JP2024072219A - 配線回路基板の製造方法、ダミーパターン付き配線回路基板、および、集合体シート - Google Patents

配線回路基板の製造方法、ダミーパターン付き配線回路基板、および、集合体シート Download PDF

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Abstract

【課題】開口の近くに形成される導体パターンの厚みの均一化を図ることができる配線回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】配線回路基板1の製造方法は、支持層11にパターン形成領域A11と開口形成領域A12とを設定する領域設定工程と、パターン形成領域A11内の支持層11の上にベース絶縁層12を形成する絶縁層形成工程と、ベース絶縁層12の上に第1導体層13Aと第2導体層13Bとを有する導体パターン13を形成するパターン工程と、開口形成領域A12内の支持層11をエッチングするエッチング工程とを含み、パターン工程において、開口形成領域A12内にダミーパターン22を形成する。【選択図】図6

Description

本発明は、配線回路基板の製造方法、ダミーパターン付き配線回路基板、および、集合体シートに関する。
従来、支持基板上に、配線パターンとダミーパターンとを形成する、プリント配線板の製造方法が知られている(例えば、下記特許文献1参照。)。
特開2003-273498号公報
特許文献1に記載されるようなプリント配線板に、開口を形成したい場合がある。この場合、特許文献1に記載されるような方法では、プリント配線板が形成される領域の外側にダミーパターンが形成されているので、開口の近くに形成される配線パターンの厚みの均一化を図ることが困難である。
本発明は、開口の近くに形成される導体パターンの厚みの均一化を図ることができる配線回路基板の製造方法、ダミーパターン付き配線回路基板、および、集合体シートを提供する。
本発明[1]は、支持層にパターン形成領域と開口形成領域とを設定する領域設定工程と、少なくとも前記パターン形成領域内において、前記支持層の上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記パターン形成領域内の前記絶縁層の上に、第1厚みを有する第1導体層と、前記第1厚みと異なる第2厚みを有する第2導体層とを有する導体パターンを形成するパターン工程であって、前記第1導体層を形成する第1パターン工程と、前記第2導体層を形成する第2パターン工程とを含むパターン工程と、前記開口形成領域内の前記支持層の少なくとも一部をエッチングするエッチング工程とを含み、前記第1パターン工程および前記第2パターン工程の少なくとも一方において、前記開口形成領域内にダミーパターンを形成する、配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、パターン形成領域内の絶縁層の上に、第1導体層と第2導体層とを有する導体パターンを形成するとともに、開口形成領域内にダミーパターンを形成する。
詳しくは、第1パターン工程および第2パターン工程の少なくとも一方において、第1導体層または第2導体層をパターン形成領域内に形成するとともに、ダミーパターンを開口形成領域内に形成する。
これにより、第1パターン工程および第2パターン工程の少なくとも一方において、第1導体層または第2導体層の周囲の金属イオン濃度の均一化を図ることができる。
その結果、開口の近くに形成される導体パターンの厚みの均一化を図ることができる。
本発明[2]は、前記第1パターン工程において、前記開口形成領域内に、前記第1厚みを有し、前記ダミーパターンの少なくとも一部を構成するダミー第1導体層を形成する、上記[1]の配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、第1パターン工程において、第1導体層をパターン形成領域内に形成するとともに、ダミー第1導体層を開口形成領域内に形成する。
これにより、第1パターン工程において、第1導体層の周囲の金属イオン濃度の均一化を図ることができる。
その結果、開口の近くに形成される導体パターンの第1導体層の厚みの均一化を図ることができる。
本発明[3]は、前記第2パターン工程において、前記開口形成領域内に、前記第2厚みを有し、前記ダミーパターンの少なくとも一部を構成するダミー第2導体層を形成する、上記[1]または[2]の配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、第2パターン工程において、第2導体層をパターン形成領域内に形成するとともに、ダミー第2導体層を開口形成領域内に形成する。
これにより、第2パターン工程において、第2導体層の周囲の金属イオン濃度の均一化を図ることができる。
その結果、開口の近くに形成される導体パターンの第2導体層の厚みの均一化を図ることができる。
本発明[4]は、前記導体パターンおよび前記ダミーパターンを覆うカバー絶縁層を形成するカバー絶縁層形成工程を、さらに含む、上記[1]~[3]のいずれか1つの配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、導体パターンを覆うカバー絶縁層で、ダミーパターンも覆う。
