JPH08204312A - チップオンボード基板の製造方法 - Google Patents
チップオンボード基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH08204312A JPH08204312A JP1357495A JP1357495A JPH08204312A JP H08204312 A JPH08204312 A JP H08204312A JP 1357495 A JP1357495 A JP 1357495A JP 1357495 A JP1357495 A JP 1357495A JP H08204312 A JPH08204312 A JP H08204312A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- plating
- chip
- pattern forming
- plating resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチングの際に発生するオーバーハングを
防止して、電気的信頼性に優れるチップオンボード基板
の製造方法を提供する。 【構成】 基板１の表面に形成された導体層２の表面
に、最上層に金メッキ層４ａを有したメッキ層４を形成
し、所定の導体回路６を形成する半導体チップを直接搭
載するためのチップオンボード基板の製造方法におい
て、パターン形成部３ａにメッキ層４を形成した後に、
メッキレジスト３を剥離し、次いで、前記メッキ層４を
含んだ導体層２の表面に、前記メッキレジスト３のパタ
ーン形成部３ａより広く、かつ包囲する第２のパターン
形成部３ｂを備えた第２のメッキレジスト３を形成し
て、前記第２のパターン形成部３ｂにメッキ層４と導体
層２とを覆う、メッキ層４とは異なる種類の金属層５を
形成した後に、第２のメッキレジスト３を剥離し、次い
で、エッチングを行った後、前記金属層５剥離する。
防止して、電気的信頼性に優れるチップオンボード基板
の製造方法を提供する。 【構成】 基板１の表面に形成された導体層２の表面
に、最上層に金メッキ層４ａを有したメッキ層４を形成
し、所定の導体回路６を形成する半導体チップを直接搭
載するためのチップオンボード基板の製造方法におい
て、パターン形成部３ａにメッキ層４を形成した後に、
メッキレジスト３を剥離し、次いで、前記メッキ層４を
含んだ導体層２の表面に、前記メッキレジスト３のパタ
ーン形成部３ａより広く、かつ包囲する第２のパターン
形成部３ｂを備えた第２のメッキレジスト３を形成し
て、前記第２のパターン形成部３ｂにメッキ層４と導体
層２とを覆う、メッキ層４とは異なる種類の金属層５を
形成した後に、第２のメッキレジスト３を剥離し、次い
で、エッチングを行った後、前記金属層５剥離する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップオンボード（Ｃ
ＯＢ）基板の製造方法に関する。
ＯＢ）基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、軽量化、高密
度実装化の傾向がめざましく、それに伴い、チップオン
ボード（ＣＯＢ）基板で、精度良く導体回路を形成する
製造方法が望まれており、例えば、サブトラクティブ法
のパターンメッキ法等により、導体回路が形成されてい
る。この前記チップオンボード基板の一例を、サブトラ
クティブ法のパターンメッキ法により形成されるプロセ
スを、図２に基づいて説明する。図２（ａ）に示すによ
うに、例えば、熱硬化性樹脂基板、熱可塑性樹脂基板、
セラミック基板等の基板１０の全面上に無電解銅メッキ
及び電解銅メッキ等により、銅層等の導体層２０を形成
する。次に、図２（ｂ）に示すように、導体回路層６０
が形成される部分のみが露出するように、パターン形成
部３０ａを備えたメッキレジスト３０でマスクする。そ
の後、電気メッキで図２（ｃ）に示すように、最上層に
金メッキ層４０ａを有するメッキ層４０を形成する。電
気メッキ終了後、図２（ｄ）に示すように、メッキレジ
スト３０を剥離し、図２（ｅ）に示すように、露出した
銅層等の導体層２０をエッチングにより除去することに
より、導体層２０とメッキ層４０とからなる導体回路層
６０が形成される。
度実装化の傾向がめざましく、それに伴い、チップオン
ボード（ＣＯＢ）基板で、精度良く導体回路を形成する
製造方法が望まれており、例えば、サブトラクティブ法
のパターンメッキ法等により、導体回路が形成されてい
る。この前記チップオンボード基板の一例を、サブトラ
クティブ法のパターンメッキ法により形成されるプロセ
スを、図２に基づいて説明する。図２（ａ）に示すによ
うに、例えば、熱硬化性樹脂基板、熱可塑性樹脂基板、
セラミック基板等の基板１０の全面上に無電解銅メッキ
及び電解銅メッキ等により、銅層等の導体層２０を形成
する。次に、図２（ｂ）に示すように、導体回路層６０
