KR20230068318A - 배선 회로 기판 - Google Patents
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Abstract
배선 회로 기판(1)은, 제 1 절연층(13)과, 제 1 절연층(13) 위에 배치되는 도체 패턴(15)과, 제 1 절연층(13) 위에 배치되어, 도체 패턴(15)을 덮는 제 2 절연층(17)과, 도체 패턴(15)과 제 2 절연층(17) 사이에 배치되어, 도체 패턴(15)을 보호하는 제 3 보호층(16)을 구비한다. 제 3 보호층(16)은, 금속 산화물로 이루어진다.
Description
본 발명은, 배선 회로 기판에 관한 것이다.
종래, 절연층과, 절연층 위에 배치되는 도체 회로와, 도체 회로를 덮는 커버와, 절연층과 도체 회로 사이에 배치되는 크로뮴 박막 및 구리 박막과, 커버와 도체 회로 사이에 배치되는 금속 박막을 구비하는 회로판이 제안되어 있다(하기 특허문헌 1 참조).
상기한 특허문헌 1에 기재되는 바와 같은 회로판에서는, 금속 박막으로서, 니켈 등, 자성을 갖는 금속이 사용되는 경우가 있다. 자성을 갖는 금속이 도체 회로의 주위에 사용되고 있으면, 전송 손실의 저감을 도모하는 것이 곤란한 경우가 있다.
본 발명은, 전송 손실의 저감을 도모할 수 있는 배선 회로 기판을 제공한다.
본 발명 [1]은, 제 1 절연층과, 상기 제 1 절연층 위에 배치되는 도체 패턴과, 상기 제 1 절연층 위에 배치되어, 상기 도체 패턴을 덮는 제 2 절연층과, 상기 도체 패턴과 상기 제 2 절연층 사이에 배치되어, 상기 도체 패턴을 보호하는 보호층을 구비하고, 상기 보호층은, 금속 산화물로 이루어지는, 배선 회로 기판을 포함한다.
본 발명 [2]는, 상기 보호층이, 절연체이며, 상기 제 1 절연층과 상기 제 2 절연층 사이에도 배치되는, 상기 [1]의 배선 회로 기판을 포함한다.
본 발명 [3]은, 상기 보호층이, 알루미늄을 함유하는, 상기 [1] 또는 [2]의 배선 회로 기판을 포함한다.
본 발명 [4]는, 상기 보호층이, 산화 알루미늄을 함유하는, 상기 [1]∼[3] 중 어느 하나의 배선 회로 기판을 포함한다.
본 발명의 배선 회로 기판에 의하면, 도체 패턴과 제 2 절연층 사이에 배치되는 보호층이, 금속 산화물로 이루어진다.
그 때문에, 보호층이 자성을 갖는 금속으로 이루어지는 경우와 비교해서, 도체 패턴의 전송 손실의 저감을 도모할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태로서의 배선 회로 기판의 평면도이다.
도 2의 도 2A는, 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 A-A 단면도이다. 도 2B는, 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 B-B 단면도이다.
도 3의 도 3A 내지 도 3G는, 배선 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 설명도이다. 도 3A는, 지지층을 준비하는 공정을 나타낸다. 도 3B는, 지지층 위에 제 1 보호층을 형성하는 공정을 나타낸다. 도 3C는, 제 1 보호층 위에 제 1 절연층을 형성하는 공정을 나타낸다. 도 3D는, 제 1 절연층 위에 제 2 보호층을 형성하는 공정을 나타낸다. 도 3E는, 제 2 보호층 위에 도체 패턴을 형성하는 공정을 나타낸다. 도 3F는, 도금 레지스트로부터 노출된 제 2 보호층을 에칭에 의해 제거하는 공정을 나타낸다. 도 3G는, 제 1 절연층 및 도체 패턴 위에 제 3 보호층을 형성하는 공정을 나타낸다.
도 4는, 변형예를 설명하기 위한 설명도이다.
