CN111862886A - 驱动基板及其制作方法和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种驱动基板及其制作方法和显示装置,驱动基板的制作方法,包括:提供一衬底基板;在所述衬底基板上形成缓冲层;在所述缓冲层上制作第一走线,所述第一走线包括沿远离所述衬底基板方向依次层叠设置的种子层和第一金属层;形成覆盖所述第一走线的第一绝缘层,所述第一绝缘层包括暴露出所述第一走线部分表面的第一过孔;在所述第一绝缘层上形成多个第二走线和第二导电保护层,所述第二走线包括第二金属层和第三金属层,所述第二金属层、所述第三金属层和所述第二导电保护层沿远离所述衬底基板方向依次层叠设置,每一所述第一走线通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与至少一个所述第二走线连接。本发明实施例有助于降低生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种驱动基板及其制作方法和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,MiniLED(迷你二极管)的技术逐渐成熟。相关技术中的MiniLED背光模组(Back Light Unit,缩写为BLU)工艺较为复杂,导致产品的生产成本较高。
发明内容
本发明实施例提供一种驱动基板及其制作方法和显示装置,以解决相关技术中产品的生产成本较高的问题。
为了解决上述技术问题,本发明是这样实现的:
第一方面,本发明实施例提供了一种驱动基板的制作方法,包括以下步骤:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成缓冲层;
在所述缓冲层上制作第一走线,所述第一走线包括沿远离所述衬底基板方向依次层叠设置的种子层和第一金属层;
形成覆盖所述第一走线的第一绝缘层,所述第一绝缘层包括暴露出所述第一走线部分表面的第一过孔;
在所述第一绝缘层上形成多个第二走线和第二导电保护层,所述第二走线包括第二金属层和第三金属层,所述第二金属层、所述第三金属层和所述第二导电保护层沿远离所述衬底基板方向依次层叠设置,每一所述第一走线通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与至少一个所述第二走线连接。
可选的,所述形成覆盖所述第一走线的第一绝缘层的步骤之前,还包括:
形成覆盖所述第一走线的第一导电保护层。
可选的,所述在所述第一走线上形成第一导电保护层,包括:
通过一次构图工艺制作第一走线和覆盖所述第一走线的第一导电保护层。
可选的,所述在所述缓冲层上制作第一走线,包括:
通过构图工艺形成第一走线;
所述在所述第一走线上形成第一导电保护层,包括:
通过构图工艺在所述第一走线上形成第一导电保护层。
可选的,所述通过构图工艺在所述第一走线上形成第一导电保护层:
通过构图工艺形成覆盖所述第一走线结构裸露表面的第一导电保护层。
可选的,所述在所述第一绝缘层上形成多个第二走线和第二导电保护层,包括:
通过一次构图工艺制作第二走线和覆盖所述第二走线的第二导电保护层。
可选的,所述在所述第一绝缘层上形成多个第二走线和第二导电保护层,包括:
通过构图工艺形成第二走线;
通过构图工艺形成覆盖所述第二走线的第二导电保护层。
可选的,所述通过构图工艺形成覆盖所述第二走线的第二导电保护层,包括:
通过构图工艺形成覆盖所述第二走线裸露表面的第二导电保护层。
可选的,所述在所述第一绝缘层上形成多个第二走线和第二导电保护层之后,还包括:
将电子元件转移至所述驱动基板,并将所述电子元件与所述第二导电保护层相绑定。
第二方面,本发明实施例提供了一种驱动基板,通过以上任一项所述的驱动基板的制作方法制作。
第三方面,本发明实施例提供了一种显示装置,包括电子元件和上述驱动基板,所述电子元件与所述驱动基板的第二导电保护层相绑定。
