JP2002268221A - 感光性樹脂組成物およびパターン形成方法 - Google Patents
感光性樹脂組成物およびパターン形成方法Info
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- JP2002268221A JP2002268221A JP2001065883A JP2001065883A JP2002268221A JP 2002268221 A JP2002268221 A JP 2002268221A JP 2001065883 A JP2001065883 A JP 2001065883A JP 2001065883 A JP2001065883 A JP 2001065883A JP 2002268221 A JP2002268221 A JP 2002268221A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルカリ水溶液にて現像が可能なポジ型パタ
ーン形成能を有するポリイミド前駆体組成物を提供す
る。 【解決手段】 （Ａ）次式のポリイミド前躯体、 但し、式中、Ｒ1 は、４価の芳香族基、Ｒ2 は、２価の
芳香族基、そしてＲ3 、Ｒ4 はフェノール性ＯＨ基を有
する芳香族アルコール性化合物の残基である）（Ｂ）ポ
リイミド前躯体合成用のジフェニル（2,3-ジヒドロ-2−
チオキソ-3−ベンゾオキサゾール）ホスホナートなど脱
水縮合剤、（Ｃ）2-フェニル1,3-ジオキソラン等のジオ
キソラン化合物、（Ｄ）ジフェニルヨードニウム-9,10-
ジメトキシアントラセン-2−スルフォネートなど光酸発
生剤および（Ｅ）溶剤からなる感光性樹脂組成物とそれ
によるパターン形成方法である。
ーン形成能を有するポリイミド前駆体組成物を提供す
る。 【解決手段】 （Ａ）次式のポリイミド前躯体、 但し、式中、Ｒ1 は、４価の芳香族基、Ｒ2 は、２価の
芳香族基、そしてＲ3 、Ｒ4 はフェノール性ＯＨ基を有
する芳香族アルコール性化合物の残基である）（Ｂ）ポ
リイミド前躯体合成用のジフェニル（2,3-ジヒドロ-2−
チオキソ-3−ベンゾオキサゾール）ホスホナートなど脱
水縮合剤、（Ｃ）2-フェニル1,3-ジオキソラン等のジオ
キソラン化合物、（Ｄ）ジフェニルヨードニウム-9,10-
ジメトキシアントラセン-2−スルフォネートなど光酸発
生剤および（Ｅ）溶剤からなる感光性樹脂組成物とそれ
によるパターン形成方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス等
の製造において電気、電子絶縁材料として用いられるポ
リイミド系の感光性樹脂組成物およびそのパターン形成
方法に関するものであり、詳しくは、この感光性樹脂組
成物は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子表面上に成膜され
る絶縁保護膜であって、微細パターンの加工が必要とさ
れるものなどに適用される。
の製造において電気、電子絶縁材料として用いられるポ
リイミド系の感光性樹脂組成物およびそのパターン形成
方法に関するものであり、詳しくは、この感光性樹脂組
成物は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子表面上に成膜され
る絶縁保護膜であって、微細パターンの加工が必要とさ
れるものなどに適用される。
【０００２】
【従来の技術】従来、感光性を有する耐熱性重合体組成
物として、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸に、
アクリル基もしくはメタクリル基を有する三級アミン化
合物をイオン結合にて導入したタイプ（特開昭５４−１
４５７９４）やアクリル基もしくはメタクリル基を有す
る三級アミン化合物をエステル結合にて導入したタイプ
（特開昭４９−１１５５４１）などがあった。これらは
いずれもネガ型のパターン形成能を有しており、半導体
を中心とした電子材料用途の保護膜として利用されてい
る。しかし、上記感光性樹脂は、パターン形成時に極性
の高い有機溶剤を用いなければならず、産業用廃棄物、
環境問題の点で好ましくなく、更にはこれらの樹脂は上
記有機溶剤に対する膨潤性が高いため、微細なパターン
を形成することが不可能であった。これらの問題に対し
てポリイミド樹脂と同等の耐熱性を有するポリベンゾオ
キサゾールに感光剤としてジアゾナフトキノン化合物を
混合したポジ型感光性樹脂が提案されている（特開昭５
６−２７１４０）。このポジ型感光性樹脂は、アルカリ
水溶液にてパターン形成が可能であるため、有機溶剤を
使用しないですむというメリットを有しており、更にこ
の樹脂は、アルカリ水溶液に対する膨潤性が低いため比
較的に微細なパターンが得られる。しかし、このポジ型
感光性樹脂は、露光部と未露光部の溶解度差が低いた
め、大型ウェーハにおけるパターニングではパターンの
寸法制御性が悪いという欠点をもっていた。
物として、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸に、
アクリル基もしくはメタクリル基を有する三級アミン化
合物をイオン結合にて導入したタイプ（特開昭５４−１
４５７９４）やアクリル基もしくはメタクリル基を有す
る三級アミン化合物をエステル結合にて導入したタイプ
（特開昭４９−１１５５４１）などがあった。これらは
いずれもネガ型のパターン形成能を有しており、半導体
を中心とした電子材料用途の保護膜として利用されてい
る。しかし、上記感光性樹脂は、パターン形成時に極性
の高い有機溶剤を用いなければならず、産業用廃棄物、
環境問題の点で好ましくなく、更にはこれらの樹脂は上
記有機溶剤に対する膨潤性が高いため、微細なパターン
を形成することが不可能であった。これらの問題に対し
てポリイミド樹脂と同等の耐熱性を有するポリベンゾオ
キサゾールに感光剤としてジアゾナフトキノン化合物を
混合したポジ型感光性樹脂が提案されている（特開昭５
６−２７１４０）。このポジ型感光性樹脂は、アルカリ
水溶液にてパターン形成が可能であるため、有機溶剤を
使用しないですむというメリットを有しており、更にこ
の樹脂は、アルカリ水溶液に対する膨潤性が低いため比
較的に微細なパターンが得られる。しかし、このポジ型
感光性樹脂は、露光部と未露光部の溶解度差が低いた
め、大型ウェーハにおけるパターニングではパターンの
寸法制御性が悪いという欠点をもっていた。
【０００３】ところで、近年の半導体技術の急速な発展
に伴い、その関連材料、とりわけパターン形成材料に対
する要求特性は厳しいものとなっている。半導体保護膜
用途の材料としては、すでに一般的となっているポリイ
ミド樹脂と同等の膜特性を有していながら、さらにはレ
ジスト材料並みの解像度が要求されており、その意味で
は高解像度が可能なポジ型感光性樹脂の開発が待たれて
いる。
に伴い、その関連材料、とりわけパターン形成材料に対
する要求特性は厳しいものとなっている。半導体保護膜
用途の材料としては、すでに一般的となっているポリイ
ミド樹脂と同等の膜特性を有していながら、さらにはレ
ジスト材料並みの解像度が要求されており、その意味で
