CN114883252B - 基板电镀方法、基板、显示面板、显示装置及电子设备 - Google Patents
基板电镀方法、基板、显示面板、显示装置及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114883252B CN114883252B CN202210581714.0A CN202210581714A CN114883252B CN 114883252 B CN114883252 B CN 114883252B CN 202210581714 A CN202210581714 A CN 202210581714A CN 114883252 B CN114883252 B CN 114883252B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- pattern
- layer
- sacrificial
- electroplating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 178
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 153
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 52
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 48
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 35
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 23
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- 229910002065 alloy metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 6
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 3
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 12
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 230000003211 malignant effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 1
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N molybdenum niobium Chemical compound [Nb].[Mo] DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- BSIDXUHWUKTRQL-UHFFFAOYSA-N nickel palladium Chemical compound [Ni].[Pd] BSIDXUHWUKTRQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N tin zinc Chemical compound [Zn].[Sn] GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001174 tin-lead alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76871—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
- H01L21/76873—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers for electroplating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
本申请涉及显示技术领域，本申请实施例提供了基板电镀方法、基板、显示面板、显示装置及电子设备。在对基板电镀前，通过利用基板的第一表面上的线路图案作为遮挡，在背离第一表面的一侧进行曝光处理，使得仅可以针对覆盖第一表面的第一牺牲图案进行曝光，便于在后续移除覆盖待电镀图案的第二牺牲图案时，保留第一牺牲图案。从而在对线路图案进行电镀处理时，第一牺牲图案和第三牺牲图案可以共同起到阻挡作用，避免相邻的焊点之间形成桥接。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种基板电镀方法、基板、显示面板、显示装置及电子设备。
背景技术
通常会对基板上作为焊点的部分进行电镀处理，以防止基板上的线路氧化。在此过程中，若相邻的焊点之间的距离过小，容易在相邻的焊点之间形成桥接。
发明内容
基于此，有必要提供一种基板电镀方法、基板、显示面板、显示装置及电子设备，以避免相邻的焊点之间形成桥接。
根据本申请的一个方面，本申请实施例提供了一种基板电镀方法，包括：
在基板上设有线路图案的第一表面和所述线路图案背离所述基板的一侧形成光阻层；所述基板为透明基板，所述线路图案包括待电镀图案和非电镀图案，所述光阻层包括覆盖所述第一表面的第一牺牲图案、覆盖所述待电镀图案的第二牺牲图案和覆盖所述非电镀图案的第三牺牲图案；
利用所述线路图案作为遮挡，在背离所述第一表面的一侧对所述第一牺牲图案进行曝光处理；
移除所述第二牺牲图案，以暴露所述待电镀图案；
利用所述第一牺牲图案和所述第三牺牲图案作为挡墙，通过电镀工艺对所述基板进行处理，以在暴露的所述待电镀图案上形成电镀层。