本发明实施例中的驱动基板通过设置第二导电保护层,能够提高对于第三金属层的保护效果,降低第三金属层直接暴露出来而被氧化的可能性,这样,可以直接利用高温工艺形成第二走线与电子元件之间的保护层甚至省略该保护层,从而有助于降低生产成本,此外,通过调整工艺步骤,可以节省掩膜版的数目即可完成驱动基板的制作,也有利于降低生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例提供的驱动基板的结构示意图;
图2是本发明又一实施例提供的驱动基板的结构示意图;
图3是本发明又一实施例提供的驱动基板的结构示意图;
图4是本发明又一实施例提供的驱动基板的结构示意图;
图5是本发明又一实施例提供的驱动基板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种驱动基板。
在一个实施例中,该驱动基板包括衬底基板、位于衬底上的缓冲层、第一走线和第二走线。
驱动基板还包括导电保护层,导电保护层具体包括第一导电保护层和第二导电保护层中的一项或两项。
第一走线包括沿远离衬底基板方向层依次叠设置的种子层和第一金属层,第一导电保护层位于第一金属层远离衬底基板的一侧,且第一金属层在衬底基板上的正投影与第一导电保护层在衬底基板上的正投影相交叠,以通过第一导电保护层保护第一金属层。
本实施例中,第一导电保护层可以仅覆盖第一金属层的上表面,这里,上表面指的是第一金属层远离衬底基板的一侧表面。第一导电保护层还可以覆盖第一金属层的全部裸露表面,这里,第一金属层的全部裸露表面指的是第二金属层的上表面和侧面,能够进一步提高对于第一金属层的保护效果。
第二走线包括沿远离衬底基板方向依次层叠设置的第二金属层和第三金属层,第二导电保护层位于第三金属层远离衬底基板的一侧,且第三金属层在衬底基板上的正投影与第二导电保护层在衬底基板上的正投影相交叠,以通过第二导电保护层保护第一金属层。
应当理解的是,本实施例中,第二导电保护层可以仅覆盖第三金属层的上表面,这里,上表面指的是第三金属层远离衬底基板的一侧表面。第二导电保护层还可以覆盖第三金属层的全部裸露表面,这里,第三金属层的全部裸露表面指的是第三金属层的上表面和侧面,能够进一步提高对于第一金属层的保护效果。
本发明实施例中的驱动基板通过设置第二导电保护层,能够提高对于第三金属层的保护效果,降低第三金属层直接暴露出来而被氧化的可能性,这样,可以直接利用高温工艺形成第二走线与电子元件之间的保护层甚至省略该保护层,从而有助于降低生产成本。
本发明实施例提供了一种显示装置,包括电子元件和以上中任一项的驱动基板,电子元件与驱动基板的第二导电保护层相绑定。由于本实施例的显示装置包括上述驱动基板实施例的全部技术方案,因此至少能实现上述全部技术效果,此处不再赘述。
在本公开的一个实施例中,所提供的驱动基板的制作方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成缓冲层;
在所述缓冲层上制作第一走线,所述第一走线包括沿远离所述衬底基板方向依次层叠设置的种子层和第一金属层;
形成覆盖所述第一走线的第一绝缘层,所述第一绝缘层包括暴露出所述第一走线部分表面的第一过孔;
在所述第一绝缘层上形成多个第二走线和第二导电保护层,所述第二走线包括第二金属层和第三金属层,所述第二金属层、所述第三金属层和所述第二导电保护层沿远离所述衬底基板方向依次层叠设置,每一所述第一走线通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与至少一个所述第二走线连接。
本实施例的技术方案制作的驱动基板包括第二导电保护层,以通过该第二导电保护层保护第三金属层,有助于降低制作过程中,第三金属层被氧化的可能性,有助于提高显示基板的可靠性。