は高解像度が可能なポジ型感光性樹脂の開発が待たれて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前述
した従来技術の欠点を解消し、アルカリ水溶液にてパタ
ーン形成が可能で、かつポジ型の感光性を有する耐熱性
重合体組成物とその重合体組成物を用いてなるパターン
形成方法を提供するものである。
した従来技術の欠点を解消し、アルカリ水溶液にてパタ
ーン形成が可能で、かつポジ型の感光性を有する耐熱性
重合体組成物とその重合体組成物を用いてなるパターン
形成方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を進めた結果、後述の樹脂組成
物と、その製造方法を採用することによって、上記目的
を達成できることを見いだし、本発明を完成したもので
ある。
を達成しようと鋭意研究を進めた結果、後述の樹脂組成
物と、その製造方法を採用することによって、上記目的
を達成できることを見いだし、本発明を完成したもので
ある。
【０００６】即ち、本発明の感光性樹脂組成物は、
（Ａ）次の繰返し単位をもつポリイミド前躯体、
（Ａ）次の繰返し単位をもつポリイミド前躯体、
【化２】 （但し、式中、Ｒ1 は、４価の芳香族基、複数の芳香族
環が単結合された４価の有機基、又は複数の芳香族環が
−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −若しくは−
Ｃ（ＣＦ3 ）2 −で結合された４価の有機基であり、Ｒ
2 は、２価の芳香族基、複数の芳香族環が単結合された
２価の有機基、又は複数の芳香族環が−Ｏ−、−ＣＯ
−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −若しくは−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−で結合された２価の芳香族基であり、そしてＲ3 、Ｒ
4 はフェノール性ＯＨ基を有する芳香族アルコール性化
合物の残基である） （Ｂ）上記の（Ａ）ポリイミド前躯体を合成するにあた
り用いる脱水縮合剤、（Ｃ）１官能以上のジオキソラン
環を有する化合物、（Ｄ）活性光線によって酸性を有す
る官能基を発生する光酸発生剤および（Ｅ）溶剤からな
ることを特徴とし、また、本発明のパターン形成方法
は、上記感光性樹脂組成物を成膜したものにパターンマ
スクを透して露光をした後、その非露光部をアルカリ性
水溶液によって現像し、さらにイミド化してポリイミド
のポジ型パターンを形成することを特徴とするとするも
のである。
環が単結合された４価の有機基、又は複数の芳香族環が
−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −若しくは−
Ｃ（ＣＦ3 ）2 −で結合された４価の有機基であり、Ｒ
2 は、２価の芳香族基、複数の芳香族環が単結合された
２価の有機基、又は複数の芳香族環が−Ｏ−、−ＣＯ
−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −若しくは−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−で結合された２価の芳香族基であり、そしてＲ3 、Ｒ
4 はフェノール性ＯＨ基を有する芳香族アルコール性化
合物の残基である） （Ｂ）上記の（Ａ）ポリイミド前躯体を合成するにあた
り用いる脱水縮合剤、（Ｃ）１官能以上のジオキソラン
環を有する化合物、（Ｄ）活性光線によって酸性を有す
る官能基を発生する光酸発生剤および（Ｅ）溶剤からな
ることを特徴とし、また、本発明のパターン形成方法
は、上記感光性樹脂組成物を成膜したものにパターンマ
スクを透して露光をした後、その非露光部をアルカリ性
水溶液によって現像し、さらにイミド化してポリイミド
のポジ型パターンを形成することを特徴とするとするも
のである。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００８】まず、本発明の感光性樹脂組成物の製造方
法を、（１）〜（４）の工程順に説明し、同時に本発明
の感光性樹脂組成物の（Ａ）〜（Ｅ）成分を説明する。
法を、（１）〜（４）の工程順に説明し、同時に本発明
の感光性樹脂組成物の（Ａ）〜（Ｅ）成分を説明する。
【０００９】（１）化４の式中におけるＲ1 骨格をもつ
酸二無水物とＲ3 、Ｒ4 骨格をもつアルコール性化合物
とのエステル化反応工程 本発明におけるポリイミド前躯体のＲ1 骨格をもつ酸成
分としては、例えば、ピロメリット酸、３，３′，４，
４′−ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，３′，
４′−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３′，４，
４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、４，４′−オ
キシジフタル酸、３，３′，４，４′−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン酸、２，２−ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，３，
６，７−ナフタレンテトラカルボン酸、１，２，５，６
−ナフタレンテトラカルボン酸、１，４，５，８−ナフ
タレンテトラカルボン酸、１，２，３，４−シクロブタ
ンテトラカルボン酸、１，２，３，４−ブタンテトラカ
ルボン酸、１，２，４，５−シクロペンタンテトラカル
ボン酸、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボ
ン酸、３，３′，４，４′−ビシクロヘキシルテトラカ
ルボン酸、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル
酢酸、３，４−ジカルボキシ−１，２，３，４−テトラ
ヒドロナフタレン−１−コハク酸等とその無水物が挙げ
られ、これらは単独又は混合して使用することかができ
る。
酸二無水物とＲ3 、Ｒ4 骨格をもつアルコール性化合物
とのエステル化反応工程 本発明におけるポリイミド前躯体のＲ1 骨格をもつ酸成
分としては、例えば、ピロメリット酸、３，３′，４，
４′−ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，３′，
４′−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３′，４，
４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、４，４′−オ
キシジフタル酸、３，３′，４，４′−ジフェニルスル
ホンテトラカルボン酸、２，２−ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，３，
６，７−ナフタレンテトラカルボン酸、１，２，５，６
−ナフタレンテトラカルボン酸、１，４，５，８−ナフ
タレンテトラカルボン酸、１，２，３，４−シクロブタ