도 5는, 실시예 및 비교예의 배선 회로 기판의 전송 손실을 나타내는 그래프이다.
도 2의 도 2A는, 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 A-A 단면도이다. 도 2B는, 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 B-B 단면도이다.
도 3의 도 3A 내지 도 3G는, 배선 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 설명도이다. 도 3A는, 지지층을 준비하는 공정을 나타낸다. 도 3B는, 지지층 위에 제 1 보호층을 형성하는 공정을 나타낸다. 도 3C는, 제 1 보호층 위에 제 1 절연층을 형성하는 공정을 나타낸다. 도 3D는, 제 1 절연층 위에 제 2 보호층을 형성하는 공정을 나타낸다. 도 3E는, 제 2 보호층 위에 도체 패턴을 형성하는 공정을 나타낸다. 도 3F는, 도금 레지스트로부터 노출된 제 2 보호층을 에칭에 의해 제거하는 공정을 나타낸다. 도 3G는, 제 1 절연층 및 도체 패턴 위에 제 3 보호층을 형성하는 공정을 나타낸다.
도 4는, 변형예를 설명하기 위한 설명도이다.
도 5는, 실시예 및 비교예의 배선 회로 기판의 전송 손실을 나타내는 그래프이다.
1. 배선 회로 기판
도 1에 나타내는 바와 같이, 배선 회로 기판(1)은, 제 1 방향 및 제 2 방향으로 연장된다. 본 실시형태에서는, 배선 회로 기판(1)은, 대략 직사각 형상을 갖는다. 한편, 배선 회로 기판(1)의 형상은, 한정되지 않는다.
도 2A 및 도 2B에 나타내는 바와 같이, 배선 회로 기판(1)은, 지지층(11)과, 제 1 보호층(12)과, 제 1 절연층(13)과, 제 2 보호층(14)과, 도체 패턴(15)과, 보호층의 일례로서의 제 3 보호층(16)과, 제 2 절연층(17)과, 도금층(18)을 구비한다.
(1) 지지층
지지층(11)은, 제 1 보호층(12)과, 제 1 절연층(13)과, 제 2 보호층(14)과, 도체 패턴(15)과, 제 3 보호층(16)과, 제 2 절연층(17)을 지지한다. 본 실시형태에서는, 지지층(11)은, 금속으로 이루어진다. 금속으로서, 예를 들면, 스테인리스 합금, 및 구리 합금을 들 수 있다.
(2) 제 1 보호층
제 1 보호층(12)은, 배선 회로 기판(1)의 두께 방향에 있어서, 지지층(11) 위에 배치된다. 두께 방향은, 제 1 방향 및 제 2 방향과 직교한다. 제 1 보호층(12)은, 지지층(11)과 제 1 절연층(13) 사이에 배치된다. 제 1 보호층(12)은, 지지층(11)을 보호한다. 제 1 보호층(12)은, 금속으로 이루어진다. 금속으로서, 예를 들면, 크로뮴, 니켈, 타이타늄, 및 그들의 합금을 들 수 있다.
(3) 제 1 절연층
제 1 절연층(13)은, 두께 방향에 있어서, 제 1 보호층(12) 위에 배치된다. 바꾸어 말하면, 제 1 절연층(13)은, 두께 방향에 있어서, 제 1 보호층(12)을 개재시켜 지지층(11) 위에 배치된다. 제 1 절연층(13)은, 지지층(11)과 도체 패턴(15) 사이에 배치된다. 제 1 절연층(13)은, 제 1 보호층(12)과 도체 패턴(15)을 절연한다. 제 1 절연층(13)은, 수지로 이루어진다. 수지로서, 예를 들면, 폴리이미드, 말레이미드, 에폭시 수지, 폴리벤즈옥사졸, 및 폴리에스터를 들 수 있다. 본 실시형태에서는, 제 1 절연층(13)은, 비아 홀(13A)을 갖는다.