が形成される部分のみが露出するように、パターン形成
部３０ａを備えたメッキレジスト３０でマスクする。そ
の後、電気メッキで図２（ｃ）に示すように、最上層に
金メッキ層４０ａを有するメッキ層４０を形成する。電
気メッキ終了後、図２（ｄ）に示すように、メッキレジ
スト３０を剥離し、図２（ｅ）に示すように、露出した
銅層等の導体層２０をエッチングにより除去することに
より、導体層２０とメッキ層４０とからなる導体回路層
６０が形成される。
【０００３】ところが、前記のようなパターンメッキ法
では、図２（ｅ）に示すように、導体層２０の側縁部が
エッチングされて、導体層２０の両側方にメッキ層４０
が張り出す、いわゆる、オーバーハング４０ｈが形成さ
れる。このオーバーハング４０ｈに機械的な力が作用す
ると、導体層２０の側縁に沿って剪断され易く、この剪
断されたオーバーハング４０ｈによって隣接するパター
ン同志が短絡し、電気的信頼性が低くなるという問題が
あった。
では、図２（ｅ）に示すように、導体層２０の側縁部が
エッチングされて、導体層２０の両側方にメッキ層４０
が張り出す、いわゆる、オーバーハング４０ｈが形成さ
れる。このオーバーハング４０ｈに機械的な力が作用す
ると、導体層２０の側縁に沿って剪断され易く、この剪
断されたオーバーハング４０ｈによって隣接するパター
ン同志が短絡し、電気的信頼性が低くなるという問題が
あった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の事実
に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、エ
ッチングの際に発生するオーバーハングを防止して、電
気的信頼性に優れるチップオンボード基板の製造方法を
提供することにある。
に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、エ
ッチングの際に発生するオーバーハングを防止して、電
気的信頼性に優れるチップオンボード基板の製造方法を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
チップオンボード基板の製造方法は、基板１の表面に形
成された導体層２の表面にメッキレジスト３を形成し、
このメッキレジスト３のパターン形成部３ａに最上層に
金メッキ層４ａを有したメッキ層４を形成し、次いで、
前記メッキレジスト３を剥離後、エッチングにより、所
定の導体回路６を形成する半導体チップを直接搭載する
ためのチップオンボード基板の製造方法において、前記
パターン形成部３ａにメッキ層４を形成した後に、メッ
キレジスト３を剥離し、次いで、前記メッキ層４を含ん
だ導体層２の表面に、前記メッキレジスト３のパターン
形成部３ａより広く、かつ包囲する第２のパターン形成
部３ｂを備えた第２のメッキレジスト３を形成して、前
記第２のパターン形成部３ｂにメッキ層４と導体層２と
を覆う、メッキ層４とは異なる種類の金属層５を形成し
た後に、第２のメッキレジスト３を剥離し、次いで、エ
ッチングを行った後、前記金属層５剥離することを特徴
とする。
チップオンボード基板の製造方法は、基板１の表面に形
成された導体層２の表面にメッキレジスト３を形成し、
このメッキレジスト３のパターン形成部３ａに最上層に
金メッキ層４ａを有したメッキ層４を形成し、次いで、
前記メッキレジスト３を剥離後、エッチングにより、所
定の導体回路６を形成する半導体チップを直接搭載する
ためのチップオンボード基板の製造方法において、前記
パターン形成部３ａにメッキ層４を形成した後に、メッ
キレジスト３を剥離し、次いで、前記メッキ層４を含ん
だ導体層２の表面に、前記メッキレジスト３のパターン
形成部３ａより広く、かつ包囲する第２のパターン形成
部３ｂを備えた第２のメッキレジスト３を形成して、前
記第２のパターン形成部３ｂにメッキ層４と導体層２と
を覆う、メッキ層４とは異なる種類の金属層５を形成し
た後に、第２のメッキレジスト３を剥離し、次いで、エ
ッチングを行った後、前記金属層５剥離することを特徴
とする。
【０００６】本発明の請求項２に係るチップオンボード
基板の製造方法は、前記メッキ層４の端面４ｓと、この
端面４ｓと対向する第２のメッキレジスト３の端面３ｓ
との距離が導体層２の厚みの２／３以上であることを特
徴とする。
基板の製造方法は、前記メッキ層４の端面４ｓと、この
端面４ｓと対向する第２のメッキレジスト３の端面３ｓ
との距離が導体層２の厚みの２／３以上であることを特
徴とする。
【０００７】本発明の請求項３に係るチップオンボード
基板の製造方法は、前記金属層５が半田メッキであるこ
とを特徴とする。
基板の製造方法は、前記金属層５が半田メッキであるこ
とを特徴とする。
【０００８】本発明の請求項４に係るチップオンボード
基板の製造方法は、前記メッキレジスト３がドライフィ
ルムであることを特徴とする。
基板の製造方法は、前記メッキレジスト３がドライフィ
ルムであることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明の請求項１乃至請求項４に係るチップオ
ンボード基板の製造方法では、ドライフィルム等のメッ
キレジスト３のパターン形成部３ａに最上層に金メッキ
層４ａを有したメッキ層４を形成した後に、メッキレジ
スト３を剥離し、次いで、前記メッキ層４を含んだ銅層
等の導体層２の表面に、前記メッキ層４の端面４ｓと、
この端面４ｓと対向するドライフィルム等の第２のメッ
キレジスト３の端面３ｓとの距離が、前記メッキレジス
ト３のパターン形成部３ａより広く、かつ包囲する第２
のパターン形成部３ｂを備えた第２のメッキレジスト３
を形成して、前記第２のパターン形成部３ｂにメッキ層
４と導体層２とを覆う、メッキ層４とは異なる種類の半
田メッキ等の金属層５を形成した後に、第２のメッキレ
ジスト３を剥離し、次いで、エッチングを行った後、前
記金属層５剥離するので、金属層５がメッキ層４の両端
の外側まで覆っているため、導体層２の側縁部がエッチ
ングされて、導体層２の両側方に金属層５が張り出す、
いわゆる、オーバーハングが形成されるが、メッキ層４
がオーバーハングになるまでには至り難い。
ンボード基板の製造方法では、ドライフィルム等のメッ
キレジスト３のパターン形成部３ａに最上層に金メッキ
層４ａを有したメッキ層４を形成した後に、メッキレジ
スト３を剥離し、次いで、前記メッキ層４を含んだ銅層
等の導体層２の表面に、前記メッキ層４の端面４ｓと、
この端面４ｓと対向するドライフィルム等の第２のメッ
キレジスト３の端面３ｓとの距離が、前記メッキレジス
ト３のパターン形成部３ａより広く、かつ包囲する第２
のパターン形成部３ｂを備えた第２のメッキレジスト３
を形成して、前記第２のパターン形成部３ｂにメッキ層
４と導体層２とを覆う、メッキ層４とは異なる種類の半
田メッキ等の金属層５を形成した後に、第２のメッキレ
ジスト３を剥離し、次いで、エッチングを行った後、前
記金属層５剥離するので、金属層５がメッキ層４の両端
の外側まで覆っているため、導体層２の側縁部がエッチ
ングされて、導体層２の両側方に金属層５が張り出す、
いわゆる、オーバーハングが形成されるが、メッキ層４
がオーバーハングになるまでには至り難い。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を実施例によって、具体的に説
明する。
明する。
【００１１】本発明で用いる図１に示す基板１として
は、例えば、アルミナ系基板、窒化アルミニウム系基
板、炭化ケイ素系基板若しくはガラス系基板等のセラミ
ック基板、熱硬化性樹脂基板又は熱可塑性樹脂基板等が
用いられるが、限定されるものではない。図１（ａ）に
示すにように、例えば、セラミック基板等の基板１の全
面上に無電解銅メッキ及び電気銅メッキ等により、銅層
等の導体層２を形成する。次に、図１（ｂ）に示すよう
に、導体回路層６が形成される部分のみが露出するよう
に、パターン形成部３ａを備えたメッキレジスト３でマ
スクする。その後、電気メッキで図１（ｃ）に示すよう
に、最上層に金メッキ層４ａを有したメッキ層４を形成
する。金メッキ層４ａの下地として例えば、ニッケルメ
ッキ層を形成してもよい。電気メッキ終了後、図１
（ｄ）に示すように、メッキレジスト３を剥離する。次
いで、図１（ｅ）に示すように、前記メッキ層４を含ん
だ導体層２の表面に、メッキレジスト３のパターン形成
部３ａより広く、かつ包囲する第２のパターン形成部３
ｂを備えた第２のメッキレジスト３を形成する。メッキ
層４の端面４ｓと、この端面４ｓと対向する第２のメッ
キレジスト３の端面３ｓとの距離が導体層２の厚みの２
／３以上であることが好ましい。図１（ｆ）に示すよう
に、前記第２のパターン形成部３ｂにメッキ層４と導体
層２とを覆うメッキ層４とは異なる種類の、例えば、半
田メッキ等の金属層５を形成する。この金属層５は、メ
ッキ層４の両端から、それぞれ、導体層２の厚みの２／
３以上外側まで覆っているのが好ましい。図１（ｇ）に
示すように、第２のメッキレジスト３を剥離し、次い
で、図１（ｈ）に示すように、導体層２をエッチングす
る。金属層５がメッキ層４の両端の外側まで覆っている
ため、導体層２の側縁部がエッチングされて、導体層２
の両側方に金属層５が張り出す、いわゆる、オーバーハ
ングが形成されるが、メッキ層４の両端は、金属層５の
両端の内側に位置するので、メッキ層４がオーバーハン
グになるまでには至り難い。すなわち、エッチングを行
った後、図１（ｉ）に示すように、半田メッキ等の金属
層５を剥離して、エッチングの際に発生するオーバーハ
ングを防止した、電気的信頼性に優れるチップオンボー
ド基板が得られる。
は、例えば、アルミナ系基板、窒化アルミニウム系基
板、炭化ケイ素系基板若しくはガラス系基板等のセラミ
ック基板、熱硬化性樹脂基板又は熱可塑性樹脂基板等が
用いられるが、限定されるものではない。図１（ａ）に
示すにように、例えば、セラミック基板等の基板１の全