在其中一个实施例中，所述移除所述第二牺牲图案，以暴露所述待电镀图案之前，还包括：
通过曝光工艺对所述第三牺牲图案进行处理。
在其中一个实施例中，所述移除所述第二牺牲图案，以暴露所述待电镀图案具体包括：
通过显影工艺对所述光阻层进行处理，以移除所述第二牺牲图案而暴露所述待电镀图案。
在其中一个实施例中，所述移除所述第二牺牲图案，以暴露所述待电镀图案具体包括：
通过曝光工艺对所述第三牺牲图案进行处理；
通过显影工艺对所述光阻层进行处理，以移除所述第二牺牲图案而暴露所述待电镀图案。
在其中一个实施例中，所述电镀层包括接合层。
在其中一个实施例中，所述电镀层还包括位于所述待电镀图案和所述接合层之间的金属保护层。
在其中一个实施例中，所述接合层的厚度为0.001微米至5微米；和/或
所述接合层为抗氧化金属层或合金金属层；和/或
所述金属保护层的厚度为0.01微米至2微米；和/或
所述金属保护层在所述第一表面上的正投影，在与所述接合层在所述第一表面上的正投影重合。
在其中一个实施例中，所述在基板上设有线路图案的第一表面和所述线路图案背离所述基板的一侧形成光阻层之前，还包括：
通过电镀工艺对设于所述第一表面的线路图案进行处理，以形成包覆所述线路图案的金属保护层。
在其中一个实施例中，所述电镀层包括覆设于所述金属保护层上的接合层。在其中一个实施例中，所述接合层的厚度为0.001微米至5微米；和/或
所述接合层为抗氧化金属层或合金金属层；和/或
所述金属保护层的厚度为0.01微米至2微米；和/或
所述金属保护层在所述第一表面上的正投影，覆盖与所述接合层在所述第一表面上的正投影。
在其中一个实施例中，所述在基板上设有线路图案的第一表面和所述线路图案背离所述基板的一侧形成光阻层之前，还包括：
在所述第一表面的预设区域形成接著层；所述预设区域为设置所述线路图案的区域；
在所述接著层上形成所述线路图案。
在其中一个实施例中，所述接著层为金属层、合金金属层、金属氧化物层、非金属氧化物层中的一种；和/或
所述接著层的厚度为10纳米至1000纳米。
在其中一个实施例中，所述利用所述第一牺牲图案和所述第三牺牲图案作为挡墙，通过电镀工艺对所述基板进行处理，以在暴露的所述待电镀图案上形成电镀层之后，还包括：
移除所述挡墙。
在其中一个实施例中，所述基板的材料包括热塑性聚酯、聚乙烯、聚酰亚胺、环烯烃聚合物中至少一种；和/或
所述基板的厚度为15微米至100微米；和/或
所述基板的穿透率大于85％；和/或
所述基板的雾度小于5。
在其中一个实施例中，所述线路图案的厚度为1微米至20微米。
在其中一个实施例中，所述光阻层包括干膜或者光刻胶薄膜中的一种。
根据本申请的另一个方面，本申请实施例提供了一种基板，所述基板采用上述所述的方法制作得到。
根据本申请的又一个方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括上述所述的基板。
根据本申请的再一个方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括上述所述的显示面板。
根据本申请的还一个方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括上述所述的显示装置。
上述基板电镀方法、基板、显示面板、显示装置及电子设备中，在对基板电镀前，通过利用基板的第一表面上的线路图案作为遮挡，在背离第一表面的一侧进行曝光处理，使得仅可以针对覆盖第一表面的第一牺牲图案进行曝光，便于在后续移除覆盖待电镀图案的第二牺牲图案时，保留第一牺牲图案。从而在对线路图案进行电镀处理时，第一牺牲图案和第三牺牲图案可以共同起到阻挡作用，避免相邻的焊点之间形成桥接。
本申请实施例的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请实施例的实践了解到。
附图说明
图1为相关技术一实施例中基板在电镀前的局部放大结构示意图；
图2为相关技术一实施例中基板在电镀后的局部放大结构示意图；
图3为图2中桥接处的局部放大结构示意图；
图4为本申请实施例的一种实施方式中基板电镀方法的流程示意图；
图5为本申请实施例的一种实施方式中基板电镀方法中基板处于第一中间态的结构示意图；
图6为本申请实施例的一种实施方式中基板电镀方法中基板处于第二中间态的结构示意图；
图7为本申请实施例的一种实施方式中基板电镀方法中基板处于第三中间态的结构示意图；
图8为本申请实施例的一种实施方式中基板处于第一状态下的结构示意图；
图9为本申请实施例的一种实施方式中基板处于第二状态下的结构示意图；
图10为本申请实施例的一种实施方式中基板处于第三状态下的结构示意图；
图11为本申请实施例的一种实施方式中基板处于第四状态下的结构示意图；
图12为本申请实施例的一种实施方式中基板处于第五状态下的结构示意图；
图13为本申请实施例的一种实施方式中基板处于第六状态下的结构示意图；
图14为本申请实施例的一种实施方式中基板处于第七状态下的结构示意图；
图15为本申请实施例的一种实施方式中基板处于第八状态下的结构示意图；
图16为本申请实施例的另一种实施方式中基板处于第一状态下的结构示意图；
图17为本申请实施例的另一种实施方式中基板处于第二状态下的结构示意图；
图18为本申请实施例的另一种实施方式中基板处于第三状态下的结构示意图；
图19为本申请实施例的另一种实施方式中基板处于第四状态下的结构示意图；
图20为本申请实施例的另一种实施方式中基板处于第五状态下的结构示意图；
图21为本申请实施例的另一种实施方式中基板处于第六状态下的结构示意图；
图22为本申请实施例的另一种实施方式中基板处于第七状态下的结构示意图；
图23为本申请实施例的另一种实施方式中基板处于第八状态下的结构示意图；
图24为本申请实施例的一种实施方式中基板的立体结构示意图；
图25为本申请实施例的另一种实施方式中基板的立体结构示意图；
