JP2024072219A - 配線回路基板の製造方法、ダミーパターン付き配線回路基板、および、集合体シート - Google Patents

Abstract

【課題】開口の近くに形成される導体パターンの厚みの均一化を図ることができる配線回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】配線回路基板１の製造方法は、支持層１１にパターン形成領域Ａ１１と開口形成領域Ａ１２とを設定する領域設定工程と、パターン形成領域Ａ１１内の支持層１１の上にベース絶縁層１２を形成する絶縁層形成工程と、ベース絶縁層１２の上に第１導体層１３Ａと第２導体層１３Ｂとを有する導体パターン１３を形成するパターン工程と、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１をエッチングするエッチング工程とを含み、パターン工程において、開口形成領域Ａ１２内にダミーパターン２２を形成する。【選択図】図６

Description

本発明は、配線回路基板の製造方法、ダミーパターン付き配線回路基板、および、集合体シートに関する。

従来、支持基板上に、配線パターンとダミーパターンとを形成する、プリント配線板の製造方法が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。

特開２００３－２７３４９８号公報

特許文献１に記載されるようなプリント配線板に、開口を形成したい場合がある。この場合、特許文献１に記載されるような方法では、プリント配線板が形成される領域の外側にダミーパターンが形成されているので、開口の近くに形成される配線パターンの厚みの均一化を図ることが困難である。

本発明は、開口の近くに形成される導体パターンの厚みの均一化を図ることができる配線回路基板の製造方法、ダミーパターン付き配線回路基板、および、集合体シートを提供する。

本発明［１］は、支持層にパターン形成領域と開口形成領域とを設定する領域設定工程と、少なくとも前記パターン形成領域内において、前記支持層の上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記パターン形成領域内の前記絶縁層の上に、第１厚みを有する第１導体層と、前記第１厚みと異なる第２厚みを有する第２導体層とを有する導体パターンを形成するパターン工程であって、前記第１導体層を形成する第１パターン工程と、前記第２導体層を形成する第２パターン工程とを含むパターン工程と、前記開口形成領域内の前記支持層の少なくとも一部をエッチングするエッチング工程とを含み、前記第１パターン工程および前記第２パターン工程の少なくとも一方において、前記開口形成領域内にダミーパターンを形成する、配線回路基板の製造方法を含む。

このような方法によれば、パターン形成領域内の絶縁層の上に、第１導体層と第２導体層とを有する導体パターンを形成するとともに、開口形成領域内にダミーパターンを形成する。

詳しくは、第１パターン工程および第２パターン工程の少なくとも一方において、第１導体層または第２導体層をパターン形成領域内に形成するとともに、ダミーパターンを開口形成領域内に形成する。

これにより、第１パターン工程および第２パターン工程の少なくとも一方において、第１導体層または第２導体層の周囲の金属イオン濃度の均一化を図ることができる。

その結果、開口の近くに形成される導体パターンの厚みの均一化を図ることができる。

本発明［２］は、前記第１パターン工程において、前記開口形成領域内に、前記第１厚みを有し、前記ダミーパターンの少なくとも一部を構成するダミー第１導体層を形成する、上記［１］の配線回路基板の製造方法を含む。

このような方法によれば、第１パターン工程において、第１導体層をパターン形成領域内に形成するとともに、ダミー第１導体層を開口形成領域内に形成する。

これにより、第１パターン工程において、第１導体層の周囲の金属イオン濃度の均一化を図ることができる。

その結果、開口の近くに形成される導体パターンの第１導体層の厚みの均一化を図ることができる。

本発明［３］は、前記第２パターン工程において、前記開口形成領域内に、前記第２厚みを有し、前記ダミーパターンの少なくとも一部を構成するダミー第２導体層を形成する、上記［１］または［２］の配線回路基板の製造方法を含む。

このような方法によれば、第２パターン工程において、第２導体層をパターン形成領域内に形成するとともに、ダミー第２導体層を開口形成領域内に形成する。

これにより、第２パターン工程において、第２導体層の周囲の金属イオン濃度の均一化を図ることができる。

その結果、開口の近くに形成される導体パターンの第２導体層の厚みの均一化を図ることができる。

本発明［４］は、前記導体パターンおよび前記ダミーパターンを覆うカバー絶縁層を形成するカバー絶縁層形成工程を、さらに含む、上記［１］～［３］のいずれか１つの配線回路基板の製造方法を含む。

このような方法によれば、導体パターンを覆うカバー絶縁層で、ダミーパターンも覆う。

そのため、ダミーパターンおよびカバー絶縁層の総厚みを厚くできる。

これにより、導体パターンが周囲の部材と接触してしまうことを、ダミーパターンおよびカバー絶縁層により、抑制できる。

その結果、導体パターンを保護できる。

本発明［５］は、前記絶縁層形成工程において、前記パターン形成領域内および前記開口形成領域内に前記絶縁層を形成し、前記第１パターン工程および前記第２パターン工程の少なくとも一方において、前記開口形成領域内の前記絶縁層の上に前記ダミーパターンを形成する、上記［１］～［４］のいずれか１つの配線回路基板の製造方法を含む。

