JP2000156555A - フレキシブル配線板の製造方法 - Google Patents
フレキシブル配線板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シングルアクセスタイプあるいはダブルアク
セスタイプの片面のフレキシブル配線板を、低い生産コ
スト、微細配線パターンで且つ良好な位置精度でカール
も抑制しながら製造できるようにし、しかも開孔部の形
状の自由度を高めてはんだ付け面積（ランド面積）の拡
大を可能とする共に、ランドの導通信頼性を低下させず
にカバーレイフィルムに相当する絶縁層を導体回路層上
に形成できるようにする。 【解決手段】 ランドアクセス用開孔部３が設けられた
ポリイミド絶縁層５とその上の導体回路層４とからなる
フレキシブル回線板は、導体回路用金属箔１の片面にポ
リイミド前駆体ワニスを塗布し、乾燥してポリイミド前
駆体層２を形成し、ポリイミド前駆体層２にフォトリソ
グラフ法によりランドアクセス用開孔部３を設け、導体
回路用金属箔１をサブストラクト法によりパターニング
して導体回路層４を形成し、そしてポリイミド前駆体層
４をイミド化してポリイミド絶縁層５を形成することに
より製造できる。
セスタイプの片面のフレキシブル配線板を、低い生産コ
スト、微細配線パターンで且つ良好な位置精度でカール
も抑制しながら製造できるようにし、しかも開孔部の形
状の自由度を高めてはんだ付け面積（ランド面積）の拡
大を可能とする共に、ランドの導通信頼性を低下させず
にカバーレイフィルムに相当する絶縁層を導体回路層上
に形成できるようにする。 【解決手段】 ランドアクセス用開孔部３が設けられた
ポリイミド絶縁層５とその上の導体回路層４とからなる
フレキシブル回線板は、導体回路用金属箔１の片面にポ
リイミド前駆体ワニスを塗布し、乾燥してポリイミド前
駆体層２を形成し、ポリイミド前駆体層２にフォトリソ
グラフ法によりランドアクセス用開孔部３を設け、導体
回路用金属箔１をサブストラクト法によりパターニング
して導体回路層４を形成し、そしてポリイミド前駆体層
４をイミド化してポリイミド絶縁層５を形成することに
より製造できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ランドアクセス用
開孔部が設けられたポリイミド絶縁層が、導体回路層の
片面もしくは両面に設けられてなるフレキシブル配線板
の製造方法に関する。
開孔部が設けられたポリイミド絶縁層が、導体回路層の
片面もしくは両面に設けられてなるフレキシブル配線板
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フレキシブル配線板は、片面フレキシブ
ル配線板と、それよりも高密度実装が可能となる両面フ
レキシブル配線板とに大きく二つに分けられる。
ル配線板と、それよりも高密度実装が可能となる両面フ
レキシブル配線板とに大きく二つに分けられる。
【０００３】一般に、片面フレキシブル配線板は、ラン
ドアクセス用開孔部が設けられた絶縁層とそれに支持さ
れた導体回路層とからなる構造を有する。必要に応じて
導体回路上に保護層が積層されている。この構造を有す
る配線板は、その片面から接続を確保しているのでシン
グルアクセス配線板と称されている。
ドアクセス用開孔部が設けられた絶縁層とそれに支持さ
れた導体回路層とからなる構造を有する。必要に応じて
導体回路上に保護層が積層されている。この構造を有す
る配線板は、その片面から接続を確保しているのでシン
グルアクセス配線板と称されている。
【０００４】このような片面フレキシブル配線板は、通
常、次に説明するように作製されている。即ち、ポリイ
ミドサポートフィルムに銅箔が貼り合わされた片面銅張
りフィルムの当該銅箔を、サブストラクト法によりパタ
ーニングして導体回路層を形成し、その導体回路層上に
カバーレイを積層することにより作製されている。ここ
で、カバーレイの積層は、１）予め金型などを使用して
ランドアクセス用開孔部が形成された接着剤付きのカバ
ーレイフィルムを貼り合わせることにより、２）エポキ
シ系レジストインクをランドアクセス用開孔部パターン
に印刷することにより、あるいは３）ポリイミド樹脂フ
ィルムを貼り合わせた後に、エッチング液処理やレーザ
ー光照射処理によりポリイミド樹脂フィルムにランドア
クセス用開孔部を形成することにより行われている。
常、次に説明するように作製されている。即ち、ポリイ
ミドサポートフィルムに銅箔が貼り合わされた片面銅張
りフィルムの当該銅箔を、サブストラクト法によりパタ
ーニングして導体回路層を形成し、その導体回路層上に
カバーレイを積層することにより作製されている。ここ
で、カバーレイの積層は、１）予め金型などを使用して
ランドアクセス用開孔部が形成された接着剤付きのカバ
ーレイフィルムを貼り合わせることにより、２）エポキ
シ系レジストインクをランドアクセス用開孔部パターン
に印刷することにより、あるいは３）ポリイミド樹脂フ
ィルムを貼り合わせた後に、エッチング液処理やレーザ
ー光照射処理によりポリイミド樹脂フィルムにランドア
クセス用開孔部を形成することにより行われている。
【０００５】一方、両面フレキシブル配線板は、ランド
アクセス用開孔部が設けられた一対のカバーレイが、上
層導体回路層、絶縁層及び下層導体回路層とからなる積
層体を挟持している構造を有する。この構造を有する配
線板は、その両面から接続を確保しているのでダブルア
クセス配線板と称されている。
アクセス用開孔部が設けられた一対のカバーレイが、上
層導体回路層、絶縁層及び下層導体回路層とからなる積
層体を挟持している構造を有する。この構造を有する配
線板は、その両面から接続を確保しているのでダブルア
クセス配線板と称されている。
【０００６】このような両面フレキシブル配線板は、通
常、次に説明するように作製されている。即ち、ポリイ
ミドフィルムの両面に銅箔が貼り合わされた両面銅張り
フィルムにＮＣドリルで貫通孔を開け、ランドとなる領
域以外をレジストフィルムで被覆した後に貫通孔内壁面
に無電解銅メッキ薄膜を形成し、更に電解銅メッキで銅
を厚付けしてスルーホールとする。次に、レジストフィ
ルムを剥がした後、スルーホールの内壁を保護しつつ、
両面の銅箔をサブストラクト法によりそれぞれパターニ
ングして上層導体回路層と下層導体回路層とを形成し、
次にそれらの表面に、シングルアクセスタイプの片面フ
レキシブル配線板の場合と同様にカバーレイを積層す
る。これによりダブルアクセスタイプの両面フレキシブ
ル配線板が作製されている。
常、次に説明するように作製されている。即ち、ポリイ
ミドフィルムの両面に銅箔が貼り合わされた両面銅張り
フィルムにＮＣドリルで貫通孔を開け、ランドとなる領
域以外をレジストフィルムで被覆した後に貫通孔内壁面
に無電解銅メッキ薄膜を形成し、更に電解銅メッキで銅
を厚付けしてスルーホールとする。次に、レジストフィ
ルムを剥がした後、スルーホールの内壁を保護しつつ、
両面の銅箔をサブストラクト法によりそれぞれパターニ
ングして上層導体回路層と下層導体回路層とを形成し、
次にそれらの表面に、シングルアクセスタイプの片面フ
レキシブル配線板の場合と同様にカバーレイを積層す
る。これによりダブルアクセスタイプの両面フレキシブ
ル配線板が作製されている。
【０００７】また、最近、片面フレキシブル配線板をダ
ブルアクセス配線板にすることも試みられており、次に
説明するように作製されている。即ち、銅箔にポリアミ
ック酸ワニスを塗布し乾燥してポリアミック酸層を形成
し、当該ポリアミック酸層をフォトリソグラフ法により
パターニングしてランドアクセス用開孔部を設け、さら
にイミド化してポリイミド絶縁層とし、その銅箔をサブ
