JP2001192573A - ナフトール構造を有するイオン形光酸発生剤及びこれを用いた感光性ポリイミド組成物 - Google Patents

ナフトール構造を有するイオン形光酸発生剤及びこれを用いた感光性ポリイミド組成物

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 既存のｉ線用光酸発生剤が有する低い溶解度
と低い熱安定性、高い吸収度などの問題点を解決する。 【解決手段】 本発明の光酸発生剤はナフトール構造を
導入して熱安定性が向上しれ、ナフトールのヒドロキシ
基の影響で溶解特性が優れ、かつ低い吸収度を持ちなが
ら高い酸発生効率を有する。結局、紫外線領域で吸収度
が低く酸発生効率が高いため、感光性ポリイミド前駆体
組成物に１０質量部以上多量添加しても全体組成物の透
過度低下が大きくなく、結果的に１０μｍ以上の高いフ
ィルム厚さでも高解像度のパタン形成が安定的に形成で
きる。また、全体組成物をフィルム化して熱処理した
時、熱的、電気的、機械的特性が優れて高解像度のパタ
ン形成を必要とする半導体、回路基板などの保護膜、絶
縁膜として適合する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、イオン形光酸発生剤及
びこれを用いた感光性ポリイミド組成物に関するもので
ある。より具体的に本発明はナフトール構造を有するイ
オン形光酸発生剤、これを用いた感光性ポリイミド組成
物、及びこの組成物を適用したそれぞれの応用物に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】最近半導体及び液晶表示素子を中心とす
る半導体素子分野では電子装置の高集積化、高密度化、
高信頼化、高速化などの動きが急激に拡散することによ
り、加工性と高純度化などが容易な有機材料が有する長
所を用いる研究が活発に進行している。しかしこれら分
野で有機高分子が用いられるためには素子製造時２００
℃以上が要求される工程で熱的に安定すべきである。ポ
リイミド樹脂は高耐熱性、優れる機械的強度、低誘電率
及び高絶縁性などの優れる電気特性以外にもコーティン
グ表面の平坦化特性がよく、素子の信頼性を低下させる
不純物の含有量が非常に低く、微細形象を容易に形成で
きて前記の目的に最も適合する樹脂である。
【０００３】ポリイミドを合成する一般的な方法は２段
階縮重合として、ジアミン成分とジアンヒドリド（dian
hydride）成分をＮＭＰ、ＤＭＡｃ、ＤＭＦのような極
性有機溶媒で重合させてポリイミド前駆体溶液を得て、
これをシリコンウエファー（silicone wafer）やガラス
などにコーティングした後、熱処理により硬化させてポ
リイミドフィルムを得ることになる。商業化された電子
材料用ポリイミド製品はポリイミド前駆体溶液またはポ
リイミドフィルム形態で供給され、半導体素子分野では
主にポリイミド前駆体溶液状態で供給される。
【０００４】図１は本発明の感光性ポリイミド組成物が
バファコーティングフィルム（buffer coating film）
として適用された半導体素子の概略的な断面図である。
樹脂袋ＬＳＩにおいて、封止後の樹脂の体積収縮及びチ
ップと樹脂の熱膨張係数の差による熱応力でチップのパ
シベーション（passivation）膜にクラック（crack）が
発生したり金属配線が損傷を受けたりする。このような
問題はチップと封止剤間のポリイミドを緩衝層として用
いることにより解決されるが、この時ポリイミド膜の厚
さが１０μｍ以上になるべき緩衝層の役割を果たし、コ
ーティング膜の厚さが厚いほど緩衝効果がよくて半導体
製品の収率が向上できる。図１のように、ポリイミドに
は電極間連結及びワイヤボンディングパード（wire bon
ding pad）のような微細パタン（via hole）の形成が要
求される。ポリイミドの微細パタン形成のため既存のポ
リイミドにフォトレジストをコーティングしてエッチン
グする方法がたくさん用いられているが、最近ポリイミ
ドに感光機能を付与した感光性ポリイミドを適用しよう
とする試みがたくさんなされている。
【０００５】既存の非感光性ポリイミドを用いる場合、
ワイヤ−ボンディング及び金属配線間の連結のため別の
フォトレジストを用いてホール（hole）を加工するため
のエッチッグ工程が必要であるが、感光性ポリイミドを
用いるとフォトレジストによるリソグラフィー（lithog
raphy）工程が省略できるため、バファコーティング工
程が約５０％程度減少して生産性の向上及び製造原価を
大きく節減できる。そして組立工程の最終段階で工程を
短縮させて生産収率の向上にも大きく寄与するなどのい
ろいろな長所で半導体製造業体を中心に感光性ポリイミ
ドを適用しようとする検討が積極的に行われている。
【０００６】実用的な感光性ポリイミドはＳｉｅｍｅｎ
ｓ社のＲｕｂｎｅｒなどにより開発された（US 395751
2）。これはポリイミド前駆体であるポリアミド酸（pol
yamicacid）に感光基がエステル結合を通じて結合した
形態である。感光性ポリイミド前駆体溶液を基板にコー
ティングして皮膜を形成し、紫外線を露光すると露光部
分に光重合が起こって架橋構造になる。この状態で有機
溶剤で現像すると未露光部が除去され、最終加熱処理に
よりイミド化反応と同時にエステル結合された感光成分
が分解除去されてポリイミドのみの望むパタンを得るこ
とができる。反面日本東レ（Toray）社はポリアミド酸
に感光基とアミノ成分を有する化合物がイオン結合され
た感光性ポリイミドを開発した（US 4243743）。このよ
うな感光性ポリイミドは既存の感光性ポリイミドに比べ
製造が容易で、有害副産物の発生が少ない長所がある。
【０００７】しかし最近このようなネガティブ方式の感
光性ポリイミドと比較してより優れる特性を有するポジ
ティブ方式の感光性ポリイミドに関する研究が活発にな
されているが、ポジティブ方式の感光性ポリイミドはネ
ガティブ方式と比較してより優れる解像力を有する。そ
して相対的に光照射面積が小さいため不良発生の可能性
が低く、またネガティブ方式が現像液としてＮＭＰ、Ｄ