面上に無電解銅メッキ及び電気銅メッキ等により、銅層
等の導体層２を形成する。次に、図１（ｂ）に示すよう
に、導体回路層６が形成される部分のみが露出するよう
に、パターン形成部３ａを備えたメッキレジスト３でマ
スクする。その後、電気メッキで図１（ｃ）に示すよう
に、最上層に金メッキ層４ａを有したメッキ層４を形成
する。金メッキ層４ａの下地として例えば、ニッケルメ
ッキ層を形成してもよい。電気メッキ終了後、図１
（ｄ）に示すように、メッキレジスト３を剥離する。次
いで、図１（ｅ）に示すように、前記メッキ層４を含ん
だ導体層２の表面に、メッキレジスト３のパターン形成
部３ａより広く、かつ包囲する第２のパターン形成部３
ｂを備えた第２のメッキレジスト３を形成する。メッキ
層４の端面４ｓと、この端面４ｓと対向する第２のメッ
キレジスト３の端面３ｓとの距離が導体層２の厚みの２
／３以上であることが好ましい。図１（ｆ）に示すよう
に、前記第２のパターン形成部３ｂにメッキ層４と導体
層２とを覆うメッキ層４とは異なる種類の、例えば、半
田メッキ等の金属層５を形成する。この金属層５は、メ
ッキ層４の両端から、それぞれ、導体層２の厚みの２／
３以上外側まで覆っているのが好ましい。図１（ｇ）に
示すように、第２のメッキレジスト３を剥離し、次い
で、図１（ｈ）に示すように、導体層２をエッチングす
る。金属層５がメッキ層４の両端の外側まで覆っている
ため、導体層２の側縁部がエッチングされて、導体層２
の両側方に金属層５が張り出す、いわゆる、オーバーハ
ングが形成されるが、メッキ層４の両端は、金属層５の
両端の内側に位置するので、メッキ層４がオーバーハン
グになるまでには至り難い。すなわち、エッチングを行
った後、図１（ｉ）に示すように、半田メッキ等の金属
層５を剥離して、エッチングの際に発生するオーバーハ
ングを防止した、電気的信頼性に優れるチップオンボー
ド基板が得られる。
【００１２】
【発明の効果】本発明の請求項１乃至請求項４に係るチ
ップオンボード基板の製造方法によると、メッキ層とは
異なる種類の半田メッキ等の金属層を形成した後に、第
２のメッキレジストを剥離し、次いで、エッチングを行
った後、前記金属層剥離するので、金属層がメッキ層の
両端の外側まで覆っているため、導体層の側縁部がエッ
チングされて、導体層の両側方に金属層が張り出す、い
わゆる、オーバーハングが形成されるが、メッキ層がオ
ーバーハングになるまでには至り難いので、金属層を剥
離することにより、エッチングの際に発生するオーバー
ハングを防止した、電気的信頼性に優れるチップオンボ
ード基板が得られる。
ップオンボード基板の製造方法によると、メッキ層とは
異なる種類の半田メッキ等の金属層を形成した後に、第
２のメッキレジストを剥離し、次いで、エッチングを行
った後、前記金属層剥離するので、金属層がメッキ層の
両端の外側まで覆っているため、導体層の側縁部がエッ
チングされて、導体層の両側方に金属層が張り出す、い
わゆる、オーバーハングが形成されるが、メッキ層がオ
ーバーハングになるまでには至り難いので、金属層を剥
離することにより、エッチングの際に発生するオーバー
ハングを防止した、電気的信頼性に優れるチップオンボ
ード基板が得られる。
【図１】本発明の実施例に係るセラミックプリント配線
板の製造方法の説明断面図である。
板の製造方法の説明断面図である。
【図２】従来例に係るセラミックプリント配線板の製造
方法の説明断面図である。
方法の説明断面図である。
１ 基板 ２ 導体層 ３ メッキレジスト ３ａ パターン形成部 ３ｂ 第２のパターン形成部 ３ｓ メッキレジストの端面 ４ メッキ層 ４ａ 金メッキ層 ４ｓ メッキ層の端面 ５ 金属層 ６ 導体回路
Claims (4)
- 【請求項１】 基板（１）の表面に形成された導体層
（２）の表面にメッキレジスト（３）を形成し、このメ
ッキレジスト（３）のパターン形成部（３ａ）に最上層
に金メッキ層（４ａ）を有したメッキ層（４）を形成
し、次いで、前記メッキレジスト（３）を剥離後、エッ
チングにより、所定の導体回路（６）を形成する半導体
チップを直接搭載するためのチップオンボード基板の製
造方法において、前記パターン形成部（３ａ）にメッキ
層（４）を形成した後に、メッキレジスト（３）を剥離
し、次いで、前記メッキ層（４）を含んだ導体層（２）
の表面に、前記メッキレジスト（３）のパターン形成部
（３ａ）より広く、かつ包囲する第２のパターン形成部
（３ｂ）を備えた第２のメッキレジスト（３）を形成し
て、前記第２のパターン形成部（３ｂ）にメッキ層
（４）と導体層（２）とを覆う、メッキ層（４）とは異
なる種類の金属層（５）を形成した後に、第２のメッキ
レジスト（３）を剥離し、次いで、エッチングを行った
後、前記金属層（５）剥離することを特徴とするチップ
オンボード基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記メッキ層（４）の端面（４ｓ）と、
