JP2000311962A - 半導体装置用回路部材の製造方法及びそれにより得られる半導体装置用回路部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造工程を簡略化し、使用する材料を減らし
て製造コストの低減を可能にする。 【解決手段】 絶縁層２１にポジ型の感光性ポリイミド
樹脂材料を使用することで、フォトリソグラフィー法に
よって同一の樹脂に対して複数回の製版を行うことが可
能であり、従来の製造方法における半田ボール形成工
程、裏面エッチング工程時のレジストによるマスク形成
を省略することができるので、工程を簡略化でき、かつ
使用する材料を減らすことができるので、製造コストの
大幅な低減を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を搭載
して半導体装置を製造するために用いられる回路部材、
特に絶縁層をベースにしてリードが形成された半導体装
置用回路部材の製造方法とそれにより得られる半導体装
置用回路部材に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の高性能化及び小型化の
傾向から、それに用いられる半導体装置は、ＬＳＩのＡ
ＳＩＣに代表されるようにますます高集積化、高機能化
が進んでいる。高集積化、高機能化された半導体装置に
おいては、信号の高速処理のためにパッケージ内のイン
ダクタンスが無視できない状況となるので、そのインダ
クタンスの低減のために電源及びグランドの接続端子数
を多くし、実質的なインダクタンスを下げることで対応
してきた。このため、半導体の高集積化、高機能化は外
部端子（ｐｉｎ）の総数の増加を促すことになり、ます
ますの多ピン化が求められ、これに対応して先端のファ
インなＬ／Ｆ等やＢＧＡ、ＣＳＰに代表されるようなパ
ッケージが普及してきた。

【０００３】上記の如き技術分野でリードフレームの製
造方法として、特開平９−２４６４４５号公報に記載の
ものが知られている。具体的には、厚い層と薄い層とを
エッチングストップ層を介して積層した金属積層板を準
備し、その薄い層側に複数のリードを形成した後、金属
積層板のリード形成面側に該リードを覆う厚さの絶縁層
を少なくともリードを露出させる開口を有するように選
択的に形成し、さらに厚い層における複数のリードが形
成されたリード形成領域に当たる部分をエッチングスト
ップ層に対して浸食性の弱いエッチング液によって選択
的にエッチングし、リードをマスクとして少なくともエ
ッチングストップ層をエッチングして各リード間を互い
に電気的に分離独立させるものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の技術で述べた製
造方法は、得られたリードフレームにおいて絶縁層とリ
ードとの半導体素子側の表面が面一になるので凹凸のな
い面を半導体素子の表面と接着させることができて十分
な接着力が得られるという利点や、リードの絶縁層から
はみ出した部分の先端を半導体素子側の端子とすること
によってその端子をボンディングするに当たってカット
する必要がなく作業時間を短縮できるという利点など、
多くの優れた面を有しているが、一方では以下に述べる
ような問題点もある。

【０００５】すなわち、特開平９−２４６４４５号公報
に開示された製造方法では、複数回の露光、現像工程が
あり、また十数μｍ程度のメッキを成長させるメッキ工
程を行うため、従来のエッチング法によるリードフレー
ムの製造方法と比較して格段に工程が長くなる。また、
選択的エッチングや選択的メッキのためにはパターン状
に保護層を設けることが必要であり、実際にはさらに工
程が長くなる。

【０００６】また、銅の上にポリイミドで絶縁層を形成
する場合、取扱い上の便利さとウェットエッチング加工
のしやすさの観点から、従来用いられているポリイミド
の前駆体であるポリアミック酸を使用することがある。
しかしながら、銅上でポリアミック酸を硬化（イミド
化）すると、ポリイミド中にＣｕが拡散し、ポリイミド
の熱分解温度、引っ張り強さの物性が低下し、所謂マイ
グレーションを生じることが問題となる。（例えば、
「１９９８電子情報通信学会論文誌Ｃ ＶＯＬ．Ｊ７１
−Ｃ Ｎｏ．１１」ｐ．１５１０参照）