ＭＡｃのような有機溶媒を用いるため費用と廃水処理な
どの環境的な側面でたくさんの問題点を有している反
面、アルカリ水溶液を用いるポジティブ方式は環境的側
面でも多くの長所を有している。しかしポジティブ方式
が有する多くの長所にもかかわらず克服すべき技術的難
易度が非常に高いため現在まで商品化が本格的になされ
ていない。
【０００８】ポジティブ（Positive）方式の従来技術と
しては、ポリイミド前駆体としてポリアミド酸と溶解抑
制剤のナフトキノンジアザイド（naphthoquinonediazid
e）化合物とを混合して露光部と非露光部の溶解速度差
によりパタンを製造する方法（JP-A-4-204945、JP-A-6-7
3003）、ヒドロキシ基を有する可溶性ポリイミドとナフ
トキノンジアザイド化合物とを混合する方法（Macromol
ecules, 23, p. 4796-4802, 1990）、ポリイミド前駆体
に感光基のｏ−ニトロベンジルエステル基をエステル結
合させる方法（JP-A-60-37550）などがある。しかしこ
のような技術はいろいろな問題点を有しているが、各問
題点を具体的に羅列すると、高解像度のパタンが形成で
きるほど溶解速度の差が大きくなく（JP-A-4-20495、JP-
A-6-73003）、ポリイミド前駆体の構造が限定され、透
過度が低く、かつ物性が脆弱な問題点（Macromolecule
s, 23, p. 4796-4802, 1990）、低い感度によりフィル
ム厚さの向上が難しく（JP-A-60-37550）、かつ感光剤
の添加量が多いにもかかわらず添加剤の吸収度が非常に
高くてフィルムの透過度が低いため高解像度のパタン形
成に限界があるなどの問題点がある。
【０００９】光酸発生剤は化学増幅形レジスト系で最も
重要な成分である。光酸発生剤はイオン形と非イオン形
に大別されるが、イオン形の光酸発生剤としては、ヨー
ドニウム塩（JP-A-3-154059）、スルホニウム塩（Polym
er J.、17、1985）、アンモニウム塩（US 4069055）など
に分類され、非イオン形光酸発生剤と比較して酸発生効
率が優れるが、大体溶解度が低く安定性が不良な短所が
ある。非イオン形光酸発生剤の代表的な構造は有機スル
ホン酸エステル形として大体安定性は優れるが、イオン
形と比較して酸発生効率が非常に劣る問題点がある。
【００１０】本発明の光酸発生剤は３６５ｎｍの光源を
用いるｉ線（i-line）用レジストに適用する場合より優
れる特性を表すが、このようなｉ線用レジストに適用可
能な光酸発生剤関連の代表的な先行技術としてはジメト
キシアントラセン構造を導入したJP-A-3-154059などが
ある。このようなジメトキシアントラセン構造を有する
光酸発生剤を含む既存のｉ線用光酸発生剤は溶解度がよ
くなく、光酸発生剤自体のＵＶ吸収度が非常に高くて多
量添加する場合に透過度を大きく低下させる問題点を有
する。このような問題点により１０μｍ以上の厚いフィ
ルム上で解像度が１以上の高解像度が要求される半導体
パシベーションレーヤー（passivationlayer）またはバ
ファコートレーヤー（buffer coat layer）用感光性ポ
リイミド組成物、感光性ポリベンゾキサゾール組成物、
ビルドアップ ＰＣＢ（Printed Circuit Board）用フォ
トレジスト組成物などに既存の光酸発生剤を適用する場
合、要求される解像度のパタン製造が容易ではない。
【００１１】本発明者らは前記のような既存のｉ線用光
酸発生剤が有する低い溶解度と低い熱安定性、高い吸収
度などの問題点を解決するため、光酸発生剤にナフトー
ル構造を導入して熱安定性が向上され、ナフトールのヒ
ドロキシ基の影響で溶解特性が優れ、かつ低い吸収度を
有しながら高い酸発生効率を有する光酸発生剤を製造
し、これをポジティブタイプ化学増幅形感光性樹脂組成
物に適用して高解像度のパタンを形成することができる
感光性ポリイミド組成物を開発することに至る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、既存
のｉ線用光酸発生剤が有する低い溶解度と低い熱安定
性、高い吸収度などの問題点を解決するため、光酸発生
剤にナフトール構造を導入して熱安定性が向上し、ナフ
トールのヒドロキシ基の影響で特性が優れ、かつ低い吸
収度を有しながら高い酸発生効率を有する光酸発生剤を
提供することにある。
【００１３】本発明の他の目的は、ナフトール構造が導
入された光酸発生剤を用いて高解像度のパタンを形成す
るポジティブ−タイプ化学増幅形感光性樹脂組成物を提
供することにある。
【００１４】本発明のまた他の目的は、既存の光酸発生
剤と比較して高純度で容易に合成され、また合成原料の
値段が安くため経済的に大量生産ができる光酸発生剤を
提供することにある。
【００１５】本発明のまた他の目的は、既存のポジティ
ブ形感光性ポリイミド組成物が有する低い透過度の問題
点を解決するため、低い吸収度を有しながら高い酸発生
効率を有する光酸発生剤を製造し、これを感光性ポリイ
ミド組成物に適用して結果的に１０μｍ以上の厚いフィ
ルムでも高解像度（解像度が２以上）のパタン制作が可
能な感光性ポリイミド組成物を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の前記及びその他
の目的は下記で説明される本発明によって全て達成され
る。以下、本発明の内容を下記に詳細に説明する。
【００１７】本発明は紫外線照射の時解離されて酸を発
生する光酸発生剤及びこれを用いた感光性ポリイミド組
成物に関するものである。
【００１８】本発明での光酸発生剤はナフトール構造を
有する有機塩の形態として化学式（１）で表される：
【００１９】
【化８】
【００２０】前記式において、Ｒ1及びＲ2はＨ、ＯＨま
たは炭素数５以下の有機基で同一または異なり、ｎは１
〜３の整数であり、Ａｒ1はナフタリンである。
【００２１】化学式（１）構造の光酸発生剤は有機塩の
形態として構造は陽イオン部と陰イオン部に分かれる
が、陰イオン部である（ＨＯ）n−Ａｒ1−ＳＯ3 -の具体
的な例は次のようである。
【００２２】