(4) 제 2 보호층
제 2 보호층(14)은, 두께 방향에 있어서, 제 1 절연층(13) 위에 배치된다. 제 2 보호층(14)은, 도체 패턴(15)과 제 1 절연층(13) 사이에 배치된다. 제 2 보호층(14)은, 도체 패턴(15)을 보호한다. 상세하게는, 제 2 보호층(14)은, 배선 패턴(15A)과 제 1 절연층(13) 사이, 배선 패턴(15B)과 제 1 절연층(13) 사이, 배선 패턴(15C)과 제 1 절연층(13) 사이, 및 그라운드 패턴(15D)과 제 1 절연층(13) 사이에 배치된다. 배선 패턴(15A, 15B, 15C), 및 그라운드 패턴(15D)에 대해서는, 후에 설명한다. 제 2 보호층(14)은, 금속으로 이루어진다. 금속으로서, 예를 들면, 크로뮴, 니켈, 타이타늄, 및 그들의 합금을 들 수 있다.
(5) 도체 패턴
도체 패턴(15)은, 두께 방향에 있어서, 제 2 보호층(14) 위에 배치된다. 바꾸어 말하면, 도체 패턴(15)은, 두께 방향에 있어서, 제 2 보호층(14)을 개재시켜 제 1 절연층(13) 위에 배치된다. 도체 패턴(15)은, 두께 방향에 있어서, 제 1 절연층(13)에 대해서, 지지층(11)의 반대 측에 배치된다. 도체 패턴(15)은, 금속으로 이루어진다. 금속으로서, 예를 들면, 구리, 은, 금, 철, 알루미늄, 크로뮴, 및 그들의 합금을 들 수 있다. 양호한 전기 특성을 얻는 관점에서, 바람직하게는, 구리를 들 수 있다. 도체 패턴(15)의 형상은, 한정되지 않는다.
본 실시형태에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 도체 패턴(15)은, 복수의 배선 패턴(15A, 15B, 15C)과, 그라운드 패턴(15D)을 갖는다. 복수의 배선 패턴(15A, 15B, 15C), 및 그라운드 패턴(15D)은, 서로 간격을 두고, 제 2 방향으로 나열된다.
(5-1) 배선 패턴
배선 패턴(15A)은, 단자(151A)와, 단자(152A)와, 배선(153A)을 갖는다. 배선 패턴(15A)은, 단자(151A)에 접속되는 전자 부품과, 단자(152A)에 접속되는 전자 부품을 전기적으로 접속한다.
단자(151A)는, 제 1 방향에 있어서의 배선 회로 기판(1)의 일단부에 배치된다. 단자(151A)는, 사각 랜드 형상을 갖는다.
단자(152A)는, 제 1 방향에 있어서의 배선 회로 기판(1)의 타단부에 배치된다. 단자(152A)는, 사각 랜드 형상을 갖는다.
배선(153A)의 일단은, 단자(151A)에 접속된다. 배선(153A)의 타단은, 단자(152A)에 접속된다. 배선(153A)은, 단자(151A)와 단자(152A)를 전기적으로 접속한다.
배선 패턴(15B, 15C)의 각각은, 배선 패턴(15A)과 마찬가지로 설명된다. 그 때문에, 배선 패턴(15B, 15C)의 각각에 대한 설명은 생략된다.
(5-2) 그라운드 패턴
그라운드 패턴(15D)은, 그라운드 단자(151D)와, 그라운드 배선(152D)을 갖는다. 그라운드 패턴(15D)은, 그라운드 단자(151D)에 접속되는 전자 부품을, 지지층(11)을 개재시켜 그라운드에 접속한다.
그라운드 단자(151D)는, 제 1 방향에 있어서의 배선 회로 기판(1)의 일단부에 배치된다. 그라운드 단자(151D)는, 사각 랜드 형상을 갖는다. 단자(151A, 151B, 151C), 및 그라운드 단자(151D)는, 서로 간격을 두고, 제 2 방향으로 나열된다.