このような方法によれば、開口形成領域内の絶縁層でダミーパターンを支持できる。

そのため、開口形成領域内の支持層の全部がエッチングされても、開口形成領域内の絶縁層でダミーパターンを支持できる。

本発明［６］は、前記領域設定工程において、前記支持層に、前記パターン形成領域と前記開口形成領域とを含む製品領域と、前記製品領域と接続されるフレーム領域とを、さらに設定し、前記エッチング工程において、前記開口形成領域内の前記支持層の全部をエッチングして、開口を形成し、前記製品領域と前記フレーム領域との間の前記支持層の一部をエッチングして、前記製品領域の形状に沿って配線回路基板の外形を形成するとともに、前記フレーム領域の形状に沿って、前記配線回路基板と接続されるフレームを形成し、前記配線回路基板の製造方法が、前記配線回路基板を前記フレームから切り取るとともに、前記開口内の前記絶縁層を、前記配線回路基板から切り取るカット工程を、さらに含む、上記［５］の配線回路基板の製造方法を含む。

このような方法によれば、開口形成領域内の支持層の全部をエッチングして、開口を形成し、製品領域とフレーム領域との間の支持層をエッチングして、配線回路基板の外形を形成するとともに、配線回路基板と接続されるフレームを形成する。

そして、配線回路基板をフレームから切り取るとともに、開口内の絶縁層を、配線回路基板から切り取る。

これにより、簡単に、ダミーパターンを除去できる。

本発明［７］は、前記絶縁層形成工程において、前記パターン形成領域内に前記絶縁層を形成し、前記開口形成領域内に前記絶縁層を形成せず、前記第１パターン工程および前記第２パターン工程の少なくとも一方において、前記開口形成領域内の前記支持層の上に前記ダミーパターンを形成する、上記［１］～［４］のいずれか１つの配線回路基板の製造方法を含む。

このような方法によれば、開口形成領域内の支持層でダミーパターンを支持できる。

本発明［８］は、前記エッチング工程において、前記開口形成領域内の前記支持層の全部をエッチングする、上記［７］の配線回路基板の製造方法を含む。

このような構成によれば、開口形成領域内の支持層の全部をエッチングすることにより、簡単に、ダミーパターンを除去できる。

本発明［９］は、開口を有する配線回路基板であって、前記開口の周りに配置される支持層と、前記支持層の厚み方向において前記支持層の上に配置される絶縁層と、前記厚み方向において前記絶縁層の上に配置される導体パターンとを有する配線回路基板と、前記開口内に配置されるダミーパターンとを備え、前記導体パターンは、第１厚みを有する第１導体層と、前記第１厚みと異なる第２厚みを有する第２導体層とを有する、ダミーパターン付き配線回路基板を含む。

このような構成によれば、開口内にダミーパターンが配置されている。

そのため、導体パターンの第１導体層および第２導体層の少なくとも一方について、厚みの均一化を図ることができる。

その結果、開口の近くに形成される導体パターンの厚みの均一化を図ることができる。

本発明［１０］は、前記ダミーパターンが、前記第１厚みを有するダミー第１導体層、または、前記第２厚みを有するダミー第２導体層からなる、上記［９］のダミーパターン付き配線回路基板を含む。

このような構成によれば、ダミーパターンがダミー第１導体層からなる場合、導体パターンの第１導体層の厚みの均一化を図ることができる。

また、ダミーパターンがダミー第２導体層からなる場合、導体パターンの第２導体層の厚みの均一化を図ることができる。

本発明［１１］は、前記ダミーパターンが、前記第１厚みを有するダミー第１導体層と、前記第２厚みを有し、少なくとも一部が前記ダミー第１導体層の上に配置されるダミー第２導体層とを有する、上記［９］のダミーパターン付き配線回路基板を含む。

このような構成によれば、導体パターンの第１導体層および第２導体層の両方の厚みの均一化を図ることができる。

その結果、開口の近くに形成される導体パターンの厚みの均一化を、より図ることができる。

本発明［１２］は、上記［９］～［１１］のいずれか１つのダミーパターン付き配線回路基板と、前記ダミーパターン付き配線回路基板を支持するフレームとを備える、集合体シートを含む。