【０００７】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、製造工程
を簡略化し、使用する材料を減らして製造コストの低減
を可能にするとともに、さらにはマイグレーション問題
をも解決できる半導体装置用 回路部材の製造方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る半導体装置用回路部材の製造方法
は、少なくとも次の工程を行うことを特徴とする。 （１）厚い金属層と薄いメッキ下地層とをエッチングス
トップ層を介して積層してなる三層構造の金属積層板を
準備し、当該金属積層板におけるメッキ下地層にリード
及び吊り部を形成する工程。 （２）金属積層板におけるリード形成面と反対側の面と
の両面に可溶性でポジ型の感光性を有するポリイミドワ
ニスを塗布して乾燥させ、両面にそれぞれ仮キュア状態
の感光性ポリイミド樹脂材料層を形成する工程。 （３）金属積層板におけるリード形成面に形成した感光
性ポリイミド樹脂材料層をフォトリソグラフィー法によ
りパターニングして、リードの一部を露出させる開口を
有するように絶縁層を形成し、その絶縁層をマスクとし
てメッキすることでリード表面に外部端子を形成する工
程。 （４）金属積層板におけるリード形成面と反対側の面に
形成した感光性ポリイミド樹脂材料層をそのリード形成
領域に対応する部分を除くようにフォトリソグラフィー
法によりパターニングし、残った絶縁部分をマスクとし
て厚い金属層を選択的にエッチングすることで外形リン
グとなる部分よりも内側を除去する工程。 （５）メッキ下地層とエッチングストップ層をエッチン
グし、各リード及び吊り部を独立させる工程。

【０００９】この製造方法において、上記ポジ型の感光
性を有するポリイミドワニスとして、ジアゾナフトキノ
ン或いはジアゾナフトキノン誘導体と溶剤可溶性ポリイ
ミド樹脂とを含むものを使用するのが好ましい。

【００１０】ポリアミック酸を絶縁層としてイミド化す
る場合、通常３００℃近い高温での熱処理を必要となる
ことが問題となっているが、これに対して、溶剤可溶性
ポリイミドを使用した場合には、溶剤成分を除去させる
のに必要な熱処理だけで絶縁層が形成できるため、工程
の低温下が可能となる。

【００１１】上記の製造方法によれば、絶縁層にポジ型
の感光性ポリイミド樹脂材料を使用することで、従来の
製造方法における半田ボール形成工程、裏面エッチング
工程時のレジストによるマスク形成を省略することがで
きる。また、ポリアミック酸をＣｕに塗布するのではな
く、可溶性のポリイミド樹脂材料をＮ−メチル−２−ピ
ロリドンのような極性溶媒に溶かした状態で塗布するた
め、Ｃｕを浸食する恐れがなく、ポリイミドの硬化処理
（熱処理）の際にＣｕの拡散を起こさず、ひいてはマイ
グレーションの問題を起こすこともない。

【００１２】上記の製造方法で得られる半導体装置用回
路部材は、絶縁層の半導体素子搭載側に複数のリードが
該リード表面と該絶縁層表面とが同一平面上に位置する
ように形成され、各リードの絶縁層からはみ出した部分
の先端が半導体素子の電極と接続される半導体素子側の
端子とされ、前記絶縁層における半導体素子搭載側と反
対側に各リードに対してそれを露出させる開口が形成さ
れ、当該開口にリードにおける半導体素子と反対側の端
子が形成されてなる半導体装置用回路部材であって、前
記絶縁層がポジ型の感光性を有するポリイミドワニスを
用いて形成されたものとなる。

【００１３】

【発明の実施の形態】図１〜図４は本発明に係る半導体
装置用回路部材の製造方法を示す工程図であり、以下、
これらの図面を参照して本発明の実施の形態について説
明する。

【００１４】まず、図１（Ａ）に示す如き三層構造の金
属積層板を用意する。この金属積層板１０は、例えば厚
さ０．１〜０．２ｍｍのＣｕからなる厚い金属層１１
と、例えば厚さ２μｍ程度のＮｉからなるエッチングス
トップ層１２と、例えば厚さ１μｍ未満のＣｕからなる
メッキ下地層１３を積層したものである。なお、厚い金
属層１１は、最終的に補強用リング又は補強用枠を構成
するものである。

【００１５】次に、金属積層板１０におけるメッキ下地
層１３にリード及び吊り部を形成する。具体的には、ま
ず図１（Ｂ）に示すようにメッキ下地層１３の上にレジ
スト１４を塗布し、マスクを介しての露光とそれに続く
現像により図１（Ｃ）に示す如くリード及び吊り部を形
成すべきパターンに製版した後、図１（Ｄ）に示すよう
に、パターニングされたレジスト１４をマスクとしてＣ
ｕメッキ或いはＮｉメッキの単層又はこれらを含む多層
メッキをすることによりリード１５及び吊り部を形成す
る。メッキの厚さは、例えばレジスト１４の厚みが２５
μｍの場合には全体にわたって２５μｍ以下とする。メ
ッキ後、図１（Ｅ）に示すようにレジスト１４を剥離す
る。