ストラクト法によりパターニングして導体回路層を形成
し、その導体回路層上に、シングルアクセスタイプの片
面フレキシブル配線板の場合と同様にカバーレイを積層
する。これによりダブルアクセスタイプの片面フレキシ
ブル配線板が作製されている。
ブルアクセス配線板にすることも試みられており、次に
説明するように作製されている。即ち、銅箔にポリアミ
ック酸ワニスを塗布し乾燥してポリアミック酸層を形成
し、当該ポリアミック酸層をフォトリソグラフ法により
パターニングしてランドアクセス用開孔部を設け、さら
にイミド化してポリイミド絶縁層とし、その銅箔をサブ
ストラクト法によりパターニングして導体回路層を形成
し、その導体回路層上に、シングルアクセスタイプの片
面フレキシブル配線板の場合と同様にカバーレイを積層
する。これによりダブルアクセスタイプの片面フレキシ
ブル配線板が作製されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
シングルアクセスタイプの片面フレキシブル配線板の製
造において、予めランドアクセス用開孔部を設ける際に
金型を使用したカバーレイフィルムを積層する場合、微
細な配線パターニング加工が困難であり、位置精度も十
分ではなく、しかも開孔部の形状が実質的に丸型に限定
され、形状の自由度が低く、そのためにはんだ付け面積
（ランド面積）の拡大が困難であるという問題がある。
また、カバーレイフィルムを導体回路層上に積層すると
きに、接着剤がランドにはみ出し、ランドの導通信頼性
を低下させるという問題がある。特に、微細ランドの場
合にはランドが接着剤で完全に塞がれ、導通が確保でき
ないという状況も生じうる。
シングルアクセスタイプの片面フレキシブル配線板の製
造において、予めランドアクセス用開孔部を設ける際に
金型を使用したカバーレイフィルムを積層する場合、微
細な配線パターニング加工が困難であり、位置精度も十
分ではなく、しかも開孔部の形状が実質的に丸型に限定
され、形状の自由度が低く、そのためにはんだ付け面積
（ランド面積）の拡大が困難であるという問題がある。
また、カバーレイフィルムを導体回路層上に積層すると
きに、接着剤がランドにはみ出し、ランドの導通信頼性
を低下させるという問題がある。特に、微細ランドの場
合にはランドが接着剤で完全に塞がれ、導通が確保でき
ないという状況も生じうる。
【０００９】また、エポキシ系レジストインクをランド
アクセス用開孔部パターンにスクリーン印刷することに
よりカバーレイを積層する場合、エポキシ系樹脂を主成
分とするために、得られるフィルムの柔軟性が十分でな
いという問題がある。ポリイミド系レジストインクを使
用することも考えられるが、吸湿性が高いために印刷作
業性が低く、印刷厚さのコントロール性が不十分である
という問題がある。しかも、印刷では開孔部パターンを
今まで以上に十分に微細化することは非常に困難である
という問題もある。
アクセス用開孔部パターンにスクリーン印刷することに
よりカバーレイを積層する場合、エポキシ系樹脂を主成
分とするために、得られるフィルムの柔軟性が十分でな
いという問題がある。ポリイミド系レジストインクを使
用することも考えられるが、吸湿性が高いために印刷作
業性が低く、印刷厚さのコントロール性が不十分である
という問題がある。しかも、印刷では開孔部パターンを
今まで以上に十分に微細化することは非常に困難である
という問題もある。
【００１０】また、カバーレイを積層するために、ポリ
イミド樹脂フィルムを貼り合わせた後にそのフィルムに
ランドアクセス用開孔部をエッチング液処理により形成
する場合、エッチング液として高価な強塩基性の試薬
（アルカリ系ヒドラジン水溶液）を使用する必要があ
り、エッチング廃液の処理も含めたエッチングコストを
低減し難いという問題がある。また、レーザー光照射処
理によりランドアクセス用開孔部を形成する場合、単孔
処理であるため生産性が低く、また、ランドに焼成異物
が付着しやすいために過マンガン酸カリ溶液処理を施す
必要があり、生産コストが上昇するという問題もある。
イミド樹脂フィルムを貼り合わせた後にそのフィルムに
ランドアクセス用開孔部をエッチング液処理により形成
する場合、エッチング液として高価な強塩基性の試薬
（アルカリ系ヒドラジン水溶液）を使用する必要があ
り、エッチング廃液の処理も含めたエッチングコストを
低減し難いという問題がある。また、レーザー光照射処
理によりランドアクセス用開孔部を形成する場合、単孔
処理であるため生産性が低く、また、ランドに焼成異物
が付着しやすいために過マンガン酸カリ溶液処理を施す
必要があり、生産コストが上昇するという問題もある。
【００１１】一方、ダブルアクセスタイプの両面フレキ
シブル配線板の製造において、両面銅張りフィルムにＮ
Ｃドリルで貫通孔を開ける場合、ＮＣドリル装置の導入
に大きな設備投資が必要となり、しかも貫通孔を一つず
つ開孔するために生産性が低いという問題がある。しか
も、貫通孔の開孔端表面にバリが発生し易く、開孔形状
も一定しないという問題もある。更に、切削粉が貫通孔
内壁に付着し、スルーホールの導通信頼性を低下させる
という問題もある。更に、両面フレキシブル配線板の総
厚が厚くなりすぎると言う問題もある。
シブル配線板の製造において、両面銅張りフィルムにＮ
Ｃドリルで貫通孔を開ける場合、ＮＣドリル装置の導入
に大きな設備投資が必要となり、しかも貫通孔を一つず
つ開孔するために生産性が低いという問題がある。しか
も、貫通孔の開孔端表面にバリが発生し易く、開孔形状
も一定しないという問題もある。更に、切削粉が貫通孔
内壁に付着し、スルーホールの導通信頼性を低下させる
という問題もある。更に、両面フレキシブル配線板の総
厚が厚くなりすぎると言う問題もある。
【００１２】このため、ダブルアクセスタイプのフレキ
シブル配線板として、両面フレキシブル配線板を前述し
た片面フレキシブル配線板に置き換えることが試みられ
ているが、ポリアミック酸層のイミド化後に銅箔をパタ
ーニングするので、銅箔のパターン除去に伴って導体回
路層とポリイミド膜とからなる積層体にカールが生じる
という問題がある。また、カバーレイを積層するに際
し、上述のシングルアクセスタイプの片面フレキシブル
配線板の場合と同様な問題がある。
シブル配線板として、両面フレキシブル配線板を前述し
た片面フレキシブル配線板に置き換えることが試みられ
ているが、ポリアミック酸層のイミド化後に銅箔をパタ
ーニングするので、銅箔のパターン除去に伴って導体回
路層とポリイミド膜とからなる積層体にカールが生じる
という問題がある。また、カバーレイを積層するに際
し、上述のシングルアクセスタイプの片面フレキシブル
配線板の場合と同様な問題がある。
【００１３】本発明は、以上の従来の技術の課題を解決
しようとするものであり、シングルアクセスタイプある
いはダブルアクセスタイプの片面のフレキシブル配線板
を、低い生産コスト、微細配線パターンで且つ良好な位
置精度でカールも抑制しながら製造できるようにし、し
かも開孔部の形状の自由度を高めてはんだ付け面積（ラ
ンド面積）の拡大を可能にすると共に、ランドの導通信
頼性を低下させずにカバーレイフィルムもしくはそれに
相当する絶縁層を導体回路層上に形成できるようにする
ことを目的とする。
しようとするものであり、シングルアクセスタイプある
いはダブルアクセスタイプの片面のフレキシブル配線板
を、低い生産コスト、微細配線パターンで且つ良好な位
置精度でカールも抑制しながら製造できるようにし、し
かも開孔部の形状の自由度を高めてはんだ付け面積（ラ
ンド面積）の拡大を可能にすると共に、ランドの導通信
頼性を低下させずにカバーレイフィルムもしくはそれに
相当する絶縁層を導体回路層上に形成できるようにする