そのため、ダミーパターンおよびカバー絶縁層の総厚みを厚くできる。
これにより、導体パターンが周囲の部材と接触してしまうことを、ダミーパターンおよびカバー絶縁層により、抑制できる。
その結果、導体パターンを保護できる。
本発明[5]は、前記絶縁層形成工程において、前記パターン形成領域内および前記開口形成領域内に前記絶縁層を形成し、前記第1パターン工程および前記第2パターン工程の少なくとも一方において、前記開口形成領域内の前記絶縁層の上に前記ダミーパターンを形成する、上記[1]~[4]のいずれか1つの配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、開口形成領域内の絶縁層でダミーパターンを支持できる。
そのため、開口形成領域内の支持層の全部がエッチングされても、開口形成領域内の絶縁層でダミーパターンを支持できる。
本発明[6]は、前記領域設定工程において、前記支持層に、前記パターン形成領域と前記開口形成領域とを含む製品領域と、前記製品領域と接続されるフレーム領域とを、さらに設定し、前記エッチング工程において、前記開口形成領域内の前記支持層の全部をエッチングして、開口を形成し、前記製品領域と前記フレーム領域との間の前記支持層の一部をエッチングして、前記製品領域の形状に沿って配線回路基板の外形を形成するとともに、前記フレーム領域の形状に沿って、前記配線回路基板と接続されるフレームを形成し、前記配線回路基板の製造方法が、前記配線回路基板を前記フレームから切り取るとともに、前記開口内の前記絶縁層を、前記配線回路基板から切り取るカット工程を、さらに含む、上記[5]の配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、開口形成領域内の支持層の全部をエッチングして、開口を形成し、製品領域とフレーム領域との間の支持層をエッチングして、配線回路基板の外形を形成するとともに、配線回路基板と接続されるフレームを形成する。
そして、配線回路基板をフレームから切り取るとともに、開口内の絶縁層を、配線回路基板から切り取る。
これにより、簡単に、ダミーパターンを除去できる。
本発明[7]は、前記絶縁層形成工程において、前記パターン形成領域内に前記絶縁層を形成し、前記開口形成領域内に前記絶縁層を形成せず、前記第1パターン工程および前記第2パターン工程の少なくとも一方において、前記開口形成領域内の前記支持層の上に前記ダミーパターンを形成する、上記[1]~[4]のいずれか1つの配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、開口形成領域内の支持層でダミーパターンを支持できる。
本発明[8]は、前記エッチング工程において、前記開口形成領域内の前記支持層の全部をエッチングする、上記[7]の配線回路基板の製造方法を含む。
このような構成によれば、開口形成領域内の支持層の全部をエッチングすることにより、簡単に、ダミーパターンを除去できる。
本発明[9]は、開口を有する配線回路基板であって、前記開口の周りに配置される支持層と、前記支持層の厚み方向において前記支持層の上に配置される絶縁層と、前記厚み方向において前記絶縁層の上に配置される導体パターンとを有する配線回路基板と、前記開口内に配置されるダミーパターンとを備え、前記導体パターンは、第1厚みを有する第1導体層と、前記第1厚みと異なる第2厚みを有する第2導体層とを有する、ダミーパターン付き配線回路基板を含む。
このような構成によれば、開口内にダミーパターンが配置されている。
そのため、導体パターンの第1導体層および第2導体層の少なくとも一方について、厚みの均一化を図ることができる。
その結果、開口の近くに形成される導体パターンの厚みの均一化を図ることができる。
本発明[10]は、前記ダミーパターンが、前記第1厚みを有するダミー第1導体層、または、前記第2厚みを有するダミー第2導体層からなる、上記[9]のダミーパターン付き配線回路基板を含む。
このような構成によれば、ダミーパターンがダミー第1導体層からなる場合、導体パターンの第1導体層の厚みの均一化を図ることができる。
また、ダミーパターンがダミー第2導体層からなる場合、導体パターンの第2導体層の厚みの均一化を図ることができる。
本発明[11]は、前記ダミーパターンが、前記第1厚みを有するダミー第1導体層と、前記第2厚みを有し、少なくとも一部が前記ダミー第1導体層の上に配置されるダミー第2導体層とを有する、上記[9]のダミーパターン付き配線回路基板を含む。
このような構成によれば、導体パターンの第1導体層および第2導体層の両方の厚みの均一化を図ることができる。
その結果、開口の近くに形成される導体パターンの厚みの均一化を、より図ることができる。
本発明[12]は、上記[9]~[11]のいずれか1つのダミーパターン付き配線回路基板と、前記ダミーパターン付き配線回路基板を支持するフレームとを備える、集合体シートを含む。
このような構成によれば、ダミーパターン付き配線回路基板をフレームとともに取り扱うことができる。