在本申请的一些实施例中,驱动基板还可以包括第一导电保护层,第一导电保护层主要用于保护第一金属层,以降低第一金属层被氧化的可能性。本申请实施例中,第一走线和第一导电保护层可以通过一次构图工艺制作,也可以单独制作,类似的,第二走线和第二导电保护层可以通过一次构图工艺制作,也可以单独制作。
下面结合具体实施例对本申请提供的驱动基板的制作方法做进一步描述。
在本申请的一个本实施例中,驱动基板包括第一导电保护层和第二导电保护层,且第一走线和第一导电保护层通过单独的构图工艺制作,第二走线和第二导电保护层可以通过一次构图工艺制作。
本实施例中的驱动基板的制作方法包括以下步骤:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成缓冲层;
在所述缓冲层上通过制作第一走线,所述第一走线包括沿远离所述衬底基板方向依次层叠设置的种子层和第一金属层;
形成覆盖所述第一走线的第一导电保护层;
形成覆盖所述第一导电保护层的第一绝缘层,所述第一绝缘层包括暴露出所述第一导电保护层部分表面的第一过孔;
通过一次构图工艺在所述第一绝缘层上形成多个第二走线和第二导电保护层,所述第二走线包括第二金属层和第三金属层,所述第二金属层、所述第三金属层和所述第二导电保护层沿远离所述衬底基板方向依次层叠设置,每一所述第一导电保护层通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与至少一个所述第二走线连接。
如图1所示,第一步,在衬底基板101上沉积SiNx形成缓冲层102。
第二步,制作第一走线。
第一走线包括种子层103和第一金属层104,该制作第一走线的步骤具体包括:
在缓冲层102上沉积种子层103,在种子层103上形成负性的光刻胶,对光刻胶进行曝光显影后形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域,光刻胶去除区域对应待形成的第一走线。
种子层103的材料可以选择MoNb或Cu,种子层103的材料为MoNb时,其厚度约为0.03微米,当其材料为Cu时,厚度约为0.3微米。此外,种子层103的材料还可以选择Mo、MoTi、MoWu、MoNi、MoNiTi、IGZO、IZO、GZO、ITO等中的任一项。
在形成有光刻胶的图形的种子层103上以电镀或溅射方法生长出第一金属层104。
第一金属层104厚度可以根据显示模组的尺寸设置,例如2微米、4微米、5微米等不同的数值,一般来说,产品的尺寸越大,对于导电效果的要求越高,第一金属层104的厚度应当越厚,第一金属层104的电阻越小,本实施例中以通过电镀工艺制备出2.1微米厚的第一金属层104为例说明。第一金属层104的材料一般为铜,显然,也可以选择其他导电性能良好的金属材料,此处不做进一步限定。
光刻胶的厚度大于第一金属层104的厚度,具体的,光刻胶的厚度大于第一金属层204的厚度0.8至5微米,优选为光刻胶的厚度大于第一金属层104的厚度2微米至5微米。本实施例中第一金属层204的厚度为2.1微米,光刻胶的厚度为3至4微米为例说明。
去除光刻胶保留区域的光刻胶。
对光刻胶保留区域的种子层103进行刻蚀,位于光刻胶去除区域的第一金属层104和种子层103组成第一走线。
第三步,沉积CuNi或Ni合金层,并进行图形化,形成保护第一走线的第一导电保护层105。
该第一导电保护层105主要用于保护第一金属层104,应当理解的是,绝缘保护层106的制作工艺可以通过高温工艺制作,也可以通过低温工艺制作。这里,绝缘保护层206的制作中的低温工艺指的是制作绝缘保护层206时需要在低温下进行固化,这里,低温指的是80摄氏度左右,而高温固化工艺的固化温度通常在120摄氏度左右。此外,在绝缘保护层106上开设过孔时,工作温度也相对较高。
高温工艺中的材料成本相对较低,但是高温可能使得第一金属层104表面氧化导致电阻增加,影响显示面板的可靠性。通过设置第一导电保护层105保护第一金属层104,能够降低第一金属层104被氧化的可能性,从而可以使用成本较低的高温工艺,有助于降低生成成本。