图26为本申请实施例的又一种实施方式中基板的立体结构示意图；
图27为本申请实施例的又一种实施方式中基板的一个方向上的剖视结构示意图；
图28为本申请实施例的再一种实施方式中基板的立体结构示意图。
元件符号简单说明：
bp1：第一绑定焊盘 ws1：第一焊点
bp2：第二绑定焊盘 ws2：第二焊点
g：间隙 b：连接桥
100：基板 101：第一表面
200：线路图案 210：待电镀图案
220：非电镀图案 300：光阻层
310：第一牺牲图案 320：第二牺牲图案
330：第三牺牲图案 400：接著层
500：接合层 600：金属保护层
h1、h2、h3、h4、h5：厚度 M：掩模版
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请实施例的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请实施例。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。本申请实施例能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此，本申请实施例不受下面公开的具体实施例的限制。
可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种专业名词，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。但除非特别说明，这些专业名词不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个专业名词与另一个专业名词区分。举例来说，在不脱离本申请的范围的情况下，第一牺牲图案、第二牺牲图案和第三牺牲图案为不同的牺牲图案。在本申请实施例的描述中，“多个”、“若干”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本申请实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请实施例中的具体含义。
在本申请实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征水平高度。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征水平高度。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义，本申请所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本申请中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
图1示出了相关技术一实施例中基板在电镀前的局部放大结构示意图；图2示出了相关技术一实施例中基板在电镀后的局部放大结构示意图；图3示出了图2中A处的局部放大结构示意图；为了便于说明，仅示出了与相关技术一实施例相关的部分。需要说明的是，图1至图3为电镜示意图。
以基板上绑定焊盘的焊点为例，相关技术中，会借助于绑定焊盘将LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)等显示器件焊接于基板上。在此过程中，需要在该绑定焊盘的焊点表面作电镀处理，以防止基板上的线路图案氧化。如图1所示，第一绑定焊盘bp1上设置有第一焊点ws1，第二绑定焊盘bp2上设有第二焊点ws2。可以看到，彼此间隔的第一焊点ws1和第二焊点ws2形成有间隙g。该间隙g通常大小在20微米至50微米之间。由于间隙g过小，在电镀时容易引发电场吸引而产生桥接。如图2和图3所示，电镀材料在第一焊点ws1和第二焊点ws2之间形成有连接桥b，使得第一焊点ws1和第二焊点ws2桥接。
本申请发明人注意到，如若采用干膜覆盖在基板上不想被电镀的区域，可以在干膜上进行开孔，以显露出需要被电镀的区域。但是这样，在热压干膜至基板上时，会使得基板涨缩，导致基板上的线路图案产生偏移，进而使得无法有效将干膜制作在所需要的区域(例如上述间隙g)上。而如若增加被镀物的面积，则可以平均分散电镀过程中的电流，避免局部电流密度过高，可以改善相邻线路桥接的问题。但是，这样会增加电镀成本以及降低排版利用率。
基于此，本申请实施例通过改进基板电镀方法，可以有效改善相邻线路桥接的问题，进而避免产生前述所注意到的一些问题。下面结合一些实施例的相关描述，对本申请实施例提供的基板电镀方法进行相关说明。
图4示出了本申请实施例的一种实施方式中基板100电镀方法的流程示意图；图5示出了本申请实施例的一种实施方式中基板100电镀方法中基板100处于第一中间态的结构示意图；图6示出了本申请实施例的一种实施方式中基板100电镀方法中基板100处于第二中间态的结构示意图；图7示出了本申请实施例的一种实施方式中基板100电镀方法中基板100处于第三中间态的结构示意图；为了便于说明，仅示出了与本申请实施例相关的部分。需要说明的是，“第一中间态”和“第二中间态”指的是，在本申请实施例的方法未完全实施时，基板100所具有的形态。图示中的虚线仅为了区分不同的图案，后面示出的图示同样如此，后文不再赘述。
请参照图4至图5，本申请实施例提供了一种基板100电镀方法，该方法包括如下步骤：
S420、在基板100上设有线路图案200的第一表面101和线路图案200背离基板100的一侧形成光阻层300；基板100为透明基板100，线路图案200包括待电镀图案210和非电镀图案220，光阻层300包括覆盖第一表面101的第一牺牲图案310、覆盖待电镀图案210的第二牺牲图案320和覆盖非电镀图案220的第三牺牲图案330；