ことを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、i)ポリアミ
ック酸等のポリイミド前駆体が、安価なアルカリエッチ
ング液を利用するフォトリソグラフ法により、低いコス
ト、微細配線パターン、良好な位置精度、高い自由度で
パターニングできること、ii)ポリイミド前駆体が銅箔
のパターニング条件に耐性を有すること、iii)従って、
ポリイミド前駆体をイミド化したポリイミド膜をシング
ルアクセスもしくはダブルアクセスタイプの片面フレキ
シブル配線板の絶縁層として利用した場合、ポリイミド
前駆体層のイミド化前に銅箔をパターニングでき、結果
的にランドの導通信頼性を低下させずにカバーレイフィ
ルムに相当するポリイミド絶縁層を導体回路層上に形成
できることを見出し、上記の目的を達成する本発明を完
成させるに至った。
ック酸等のポリイミド前駆体が、安価なアルカリエッチ
ング液を利用するフォトリソグラフ法により、低いコス
ト、微細配線パターン、良好な位置精度、高い自由度で
パターニングできること、ii)ポリイミド前駆体が銅箔
のパターニング条件に耐性を有すること、iii)従って、
ポリイミド前駆体をイミド化したポリイミド膜をシング
ルアクセスもしくはダブルアクセスタイプの片面フレキ
シブル配線板の絶縁層として利用した場合、ポリイミド
前駆体層のイミド化前に銅箔をパターニングでき、結果
的にランドの導通信頼性を低下させずにカバーレイフィ
ルムに相当するポリイミド絶縁層を導体回路層上に形成
できることを見出し、上記の目的を達成する本発明を完
成させるに至った。
【００１５】即ち、本発明は、ランドアクセス用開孔部
が設けられたポリイミド絶縁層とその上の導体回路層と
からなる、シングルアクセスタイプのフレキシブル回線
板の製造方法において、以下の工程（ａ）〜（ｄ）： （ａ） 導体回路用金属箔の片面にポリイミド前駆体ワ
ニスを塗布し、乾燥してポリイミド前駆体層を形成する
工程； （ｂ） ポリイミド前駆体層にフォトリソグラフ法によ
りランドアクセス用開孔部を設ける工程； （ｃ） 導体回路用金属箔をサブストラクト法によりパ
ターニングして導体回路層を形成する工程； 及び （ｄ） ポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド
絶縁層を形成する工程を含んでなることを特徴とする製
造方法を提供する。
が設けられたポリイミド絶縁層とその上の導体回路層と
からなる、シングルアクセスタイプのフレキシブル回線
板の製造方法において、以下の工程（ａ）〜（ｄ）： （ａ） 導体回路用金属箔の片面にポリイミド前駆体ワ
ニスを塗布し、乾燥してポリイミド前駆体層を形成する
工程； （ｂ） ポリイミド前駆体層にフォトリソグラフ法によ
りランドアクセス用開孔部を設ける工程； （ｃ） 導体回路用金属箔をサブストラクト法によりパ
ターニングして導体回路層を形成する工程； 及び （ｄ） ポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド
絶縁層を形成する工程を含んでなることを特徴とする製
造方法を提供する。
【００１６】また、本発明は、ランドアクセス用開孔部
がそれぞれ設けられた第１ポリイミド絶縁層と第２ポリ
イミド絶縁層と、それらの間に挟持された導体回路層と
からなる、ダブルアクセスタイプのフレキシブル回線板
の製造方法において、以下の工程（ａａ）〜（ｆｆ）： （ａａ） 導体回路用金属箔の片面にポリイミド前駆体
ワニスを塗布し、乾燥して第１ポリイミド前駆体層を形
成する工程； （ｂｂ） ポリイミド前駆体層にフォトリソグラフ法に
よりランドアクセス用開孔部を設ける工程； （ｃｃ） 導体回路用金属箔をサブストラクト法により
パターニングして導体回路層を形成する工程； （ｄｄ） 導体回路層上にポリイミド前駆体層ワニスを
塗布し、乾燥して第２ポリイミド前駆体層を形成する工
程； （ｅｅ） 第２ポリイミド前駆体層にフォトリソグラフ
法によりランドアクセス用開孔部を設ける工程； 及び （ｆｆ） 第１及び第２ポリイミド前駆体層をイミド化
してそれぞれ第１及び第２ポリイミド絶縁層を形成する
工程を含んでなることを特徴とする製造方法を提供す
る。
がそれぞれ設けられた第１ポリイミド絶縁層と第２ポリ
イミド絶縁層と、それらの間に挟持された導体回路層と
からなる、ダブルアクセスタイプのフレキシブル回線板
の製造方法において、以下の工程（ａａ）〜（ｆｆ）： （ａａ） 導体回路用金属箔の片面にポリイミド前駆体
ワニスを塗布し、乾燥して第１ポリイミド前駆体層を形
成する工程； （ｂｂ） ポリイミド前駆体層にフォトリソグラフ法に
よりランドアクセス用開孔部を設ける工程； （ｃｃ） 導体回路用金属箔をサブストラクト法により
パターニングして導体回路層を形成する工程； （ｄｄ） 導体回路層上にポリイミド前駆体層ワニスを
塗布し、乾燥して第２ポリイミド前駆体層を形成する工
程； （ｅｅ） 第２ポリイミド前駆体層にフォトリソグラフ
法によりランドアクセス用開孔部を設ける工程； 及び （ｆｆ） 第１及び第２ポリイミド前駆体層をイミド化
してそれぞれ第１及び第２ポリイミド絶縁層を形成する
工程を含んでなることを特徴とする製造方法を提供す
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】まず、シングルアクセスタイプの
本発明のフレキシブル配線板の製造方法について、図１
を参照しながら工程毎に説明する。
本発明のフレキシブル配線板の製造方法について、図１
を参照しながら工程毎に説明する。
【００１８】工程（ａ） 導体回路用金属箔１の片面にポリイミド前駆体ワニスを
塗布し、乾燥してポリイミド前駆体層２を形成する（図
１（ａ））。
塗布し、乾燥してポリイミド前駆体層２を形成する（図
１（ａ））。
【００１９】具体的には、導体回路用金属箔１の片面
に、ポリイミド前駆体をＮ−メチル−２−ピロリドン等
に溶解したポリイミド前駆体ワニスを、コンマコータ
ー、ナイフコーター、ロールコーター、リップコータ
ー、ダイコーター等により塗工し、層間密着強度の低下
や後工程での発泡の発生を防止するために残存揮発分
（溶剤、縮合により生ずる水など）含有量（ポリイミド
前駆体膜中の全揮発成分の重量百分率（重量％））を３
０〜５０重量％の範囲内に収まるように、加熱乾燥して
ポリイミド前駆体膜２を作製する。
に、ポリイミド前駆体をＮ−メチル−２−ピロリドン等
に溶解したポリイミド前駆体ワニスを、コンマコータ
ー、ナイフコーター、ロールコーター、リップコータ
ー、ダイコーター等により塗工し、層間密着強度の低下
や後工程での発泡の発生を防止するために残存揮発分
（溶剤、縮合により生ずる水など）含有量（ポリイミド
前駆体膜中の全揮発成分の重量百分率（重量％））を３
０〜５０重量％の範囲内に収まるように、加熱乾燥して
ポリイミド前駆体膜２を作製する。
【００２０】なお、この乾燥中に、ポリイミド前駆体の
一部がイミド化するが、乾燥後のポリイミド前駆体層２
のイミド化率が５０％を超えないようにする。５０％を
超えると、アルカリエッチング液を利用するフォトリソ
グラフ法でポリイミド前駆体層２を、微細、高精度且つ
低コストでパターニングすることが困難になる。
一部がイミド化するが、乾燥後のポリイミド前駆体層２
のイミド化率が５０％を超えないようにする。５０％を
超えると、アルカリエッチング液を利用するフォトリソ
グラフ法でポリイミド前駆体層２を、微細、高精度且つ
低コストでパターニングすることが困難になる。
【００２１】ポリイミド前駆体層２の厚みは、薄すぎる
と機械的強度が弱くなり、厚すぎるとイミド化後のポリ
イミド絶縁層が硬くなり、フレキシブル配線板を所定の