第四步,形成绝缘保护层106,在绝缘保护层106上开设过孔。
第五步,制作第二走线。
第二走线包括第二金属层1071和第三金属层1072。具体的,沉积金属MoNb、Cu和CuNi,并进行图形化,其中,MoNb形成第二走线的第二金属层1071、沉积的Cu形成第三金属层1072,CuNi形成第二导电保护层108。其中,第二金属层2071的材料还可以选择Mo、Ti和Ti合金材料等。
本实施例中,第二导电保护层108覆盖了第三金属层1072的上表面,能起到对于第三金属层1072的保护作用。
在本申请的一些实施例中,还可以进一步在驱动基板上绑定电子元件。
具体的,用丝网印刷涂覆白油,然后进行电子元件的绑定,本实施例中以绑定MiniLED109为例说明,主要包括印刷焊锡、固晶、回流焊、封装等工序,具体可参考相关技术,此处不再赘述。
应当理解的是,MiniLED109绑定过程中,包括高温工艺,例如,回流焊工艺温度约为150至170摄氏度。通过设置第二导电保护层108,能够降低第三金属层1072在高温工艺中氧化的可能性,从而降低对于第三金属层1072导电效果造成的不利影响。
此外,本实施例仅需要四张掩膜版就完成了驱动基板的制作。此外,通过设置第二导电保护层108,能够提高对于第三金属层1027的保护效果,降低第三金属层1027直接暴露出来而被氧化的可能性,这样,可以直接利用高温工艺形成第二走线与电子元件之间的保护层甚至省略该保护层,从而有助于降低生产成本。
在本公开的又一个实施例中,驱动基板仅设置了第二导电保护层而未设置第一导电保护层,第二走线和第二导电保护层可以通过单独的构图工艺制作。
本实施例中的驱动基板的制作方法,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成缓冲层;
在所述缓冲层上制作第一走线,所述第一走线包括沿远离所述衬底基板方向依次层叠设置的种子层和第一金属层;
形成覆盖所述第一走线的第一绝缘层,所述第一绝缘层包括暴露出所述第一走线部分表面的第一过孔;
在所述第一绝缘层上形成多个第二走线,所述第二走线包括沿远离所述衬底基板方向依次层叠设置的第二金属层和第三金属层,每一所述第一走线通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与至少一个所述第二走线连接;
形成覆盖所述第二走线的第二导电保护层。
如图2所示,第一步,在衬底基板201上沉积SiNx形成缓冲层202。
第二步,制作第一走线。该第一走线包括种子层203和第一金属层204,制作第一走线的过程可参考图1所示实施例,此处不再赘述。
第三步,沉积SiNx形成第一保护层205,然后在第一保护层205上形成绝缘保护层206,在绝缘保护层206上开设过孔,并以树脂作为掩膜版刻蚀第一保护层205,使得第一走线暴露出来,具体为第一走线的第一金属层204暴露出来。
第四步,制作第二走线。
第二走线包括第二金属层2071和第三金属层2072,该制作第二走线的步骤具体包括:
通过低温沉积方式形成第二金属层2071和第三金属层2072,对第二金属层2071和第三金属层2072进行构图,形成第二走线,其中,低温沉积的温度不大于50摄氏度。
本实施例中,依次通过低温沉积金属MoNb和Cu,并进行图形化,构成包括第二金属层2071和第三金属层2072的第二走线。此外,第二金属层2071还可以选择Mo、Ti等Ti合金材料。
第五步,沉积CuNi合金层或Ni,并进行图形化,形成第二导电保护层208。
区别于图1所示实施例,本实施例中通过单独的mask工艺形成第二导电保护层,不仅能覆盖第三金属层2072的上表面,还能覆盖第三金属层2072的侧面,有助于进一步提高对于第三金属层2072的保护效果。
最后,还可以进一步设置电子元件,具体的,例如用丝网印刷涂覆白油,然后进行MiniLED绑定,主要包括印刷焊锡、固晶、回流焊、封装等工序,具体可参考相关技术,此处不再赘述。