具体地，基板100用于支撑光阻层300。本申请实施例中的基板100为透明基板100，可以为玻璃，也可以采用高分子聚合物材料制成。在一些实施例中，基板100的材料包括热塑性聚酯、聚乙烯、聚酰亚胺、环烯烃聚合物中至少一种。为了不影响将基板100用于显示装置时的可视需求，可以将基板100的厚度h1设置为15微米至100微米，并采用穿透率大于85％、雾度小于5的基板100。如此，这样的设计还便于与后文示意出的步骤S440相配合，满足曝光的需求。
为便于实现线路图案200良好的电连接效果，以及制作成本，在一些实施例中，可以将设于基板100的第一表面101上的线路图案200的厚度h2设置为1微米至20微米。线路图案200可以采用高电导率的金属材料制成，例如铜、银或铝等。可以根据实际使用情况进行选择，本申请实施例对此不作具体限制。
而本申请实施例中的光阻层300可以采用干膜，也可以采用光刻胶薄膜，只要可以使光阻层300形成牺牲图案，便于后续的曝光操作和移除操作即可，本申请实施例对此不作具体限制。如图5所示，光阻层300包括第一牺牲图案310、第二牺牲图案320和第三牺牲图案330。需要说明的是，第一牺牲图案310、第二牺牲图案320和第三牺牲图案330为一体式结构，在此对光阻层300进行划分，仅为了便于定义光阻层300位于基板100各区域上的部分。
还需要说明的是，“在基板100上设有线路图案200的第一表面101和线路图案200背离基板100的一侧形成光阻层300”指的是，没有被线路图案200覆盖的第一表面101的部分和线路图案200暴露的表面上形成有光阻层300。而没有被线路图案200覆盖的第一表面101的部分也即是包括了前述所言的间隙g。
另外，在形成光阻层300之前，如图5所示，可以在第一表面101的预设区域形成接著层400，并在接著层400上形成线路图案200。其中，预设区域为设置线路图案200的区域。也就说，线路图案200可以通过接著层400与基板100的第一表面101连接。如此，通过溅射或者电镀的方式形成线路图案200时，可以通过设置接著层400可以增加线路图案200与基板100的第一表面101之间的附着力。当然，在通过化学方式形成线路图案200时，则可以不设置接著层400。可以根据实际使用情况进行选择，本申请实施例对此不作具体限制。
可选地，接著层400可以为金属层、合金金属层、金属氧化物层、非金属氧化物层中的一种。例如，接著层400可以采用镍、钛、镍铬合金、镍铜合金、钼铌合金、二氧化硅或者氧化铟锡等材料制成。也可以将接著层400的厚度h3为10纳米至1000纳米。可以根据实际使用情况进行选择，本申请实施例对此不作具体限制。
S440、利用线路图案200作为遮挡，在背离第一表面101的一侧对第一牺牲图案310进行曝光处理；
具体地，由于线路图案200本身为非透光材料，而基板100是透明基板100，可以透光。由此，本申请发明人在背离基板100的第一表面101的一侧(即基板100的背侧)进行曝光处理。此时，只有位于第一表面101的第一牺牲图案310得到了曝光。
S460、移除第二牺牲图案320，以暴露待电镀图案210；
具体地，由于位于第一表面101的第一牺牲图案310得到了曝光，便于仅移除第二牺牲图案320。在一些实施例中，可以移除第二牺牲图案320之前，通过曝光工艺对第三牺牲图案330进行处理。需要说明的是，对第三牺牲图案330进行曝光处理，可以在对第一牺牲图案310进行曝光处理之前完成，也可以在对第一牺牲图案310进行曝光处理之后完成。可以根据实际情况进行选择，本申请实施例对此不作具体限制。在对第一牺牲图案310和第三牺牲图案330均进行了曝光处理后，可以采用例如显影等工艺对光阻层300进行处理。此时，由于只有第二牺牲图案320没有得到曝光，第二牺牲图案320被移除，线路图案200中的待电镀图案210被暴露。
S480、利用第一牺牲图案310和第三牺牲图案330作为挡墙，通过电镀工艺对基板100进行处理，以在暴露的待电镀图案210上形成电镀层。
具体地，由于线路图案200中的待电镀图案210被暴露，且基板100上的其他区域已经被第一牺牲图案310和第三牺牲图案330覆盖，第一牺牲图案310和第三牺牲图案330可以作为挡墙，不仅可以避免电镀时线路图案200之间产生桥接，还可以保护线路图案200中的非电镀图案220以及第一表面101没有被线路图案200覆盖的部分。在形成电镀层后，可以移除第一牺牲图案310和第三牺牲图案330，得到所需要的基板100。
在一些实施例中，电镀层包括接合层500。接合层500可以为抗氧化金属层或者合金金属层，便于例如LED等显示器件借助于接合层500焊接于基板100上。可选地，接合层500可以采用锡、锡铅合金、锡铋合金、锡锌合金、金、镍钯金合金制成。
发明人注意到，在焊接过程中，线路图案200与接合层500之间容易生成恶性IMC(Intermetallic compound，介金属)，进而影响后续焊接过程的稳定性。
为了提高焊接过程的稳定性，在一些实施例中，电镀层还包括位于待电镀图案210和接合层500之间的金属保护层600。通过设置金属保护层600，进一步避免线路图案200与接合层500之间形成恶性IMC，不仅可以提高焊接过程的稳定性，还可以保护线路图案200，防止线路图案200被氧化。可选地，金属保护层600可以采用镍或者镍钯合金制成。可以根据实际使用情况进行选择，本申请实施例对此不作具体限制。
由于接合层500的厚度h4过小，会无法有效防止焊接过程中接合层500与线路图案200之间形成恶性IMC。而如若接合层500的厚度h4过大，则会增加生产成本。由此，在一些实施例中，可以将接合层500的厚度h4设置为0.001微米至5微米。
由于金属保护层600的厚度h5过大会产生相邻的线路图案200之间桥接，金属保护层600的厚度h5过小，无法有效保护线路图形。因此，在一些实施例中，可以将金属保护层600的厚度h5设置为0.01微米至2微米。