【化９】
【００２３】化学式（１）構造の光酸発生剤で陽イオン
部の具体的な例は次のようである。
【００２４】
【化１０】
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明で光酸発生剤の構造にナフ
タリン構造の導入により熱安定性が向上し、ナフトール
のヒドロキシ基の影響で優れる溶解特性を有し、また３
６５ｎｍ領域で低い吸収度を有しながら高い酸発生効率
を表す。本発明の光酸発生剤がレジストに適用時、全体
組成物に添加される比率は樹脂固形分含量基準で広くは
１〜４０質量％、より狭くは５〜３０質量％である。光
酸発生剤の添加量が非常に少ないと組成物の光感度が低
下し、非常に多いと全体組成物の透過度が低下してパタ
ン形成が難しくなる。
【００２６】化学式(１)の光酸発生剤はナフトールスル
ホン酸ナトリウム塩類とジフェニルヨードニウムクロラ
イド類の一般的なイオン交換反応により蒸留水で比較的
容易に高純度で合成される。
【００２７】陽イオン部導入のため用いられるナフトー
ルスルホン酸ナトリウム塩（naphtholsulfonic acid so
dium salt）類の具体的な例としては、１−ナフトール
−５−硫酸ナトリウム塩（1-naphthol-5-sulfuric acid
sodium salt）、１−ナフトール−３−硫酸ナトリウム
塩（1-naphthol-3-sulfuric acid sodium salt）、１−
ナフトール−６−硫酸ナトリウム塩（1-naphthol-6-sul
furic acid sodium salt）、１−ナフトール−８−硫酸
ナトリウム塩（1-naphthol-8-sulfuric acid sodium sa
lt）、２−ナフトール−８−硫酸ナトリウム塩（2-naph
thol-8-sulfuric acid sodium salt）、２−ナフトール
−７−硫酸ナトリウム塩（2-naphthol-7-sulfuric acid
sodium salt）、１−ナフトール−４−硫酸ナトリウム
塩（1-naphthol-4-sulfuric acid sodium salt）、１，
７−ジヒドロキシナフタリン−３−硫酸ナトリウム塩、
及び２，３−ジヒドロキシナフタリン−６−硫酸ナトリ
ウム塩などがある。
【００２８】陰イオン部構造を導入するためにはジフェ
ニルヨードニウムクロライド、ジヒドロキシフェニルヨ
ードニウムクロライドなどが用いられる。
【００２９】化学式(１)の光酸発生剤は半導体微細回路
加工用フォトレジスト、半導体パシベーションレーヤー
（passivation layer）またはバファコートレーヤー（b
uffer coat layer）として用いられる感光性ポリイミ
ド、感光性ポリベンゾキサゾール、ビルドアップ ＰＣ
Ｂ（Printed Circuit Board）用フォトレジストなどの
感光性樹脂組成物などに適用できる。ここでは前記光酸
発生剤を感光性ポリイミド組成物に適用した例について
説明する。
【００３０】本発明では前記光酸発生剤を１種または２
種以上の組合により用いる。
【００３１】本発明で前記光酸発生剤を適用した感光性
ポリイミド組成物は下記化学式(２)で示される：
【００３２】
【化１１】
【００３３】前記式において、Ｘは４価の芳香族または
脂肪族有機基であり、Ｙは２価の芳香族または脂肪族有
機基であり、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立に水素原子また
は酸により脱離可能な１価の脂肪族有機基である。
【００３４】化学式(２)の構造でＸに当該の４価の芳香
族有機基の代表的な例は次のようである：
【００３５】
【化１２】
【００３６】このような４価の芳香族有機基は化学式
(３)の一般的構造を有するテトラカルボキシジアンヒド
リド類により誘導される。
【００３７】
【化１３】
【００３８】化学式(３)の構造を有する化合物の具体的
な例としては、ピロメリトジアンヒドリド、３，３，
４，４−バイフェニルテトラカルボキシジアンヒドリ
ド、４，４−オキシジフタルジアンヒドリド、３，
３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボキシジア
ンヒドリド、２，２−ビス（３，４−ベンゼンジカルボ
キシアンヒドリド）パフルオロプロパン、４，４−スル
ホニルジフタルジアンヒドリドなどがあり、この中でピ
ロメリトジアンヒドリド、３，３，４，４−バイフェニ
ルテトラカルボキシジアンヒドリド、４，４−オキシジ
フタルジアンヒドリドが主に好ましく用いられ、これら
化合物は単独または２種以上が同時に用いられる。
【００３９】化学式(２)の構造でＹは２価の芳香族及び
脂肪族有機基として、化学式(４)で表された構造のジア
ミン類により誘導される。
【００４０】Ｈ2Ｎ−Ｙ−ＮＨ2 （４） 化学式(４)で表示されるジアミン類の具体的な例として
芳香族環を有する化合物としては、ｍ−フェニレンジア
ミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４′−ジアミノジ
フェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、２，２′−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、
４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、３，３′，
４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、４，４′−ジ
アミノジフェニルスルフィド、１，４−ビス（３−アミ
ノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（ｐ−アミノフェニ
ルスルホニル）ベンゼン、１，４−ビス（ｍ−アミノフ
ェニルスルホニル）ベンゼン、２，２−ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビス
［３，５−ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル］メタン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル］スルホン、２，２′−ビス［４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル］パフルオロプロパンなどがあ
る。これら化合物の中でまず用いられるものは４，４′
−ジアミノジフェニルエーテル、２，２′−ビス（４−
アミノフェニル）プロパン、及び４，４′−ジアミノジ
フェニルスルホンであり、このような化合物は単独また
は２種以上が同時に用いられる。
【００４１】前記化学式(２)でのＲ3及びＲ4はそれぞれ
独立に水素原子またはカルボキシ基に結合した保護基と
して酸により解離可能な作用基であり、これの具体的な
例としてはｔ−ブトキシカルボニルグループ、テトラヒ
ドロピラニルグループ（tetrahydropyranyl group）、
トリメチルシリルグループ（trimethylsilyl group）、
メチルエチルエーテルグループなどがある。ここで水素
原子の数をａ、保護基の数をｂとする時、ｂ／（ａ＋
ｂ）の値は０．３〜０．８の範囲の値を有する。このよ
うな作用基の比率により、現像時に現像液として用いら
れるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液でポ
リイミド前駆体の溶解速度が調節される。
【００４２】本発明のポジティブ形感光性樹脂組成物に
は前記のポリアミド酸エステルとナフタリン構造を有す
る光酸発生剤が混合され、光酸発生剤が全体組成物に添
加される比率はポリイミド前駆体固形分含量基準で好ま
しくは５〜４０質量％、より好ましくは１０〜３０質量
％である。光酸発生剤の添加量が５質量％未満では組成
物の光感度が低下し、４０質量％以上では最終硬化後の
フィルムの機械的物性がよくない。
【００４３】前記ポリアミド酸エステルと光酸発生剤は
前記の比率で極性溶媒に溶解させてフォトレジスト組成
物に製造される。全体組成物で固形分の濃度、即ちポリ
アミド酸エステルと光酸発生剤の濃度は形成しようとす
るフィルムの厚さによって決定されるが、一般的に固形
分の濃度は５〜４５％の範囲で調節され、４５％を超え
ると高い粘度によりスピン−コーティングなどの工程に
難しさがある。ここで極性溶媒としては、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニ
トリル、ジグライム（diglyme）、γ−ブチロラクト
ン、フェノール、トルエン、シクロヘキサノンなどがあ
り、この中でＮ−メチル−２−ピロリドンが最も広く用
いられる。
【００４４】本発明のポジティブ形感光性樹脂組成物は
現像液としてアルカリ水溶液を用い、アルカリ現像液は
有機溶剤と比較してより環境親和的、より経済的であ
る。アルカリ現像液としては、テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド（tetramethylammoniumhydroxide）、テ
トラエチルアンモニウムヒドロキシド（tetraethylammo
niumhydroxide）などの水酸化４級アンモニウム水溶液
とエタノールアミン、プロピルアミンなどのアミン系水
溶液がある。この中で一般的にテトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド２．３８％水溶液が最も多く用いられ
る。
【００４５】本発明の感光性樹脂組成物を用いてガラ
ス、シリコンウエファーなどの基板上にパタン化された
耐熱性ポリイミド膜を形成する。塗布する方法としてス
ピン−コーティング（spin-coating）、バーコーター
（bar coater）、スクリーンプリンティング（screen p
rinting）などの技術を用い、本発明の組成物が適用し
ようとするバファコーティング膜形成のためにはスピン
コーティングが主に用いられる。塗布される膜の厚さは
０．５〜２０μｍ程度で、膜の厚さが厚いほど解像度は
低下する。
【００４６】塗布後、５０〜１２０℃で４〜１０分程度
予熱（prebake）し、溶媒を揮発させて予熱膜を形成す
る。続けて加工しようとするパタンが形成されたフォト
マスクを用いて紫外線を照射する。照射時の露光量は２
００〜１０００ｍＪ／ｃｍ2程度になり、露光後６０〜
１２０℃の温度で３０〜６００秒間ＰＥＢ（post expos
ure baking）工程を進行させる。このような工程により
露光部では光酸発生剤により生成された酸で保護基が脱
離して前記のアルカリ現像液で現像時、溶解速度が非露
光部と比較して著しく増加し、このような溶解速度の差
により露光部が現像液により除去されてパタンを形成す
ることになる。現像液による現像工程後、形成されたパ
タンを蒸留水、またはアルコール類で洗浄し、乾燥過程
を経て最終的にポリイミド前駆体のパタンが形成され
る。
【００４７】感光性樹脂の解像力は主に形成されたパタ
ンの厚さ（ａ）に対する線幅（ｂ）の比率である解像度
（＝ａ／ｂ）で表現されるが、本発明の感光性ポリイミ
ド組成物は化学式（１）構造の光酸発生剤の優れる特性
により解像度が３．０水準の高解像力が具現できる。即
ち、フィルム厚さ１５μｍで最小線幅５μｍのパタンが
製造できる。前記の方法で得られたポリイミド前駆体の
パタンは熱処理によりポリイミドパタンに転換される。
熱処理は真空下または窒素気流下、１５０〜４５０℃の
温度で０．５〜５時間の間段階別または連続的に処理さ
れる。この段階でポリイミド前駆体であるポリアミド酸
またはポリアミド酸エステルが硬化して相対的に低分子
のポリイミドに転換される。
【００４８】本発明の感光性ポリイミド組成物を用いた
ポリイミド膜は半導体素子の層間絶縁膜、バファコーテ
ィングフィルム、パシベーションフィルム、多層ＰＣＢ
の絶縁膜など各種電子装置の絶縁膜として適用できる。
【００４９】以下、本発明の実施例により詳細に説明す
るが、下記の実施例は本発明の具体的な実施様態の例示
目的だけで、本発明の保護範囲を制限または限定するも
のではない。
【００５０】
【実施例】光酸発生剤合成： （１）光酸発生剤（ＤＩＮＳ−１）合成 １リットル三角フラスコに１−ナフトール−５−硫酸ナ
トリウム塩１０．８３ｇと蒸留水５００ｍｌとを投入
し、固形分が完全に溶解するまで８０℃以上に加熱しな
がら攪拌する。同じ方法でジフェニルヨードニウムクロ
ライド１２．６６ｇを他の三角フラスコで蒸留水５００
ｍｌに８０℃以上に加熱して完全に溶解させる。完全に
溶解されたジフェニルヨードニウムクロライド水溶液を
１−ナフトール−５−硫酸ナトリウム塩水溶液と徐々に
混合すると、混合後すぐ粉末が形成し、反応物を減圧ろ
過して生成された粉末を分離し、蒸留水で洗浄し、常温
で４８時間真空乾燥して光酸発生剤（ＤＩＮＳ−１）を
製造した。
【００５１】（２）光酸発生剤（ＤＩＮＳ−２）合成 前記の１−ナフトール−５−硫酸ナトリウム塩の代わり
に１−ナフトール−４−硫酸ナトリウム塩を用いて同じ
過程により光酸発生剤（ＤＩＮＳ−２）を製造した。 感光性ポリイミド前駆体の合成： （１）感光性ポリイミド前駆体（ＰＡＥ−１）の合成 温度計、攪拌機、窒素導入管、及び冷却器を付着した５
００ｍｌ４枝付フラスコに窒素気流下でＮ−メチル−２
−ピロリドン（ＮＭＰ）１５０ｍｌにオキシジアニリン
（ＯＤＡ）１４．０１ｇ（０．０７ｍｏｌｅ）を溶解さ
せ、ここにオキシジフタルアンヒドリド（ＯＤＰＡ）２
１．７２ｇを投入し、常温で５時間重合してポリアミド
酸を製造した。続けてＮＭＰ１５０ｍｌを追加して反応
物を希釈し−１０℃に冷却した。ここにトリエチルアミ
ン１１．３３ｇを滴下し、続けてクロロメチルエチルエ
ーテル１１．９１ｇを徐々に滴下した。反応は−１０℃
に維持しながら２時間進行し、反応終了後反応物を減圧
ろ過して生成した塩（ｓａｌｔ）を除去し、塩が除去さ
れたろ過液を３リットルの蒸留水に徐々に投入して反応
物を沈殿させた。沈殿物をろ過して４０℃で２４時間乾
燥し、最終的に感光性ポリイミド前駆体粉末（ＰＡＥ−
１）を製造した。
【００５２】（２）感光性ポリイミド前駆体（ＰＡＥ−
２）の合成 前記においてジアンヒドリド成分であるＯＤＰＡ２１．
７２ｇの代わりにＯＤＰＡ１３．０３ｇとバイフタルア
ンヒドリド（ＢＰＤＡ）１２．３６ｇに代替して前記と
同一な方法で感光性ポリイミド前駆体（ＰＡＥ−２）を
合成した。
【００５３】実施例１：感光性樹脂組成物の製造 前記で製造された感光性ポリイミド前駆体粉末（ＰＡＥ
−１）１０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）
４０ｇと光酸発生剤として前記で合成したＤＩＮＳ−１
８ｇとを混合して溶解させ、０．２μｍフィルターで
ろ過して感光性ポリイミド組成物を製造した。
【００５４】解像力評価：４インチのシリコンウエファ
ーに前記感光性組成物をスピン−コーティングし、ホッ
トプレート（hot plate）を用いて８０℃で６分間、１
００℃で２分間加熱して感光性ポリイミド前駆体のフィ
ルムを１５μｍ厚さでシリコンウエファーにコーティン
グした。フォトマスクにコーティングされたシリコンウ
エファーを真空密着させて高圧水銀ランプで３６５ｎｍ
の紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ2照射した。露光後再び
ホットプレートを用いて１００℃で３分間ＰＥＢ（post
exposure baking）し、現像液として２．３８ｗｔ％テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶
液で３分間現像し、蒸留水で洗浄して未露光部が鮮明に
残っているパタンを形成した。このパタン化されたシリ
コンウエファーを窒素気流下、ホットプレートで８０℃
で１０分、１２０℃で６０分、３５０℃で６０分熱処理
して最小線幅５μｍ、厚さ１０μｍのパタン化されたフ
ィルムを形成した。
【００５５】フィルム物性評価：感光性ポリイミド前駆
体組成物をガラス板の上にスピン−コーティングし、シ
リコンウエファーを窒素気流下、ホットプレートで８０
℃で１０分、１２０℃で６０分、３５０℃で６０分熱処
理して厚さ１０μｍのポリイミドフィルムを形成し、オ
ートクレーブで１時間、１２５℃、２．３ａｔｍの条件
でＰＣＴ（pressure cooking treatment）してフィルム
をガラス板から剥離し、幅１ｃｍのフィルムで引張試験
機で引張特性を測定した。測定結果引張強度は１００Ｍ
Ｐａ、モジュラス（modulus）は２．６ＧＰａ、伸率は
６％を表した。
【００５６】実施例２：感光性樹脂組成物の製造 前記で製造された感光性ポリイミド前駆体粉末（ＰＡＥ
−２）１０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）
４０ｇと光酸発生剤として前記で合成したＤＩＮＳ−２
８ｇとを混合して溶解させ、０．２μｍフィルターで
ろ過して感光性ポリイミド組成物を製造した。
【００５７】解像力評価：実施例１の解像力評価と同一
な方法で評価を実施して最小線幅６μｍ、厚さ１０μｍ
のパタン化されたフィルムを形成した。
【００５８】フィルム物性評価：実施例１のフィルム物
性評価と同一な方法で評価を実施して測定した結果、引
張強度は１３０ＭＰａ、モジュラスは３．０ＧＰａ、伸
率は１０％を表した。
【００５９】比較例 既存の光酸発生剤であるＤＩＡＳとＤＩＮＳ−１を比較
評価するため、前記感光性ポリイミド前駆体（ＰＡＥ−
１）にそれぞれ１０及び２０ｗｔ％に組成し、１０００
ｍＪづつ露光して各組成物の透過特性と溶解特性を評価
し、その結果を下記表１に表した。光酸発生剤添加前の
ＰＡＥ−１の透過度は６２％であった。
【００６０】
【表１】
【００６１】
【発明の効果】本発明の感光性ポリイミド組成物に用い
られた光酸発生剤は紫外線領域で吸収度が低く酸発生効
率が高いため、感光性ポリイミド前駆体組成物に１０質
量部以上多量添加しても全体組成物の透過度低下が大き
くなく、結果的に１０μｍ以上の高いフィルム厚さでも
高解像度のパタン形成を安定的に形成することが可能で
ある。また、全体組成物をフィルム化して熱処理した