このような構成によれば、ダミーパターン付き配線回路基板をフレームとともに取り扱うことができる。

本発明の配線回路基板の製造方法によれば、開口の近くに形成される導体パターンの厚みの均一化を図ることができる。

図１は、本発明の一実施形態としての配線回路基板の平面図である。 図２は、図１に示す配線回路基板のＡ－Ａ断面図である。 図３Ａおよび図３Ｂは、配線回路基板の製造方法を示す工程図であって、図３Ａは、領域設定工程を示し、図３Ｂは、絶縁層形成工程を示す。 図４は、図３Ｂに示す支持層、ベース絶縁層およびダミー絶縁層の平面図である。図３Ｂは、図４のＢ－Ｂ断面図である。 図５Ａおよび図５Ｂは、図３Ｂに続いて、配線回路基板の製造方法を示す工程図であって、図５Ａは、第１パターン工程を示し、図５Ｂは、第２パターン工程を示す。 図６は、図５Ｂに示す支持層、ベース絶縁層、ダミー絶縁層、導体パターンおよびダミーパターンの平面図である。図５Ｂは、図６のＣ－Ｃ断面図である。 図７Ａおよび図７Ｂは、図５Ｂに続いて、配線回路基板の製造方法を示す工程図であって図７Ａは、カバー絶縁層形成工程を示し、図７Ｂは、エッチング工程を示す。 図８Ａから図８Ｃは、変形例（１）を説明するための説明図である。図８Ａは、ダミーパターンが第１ダミー導体層からなる変形例を示す。図８Ｂは、ダミーパターンが第２ダミー導体層からなる変形例を示す。図８Ｃは、第１ダミー導体層からなるダミーパターンと第２ダミー導体層からなるダミーパターンとが独立に配置された変形例を示す。図８Ｃは、図６のＤ－Ｄ線に相当する断面である。 図９は、変形例（２）を説明するための説明図である。 図１０は、図９のＥ－Ｅ断面図である。 図１１Ａから図１１Ｃは、変形例（３）を説明するための説明図である。図１１Ａは、絶縁層形成工程を示し、図１１Ｂは、パターン形成工程を示し、図１１Ｃは、エッチング工程を示す。 図１２は、変形例（６）を説明するための説明図である。

１．配線回路基板
図１に示すように、配線回路基板１は、第１方向および第２方向に延びる。本実施形態では、配線回路基板１は、略矩形状を有する。なお、配線回路基板１の形状は、限定されない。配線回路基板１は、開口１０を有する。

本実施形態では、開口１０は、第１方向における配線回路基板１の中央、かつ、第２方向における配線回路基板１の中央に配置される。開口１０は、第１方向および第２方向に延びる。開口１０は、略矩形状を有する。なお、配線回路基板１における開口１０の位置、および、開口１０の形状は、限定されない。

図２に示すように、配線回路基板１は、支持層１１と、絶縁層の一例としてのベース絶縁層１２と、導体パターン１３と、カバー絶縁層１４とを有する。

（１－１）支持層
支持層１１は、開口１０の周りに配置される。支持層１１は、ベース絶縁層１２、導体パターン１３、および、カバー絶縁層１４を支持する。本実施形態では、支持層１１は、金属箔からなる。金属として、例えば、ステンレス合金、および、銅合金が挙げられる。

（１－２）ベース絶縁層
ベース絶縁層１２は、支持層１１の厚み方向において、支持層１１の上に配置される。厚み方向は、第１方向および第２方向と直交する。ベース絶縁層１２は、厚み方向において、支持層１１と導体パターン１３との間に配置される。ベース絶縁層１２は、支持層１１と導体パターン１３とを絶縁する。ベース絶縁層１２は、樹脂からなる。樹脂として、例えば、ポリイミドが挙げられる。

（１－３）導体パターン
導体パターン１３は、厚み方向において、ベース絶縁層１２の上に配置される。導体パターン１３は、厚み方向において、ベース絶縁層１２に対して、支持層１１の反対側に配置される。図１に示すように、導体パターン１３は、開口１０の周りに配置される。

（１－３－１）導体パターンの形状
導体パターン１３の形状は、限定されない。本実施形態では、導体パターン１３は、複数の端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄと、複数の端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄと、複数の配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄとを有する。なお、端子の数、および、配線の数は、限定されない。

本実施形態では、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄは、第２方向における配線回路基板１の一端部に配置される。端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄは、第２方向において、開口１０に対して一方側に配置される。端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄは、互いに間隔を隔てて、第１方向に並ぶ。端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄのそれぞれは、角ランド形状を有する。

本実施形態では、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄは、第２方向における配線回路基板１の他端部に配置される。端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄは、第２方向において、開口１０に対して他方側に配置される。端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄは、互いに間隔を隔てて、第１方向に並ぶ。端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれは、角ランド形状を有する。

配線１３３Ａの一端は、端子１３１Ａと接続する。配線１３３Ａの他端は、端子１３２Ａと接続する。配線１３３Ａは、端子１３１Ａと端子１３２Ａとを電気的に接続する。

配線１３３Ｂの一端は、端子１３１Ｂと接続する。配線１３３Ｂの他端は、端子１３２Ｂと接続する。配線１３３Ｂは、端子１３１Ｂと端子１３２Ｂとを電気的に接続する。

配線１３３Ｃの一端は、端子１３１Ｃと接続する。配線１３３Ｃの他端は、端子１３２Ｃと接続する。配線１３３Ｃは、端子１３１Ｃと端子１３２Ｃとを電気的に接続する。

配線１３３Ｄの一端は、端子１３１Ｄと接続する。配線１３３Ｄの他端は、端子１３２Ｄと接続する。配線１３３Ｄは、端子１３１Ｄと端子１３２Ｄとを電気的に接続する。

（１－３－２）導体パターンの層構造
図２に示すように、導体パターン１３は、第１導体層１３Ａと、第２導体層１３Ｂとを有する。

第１導体層１３Ａは、厚み方向において、ベース絶縁層１２の上に配置される。第１導体層１３Ａは、金属からなる。金属として、例えば、銅が挙げられる。第１導体層１３Ａは、第１厚みＴ１を有する。