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、開口の近くに形成される導体パターンの厚みの均一化を図ることができる。
図1は、本発明の一実施形態としての配線回路基板の平面図である。 図2は、図1に示す配線回路基板のA-A断面図である。 図3Aおよび図3Bは、配線回路基板の製造方法を示す工程図であって、図3Aは、領域設定工程を示し、図3Bは、絶縁層形成工程を示す。 図4は、図3Bに示す支持層、ベース絶縁層およびダミー絶縁層の平面図である。図3Bは、図4のB-B断面図である。 図5Aおよび図5Bは、図3Bに続いて、配線回路基板の製造方法を示す工程図であって、図5Aは、第1パターン工程を示し、図5Bは、第2パターン工程を示す。 図6は、図5Bに示す支持層、ベース絶縁層、ダミー絶縁層、導体パターンおよびダミーパターンの平面図である。図5Bは、図6のC-C断面図である。 図7Aおよび図7Bは、図5Bに続いて、配線回路基板の製造方法を示す工程図であって図7Aは、カバー絶縁層形成工程を示し、図7Bは、エッチング工程を示す。 図8Aから図8Cは、変形例(1)を説明するための説明図である。図8Aは、ダミーパターンが第1ダミー導体層からなる変形例を示す。図8Bは、ダミーパターンが第2ダミー導体層からなる変形例を示す。図8Cは、第1ダミー導体層からなるダミーパターンと第2ダミー導体層からなるダミーパターンとが独立に配置された変形例を示す。図8Cは、図6のD-D線に相当する断面である。 図9は、変形例(2)を説明するための説明図である。 図10は、図9のE-E断面図である。 図11Aから図11Cは、変形例(3)を説明するための説明図である。図11Aは、絶縁層形成工程を示し、図11Bは、パターン形成工程を示し、図11Cは、エッチング工程を示す。 図12は、変形例(6)を説明するための説明図である。
1.配線回路基板
図1に示すように、配線回路基板1は、第1方向および第2方向に延びる。本実施形態では、配線回路基板1は、略矩形状を有する。なお、配線回路基板1の形状は、限定されない。配線回路基板1は、開口10を有する。
本実施形態では、開口10は、第1方向における配線回路基板1の中央、かつ、第2方向における配線回路基板1の中央に配置される。開口10は、第1方向および第2方向に延びる。開口10は、略矩形状を有する。なお、配線回路基板1における開口10の位置、および、開口10の形状は、限定されない。
図2に示すように、配線回路基板1は、支持層11と、絶縁層の一例としてのベース絶縁層12と、導体パターン13と、カバー絶縁層14とを有する。
(1-1)支持層
支持層11は、開口10の周りに配置される。支持層11は、ベース絶縁層12、導体パターン13、および、カバー絶縁層14を支持する。本実施形態では、支持層11は、金属箔からなる。金属として、例えば、ステンレス合金、および、銅合金が挙げられる。
(1-2)ベース絶縁層
ベース絶縁層12は、支持層11の厚み方向において、支持層11の上に配置される。厚み方向は、第1方向および第2方向と直交する。ベース絶縁層12は、厚み方向において、支持層11と導体パターン13との間に配置される。ベース絶縁層12は、支持層11と導体パターン13とを絶縁する。ベース絶縁層12は、樹脂からなる。樹脂として、例えば、ポリイミドが挙げられる。
(1-3)導体パターン
導体パターン13は、厚み方向において、ベース絶縁層12の上に配置される。導体パターン13は、厚み方向において、ベース絶縁層12に対して、支持層11の反対側に配置される。図1に示すように、導体パターン13は、開口10の周りに配置される。
(1-3-1)導体パターンの形状
導体パターン13の形状は、限定されない。本実施形態では、導体パターン13は、複数の端子131A,131B,131C,131Dと、複数の端子132A,132B,132C,132Dと、複数の配線133A,133B,133C,133Dとを有する。なお、端子の数、および、配線の数は、限定されない。
本実施形態では、端子131A,131B,131C,131Dは、第2方向における配線回路基板1の一端部に配置される。端子131A,131B,131C,131Dは、第2方向において、開口10に対して一方側に配置される。端子131A,131B,131C,131Dは、互いに間隔を隔てて、第1方向に並ぶ。端子131A,131B,131C,131Dのそれぞれは、角ランド形状を有する。
本実施形態では、端子132A,132B,132C,132Dは、第2方向における配線回路基板1の他端部に配置される。端子131A,131B,131C,131Dは、第2方向において、開口10に対して他方側に配置される。端子132A,132B,132C,132Dは、互いに間隔を隔てて、第1方向に並ぶ。端子132A,132B,132C,132Dのそれぞれは、角ランド形状を有する。
配線133Aの一端は、端子131Aと接続する。配線133Aの他端は、端子132Aと接続する。配線133Aは、端子131Aと端子132Aとを電気的に接続する。
配線133Bの一端は、端子131Bと接続する。配線133Bの他端は、端子132Bと接続する。配線133Bは、端子131Bと端子132Bとを電気的に接続する。
配線133Cの一端は、端子131Cと接続する。配線133Cの他端は、端子132Cと接続する。配線133Cは、端子131Cと端子132Cとを電気的に接続する。