具体至一些实施例中，可以利用第一牺牲图案310和第三牺牲图案330作为挡墙，对基板100进行第一次电镀处理和第二次电镀处理。如图6所示，通过第一次电镀处理在待电镀图案210上形成金属保护层600，通过第二次电镀处理在金属保护层600上形成接合层500。此时，金属保护层600在第一表面101上的正投影，在与接合层500在第一表面101上的正投影重合。也就是说，接合层500完全覆盖金属保护层600。
具体至另一些实施例中，可以在基板100上设有线路图案200的第一表面101和所述线路图案200背离基板100的一侧形成光阻层300之前进行制作金属保护层600。具体地，如图7所示，通过电镀工艺对设于第一表面101的线路图案200进行处理，以形成包覆线路图案200的金属保护层600。此时，在暴露的待电镀图案210上形成的电镀层可以为接合层500。此时，金属保护层600在第一表面101上的正投影，覆盖与接合层500在第一表面101上的正投影。也就是说，由于金属保护层600报复线路本体图案，而接合层500覆盖于线路图案200的待电镀图案210上，金属保护层600的面积大于接合层500的面积，接合层500仅覆盖部分金属保护层600。
需要说明的是，针对上述两种电镀层的形成方式，可以根据实际使用情况进行选择，本申请实施例对此不作具体限制。
由此，通过利用基板100的第一表面101上的线路图案200作为遮挡，在背离第一表面101的一侧进行曝光处理，使得仅可以针对覆盖第一表面101的第一牺牲图案310进行曝光，便于在后续移除覆盖待电镀图案210的第二牺牲图案320时，保留第一牺牲图案310。从而在对线路图案200进行电镀处理时，第一牺牲图案310和第三牺牲图案330可以共同起到阻挡作用，避免相邻的焊点之间形成桥接。
应该理解的是，上述阐述的技术方案在实际实施过程中可以作为独立实施例来实施，也可以彼此之间进行组合并作为组合实施例实施。另外，在对上述本申请实施例内容进行阐述时，仅基于方便阐述的思路，按照相应顺序对不同实施例进行阐述，而并非是对不同实施例之间的执行顺序进行限定。相应地，在实际实施过程中，若需要实施本申请提供的多个实施例，则不一定需要按照本申请阐述实施例时所提供的执行顺序，而是可以根据需求安排不同实施例之间的执行顺序。
下面结合附图，对本申请实施例提供的一些基板100电镀方法进行进一步地说明。图8至图15示意出了一些实施例中基板100电镀方法得到的基板100在各个阶段的结构示意图。图16至图23示意出了另一些实施例中基板100电镀方法得到的基板100在各个阶段的结构示意图
在一些实施例中，请参照图8至图15，首先，在基板100的第一表面101的预设区域形成接著层400，预设区域为设置线路图案200的区域。如图8所示，在接著层400上形成线路图案200。其次，如图9所示，通过压膜工艺在基板100上设有线路图案200的第一表面101和线路图案200背离基板100的一侧形成光阻层300。光阻层300包括第一牺牲图案310、第二牺牲图案320和第三牺牲图案330。再次，如图10所示，利用掩模版M，对第三牺牲图案330进行曝光。接着，如图11所示，利用线路图案200作为遮挡，在背离基板100的第一表面101的一侧对第一牺牲图案310进行曝光处理。此时，只有第二牺牲图案320没有进行曝光处理。再接着，如图12所示，通过显影工艺移除第二牺牲图案320，暴露待电镀图案210。然后，如图13和图14所示，利用第一牺牲图案310和第三牺牲图案330作为挡墙，通过两次电镀工艺对基板100进行处理，以在暴露的待电镀图案210上依次形成金属保护层600和接合层500。最后，如图15所示，再通过去膜工艺去除第一牺牲图案310和第三牺牲图案330，得到所需要的基板100。
在另一些实施例中，请参照图16至图23，首先，在基板100的第一表面101的预设区域形成接著层400，预设区域为设置线路图案200的区域。如图16所示，在接著层400上形成线路图案200。接着，如图17所示，通过电镀工艺对设于基板100的第一表面101的线路图案200进行处理，以形成包覆线路图案200的金属保护层600。其次，如图18所示，通过压膜工艺在基板100上设有线路图案200的第一表面101和线路图案200背离基板100的一侧形成光阻层300。光阻层300包括第一牺牲图案310、第二牺牲图案320和第三牺牲图案330。再次，如图19所示，利用掩模版M，对第三牺牲图案330进行曝光。接着，如图20所示，利用线路图案200作为遮挡，在背离基板100的第一表面101的一侧对第一牺牲图案310进行曝光处理。此时，只有第二牺牲图案320没有进行曝光处理。再接着，如图21所示，通过显影工艺移除第二牺牲图案320，暴露待电镀图案210。然后，如图22所示，利用第一牺牲图案310和第三牺牲图案330作为挡墙，通过电镀工艺对基板100进行处理，以在暴露的待电镀图案210上形成接合层500。最后，如图23所示，再通过去膜工艺去除第一牺牲图案310和第三牺牲图案330，得到所需要的基板100。
由此，通过上述一些实施例的内容，可以得到如图24至图28所示意出的基板100的结构示意图。图24示意出基板100包括接著层400、金属保护层600以及接合层500的情形，图25示意出基板100包括金属保护层600以及接合层500的情形，这两种情形是利用第一牺牲图案310和第三牺牲图案330作为挡墙，通过两次电镀工艺对基板100进行处理，在暴露的待电镀图案210上依次形成金属保护层600和接合层500而得到的。图26至图27示意出基板100包括接著层400、金属保护层600以及接合层500的情形，图28示意出基板100包括金属保护层600以及接合层500的情形，这两种情形是在形成光阻层300前，通过电镀工艺对设于基板100的第一表面101的线路图案200进行处理，形成包覆线路图案200的金属保护层600，以及利用第一牺牲图案310和第三牺牲图案330作为挡墙，通过电镀工艺对基板100进行处理，以在暴露的待电镀图案210上形成接合层500的情形。