第１厚みＴ１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。

第２導体層１３Ｂは、厚み方向において、ベース絶縁層１２または第１導体層１３Ａの上に配置される。第２導体層１３Ｂは、金属からなる。金属として、例えば、銅が挙げられる。第２導体層１３Ｂは、第２厚みＴ２を有する。第２厚みＴ２は、第１厚みＴ１と異なる。本実施形態では、第２厚みＴ２は、第１厚みＴ１よりも厚い。

第２厚みＴ２は、例えば、２μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、例えば、６０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下である。

本実施形態では、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ、および、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれは、第１導体層１３Ａと第２導体層１３Ｂとからなる。端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ、および、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれにおいて、第２導体層１３Ｂは、厚み方向において、第１導体層１３Ａの上に配置される。

また、本実施形態では、配線１３３Ａおよび１３３Ｄは、第１導体層１３Ａからなる。配線１３３Ｂおよび１３３Ｃは、第２導体層１３Ｂからなる。つまり、配線１３３Ａおよび１３３Ｄの厚みは、配線１３３Ｂおよび１３３Ｃの厚みと異なる。

（１－４）カバー絶縁層
図１に示すように、カバー絶縁層１４は、配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄを覆う。カバー絶縁層１４は、厚み方向において、ベース絶縁層１２の上に配置される。なお、カバー絶縁層１４は、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ、および、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄを覆わない。カバー絶縁層１４は、樹脂からなる。樹脂としては、例えば、ポリイミドが挙げられる。

２．配線回路基板の製造方法
次に、配線回路基板１の製造方法について説明する。

配線回路基板１の製造方法は、領域設定工程（図３Ａ参照）と、絶縁層形成工程（図３Ｂ参照）と、パターン工程（図５Ａおよび図５Ｂ参照）と、カバー絶縁層形成工程（図７Ａ参照）と、エッチング工程（図７Ｂ参照）と、カット工程とを含む。

（１）領域設定工程
図３Ａに示すように、領域設定工程では、支持層１１に、製品領域Ａ１とフレーム領域Ａ２とを設定する。本実施形態では、支持層１１は、金属箔のロールから引き出された金属箔である。

上記した配線回路基板１は、製品領域Ａ１に製造される。製品領域Ａ１は、パターン形成領域Ａ１１と開口形成領域Ａ１２とを含む。言い換えると、領域設定工程では、支持層にパターン形成領域Ａ１１と開口形成領域Ａ１２とを設定する。パターン形成領域Ａ１１は、開口形成領域Ａ１２外に配置される。パターン形成領域Ａ１１は、開口形成領域Ａ１２を囲む。上記したベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４は、パターン形成領域Ａ１１に形成される。上記した開口１０は、開口形成領域Ａ１２に形成される。

フレーム領域Ａ２は、製品領域Ａ１外に設定される。フレーム領域Ａ２は、製品領域Ａ１と接続される。フレーム領域Ａ２には、配線回路基板１を支持するフレームが、形成される。

（２）絶縁層形成工程
次に、図３Ｂに示すように、絶縁層形成工程では、少なくともパターン形成領域Ａ１１内において、支持層１１の上に絶縁層を形成する。本実施形態では、パターン形成領域Ａ１１内および開口形成領域Ａ１２内に絶縁層を形成する。

詳しくは、図４に示すように、パターン形成領域Ａ１１内に、上記したベース絶縁層１２を形成し、開口形成領域Ａ１２内に、ダミー絶縁層２１を形成する。

ダミー絶縁層２１は、ダミーパターン２２（図６参照）を支持する。ダミーパターン２２については、後で説明する。ダミー絶縁層２１は、支持部２１１と、少なくとも１つの接続部２１２とを有する。本実施形態では、ダミー絶縁層２１は、複数の接続部２１２を有する。

支持部２１１は、ダミーパターン２２を支持する。支持部２１１は、ベース絶縁層１２から離れて配置される。本実施形態では、支持部２１１は、略矩形状を有する。なお、支持部２１１の形状は、限定されない。

複数の接続部２１２のそれぞれは、支持部２１１とベース絶縁層１２との間に配置される。複数の接続部２１２のそれぞれは、支持部２１１およびベース絶縁層１２と接続される。これにより、ダミー絶縁層２１は、ベース絶縁層１２と接続される。

ベース絶縁層１２およびダミー絶縁層２１を形成するには、まず、支持層１１の上に感光性樹脂の溶液（ワニス）を塗布して乾燥し、感光性樹脂の塗膜を形成する。次に、感光性樹脂の塗膜を露光および現像する。これにより、ベース絶縁層１２およびダミー絶縁層２１が、支持層１１の上に形成される。

（３）パターン工程
次に、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、パターン工程では、電解メッキにより、パターン形成領域Ａ１１内のベース絶縁層１２の上に、導体パターン１３を形成するとともに、開口形成領域Ａ１２内のダミー絶縁層２１の上に、ダミーパターン２２（図６参照）を形成する。