配線133Dの一端は、端子131Dと接続する。配線133Dの他端は、端子132Dと接続する。配線133Dは、端子131Dと端子132Dとを電気的に接続する。
(1-3-2)導体パターンの層構造
図2に示すように、導体パターン13は、第1導体層13Aと、第2導体層13Bとを有する。
第1導体層13Aは、厚み方向において、ベース絶縁層12の上に配置される。第1導体層13Aは、金属からなる。金属として、例えば、銅が挙げられる。第1導体層13Aは、第1厚みT1を有する。
第1厚みT1は、例えば、1μm以上、好ましくは、3μm以上であり、例えば、50μm以下、好ましくは、30μm以下である。
第2導体層13Bは、厚み方向において、ベース絶縁層12または第1導体層13Aの上に配置される。第2導体層13Bは、金属からなる。金属として、例えば、銅が挙げられる。第2導体層13Bは、第2厚みT2を有する。第2厚みT2は、第1厚みT1と異なる。本実施形態では、第2厚みT2は、第1厚みT1よりも厚い。
第2厚みT2は、例えば、2μm以上、好ましくは、5μm以上であり、例えば、60μm以下、好ましくは、40μm以下である。
本実施形態では、端子131A,131B,131C,131D、および、端子132A,132B,132C,132Dのそれぞれは、第1導体層13Aと第2導体層13Bとからなる。端子131A,131B,131C,131D、および、端子132A,132B,132C,132Dのそれぞれにおいて、第2導体層13Bは、厚み方向において、第1導体層13Aの上に配置される。
また、本実施形態では、配線133Aおよび133Dは、第1導体層13Aからなる。配線133Bおよび133Cは、第2導体層13Bからなる。つまり、配線133Aおよび133Dの厚みは、配線133Bおよび133Cの厚みと異なる。
(1-4)カバー絶縁層
図1に示すように、カバー絶縁層14は、配線133A,133B,133C,133Dを覆う。カバー絶縁層14は、厚み方向において、ベース絶縁層12の上に配置される。なお、カバー絶縁層14は、端子131A,131B,131C,131D、および、端子132A,132B,132C,132Dを覆わない。カバー絶縁層14は、樹脂からなる。樹脂としては、例えば、ポリイミドが挙げられる。
2.配線回路基板の製造方法
次に、配線回路基板1の製造方法について説明する。
配線回路基板1の製造方法は、領域設定工程(図3A参照)と、絶縁層形成工程(図3B参照)と、パターン工程(図5Aおよび図5B参照)と、カバー絶縁層形成工程(図7A参照)と、エッチング工程(図7B参照)と、カット工程とを含む。
(1)領域設定工程
図3Aに示すように、領域設定工程では、支持層11に、製品領域A1とフレーム領域A2とを設定する。本実施形態では、支持層11は、金属箔のロールから引き出された金属箔である。
上記した配線回路基板1は、製品領域A1に製造される。製品領域A1は、パターン形成領域A11と開口形成領域A12とを含む。言い換えると、領域設定工程では、支持層にパターン形成領域A11と開口形成領域A12とを設定する。パターン形成領域A11は、開口形成領域A12外に配置される。パターン形成領域A11は、開口形成領域A12を囲む。上記したベース絶縁層12、導体パターン13およびカバー絶縁層14は、パターン形成領域A11に形成される。上記した開口10は、開口形成領域A12に形成される。
フレーム領域A2は、製品領域A1外に設定される。フレーム領域A2は、製品領域A1と接続される。フレーム領域A2には、配線回路基板1を支持するフレームが、形成される。
(2)絶縁層形成工程
次に、図3Bに示すように、絶縁層形成工程では、少なくともパターン形成領域A11内において、支持層11の上に絶縁層を形成する。本実施形態では、パターン形成領域A11内および開口形成領域A12内に絶縁層を形成する。
詳しくは、図4に示すように、パターン形成領域A11内に、上記したベース絶縁層12を形成し、開口形成領域A12内に、ダミー絶縁層21を形成する。
ダミー絶縁層21は、ダミーパターン22(図6参照)を支持する。ダミーパターン22については、後で説明する。ダミー絶縁層21は、支持部211と、少なくとも1つの接続部212とを有する。本実施形態では、ダミー絶縁層21は、複数の接続部212を有する。
支持部211は、ダミーパターン22を支持する。支持部211は、ベース絶縁層12から離れて配置される。本実施形態では、支持部211は、略矩形状を有する。なお、支持部211の形状は、限定されない。
複数の接続部212のそれぞれは、支持部211とベース絶縁層12との間に配置される。複数の接続部212のそれぞれは、支持部211およびベース絶縁層12と接続される。これにより、ダミー絶縁層21は、ベース絶縁層12と接続される。
ベース絶縁層12およびダミー絶縁層21を形成するには、まず、支持層11の上に感光性樹脂の溶液(ワニス)を塗布して乾燥し、感光性樹脂の塗膜を形成する。次に、感光性樹脂の塗膜を露光および現像する。これにより、ベース絶縁層12およびダミー絶縁層21が、支持層11の上に形成される。
(3)パターン工程