ンテトラカルボン酸、１，２，３，４−ブタンテトラカ
ルボン酸、１，２，４，５−シクロペンタンテトラカル
ボン酸、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボ
ン酸、３，３′，４，４′−ビシクロヘキシルテトラカ
ルボン酸、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル
酢酸、３，４−ジカルボキシ−１，２，３，４−テトラ
ヒドロナフタレン−１−コハク酸等とその無水物が挙げ
られ、これらは単独又は混合して使用することかができ
る。
【００１０】さらに、上記Ｒ1 骨格となる酸成分にエス
テル結合で導入するＲ3 、Ｒ4 骨格をもつ芳香族アルコ
ール性化合物は、カルボン酸とエステル結合させること
ができるアルコール性ＯＨ基をもつとともにフェノール
性ＯＨ基をもつものである。その具体例としては、例え
ば、２−ヒドロキシベンジルアルコール、３−ヒドロキ
シベンジルアルコール、４−ヒドロキシベンジルアルコ
ール、３，５−ジヒドロキシベンジルアルコール、２−
［ビス（４−ヒドロキシフェニル）メチル］ベンジルア
ルコール、ハイドロキノン、ヒドロキシハイドロキノ
ン、４−ヒドロキシ−３−メトキシベンジルアルコー
ル、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）スル
フィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン等が
挙げられ、単独又は２種以上混合して使用することがで
きる。
テル結合で導入するＲ3 、Ｒ4 骨格をもつ芳香族アルコ
ール性化合物は、カルボン酸とエステル結合させること
ができるアルコール性ＯＨ基をもつとともにフェノール
性ＯＨ基をもつものである。その具体例としては、例え
ば、２−ヒドロキシベンジルアルコール、３−ヒドロキ
シベンジルアルコール、４−ヒドロキシベンジルアルコ
ール、３，５−ジヒドロキシベンジルアルコール、２−
［ビス（４−ヒドロキシフェニル）メチル］ベンジルア
ルコール、ハイドロキノン、ヒドロキシハイドロキノ
ン、４−ヒドロキシ−３−メトキシベンジルアルコー
ル、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）スル
フィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン等が
挙げられ、単独又は２種以上混合して使用することがで
きる。
【００１１】上記Ｒ1 骨格となる酸成分と上記Ｒ3 、Ｒ
4 骨格をもつ化合物のエステル化反応は、例えばＲ1 骨
格をもつ酸二無水物とＲ3 、Ｒ4 骨格をもつアルコール
性化合物で、反応溶媒としてはポリイミド前駆体合成に
良好な非プロトン性極性溶媒、例えばＮ−メチル−２−
ピロリドン等を用い、反応を円滑に行うための塩基性触
媒、例えばトリエチルアミン、ピリジン、トリエタノー
ルアミン等の存在下、常温で行うのが好ましい。この塩
基性触媒は上記酸成分に対して１．５〜３．０倍モル、
好ましくは２．０〜２．５倍モルの範囲で使用すること
ができる。
4 骨格をもつ化合物のエステル化反応は、例えばＲ1 骨
格をもつ酸二無水物とＲ3 、Ｒ4 骨格をもつアルコール
性化合物で、反応溶媒としてはポリイミド前駆体合成に
良好な非プロトン性極性溶媒、例えばＮ−メチル−２−
ピロリドン等を用い、反応を円滑に行うための塩基性触
媒、例えばトリエチルアミン、ピリジン、トリエタノー
ルアミン等の存在下、常温で行うのが好ましい。この塩
基性触媒は上記酸成分に対して１．５〜３．０倍モル、
好ましくは２．０〜２．５倍モルの範囲で使用すること
ができる。
【００１２】（２）上記エステル化合物と化４の式中の
Ｒ2 骨格となるジアミン化合物との重縮合反応工程 本発明に用いるＲ2 骨格となるジアミン化合物として
は、例えば、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレン
ジアミン、２，４−ジアミノトルエン、２，５−ジアミ
ノトルエン、２，６−ジアミノトルエン、３，５−ジア
ミノトルエン、１−メトキシ−２，４−ジアミノベンゼ
ン、１，４−ジアミノ−２−メトキシ−５−メチルベン
ゼン、１，３−ジアミノ−４，６−ジメチルベンゼン、
１，２−ジアミノナフタレン、１，４−ジアミノナフタ
レン、１，５−ジアミノナフタレン、１，６−ジアミノ
ナフタレン、１，７−ジアミノナフタレン、１，８−ジ
アミノナフタレン、２，３−ジアミノナフタレン、２，
６−ジアミノナフタレン、１，４−ジアミノ−２−メチ
ルナフタレン、１，５−ジアミノ−２−メチルナフタレ
ン、１，３−ジアミノ−２−フェニルナフタレン、２，
２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、１，１−ビ
ス（４−アミノフェニル）エタン、４，４′−ジアミノ
ジフェニルメタン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジ
アミノジフェニルメタン、３，３′，５，５′−テトラ
メチル−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３，
３′−ジメチル−５，５′−ジエチル−４，４′−ジア
ミノジフェニルメタン、３，３′，５，５′−テトラエ
チル−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′
−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）、４，４′−
メチレンビス（３，３−ジメチル−シクロヘキシルアミ
ン）、２，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、４，
４′−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３′−ジア
ミノジフェニルスルフォン、４，４′−ジアミノジフェ
ニルスルフォン、４，４′−ジアミノベンズアニリド、
３，３′−ジアミノジフェニルエーテル、３，４′−ジ
アミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、ビス（４−アミノフェニル）ジエチルシ
ラン、ビス（４−アミノフェニル）ジフェニルシラン、
ビス（４−アミノフェニル）−Ｎ−メチルアミン、ビス
（４−アミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、３，
３′−ジアミノベンゾフェノン、４，４′−ジアミノベ
ンゾフェノン、２，６−ジアミノピリジン、３，５−ジ
アミノピリジン、４，４′−ジアミノビフェニル、３，
３′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジメチル−４，
４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジメトキシ−
４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジヒドロキ
シ−４，４′−ジアミノビフェニル、ｏ−トルイジンス
ルフォン、４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビ
フェニル、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］プロパン、ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］スルフォン、ビス［４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル］スルフォン、１，４−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、９，１０−ビス
（４−アミノフェニル）アントラセン、９，９−ビス
（４−アミノフェニル）フルオレン、２，２−ビス（４
−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−
ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−１−フェニル−
２，２，２−トリフルオロエタン、２，２−ビス（３−
アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン、２，２−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパ
ン等が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使
用することができる。また、これらの化合物はＲ1 骨格
をもつ酸二無水物に対して等モルで使用するのが好まし
いが、使用目的や最終粘度、分子量に合わせて０．５〜
１．５倍モルの範囲で使用することができる。
Ｒ2 骨格となるジアミン化合物との重縮合反応工程 本発明に用いるＲ2 骨格となるジアミン化合物として
は、例えば、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレン
ジアミン、２，４−ジアミノトルエン、２，５−ジアミ
ノトルエン、２，６−ジアミノトルエン、３，５−ジア
ミノトルエン、１−メトキシ−２，４−ジアミノベンゼ
ン、１，４−ジアミノ−２−メトキシ−５−メチルベン
ゼン、１，３−ジアミノ−４，６−ジメチルベンゼン、
１，２−ジアミノナフタレン、１，４−ジアミノナフタ
レン、１，５−ジアミノナフタレン、１，６−ジアミノ
ナフタレン、１，７−ジアミノナフタレン、１，８−ジ
アミノナフタレン、２，３−ジアミノナフタレン、２，
６−ジアミノナフタレン、１，４−ジアミノ−２−メチ
ルナフタレン、１，５−ジアミノ−２−メチルナフタレ
ン、１，３−ジアミノ−２−フェニルナフタレン、２，
２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、１，１−ビ
ス（４−アミノフェニル）エタン、４，４′−ジアミノ
ジフェニルメタン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジ
アミノジフェニルメタン、３，３′，５，５′−テトラ
メチル−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３，
３′−ジメチル−５，５′−ジエチル−４，４′−ジア
ミノジフェニルメタン、３，３′，５，５′−テトラエ
チル−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′
−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）、４，４′−
メチレンビス（３，３−ジメチル−シクロヘキシルアミ
ン）、２，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、４，
４′−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３′−ジア
ミノジフェニルスルフォン、４，４′−ジアミノジフェ
ニルスルフォン、４，４′−ジアミノベンズアニリド、
３，３′−ジアミノジフェニルエーテル、３，４′−ジ
アミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、ビス（４−アミノフェニル）ジエチルシ
ラン、ビス（４−アミノフェニル）ジフェニルシラン、
ビス（４−アミノフェニル）−Ｎ−メチルアミン、ビス
（４−アミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、３，
３′−ジアミノベンゾフェノン、４，４′−ジアミノベ
ンゾフェノン、２，６−ジアミノピリジン、３，５−ジ
アミノピリジン、４，４′−ジアミノビフェニル、３，
３′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジメチル−４，
４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジメトキシ−
４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジヒドロキ
シ−４，４′−ジアミノビフェニル、ｏ−トルイジンス
ルフォン、４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビ
フェニル、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］プロパン、ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］スルフォン、ビス［４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル］スルフォン、１，４−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、９，１０−ビス
（４−アミノフェニル）アントラセン、９，９−ビス
（４−アミノフェニル）フルオレン、２，２−ビス（４
−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−
ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−１−フェニル−
２，２，２−トリフルオロエタン、２，２−ビス（３−
アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン、２，２−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパ
ン等が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使
用することができる。また、これらの化合物はＲ1 骨格
をもつ酸二無水物に対して等モルで使用するのが好まし
いが、使用目的や最終粘度、分子量に合わせて０．５〜
１．５倍モルの範囲で使用することができる。
【００１３】次に本発明において、上記重縮合反応に使
用する脱水縮合剤［（Ｂ）］について説明する。