この端面（４ｓ）と対向する第２のメッキレジスト
（３）の端面（３ｓ）との距離が導体層（２）の厚みの
２／３以上であることを特徴とする請求項１記載のチッ
プオンボード基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記金属層（５）が半田メッキであるこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２記載のチップオン
ボード基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記メッキレジスト（３）がドライフィ
ルムであることを特徴とする請求項１乃至請求項３記載
のチップオンボード基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1357495A JPH08204312A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | チップオンボード基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1357495A JPH08204312A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | チップオンボード基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08204312A true JPH08204312A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11836947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1357495A Withdrawn JPH08204312A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | チップオンボード基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08204312A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100688699B1 (ko) * | 2005-12-26 | 2007-03-02 | 삼성전기주식회사 | 파인 피치 본딩 패드를 구비한 인쇄회로기판의 제조 방법 |
| JP2007150059A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Toppan Printing Co Ltd | 回路基板の製造方法 |
| JP2009060072A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Top Engineering Co Ltd | 薄膜金属導電線、およびその製造方法 |
| KR100905306B1 (ko) * | 2007-12-18 | 2009-07-02 | 성균관대학교산학협력단 | 양극산화를 이용한 칩온글라스기판의 제조방법 |
| JP2020072166A (ja) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | 京セラ株式会社 | 印刷配線板および印刷配線板の製造方法 |
| CN114883252A (zh) * | 2022-05-26 | 2022-08-09 | 业成科技（成都）有限公司 | 基板电镀方法、基板、显示面板、显示装置及电子设备 |
-
1995
- 1995-01-31 JP JP1357495A patent/JPH08204312A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007150059A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Toppan Printing Co Ltd | 回路基板の製造方法 |
| JP4730072B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2011-07-20 | 凸版印刷株式会社 | 回路基板の製造方法 |
| KR100688699B1 (ko) * | 2005-12-26 | 2007-03-02 | 삼성전기주식회사 | 파인 피치 본딩 패드를 구비한 인쇄회로기판의 제조 방법 |
| JP2009060072A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Top Engineering Co Ltd | 薄膜金属導電線、およびその製造方法 |
| KR100905306B1 (ko) * | 2007-12-18 | 2009-07-02 | 성균관대학교산학협력단 | 양극산화를 이용한 칩온글라스기판의 제조방법 |