需要说明的是，可以根据实际情况进行设置基板100的结构，上述仅为示意，本申请实施例对此不作具体限制。而关于各层的制作工艺以及参数控制，可参考前述一些实施例中的内容，在此不再赘述。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种基板100，采用上述实施例中的方法制作得到。如此，可以得到性能良好的基板100。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种显示面板，包括上述实施例中的基板100。如此，可以得到显示效果好的显示面板。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例中的显示面板。如此，可以得到显示效果好的显示装置。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种电子设备，包括上述实施例中的显示装置。如此，可以得到显示效果好的电子设备。
应当理解的是，上述实施例提供的显示面板、显示装置，可以应用于手机终端、仿生电子、电子皮肤、可穿戴设备、车载设备、物联网设备及人工智能设备等领域。例如，上述显示面板、显示装置可以为手机终端、平板、掌上电脑、ipod、智能手表、膝上型计算机、电视机、监视器等。上述实施例提供的电子设备可以为上述示意出的设备，本申请实施例对此不作具体限定。
综上所述，本申请实施例提供的基板100电镀方法中，基板100不仅可以是玻璃，也可以采用透明高分子薄膜基材。在基板100上设有线路图案200的情况下，可以在基板100的第一表面101侧以及背离基板100的第一表面101侧，即是正面与反面分别进行曝光。因线路图案200本身为非透光材料，仅在基板100的第一表面101侧曝光时需要使用到掩模版M，在背离基板100的第一表面101侧曝光时不需要使用到掩模版M。在正面对位曝光，反面可不对位曝光的情况下，不仅可以形成上述一些实施例中提及的挡墙，避免电镀金属时发生桥接问题，还对于对位精度要求不高。在此过程中，透明高分子薄膜基材在制程过程发生涨缩对电镀过程不产生影响，不会因线路图案200可能产生偏移而导致无法形成挡墙情形的发生。同时，该方法仅需增加一道曝光，不用增加光罩使用，可压低生产成本、提高生产良率。另外，还可以减少电镀面积，降低成本，增加排版利用率。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (17)
1.一种基板电镀方法，其特征在于，包括：
在基板上设有线路图案的第一表面和所述线路图案背离所述基板的一侧形成光阻层；所述基板为透明基板，所述线路图案包括彼此相分离的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分之间形成有间隙，所述第一部分和所述第二部分均具有待电镀图案和非电镀图案；所述光阻层包括覆盖所述第一表面的第一牺牲图案、覆盖所述第一部分和所述第二部分两者的所述待电镀图案的第二牺牲图案，以及覆盖所述第一部分和所述第二部分两者的所述非电镀图案的第三牺牲图案；所述第一牺牲图案位于所述间隙内，并分别连接与所述第一部分和所述第二部分相连接；
利用所述线路图案作为遮挡，在背离所述第一表面的一侧对所述第一牺牲图案进行曝光处理；
通过曝光工艺对所述第三牺牲图案进行处理；
通过显影工艺对所述光阻层进行处理，以移除所述第二牺牲图案而暴露所述第一部分和所述第二部分两者的所述待电镀图案；
利用所述第一牺牲图案和所述第三牺牲图案作为挡墙，通过电镀工艺对所述基板进行处理，以在暴露的所述第一部分和所述第二部分两者的所述待电镀图案上形成电镀层。
2.根据权利要求1所述的基板电镀方法，其特征在于，所述电镀层包括接合层。
3.根据权利要求2所述的基板电镀方法，其特征在于，所述电镀层还包括位于所述接合层和所述第一部分和所述第二部分两者的所述待电镀图案之间的金属保护层。
4.根据权利要求3所述的基板电镀方法，其特征在于，所述接合层的厚度为0.001微米至5微米；和/或
所述接合层为抗氧化金属层或合金金属层；和/或
所述金属保护层的厚度为0.01微米至2微米；和/或
所述金属保护层在所述第一表面上的正投影，在与所述接合层在所述第一表面上的正投影重合。
5.根据权利要求1-4任一项所述的基板电镀方法，其特征在于，所述在基板上设有线路图案的第一表面和所述线路图案背离所述基板的一侧形成光阻层之前，还包括：
通过电镀工艺对设于所述第一表面的线路图案进行处理，以形成包覆所述线路图案的金属保护层。
6.根据权利要求5所述的基板电镀方法，其特征在于，所述电镀层包括覆设于所述金属保护层上的接合层。
7.根据权利要求6所述的基板电镀方法，其特征在于，所述接合层的厚度为0.001微米至5微米；和/或
所述接合层为抗氧化金属层或合金金属层；和/或
所述金属保护层的厚度为0.01微米至2微米；和/或
所述金属保护层在所述第一表面上的正投影，覆盖与所述接合层在所述第一表面上的正投影。
8.根据权利要求1-4任一项所述的基板电镀方法，其特征在于，所述在基板上设有线路图案的第一表面和所述线路图案背离所述基板的一侧形成光阻层之前，还包括：
在所述第一表面的预设区域形成接著层；所述预设区域为设置所述线路图案的区域；
在所述接著层上形成所述线路图案。
9.根据权利要求8所述的基板电镀方法，其特征在于，所述接著层为金属层、合金金属层、金属氧化物层、非金属氧化物层中的一种；和/或
所述接著层的厚度为10纳米至1000纳米。
10.根据权利要求1-4任一项所述的基板电镀方法，其特征在于，所述利用所述第一牺牲图案和所述第三牺牲图案作为挡墙，通过电镀工艺对所述基板进行处理，以在暴露的所述第一部分和所述第二部分两者的所述待电镀图案上形成电镀层之后，还包括：
移除所述挡墙。
11.根据权利要求1-4任一项所述的基板电镀方法，其特征在于，所述基板的材料包括热塑性聚酯、聚乙烯、聚酰亚胺、环烯烃聚合物中至少一种；和/或