【００１６】このようにリード部１５をメッキで形成す
る際に、半導体素子を囲む補強用リング又は補強用枠、
さらにはそれを支持するための吊り部を同時に形成す
る。吊り部はリード１５と同じ層構成からなる。なお、
前記リング又は枠は今の段階では形成されておらず、後
の工程において回路部材の主部の外側に一体に形成され
るものであり、例えばＣｕ，Ａｌ，Ｎｉ等からなる積層
構造を有する。

【００１７】次いで、図２（Ａ）に示すように、金属積
層板１０のリード形成面と反対側の面との両面に可溶性
のポジ型の感光性を有するポリイミドワニスを塗布して
乾燥させ、両面にそれぞれ仮キュア状態の感光性ポリイ
ミド樹脂材料層２０，３０を形成する。

【００１８】そして、金属積層板１０におけるリード形
成面に形成した感光性ポリイミド樹脂材料層２０をマス
クを介して露光して現像することよりパターニングし、
図２（Ｂ）に示すようにリード１５の一部を露出させる
開口を有するように絶縁層２１を形成した後、図２
（Ｃ）に示すように、その絶縁層２１をマスクとしてリ
ード１５の表面に外部端子２２となる半田ボールを形成
する。この半田ボールはＮｉメッキ及び半田若しくはＡ
ｕメッキにより形成される。このメッキ工程では、絶縁
層２１に半田ボール形成のための開口部が形成されてお
り、他の部分にはメッキが付かないためマスキングは不
要である。

【００１９】続いて、金属積層板１０におけるリード形
成面と反対側の面に形成した感光性ポリイミド樹脂材料
層３０をマスクを介して露光して現像することによりパ
ターニングし、図３（Ａ）に示すようにリード形成領域
に対応する部分を除いて絶縁部分３１を形成した後、図
３（Ｂ）に示すように、その残った絶縁部分３１をマス
クとしてＣｕからなる厚い金属層１１を選択的にエッチ
ングして外形リング又は外形枠となる部分よりも内側を
除去する。このエッチングは、例えば有機アルカリ系の
エッチング液を用いて行う。なぜならば、このエッチン
グ液はＣｕを侵すがＮｉは侵さないので、Ｎｉ層がエッ
チングストップ層としての役割を果たすことができるか
らである。

【００２０】次に、図３（Ｃ）に示すように、Ｎｉから
なるエッチングストップ層１２をエッチングする。ここ
ではＣｕを溶かさないＨＮＯ₃ ／Ｈ₂ ＳＯ₄ ／Ｈ₂ Ｏ₂
系のエッチング液を使用してＮｉ層を選択的に溶解す
る。続いて、図３（Ｄ）に示すように、Ｃｕからなるメ
ッキ下地層１３をエッチングする。このメッキ下地層１
３は０．０１〜１μｍ程度であるため、市販のソフトエ
ッチング剤等のエッチングレートが０．１〜０．５μｍ
／ｍｉｎのものが扱いやすい。

【００２１】次いで、図４（Ａ）に示すように、リード
形成面にある絶縁層２１をマスクを介して露光して現像
することによりパターニングし、リード形成領域の外側
にて吊り部のパターンで絶縁層２１を残す。さらに図４
（Ｂ）に示すようにマスクを介してのＡｌ蒸着により端
子４０を形成する。これにより、半導体素子を搭載する
ＩＣ毎に絶縁層２１が分割された形態となる。

【００２２】なお、上述の例では、リード１５はメッキ
下地層１３の上に選択的に形成したレジスト膜１４をマ
スクとしてメッキ膜を成長させることにより形成した
が、Ｃｕ或いはＮｉからなる層を厚めに形成しておき、
それを選択エッチングによりパターニングして形成して
もよい。

【００２３】上述のように、本発明では、金属積層板の
表裏両面にポジ型の感光性ポリイミド樹脂材料層を仮キ
ュア状態で形成しておき、各面でのメッキ工程やエッチ
ング工程に際して、それらを複数回に渡ってフォトリソ
グラフィー法によりパターニングするもので、ポジ型の
感光性樹脂の特性（光が照射された部分が現像によって
選択的に開口する）を生かした製造プロセスとなってい
る。

【００２４】したがって、外部端子となる半田ボールを
メッキによって形成する場合においても、メッキが付か
ないように保護するためのポッティング樹脂、バッキン
グ材等を使用する必要はなく、絶縁層自身がそのレジス
トの役割をもたせるため、材料費の軽減、ひいては製造
コストの低減を図ることができる。