図５Ｂに示すように、ダミーパターン２２は、ダミー第１導体層２２Ａと、ダミー第２導体層２２Ｂとを有する。

ダミー第１導体層２２Ａは、厚み方向において、ダミー絶縁層２１の上に配置される。ダミー第１導体層２２Ａは、導体パターン１３の第１導体層１３Ａと同じ材料からなる。ダミー第１導体層２２Ａは、第１厚みＴ１を有する。つまり、ダミー第１導体層２２Ａは、導体パターン１３の第１導体層１３Ａと同じ厚みを有する。

ダミー第２導体層２２Ｂは、厚み方向において、ダミー第１導体層２２Ａの上に配置される。本実施形態では、ダミー第２導体層２２Ｂの全部が、厚み方向において、ダミー第１導体層２２Ａの上に配置される。ダミー第２導体層２２Ｂは、導体パターン１３の第２導体層１３Ｂと同じ材料からなる。ダミー第２導体層２２Ｂは、第２厚みＴ２を有する。つまり、ダミー第２導体層２２Ｂは、導体パターン１３の第２導体層１３Ｂと同じ厚みを有する。

導体パターン１３およびダミーパターン２２を形成するには、図５Ａに示すように、パターン工程において、まず、第１パターン工程を実施する。つまり、パターン工程は、第１パターン工程を含む。

第１パターン工程では、パターン形成領域Ａ１１内のベース絶縁層１２の上に第１導体層１３Ａを形成するともに、開口形成領域Ａ１２内のダミー絶縁層２１の上にダミー第１導体層２２Ａを形成する。

第１導体層１３Ａおよびダミー第１導体層２２Ａを形成するには、まず、ベース絶縁層１２およびダミー絶縁層２１の表面にシード層を形成する。シード層は、例えば、スパッタリングにより形成される。シード層の材料としては、例えば、クロム、銅、ニッケル、チタン、および、これらの合金が挙げられる。

次に、シード層が形成されたベース絶縁層１２およびダミー絶縁層２１の上に、メッキレジストを貼り合わせて、第１導体層１３Ａおよびダミー第１導体層２２Ａが形成される部分を遮光した状態で、メッキレジストを露光する。

次に、露光されたメッキレジストを現像する。すると、遮光された部分のメッキレジストが除去され、第１導体層１３Ａおよびダミー第１導体層２２Ａが形成される部分にシード層が露出する。なお、露光された部分、すなわち、第１導体層１３Ａおよびダミー第１導体層２２Ａが形成されない部分のメッキレジストは、残る。

次に、露出したシード層の上に、電解メッキにより、第１導体層１３Ａおよびダミー第１導体層２２Ａを形成する。

このとき、第１導体層１３Ａは、ダミー第１導体層２２Ａとともに形成される。そのため、メッキ液中において、製品領域Ａ１の周囲の金属イオン濃度の均一化を図ることができ、第１導体層１３Ａの厚みの均一化を図ることができる。

そして、電解メッキが終了した後、メッキレジストを剥離する。

次に、図５Ｂに示すように、パターン工程において、第２パターン工程を実施する。つまり、パターン工程は、第２パターン工程を含む。

第２パターン工程では、パターン形成領域Ａ１１内に第２導体層１３Ｂを形成するともに、開口形成領域Ａ１２内にダミー第２導体層２２Ｂを形成する。つまり、本実施形態では、第１パターン工程および第２パターン工程において、ダミーパターン２２を形成する。

第２導体層１３Ｂおよびダミー第２導体層２２Ｂを形成するには、まず、ベース絶縁層１２およびダミー絶縁層２１の上に、第１導体層１３Ａおよびダミー第１導体層２２Ａを覆うようにメッキレジストを貼り合わせて、第２導体層１３Ｂおよびダミー第２導体層２２Ｂが形成される部分を遮光した状態で、メッキレジストを露光する。

次に、露光されたメッキレジストを現像する。すると、遮光された部分のメッキレジストが除去され、第２導体層１３Ｂが形成される部分にシード層または第１導体層１３Ａが露出し、ダミー第２導体層２２Ｂが形成される部分にダミー第１導体層２２Ａが露出する。なお、露光された部分、すなわち、第２導体層１３Ｂおよびダミー第２導体層２２Ｂが形成されない部分のメッキレジストは、残る。

次に、電解メッキにより、露出したシード層または第１導体層１３Ａの上に第２導体層１３Ｂを形成し、露出したダミー第１導体層２２Ａの上にダミー第２導体層２２Ｂを形成する。

このとき、第２導体層１３Ｂは、ダミー第２導体層２２Ｂとともに形成される。そのため、第２導体層１３Ｂの厚みの均一化も図ることができる。

そして、電解メッキが終了した後、メッキレジストを剥離する。

次に、メッキレジストを剥離することにより露出したシード層を、エッチングにより除去する。

これにより、図６に示すように、導体パターン１３が、ベース絶縁層１２の上に形成され、ダミーパターン２２が、ダミー絶縁層２１の上に形成される。

（４）カバー絶縁層形成工程
次に、図７Ａに示すように、カバー絶縁層形成工程では、ベース絶縁層１２の形成と同様にして、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびダミーパターン２２の上にカバー絶縁層１４を形成する。

ダミーパターン２２およびカバー絶縁層１４の総厚みＴ１１は、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ、および、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれの厚みＴ１２よりも厚い。

そのため、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ、および、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれが周囲の部材と接触してしまうことを、ダミーパターン２２およびカバー絶縁層１４により、抑制できる。具体的には、ベース絶縁層１２、導体パターン１３、ダミーパターン２２およびカバー絶縁層１４が形成された支持層１１がロール状に巻き取られた場合に、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ、および、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれが支持層１１と接触してしまうことを、ダミーパターン２２およびカバー絶縁層１４により、抑制できる。

これにより、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ、および、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれを保護できる。

（４）エッチング工程
次に、図７Ｂに示すように、エッチング工程では、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の全部をエッチングして、開口１０を形成する。また、エッチング工程において、製品領域Ａ１とフレーム領域Ａ２との間の支持層１１をエッチングして、製品領域Ａ１の形状に沿って配線回路基板１の外形を形成するとともに、フレーム領域Ａ２の形状に沿ってフレームＦを形成する。

支持層１１をエッチングするには、支持層１１のうちのエッチングしない部分をエッチングレジストでカバーして、支持層１１をエッチング液に浸漬する。

すると、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の全部がエッチングされて、開口１０が形成される。

このとき、ダミーパターン２２は、ダミー絶縁層２１に支持されているので、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の全部がエッチングされても、エッチング液中に脱落しない。そのため、エッチング液中に脱落したダミーパターン２２を回収する装置が無くても、開口形成領域Ａ１２内にダミーパターン２２を設けることができる。

また、製品領域Ａ１とフレーム領域Ａ２との間の支持層１１の一部がエッチングされて、配線回路基板１の外形が形成されるとともに、フレームＦが形成される。フレームＦは、配線回路基板１と接続される。これにより、開口１０を有する配線回路基板１と、開口１０内に配置されるダミーパターン２２とを備えるダミーパターン付き配線回路基板３０が得られるとともに、ダミーパターン付き配線回路基板３０と、ダミーパターン付き配線回路基板３０を支持するフレームＦとを有する集合体シート１００が得られる。

（５）カット工程
次に、図２に示すように、カット工程では、配線回路基板１をフレームＦから切り取るとともに、開口１０内のダミー絶縁層２１を、配線回路基板１から切り取る。

これにより、配線回路基板１が得られる。

なお、配線回路基板１をフレームＦから切り取る方法、および、ダミー絶縁層２１を配線回路基板１から切り取る方法は、限定されない。例えば、配線回路基板１とフレームＦとの接続部分、および、ダミー絶縁層２１の接続部２１２（図６参照）をカッター、金型による打ち抜き、レーザー加工などで切断することにより、配線回路基板１をフレームＦから切り取り、ダミー絶縁層２１を配線回路基板１から切り取る。配線回路基板１の開口１０の内面には、ダミー絶縁層２１を切り取った痕跡が残っていてもよい。

３．作用効果
（１）配線回路基板１の製造方法によれば、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、パターン形成領域Ａ１１内のベース絶縁層１２の上に、第１導体層１３Ａと第２導体層１３Ｂとからなる導体パターン１３を形成するとともに、開口形成領域Ａ１２内のダミー絶縁層２１の上にダミー第１導体層２２Ａとダミー第２導体層２２Ｂとからなるダミーパターン２２を形成する。

詳しくは、第１パターン工程において、電解メッキによって、第１導体層１３Ａをパターン形成領域Ａ１１内に形成するとともに、ダミー第１導体層２２Ａを開口形成領域Ａ１２内に形成する。次に、第２パターン工程において、電解メッキによって、第２導体層１３Ｂをパターン形成領域Ａ１１内に形成するとともに、ダミー第２導体層２２Ｂを開口形成領域Ａ１２内に形成する。

これにより、第１パターン工程および第２パターン工程において、第１導体層１３Ａまたは第２導体層１３Ｂの周囲の金属イオン濃度の均一化を図ることができる。

その結果、開口１０の近くに形成される導体パターン１３の厚みの均一化を図ることができる。

（２）配線回路基板１の製造方法によれば、図７Ｂに示すように、導体パターン１３の配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄを覆うカバー絶縁層１４で、ダミーパターン２２も覆う。

そのため、ダミーパターン２２およびカバー絶縁層１４の総厚みＴ１１を、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ、および、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれの厚みＴ１２よりも厚くできる。

これにより、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ、および、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれが周囲の部材と接触してしまうことを、ダミーパターン２２およびカバー絶縁層１４により、抑制できる。

その結果、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ、および、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれを保護できる。

（３）配線回路基板１の製造方法によれば、図７Ｂに示すように、開口形成領域Ａ１２内のダミー絶縁層２１でダミーパターン２２を支持できる。

そのため、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の全部がエッチングされても、ダミー絶縁層２１でダミーパターン２２を支持できる。