本实施例通过四张掩膜板完成驱动基板的制作。
在本申请的一个本实施例中,驱动基板包括第一导电保护层和第二导电保护层,且第一走线和第一导电保护层通过一次构图工艺制作,第二走线和第二导电保护层可以通过单独的构图工艺制作。
本实施例中的驱动基板的制作方法包括以下步骤:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成缓冲层;
在所述缓冲层上通过一次构图工艺制作第一走线和第一导电保护层,所述第一走线包括种子层和第一金属层,所述种子层、所述第一金属层和所述第一导电保护层沿远离所述衬底基板方向依次层叠设置;
形成覆盖所述第一走线的第一绝缘层,所述第一绝缘层包括暴露出所述第一导电保护层部分表面的第一过孔;
在所述第一绝缘层上形成多个第二走线,所述第二走线包括沿远离所述衬底基板方向依次层叠设置的第二金属层和第三金属层,每一所述第一走线通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与至少一个所述第二走线连接;
形成覆盖所述第二走线的第二导电保护层;
设置于所述第二导电保护层连接的电子元件。
如图3所示,第一步,在衬底基板301上沉积SiNx形成缓冲层302。
第二步,通过一次构图工艺制作第一走线和第一导电保护层305。
在该步骤中,首先参考图1或图2所示实施例形成第一走线,第一走线包括第一金属层303和种子层304,接下来,在第一金属层303上,电镀约0.2微米的CuNi或Ni生长出第一导电保护层305。
这样,本实施例中仅通过一张掩膜板就完成了第一走线和第一导电保护层305的制作。
第三步,形成绝缘保护层306,并在绝缘保护层306上开设过孔。
第四步,制作第二走线。
第五步,制作第二导电保护层308。
本实施例中制作第二走线和第二导电保护层308的过程可参考图2所示实施例,此处不再赘述。
最后,用丝网印刷涂覆白油,然后进行MiniLED绑定,主要包括印刷焊锡、固晶、回流焊、封装等工序,具体可参考相关技术,此处不再赘述。
本实施例通过4张掩膜板完成驱动基板的制作,通过设置第一导电保护层305,能够起到保护第一导电层304的作用。通过设置第二导电保护层308,能够起到对于第三金属层3072的保护效果。
在本申请的一个本实施例中,驱动基板包括第一导电保护层和第二导电保护层,且第一走线和第一导电保护层通过一次构图工艺制作,第二走线和第二导电保护层通过一次构图工艺制作。
本实施例中的驱动基板的制作方法包括以下步骤:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成缓冲层;
在所述缓冲层上通过一次构图工艺制作第一走线和第一导电保护层,所述第一走线包括种子层和第一金属层,所述种子层、所述第一金属层和所述第一导电保护层沿远离所述衬底基板方向依次层叠设置;
形成覆盖所述第一走线的第一绝缘层,所述第一绝缘层包括暴露出所述第一导电保护层部分表面的第一过孔;
通过一次构图工艺在所述第一绝缘层上形成第二导电保护层和多个第二走线,所述第二走线包括第二金属层和第三金属层,所述第二金属层、所述第三金属层和所述第二导电保护层沿远离所述衬底基板方向依次层叠设置,每一所述第一导电保护层通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与至少一个所述第二走线连接;
设置与所述第二导电保护层连接的电子元件。
如图4所示,第一步,在衬底基板401上沉积SiNx形成缓冲层402。
第二步,制作第一走线和第一导电保护层405,该第一走线和第一导电保护层405的制作过程仅包括一次构图工艺,即第一导电保护层405采用电镀生长的方式形成。具体可参考图3所示实施例,此处不再赘述。
第三步,形成绝缘保护层406,并在绝缘保护层406上开设过孔。
第四步,制作第二走线和第二导电保护层408。
该制作第二走线和第二导电保护层408的过程可参考图1所示实施例,此处不再赘述。
