TWI247567B - Method for fabricating a double-sided wiring glass substrate - Google Patents

Description

1247567 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 技術領域 本發明係有關一種兩面配線玻璃基板之製造方法，特 5 別是有關一種其表裡面具有配線而可安裝各種電子零件 者。 【先前技術】 背景技術 近年來，利用ic製造技術使晶片上構成有感測器或開 1〇 關等功能元件之MEMS ( Micro Electro Mechanical System) 的開發日新月異，已逐漸實現電子零件之突破性小型化及 高性能化。隨此，乃期望有一種配線基板，可以低成本且 高穩定性地高密度安裝習知各種電子零件等使用MEMS之 電子零件（以下稱「電子零件等」）。 15 習知配線基板有材料使用諸如陶究基板、玻璃環氧基 板或玻璃基板等做為其核基板者。特別是玻璃基板，大多 使用可以光蝕刻法形成孔或溝之感光性玻璃基板。就使用 感光性玻璃基板之配線基板的例子而言，舉例言之，有一 種多層配線基板（參考專利文獻丨），係於以光蝕刻法形成 20於感光性玻璃基板之貫通孔或配線用溝内，以網板印刷法 填充導體糊，並將以同樣方式形成複數片基板加以積層並 燒成後形成者。而，使用感光性玻璃基板之另一例子，舉 例言之，亦有一種組合多層配線基板（參考專利文獻2)， 係以電鍍法於貫通孔内壁及配線形成導體膜，且導體膜形 1247567 成後之貫通孔内部及配線間形成有樹脂絕緣材料者。 就别述安裝電子零件等之配線基板而言，由於接合電子裳 件等與配線基板時通常所用之無機系接合糊之燒成溫度為 400°C以上，非常高溫，因此首先會要求具有高耐熱性。其 5次，為安裝小型電子零件等，特別是安裝多數使用有MEMS 之極小型者，乃要求高密度形成配線。再者，為提高安裝 逸度’則要求配線形成於基板表裡面。 【專利文獻1】日本公開公報第特開昭63 — 128699號 (第4頁第2欄第6至9行） 10 【專利文獻2】曰本公開公報第特開2001 — 44639號（段 落編號〔0030〕〜〔〇〇84〕，第1至6圖） 【發明内容】 發明欲解決之課題 使用感光性玻璃基板之配線基板中，若使用耐熱性高 15者之玻璃基板做為其核基板，雖可避免配線基板之耐熱性 問題’但以網板印刷法於貫通孔填充導體糊或形成配線 時’有可能出現貫通孔内所形成之導體部發生空隙或無法 南密度形成細微配線等問題。故，大多使用耐熱性高之玻 璃基板’同時以光蝕刻法或電鍍法形成貫通孔内之導體部 2〇或配線’以對應耐熱性與細微化、高密度化。唯，以例如 電It法於貫通孔内壁形成薄導體膜後再以樹脂填充其内部 時’即使使用高耐熱性之玻璃基板，仍會產生配線基板全 體之耐熱性降低之問題。這些問題除多層配線基板外，在 形成其基本構造之單層配線基板上也會發生。 1247567 有鑑於此，本發明之目的在於提供一種具高耐熱性， 且其表裡面高密度形成有細微配線之之兩面配線玻璃基板 之製造方法。 解決課題之手段 5 為解決前述課題，本發明所提供之兩面配線玻璃基板 之製造方法中，該玻璃基板係具有形成於玻璃基板之表裡 面的電性配線，及連通該玻璃基板之表裡面並填充有金屬 的貫通孔，且該玻璃基板之表裡面所形成之各前述電性配 線係透過填充於前述貫通孔之金屬而電性導通，該製造方 1〇 法包含有： 第1步驟，係於前述玻璃基板形成前述貫通孔者；及 第2步驟’係以一合併使用無電解電鍍法與電解電鍍法 之電鍍法於前述貫通孔内填充金屬者。 再者，本發明所提供之兩面配線玻璃基板之製造方 15法，其中填充於前述貫通孔之金屬係由銅、鎳、金、銀、 白金、鈀、鉻或鋁中之任1種或2種以上構成。 又’本發明所提供之兩面配線玻璃基板之製造方法 中，前述玻璃基板係使用感光性玻璃基板，而前述第1少驟 更具有以下步驟： 20 透過光罩對前述玻璃基板進行曝光，以使形成前述貫 通孔之部分形成潛像； 將前述已曝光之部分進行熱處理以使其結晶；及 將前述結晶之部分加以溶解除去而形成前述貫通孔。 