大きさのロール巻きにできなくなるので、好ましくは１
０〜７５μｍである。
と機械的強度が弱くなり、厚すぎるとイミド化後のポリ
イミド絶縁層が硬くなり、フレキシブル配線板を所定の
大きさのロール巻きにできなくなるので、好ましくは１
０〜７５μｍである。
【００２２】また、ポリイミド前駆体層２を構成するポ
リイミド前駆体としては、フレキシブル配線板のカール
を防止するために、イミド化後のポリイミド絶縁膜の熱
線膨張係数が、イミド化条件下でアニールされた導体回
路用金属箔１の熱線膨張係数と略同一となるようなもの
を使用することが好ましい。
リイミド前駆体としては、フレキシブル配線板のカール
を防止するために、イミド化後のポリイミド絶縁膜の熱
線膨張係数が、イミド化条件下でアニールされた導体回
路用金属箔１の熱線膨張係数と略同一となるようなもの
を使用することが好ましい。
【００２３】ここで、ポリイミド前駆体としては、酸二
無水物とジアミンとから得られるポリアミック酸類（特
開昭６０−１５７２８６号公報、特開昭６０−２４３１
２０号公報、特開昭６３−２３９９９８号公報、特開平
１−２４５５８６号公報、特開平３−１２３０９３号公
報、特開平５−１３９０２７号公報参照）、過剰な酸二
無水物とジアミンとから合成した末端が酸二無水物であ
るポリアミック酸プレポリマーとジイソシアネート化合
物とから得られるイミド環を有するポリアミック酸類
（ポリアミド樹脂ハンドブック，日刊工業新聞社発行
（５３６頁，１９８８年）；高分子討論集，４７
（６），１９９０参照）等を使用することができる。中
でも、酸二無水物とジアミンとから得られるポリアミッ
ク酸類を好ましく使用することができる。
無水物とジアミンとから得られるポリアミック酸類（特
開昭６０−１５７２８６号公報、特開昭６０−２４３１
２０号公報、特開昭６３−２３９９９８号公報、特開平
１−２４５５８６号公報、特開平３−１２３０９３号公
報、特開平５−１３９０２７号公報参照）、過剰な酸二
無水物とジアミンとから合成した末端が酸二無水物であ
るポリアミック酸プレポリマーとジイソシアネート化合
物とから得られるイミド環を有するポリアミック酸類
（ポリアミド樹脂ハンドブック，日刊工業新聞社発行
（５３６頁，１９８８年）；高分子討論集，４７
（６），１９９０参照）等を使用することができる。中
でも、酸二無水物とジアミンとから得られるポリアミッ
ク酸類を好ましく使用することができる。
【００２４】ここで、酸二無水物の例としては、ピロメ
リット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，４，３′，４′−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、
３，４，３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物（ＢＴＤＡ）、３，３′，４，４′−ジフェニ
ルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）が好
ましく挙げられる。また、ジアミンの例としては、４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＰＥ）、パラフ
ェニレンジアミン（ＰＤＡ）、４，４′−ジアミノベン
ズアニリド（ＤＡＢＡ）、４，４′−ビス（ｐ−アミノ
フェノキシ）ジフェニルスルホン（ＢＡＰＳ）が好まし
く挙げられる。
リット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，４，３′，４′−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、
３，４，３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物（ＢＴＤＡ）、３，３′，４，４′−ジフェニ
ルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）が好
ましく挙げられる。また、ジアミンの例としては、４，
４′−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＰＥ）、パラフ
ェニレンジアミン（ＰＤＡ）、４，４′−ジアミノベン
ズアニリド（ＤＡＢＡ）、４，４′−ビス（ｐ−アミノ
フェノキシ）ジフェニルスルホン（ＢＡＰＳ）が好まし
く挙げられる。
【００２５】導体回路用金属箔１としては、従来のフレ
キシブル配線板で用いられているものと同様のものを使
用することができる、例えば、電解銅箔、ＳＵＳ３０４
箔、ＳＵＳ４３０箔、アルミニウム箔、ベリリウム箔、
リン青銅箔等を挙げることができる。
キシブル配線板で用いられているものと同様のものを使
用することができる、例えば、電解銅箔、ＳＵＳ３０４
箔、ＳＵＳ４３０箔、アルミニウム箔、ベリリウム箔、
リン青銅箔等を挙げることができる。
【００２６】なお、導体回路用金属箔１の厚みは、通
常、８〜３５μｍである。
常、８〜３５μｍである。
【００２７】工程（ｂ） 次に、ポリイミド前駆体層２に、微細で且つ良好な位置
精度でパターニングが可能なフォトリソグラフ法により
ランドアクセス用開孔部３を設ける（図１（ｂ））。
精度でパターニングが可能なフォトリソグラフ法により
ランドアクセス用開孔部３を設ける（図１（ｂ））。
【００２８】具体的には、ポリイミド前駆体層２上に、
ランドアクセス用開孔部パターンレジスト層を形成し、
アルカリエッチング液でポリイミド前駆体層２をエッチ
ングしてランドアクセス用開孔部３を設け、その後でラ
ンドアクセス用開孔部パターンレジスト層を剥離すれば
よい。
ランドアクセス用開孔部パターンレジスト層を形成し、
アルカリエッチング液でポリイミド前駆体層２をエッチ
ングしてランドアクセス用開孔部３を設け、その後でラ
ンドアクセス用開孔部パターンレジスト層を剥離すれば
よい。
【００２９】工程（ｃ） 次に、導体回路用金属箔１を、微細で且つ良好な位置精
度でパターニングが可能なフォトリソグラフ技術を利用
するサブストラクト法によりパターニングして導体回路
層４を形成する（図１（ｃ））。具体的には、ランドア
クセス用開孔部３が設けられたポリイミド前駆体層２の
表面を保護フィルム（好ましくは軽剥離性の弱粘着テー
プ）で被覆した後、導体回路用金属箔１上に導体回路パ
ターンレジスト層を形成し、塩化第２銅水溶液等のエッ
チング液で導体回路用金属箔１をエッチングして導体回
路層４を形成し、その後、導体回路パターンレジスト層
と保護フィルムとを剥離すればよい。
度でパターニングが可能なフォトリソグラフ技術を利用
するサブストラクト法によりパターニングして導体回路
層４を形成する（図１（ｃ））。具体的には、ランドア
クセス用開孔部３が設けられたポリイミド前駆体層２の
表面を保護フィルム（好ましくは軽剥離性の弱粘着テー
プ）で被覆した後、導体回路用金属箔１上に導体回路パ
ターンレジスト層を形成し、塩化第２銅水溶液等のエッ
チング液で導体回路用金属箔１をエッチングして導体回
路層４を形成し、その後、導体回路パターンレジスト層
と保護フィルムとを剥離すればよい。
【００３０】本発明において、ポリイミド前駆体層２の
イミド化（後述する工程（ｄ））の前に導体回路用金属
箔１をパターニングする理由は、以下の通りである。
イミド化（後述する工程（ｄ））の前に導体回路用金属
箔１をパターニングする理由は、以下の通りである。
【００３１】即ち、ポリイミド前駆体層２のイミド化
（後述する工程（ｄ））後に導体回路用金属箔１をパタ
ーニングした場合には、導体回路用金属箔１のパターン
レジスト層除去に伴って導体回路とポリイミド膜とから
なる積層体にカールが生じる。しかし、ポリイミド前駆