時、熱的、電気的、機械的特性が優れて高解像度のパタ
ン形成を必要とする半導体、回路基板などの保護膜、絶
縁膜として適合する材料である。
【００６２】本発明の単純な変形ないし変更は、全てこ
の分野の通常の知識を有する者により容易に実施でき、
かかる変形や変更は全て本発明の領域に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の感光性ポリイミド組成物がバファコ
ーティングフィルムとして適用された半導体素子の概略
的な断面図である。
【符号の説明】
１：エポキシ袋材料（epoxy sealing material） ２：ワイヤボンディング（wire bonding） ３：ＬＳＩチップ（LSI chip） ４：リードフレーム（Lead Frame） ５：パシベーション膜（passivation layer） ６：ポリイミド（polyimide） ７：ＬＯＣテープ（LOC Tape）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０３ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０３Ａ 7/039 ６０１ 7/039 ６０１ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 感光性基礎樹脂；及び下記化学式（１）
    で表された光酸発生剤； 【化１】 (前記式において、Ｒ1及びＲ2はＨ、ＯＨまたは炭素数
    ５以下の有機基で同一または異なり、ｎは１〜３の整数
    であり、Ａｒ1はナフタリンである)を含むことを特徴と
    する感光性樹脂組成物。
  2. 【請求項２】 前記感光性基礎樹脂は下記化学式(２)で
    表されるポリイミド前駆体であることを特徴とする請求
    項１記載の感光性樹脂組成物： 【化２】 前記式において、Ｘは４価の芳香族または脂肪族有機基
    であり、Ｙは２価の芳香族または脂肪族有機基であり、
    Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立に水素原子または酸により脱
    離可能な１価の脂肪族有機基である。
  3. 【請求項３】 前記４価の芳香族有機基は次に表示され
    た化学式から選択されることを特徴とする請求項２記載
    の感光性樹脂組成物。 【化３】
  4. 【請求項４】 前記４価の芳香族有機基は下記化学式
    (３)の一般的構造を有するテトラカルボキシジアンヒド
    リド（tetra carboxylic dianhydride）類により誘導さ
    れることを特徴とする請求項２記載の感光性樹脂組成
    物。 【化４】
  5. 【請求項５】 前記化学式(３)の一般的構造を有するテ
    トラカルボキシジアンヒドリドは、ピロメリトジアンヒ
    ドリド（pyromellitic dianhydride）、３，３，４，４
    −バイフェニルテトラカルボキシジアンヒドリド（3,3,
    4,4-biphenyltetracarboxylic dianhydride）、４，４
    −オキシジフタルジアンヒドリド（4,4-oxydiphthalic
    dianhydride）、３，３′，４，４′−ベンゾフェノン
    テトラカルボキシジアンヒドリド（3,3′,4,4′-benzop
    henone tetracarboxylic dianhydride）、２，２−ビス
    （３，４−ベンゼンジカルボキシアンヒドロド）パフル
    オロプロパン（2,2-bis(3,4-benzenedicarboxylic anhy
    dride)perfluoropropane）及び４，４−スルホニルジフ
    タルジアンヒドリド（4,4-sulfonyldiphthalic dianhyd
    ride）よりなる群から選択される少なくとも一つである
    ことを特徴とする請求項４記載の感光性樹脂組成物。
  6. 【請求項６】 前記Ｙは下記化学式（４）で表された構
    造のジアミン類により誘導されることを特徴とする請求
    項２記載の感光性樹脂組成物。 Ｈ2Ｎ−Ｙ−ＮＨ2 （４）
  7. 【請求項７】 前記ジアミン類は、ｍ−フェニレンジア
    ミン（m-phenylenediamine）、ｐ−フェニレンジアミン
    （p-phenylenediamine）、４，４′−ジアミノジフェニ
    ルメタン（4,4′-diaminodiphenylmethane）、４，４′
    −ジアミノジフェニルエーテル（4,4′-diaminodipheny
    lether）、２，２′−ビス（４−アミノフェニル）プロ
    パン（2,2′-bis(4-aminophenyl)propane）、４，４′
    −ジアミノジフェニルスルホン（4,4′-diaminodipheny
    lsulfone）、３，３′，４，４′−ジアミノジフェニル
    スルホン（3,3′,4,4′-diaminodiphenylsulfone）、
    ４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド（4,4′-diam
    inodiphenylsulfide）、１，４−ビス（３−アミノフェ
    ノキシ）ベンゼン（1,4-bis(3-aminophenoxy)benzen
    e）、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン
    （1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene）、１，４−ビス
    （ｐ−アミノフェニルスルホニル）ベンゼン（1,4-bis
    (p-aminophenylsulfonyl)benzene）、１，４−ビス（ｍ
    −アミノフェニルスルホニル）ベンゼン（1,4-bis(m-am
    inophenylsulfonyl)benzene）、２，２−ビス［４−
    （４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（2,2-bi
    s[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane）、ビス［４−
    （４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン（bis[4-(4
    -aminophenoxy)phenyl]methane）、ビス［３，５−ジメ
    チル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン
    （bis[3,5-dimethyl-4-(4-aminophenoxy)phenyl]methan
    e）、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］
    スルホン（bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone）及
    び２，２′−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
    ニル］パフルオロプロパン（2,2′-bis[4-(4-aminophen
    oxy)phenyl]perfluoropropane）よりなる群から選択さ
    れる少なくとも一つであることを特徴とする請求項６記
    載の感光性樹脂組成物。
  8. 【請求項８】 前記感光性基礎樹脂と前記光酸発生剤は
    極性溶媒に溶解させてフォトレジスト組成物に製造さ
    れ、前記光酸発生剤は前記基礎樹脂固形分含量基準で５
    〜４０質量％であることを特徴とする請求項１記載の感
    光性樹脂組成物。
  9. 【請求項９】 前記極性溶媒は、Ｎ−メチル−２−ピロ
    リドン（N-methyl-2-pyrrolidone）、Ｎ，Ｎ′−ジメチ
    ルアセトアミド（N,N′-dimethylacetamide）、ジメチ
    ルホルムアミド（dimethylformamide）、ジメチルスル
    ホキシド（dimethylsulfoxide）、アセトニトリル（ace
    tonitrilｅ）、ジグライム（diglyme）、γ−ブチロラ
    クトン（γ-butyrolactone）、フェノール（phenol）、
    トルエン（toluene）及びシクロヘキサノン（cyclohexa
    none）よりなる群から選択される少なくとも一つである
    ことを特徴とする請求項８記載の感光性樹脂組成物。
  10. 【請求項１０】 感光性基礎樹脂とともに用いられて感
    光性樹脂組成物を製造するため用いられる下記化学式
    （１）で表されることを特徴とする光酸発生剤： 【化５】 前記式において、Ｒ1及びＲ2はＨ、ＯＨまたは炭素数５
    以下の有機基で同一または異なり、ｎは１〜３の整数で
    あり、Ａｒ1はナフタリンである。
  11. 【請求項１１】 前記化学式（１）構造の光酸発生剤の
    陰イオン部である（ＨＯ）n−Ａｒ1−ＳＯ3 -が下記構造
    式から選択されることを特徴とする請求項１０記載の光
    酸発生剤。 【化６】
  12. 【請求項１２】 前記化学式（１）構造の光酸発生剤の
    陽イオン部が下記構造式から選択されることを特徴とす
    る請求項１０記載の光酸発生剤。 【化７】
  13. 【請求項１３】 請求項１０ないし請求項１２のいずれ
    一項の光酸発生剤が適用された半導体微細回路加工用フ
    ォトレジスト、半導体パシベーションレーヤー（passiv
    ation layer）またはバファコートレーヤー（buffer co
    at layer）として用いられる感光性ポリイミド、感光性
    ポリベンゾキサゾール（polybenzoxazole）、またはビ
    ルドアップ（Build-Up） ＰＣＢ（Printed Circuit Boa
    rd）用フォトレジスト組成物。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7851128B2 (en) 2002-05-17 2010-12-14 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. Photosensitive polymer composition, method of forming relief patterns, and electronic equipment
JP2020193151A (ja) * 2019-05-24 2020-12-03 信越化学工業株式会社 オニウム塩化合物、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1411088B1 (en) * 2001-07-26 2013-08-21 Nissan Chemical Industries, Ltd. Polyamic acid resin composition
KR100529577B1 (ko) * 2001-11-22 2005-11-17 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 감광성 수지조성물, 드라이필름 및 그것을 이용한 가공부품
KR100532590B1 (ko) * 2002-11-07 2005-12-01 삼성전자주식회사 감광성 폴리이미드 전구체용 가용성 폴리이미드 및, 이를포함하는 감광성 폴리이드 전구체 조성물
JP5332326B2 (ja) * 2007-06-18 2013-11-06 住友ベークライト株式会社 半導体装置の製造方法
US20090071693A1 (en) * 2007-08-30 2009-03-19 Mitsui Chemicals, Inc. Negative photosensitive material and circuit board
TWI754734B (zh) * 2017-03-29 2022-02-11 日商富士軟片股份有限公司 感光性樹脂組成物、硬化膜、積層體、硬化膜的製造方法及半導體裝置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL177718C (nl) 1973-02-22 1985-11-01 Siemens Ag Werkwijze ter vervaardiging van reliefstructuren uit warmte-bestendige polymeren.
US4069056A (en) 1974-05-02 1978-01-17 General Electric Company Photopolymerizable composition containing group Va aromatic onium salts
GB1512982A (en) 1974-05-02 1978-06-01 Gen Electric Salts
US4093461A (en) 1975-07-18 1978-06-06 Gaf Corporation Positive working thermally stable photoresist composition, article and method of using
JPS5952822B2 (ja) 1978-04-14 1984-12-21 東レ株式会社 耐熱性感光材料
JPS6037550A (ja) 1983-08-09 1985-02-26 Mitsubishi Electric Corp ポジ型感光性耐熱材料
EP0224680B1 (en) 1985-12-05 1992-01-15 International Business Machines Corporation Diazoquinone sensitized polyamic acid based photoresist compositions having reduced dissolution rates in alkaline developers
JP2582578B2 (ja) 1987-07-14 1997-02-19 日本化薬株式会社 感光性樹脂組成物
US4927736A (en) 1987-07-21 1990-05-22 Hoechst Celanese Corporation Hydroxy polyimides and high temperature positive photoresists therefrom
US4882201A (en) 1988-03-21 1989-11-21 General Electric Company Non-toxic aryl onium salts, UV curable coating compositions and food packaging use
FR2649623B1 (fr) 1989-07-17 1991-10-18 Eurecat Europ Retrait Catalys Procede de pretraitement d'un catalyseur de raffinage
JP2599007B2 (ja) 1989-11-13 1997-04-09 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
JP3011457B2 (ja) 1990-11-30 2000-02-21 株式会社東芝 感光性樹脂組成物
JPH05204154A (ja) 1992-01-29 1993-08-13 Hitachi Chem Co Ltd 耐熱性感光材料
JPH0673003A (ja) 1992-08-28 1994-03-15 Toshiba Corp ビスマレイミド化合物及び感光性樹脂組成物
JP3461377B2 (ja) * 1994-04-18 2003-10-27 富士写真フイルム株式会社 画像記録材料
JP3645362B2 (ja) * 1996-07-22 2005-05-11 富士写真フイルム株式会社 ネガ型画像記録材料
EP1059164B1 (en) * 1999-05-31 2006-04-19 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image recording material and planographic printing plate using same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7851128B2 (en) 2002-05-17 2010-12-14 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. Photosensitive polymer composition, method of forming relief patterns, and electronic equipment
US8304149B2 (en) 2002-05-17 2012-11-06 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. Photosensitive polymer composition, method of forming relief patterns, and electronic equipment
JP2020193151A (ja) * 2019-05-24 2020-12-03 信越化学工業株式会社 オニウム塩化合物、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法
JP7226095B2 (ja) 2019-05-24 2023-02-21 信越化学工業株式会社 オニウム塩化合物、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法

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