그라운드 배선(152D)의 일단은, 그라운드 단자(151D)에 접속된다. 그라운드 배선(152D)의 타단은, 베이스 절연층(13)의 비아 홀(13A)(도 2 참조)을 통해 지지층(11)에 접속된다. 이에 의해, 그라운드 배선(152D)은, 제 1 보호층(12)을 개재시켜 지지층(11)과 도통한다.
(6) 제 3 보호층
도 2A에 나타내는 바와 같이, 제 3 보호층(16)은, 도체 패턴(15)을 덮는다. 제 3 보호층(16)은, 도체 패턴(15)과 제 2 절연층(17) 사이에 배치된다. 제 3 보호층(16)은, 도체 패턴(15)을 보호한다. 상세하게는, 제 3 보호층(16)은, 모든 배선(153A, 153B, 153C), 및 그라운드 배선(152D)을 덮는다. 제 3 보호층(16)은, 배선(153A)과 제 2 절연층(17) 사이, 배선(153B)과 제 2 절연층(17) 사이, 배선(153C)과 제 2 절연층(17) 사이, 및 그라운드 배선(152D)과 제 2 절연층(17) 사이에 배치된다. 제 3 보호층(16)은, 모든 배선(153A, 153B, 153C), 및 그라운드 배선(152D)을 보호한다. 도 2B에 나타내는 바와 같이, 제 3 보호층(16)은, 단자(151A, 151B, 151C), 및 그라운드 단자(151D)를 덮지 않는다. 도시하지 않지만, 제 3 보호층(16)은, 단자(152A, 152B, 152C)도 덮지 않는다. 본 실시형태에서는, 제 3 보호층(16)은, 절연체이다. 제 3 보호층(16)이 절연체인 경우, 제 3 보호층(16)은, 제 1 절연층(13)과 제 2 절연층(17) 사이에도 배치되어도 된다.
제 3 보호층(16)은, 금속 산화물로 이루어진다. 제 3 보호층(16)은, 자성을 갖지 않는다. 제 3 보호층(16)의 금속 산화물로서, 예를 들면, 산화 알루미늄, 산화 아연, 규산 알루미늄, 이산화 규소, 산화 마그네슘을 들 수 있다.
또, 금속 산화물로서, 예를 들면, 금속 성분으로서 알루미늄, 규소, 아연 및 불가피 불순물을 포함하는 금속 산화물, 예를 들면, 금속 성분으로서 알루미늄, 갈륨, 규소, 아연 및 불가피 불순물을 포함하는 금속 산화물을 들 수 있다.
제 3 보호층(16)은, 바람직하게는, 알루미늄을 함유한다. 제 3 보호층(16)은, 보다 바람직하게는, 산화 알루미늄을 함유한다. 금속 산화물로서, 바람직하게는, 산화 알루미늄, 규산 알루미늄을 들 수 있다.
제 3 보호층(16) 중의 알루미늄의 비율은, 예를 들면, 0.5질량% 이상, 바람직하게는, 0.9질량% 이상이다. 제 3 보호층(16) 중의 알루미늄의 비율이 상기 하한치 이상이면, 후술하는 배선 회로 기판(1)의 제조 방법에 있어서, 제 3 보호층(16)을 용이하게 에칭할 수 있다. 한편, 제 3 보호층(16) 중의 알루미늄의 비율의 상한치는, 한정되지 않는다. 제 3 보호층(16) 중의 알루미늄의 비율은, 예를 들면, 60질량% 이하이다.
또한, 제 3 보호층(16) 중의 산화 알루미늄의 비율은, 예를 들면, 1질량% 이상, 바람직하게는, 2질량% 이상이다. 제 3 보호층(16) 중의 산화 알루미늄의 비율이 상기 하한치 이상이면, 후술하는 배선 회로 기판(1)의 제조 방법에 있어서, 제 3 보호층(16)을 용이하게 에칭할 수 있다. 한편, 제 3 보호층(16) 중의 산화 알루미늄의 비율의 상한치는, 한정되지 않는다. 제 3 보호층(16) 중의 산화 알루미늄의 비율은, 예를 들면, 100질량% 이하이다.
