熔线元件，
所述高熔点金属层通过在所述低熔点金属层的表面贴附金属箔来形成。
14.如权利要求1～8中任一项所述的熔线元件，
所述高熔点金属层通过薄膜形成工序在所述低熔点金属层的表面形成。
15.如权利要求1～8中任一项所述的熔线元件，
在所述高熔点金属层的表面进一步形成抗氧化膜。
16.如权利要求1～8中任一项所述的熔线元件，
所述低熔点金属层与所述高熔点金属层交替地层叠成多个层。
17.如权利要求1～8中任一项所述的熔线元件，
所述低熔点金属层的除了相对的2个端面之外的外周部被所述高熔点金属层被覆。
18.如权利要求1～8中任一项所述的熔线元件，
外周的至少一部分被保护部件保护。
19.如权利要求4～8中任一项所述的熔线元件，
通过所述凹陷或贯通孔，具有并列的多个窄幅部分，
所述多个窄幅部分通过超过额定电流的通电而自身发热从而熔断。
20.如权利要求19所述的熔线元件，
所述多个窄幅部分依次熔断。
21.如权利要求19所述的熔线元件，
一个所述窄幅部分的一部分截面积或全部截面积小于其他窄幅部分的截面积。
22.如权利要求19所述的熔线元件，
并列3个所述窄幅部分，
中间的所述窄幅部分最后熔断。
23.如权利要求22所述的熔线元件，
中间的所述窄幅部分的一部分截面积或全部截面积小于两侧的窄幅部分的截面积。
24.如权利要求1～8中任一项所述的熔线元件，
形成有作为所述熔断器件的外部连接端子的端子部。
25.如权利要求1～8中任一项所述的熔线元件，
该熔线元件的厚度t为与通电方向正交的宽度方向的长度W的1/30以下。
26.如权利要求25所述的熔线元件，
该熔线元件的厚度t为与通电方向正交的宽度方向的长度W的1/60以下。
27.一种熔断器件，其具有构成通电路径并通过流过超过额定电流的电流而自身发热从而熔断的熔线元件，
所述熔线元件具有低熔点金属层和在所述低熔点金属层上层叠的高熔点金属层，
所述低熔点金属层的膜厚为30μm以上，
所述高熔点金属层的膜厚为3μm以上，
所述熔线元件，其与通电方向正交的宽度方向上的长度比通电方向的全长更长。
28.如权利要求27所述的熔断器件，
所述熔线元件在所述低熔点金属层的上下具有所述高熔点金属层。
29.如权利要求28所述的熔断器件，
所述低熔点金属层在通电方向的两侧面具有高熔点金属层。
30.如权利要求27所述的熔断器件，
所述熔线元件具有凹陷或贯通孔。
31.如权利要求30所述的熔断器件，
相对于所述熔线元件中的通电方向的全长L，所述凹陷或贯通孔的通电方向的最大长度L0小于L/2。
32.如权利要求31所述的熔断器件，
所述凹陷或贯通孔设置成，该凹陷或贯通孔距通电方向的两个端部的距离分别为L1、L2时，在L1大于L/4且L2大于L/4的位置上。
33.如权利要求30所述的熔断器件，
所述凹陷或贯通孔在宽度方向上并列多个。
34.如权利要求30所述的熔断器件，
所述凹陷或贯通孔为圆形、矩形或菱型中的任一种。
35.如权利要求27～34中任一项所述的熔断器件，
具有在绝缘基板上设置的第1电极和第2电极，
所述熔线元件安装到所述第1电极和第2电极之间。
36.如权利要求35所述的熔断器件，
所述熔线元件分别与所述第1电极和第2电极由Sn或以Sn为主体的软钎料连接。
37.如权利要求35所述的熔断器件，
所述熔线元件分别与所述第1电极和第2电极通过超声波焊接来连接。
38.如权利要求27～34中任一项所述的熔断器件，
将所述熔线元件与绝缘基板分隔开来安装。
39.如权利要求27～34中任一项所述的熔断器件，
用助焊剂涂覆所述熔线元件的表面。
40.如权利要求27～34中任一项所述的熔断器件，
由覆盖部件覆盖在绝缘基板上。
41.一种发热体内置式熔断器件，其具有
构成通电路径且通过流过超过额定电流的电流而自身发热从而熔断的熔线元件和加热所述熔线元件并使之熔断的发热体，
所述熔线元件具有低熔点金属层和在所述低熔点金属层上层叠的高熔点金属层，
所述低熔点金属层的膜厚为30μm以上，
所述高熔点金属层的膜厚为3μm以上，
所述熔线元件，其与通电方向正交的宽度方向上的长度比通电方向的全长更长。
42.如权利要求41所述的发热体内置式熔断器件，
在所述低熔点金属层的上下具有高熔点金属层。
43.如权利要求42所述的发热体内置式熔断器件，
所述低熔点金属层在通电方向的两侧面具有高熔点金属层。
44.如权利要求41所述的发热体内置式熔断器件，
所述熔线元件具有凹陷或贯通孔。
45.如权利要求44所述的发热体内置式熔断器件，
相对于所述熔线元件的通电方向的全长L，所述凹陷或贯通孔的通电方向的最大长度L0小于L/2。
46.如权利要求45所述的发热体内置式熔断器件，
所述凹陷或贯通孔设置成，该凹陷或贯通孔距通电方向的两个端部的距离分别为L1、L2时，在L1大于L/4且L2大于L/4的位置上。
47.如权利要求44所述的发热体内置式熔断器件，
所述凹陷或贯通孔在宽度方向上并列多个。
48.如权利要求44所述的发热体内置式熔断器件，
所述凹陷或贯通孔为圆形、矩形或菱型中的任一种。
49.如权利要求41～48中任一项所述的发热体内置式熔断器件，
具有在绝缘基板上设置的第1电极和第2电极，
所述熔线元件安装到所述第1电极和第2电极之间。
50.如权利要求49所述的发热体内置式熔断器件，
所述熔线元件分别与所述第1电极和第2电极由Sn或以Sn为主体的软钎料连接。
51.如权利要求49所述的发热体内置式熔断器件，
所述熔线元件分别与所述第1电极和第2电极通过超声波焊接来连接。
52.如权利要求41～48中任一项所述的发热体内置式熔断器件，
将所述熔线元件与绝缘基板分隔开来安装。
53.如权利要求41～48中任一项所述的发热体内置式熔断器件，
用助焊剂涂覆所述熔线元件的表面。
54.如权利要求41～48中任一项所述的发热体内置式熔断器件，
由覆盖部件覆盖在绝缘基板上。
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