用する脱水縮合剤［（Ｂ）］について説明する。
【００１４】上記（１）エステル化反応物の酸成分とジ
アミン成分とを重縮合法によって反応させる場合、通常
は、酸クロライドを用いて行われるが、半導体デバイス
を含む電気、電子分野においては、遊離したクロルイオ
ンが製品信頼性不良の原因となるため、酸クロライド法
による重合を行う場合には、重縮合後に純水にて十分洗
浄する必要がある。また、他の重縮合法として脱水縮合
剤であるＤＣＣ（ジシクロヘキシルカルボジイミド）等
のカルボジイミド誘導体を用いることが可能であるが、
副反応の併発、ポリイミド前駆体のゲル化、毒性
等の問題があり、さらには副生成物として発生するウレ
アの完全な除去が困難である。そのため、反応系を冷却
したり、脱水縮合剤を数回に分けて添加したり、酸成分
とジアミン成分のモルバランスを崩すなどして使用しな
くてはならない。また、他の方法として近年、本発明者
らが特許申請をしている脱水縮合剤としてジフェニル
（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−ベンゾオキサ
ゾール）ホスホナートおよびその誘導体、ジフェニル
（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−ベンゾチアゾ
ール）ホスホナートおよびその誘導体による重縮合法が
挙げられ、この方法では、穏和な条件で安定した製造が
可能であるため、高い解像度をもち、かつ高膜特性を有
するポリイミド前駆体を得ることができる。これらは単
独又は２種以上混合して使用することができる。これら
の添加量は、上記エステル化合物に対して１〜３倍モル
の範囲で、好ましくは２〜２．５倍モルの範囲で使用す
ることができる。
アミン成分とを重縮合法によって反応させる場合、通常
は、酸クロライドを用いて行われるが、半導体デバイス
を含む電気、電子分野においては、遊離したクロルイオ
ンが製品信頼性不良の原因となるため、酸クロライド法
による重合を行う場合には、重縮合後に純水にて十分洗
浄する必要がある。また、他の重縮合法として脱水縮合
剤であるＤＣＣ（ジシクロヘキシルカルボジイミド）等
のカルボジイミド誘導体を用いることが可能であるが、
副反応の併発、ポリイミド前駆体のゲル化、毒性
等の問題があり、さらには副生成物として発生するウレ
アの完全な除去が困難である。そのため、反応系を冷却
したり、脱水縮合剤を数回に分けて添加したり、酸成分
とジアミン成分のモルバランスを崩すなどして使用しな
くてはならない。また、他の方法として近年、本発明者
らが特許申請をしている脱水縮合剤としてジフェニル
（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−ベンゾオキサ
ゾール）ホスホナートおよびその誘導体、ジフェニル
（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−ベンゾチアゾ
ール）ホスホナートおよびその誘導体による重縮合法が
挙げられ、この方法では、穏和な条件で安定した製造が
可能であるため、高い解像度をもち、かつ高膜特性を有
するポリイミド前駆体を得ることができる。これらは単
独又は２種以上混合して使用することができる。これら
の添加量は、上記エステル化合物に対して１〜３倍モル
の範囲で、好ましくは２〜２．５倍モルの範囲で使用す
ることができる。
【００１５】本発明に用いるポリイミド前躯体の重縮合
反応の溶媒としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、
Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメチル
ホルムアミド等の非プロトン性極性溶剤や、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン等が用いられ、これらは単独
又は２種以上混合して使用することができる。
反応の溶媒としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、
Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメチル
ホルムアミド等の非プロトン性極性溶剤や、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン等が用いられ、これらは単独
又は２種以上混合して使用することができる。
【００１６】（３）重縮合反応したポリイミド前躯体の
精製工程 得られたスラリー状高分子をメタノール、エタノール、
イソプロピルアルコール、水等の貧溶剤中で攪拌、洗浄
した後、析出した物を減圧乾燥して前述した化４で示さ
れるポリイミド前躯体［（Ａ）成分］が得られる。
精製工程 得られたスラリー状高分子をメタノール、エタノール、
イソプロピルアルコール、水等の貧溶剤中で攪拌、洗浄
した後、析出した物を減圧乾燥して前述した化４で示さ
れるポリイミド前躯体［（Ａ）成分］が得られる。
【００１７】（４）ジオキソラン化合物及び光酸発生剤
とのポリイミド前躯体溶液の調製工程 前述によって製造されたポリイミド前躯体にジオキソラ
ン化合物及び光酸発生剤等を添加する。
とのポリイミド前躯体溶液の調製工程 前述によって製造されたポリイミド前躯体にジオキソラ
ン化合物及び光酸発生剤等を添加する。
【００１８】１以上のジオキソラン環を有するジオキソ
ラン化合物［（Ｃ）成分］としては、具体的には、
ラン化合物［（Ｃ）成分］としては、具体的には、
【化３】
【化４】
【化５】
【化６】 が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使用す
ることができる。
ることができる。
【００１９】また、一般的に光酸発生剤とよばれる化合
物［（Ｄ）成分］は、紫外線などの活性光線によってル
イス酸やカチオン種を生成する物質で、近年では半導体
集積回路の微細パターン形成用レジスト（通称、化学増
幅レジスト）によく用いられている。光酸発生剤として
具体的には、例えば、
物［（Ｄ）成分］は、紫外線などの活性光線によってル
イス酸やカチオン種を生成する物質で、近年では半導体
集積回路の微細パターン形成用レジスト（通称、化学増
幅レジスト）によく用いられている。光酸発生剤として
具体的には、例えば、
【化７】
【化８】
【化９】
【化１０】
【化１１】
【化１２】
【化１３】
【化１４】
【化１５】
【化１６】 等が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使用
することができる。
することができる。
【００２０】また、本発明によって得られる樹脂組成物
は、溶剤に溶解した性状で使用されるが、溶解に使用さ
れる溶剤［（Ｅ）成分］としては、例えば、Ｎ−メチル
ピロリドン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ′−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶剤
や、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジエチレン
グリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ
ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル
等が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使用
することができる。
は、溶剤に溶解した性状で使用されるが、溶解に使用さ
れる溶剤［（Ｅ）成分］としては、例えば、Ｎ−メチル
ピロリドン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ′−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶剤
や、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジエチレン
グリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ
ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル
等が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使用
することができる。
【００２１】次に、本発明の樹脂組成物によるパターン
形成方法について説明する。
形成方法について説明する。
【００２２】半導体デバイスへの適用を考えた場合、ま
ず、この樹脂組成物を対象とするウェーハ上にスピンコ
ーターを用いてコーティングし、次に８０〜１００℃で
塗膜を乾燥させる。得られた塗膜上にパターンが描画さ
れているマスクを透過させて３６５ｎｍ、４３６ｎｍと
いった活性紫外線を照射する。この露光によって発生す
る酸と架橋したポリマーの加水分解を促進させるために
１００℃戦後の加熱処理を行う。次に、この塗膜をアル
カリ性水溶液、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、アンモニア等の無
機アルカリ水溶液やエチルアミン、ｎ−プロピルアミン
等の一級アミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルア
ミン等の二級アミン、トリエチルアミン、メチルジメチ
ルアミン等の三級アミン、ジメチルエタノールアミン、
トリエタノールアミン等のアルコールアミン、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニ
ウムヒドロキシド等の四級アミンを使用して活性光線非
照射部のみを溶解現像し、純水によってリンス洗浄す
る。現像方式としては、スプレー、パドル、浸漬、超音
波等の方式が考えられる。これによって、対象とするウ
ェーハ上には所望するポジ型パターンを得ることができ
る。さらに、この塗膜を熱処理することによってこの樹
脂組成物をイミド化し、膜特性に優れるポリイミド膜を
形成することができる。
ず、この樹脂組成物を対象とするウェーハ上にスピンコ
ーターを用いてコーティングし、次に８０〜１００℃で
塗膜を乾燥させる。得られた塗膜上にパターンが描画さ
れているマスクを透過させて３６５ｎｍ、４３６ｎｍと
いった活性紫外線を照射する。この露光によって発生す
る酸と架橋したポリマーの加水分解を促進させるために
１００℃戦後の加熱処理を行う。次に、この塗膜をアル
カリ性水溶液、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、アンモニア等の無
機アルカリ水溶液やエチルアミン、ｎ−プロピルアミン
等の一級アミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルア
ミン等の二級アミン、トリエチルアミン、メチルジメチ
ルアミン等の三級アミン、ジメチルエタノールアミン、
トリエタノールアミン等のアルコールアミン、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニ
ウムヒドロキシド等の四級アミンを使用して活性光線非
照射部のみを溶解現像し、純水によってリンス洗浄す
る。現像方式としては、スプレー、パドル、浸漬、超音
波等の方式が考えられる。これによって、対象とするウ
ェーハ上には所望するポジ型パターンを得ることができ
る。さらに、この塗膜を熱処理することによってこの樹
脂組成物をイミド化し、膜特性に優れるポリイミド膜を
形成することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例に基づいて
具体的に説明する。
具体的に説明する。
【００２４】実施例１ 窒素導入管を備えた反応フラスコに、ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物を１ｍｏｌと１ＬのＮ−メチル
−２−ピロリドンと４−ヒドロキシベンジルアルコール
２．１ｍｏｌとを加えて攪拌し、続けて２．１ｍｏｌの
トリエチルアミンを３０分間で滴下する。この状態で３
時間放置した。これに４，４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル１ｍｏｌを加えて３０分間攪拌後、２．１ｍｏｌ
のジフェニル（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−
ベンゾオキサゾールホスホナートを５回に分けて添加
し、その状態で５時間縮合反応する。得られたスラリー
状の混合物を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得
られた固形樹脂を真空乾燥機によって１２時間乾燥す
る。さらに乾燥した固形樹脂３０ｇと、５ｇの２−フェ
ニル−１，３−ジオキソラン、更に２ｇのジフェニルヨ
ードニウム−９，１０−ジメトキシアントラセン−２−
スルフォネートを７０ｇのＮ−メチル−２−ピロリドン
に溶解させ、得られたスラリー状物を１μｍ濾過してサ
ンプル１とした。
トラカルボン酸二無水物を１ｍｏｌと１ＬのＮ−メチル
−２−ピロリドンと４−ヒドロキシベンジルアルコール
２．１ｍｏｌとを加えて攪拌し、続けて２．１ｍｏｌの
トリエチルアミンを３０分間で滴下する。この状態で３
時間放置した。これに４，４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル１ｍｏｌを加えて３０分間攪拌後、２．１ｍｏｌ
のジフェニル（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−
ベンゾオキサゾールホスホナートを５回に分けて添加
し、その状態で５時間縮合反応する。得られたスラリー
状の混合物を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得
られた固形樹脂を真空乾燥機によって１２時間乾燥す
る。さらに乾燥した固形樹脂３０ｇと、５ｇの２−フェ
ニル−１，３−ジオキソラン、更に２ｇのジフェニルヨ
ードニウム−９，１０−ジメトキシアントラセン−２−