次に、図5Aおよび図5Bに示すように、パターン工程では、電解メッキにより、パターン形成領域A11内のベース絶縁層12の上に、導体パターン13を形成するとともに、開口形成領域A12内のダミー絶縁層21の上に、ダミーパターン22(図6参照)を形成する。
図5Bに示すように、ダミーパターン22は、ダミー第1導体層22Aと、ダミー第2導体層22Bとを有する。
ダミー第1導体層22Aは、厚み方向において、ダミー絶縁層21の上に配置される。ダミー第1導体層22Aは、導体パターン13の第1導体層13Aと同じ材料からなる。ダミー第1導体層22Aは、第1厚みT1を有する。つまり、ダミー第1導体層22Aは、導体パターン13の第1導体層13Aと同じ厚みを有する。
ダミー第2導体層22Bは、厚み方向において、ダミー第1導体層22Aの上に配置される。本実施形態では、ダミー第2導体層22Bの全部が、厚み方向において、ダミー第1導体層22Aの上に配置される。ダミー第2導体層22Bは、導体パターン13の第2導体層13Bと同じ材料からなる。ダミー第2導体層22Bは、第2厚みT2を有する。つまり、ダミー第2導体層22Bは、導体パターン13の第2導体層13Bと同じ厚みを有する。
導体パターン13およびダミーパターン22を形成するには、図5Aに示すように、パターン工程において、まず、第1パターン工程を実施する。つまり、パターン工程は、第1パターン工程を含む。
第1パターン工程では、パターン形成領域A11内のベース絶縁層12の上に第1導体層13Aを形成するともに、開口形成領域A12内のダミー絶縁層21の上にダミー第1導体層22Aを形成する。
第1導体層13Aおよびダミー第1導体層22Aを形成するには、まず、ベース絶縁層12およびダミー絶縁層21の表面にシード層を形成する。シード層は、例えば、スパッタリングにより形成される。シード層の材料としては、例えば、クロム、銅、ニッケル、チタン、および、これらの合金が挙げられる。
次に、シード層が形成されたベース絶縁層12およびダミー絶縁層21の上に、メッキレジストを貼り合わせて、第1導体層13Aおよびダミー第1導体層22Aが形成される部分を遮光した状態で、メッキレジストを露光する。
次に、露光されたメッキレジストを現像する。すると、遮光された部分のメッキレジストが除去され、第1導体層13Aおよびダミー第1導体層22Aが形成される部分にシード層が露出する。なお、露光された部分、すなわち、第1導体層13Aおよびダミー第1導体層22Aが形成されない部分のメッキレジストは、残る。
次に、露出したシード層の上に、電解メッキにより、第1導体層13Aおよびダミー第1導体層22Aを形成する。
このとき、第1導体層13Aは、ダミー第1導体層22Aとともに形成される。そのため、メッキ液中において、製品領域A1の周囲の金属イオン濃度の均一化を図ることができ、第1導体層13Aの厚みの均一化を図ることができる。
そして、電解メッキが終了した後、メッキレジストを剥離する。
次に、図5Bに示すように、パターン工程において、第2パターン工程を実施する。つまり、パターン工程は、第2パターン工程を含む。
第2パターン工程では、パターン形成領域A11内に第2導体層13Bを形成するともに、開口形成領域A12内にダミー第2導体層22Bを形成する。つまり、本実施形態では、第1パターン工程および第2パターン工程において、ダミーパターン22を形成する。
第2導体層13Bおよびダミー第2導体層22Bを形成するには、まず、ベース絶縁層12およびダミー絶縁層21の上に、第1導体層13Aおよびダミー第1導体層22Aを覆うようにメッキレジストを貼り合わせて、第2導体層13Bおよびダミー第2導体層22Bが形成される部分を遮光した状態で、メッキレジストを露光する。
次に、露光されたメッキレジストを現像する。すると、遮光された部分のメッキレジストが除去され、第2導体層13Bが形成される部分にシード層または第1導体層13Aが露出し、ダミー第2導体層22Bが形成される部分にダミー第1導体層22Aが露出する。なお、露光された部分、すなわち、第2導体層13Bおよびダミー第2導体層22Bが形成されない部分のメッキレジストは、残る。
次に、電解メッキにより、露出したシード層または第1導体層13Aの上に第2導体層13Bを形成し、露出したダミー第1導体層22Aの上にダミー第2導体層22Bを形成する。
このとき、第2導体層13Bは、ダミー第2導体層22Bとともに形成される。そのため、第2導体層13Bの厚みの均一化も図ることができる。
そして、電解メッキが終了した後、メッキレジストを剥離する。
次に、メッキレジストを剥離することにより露出したシード層を、エッチングにより除去する。
これにより、図6に示すように、導体パターン13が、ベース絶縁層12の上に形成され、ダミーパターン22が、ダミー絶縁層21の上に形成される。
(4)カバー絶縁層形成工程
次に、図7Aに示すように、カバー絶縁層形成工程では、ベース絶縁層12の形成と同様にして、ベース絶縁層12、導体パターン13およびダミーパターン22の上にカバー絶縁層14を形成する。
ダミーパターン22およびカバー絶縁層14の総厚みT11は、端子131A,131B,131C,131D、および、端子132A,132B,132C,132Dのそれぞれの厚みT12よりも厚い。