제 3 보호층(16)의 두께는, 예를 들면, 1nm 이상, 바람직하게는, 3nm 이상이다. 제 3 보호층(16)의 두께가 상기 하한치 이상이면, 배선(153)을 확실히 보호할 수 있다. 제 3 보호층(16)의 두께는, 예를 들면, 100nm 이하, 바람직하게는, 20nm 이하, 보다 바람직하게는, 10nm 이하이다. 제 3 보호층(16)의 두께가 상기 상한치 이하이면, 후술하는 배선 회로 기판(1)의 제조 방법에 있어서, 제 3 보호층(16)을 용이하게 에칭할 수 있다.
(7) 제 2 절연층
도 1에 나타내는 바와 같이, 제 2 절연층(17)은, 모든 배선(153A, 153B, 153C), 및 그라운드 배선(152D)을 덮는다. 바꾸어 말하면, 제 2 절연층(17)은, 도체 패턴(15)을 덮는다. 제 2 절연층(17)은, 두께 방향에 있어서, 제 1 절연층(13) 위에 배치된다. 한편, 제 2 절연층(17)은, 단자(151A, 151B, 151C), 그라운드 단자(151D), 및 단자(152A, 152B, 152C)를 덮지 않는다. 제 2 절연층(17)은, 수지로 이루어진다. 수지로서는, 예를 들면, 폴리이미드, 말레이미드, 에폭시 수지, 폴리벤즈옥사졸, 및 폴리에스터를 들 수 있다.
(8) 도금층
도 2B에 나타내는 바와 같이, 도금층(18)은, 단자(151A, 151B, 151C), 및 그라운드 단자(151D)를 덮는다. 도시하지 않지만, 도금층(18)은, 단자(152A, 152B, 152C)도 덮는다. 도금층(18)은, 복수의 층을 가져도 된다. 본 실시형태에서는, 제 1 도금층(18A)과, 제 2 도금층(18B)을 갖는다.
제 1 도금층(18A)은, 금속으로 이루어진다. 제 1 도금층(18A)의 금속으로서는, 예를 들면, 니켈, 니켈-인 합금을 들 수 있다.
제 2 도금층(18B)은, 제 1 도금층(18A)과 상이한 금속으로 이루어진다. 제 2 도금층(18B)의 금속으로서는, 예를 들면, 금을 들 수 있다.
2. 배선 회로 기판의 제조 방법
다음으로, 배선 회로 기판(1)의 제조 방법에 대하여 설명한다.
본 실시형태에서는, 배선 회로 기판(1)은, 애디티브법에 의해 제조되어도 된다.
배선 회로 기판(1)을 제조하기 위해서는, 도 3A에 나타내는 바와 같이, 우선, 지지층(11)을 준비한다. 본 실시형태에서는, 지지층(11)은, 금속박의 롤로부터 인출된 금속박이다.
다음으로, 도 3B에 나타내는 바와 같이, 지지층(11) 위에 제 1 보호층(12)을 형성한다. 제 1 보호층(12)은, 예를 들면, 스퍼터링에 의해 형성된다.
다음으로, 도 3C에 나타내는 바와 같이, 제 1 보호층(12) 위에 제 1 절연층(13)을 형성한다. 제 1 절연층(13)을 형성하기 위해서는, 우선, 제 1 보호층(12) 위에 감광성 수지의 용액(바니시)을 도포하고 건조하여, 감광성 수지의 도막을 형성한다. 다음으로, 감광성 수지의 도막을 노광 및 현상한다. 이에 의해, 제 1 절연층(13)이, 제 1 보호층(12) 위에 형성된다.