体層２をイミド化する前に導体回路用金属箔１をパター
ニングすることにより、導体回路用金属箔１のパターニ
ングにより熱可塑性のポリイミド前駆体層２にストレス
がかかっても、イミド化のための加熱処理時に先ずその
ストレスが緩和されつつイミド化され、しかもポリイミ
ド前駆体層２に接している導体回路層４の面積が相対的
に小さくなり、その結果導体回路層４の熱膨張係数の影
響も相対的に小さくなる。従って、そのようなカールの
発生を防止もしくは大幅に抑制することができる。
（後述する工程（ｄ））後に導体回路用金属箔１をパタ
ーニングした場合には、導体回路用金属箔１のパターン
レジスト層除去に伴って導体回路とポリイミド膜とから
なる積層体にカールが生じる。しかし、ポリイミド前駆
体層２をイミド化する前に導体回路用金属箔１をパター
ニングすることにより、導体回路用金属箔１のパターニ
ングにより熱可塑性のポリイミド前駆体層２にストレス
がかかっても、イミド化のための加熱処理時に先ずその
ストレスが緩和されつつイミド化され、しかもポリイミ
ド前駆体層２に接している導体回路層４の面積が相対的
に小さくなり、その結果導体回路層４の熱膨張係数の影
響も相対的に小さくなる。従って、そのようなカールの
発生を防止もしくは大幅に抑制することができる。
【００３２】工程（ｄ） 次に、ポリイミド前駆体層２をイミド化してポリイミド
絶縁層５を形成する。一応、この段階の構造でダブルア
クセス用配線板としても使用可能であるが、ポリイミド
絶縁層５の形成後に、導体回路層上に公知の絶縁性保護
層６を形成してシングルアクセス用配線板とすることが
好ましい（図１（ｅ））。
絶縁層５を形成する。一応、この段階の構造でダブルア
クセス用配線板としても使用可能であるが、ポリイミド
絶縁層５の形成後に、導体回路層上に公知の絶縁性保護
層６を形成してシングルアクセス用配線板とすることが
好ましい（図１（ｅ））。
【００３３】このように、シングルアクセスタイプのフ
レキシブル配線板が、低い生産コストで、微細配線パタ
ーンで且つ良好な位置精度で製造できる。しかもランド
アクセス用開孔部の形状の自由度が高く、そのためはん
だ付け面積（ランド面積）の拡大が可能となる。結果的
に、ランドの導通信頼性を低下させずにカバーレイフィ
ルムに相当するポリイミド絶縁層を導体回路層上に形成
できる。
レキシブル配線板が、低い生産コストで、微細配線パタ
ーンで且つ良好な位置精度で製造できる。しかもランド
アクセス用開孔部の形状の自由度が高く、そのためはん
だ付け面積（ランド面積）の拡大が可能となる。結果的
に、ランドの導通信頼性を低下させずにカバーレイフィ
ルムに相当するポリイミド絶縁層を導体回路層上に形成
できる。
【００３４】次に、ダブルアクセスタイプの本発明のフ
レキシブル配線板の製造方法について、図２を参照しな
がら工程毎に説明する。
レキシブル配線板の製造方法について、図２を参照しな
がら工程毎に説明する。
【００３５】工程（ａａ） 図１（ａ）に示したシングルアクセスタイプのフレキシ
ブル配線板の製造工程（ａ）に準じ、導体回路用金属箔
２１の片面にポリイミド前駆体ワニスを塗布し、乾燥し
て第１ポリイミド前駆体層２２を形成する（図２
（ａ））。
ブル配線板の製造工程（ａ）に準じ、導体回路用金属箔
２１の片面にポリイミド前駆体ワニスを塗布し、乾燥し
て第１ポリイミド前駆体層２２を形成する（図２
（ａ））。
【００３６】工程（ｂｂ） 図１（ｂ）に示したシングルアクセスタイプのフレキシ
ブル配線板の製造工程（ｂ）に準じ、第１ポリイミド前
駆体層２２に微細で且つ良好な位置精度でパターニング
が可能なフォトリソグラフ法によりランドアクセス用開
孔部２３を設ける（図２（ｂ））。
ブル配線板の製造工程（ｂ）に準じ、第１ポリイミド前
駆体層２２に微細で且つ良好な位置精度でパターニング
が可能なフォトリソグラフ法によりランドアクセス用開
孔部２３を設ける（図２（ｂ））。
【００３７】工程（ｃｃ） 図１（ｃ）に示したシングルアクセスタイプのフレキシ
ブル配線板の製造工程（ｃ）に準じ導体回路用金属箔
を、微細で且つ良好な位置精度でパターニングが可能な
フォトリソグラフ技術を利用するサブストラクト法によ
りパターニングして導体回路層２４を形成する（図２
（ｃ））。
ブル配線板の製造工程（ｃ）に準じ導体回路用金属箔
を、微細で且つ良好な位置精度でパターニングが可能な
フォトリソグラフ技術を利用するサブストラクト法によ
りパターニングして導体回路層２４を形成する（図２
（ｃ））。
【００３８】工程（ｄｄ） 図１（ａ）に示したシングルアクセスタイプのフレキシ
ブル配線板の製造工程（ａ）に準じ、導体回路層２４上
（第１ポリイミド前駆体層２２が形成されている面とは
反対側面）にポリイミド前駆体層ワニスを塗布して第２
ポリイミド前駆体層２５を形成する（図２（ｄ））。
ブル配線板の製造工程（ａ）に準じ、導体回路層２４上
（第１ポリイミド前駆体層２２が形成されている面とは
反対側面）にポリイミド前駆体層ワニスを塗布して第２
ポリイミド前駆体層２５を形成する（図２（ｄ））。
【００３９】なお、第１ポリイミド前駆体層２２及び第
２ポリイミド前駆体層２５のイミド化率は、それぞれ５
０％以下が好ましい。これにより、それらの間の密着強
度を非常に高めることができ、配線板の信頼性も向上す
る。
２ポリイミド前駆体層２５のイミド化率は、それぞれ５
０％以下が好ましい。これにより、それらの間の密着強
度を非常に高めることができ、配線板の信頼性も向上す
る。
【００４０】工程（ｅｅ） 図１（ｂ）に示したシングルアクセスタイプのフレキシ
ブル配線板の製造工程（ｂ）に準じ、第２ポリイミド前
駆体層２５に、微細で且つ良好な位置精度でパターニン
グが可能なフォトリソグラフ法によりランドアクセス用
開孔部２６を設ける（図２（ｅ））。
ブル配線板の製造工程（ｂ）に準じ、第２ポリイミド前
駆体層２５に、微細で且つ良好な位置精度でパターニン
グが可能なフォトリソグラフ法によりランドアクセス用
開孔部２６を設ける（図２（ｅ））。
【００４１】工程（ｆｆ） 図１（ｄ）に示したシングルアクセスタイプのフレキシ
ブル配線板の製造工程（ｄ）に準じ、第１ポリイミド前
駆体層２２及び第２ポリイミド前駆体層２５をイミド化
してそれぞれ第１ポリイミド絶縁層２７及び第２ポリイ
ミド絶縁層２８を形成する（図２（ｆ））。
ブル配線板の製造工程（ｄ）に準じ、第１ポリイミド前
駆体層２２及び第２ポリイミド前駆体層２５をイミド化
してそれぞれ第１ポリイミド絶縁層２７及び第２ポリイ
ミド絶縁層２８を形成する（図２（ｆ））。
【００４２】これにより、ダブルアクセスタイプのフレ
キシブル配線板が、低い生産コスト、微細配線パターン
で且つ良好な位置精度で製造できる。しかも開孔部の形
状の自由度が高く、そのためはんだ付け面積（ランド面
積）の拡大が可能となる。結果的に、ランドの導通信頼
性を低下させずにカバーレイフィルムを導体回路層上に
積層できる。更に、導体回路層２４の両側のポリイミド
絶縁層の熱線膨張係数を略同一にすることにより、導体
回路層２４の熱線膨張係数の大きさによらず、配線板の
カールの発生を防止もしくは大幅に抑制することができ
る。
キシブル配線板が、低い生産コスト、微細配線パターン
で且つ良好な位置精度で製造できる。しかも開孔部の形
状の自由度が高く、そのためはんだ付け面積（ランド面
積）の拡大が可能となる。結果的に、ランドの導通信頼
性を低下させずにカバーレイフィルムを導体回路層上に
積層できる。更に、導体回路層２４の両側のポリイミド
絶縁層の熱線膨張係数を略同一にすることにより、導体
回路層２４の熱線膨張係数の大きさによらず、配線板の
カールの発生を防止もしくは大幅に抑制することができ
る。
【００４３】
【実施例】以下、本発明を具体的に説明する。
【００４４】参考例Ａ１ 温度コントロラーとジャケット付きの６０リットルの反
応釜に、パラフェニレンジアミン（ＰＤＡ、三井化学社
製）１．０５ｋｇ（１１．２モル）と、４，４′−ジア
ミノジフェニルエーテル（ＤＰＥ、和歌山精化社製）
０．８６ｋｇ（４．８モル）とを、窒素ガス雰囲気下で
溶剤Ｎ−メチル−ピロリドン（ＮＭＰ、三菱化学社製）
約４５ｋｇに溶解した。その後、５０℃において、ピロ
メリット酸二無水物（ＰＭＤＡ、三菱瓦斯化学社製）
３．５２３ｋｇ（１６．１４モル）を徐々に加えなが
ら、３時間反応させた。これにより、固形分約１２％、
粘度２５Ｐａ・Ｓ（２５℃）のポリアミック酸ワニスを
調製した。
応釜に、パラフェニレンジアミン（ＰＤＡ、三井化学社
製）１．０５ｋｇ（１１．２モル）と、４，４′−ジア
ミノジフェニルエーテル（ＤＰＥ、和歌山精化社製）
０．８６ｋｇ（４．８モル）とを、窒素ガス雰囲気下で
溶剤Ｎ−メチル−ピロリドン（ＮＭＰ、三菱化学社製）
約４５ｋｇに溶解した。その後、５０℃において、ピロ
メリット酸二無水物（ＰＭＤＡ、三菱瓦斯化学社製）
３．５２３ｋｇ（１６．１４モル）を徐々に加えなが
ら、３時間反応させた。これにより、固形分約１２％、
粘度２５Ｐａ・Ｓ（２５℃）のポリアミック酸ワニスを
調製した。
【００４５】得られたポリアミック酸ワニスを銅箔の上
に塗布し、８０〜１７０℃の連続炉で溶剤を飛散させた
後、雰囲気温度を２３０〜３５０℃まで昇温し、３５０
℃で３０分間処理してイミド化した。そして銅箔を塩化
第２銅水溶液でエッチング除去することにより２５μｍ
厚の単層ポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミ
ドフィルムの熱線膨張係数（使用測定装置：サーマルメ
カニカルアナライザー（ＴＭＡ／ＳＣＣ１５０ＣＵ、Ｓ
ＩＩ社製（引張法：使用荷重２．５ｇ〜５ｇ））は２２
×１０-6／Ｋであった。
に塗布し、８０〜１７０℃の連続炉で溶剤を飛散させた
後、雰囲気温度を２３０〜３５０℃まで昇温し、３５０
℃で３０分間処理してイミド化した。そして銅箔を塩化
第２銅水溶液でエッチング除去することにより２５μｍ
厚の単層ポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミ
ドフィルムの熱線膨張係数（使用測定装置：サーマルメ
カニカルアナライザー（ＴＭＡ／ＳＣＣ１５０ＣＵ、Ｓ
ＩＩ社製（引張法：使用荷重２．５ｇ〜５ｇ））は２２
×１０-6／Ｋであった。
【００４６】参考例Ａ２ パラフェニレンジアミン（ＰＤＡ、三井化学社製）を
５．１７５ｋｇ（７．２モル）使用し、且つ４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル（ＤＰＥ、和歌山精化社
製）を１．５７７ｋｇ（８．８モル）使用する以外は、
参考例Ａ１の操作を繰り返すことによりポリアミック酸
ワニスを調整した。このポリアミック酸ワニスから得ら
れる単層ポリイミドフィルムの熱線膨張係数は３１×１
０-6／Ｋであった。
５．１７５ｋｇ（７．２モル）使用し、且つ４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル（ＤＰＥ、和歌山精化社
製）を１．５７７ｋｇ（８．８モル）使用する以外は、
参考例Ａ１の操作を繰り返すことによりポリアミック酸
ワニスを調整した。このポリアミック酸ワニスから得ら
れる単層ポリイミドフィルムの熱線膨張係数は３１×１
０-6／Ｋであった。
【００４７】実施例１ （シングルアクセスタイプのフレキシブル配線板の製
造）１８μｍ厚，５４０ｍｍ幅の電解銅箔（ＣＦ−Ｔ９
−ＬＰ、福田金属社製）上に、参考例Ａ１のポリアミッ
ク酸ワニスを乾燥厚２５μｍとなるように塗布し、２３
０℃の連続炉中で加熱処理することにより乾燥し、ポリ
イミド前駆体層を形成した。このポリイミド前駆体層の
残存揮発分含量は３８．５％であり、赤外線スペクトル
分析によるイミド化率は２０．５％であった。
造）１８μｍ厚，５４０ｍｍ幅の電解銅箔（ＣＦ−Ｔ９
−ＬＰ、福田金属社製）上に、参考例Ａ１のポリアミッ
ク酸ワニスを乾燥厚２５μｍとなるように塗布し、２３
０℃の連続炉中で加熱処理することにより乾燥し、ポリ
イミド前駆体層を形成した。このポリイミド前駆体層の
残存揮発分含量は３８．５％であり、赤外線スペクトル
分析によるイミド化率は２０．５％であった。
【００４８】次に、このポリイミド前駆体層上に、良好
な耐アルカリ性のフォトレジスト（ＮＲ−４１，ソニー
ケミカル社製）を、溶剤乾燥後の厚さが１０μｍとなる
ように塗布し、ランドアクセス用開孔部パターンに対応
したパターンに露光現像してエッチングレジスト層を形
成し、１０％水酸化カリウム水溶液と温水とで、ポリイ
ミド前駆体層を銅箔が露出するまでエッチングし、種々
の形状（円形、矩形等）のランドアクセス用開孔部を形
成した。その後、常法によりエッチングレジスト層を除
去した。
な耐アルカリ性のフォトレジスト（ＮＲ−４１，ソニー
ケミカル社製）を、溶剤乾燥後の厚さが１０μｍとなる
ように塗布し、ランドアクセス用開孔部パターンに対応
したパターンに露光現像してエッチングレジスト層を形
成し、１０％水酸化カリウム水溶液と温水とで、ポリイ
ミド前駆体層を銅箔が露出するまでエッチングし、種々
の形状（円形、矩形等）のランドアクセス用開孔部を形
成した。その後、常法によりエッチングレジスト層を除
去した。
【００４９】なお、ランドアクセス用開孔部の底部の銅
箔を光学顕微鏡で観察したところ、溶解しなかったポリ
アミック酸樹脂は存在しなかった。
箔を光学顕微鏡で観察したところ、溶解しなかったポリ
アミック酸樹脂は存在しなかった。
【００５０】次に、ランドアクセス用開孔部が設けられ
たポリイミド前駆体層の表面を、保護フィルムとして軽
剥離性の弱粘着テープ（ＰＥＴ８１８４、ソニーケミカ
ル社製）で被覆した後、銅箔面にフォトレジストフィル
ム（ＳＰＧ１５２、旭化成社製）をラミネートし、フォ
トリソグラフ法により導体回路パターンに対応したエッ
チングレジストパターンを形成し、塩化第２銅エッチン
グ液で銅箔をパターニングし、エッチングレジストパタ
ーンを除去することにより、導体回路層を形成した。
たポリイミド前駆体層の表面を、保護フィルムとして軽
剥離性の弱粘着テープ（ＰＥＴ８１８４、ソニーケミカ
ル社製）で被覆した後、銅箔面にフォトレジストフィル
ム（ＳＰＧ１５２、旭化成社製）をラミネートし、フォ
トリソグラフ法により導体回路パターンに対応したエッ
チングレジストパターンを形成し、塩化第２銅エッチン
グ液で銅箔をパターニングし、エッチングレジストパタ
ーンを除去することにより、導体回路層を形成した。
【００５１】次に、ポリイミド前駆体層表面の保護フィ
ルムを剥離し、参考例Ａ１のポリアミック酸ワニスを導
体回路層上に乾燥厚２５μｍとなるように塗布した。８
０〜１７０℃の連続炉中で加熱処理し、更に窒素雰囲気
（酸素濃度０．１％以下）のバッチオーブン中に投入
し、１時間かけて３５０℃まで昇温し、３５０℃で１５
分間保持することによりイミド化してポリイミド絶縁層
を形成した。その後、窒素雰囲気下で２００℃まで降温
し大気中で冷却し、シングルアクセスタイプのフレキシ
ブル配線板が得られた。この配線板にはカールの発生は
なかった。
ルムを剥離し、参考例Ａ１のポリアミック酸ワニスを導
体回路層上に乾燥厚２５μｍとなるように塗布した。８
０〜１７０℃の連続炉中で加熱処理し、更に窒素雰囲気
（酸素濃度０．１％以下）のバッチオーブン中に投入
し、１時間かけて３５０℃まで昇温し、３５０℃で１５
分間保持することによりイミド化してポリイミド絶縁層
を形成した。その後、窒素雰囲気下で２００℃まで降温
し大気中で冷却し、シングルアクセスタイプのフレキシ
ブル配線板が得られた。この配線板にはカールの発生は
なかった。
【００５２】得られたフレキシブル配線板を、ソフトエ
ッチングによりランド表面の酸化膜を取り除いた後に、
３００℃のはんだ浴に浸漬したところ、フクレや収縮に
よる変形異常は生じず、ランドへのはんだ付け性も良好
であった。
ッチングによりランド表面の酸化膜を取り除いた後に、
３００℃のはんだ浴に浸漬したところ、フクレや収縮に
よる変形異常は生じず、ランドへのはんだ付け性も良好
であった。
【００５３】また、フレキシブル配線板のランドに無電
解スズメッキ（６０℃、１５分、１μｍ厚）を行ったと
ころ、良好な密着性でスズメッキ層を形成できた。この
とき、ランド周辺のポリイミド絶縁層と導体回路層との
界面へのメッキ液の浸入は認められなかった。
解スズメッキ（６０℃、１５分、１μｍ厚）を行ったと
ころ、良好な密着性でスズメッキ層を形成できた。この
とき、ランド周辺のポリイミド絶縁層と導体回路層との
界面へのメッキ液の浸入は認められなかった。
【００５４】なお、ポリイミド絶縁層と導体回路層との
密着強度も実用上何ら問題のない強度であった。
密着強度も実用上何ら問題のない強度であった。
【００５５】実施例２ （ダブルアクセスタイプのフレキシブル配線板の製造）
１８μｍ厚，５４０ｍｍ幅の電解銅箔（ＣＦ−Ｔ９−Ｌ
Ｐ、福田金属社製）上に、参考例Ａ２のポリアミック酸
ワニスを乾燥厚２５μｍとなるように塗布し、２３０℃
の連続炉中で加熱処理することにより乾燥し、第１ポリ
イミド前駆体層を形成した。第１ポリイミド前駆体層の
残存揮発分含量は３４．０％であり、赤外線スペクトル
分析によるイミド化率は１８．５％であった。
１８μｍ厚，５４０ｍｍ幅の電解銅箔（ＣＦ−Ｔ９−Ｌ
Ｐ、福田金属社製）上に、参考例Ａ２のポリアミック酸
ワニスを乾燥厚２５μｍとなるように塗布し、２３０℃
の連続炉中で加熱処理することにより乾燥し、第１ポリ
イミド前駆体層を形成した。第１ポリイミド前駆体層の
残存揮発分含量は３４．０％であり、赤外線スペクトル
分析によるイミド化率は１８．５％であった。
【００５６】次に、第１ポリイミド前駆体層上に、良好
な耐アルカリ性のフォトレジスト（ＮＲ−４１，ソニー
ケミカル社製）を、溶剤乾燥後の厚さが１０μｍとなる
ように塗布し、ランドアクセス用開孔部パターンに対応
したパターンに露光現像してエッチングレジスト層を形
成し、１０％水酸化カリウム水溶液と温水とで、第１ポ
リイミド前駆体層を銅箔が露出するまでエッチングし、
種々の形状（円形、矩形等）のランドアクセス用開孔部
を形成した。その後、常法によりエッチングレジスト層
を除去した。
な耐アルカリ性のフォトレジスト（ＮＲ−４１，ソニー
ケミカル社製）を、溶剤乾燥後の厚さが１０μｍとなる
ように塗布し、ランドアクセス用開孔部パターンに対応
したパターンに露光現像してエッチングレジスト層を形
成し、１０％水酸化カリウム水溶液と温水とで、第１ポ
リイミド前駆体層を銅箔が露出するまでエッチングし、
種々の形状（円形、矩形等）のランドアクセス用開孔部
を形成した。その後、常法によりエッチングレジスト層
を除去した。
【００５７】なお、第１ポリイミド前駆体層に設けられ
たランドアクセス用開孔部の底部の銅箔を光学顕微鏡で
観察したところ、溶解しなかったポリアミック酸樹脂は
存在しなかった。
たランドアクセス用開孔部の底部の銅箔を光学顕微鏡で
観察したところ、溶解しなかったポリアミック酸樹脂は
存在しなかった。
【００５８】次に、ランドアクセス用開孔部が設けられ
た第１ポリイミド前駆体層の表面を、保護フィルムとし
て軽剥離性の弱粘着テープ（ＰＥＴ８１８４、ソニーケ
ミカル社製）で被覆した後、銅箔面にフォトレジストフ
ィルム（ＳＰＧ１５２、旭化成社製）をラミネートし、
フォトリソグラフ法により導体回路パターンに対応した
エッチングレジストパターンを形成し、塩化第２銅エッ
チング液で銅箔をパターニングし、エッチングレジスト
パターンを除去することにより、導体回路層を形成し
た。
た第１ポリイミド前駆体層の表面を、保護フィルムとし
て軽剥離性の弱粘着テープ（ＰＥＴ８１８４、ソニーケ
ミカル社製）で被覆した後、銅箔面にフォトレジストフ
ィルム（ＳＰＧ１５２、旭化成社製）をラミネートし、
フォトリソグラフ法により導体回路パターンに対応した
エッチングレジストパターンを形成し、塩化第２銅エッ
チング液で銅箔をパターニングし、エッチングレジスト
パターンを除去することにより、導体回路層を形成し
た。
【００５９】次に、第１ポリイミド層形成面とは反対側
の導体回路層上に、参考例Ａ２のポリアミック酸ワニス
を乾燥厚２５μｍとなるように塗布し、８０〜１７０℃
の連続炉中で加熱処理することにより乾燥し、第２ポリ
イミド前駆体層を形成した。赤外線スペクトル分析によ
るイミド化率は１９．０％であった。
の導体回路層上に、参考例Ａ２のポリアミック酸ワニス
を乾燥厚２５μｍとなるように塗布し、８０〜１７０℃
の連続炉中で加熱処理することにより乾燥し、第２ポリ
イミド前駆体層を形成した。赤外線スペクトル分析によ
るイミド化率は１９．０％であった。
【００６０】次に、第２ポリイミド前駆体層上に、良好
な耐アルカリ性のフォトレジスト（ＮＲ−４１，ソニー
ケミカル社製）を溶剤乾燥後の厚さが１０μｍとなるよ
うに塗布し、フォトレジストをランドアクセス用開孔部
パターンに対応したパターンに露光現像してエッチング
レジスト層を形成し、１０％水酸化カリウム水溶液と温
水とで、第２ポリイミド前駆体層を銅箔が露出するまで
エッチングし、種々の形状（円形、矩形等）のランドア
クセス用開孔部を形成した。その後、常法によりエッチ
ングレジスト層を除去した。
な耐アルカリ性のフォトレジスト（ＮＲ−４１，ソニー
ケミカル社製）を溶剤乾燥後の厚さが１０μｍとなるよ
うに塗布し、フォトレジストをランドアクセス用開孔部
パターンに対応したパターンに露光現像してエッチング
レジスト層を形成し、１０％水酸化カリウム水溶液と温
水とで、第２ポリイミド前駆体層を銅箔が露出するまで
エッチングし、種々の形状（円形、矩形等）のランドア
クセス用開孔部を形成した。その後、常法によりエッチ
ングレジスト層を除去した。
【００６１】なお、第２ポリイミド前駆体層に設けられ
たランドアクセス用開孔部の底部の銅箔を光学顕微鏡で
観察したところ、溶解しなかったポリアミック酸樹脂は
存在しなかった。
たランドアクセス用開孔部の底部の銅箔を光学顕微鏡で
観察したところ、溶解しなかったポリアミック酸樹脂は
存在しなかった。
【００６２】次に、第１ポリイミド前駆体層表面の保護
フィルムを剥離し、窒素雰囲気（酸素濃度０．１％以
下）のバッチオーブン中に投入し、１時間かけて３５０
℃まで昇温し、３５０℃で１５分間保持することにより
イミド化して第１ポリイミド前駆体層及び第２ポリイミ
ド前駆体層からそれぞれ第１ポリイミド絶縁層と第２ポ
リイミド絶縁層形成した。その後、窒素雰囲気下で２０
０℃まで降温し、大気中で冷却した。これにより、ダブ
ルアクセスタイプの片面フレキシブル配線板が得られ
た。この配線板にはカールの発生はなかった。
フィルムを剥離し、窒素雰囲気（酸素濃度０．１％以
下）のバッチオーブン中に投入し、１時間かけて３５０
℃まで昇温し、３５０℃で１５分間保持することにより
イミド化して第１ポリイミド前駆体層及び第２ポリイミ
ド前駆体層からそれぞれ第１ポリイミド絶縁層と第２ポ
リイミド絶縁層形成した。その後、窒素雰囲気下で２０
０℃まで降温し、大気中で冷却した。これにより、ダブ
ルアクセスタイプの片面フレキシブル配線板が得られ
た。この配線板にはカールの発生はなかった。
【００６３】得られたフレキシブル配線板を、ソフトエ
ッチングによりランド表面の酸化膜を取り除いた後に、
３００℃のはんだ浴に浸漬したところ、フクレや収縮に
よる変形異常は生じず、ランドへのはんだ付け性も良好
であった。
ッチングによりランド表面の酸化膜を取り除いた後に、
３００℃のはんだ浴に浸漬したところ、フクレや収縮に
よる変形異常は生じず、ランドへのはんだ付け性も良好
であった。
【００６４】また、フレキシブル配線板のランドに無電
解スズメッキ（６０℃、１５分、１μｍ厚）を行ったと
ころ、良好な密着性でスズメッキ層を形成できた。この
とき、ランド周辺のポリイミド絶縁層と導体回路層との
界面のへのメッキ液の浸入は認められなかった。
解スズメッキ（６０℃、１５分、１μｍ厚）を行ったと
ころ、良好な密着性でスズメッキ層を形成できた。この
とき、ランド周辺のポリイミド絶縁層と導体回路層との
界面のへのメッキ液の浸入は認められなかった。
【００６５】なお、ポリイミド絶縁層と導体回路層との
密着強度も実用上何ら問題のない強度であった。
密着強度も実用上何ら問題のない強度であった。
【００６６】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、低い生産コ
スト、微細配線パターンで良好な位置精度で、カールが
抑制されたシングルアクセスタイプもしくはダブルアク
セスタイプのフレキシブル配線板が得られる。しかも開
孔部の形状の自由度が高く、そのためはんだ付け面積
（ランド面積）の拡大が可能であるので、ランドの導通
信頼性も向上させることができる。
スト、微細配線パターンで良好な位置精度で、カールが
抑制されたシングルアクセスタイプもしくはダブルアク
セスタイプのフレキシブル配線板が得られる。しかも開
孔部の形状の自由度が高く、そのためはんだ付け面積
（ランド面積）の拡大が可能であるので、ランドの導通
信頼性も向上させることができる。
【図１】本発明のシングルアクセスタイプのフレキシブ
ル配線板の製造工程図である。
ル配線板の製造工程図である。
【図２】本発明のダブルアクセスタイプのフレキシブル
配線板の製造工程図である。
配線板の製造工程図である。
１ 導体回路用金属箔、２ ポリイミド前駆体層、３
ランドアクセス用開孔部、４ 導体回路層、５ ポリイ
ミド絶縁層
ランドアクセス用開孔部、４ 導体回路層、５ ポリイ
ミド絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堤 章 栃木県鹿沼市さつき町12−３ ソニーケミ カル株式会社内 Ｆターム(参考） 5E314 AA27 AA36 BB12 CC01 DD06 DD07 FF06 GG17 GG24 5E317 BB03 BB12 BB18 CC60 CD23 CD25 CD27 GG14 GG17 5E338 AA01 AA02 AA12 AA16 BB63 CC01 CC04 CD11 EE23 EE32
Claims (4)
- 【請求項１】 ランドアクセス用開孔部が設けられたポ
リイミド絶縁層とその上の導体回路層とからなるフレキ
シブル回線板の製造方法において、以下の工程（ａ）〜
（ｄ）： （ａ） 導体回路用金属箔の片面にポリイミド前駆体ワ
ニスを塗布し、乾燥してポリイミド前駆体層を形成する
工程； （ｂ） ポリイミド前駆体層にフォトリソグラフ法によ
りランドアクセス用開孔部を設ける工程； （ｃ） 導体回路用金属箔をサブストラクト法によりパ
ターニングして導体回路層を形成する工程； 及び （ｄ） ポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド
絶縁層を形成する工程を含んでなることを特徴とする製
造方法。 - 【請求項２】 工程（ａ）において、乾燥後のポリイミ
ド前駆体層のイミド化率が５０％以下である請求項１記
載の製造方法。 - 【請求項３】 ランドアクセス用開孔部がそれぞれ設け
られた第１ポリイミド絶縁層及び第２ポリイミド絶縁層
と、それらの間に挟持された導体回路層とからなるフレ
キシブル回線板の製造方法において、以下の工程（ａ
ａ）〜（ｆｆ）： （ａａ） 導体回路用金属箔の片面にポリイミド前駆体
ワニスを塗布し、乾燥して第１ポリイミド前駆体層を形
成する工程； （ｂｂ） ポリイミド前駆体層にフォトリソグラフ法に
よりランドアクセス用開孔部を設ける工程； （ｃｃ） 導体回路用金属箔をサブストラクト法により
パターニングして導体回路層を形成する工程； （ｄｄ） 導体回路層上にポリイミド前駆体層ワニスを
塗布し、乾燥して第２ポリイミド前駆体層を形成する工
程； （ｅｅ） 第２ポリイミド前駆体層にフォトリソグラフ
法によりランドアクセス用開孔部を設ける工程； 及び （ｆｆ） 第１ポリイミド前駆体層及び第２ポリイミド
前駆体層をイミド化してそれぞれ第１ポリイミド絶縁層
及び第２ポリイミド絶縁層を形成する工程を含んでなる
ことを特徴とする製造方法。 - 【請求項４】 工程（ａａ）並びに工程（ｄｄ）におい
て、乾燥後のポリイミド前駆体層のイミド化率が５０％
以下である請求項３記載の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33155998A JP3541697B2 (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | フレキシブル配線板の製造方法 |
| US09/440,167 US6344308B1 (en) | 1998-11-20 | 1999-11-15 | Method of manufacturing a flexible circuit board |
| EP99123012A EP1002638B1 (en) | 1998-11-20 | 1999-11-19 | Method of manufacturing a flexible circuit board |
| DE69920629T DE69920629T2 (de) | 1998-11-20 | 1999-11-19 | Verfahren zur Herstellung einer biegsamen Schaltungsplatte |
| CN99126650.1A CN1203738C (zh) | 1998-11-20 | 1999-11-20 | 挠性电路板的制造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33155998A JP3541697B2 (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | フレキシブル配線板の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000156555A true JP2000156555A (ja) | 2000-06-06 |
| JP3541697B2 JP3541697B2 (ja) | 2004-07-14 |
Family
ID=18245024
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33155998A Expired - Fee Related JP3541697B2 (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | フレキシブル配線板の製造方法 |
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| US (1) | US6344308B1 (ja) |
| EP (1) | EP1002638B1 (ja) |
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