そのため、端子131A,131B,131C,131D、および、端子132A,132B,132C,132Dのそれぞれが周囲の部材と接触してしまうことを、ダミーパターン22およびカバー絶縁層14により、抑制できる。具体的には、ベース絶縁層12、導体パターン13、ダミーパターン22およびカバー絶縁層14が形成された支持層11がロール状に巻き取られた場合に、端子131A,131B,131C,131D、および、端子132A,132B,132C,132Dのそれぞれが支持層11と接触してしまうことを、ダミーパターン22およびカバー絶縁層14により、抑制できる。
これにより、端子131A,131B,131C,131D、および、端子132A,132B,132C,132Dのそれぞれを保護できる。
(4)エッチング工程
次に、図7Bに示すように、エッチング工程では、開口形成領域A12内の支持層11の全部をエッチングして、開口10を形成する。また、エッチング工程において、製品領域A1とフレーム領域A2との間の支持層11をエッチングして、製品領域A1の形状に沿って配線回路基板1の外形を形成するとともに、フレーム領域A2の形状に沿ってフレームFを形成する。
支持層11をエッチングするには、支持層11のうちのエッチングしない部分をエッチングレジストでカバーして、支持層11をエッチング液に浸漬する。
すると、開口形成領域A12内の支持層11の全部がエッチングされて、開口10が形成される。
このとき、ダミーパターン22は、ダミー絶縁層21に支持されているので、開口形成領域A12内の支持層11の全部がエッチングされても、エッチング液中に脱落しない。そのため、エッチング液中に脱落したダミーパターン22を回収する装置が無くても、開口形成領域A12内にダミーパターン22を設けることができる。
また、製品領域A1とフレーム領域A2との間の支持層11の一部がエッチングされて、配線回路基板1の外形が形成されるとともに、フレームFが形成される。フレームFは、配線回路基板1と接続される。これにより、開口10を有する配線回路基板1と、開口10内に配置されるダミーパターン22とを備えるダミーパターン付き配線回路基板30が得られるとともに、ダミーパターン付き配線回路基板30と、ダミーパターン付き配線回路基板30を支持するフレームFとを有する集合体シート100が得られる。
(5)カット工程
次に、図2に示すように、カット工程では、配線回路基板1をフレームFから切り取るとともに、開口10内のダミー絶縁層21を、配線回路基板1から切り取る。
これにより、配線回路基板1が得られる。
なお、配線回路基板1をフレームFから切り取る方法、および、ダミー絶縁層21を配線回路基板1から切り取る方法は、限定されない。例えば、配線回路基板1とフレームFとの接続部分、および、ダミー絶縁層21の接続部212(図6参照)をカッター、金型による打ち抜き、レーザー加工などで切断することにより、配線回路基板1をフレームFから切り取り、ダミー絶縁層21を配線回路基板1から切り取る。配線回路基板1の開口10の内面には、ダミー絶縁層21を切り取った痕跡が残っていてもよい。
3.作用効果
(1)配線回路基板1の製造方法によれば、図5Aおよび図5Bに示すように、パターン形成領域A11内のベース絶縁層12の上に、第1導体層13Aと第2導体層13Bとからなる導体パターン13を形成するとともに、開口形成領域A12内のダミー絶縁層21の上にダミー第1導体層22Aとダミー第2導体層22Bとからなるダミーパターン22を形成する。
詳しくは、第1パターン工程において、電解メッキによって、第1導体層13Aをパターン形成領域A11内に形成するとともに、ダミー第1導体層22Aを開口形成領域A12内に形成する。次に、第2パターン工程において、電解メッキによって、第2導体層13Bをパターン形成領域A11内に形成するとともに、ダミー第2導体層22Bを開口形成領域A12内に形成する。
これにより、第1パターン工程および第2パターン工程において、第1導体層13Aまたは第2導体層13Bの周囲の金属イオン濃度の均一化を図ることができる。
その結果、開口10の近くに形成される導体パターン13の厚みの均一化を図ることができる。
(2)配線回路基板1の製造方法によれば、図7Bに示すように、導体パターン13の配線133A,133B,133C,133Dを覆うカバー絶縁層14で、ダミーパターン22も覆う。
そのため、ダミーパターン22およびカバー絶縁層14の総厚みT11を、端子131A,131B,131C,131D、および、端子132A,132B,132C,132Dのそれぞれの厚みT12よりも厚くできる。
これにより、端子131A,131B,131C,131D、および、端子132A,132B,132C,132Dのそれぞれが周囲の部材と接触してしまうことを、ダミーパターン22およびカバー絶縁層14により、抑制できる。
その結果、端子131A,131B,131C,131D、および、端子132A,132B,132C,132Dのそれぞれを保護できる。
(3)配線回路基板1の製造方法によれば、図7Bに示すように、開口形成領域A12内のダミー絶縁層21でダミーパターン22を支持できる。
そのため、開口形成領域A12内の支持層11の全部がエッチングされても、ダミー絶縁層21でダミーパターン22を支持できる。