最后,用丝网印刷涂覆白油,然后进行MiniLED绑定,主要包括印刷焊锡、固晶、回流焊、封装等工序,具体可参考相关技术,此处不再赘述。
本实施例中,通过3张掩膜板完成驱动基板的制作,能够一定程度上起到对于第三金属层4072的保护效果,且进一步减少了mask工艺的次数,能够进一步降低成本。
如图5所示,在本公开的又一实施例中,与图4所示实施例的主要区别在于,图4所示实施例中制作第三金属层5072采用了溅射工艺,图5所示实施例中,制作第二走线的第三金属层5072和第二导电保护层508时,采用了电镀工艺,具体的电镀约2.1微米Cu作为第三金属层5072的材料、电镀约0.2微米CuNi或Ni作为第二导电保护层508的材料,后续进一步通过mask工艺图形化形成第二走线。
本实施例同样通过3张掩膜板即可驱动基板的制作,能够一定程度上起到对于第三金属层5072的保护效果,且能够降低成本。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (11)
1.一种驱动基板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成缓冲层;
在所述缓冲层上制作第一走线,所述第一走线包括沿远离所述衬底基板方向依次层叠设置的种子层和第一金属层;
形成覆盖所述第一走线的第一绝缘层,所述第一绝缘层包括暴露出所述第一走线部分表面的第一过孔;
在所述第一绝缘层上形成多个第二走线和第二导电保护层,所述第二走线包括第二金属层和第三金属层,所述第二金属层、所述第三金属层和所述第二导电保护层沿远离所述衬底基板方向依次层叠设置,每一所述第一走线通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与至少一个所述第二走线连接。
2.如权利要求1所述的驱动基板的制作方法,其特征在于,所述形成覆盖所述第一走线的第一绝缘层的步骤之前,还包括:
形成覆盖所述第一走线的第一导电保护层。
3.如权利要求2所述的驱动基板的制作方法,其特征在于,所述在所述第一走线上形成第一导电保护层,包括:
通过一次构图工艺制作第一走线和覆盖所述第一走线的第一导电保护层。
4.如权利要求2所述的驱动基板的制作方法,其特征在于,所述在所述缓冲层上制作第一走线,包括:
通过构图工艺形成第一走线;
所述在所述第一走线上形成第一导电保护层,包括:
通过构图工艺在所述第一走线上形成第一导电保护层。
5.如权利要求4所述的驱动基板的制作方法,其特征在于,所述通过构图工艺在所述第一走线上形成第一导电保护层:
通过构图工艺形成覆盖所述第一走线结构裸露表面的第一导电保护层。
6.如权利要求1所述的驱动基板的制作方法,其特征在于,所述在所述第一绝缘层上形成多个第二走线和第二导电保护层,包括:
通过一次构图工艺制作第二走线和覆盖所述第二走线的第二导电保护层。
7.如权利要求1所述的驱动基板的制作方法,其特征在于,所述在所述第一绝缘层上形成多个第二走线和第二导电保护层,包括:
通过构图工艺形成第二走线;
通过构图工艺形成覆盖所述第二走线的第二导电保护层。
8.如权利要求7所述的驱动基板的制作方法,其特征在于,所述通过构图工艺形成覆盖所述第二走线的第二导电保护层,包括:
通过构图工艺形成覆盖所述第二走线裸露表面的第二导电保护层。
9.如权利要求1所述的驱动基板的制作方法,其特征在于,所述在所述第一绝缘层上形成多个第二走线和第二导电保护层之后,还包括:
将电子元件转移至所述驱动基板,并将所述电子元件与所述第二导电保护层相绑定。
10.一种驱动基板,其特征在于,通过权利要求1至9中任一项所述的驱动基板的制作方法制作而成。
11.一种显示装置,其特征在于,包括电子元件和权利要求10所述的驱动基板,所述电子元件与所述驱动基板的第二导电保护层相绑定。
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