スルフォネートを７０ｇのＮ−メチル−２−ピロリドン
に溶解させ、得られたスラリー状物を１μｍ濾過してサ
ンプル１とした。
【００２５】このサンプル１をスピンコーターを用いて
６インチシリコンウェーハ上にコートし、ベーク板にて
９０℃で３分間加熱乾燥することによって膜厚１０μｍ
の塗膜を得た。この塗膜を３６５ｎｍのみを透過させる
フィルターを使用した紫外線露光機によって３００ｍｊ
／ｃｍ2 のエネルギーでテストパターンを照射し、続け
てベーク板にて１００℃で１分間加熱し、さらに２．３
８％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライ
ド）水溶液にて１分間のパドル現像を行った後、純水で
１０秒間リンス洗浄を行った。得られたポジ型パターン
を光学顕微鏡によって観察したところ、１μｍまでのパ
ターンがシャープに形成されていることが確認できた。
６インチシリコンウェーハ上にコートし、ベーク板にて
９０℃で３分間加熱乾燥することによって膜厚１０μｍ
の塗膜を得た。この塗膜を３６５ｎｍのみを透過させる
フィルターを使用した紫外線露光機によって３００ｍｊ
／ｃｍ2 のエネルギーでテストパターンを照射し、続け
てベーク板にて１００℃で１分間加熱し、さらに２．３
８％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライ
ド）水溶液にて１分間のパドル現像を行った後、純水で
１０秒間リンス洗浄を行った。得られたポジ型パターン
を光学顕微鏡によって観察したところ、１μｍまでのパ
ターンがシャープに形成されていることが確認できた。
【００２６】さらに、このパターンを１５０℃で１時
間、次いで２５０℃で１時間、さらに３５０℃で１時間
の加熱処理を行い、塗膜のイミド化を完結させた。この
イミドパターンは、シリコンウェーハ上に強固に密着し
ており、パターンに樹脂クラックや剥離は観察されなか
った。
間、次いで２５０℃で１時間、さらに３５０℃で１時間
の加熱処理を行い、塗膜のイミド化を完結させた。この
イミドパターンは、シリコンウェーハ上に強固に密着し
ており、パターンに樹脂クラックや剥離は観察されなか
った。
【００２７】実施例２ 窒素導入管を備えた反応フラスコに、２，２′−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン二無水物１ｍｏｌと１ＬのＮ−メチル−２−ピロリ
ドンと４−ヒドロキシベンジルアルコール２．１ｍｏｌ
とを加えて攪拌し、続けて２．１ｍｏｌのトリエチルア
ミンを３０分間で滴下する。この状態で３時間放置し
た。これに４，４′−ジアミノジフェニルメタン１ｍｏ
ｌを加えて３０分間攪拌後、２．１ｍｏｌのジフェニル
（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−ベンゾオキサ
ゾール）ホスホナートを５回に分けて添加し、その状態
で５時間縮合反応させる。得られたスラリー状の混合物
を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得られた固形
樹脂を真空乾燥機によって１２時間乾燥する。さらに乾
燥した固形樹脂３０ｇと５ｇの２−ベンジル−１，３−
ジオキソラン、更に２ｇのジフェニルヨードニウム−
９，１０−ジメトキシアントラセン−２−スルフォネー
トを７０ｇのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解させ、
得られたスラリー状物を１μｍ濾過してサンプル２とし
た。
（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン二無水物１ｍｏｌと１ＬのＮ−メチル−２−ピロリ
ドンと４−ヒドロキシベンジルアルコール２．１ｍｏｌ
とを加えて攪拌し、続けて２．１ｍｏｌのトリエチルア
ミンを３０分間で滴下する。この状態で３時間放置し
た。これに４，４′−ジアミノジフェニルメタン１ｍｏ
ｌを加えて３０分間攪拌後、２．１ｍｏｌのジフェニル
（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−ベンゾオキサ
ゾール）ホスホナートを５回に分けて添加し、その状態
で５時間縮合反応させる。得られたスラリー状の混合物
を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得られた固形
樹脂を真空乾燥機によって１２時間乾燥する。さらに乾
燥した固形樹脂３０ｇと５ｇの２−ベンジル−１，３−
ジオキソラン、更に２ｇのジフェニルヨードニウム−
９，１０−ジメトキシアントラセン−２−スルフォネー
トを７０ｇのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解させ、
得られたスラリー状物を１μｍ濾過してサンプル２とし
た。
【００２８】このサンプル２をスピンコーターを用いて
６インチシリコンウェーハ上にコートし、ベーク板にて
９０℃で３分間加熱乾燥することによって膜厚１０μｍ
の塗膜を得た。この塗膜を３６５ｎｍのみを透過させる
フィルターを使用した紫外線露光機によって３００ｍｊ
／ｃｍ2 のエネルギーでテストパターンを照射し、続け
てベーク板にて１００℃で１分間加熱し、さらに２．３
８％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライ
ド）水溶液にて１分間のパドル現像を行った後、純水で
１０秒間リンス洗浄を行った。得られたポジ型パターン
を光学顕微鏡によって観察したところ、１μｍまでのパ
ターンがシャープに形成されていることが確認できた。
６インチシリコンウェーハ上にコートし、ベーク板にて
９０℃で３分間加熱乾燥することによって膜厚１０μｍ
の塗膜を得た。この塗膜を３６５ｎｍのみを透過させる
フィルターを使用した紫外線露光機によって３００ｍｊ
／ｃｍ2 のエネルギーでテストパターンを照射し、続け
てベーク板にて１００℃で１分間加熱し、さらに２．３
８％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライ
ド）水溶液にて１分間のパドル現像を行った後、純水で
１０秒間リンス洗浄を行った。得られたポジ型パターン
を光学顕微鏡によって観察したところ、１μｍまでのパ
ターンがシャープに形成されていることが確認できた。
【００２９】さらに、このパターンを１５０℃で１時
間、次いで２５０℃で１時間、さらに３５０℃で１時間
の加熱処理を行い、塗膜のイミド化を完結させた。この
イミドパターンは、シリコンウェーハ上に強固に密着し
ており、パターンに樹脂クラックや剥離は観察されなか
った。
間、次いで２５０℃で１時間、さらに３５０℃で１時間
の加熱処理を行い、塗膜のイミド化を完結させた。この
イミドパターンは、シリコンウェーハ上に強固に密着し
ており、パターンに樹脂クラックや剥離は観察されなか
った。
【００３０】
【発明の効果】本発明は、ポジ型のパターン形成能をも
つ感光性ポリイミド前駆体であり、パターン形成に関し
てはアルカリ性水溶液を使用することが可能である。こ
のため、得られるパターンの現像液に対する膨潤が少な