다음으로, 도 3D에 나타내는 바와 같이, 제 1 절연층(13) 위에 제 2 보호층(14)을 형성한다. 제 2 보호층(14)은, 예를 들면, 스퍼터링에 의해 형성된다. 제 2 보호층(14)은, 비아 홀(13A)의 내주면에도 형성된다.
다음으로, 도 3E에 나타내는 바와 같이, 제 2 보호층(14) 위에, 전해 도금에 의해, 도체 패턴(15)을 형성한다.
상세하게는, 제 2 보호층(14) 위에, 도금 레지스트를 첩합(貼合)하여, 도체 패턴(15)이 형성되는 부분을 차광한 상태에서, 도금 레지스트를 노광한다.
다음으로, 노광된 도금 레지스트를 현상한다. 그러면, 차광된 부분의 도금 레지스트가 제거되어, 도체 패턴(15)이 형성되는 부분에 제 2 보호층(14)이 노출된다. 한편, 노광된 부분, 즉, 도체 패턴(15)이 형성되지 않는 부분의 도금 레지스트는, 남는다.
다음으로, 노출된 제 2 보호층(14) 위에, 전해 도금에 의해, 도체 패턴(15)을 형성한다. 도체 패턴(15)은, 비아 홀(13A) 내에도 충전된다. 전해 도금이 종료된 후, 도금 레지스트를 박리한다.
다음으로, 도 3F에 나타내는 바와 같이, 도금 레지스트에 의해 덮여 있던 제 2 보호층(14)을, 산성 수용액 또는 알칼리성 수용액으로 에칭하는 것에 의해, 제거한다.
다음으로, 도 3G에 나타내는 바와 같이, 제 1 절연층(13) 및 도체 패턴(15) 위에 제 3 보호층(16)을 형성한다. 제 3 보호층(16)은, 예를 들면, 스퍼터링에 의해 형성된다.
다음으로, 도 2A에 나타내는 바와 같이, 제 1 절연층(13)의 형성과 마찬가지로 하여, 제 1 절연층(13) 및 도체 패턴(15) 위에 제 2 절연층(17)을 형성한다. 한편, 상기한 바와 같이, 제 2 절연층(17)은, 모든 배선(153A, 153B, 153C), 및 그라운드 배선(152D)을 덮고, 단자(151A, 151B, 151C), 그라운드 단자(151D), 및 단자(152A, 152B, 152C)를 덮지 않는다.
다음으로, 도 2B에 나타내는 바와 같이, 제 2 절연층(17)에 덮여 있지 않은 제 3 보호층(16)을, 산성 수용액 또는 알칼리성 수용액으로 에칭하는 것에 의해, 제거한다. 바람직하게는, 제 3 보호층(16)을, 산성 수용액으로 에칭하는 것에 의해, 제거한다. 이에 의해, 단자(151A, 151B, 151C), 그라운드 단자(151D), 및 단자(152A, 152B, 152C)를 덮고 있던 제 3 보호층(16)이 제거된다.
다음으로, 단자(151A, 151B, 151C), 그라운드 단자(151D), 및 단자(152A, 152B, 152C)의 각각의 표면에, 무전해 도금 또는 전해 도금에 의해, 도금층(18)을 형성한다.
3. 작용 효과
(1) 배선 회로 기판(1)에 의하면, 도 2A에 나타내는 바와 같이, 도체 패턴(15)과 제 2 절연층(17) 사이에 배치되는 제 3 보호층(16)이, 금속 산화물로 이루어진다.
그 때문에, 제 3 보호층(16)이 자성을 갖는 금속으로 이루어지는 경우와 비교해서, 도체 패턴(15)의 전송 손실의 저감을 도모할 수 있다.
(2) 배선 회로 기판(1)에 의하면, 도 2A에 나타내는 바와 같이, 제 3 보호층(16)은, 절연체이며, 제 1 절연층(13)과 제 2 절연층(17) 사이에도 배치된다.