所述基板的厚度为15微米至100微米；和/或
所述基板的穿透率大于85％；和/或
所述基板的雾度小于5。
12.根据权利要求1-4任一项所述的基板电镀方法，其特征在于，所述线路图案的厚度为1微米至20微米。
13.根据权利要求1-4任一项所述的基板电镀方法，其特征在于，所述光阻层包括干膜或者光刻胶薄膜中的一种。
14.一种基板，其特征在于，所述基板采用权利要求1-13任一项所述的方法制作得到。
15.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求14所述的基板。
16.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求15所述的显示面板。
17.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求16所述的显示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210581714.0A CN114883252B (zh) | 2022-05-26 | 2022-05-26 | 基板电镀方法、基板、显示面板、显示装置及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210581714.0A CN114883252B (zh) | 2022-05-26 | 2022-05-26 | 基板电镀方法、基板、显示面板、显示装置及电子设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114883252A CN114883252A (zh) | 2022-08-09 |
| CN114883252B true CN114883252B (zh) | 2024-02-23 |
Family
ID=82676981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210581714.0A Active CN114883252B (zh) | 2022-05-26 | 2022-05-26 | 基板电镀方法、基板、显示面板、显示装置及电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114883252B (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08204312A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Matsushita Electric Works Ltd | チップオンボード基板の製造方法 |
| JPH10190205A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-07-21 | Ibiden Co Ltd | はんだ転写方法 |
| JP2000022309A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板 |
| JP2000200960A (ja) * | 1999-01-05 | 2000-07-18 | Sony Corp | ソルダ―レジストおよびその形成方法 |
| CN1494369A (zh) * | 2002-09-14 | 2004-05-05 | Lg电子株式会社 | 印刷电路板的电镀方法 |
| US6930044B1 (en) * | 2004-03-17 | 2005-08-16 | Nan Ya Printed Circuit Board Corporation | Method for fabricating a packaging substrate |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100826360B1 (ko) * | 2007-04-18 | 2008-05-02 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지용 인쇄회로기판의 제조방법 |
| US20150195902A1 (en) * | 2014-01-09 | 2015-07-09 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Printed circuit board and method of manufacturing the same |
-
2022
- 2022-05-26 CN CN202210581714.0A patent/CN114883252B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08204312A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Matsushita Electric Works Ltd | チップオンボード基板の製造方法 |
| JPH10190205A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-07-21 | Ibiden Co Ltd | はんだ転写方法 |
| JP2000022309A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板 |
| JP2000200960A (ja) * | 1999-01-05 | 2000-07-18 | Sony Corp | ソルダ―レジストおよびその形成方法 |