(4)配線回路基板1の製造方法によれば、図7Bに示すように、開口形成領域A12内の支持層11の全部をエッチングして、開口10を形成し、製品領域A1とフレーム領域A2との間の支持層11をエッチングして、配線回路基板1の外形を形成するとともに、配線回路基板1と接続されるフレームFを形成する。
そして、図2に示すように、配線回路基板1をフレームFから切り取るとともに、開口10内のダミー絶縁層21を、配線回路基板1から切り取る。
これにより、簡単に、ダミーパターン22を除去できる。
(5)ダミーパターン付き配線回路基板30によれば、図7Bに示すように、開口10内にダミーパターン22が配置されている。
そのため、開口10の近くに形成される導体パターン13の厚みの均一化を図ることができる。
(6)ダミーパターン付き配線回路基板30によれば、図7Bに示すように、ダミーパターン22は、ダミー第1導体層22Aと、ダミー第1導体層22Aの上に配置されるダミー第2導体層22Bとを有する。
そのため、導体パターン13の第1導体層13Aおよび第2導体層13Bの両方の厚みの均一化を図ることができる。
その結果、開口10の近くに形成される導体パターン13の厚みの均一化を、より図ることができる。
(7)集合体シート100によれば、図7Bに示すように、ダミーパターン付き配線回路基板30を支持するフレームFを備える。
そのため、ダミーパターン付き配線回路基板30をフレームFとともに取り扱うことができる。
4.変形例
次に、図8Aから図12を参照して、変形例について説明する。変形例において、上記した実施形態と同様の部材には同じ符号を付し、説明を省略する。
(1)図8Aに示すように、ダミーパターン22は、ダミー第1導体層22Aからなってもよい。
ダミーパターン22がダミー第1導体層22Aからなる場合、導体パターン13の第1導体層13Aの厚みの均一化を図ることができる。
また、図8Bに示すように、ダミーパターン22は、ダミー第2導体層22Bからなってもよい。
ダミーパターン22がダミー第2導体層22Bからなる場合、導体パターン13の第2導体層13Bの厚みの均一化を図ることができる。
また、図8Cに示すように、ダミーパターン付き配線回路基板30は、ダミー第1導体層22Aからなるダミーパターン22と、ダミー第2導体層22Bからなるダミーパターン22とを、互いに独立に有してもよい。
この場合、導体パターン13の第1導体層13Aおよび第2導体層13Bの両方の厚みの均一化を図ることができる。
(2)図9に示すように、開口形成領域A12の周縁部A121にダミーパターン22を形成し、開口形成領域A12の中央部A122にはダミーパターン22を形成しないこともできる。周縁部A121とは、中央部A122と導体パターン13との間に位置する部分である。
この場合、図10に示すように、第2方向に延びるダミーパターン22をダミー第1導体層22Aから形成し、第1方向に延びるダミーパターン22をダミー第2導体層22Bから形成してもよい。第1方向に延びるダミーパターン22の端部は、第2方向に延びるダミーパターン22の端部の上に配置されてもよい。つまり、ダミー第2導体層22Bの一部は、ダミー第1導体層22Aの上に配置されてもよい。
(3)図11Aに示すように、絶縁層形成工程において、パターン形成領域A11内にベース絶縁層12を形成し、開口形成領域A12内にダミー絶縁層21を形成しなくてもよい。
この場合、図11Bに示すように、パターン工程において、開口形成領域A12内の支持層11の上にダミーパターン22を形成する。
そして、図11Cに示すように、エッチング工程において、開口形成領域A12内の支持層11の一部をエッチングする。詳しくは、パターン形成領域A11と開口形成領域A12との境界に沿って、開口形成領域A12内の支持層11の一部をエッチングする。これにより、開口形成領域A12内に、ダミーパターン22を支持するダミー支持層31を形成する。
ダミー支持層31は、支持層11と同じ材料からなり、上記したダミー絶縁層21と同じ形状を有する。
この変形例では、カット工程において、ダミー支持層31を、配線回路基板1から切り取る。
(4)図11Cに示すように、カバー絶縁層14は、ダミーパターン22を覆わなくてもよい。
(5)上記した実施形態のエッチング工程(図7B参照)において、上記した変形例(3)と同様に、開口形成領域A12内の支持層11の一部をエッチングして、ダミー絶縁層21と同じ形状のダミー支持層31(図11C参照)を形成してもよい。
(6)上記した変形例(3)のエッチング工程において、ダミー支持層31を形成せず、開口形成領域A12内の支持層11の全部をエッチングしてもよい。
詳しくは、図11Aに示すように、絶縁層形成工程において、パターン形成領域A11内にベース絶縁層12を形成し、開口形成領域A12内にダミー絶縁層21を形成しない。
次に、図12に示すように、パターン工程において、開口形成領域A12内の支持層11の上にダミーパターン22を形成する。
そして、エッチング工程において、開口形成領域A12内の支持層11の全部をエッチングする。
この場合、ダミーパターン22は、エッチング液中に脱落してもよい。ダミーパターン22がエッチング液中に脱落する場合、エッチング液中に脱落したダミーパターン22を回収するための装置を使用することが好ましい。