【００２５】さらに、裏面よりの選択エッチング工程に
おいて、従来の方法では、治具孔等のその他の部分をエ
ッチングしないようにネガ型ドライフィルムを製版する
必要があるが、本発明ではポジ型の絶縁層により保護す
るため、光が照射された部分のみ開口し、選択エッチン
グが可能となる。

【００２６】本発明で絶縁層の形成に用いるポリイミド
の合成に用いられる酸二無水物としては特に限定されな
いが、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス（ジカルボキシ
ルフェニル）プロパン二無水物、４−４’−〔２，２，
２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリ
デン〕ビス（１，２−ベンゼンジカルボン酸無水物）
（６ＦＤＡ）、ビストリフルオロメチル化ピロメリット
酸、ビス（ジカルボキシルフェニル）スルホン二無水
物、ビス（ジカルボキシルフェニル）エーテル二無水
物、チオフェンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリッ
ト酸二無水物、ナフタレンテトラカルボ酸二無水物等の
芳香族酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカル
ボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無
水物、ビシクロオクテンテトラカルボン酸、ビシクロ
（２，２，２）−オクト−７−エン−２，３，５，６−
テトラカルボン酸二無水物、５（２，５−ジオキソテト
ラヒドロフリル）３−メチル−３シクロヘキセン−１，
２−ジカルボン酸無水物等の脂肪族酸二無水物を挙げる
ことができる。これらは単独でもよいし２種以上混合し
てもよい。

【００２７】同じく、本発明で用いるポリイミドの合成
に用いられるジアミンとしては特に限定されないが、
２，４ジアミノトルエン、１，４ベンゼンジアミン、
１，３ベンゼンジアミン、６−メチル１，３−ベンゼン
ジアミン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチル−
１，１’−ビフェニル、４，４’−メチレンビス（ベン
ゼンアミン）、４，４’−オキシビス（ベンゼンアミ
ン）、３，４’−オキシビス（ベンゼンアミン）、３，
３’−カルボキニル（ベンゼンアミン）、４，４’−チ
オビス（ベンゼンアミン）、４，４’−スルホニル（ベ
ンゼンアミン）、３，３’−スルホニル（ベンゼンアミ
ン）、１−メチルエチレンジ４，４’−ビス（ベンゼン
アミン）、１−トリフルオロメチル２，２，２−トリフ
ルオロエチリジン４，４’−ビス（ベンゼンアミン）、
４，４’−ジアミノベンズアニリド、３，５−ジアミノ
安息香酸、２，６−ジアミノピリジン、４，４’−ジア
ミノ−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニル、
２，２ビス（４（４−アミノフェノキシ）フェニル）プ
ロパン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル）スルホン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル）スルホン、ビス（４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル）エチル、１，４−ビス（４−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、１，３ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、９，９’−ビス（４−アミノフェニル）
フルオレン、ベンジジン−３，３−ジカルボン酸等を挙
げることができる。これらは単独でもよいし２種以上混
合してもよい。

【００２８】使用されるポリイミドは、溶剤可溶性のポ
リイミドであれば特に限定されないが、下記のようなポ
リイミドが挙げられる。 （１）シロキサン骨格を含有することにより溶剤可溶化
したポリイミド：ビス（γ−アミノプロピル）ポリジメ
チルシロキサン、ビス（γ−アミノプロピル）ポリジフ
ェニルシロキサン、シルセスキオキサン等を使用して合
成したポリイミド等、架橋性シロキサンモノマー（例え
ば、ビニル基を有するジアミノシロキサン等）を使用し
て合成したポリイミド等。 （２）アルキル鎖を含有することにより溶剤可溶化した
ポリイミド：ポリプロピレングリコシキジアミン等を使
用して合成したポリイミド等。 （３）フッ素基を含有することにより溶剤可溶化したポ
リイミド：テトラフェニルフラン、ビストリフルオロメ
チル化ピロメリット酸、４，４’−〔２，２，２−トリ
フルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリデン〕ビ
ス（１，２−ベンゼンアミン）等を使用して合成したポ
リイミド等。 （４）嵩高い置換基・骨格を含有することにより溶剤可
溶化したポリイミド：テトラフェニルチオフェン、テト
ラフェニルピロール、テトラフェニルエチレン、トリフ
ェニルアミン、トリ（またはテトラ）フェニルテルフェ
ニル等の側鎖置換基を有する芳香族ジアミン、またはテ
トラカルボン酸を使用して合成したポリイミド等。 （５）主鎖中に折れ曲がり構造、或いは非平面構造を導
入することにより溶剤可溶化したポリイミド：ジフェニ
ルフルオレン、オルトフェニレン、ビフェニル−２，２
−ジイル、１，１−ビナフチル−２，２ジイル、を有す
るモノマー、例えば２，３−ジフェニルキノキサリ、
２，２−ビスフェノキシ−１，１−ビナフチルなどのジ
アミンや、ビシクロオクテンテトラカルボン酸、ビシク
ロ（２，２，２）−オクト−７−エン−２，３，５，６
−テトラカルボン酸二無水物等を使用して合成したポリ
イミド。 （６）極性溶媒と強い相互作用のある側鎖置換基を導入
することにより溶剤可溶化したポリイミド：水酸基、カ
ルボキシル基、アミノ基、スルホン酸基、ホスホン酸
基、チオール基、ニトロ基を有するモノマーを使用して
合成したポリイミドであり、例えば、ジアミノ安息請酵
酸を使用して合成したポリイミドや、水酸基をもつベン
ゾヒドロール構造のポリイミド等。 （７）アミド結合を有することにより溶剤可溶化したポ
リイミド。 （８）脂環式構造を有することにより溶剤可溶化したポ
リイミド：１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸ジ
無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、ビ
シクロ（２，２，２）−オクト−７−エン−２，３，
５，６−テトラカルボン酸ジ無水物、５（２，５−ジオ
キソテトラヒドロフリル）３−メチル−３−シクロヘキ
セン−１，２−ジカルボン酸無水物等の脂肪族酸ジ無水
物を使用して合成したポリイミド等。 （９）低分子量（分子量１万以下）の溶剤可溶化ポリイ
ミド：熱硬化性ポリイミドを必要に応じて使用すること
ができ、架橋するポリイミドには例えば、アセチレン
基、ビニル基、ビスマレイミド基、ナジック基等を有す
るモノマーで合成されたポリイミドを使用できる。 （１０）イソイミドを有することにより溶剤可溶化した
ポリイミド。 （１１）上記（１）〜（１０）の２つ以上の項目にある
ものを複合して合成したポリイミド。

【００２９】上記のようなポリイミドの感光性ワニスに
おける含有量は、使用するポリイミド、絶縁層パターン
の要求特性等を考慮して適宜設定することができ、例え
ば２〜４０の重量％の範囲で設定することができる。ま
た、本発明に使用する感光性ポリイミドワニスは、従来
から感光性材料に含有されるような公知の添加剤を含有
するものであってもよい。

【００３０】本発明で使用する可溶性でポジ型の感光性
を有するポリイミドワニスの一例をその製造方法ととも
に示すと次のようである。

【００３１】１リットル容量の三つ口セパラブルフラス
コにおけるトラップにステンレス製イカリ攪拌器、窒素
導入管及びストップコックを付け、そのトラップの上に
玉付き冷却管を付けた還流冷却器を取り付けてなる装置
を準備する。そして、三つ口セパラブルフラスコに原料
を入れ、窒素気流中を流しながら温度調整機の付いたシ
リコーン浴中に浸けて加熱する。具体的には、４，４’
−ヘキサフルオロイソプロピリデンビスフタル酸二無水
物１３２．８ｇ（３００ミリモル）、４，４’−ビス
（ｍ−アミノフェノキシ）ビフェニルスルホン６４．９
ｇ（１５０ミリモル）、３，５−ジアミノ安息香酸２
２．８ｇ（１５０ミリモル）、バレロラクトン４．５ｇ
（４５ミリモル）、ピリジン７．２ｇ（９０ミリモル）
を三つ口セパラブルフラスコに入れるとともに、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン８００ｇ、トルエン８０ｇを添加
したものを調合し、これを窒素を通しながら１８０ｒｐ
ｍで攪拌した後、シリコン浴中にて１８０℃、１８０ｒ
ｐｍの条件で加熱攪拌し、水−トルエン共沸物を系外に
除きながら２時間反応させた。反応終了後、メタノール
に再沈殿し、やや灰色がかったポリイミド粉末（Ａ）を
得た。この粉末を高速液体クロマトグラフィーにかけて
ポリスチレン換算の分子量を測定したところ、数平均分
子量Ｍｎ＝１４０００、重量平均分子量Ｍｗ＝２１００
０、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５０であった。このようにして得
られたポリイミド粉末（Ａ）２０ｇと、ジナフトキン
（ＤＮＱ）化合物６ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン８
０ｇに溶解し、ポジ型感光性ポリイミドワニスを得た。
このポジ型感光性ポリイミドワニスは露光量が１０００
ｍＪ／ｃｍ² で、現像液としては５％テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液が使用される。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
絶縁層の形成にポジ型の感光性樹脂を使用することによ
って、フォトリソグラフィー法によって同一の樹脂に対
して複数回の製版を行うことが可能であり、例えば絶縁
層パターンによって得られた必要な部分にのみメッキを
施し、その後、２回目の製版で不必要な部分を削除して
所望の形状に整えることができ、従来ではレーザー加
工、又は保護フィルム等を使用することでしか可能では
なかった工程を簡略化でき、かつ使用する材料を減らす
ことができるので、製造コストの大幅な低減を図ること
ができる。

【００３３】また、可溶性ポリイミドをＮ−メチルピロ
リドン等の有機溶媒に溶かし、それをＣｕ上に塗布して
熱処理することにより、従来より懸念されているＣｕの
アミック酸への拡散を防き、マイグレーション問題を解
決できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体装置用回路部材の製造方法
の最初の部分を示す工程図である。

【図２】図１に続く工程図である。

【図３】図２に続く工程図である。

【図４】図３に続く工程図である。

【符号の説明】

１０ 金属積層板 １１ 厚い金属層 １２ エッチングストップ層 １３ メッキ下地層 １４ レジスト １５ リード ２０ 感光性ポリイミド樹脂材料層 ２１ 絶縁層 ２２ 外部端子 ３０ 感光性ポリイミド樹脂材料層 ３１ 絶縁部分 ４０ 端子

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも次の工程を行うことを特徴と
   する半導体装置用回路部材の製造方法。（１）厚い金属
   層と薄いメッキ下地層とをエッチングストップ層を介し
   て積層してなる三層構造の金属積層板を準備し、当該金
   属積層板におけるメッキ下地層にリード及び吊り部を形
   成する工程。（２）金属積層板におけるリード形成面と
   反対側の面との両面に可溶性でポジ型の感光性を有する
   ポリイミドワニスを塗布して乾燥させ、両面にそれぞれ
   仮キュア状態の感光性ポリイミド樹脂材料層を形成する
   工程。（３）金属積層板におけるリード形成面に形成し
   た感光性ポリイミド樹脂材料層をフォトリソグラフィー
   法によりパターニングして、リードの一部を露出させる
   開口を有するように絶縁層を形成し、その絶縁層をマス
   クとしてメッキすることでリード表面に外部端子を形成
   する工程。（４）金属積層板におけるリード形成面と反
   対側の面に形成した感光性ポリイミド樹脂材料層をその
   リード形成領域に対応する部分を除くようにフォトリソ
   グラフィー法によりパターニングし、残った絶縁部分を
   マスクとして厚い金属層を選択的にッチングすること
   で外形リングとなる部分よりも内側を除去する工程。
   （５）メッキ下地層とエッチングストップ層をエッチン
   グし、各リード及び吊り部を独立させる工程。
2. 【請求項２】 ポジ型の感光性を有するポリイミドワニ
   スとして、ジアゾナフトキノン或いはジアゾナフトキノ
   ン誘導体と溶剤可溶性ポリイミド樹脂とを含むものを使
   用した請求項１に記載の半導体装置用回路部材の製造方
   法。
3. 【請求項３】 絶縁層の半導体素子搭載側に複数のリー
   ドが該リード表面と該絶縁層表面とが同一平面上に位置
   するように形成され、各リードの絶縁層からはみ出した
   部分の先端が半導体素子の電極と接続される半導体素子
   側の端子とされ、前記絶縁層における半導体素子搭載側
   と反対側に各リードに対してそれを露出させる開口が形
   成され、当該開口にリードにおける半導体素子と反対側
   の端子が形成されてなる半導体装置用回路部材であっ
   て、前記絶縁層がポジ型の感光性を有するポリイミドワ
   ニスを用いて形成されたものであることを特徴とする半
   導体装置用回路部材。
4. 【請求項４】 ポジ型の感光性を有するポリイミドワニ
   スが、ジアゾナフトキニンン或いはジアゾナフトキニン
   誘導体と溶剤可溶性ポリイミド樹脂を含むものである請
   求項３に記載の半導体装置用回路部材。