| CN1494369A (zh) * | 2002-09-14 | 2004-05-05 | Lg电子株式会社 | 印刷电路板的电镀方法 |
| US6930044B1 (en) * | 2004-03-17 | 2005-08-16 | Nan Ya Printed Circuit Board Corporation | Method for fabricating a packaging substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114883252A (zh) | 2022-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20230014803A (ko) | 연성 회로기판, cof 모듈 및 이를 포함하는 전자 디바이스 | |
| US7399399B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor package substrate | |
| US3742597A (en) | Method for making a coated printed circuit board | |
| JP5012896B2 (ja) | 部品内蔵基板の製造方法 | |
| KR100614864B1 (ko) | 프린트 배선판 및 반도체 장치 | |
| TWI484875B (zh) | 電路板及電路板製作方法 | |
| EP0396248B1 (en) | Electrical pin and method for making same | |
| TWI449485B (zh) | 印刷電路板及其製造方法 | |
| JP2006179606A (ja) | 配線回路基板 | |
| CN106358379B (zh) | 印刷电路板及其制造方法 | |
| TW202014070A (zh) | 復合電路板及其製造方法 | |
| CN101924038A (zh) | 电子器件封装及制造方法 | |
| KR20210133190A (ko) | 회로기판 | |
| CN114883252B (zh) | 基板电镀方法、基板、显示面板、显示装置及电子设备 | |
| CN114156395A (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示面板和背光模组 | |
| CN111862886A (zh) | 驱动基板及其制作方法和显示装置 | |
| CN108738240A (zh) | 柔性电路板及其制备方法 | |
| CN108156763A (zh) | 透明电路板及其制作方法 | |
| JP4110391B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法、半導体装置及び電子モジュール並びに電子機器 | |
| CN111326640A (zh) | 在发光二极管载板形成开窗的方法 | |
| JP2009117721A (ja) | 配線基板、回路基板、これらの製造方法 | |
| TWI429348B (zh) | 側邊具有導電接觸件的積層印刷電路板模組及其製造方法 | |
| JP2760360B2 (ja) | はんだバンプとその製造方法 | |
| JP2000114412A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| CN101252090B (zh) | 线路板的表面处理工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20240115 Address after: 518109, Building E4, 101, Foxconn Industrial Park, No. 2 East Ring 2nd Road, Fukang Community, Longhua Street, Longhua District, Shenzhen City, Guangdong Province (formerly Building 1, 1st Floor, G2 District), H3, H1, and H7 factories in K2 District, North Shenchao Optoelectronic Technology Park, Minqing Road, Guangdong Province Applicant after: INTERFACE OPTOELECTRONICS (SHENZHEN) Co.,Ltd. Applicant after: Interface Technology (Chengdu) Co., Ltd. Applicant after: GENERAL INTERFACE SOLUTION Ltd. Address before: No.689 Hezuo Road, West District, high tech Zone, Chengdu City, Sichuan Province Applicant before: Interface Technology (Chengdu) Co., Ltd. Applicant before: INTERFACE OPTOELECTRONICS (SHENZHEN) Co.,Ltd. Applicant before: Yicheng Photoelectric (Wuxi) Co.,Ltd. Applicant before: GENERAL INTERFACE SOLUTION Ltd. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |