JP2002099084A - 感光性樹脂組成物およびその製造方法 - Google Patents
感光性樹脂組成物およびその製造方法Info
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- JP2002099084A JP2002099084A JP2000289707A JP2000289707A JP2002099084A JP 2002099084 A JP2002099084 A JP 2002099084A JP 2000289707 A JP2000289707 A JP 2000289707A JP 2000289707 A JP2000289707 A JP 2000289707A JP 2002099084 A JP2002099084 A JP 2002099084A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルカリ水溶液にて現像が可能なネガ型パタ
ーン形成能を有するポリイミド前駆体を提供する。 【解決手段】 （Ａ）次式のポリイミド前躯体、 （式中、Ｒ1 は、ベンゾフェノンテトラカルボン酸残基
など、Ｒ2 は、 4,4′−ジアミノジフェニルエーテル残
基など、そしてＲ3 、Ｒ4 はヒドロキシベンジルアルコ
ールなどフェノール性ＯＨ基を有する芳香族化合物残
基） （Ｂ）ポリイミド前躯体合成用のジフェニル（2,3-ジヒ
ドロ-2−チオキソ-3−ベンゾオキサゾール）ホスホナー
トなど脱水縮合剤、（Ｃ）N,N´-1,4−フェニレンジマ
レイミド等のマレイミド化合物、（Ｄ）ジフェニルヨー
ドニウム-9,10-ジメトキシアントラセン-2−スルフォネ
ートなど光酸発生剤および（Ｅ）溶剤からなる感光性樹
脂組成物とその製造方法である。
ーン形成能を有するポリイミド前駆体を提供する。 【解決手段】 （Ａ）次式のポリイミド前躯体、 （式中、Ｒ1 は、ベンゾフェノンテトラカルボン酸残基
など、Ｒ2 は、 4,4′−ジアミノジフェニルエーテル残
基など、そしてＲ3 、Ｒ4 はヒドロキシベンジルアルコ
ールなどフェノール性ＯＨ基を有する芳香族化合物残
基） （Ｂ）ポリイミド前躯体合成用のジフェニル（2,3-ジヒ
ドロ-2−チオキソ-3−ベンゾオキサゾール）ホスホナー
トなど脱水縮合剤、（Ｃ）N,N´-1,4−フェニレンジマ
レイミド等のマレイミド化合物、（Ｄ）ジフェニルヨー
ドニウム-9,10-ジメトキシアントラセン-2−スルフォネ
ートなど光酸発生剤および（Ｅ）溶剤からなる感光性樹
脂組成物とその製造方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス等
の製造において電気、電子絶縁材料として用いられるポ
リイミド系の感光性樹脂組成物およびその製造方法に関
するものであり、詳しくは、この感光性樹脂組成物は、
ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子上に成膜される絶縁保護膜
であって、微細パターンの加工が必要とされるものなど
に適用される。
の製造において電気、電子絶縁材料として用いられるポ
リイミド系の感光性樹脂組成物およびその製造方法に関
するものであり、詳しくは、この感光性樹脂組成物は、
ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子上に成膜される絶縁保護膜
であって、微細パターンの加工が必要とされるものなど
に適用される。
【０００２】
【従来の技術】近年、ポリイミド樹脂は、その高い耐熱
性、耐薬品性、電気絶縁性、低誘電率等によって、半導
体を含む電気、電子分野への展開がなされており、半導
体デバイスの分野では、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩのチッ
プの層間絶縁膜や表面保護膜として利用されている。し
かし、従来のポリイミド膜パターン形成方法では、ポリ
イミド前駆体をウェーハ上に塗布・乾燥した後、フォト
レジストを用いてパターン蝕刻加工を行わなくてはなら
ず、また、有害物質であるヒドラジン溶液をポリイミド
エッチング液として使用しなくてはならなかった。
性、耐薬品性、電気絶縁性、低誘電率等によって、半導
体を含む電気、電子分野への展開がなされており、半導
体デバイスの分野では、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩのチッ
プの層間絶縁膜や表面保護膜として利用されている。し
かし、従来のポリイミド膜パターン形成方法では、ポリ
イミド前駆体をウェーハ上に塗布・乾燥した後、フォト
レジストを用いてパターン蝕刻加工を行わなくてはなら
ず、また、有害物質であるヒドラジン溶液をポリイミド
エッチング液として使用しなくてはならなかった。
【０００３】このため、ポリイミド前駆体に感光基を導
入し、ポリイミド自体のパターン形成を可能にする試み
が材料メーカー各社で行われており、いくつかの製品分
野において実用段階にきている。しかし、現在実用化さ
れている感光性ポリイミドは、パターン形成の際に有機
溶剤によって現像しなくてはならず、環境保全の観点か
ら重大な問題となっている。この問題からパターン形成
の際にアルカリ水溶液が利用できる感光性ポリイミド前
駆体が強く要求されている。
入し、ポリイミド自体のパターン形成を可能にする試み
が材料メーカー各社で行われており、いくつかの製品分
野において実用段階にきている。しかし、現在実用化さ
れている感光性ポリイミドは、パターン形成の際に有機
溶剤によって現像しなくてはならず、環境保全の観点か
ら重大な問題となっている。この問題からパターン形成
の際にアルカリ水溶液が利用できる感光性ポリイミド前
駆体が強く要求されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前述
した従来の欠点を解消し、アルカリ水溶液にて現像が可
能なネガ型パターン形成能を有するポリイミド前駆体と
このポリイミド前駆体を安定して製造する方法を提供す
るものである。
した従来の欠点を解消し、アルカリ水溶液にて現像が可
能なネガ型パターン形成能を有するポリイミド前駆体と
このポリイミド前駆体を安定して製造する方法を提供す
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を進めた結果、後述の樹脂組成
物と、その製造方法を採用することによって、上記目的
を達成できることを見いだし、本発明を完成したもので
ある。
を達成しようと鋭意研究を進めた結果、後述の樹脂組成
物と、その製造方法を採用することによって、上記目的
を達成できることを見いだし、本発明を完成したもので
ある。
【０００６】即ち、本発明の感光性樹脂組成物は、
（Ａ）次の繰返し単位をもつポリイミド前躯体、
（Ａ）次の繰返し単位をもつポリイミド前躯体、
【化３】 （但し、式中、Ｒ1 は、４価の芳香族基、複数の芳香族
環が単結合された４価の有機基、又は複数の芳香族環が
−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −若しくは−
Ｃ（ＣＦ3 ）2 −で結合された４価の有機基であり、Ｒ
2 は、４価の芳香族基、複数の芳香族環が単結合された
４価の有機基、又は複数の芳香族環が−Ｏ−、−ＣＯ
−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −若しくは−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−で結合された４価の芳香族基であり、そしてＲ3 、Ｒ
4 はフェノール性ＯＨ基を有する芳香族化合物の残基で
ある） （Ｂ）上記の（Ａ）ポリイミド前躯体を合成するにあた
り用いる脱水縮合剤、（Ｃ）１官能以上のマレイミド環
を有するマレイミド化合物、（Ｄ）活性光線によって酸
性を有する官能基を発生する光酸発生剤および（Ｅ）溶
剤からなることを特徴とする。
環が単結合された４価の有機基、又は複数の芳香族環が
−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −若しくは−
Ｃ（ＣＦ3 ）2 −で結合された４価の有機基であり、Ｒ
2 は、４価の芳香族基、複数の芳香族環が単結合された
４価の有機基、又は複数の芳香族環が−Ｏ−、−ＣＯ
−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −若しくは−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−で結合された４価の芳香族基であり、そしてＲ3 、Ｒ
4 はフェノール性ＯＨ基を有する芳香族化合物の残基で
ある） （Ｂ）上記の（Ａ）ポリイミド前躯体を合成するにあた
り用いる脱水縮合剤、（Ｃ）１官能以上のマレイミド環
を有するマレイミド化合物、（Ｄ）活性光線によって酸
性を有する官能基を発生する光酸発生剤および（Ｅ）溶
剤からなることを特徴とする。
【０００７】また、本発明の感光性樹脂組成物の製造方
法は、（１）下記繰返し単位中に示されるＲ1 骨格をも
つ酸二無水物とＲ3 、Ｒ4 骨格をもつアルコール性化合
物とのエステル化反応工程、
法は、（１）下記繰返し単位中に示されるＲ1 骨格をも
つ酸二無水物とＲ3 、Ｒ4 骨格をもつアルコール性化合
物とのエステル化反応工程、
【化４】 （但し、式中、Ｒ1 は、４価の芳香族基、複数の芳香族
環が単結合された４価の有機基、又は複数の芳香族環が
−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −若しくは−
Ｃ（ＣＦ3 ）2 −で結合された４価の有機基であり、Ｒ
2 は、４価の芳香族基、複数の芳香族環が単結合された
４価の有機基、又は複数の芳香族環が−Ｏ−、−ＣＯ
−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −若しくは−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−で結合された４価の芳香族基であり、そしてＲ3 、Ｒ
4 はフェノール性ＯＨ基を有する芳香族化合物の残基で
ある） （２）脱水縮合剤添加のもとで、（１）のエステル化反
応物と式化２中のＲ2 骨格となるジアミン化合物との重
縮合反応工程、（３）重縮合反応したポリイミド前躯体
の精製工程および（４）マレイミド化合物及び光酸発生
剤との樹脂溶液の調製工程からなることを特徴とするも
のである。
環が単結合された４価の有機基、又は複数の芳香族環が
−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −若しくは−
Ｃ（ＣＦ3 ）2 −で結合された４価の有機基であり、Ｒ
2 は、４価の芳香族基、複数の芳香族環が単結合された
４価の有機基、又は複数の芳香族環が−Ｏ−、−ＣＯ
−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −若しくは−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−で結合された４価の芳香族基であり、そしてＲ3 、Ｒ
4 はフェノール性ＯＨ基を有する芳香族化合物の残基で
ある） （２）脱水縮合剤添加のもとで、（１）のエステル化反
応物と式化２中のＲ2 骨格となるジアミン化合物との重
縮合反応工程、（３）重縮合反応したポリイミド前躯体
の精製工程および（４）マレイミド化合物及び光酸発生
剤との樹脂溶液の調製工程からなることを特徴とするも
のである。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００９】まず、本発明の感光性樹脂組成物の製造方
法を、（１）〜（４）の工程順に説明し、同時に本発明
の感光性樹脂組成物の（Ａ）〜（Ｅ）成分を説明する。
法を、（１）〜（４）の工程順に説明し、同時に本発明
の感光性樹脂組成物の（Ａ）〜（Ｅ）成分を説明する。
【００１０】（１）化４の式中におけるＲ1 骨格をもつ
酸二無水物とＲ3 、Ｒ4 骨格をもつアルコール性化合物
とのエステル化反応工程 本発明におけるポリイミド前躯体のＲ1 骨格をもつ酸成
分としては、例えば、ピロメリット酸、３，３′，４，
４′−ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，３′，
４′−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３′，４，
４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、４，４′−オ
キシジフタル酸、３，３′，４，４′−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン酸、２，２−ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，３，
６，７−ナフタレンテトラカルボン酸、１，２，５，６
−ナフタレンテトラカルボン酸、１，４，５，８−ナフ
タレンテトラカルボン酸、１，２，３，４−シクロブタ
ンテトラカルボン酸、１，２，３，４−ブタンテトラカ
ルボン酸、１，２，４，５−シクロペンタンテトラカル
ボン酸、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボ
ン酸、３，３′，４，４′−ビシクロヘキシルテトラカ
ルボン酸、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル
酢酸、３，４−ジカルボキシ−１，２，３，４−テトラ
ヒドロナフタレン−１−コハク酸等とその無水物が挙げ
られ、これらは単独又は混合して使用することかができ
る。
酸二無水物とＲ3 、Ｒ4 骨格をもつアルコール性化合物
とのエステル化反応工程 本発明におけるポリイミド前躯体のＲ1 骨格をもつ酸成
分としては、例えば、ピロメリット酸、３，３′，４，
４′−ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，３′，
４′−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３′，４，
４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、４，４′−オ
キシジフタル酸、３，３′，４，４′−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン酸、２，２−ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，３，
６，７−ナフタレンテトラカルボン酸、１，２，５，６
−ナフタレンテトラカルボン酸、１，４，５，８−ナフ
タレンテトラカルボン酸、１，２，３，４−シクロブタ
ンテトラカルボン酸、１，２，３，４−ブタンテトラカ
ルボン酸、１，２，４，５−シクロペンタンテトラカル
ボン酸、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボ
ン酸、３，３′，４，４′−ビシクロヘキシルテトラカ
ルボン酸、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル
酢酸、３，４−ジカルボキシ−１，２，３，４−テトラ
ヒドロナフタレン−１−コハク酸等とその無水物が挙げ
られ、これらは単独又は混合して使用することかができ
る。
【００１１】さらに、上記Ｒ1 骨格となる酸成分にエス
テル結合で導入するＲ3 、Ｒ4 骨格をもつアルコール性
化合物としては、例えば、２−ヒドロキシベンジルアル
コール、３−ヒドロキシベンジルアルコール、４−ヒド
ロキシベンジルアルコール、３，５−ジヒドロキシベン
ジルアルコール、２−［ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）メチル］ベンジルアルコール、ハイドロキノン、ヒ
ドロキシハイドロキノン、４−ヒドロキシ−３−メトキ
シベンジルアルコール、ビス（４−ヒドロキシ−３−メ
チルフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）スルホン等が挙げられ、単独又は２種以上混合し
て使用することができる。
テル結合で導入するＲ3 、Ｒ4 骨格をもつアルコール性
化合物としては、例えば、２−ヒドロキシベンジルアル
コール、３−ヒドロキシベンジルアルコール、４−ヒド
ロキシベンジルアルコール、３，５−ジヒドロキシベン
ジルアルコール、２−［ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）メチル］ベンジルアルコール、ハイドロキノン、ヒ
ドロキシハイドロキノン、４−ヒドロキシ−３−メトキ
シベンジルアルコール、ビス（４−ヒドロキシ−３−メ
チルフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）スルホン等が挙げられ、単独又は２種以上混合し
て使用することができる。
【００１２】上記Ｒ1 骨格となる酸成分と上記Ｒ3 、Ｒ
4 骨格をもつ化合物のエステル化反応は、例えばＲ1 骨
格をもつ酸二無水物とＲ3 、Ｒ4 骨格をもつアルコール
性化合物で、反応溶媒としてはポリイミド前駆体合成に
良好な非プロトン性極性溶媒、例えばＮ−メチル−２−
ピロリドン等を用い、反応を円滑に行うための塩基性触
媒、例えばトリエチルアミン、ピリジン、トリエタノー
ルアミン等の存在下、常温で行うのが好ましい。この塩
基性触媒は上記酸成分に対して１．５〜３．０倍モル、
好ましくは２．０〜２．５倍モルの範囲で使用すること
ができる。
4 骨格をもつ化合物のエステル化反応は、例えばＲ1 骨
格をもつ酸二無水物とＲ3 、Ｒ4 骨格をもつアルコール
性化合物で、反応溶媒としてはポリイミド前駆体合成に
良好な非プロトン性極性溶媒、例えばＮ−メチル−２−
ピロリドン等を用い、反応を円滑に行うための塩基性触
媒、例えばトリエチルアミン、ピリジン、トリエタノー
ルアミン等の存在下、常温で行うのが好ましい。この塩
基性触媒は上記酸成分に対して１．５〜３．０倍モル、
好ましくは２．０〜２．５倍モルの範囲で使用すること
ができる。
【００１３】（２）上記エステル化合物と化４の式中の
Ｒ2 骨格となるジアミン化合物との重縮合反応工程 本発明に用いるＲ2 骨格となるジアミン化合物として
は、例えば、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレン
ジアミン、２，４−ジアミノトルエン、２，５−ジアミ
ノトルエン、２，６−ジアミノトルエン、３，５−ジア
ミノトルエン、１−メトキシ−２，４−ジアミノベンゼ
ン、１，４−ジアミノ−２−メトキシ−５−メチルベン
ゼン、１，３−ジアミノ−４，６−ジメチルベンゼン、
１，２−ジアミノナフタレン、１，４−ジアミノナフタ
レン、１，５−ジアミノナフタレン、１，６−ジアミノ
ナフタレン、１，７−ジアミノナフタレン、１，８−ジ
アミノナフタレン、２，３−ジアミノナフタレン、２，
６−ジアミノナフタレン、１，４−ジアミノ−２−メチ
ルナフタレン、１，５−ジアミノ−２−メチルナフタレ
ン、１，３−ジアミノ−２−フェニルナフタレン、２，
２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、１，１−ビ
ス（４−アミノフェニル）エタン、４，４′−ジアミノ
ジフェニルメタン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジ
アミノジフェニルメタン、３，３′，５，５′−テトラ
メチル−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３，
３′−ジメチル−５，５′−ジエチル−４，４′−ジア
ミノジフェニルメタン、３，３′，５，５′−テトラエ
チル−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′
−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）、４，４′−
メチレンビス（３，３−ジメチル−シクロヘキシルアミ
ン）、２，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、４，
４′−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３′−ジア
ミノジフェニルスルフォン、４，４′−ジアミノジフェ
ニルスルフォン、４，４′−ジアミノベンズアニリド、
３，３′−ジアミノジフェニルエーテル、３，４′−ジ
アミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、ビス（４−アミノフェニル）ジエチルシ
ラン、ビス（４−アミノフェニル）ジフェニルシラン、
ビス（４−アミノフェニル）−Ｎ−メチルアミン、ビス
（４−アミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、３，
３′−ジアミノベンゾフェノン、４，４′−ジアミノベ
ンゾフェノン、２，６−ジアミノピリジン、３，５−ジ
アミノピリジン、４，４′−ジアミノビフェニル、３，
３′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジメチル−４，
４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジメトキシ−
４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジヒドロキ
シ−４，４′−ジアミノビフェニル、ｏ−トルイジンス
ルフォン、４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビ
フェニル、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］プロパン、ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］スルフォン、ビス［４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル］スルフォン、１，４−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、９，１０−ビス
（４−アミノフェニル）アントラセン、９，９−ビス
（４−アミノフェニル）フルオレン、２，２−ビス（４
−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−
ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−１−フェニル−
２，２，２−トリフルオロエタン、２，２−ビス（３−
アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン、２，２−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパ
ン等が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使
用することができる。また、これらの化合物はＲ1 骨格
をもつ酸二無水物に対して等モルで使用するのが好まし
いが、使用目的や最終粘度、分子量に合わせて０．５〜
１．５倍モルの範囲で使用することができる。
Ｒ2 骨格となるジアミン化合物との重縮合反応工程 本発明に用いるＲ2 骨格となるジアミン化合物として
は、例えば、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレン
ジアミン、２，４−ジアミノトルエン、２，５−ジアミ
ノトルエン、２，６−ジアミノトルエン、３，５−ジア
ミノトルエン、１−メトキシ−２，４−ジアミノベンゼ
ン、１，４−ジアミノ−２−メトキシ−５−メチルベン
ゼン、１，３−ジアミノ−４，６−ジメチルベンゼン、
１，２−ジアミノナフタレン、１，４−ジアミノナフタ
レン、１，５−ジアミノナフタレン、１，６−ジアミノ
ナフタレン、１，７−ジアミノナフタレン、１，８−ジ
アミノナフタレン、２，３−ジアミノナフタレン、２，
６−ジアミノナフタレン、１，４−ジアミノ−２−メチ
ルナフタレン、１，５−ジアミノ−２−メチルナフタレ
ン、１，３−ジアミノ−２−フェニルナフタレン、２，
２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、１，１−ビ
ス（４−アミノフェニル）エタン、４，４′−ジアミノ
ジフェニルメタン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジ
アミノジフェニルメタン、３，３′，５，５′−テトラ
メチル−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３，
３′−ジメチル−５，５′−ジエチル−４，４′−ジア
ミノジフェニルメタン、３，３′，５，５′−テトラエ
チル−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′
−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）、４，４′−
メチレンビス（３，３−ジメチル−シクロヘキシルアミ
ン）、２，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、４，
４′−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３′−ジア
ミノジフェニルスルフォン、４，４′−ジアミノジフェ
ニルスルフォン、４，４′−ジアミノベンズアニリド、
３，３′−ジアミノジフェニルエーテル、３，４′−ジ
アミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、ビス（４−アミノフェニル）ジエチルシ
ラン、ビス（４−アミノフェニル）ジフェニルシラン、
ビス（４−アミノフェニル）−Ｎ−メチルアミン、ビス
（４−アミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、３，
３′−ジアミノベンゾフェノン、４，４′−ジアミノベ
ンゾフェノン、２，６−ジアミノピリジン、３，５−ジ
アミノピリジン、４，４′−ジアミノビフェニル、３，
３′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジメチル−４，
４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジメトキシ−
４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジヒドロキ
シ−４，４′−ジアミノビフェニル、ｏ−トルイジンス
ルフォン、４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビ
フェニル、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］プロパン、ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］スルフォン、ビス［４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル］スルフォン、１，４−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、９，１０−ビス
（４−アミノフェニル）アントラセン、９，９−ビス
（４−アミノフェニル）フルオレン、２，２−ビス（４
−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−
ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−１−フェニル−
２，２，２−トリフルオロエタン、２，２−ビス（３−
アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン、２，２−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパ
ン等が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使
用することができる。また、これらの化合物はＲ1 骨格
をもつ酸二無水物に対して等モルで使用するのが好まし
いが、使用目的や最終粘度、分子量に合わせて０．５〜
１．５倍モルの範囲で使用することができる。
【００１４】次に本発明において、上記重縮合反応に使
用する脱水縮合剤［（Ｂ）］について説明する。
用する脱水縮合剤［（Ｂ）］について説明する。
【００１５】上記（１）エステル化反応物の酸成分とジ
アミン成分とを重縮合法によって反応させる場合、通常
は、酸クロライドを用いて行われるが、半導体デバイス
を含む電気、電子分野においては、遊離したクロルイオ
ンが製品信頼性不良の原因となるため、酸クロライド法
による重合を行う場合には、重縮合後に純水にて十分洗
浄する必要がある。また、他の重縮合法として脱水縮合
剤であるＤＣＣ（ジシクロヘキシルカルボジイミド）等
のカルボジイミド誘導体を用いることが可能であるが、
副反応の併発、ポリイミド前駆体のゲル化、毒性
等の問題があり、さらには副生成物として発生するウレ
アの完全な除去が困難である。そのため、反応系を冷却
したり、脱水縮合剤を数回に分けて添加したり、酸成分
とジアミン成分のモルバランスを崩すなどして使用しな
くてはならない。また、他の方法として近年、本発明者
らが特許申請をしている脱水縮合剤としてジフェニル
（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−ベンゾオキサ
ゾール）ホスホナートおよびその誘導体、ジフェニル
（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−ベンゾチアゾ
ール）ホスホナートおよびその誘導体による重縮合法が
挙げられ、この方法では、穏和な条件で安定した製造が
可能であるため、高い解像度をもち、かつ高膜特性を有
するポリイミド前駆体を得ることができる。これらは単
独又は２種以上混合して使用することができる。これら
の添加量は、上記エステル化合物に対して１〜３倍モル
の範囲で、好ましくは２〜２．５倍モルの範囲で使用す
ることができる。
アミン成分とを重縮合法によって反応させる場合、通常
は、酸クロライドを用いて行われるが、半導体デバイス
を含む電気、電子分野においては、遊離したクロルイオ
ンが製品信頼性不良の原因となるため、酸クロライド法
による重合を行う場合には、重縮合後に純水にて十分洗
浄する必要がある。また、他の重縮合法として脱水縮合
剤であるＤＣＣ（ジシクロヘキシルカルボジイミド）等
のカルボジイミド誘導体を用いることが可能であるが、
副反応の併発、ポリイミド前駆体のゲル化、毒性
等の問題があり、さらには副生成物として発生するウレ
アの完全な除去が困難である。そのため、反応系を冷却
したり、脱水縮合剤を数回に分けて添加したり、酸成分
とジアミン成分のモルバランスを崩すなどして使用しな
くてはならない。また、他の方法として近年、本発明者
らが特許申請をしている脱水縮合剤としてジフェニル
（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−ベンゾオキサ
ゾール）ホスホナートおよびその誘導体、ジフェニル
（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−ベンゾチアゾ
ール）ホスホナートおよびその誘導体による重縮合法が
挙げられ、この方法では、穏和な条件で安定した製造が
可能であるため、高い解像度をもち、かつ高膜特性を有
するポリイミド前駆体を得ることができる。これらは単
独又は２種以上混合して使用することができる。これら
の添加量は、上記エステル化合物に対して１〜３倍モル
の範囲で、好ましくは２〜２．５倍モルの範囲で使用す
ることができる。
【００１６】本発明に用いるポリイミド前躯体の重縮合
反応の溶媒としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、
Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメチル
ホルムアミド等の非プロトン性極性溶剤や、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン等が用いられ、これらは単独
又は２種以上混合して使用することができる。
反応の溶媒としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、
Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメチル
ホルムアミド等の非プロトン性極性溶剤や、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン等が用いられ、これらは単独
又は２種以上混合して使用することができる。
【００１７】（３）重縮合反応したポリイミド前躯体の
精製工程 得られたスラリー状高分子をメタノール、エタノール、
イソプロピルアルコール、水等の貧溶剤中で攪拌、洗浄
した後、析出した物を減圧乾燥して前述した化４で示さ
れるポリイミド前躯体［（Ａ）成分］が得られる。
精製工程 得られたスラリー状高分子をメタノール、エタノール、
イソプロピルアルコール、水等の貧溶剤中で攪拌、洗浄
した後、析出した物を減圧乾燥して前述した化４で示さ
れるポリイミド前躯体［（Ａ）成分］が得られる。
【００１８】（４）マレイミド化合物及び光酸発生剤と
のポリイミド前躯体溶液の調製工程前述によって製造さ
れたポリイミド前躯体にマレイミド化合物及び光酸発生
剤等を添加する。
のポリイミド前躯体溶液の調製工程前述によって製造さ
れたポリイミド前躯体にマレイミド化合物及び光酸発生
剤等を添加する。
【００１９】１以上のマレイミド環を有するマレイミド
化合物［（Ｃ）成分］としては、具体的には、
化合物［（Ｃ）成分］としては、具体的には、
【化５】
【化６】 が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使用す
ることができる。
ることができる。
【００２０】また、一般的に光酸発生剤とよばれる化合
物［（Ｄ）成分］は、紫外線などの活性光線によってル
イス酸やカチオン種を生成する物質で、近年では半導体
集積回路の微細パターン形成用レジスト（通称、化学増
幅レジスト）によく用いられている。光酸発生剤として
具体的には、例えば、
物［（Ｄ）成分］は、紫外線などの活性光線によってル
イス酸やカチオン種を生成する物質で、近年では半導体
集積回路の微細パターン形成用レジスト（通称、化学増
幅レジスト）によく用いられている。光酸発生剤として
具体的には、例えば、
【化７】
【化８】
【化９】
【化１０】
【化１１】
【化１２】
【化１３】
【化１４】
【化１５】
【化１６】 等が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使用
することができる。
することができる。
【００２１】また、本発明によって得られる樹脂組成物
は、溶剤に溶解した性状で使用されるが、溶解に使用さ
れる溶剤［（Ｅ）成分］としては、例えば、Ｎ−メチル
ピロリドン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ′−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶剤
や、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジエチレン
グリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ
ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル
等が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使用
することができる。
は、溶剤に溶解した性状で使用されるが、溶解に使用さ
れる溶剤［（Ｅ）成分］としては、例えば、Ｎ−メチル
ピロリドン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ′−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶剤
や、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジエチレン
グリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ
ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル
等が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使用
することができる。
【００２２】次に、本発明の樹脂組成物の使用方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２３】半導体デバイスへの適用を考えた場合、ま
ず、この樹脂組成物を対象とするウェーハ上にスピンコ
ーターを用いてコーティングし、次に８０〜１００℃で
塗膜を乾燥させる。得られた塗膜上にパターンが描画さ
れているマスクを透過させて３６５ｎｍ、４３６ｎｍと
いった活性紫外線を照射する。この露光によって発生す
る酸とマレイミド化合物とを架橋させるために１２０℃
前後の加熱処理を行う。次に、この塗膜をアルカリ水溶
液、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウム、アンモニア等の無機アルカリ
水溶液やエチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の一級ア
ミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の二
級アミン、トリエチルアミン、メチルジメチルアミン等
の三級アミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノ
ールアミン等のアルコールアミン、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロ
キシド等の四級アミンを使用して活性光線照射部のみを
溶解現像し、純水によってリンス洗浄する。現像方式と
しては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が考
えられる。これによって、対象とするウェーハ上には所
望するネガ型パターンを得ることができる。さらに、こ
の塗膜を熱処理することによってこの樹脂組成物をイミ
ド化し、膜特性に優れるポリイミド膜を形成することが
できる。
ず、この樹脂組成物を対象とするウェーハ上にスピンコ
ーターを用いてコーティングし、次に８０〜１００℃で
塗膜を乾燥させる。得られた塗膜上にパターンが描画さ
れているマスクを透過させて３６５ｎｍ、４３６ｎｍと
いった活性紫外線を照射する。この露光によって発生す
る酸とマレイミド化合物とを架橋させるために１２０℃
前後の加熱処理を行う。次に、この塗膜をアルカリ水溶
液、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウム、アンモニア等の無機アルカリ
水溶液やエチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の一級ア
ミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の二
級アミン、トリエチルアミン、メチルジメチルアミン等
の三級アミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノ
ールアミン等のアルコールアミン、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロ
キシド等の四級アミンを使用して活性光線照射部のみを
溶解現像し、純水によってリンス洗浄する。現像方式と
しては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が考
えられる。これによって、対象とするウェーハ上には所
望するネガ型パターンを得ることができる。さらに、こ
の塗膜を熱処理することによってこの樹脂組成物をイミ
ド化し、膜特性に優れるポリイミド膜を形成することが
できる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例に基づいて
具体的に説明する。
具体的に説明する。
【００２５】実施例１ 窒素導入管を備えた反応フラスコに、ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物を１ｍｏｌと１ＬのＮ−メチル
−２−ピロリドンと４−ヒドロキシベンジルアルコール
２．１ｍｏｌとを加えて攪拌し、続けて２．１ｍｏｌの
トリエチルアミンを３０分間で滴下する。この状態で３
時間放置した。これに４，４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル１ｍｏｌを加えて３０分間攪拌後、２．１ｍｏｌ
のジフェニル（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−
ベンゾオキサゾールホスホナートを５回に分けて添加
し、その状態で５時間縮合反応する。得られたスラリー
状の混合物を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得
られた固形樹脂を真空乾燥機によって１２時間乾燥す
る。さらに乾燥した固形樹脂３０ｇと、５ｇのＮ，Ｎ′
−１，４−フェニレンジマレイミド、更に２ｇのジフェ
ニルヨードニウム−９，１０−ジメトキシアントラセン
−２−スルフォネートを７０ｇのＮ−メチル−２−ピロ
リドンに溶解させ、得られたスラリー状物を１μｍ濾過
してサンプル１とした。
トラカルボン酸二無水物を１ｍｏｌと１ＬのＮ−メチル
−２−ピロリドンと４−ヒドロキシベンジルアルコール
２．１ｍｏｌとを加えて攪拌し、続けて２．１ｍｏｌの
トリエチルアミンを３０分間で滴下する。この状態で３
時間放置した。これに４，４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル１ｍｏｌを加えて３０分間攪拌後、２．１ｍｏｌ
のジフェニル（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−
ベンゾオキサゾールホスホナートを５回に分けて添加
し、その状態で５時間縮合反応する。得られたスラリー
状の混合物を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得
られた固形樹脂を真空乾燥機によって１２時間乾燥す
る。さらに乾燥した固形樹脂３０ｇと、５ｇのＮ，Ｎ′
−１，４−フェニレンジマレイミド、更に２ｇのジフェ
ニルヨードニウム−９，１０−ジメトキシアントラセン
−２−スルフォネートを７０ｇのＮ−メチル−２−ピロ
リドンに溶解させ、得られたスラリー状物を１μｍ濾過
してサンプル１とした。
【００２６】このサンプル１をスピンコーターを用いて
６インチシリコンウェーハ上にコートし、ベーク板にて
８０℃で３分間加熱乾燥することによって膜厚１０μｍ
の塗膜を得た。この塗膜を３６５ｎｍのみを透過させる
フィルターを使用した紫外線露光機によって３００ｍｊ
／ｃｍ2 のエネルギーでテストパターンを照射し、続け
てベーク板にて１１０℃で１分間加熱し、さらに２．３
８％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライ
ド）水溶液にて１分間のパドル現像を行った。この操作
によって塗膜の紫外線照射部以外を溶解させたネガ型レ
リーフパターンを得ることができた。得られたパターン
を光学顕微鏡によって観察したところ、５．０μｍまで
のパターンがシャープに形成されていることが確認でき
た。
６インチシリコンウェーハ上にコートし、ベーク板にて
８０℃で３分間加熱乾燥することによって膜厚１０μｍ
の塗膜を得た。この塗膜を３６５ｎｍのみを透過させる
フィルターを使用した紫外線露光機によって３００ｍｊ
／ｃｍ2 のエネルギーでテストパターンを照射し、続け
てベーク板にて１１０℃で１分間加熱し、さらに２．３
８％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライ
ド）水溶液にて１分間のパドル現像を行った。この操作
によって塗膜の紫外線照射部以外を溶解させたネガ型レ
リーフパターンを得ることができた。得られたパターン
を光学顕微鏡によって観察したところ、５．０μｍまで
のパターンがシャープに形成されていることが確認でき
た。
【００２７】さらに、このパターンを１５０℃で１時
間、次いで２５０℃で１時間、さらに３５０℃で１時間
の加熱処理を行い、塗膜のイミド化を完結させた。この
イミドパターンは、シリコンウェーハ上に強固に密着し
ており、パターンに樹脂クラックや剥離は観察されなか
った。
間、次いで２５０℃で１時間、さらに３５０℃で１時間
の加熱処理を行い、塗膜のイミド化を完結させた。この
イミドパターンは、シリコンウェーハ上に強固に密着し
ており、パターンに樹脂クラックや剥離は観察されなか
った。
【００２８】実施例２ 窒素導入管を備えた反応フラスコに、２，２′−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン二無水物１ｍｏｌと１ＬのＮ−メチル−２−ピロリ
ドンと４−ヒドロキシベンジルアルコール２．１ｍｏｌ
とを加えて攪拌し、続けて２．１ｍｏｌのトリエチルア
ミンを３０分間で滴下する。この状態で３時間放置し
た。これに４，４′−ジアミノジフェニルメタン１ｍｏ
ｌを加えて３０分間攪拌後、２．１ｍｏｌのジフェニル
（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−ベンゾオキサ
ゾール）ホスホナートを５回に分けて添加し、その状態
で５時間縮合反応させる。得られたスラリー状の混合物
を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得られた固形
樹脂を真空乾燥機によって１２時間乾燥する。さらに乾
燥した固形樹脂３０ｇと５ｇのＮ，Ｎ′−（４，４′メ
チレンジフェニレン）ジマレイミド、更に２ｇのジフェ
ニルヨードニウム−９，１０−ジメトキシアントラセン
−２−スルフォネートを７０ｇのＮ−メチル−２−ピロ
リドンに溶解させ、得られたスラリー状物を１μｍ濾過
してサンプル２とした。
（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン二無水物１ｍｏｌと１ＬのＮ−メチル−２−ピロリ
ドンと４−ヒドロキシベンジルアルコール２．１ｍｏｌ
とを加えて攪拌し、続けて２．１ｍｏｌのトリエチルア
ミンを３０分間で滴下する。この状態で３時間放置し
た。これに４，４′−ジアミノジフェニルメタン１ｍｏ
ｌを加えて３０分間攪拌後、２．１ｍｏｌのジフェニル
（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−ベンゾオキサ
ゾール）ホスホナートを５回に分けて添加し、その状態
で５時間縮合反応させる。得られたスラリー状の混合物
を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得られた固形
樹脂を真空乾燥機によって１２時間乾燥する。さらに乾
燥した固形樹脂３０ｇと５ｇのＮ，Ｎ′−（４，４′メ
チレンジフェニレン）ジマレイミド、更に２ｇのジフェ
ニルヨードニウム−９，１０−ジメトキシアントラセン
−２−スルフォネートを７０ｇのＮ−メチル−２−ピロ
リドンに溶解させ、得られたスラリー状物を１μｍ濾過
してサンプル２とした。
【００２９】このサンプル２をスピンコーターを用いて
６インチシリコンウェーハ上にコートし、ベーク板にて
８０℃で３分間加熱乾燥することによって膜厚１０μｍ
の塗膜を得た。この塗膜を３６５ｎｍのみを透過させる
フィルターを使用した紫外線露光機によって３００ｍｊ
／ｃｍ2 のエネルギーでテストパターンを照射し、続け
てベーク板にて１１０℃で１分間加熱し、さらに２．３
８％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライ
ド）水溶液にて１分間のパドル現像を行った。この操作
によって塗膜の紫外線照射部以外を溶解させたネガ型レ
リーフパターンを得ることができた。得られたパターン
を光学顕微鏡によって観察したところ、５．０μｍまで
のパターンがシャープに形成されていることが確認でき
た。
６インチシリコンウェーハ上にコートし、ベーク板にて
８０℃で３分間加熱乾燥することによって膜厚１０μｍ
の塗膜を得た。この塗膜を３６５ｎｍのみを透過させる
フィルターを使用した紫外線露光機によって３００ｍｊ
／ｃｍ2 のエネルギーでテストパターンを照射し、続け
てベーク板にて１１０℃で１分間加熱し、さらに２．３
８％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライ
ド）水溶液にて１分間のパドル現像を行った。この操作
によって塗膜の紫外線照射部以外を溶解させたネガ型レ
リーフパターンを得ることができた。得られたパターン
を光学顕微鏡によって観察したところ、５．０μｍまで
のパターンがシャープに形成されていることが確認でき
た。
【００３０】さらに、このパターンを１５０℃で１時
間、次いで２５０℃で１時間、さらに３５０℃で１時間
の加熱処理を行い、塗膜のイミド化を完結させた。この
イミドパターンは、シリコンウェーハ上に強固に密着し
ており、パターンに樹脂クラックや剥離は観察されなか
った。
間、次いで２５０℃で１時間、さらに３５０℃で１時間
の加熱処理を行い、塗膜のイミド化を完結させた。この
イミドパターンは、シリコンウェーハ上に強固に密着し
ており、パターンに樹脂クラックや剥離は観察されなか
った。
【００３１】
【発明の効果】本発明は、ネガ型のパターン形成能をも
つ感光性ポリイミド前駆体であり、パターン形成に関し
てはアルカリ性水溶液を使用することが可能である。こ
のため、得られるパターンの現像液に対する膨潤が少な
く、極めてシャープな高解像度パターンを得ることがで
きるだけではなく、これまで大量に発生していた有機溶
剤の産業廃棄物をも全廃することができる。また、最終
的に得られるポリイミド塗膜は、耐熱性や耐薬品性に優
れているため、通常使用されている半導体デバイス保護
膜と同等に使用することが可能となった。本発明は、感
光性樹脂組成物に使用される樹脂骨格そのものと、その
製造方法に関するものであるが、これらは全く新規の発
想に基くものであり、他に類のない非常に優れた発明で
あることが容易に理解できる。
つ感光性ポリイミド前駆体であり、パターン形成に関し
てはアルカリ性水溶液を使用することが可能である。こ
のため、得られるパターンの現像液に対する膨潤が少な
く、極めてシャープな高解像度パターンを得ることがで
きるだけではなく、これまで大量に発生していた有機溶
剤の産業廃棄物をも全廃することができる。また、最終
的に得られるポリイミド塗膜は、耐熱性や耐薬品性に優
れているため、通常使用されている半導体デバイス保護
膜と同等に使用することが可能となった。本発明は、感
光性樹脂組成物に使用される樹脂骨格そのものと、その
製造方法に関するものであるが、これらは全く新規の発
想に基くものであり、他に類のない非常に優れた発明で
あることが容易に理解できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ Ｆターム(参考） 2H025 AA04 AA20 AB16 AB17 AD01 BD10 BE00 BE07 CB25 CC03 CC20 FA17 4J043 PA02 PA19 QB31 RA06 SA06 SB01 TA12 TA32 TB01 UA022 UA032 UA041 UA042 UA121 UA122 UA131 UA132 UA221 UA261 UA262 UA282 UA361 UB011 UB012 UB031 UB032 UB121 UB122 UB151 UB152 UB301 UB302 VA021 VA022 VA061 VA062 WA07 XA16 XB19 YA06 YB02 YB35 YB47 ZA06 ZA12 ZA15 ZA16 ZA46 ZB22
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）次の繰返し単位をもつポリイミド
前躯体、 【化１】 （但し、式中、Ｒ1 は、４価の芳香族基、複数の芳香族
環が単結合された４価の有機基、又は複数の芳香族環が
−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −若しくは−
Ｃ（ＣＦ3 ）2 −で結合された４価の有機基であり、Ｒ
2 は、４価の芳香族基、複数の芳香族環が単結合された
４価の有機基、又は複数の芳香族環が−Ｏ−、−ＣＯ
−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −若しくは−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−で結合された４価の芳香族基であり、そしてＲ3 、Ｒ
4 はフェノール性ＯＨ基を有する芳香族化合物の残基で
ある） （Ｂ）上記の（Ａ）ポリイミド前躯体を合成するにあた
り用いる脱水縮合剤、（Ｃ）１官能以上のマレイミド環
を有するマレイミド化合物、（Ｄ）活性光線によって酸
性を有する官能基を発生する光酸発生剤および（Ｅ）溶
剤からなることを特徴とする感光性樹脂組成物。 - 【請求項２】 （１）下記繰返し単位中に示されるＲ1
骨格をもつ酸二無水物とＲ3 、Ｒ4 骨格をもつアルコー
ル性化合物とのエステル化反応工程、 【化２】 （但し、式中、Ｒ1 は、４価の芳香族基、複数の芳香族
環が単結合された４価の有機基、又は複数の芳香族環が
−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −若しくは−
Ｃ（ＣＦ3 ）2 −で結合された４価の有機基であり、Ｒ
2 は、４価の芳香族基、複数の芳香族環が単結合された
４価の有機基、又は複数の芳香族環が−Ｏ−、−ＣＯ
−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −若しくは−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−で結合された４価の芳香族基であり、そしてＲ3 、Ｒ
4 はフェノール性ＯＨ基を有する芳香族化合物の残基で
ある） （２）脱水縮合剤添加のもとで、（１）のエステル化反
応物と式化２中のＲ2 骨格となるジアミン化合物との重
縮合反応工程、（３）重縮合反応したポリイミド前躯体
の精製工程および（４）マレイミド化合物及び光酸発生
剤との樹脂溶液の調製工程からなることを特徴とする感
光性樹脂組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000289707A JP2002099084A (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | 感光性樹脂組成物およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000289707A JP2002099084A (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | 感光性樹脂組成物およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002099084A true JP2002099084A (ja) | 2002-04-05 |
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ID=18773053
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000289707A Pending JP2002099084A (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | 感光性樹脂組成物およびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002099084A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011104127A1 (en) | 2010-02-24 | 2011-09-01 | Basf Se | Latent acids and their use |
| WO2015141618A1 (ja) * | 2014-03-17 | 2015-09-24 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法、並びに半導体装置 |
| WO2016124493A1 (en) | 2015-02-02 | 2016-08-11 | Basf Se | Latent acids and their use |
-
2000
- 2000-09-25 JP JP2000289707A patent/JP2002099084A/ja active Pending
Cited By (6)
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