제 3 보호층(16)이 반도체 또는 도체인 경우, 배선 패턴(15A, 15B, 15C), 및 그라운드 패턴(15D)의 각각의 단락(短絡)을 방지하기 위해서, 제 1 절연층(13)과 제 2 절연층(17) 사이의 제 3 보호층(16)을 제거할 필요가 있다.
제 1 절연층(13)과 제 2 절연층(17) 사이의 제 3 보호층(16)을 제거하기 위해서는, 제 3 보호층(16)을 형성한 후, 제 2 절연층(17)을 형성하기 전에, 제 1 절연층(13)과 제 2 절연층(17) 사이의 제 3 보호층(16)을 제거하는 공정이 필요하다.
이 점에서, 제 3 보호층(16)이 절연체이면, 제 1 절연층(13)과 제 2 절연층(17) 사이의 제 3 보호층(16)을 제거할 필요가 없어, 제조 공정의 간략화를 도모할 수 있다.
4. 변형예
다음으로, 변형예에 대하여 설명한다. 변형예에 있어서, 상기한 실시형태와 마찬가지의 부재에는 동일한 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.
(1) 도 4에 나타내는 바와 같이, 제 2 보호층(14)도 금속 산화물로 형성해도 된다.
(2) 제 3 보호층(16)은, 반도체 또는 도체여도 된다. 제 3 보호층(16)이 반도체 또는 도체인 경우, 제 3 보호층(16)은, 제 1 절연층(13)과 제 2 절연층(17) 사이에는 배치되지 않는다. 반도체 또는 도체로서, 예를 들면, 알루미나 도핑 산화 아연을 들 수 있다.
알루미나 도핑 산화 아연은, 산화 알루미늄을, 예를 들면, 1질량% 이상, 바람직하게는, 2질량% 이상, 예를 들면, 10질량% 이하, 바람직하게는, 5질량% 이하, 함유한다.
알루미나 도핑 산화 아연은, 이산화 규소를, 예를 들면, 10질량% 이상, 바람직하게는, 15질량% 이상, 예를 들면, 30질량% 이하, 바람직하게는, 25질량% 이하, 함유한다.
알루미나 도핑 산화 아연은, 산화 아연을, 예를 들면, 40질량% 이상, 바람직하게는, 60질량% 이상, 예를 들면, 90질량% 이하, 바람직하게는, 80질량% 이하, 함유한다.
실시예
다음으로, 본 발명을, 실시예 및 비교예에 기초하여 설명한다. 본 발명은, 하기의 실시예에 의해 한정되지 않는다. 또한, 이하의 기재에 있어서 이용되는 물성치, 파라미터 등의 구체적 수치는, 상기의 「발명을 실시하기 위한 구체적인 내용」에 있어서 기재되어 있는, 그들에 대응하는, 물성치, 파라미터 등의 상한치(「이하」로서 정의되어 있는 수치) 또는 하한치(「이상」으로서 정의되어 있는 수치)로 대체할 수 있다.
(1) 배선 회로 기판의 제조
(1-1) 실시예
우선, 구리박의 롤로부터 인출된 지지층(두께 100μm)에, 스퍼터링에 의해, 크로뮴으로 이루어지는 제 1 보호층(두께 20nm)을 형성했다(도 3B 참조).
다음으로, 제 1 보호층 위에 감광성 폴리아믹산(감광성 수지)의 용액(바니시)을 도포하고 건조하여, 감광성 폴리아믹산의 도막을 형성했다.
다음으로, 감광성 폴리아믹산의 도막을 노광 및 현상하여, 폴리이미드로 이루어지는 제 1 절연층(두께 12μm)을, 제 1 보호층 위에 형성했다(도 3C 참조).
다음으로, 스퍼터링에 의해, 제 1 절연층 위에, 크로뮴으로 이루어지는 제 2 보호층(두께 20nm)을 형성했다(도 3D 참조).
다음으로, 제 2 보호층 위에 도금 레지스트를 첩합하여, 도체 패턴이 형성되는 부분을 차광한 상태에서, 도금 레지스트를 노광했다.