く、極めてシャープな高解像度パターンを得ることがで
きるだけではなく、これまで大量に発生していた有機溶
剤の産業廃棄物をも全廃することができる。また、最終
的に得られるポリイミド塗膜は、耐熱性や耐薬品性に優
れているため、通常使用されている半導体デバイス保護
膜と同等に使用することが可能となった。本発明は、感
光性樹脂組成物に使用される樹脂骨格そのものと、その
製造方法に関するものであるが、これらは全く新規の発
想に基くものであり、他に類のない非常に優れた発明で
あることが容易に理解できる。
つ感光性ポリイミド前駆体であり、パターン形成に関し
てはアルカリ性水溶液を使用することが可能である。こ
のため、得られるパターンの現像液に対する膨潤が少な
く、極めてシャープな高解像度パターンを得ることがで
きるだけではなく、これまで大量に発生していた有機溶
剤の産業廃棄物をも全廃することができる。また、最終
的に得られるポリイミド塗膜は、耐熱性や耐薬品性に優
れているため、通常使用されている半導体デバイス保護
膜と同等に使用することが可能となった。本発明は、感
光性樹脂組成物に使用される樹脂骨格そのものと、その
製造方法に関するものであるが、これらは全く新規の発
想に基くものであり、他に類のない非常に優れた発明で
あることが容易に理解できる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/40 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/40 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AA06 AA07 AA08 AA10 AB16 AC01 AD03 BE00 CB25 CC03 CC20 FA03 FA17 FA29 2H096 AA00 AA25 BA09 BA20 EA02 GA08 HA01 JA04 4J002 CM041 EB108 EL107 EV228 EV298 EW116 FD146 FD158 FD207
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）次の繰返し単位をもつポリイミド
前躯体、 【化１】 （但し、式中、Ｒ1 は、４価の芳香族基、複数の芳香族
環が単結合された４価の有機基、又は複数の芳香族環が
−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −若しくは−
Ｃ（ＣＦ3 ）2 −で結合された４価の有機基であり、Ｒ
2 は、２価の芳香族基、複数の芳香族環が単結合された
２価の有機基、又は複数の芳香族環が−Ｏ−、−ＣＯ
−、−ＳＯ2 −、−ＣＨ2 −若しくは−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−で結合された２価の芳香族基であり、そしてＲ3 、Ｒ
4 はフェノール性ＯＨ基を有する芳香族アルコール性化
合物の残基である） （Ｂ）上記の（Ａ）ポリイミド前躯体を合成するにあた
り用いる脱水縮合剤、（Ｃ）１官能以上のジオキソラン
環を有する化合物、（Ｄ）活性光線によって酸性を有す
る官能基を発生する光酸発生剤および（Ｅ）溶剤からな
ることを特徴とする感光性樹脂組成物。 - 【請求項２】 請求項１に記載された感光性樹脂組成物
を成膜したものにパターンマスクを透して露光をした
後、その非露光部をアルカリ性水溶液によって現像し、
さらにイミド化してポリイミドのポジ型パターンを形成
することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001065883A JP2002268221A (ja) | 2001-03-09 | 2001-03-09 | 感光性樹脂組成物およびパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001065883A JP2002268221A (ja) | 2001-03-09 | 2001-03-09 | 感光性樹脂組成物およびパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002268221A true JP2002268221A (ja) | 2002-09-18 |
Family
ID=18924459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001065883A Pending JP2002268221A (ja) | 2001-03-09 | 2001-03-09 | 感光性樹脂組成物およびパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002268221A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100478982B1 (ko) * | 2002-05-02 | 2005-03-25 | 금호석유화학 주식회사 | 신규 산발생제 및 이를 함유한 박막 조성물 |
| WO2011104127A1 (en) | 2010-02-24 | 2011-09-01 | Basf Se | Latent acids and their use |
| JP2013203995A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd | 硬化性樹脂組成物およびそれを用いてなる塗料および樹脂被覆金属板 |
| WO2016124493A1 (en) | 2015-02-02 | 2016-08-11 | Basf Se | Latent acids and their use |
-
2001
- 2001-03-09 JP JP2001065883A patent/JP2002268221A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100478982B1 (ko) * | 2002-05-02 | 2005-03-25 | 금호석유화학 주식회사 | 신규 산발생제 및 이를 함유한 박막 조성물 |
| WO2011104127A1 (en) | 2010-02-24 | 2011-09-01 | Basf Se | Latent acids and their use |
| JP2013203995A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd | 硬化性樹脂組成物およびそれを用いてなる塗料および樹脂被覆金属板 |
| WO2016124493A1 (en) | 2015-02-02 | 2016-08-11 | Basf Se | Latent acids and their use |
| US9994538B2 (en) | 2015-02-02 | 2018-06-12 | Basf Se | Latent acids and their use |
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