| JP2020072166A (ja) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | 京セラ株式会社 | 印刷配線板および印刷配線板の製造方法 |
| CN114883252A (zh) * | 2022-05-26 | 2022-08-09 | 业成科技（成都）有限公司 | 基板电镀方法、基板、显示面板、显示装置及电子设备 |
| CN114883252B (zh) * | 2022-05-26 | 2024-02-23 | 业成光电（深圳）有限公司 | 基板电镀方法、基板、显示面板、显示装置及电子设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5369881A (en) | Method of forming circuit wiring pattern | |
| US7208349B2 (en) | Package substrate manufactured using electrolytic leadless plating process, and method for manufacturing the same | |
| KR100499003B1 (ko) | 도금 인입선을 사용하지 않는 패키지 기판 및 그 제조 방법 | |
| US6569712B2 (en) | Structure of a ball-grid array package substrate and processes for producing thereof | |
| US10134666B2 (en) | Package substrate, method for fabricating the same, and package device including the package substrate | |
| US5985521A (en) | Method for forming electrically conductive layers on chip carrier substrates having through holes or via holes | |
| KR100674458B1 (ko) | 프린트 기판 제조 방법 및 프린트 기판 | |
| US5665525A (en) | Method for producing printed circuit boards | |
| KR20080066773A (ko) | 파인 피치 상호접속부 및 그 제조 방법 | |
| TW201703598A (zh) | 電路板及其製作方法 | |
| JPH08204312A (ja) | チップオンボード基板の製造方法 | |
| JPH05183259A (ja) | 高密度プリント配線板の製造方法 | |
| US20050140019A1 (en) | Semiconductor multilayer wiring substrate of coaxial wiring structure and method of fabricating the same | |
| JPH05327211A (ja) | 多層フレキシブルプリント基板およびその製法 | |
| US6740222B2 (en) | Method of manufacturing a printed wiring board having a discontinuous plating layer | |
| JP4203425B2 (ja) | 両面型回路配線基板の製造方法 | |
| US20030164303A1 (en) | Method of metal electro-plating for IC package substrate | |
| JP3914458B2 (ja) | 放熱板を有する回路基板の製造法 | |
| KR20040076165A (ko) | 도금 인입선을 사용하지 않는 패키지 기판 및 그 제조 방법 | |
| JP2001358257A (ja) | 半導体装置用基板の製造方法 | |
| US7807034B2 (en) | Manufacturing method of non-etched circuit board | |
| US6360434B1 (en) | Circuit fabrication | |
| JP3958639B2 (ja) | 可撓性回路基板及びその製造法 | |
| JPH1093213A (ja) | 回路基板、回路装置および装置 | |
| EP1122782A2 (en) | Etched tri-layer metal with integrated wire traces for wire bonding |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020402 |