（４）配線回路基板１の製造方法によれば、図７Ｂに示すように、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の全部をエッチングして、開口１０を形成し、製品領域Ａ１とフレーム領域Ａ２との間の支持層１１をエッチングして、配線回路基板１の外形を形成するとともに、配線回路基板１と接続されるフレームＦを形成する。

そして、図２に示すように、配線回路基板１をフレームＦから切り取るとともに、開口１０内のダミー絶縁層２１を、配線回路基板１から切り取る。

これにより、簡単に、ダミーパターン２２を除去できる。

（５）ダミーパターン付き配線回路基板３０によれば、図７Ｂに示すように、開口１０内にダミーパターン２２が配置されている。

そのため、開口１０の近くに形成される導体パターン１３の厚みの均一化を図ることができる。

（６）ダミーパターン付き配線回路基板３０によれば、図７Ｂに示すように、ダミーパターン２２は、ダミー第１導体層２２Ａと、ダミー第１導体層２２Ａの上に配置されるダミー第２導体層２２Ｂとを有する。

そのため、導体パターン１３の第１導体層１３Ａおよび第２導体層１３Ｂの両方の厚みの均一化を図ることができる。

その結果、開口１０の近くに形成される導体パターン１３の厚みの均一化を、より図ることができる。

（７）集合体シート１００によれば、図７Ｂに示すように、ダミーパターン付き配線回路基板３０を支持するフレームＦを備える。

そのため、ダミーパターン付き配線回路基板３０をフレームＦとともに取り扱うことができる。

４．変形例
次に、図８Ａから図１２を参照して、変形例について説明する。変形例において、上記した実施形態と同様の部材には同じ符号を付し、説明を省略する。

（１）図８Ａに示すように、ダミーパターン２２は、ダミー第１導体層２２Ａからなってもよい。

ダミーパターン２２がダミー第１導体層２２Ａからなる場合、導体パターン１３の第１導体層１３Ａの厚みの均一化を図ることができる。

また、図８Ｂに示すように、ダミーパターン２２は、ダミー第２導体層２２Ｂからなってもよい。

ダミーパターン２２がダミー第２導体層２２Ｂからなる場合、導体パターン１３の第２導体層１３Ｂの厚みの均一化を図ることができる。

また、図８Ｃに示すように、ダミーパターン付き配線回路基板３０は、ダミー第１導体層２２Ａからなるダミーパターン２２と、ダミー第２導体層２２Ｂからなるダミーパターン２２とを、互いに独立に有してもよい。

この場合、導体パターン１３の第１導体層１３Ａおよび第２導体層１３Ｂの両方の厚みの均一化を図ることができる。

（２）図９に示すように、開口形成領域Ａ１２の周縁部Ａ１２１にダミーパターン２２を形成し、開口形成領域Ａ１２の中央部Ａ１２２にはダミーパターン２２を形成しないこともできる。周縁部Ａ１２１とは、中央部Ａ１２２と導体パターン１３との間に位置する部分である。

この場合、図１０に示すように、第２方向に延びるダミーパターン２２をダミー第１導体層２２Ａから形成し、第１方向に延びるダミーパターン２２をダミー第２導体層２２Ｂから形成してもよい。第１方向に延びるダミーパターン２２の端部は、第２方向に延びるダミーパターン２２の端部の上に配置されてもよい。つまり、ダミー第２導体層２２Ｂの一部は、ダミー第１導体層２２Ａの上に配置されてもよい。

（３）図１１Ａに示すように、絶縁層形成工程において、パターン形成領域Ａ１１内にベース絶縁層１２を形成し、開口形成領域Ａ１２内にダミー絶縁層２１を形成しなくてもよい。

この場合、図１１Ｂに示すように、パターン工程において、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の上にダミーパターン２２を形成する。

そして、図１１Ｃに示すように、エッチング工程において、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の一部をエッチングする。詳しくは、パターン形成領域Ａ１１と開口形成領域Ａ１２との境界に沿って、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の一部をエッチングする。これにより、開口形成領域Ａ１２内に、ダミーパターン２２を支持するダミー支持層３１を形成する。

ダミー支持層３１は、支持層１１と同じ材料からなり、上記したダミー絶縁層２１と同じ形状を有する。

この変形例では、カット工程において、ダミー支持層３１を、配線回路基板１から切り取る。

（４）図１１Ｃに示すように、カバー絶縁層１４は、ダミーパターン２２を覆わなくてもよい。

（５）上記した実施形態のエッチング工程（図７Ｂ参照）において、上記した変形例（３）と同様に、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の一部をエッチングして、ダミー絶縁層２１と同じ形状のダミー支持層３１（図１１Ｃ参照）を形成してもよい。

（６）上記した変形例（３）のエッチング工程において、ダミー支持層３１を形成せず、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の全部をエッチングしてもよい。

詳しくは、図１１Ａに示すように、絶縁層形成工程において、パターン形成領域Ａ１１内にベース絶縁層１２を形成し、開口形成領域Ａ１２内にダミー絶縁層２１を形成しない。

次に、図１２に示すように、パターン工程において、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の上にダミーパターン２２を形成する。

そして、エッチング工程において、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の全部をエッチングする。

この場合、ダミーパターン２２は、エッチング液中に脱落してもよい。ダミーパターン２２がエッチング液中に脱落する場合、エッチング液中に脱落したダミーパターン２２を回収するための装置を使用することが好ましい。

この変形例によれば、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の全部をエッチングすることにより、簡単に、ダミーパターン２２を除去できる。

（７）ダミーパターン２２は、開口形成領域Ａ１２内だけでなく、フレーム領域Ａ２にも、形成されてもよい。

１ 配線回路基板
１０ 開口
１１ 支持層
１２ ベース絶縁層
１３ 導体パターン
１３Ａ 第１導体層
１３Ｂ 第２導体層
２２ ダミーパターン
２２Ａ ダミー第１導体層
２２Ｂ ダミー第２導体層
Ａ１ 製品領域
Ａ２ フレーム領域
Ａ１１ パターン形成領域
Ａ１２ 開口形成領域
Ｆ フレーム

Claims (12)

1. 支持層にパターン形成領域と開口形成領域とを設定する領域設定工程と、
   少なくとも前記パターン形成領域内において、前記支持層の上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
   前記パターン形成領域内の前記絶縁層の上に、第１厚みを有する第１導体層と、前記第１厚みと異なる第２厚みを有する第２導体層とを有する導体パターンを形成するパターン工程であって、前記第１導体層を形成する第１パターン工程と、前記第２導体層を形成する第２パターン工程とを含むパターン工程と、
   前記開口形成領域内の前記支持層の少なくとも一部をエッチングするエッチング工程と
   を含み、
   前記第１パターン工程および前記第２パターン工程の少なくとも一方において、前記開口形成領域内にダミーパターンを形成する、配線回路基板の製造方法。
2. 前記第１パターン工程において、前記開口形成領域内に、前記第１厚みを有し、前記ダミーパターンの少なくとも一部を構成するダミー第１導体層を形成する、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
3. 前記第２パターン工程において、前記開口形成領域内に、前記第２厚みを有し、前記ダミーパターンの少なくとも一部を構成するダミー第２導体層を形成する、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板の製造方法。
4. 前記導体パターンおよび前記ダミーパターンを覆うカバー絶縁層を形成するカバー絶縁層形成工程を、さらに含む、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
5. 前記絶縁層形成工程において、前記パターン形成領域内および前記開口形成領域内に前記絶縁層を形成し、
   前記第１パターン工程および前記第２パターン工程の少なくとも一方において、前記開口形成領域内の前記絶縁層の上に前記ダミーパターンを形成する、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
6. 前記領域設定工程において、前記支持層に、前記パターン形成領域と前記開口形成領域とを含む製品領域と、前記製品領域と接続されるフレーム領域とを、さらに設定し、
   前記エッチング工程において、前記開口形成領域内の前記支持層の全部をエッチングして、開口を形成し、前記製品領域と前記フレーム領域との間の前記支持層の一部をエッチングして、前記製品領域の形状に沿って配線回路基板の外形を形成するとともに、前記フレーム領域の形状に沿って、前記配線回路基板と接続されるフレームを形成し、
   前記配線回路基板の製造方法は、
   前記配線回路基板を前記フレームから切り取るとともに、前記開口内の前記絶縁層を、前記配線回路基板から切り取るカット工程を、さらに含む、請求項５に記載の配線回路基板の製造方法。
7. 前記絶縁層形成工程において、前記パターン形成領域内に前記絶縁層を形成し、前記開口形成領域内に前記絶縁層を形成せず、
   前記第１パターン工程および前記第２パターン工程の少なくとも一方において、前記開口形成領域内の前記支持層の上に前記ダミーパターンを形成する、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
8. 前記エッチング工程において、前記開口形成領域内の前記支持層の全部をエッチングする、請求項７に記載の配線回路基板の製造方法。
9. 開口を有する配線回路基板であって、前記開口の周りに配置される支持層と、前記支持層の厚み方向において前記支持層の上に配置される絶縁層と、前記厚み方向において前記絶縁層の上に配置される導体パターンとを有する配線回路基板と、
   前記開口内に配置されるダミーパターンと
   を備え、
   前記導体パターンは、
   第１厚みを有する第１導体層と、
   前記第１厚みと異なる第２厚みを有する第２導体層とを有する、ダミーパターン付き配線回路基板。
10. 前記ダミーパターンは、前記第１厚みを有するダミー第１導体層、または、前記第２厚みを有するダミー第２導体層からなる、請求項９に記載のダミーパターン付き配線回路基板。
11. 前記ダミーパターンは、
    前記第１厚みを有するダミー第１導体層と、
    前記第２厚みを有し、少なくとも一部が前記ダミー第１導体層の上に配置されるダミー第２導体層とを有する、請求項９に記載のダミーパターン付き配線回路基板。
12. 請求項９～１１のいずれか一項に記載のダミーパターン付き配線回路基板と、
    前記ダミーパターン付き配線回路基板を支持するフレームと
    を備える、集合体シート。

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