다음으로, 노광된 도금 레지스트를 현상했다. 그러면, 차광된 부분의 도금 레지스트가 제거되어, 도체 패턴이 형성되는 부분에 제 2 보호층이 노출되었다. 한편, 노광된 부분, 즉, 도체 패턴이 형성되지 않는 부분의 도금 레지스트는, 남았다.
다음으로, 노출된 제 2 보호층 위에, 전해 도금에 의해, 구리로 이루어지는 도체 패턴(12μm)을 형성했다. 전해 도금이 종료된 후, 도금 레지스트를 박리했다(도 3E 참조).
다음으로, 도금 레지스트에 의해 덮여 있던 제 2 보호층을, 산성 수용액으로 에칭하는 것에 의해, 제거했다(도 3F 참조).
다음으로, 제 1 절연층 및 도체 패턴 위에, 스퍼터링에 의해, 산화 알루미늄으로 이루어지는 제 3 보호층(두께 10nm)을 형성했다.
다음으로, 제 1 절연층의 형성과 마찬가지로 하여, 제 1 절연층 및 도체 패턴 위에, 배선을 덮고, 단자를 노출시키도록, 폴리이미드로 이루어지는 제 2 절연층(두께 5μm)을 형성했다(도 1 및 도 2A 참조).
다음으로, 제 2 절연층에 덮여 있지 않은 제 3 보호층을, 산성 수용액으로 에칭하는 것에 의해, 제거했다. 이에 의해, 단자를 덮고 있던 제 3 보호층이 제거되었다.
다음으로, 단자의 표면에, 무전해 도금에 의해, 니켈로 이루어지는 제 1 도금층(두께 200nm), 및 금으로 이루어지는 제 2 도금층(두께 100nm)을 형성했다(도 2B 참조).
이상의 공정에 의해, 배선 회로 기판을 제조했다.
(1-2) 비교예
산화 알루미늄으로 이루어지는 제 3 보호층 대신에, 무전해 도금에 의해, 니켈로 이루어지는 제 3 보호층(두께 20nm)을 형성하고, 배선간 및 단자간의 제 3 보호층을 에칭에 의해 제거한 것 이외에는, 실시예와 마찬가지로 하여, 배선 회로 기판을 제조했다.
(2) 전송 손실의 측정
실시예 및 비교예의 배선 회로 기판의 전송 손실을, PNA 네트워크 애널라이저(애질런트 테크놀로지사제)를 이용하여 측정했다. 결과를 도 5에 나타낸다. 실시예 쪽이 비교예보다도 전송 손실을 저감할 수 있다는 것을 알 수 있다.
한편, 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석해서는 안 된다. 당해 기술 분야의 당업자에게 분명한 본 발명의 변형예는, 후기 청구의 범위에 포함된다.
본 발명의 배선 회로 기판은, 예를 들면, 전자 부품끼리의 전기적인 접속에 이용된다.
1: 배선 회로 기판
13: 제 1 절연층
15: 도체 패턴
16: 제 3 보호층
17: 제 2 절연층
13: 제 1 절연층
15: 도체 패턴
16: 제 3 보호층
17: 제 2 절연층
Claims (4)
- 제 1 절연층과,
상기 제 1 절연층 위에 배치되는 도체 패턴과,
상기 제 1 절연층 위에 배치되어, 상기 도체 패턴을 덮는 제 2 절연층과,
상기 도체 패턴과 상기 제 2 절연층 사이에 배치되어, 상기 도체 패턴을 보호하는 보호층
을 구비하고,
상기 보호층은, 금속 산화물로 이루어지는, 배선 회로 기판. - 제 1 항에 있어서,
상기 보호층은, 절연체이며, 상기 제 1 절연층과 상기 제 2 절연층 사이에도 배치되는, 배선 회로 기판. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 보호층은, 알루미늄을 함유하는, 배선 회로 기판. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 보호층은, 산화 알루미늄을 함유하는, 배선 회로 기판.
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