この変形例によれば、開口形成領域A12内の支持層11の全部をエッチングすることにより、簡単に、ダミーパターン22を除去できる。
(7)ダミーパターン22は、開口形成領域A12内だけでなく、フレーム領域A2にも、形成されてもよい。
1 配線回路基板
10 開口
11 支持層
12 ベース絶縁層
13 導体パターン
13A 第1導体層
13B 第2導体層
22 ダミーパターン
22A ダミー第1導体層
22B ダミー第2導体層
A1 製品領域
A2 フレーム領域
A11 パターン形成領域
A12 開口形成領域
F フレーム

Claims (12)

  1. 支持層にパターン形成領域と開口形成領域とを設定する領域設定工程と、
    少なくとも前記パターン形成領域内において、前記支持層の上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
    前記パターン形成領域内の前記絶縁層の上に、第1厚みを有する第1導体層と、前記第1厚みと異なる第2厚みを有する第2導体層とを有する導体パターンを形成するパターン工程であって、前記第1導体層を形成する第1パターン工程と、前記第2導体層を形成する第2パターン工程とを含むパターン工程と、
    前記開口形成領域内の前記支持層の少なくとも一部をエッチングするエッチング工程と
    を含み、
    前記第1パターン工程および前記第2パターン工程の少なくとも一方において、前記開口形成領域内にダミーパターンを形成する、配線回路基板の製造方法。
  2. 前記第1パターン工程において、前記開口形成領域内に、前記第1厚みを有し、前記ダミーパターンの少なくとも一部を構成するダミー第1導体層を形成する、請求項1に記載の配線回路基板の製造方法。
  3. 前記第2パターン工程において、前記開口形成領域内に、前記第2厚みを有し、前記ダミーパターンの少なくとも一部を構成するダミー第2導体層を形成する、請求項1または請求項2に記載の配線回路基板の製造方法。
  4. 前記導体パターンおよび前記ダミーパターンを覆うカバー絶縁層を形成するカバー絶縁層形成工程を、さらに含む、請求項1に記載の配線回路基板の製造方法。
  5. 前記絶縁層形成工程において、前記パターン形成領域内および前記開口形成領域内に前記絶縁層を形成し、
    前記第1パターン工程および前記第2パターン工程の少なくとも一方において、前記開口形成領域内の前記絶縁層の上に前記ダミーパターンを形成する、請求項1に記載の配線回路基板の製造方法。
  6. 前記領域設定工程において、前記支持層に、前記パターン形成領域と前記開口形成領域とを含む製品領域と、前記製品領域と接続されるフレーム領域とを、さらに設定し、
    前記エッチング工程において、前記開口形成領域内の前記支持層の全部をエッチングして、開口を形成し、前記製品領域と前記フレーム領域との間の前記支持層の一部をエッチングして、前記製品領域の形状に沿って配線回路基板の外形を形成するとともに、前記フレーム領域の形状に沿って、前記配線回路基板と接続されるフレームを形成し、
    前記配線回路基板の製造方法は、
    前記配線回路基板を前記フレームから切り取るとともに、前記開口内の前記絶縁層を、前記配線回路基板から切り取るカット工程を、さらに含む、請求項5に記載の配線回路基板の製造方法。
  7. 前記絶縁層形成工程において、前記パターン形成領域内に前記絶縁層を形成し、前記開口形成領域内に前記絶縁層を形成せず、
    前記第1パターン工程および前記第2パターン工程の少なくとも一方において、前記開口形成領域内の前記支持層の上に前記ダミーパターンを形成する、請求項1に記載の配線回路基板の製造方法。
  8. 前記エッチング工程において、前記開口形成領域内の前記支持層の全部をエッチングする、請求項7に記載の配線回路基板の製造方法。
  9. 開口を有する配線回路基板であって、前記開口の周りに配置される支持層と、前記支持層の厚み方向において前記支持層の上に配置される絶縁層と、前記厚み方向において前記絶縁層の上に配置される導体パターンとを有する配線回路基板と、
    前記開口内に配置されるダミーパターンと
    を備え、
    前記導体パターンは、
    第1厚みを有する第1導体層と、
    前記第1厚みと異なる第2厚みを有する第2導体層とを有する、ダミーパターン付き配線回路基板。
  10. 前記ダミーパターンは、前記第1厚みを有するダミー第1導体層、または、前記第2厚みを有するダミー第2導体層からなる、請求項9に記載のダミーパターン付き配線回路基板。
  11. 前記ダミーパターンは、
    前記第1厚みを有するダミー第1導体層と、
    前記第2厚みを有し、少なくとも一部が前記ダミー第1導体層の上に配置されるダミー第2導体層とを有する、請求項9に記載のダミーパターン付き配線回路基板。
  12. 請求項9~11のいずれか一項に記載のダミーパターン付き配線回路基板と、
    前記ダミーパターン付き配線回路基板を支持するフレームと
    を備える、集合体シート。
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