又，本發明所提供之兩面配線玻璃基板之製造方法 1247567 ’河述第2步·無電解電鍍法來使前述貫通孔之 央部内殘存連通前述玻璃基板表裡面之”部，-面於 ^貫通孔之側壁部堆積金屬後，利用電解錢法以金屬 述玻璃基板表裡面之前述貫通孔的前述空隙部之立中 Γ開口部加以封閉’接著，以電解電鍍法由已封閉之開口 1另-開Π部堆積金屬而於前述空隙部内堆積金屬，以 於鈾述貫通孔内填充金屬。 又’本發明所提供之^面喊麵基板之製造方法 中，前述第技驟係於利用電解電鍍法以金屬將前述玻璃基 板表裡面之丽述貫通孔的其中一開口部加以封閉後，以無 電解電鑛法-面於前述貫通孔之中央部殘存空隙部，一面 於前述貫通孔之侧壁部堆積金屬，接著，以電解電鍵法由 已封閉之開口部朝另_開口部於前述空隙部内堆積金屬， 以於前述貫通孔内填充金屬。 15 又，本發明所提供之兩面配線玻璃基板之製造方法 中，以無電解電鍍法堆積之金屬與以電解電鑛法堆積之金 屬為不同種類之金屬。 發明之效果 藉本發明之兩面配線玻璃基板之製造方法，由於已於 20貫通孔内填充金屬，因此可使兩面配線玻璃基板之表裡面 確實地導通，並提高其耐熱性。藉此，可實現一電子零件 等之連接可靠性高且可高密度安裝之兩面配線玻璃基板。 以下，將針對本發明之前述與其它目的、特徵及優點， 以較佳實施形態做為本發明之例，並利用附加圖式加以說 !247567 明。 圖式簡單說明 第1圖係第1實施形態之兩面配線玻璃基板之其中一例 之剖面圖。 5 第2圖係第1實施形態之曝光步驟之剖面圖。 第3圖係第1貫施形悲之曝光結晶化部除去步驟之剖面 圖。 第4圖係第1實施形悲之離子防護層形成步驟之剖面 圖。 10 第5圖係第1實施形態之預備密著力強化層形成步驟之 剖面圖。 第6圖係第1實施形態之無電解電鍍步驟之剖面圖。 第7圖係第1實施形悲之開口部封閉步驟之剖面圖。 第8圖係第1實施形態之電解電鍍步驟之第1剖面圖。 15 第9圖係第1實施形態之電解電鍍步驟之第2剖面圖。 第10圖係第1實施形態之電解電鍍步驟之第3剖面圖。 第11圖係第1實施形態之金屬層除去步驟之剖面圖。 第12圖係第1實施形態之密著力強化層形成步驟之剖 面圖。 20 第13圖係第1實施形態之配線形成步驟之剖面圖。 第14圖係第2實施形態之電極層形成步驟之剖面圖。 第15圖係第2實施形態之電解電鍍步驟之第1剖面圖。 第16圖係第2實施形態之無電解電鍍步驟之剖面圖。 第17圖係第2實施形態之金屬層除去步驟之第1剖面 1247567 ο 圖 第18圖係第2實施形態之電解電鍍步驟之第2剖面圖。 第19圖係第2實施形態之電解電鍍步驟之第3剖面圖。 第20圖係第2實施形態之金屬層除去步驟之第2剖面 5 圖。 【實施方式】 發明之最佳實施形態 以下，參考圖式詳細說明本發明之實施形態。 第1圖係第1實施形態之兩面配線玻璃基板之其中一例 10之剖面圖。兩面配線玻璃基板1係使用使感光性玻璃基板21 做為其核基板。該感光性玻璃基板2設有將其貫通之貫通孔 3,且其表裡面設有用以抑制感光性玻璃基板2所含之鹼金 屬離子外茂之離子防護層4。貫通孔3内填充有金屬銅（Cu) 所構成之銅膜層5，且該銅膜層5亦貫通離子防護層4。離子 I5防護層4上及銅膜層5上，做為配線之銅膜層6乃透過密著力 強化層7以預定之配線圖案形成，並藉銅膜層5與其上所形 成之部分密著力強化層7及銅膜層6使兩面配線玻璃基板丄 之表面側與裡面側呈電性連接之狀態。 在此’就做為配線基板之核基板材料而言，感光性玻 2〇璃基板2在平滑性、硬質性、絕緣性及加工性等方面皆十分 優異。而’前述性質在鹼石灰玻璃等化學強化玻璃、結晶 化玻璃、無驗破璃、鋁石夕酸鹽玻璃等亦相同，亦町將這些 玻璃用於兩面配線玻璃基板1之核基板。 離子防護層4係由以濺射法形成之氮化矽（Si3N4)層（以 1247567 下稱「濺射氮化石夕層」）4a及以濺射法形成之氧化石夕（si2〇) 層（以下稱「濺射氧化石夕層」）扑所構成。在此，離子防護 層4係於感光性玻璃基板2上所形成之濺射氮化石夕層如上積 層有濺射氧化石讀4b之2層構造。而，如後述所及，本發明 5中，離子防護層4並非為必須之構成要件。 密著力強化層7係由以濺射法形成之鉻（Cr)層（以下 稱「濺射鉻層」）7a、以濺射法形成之鉻與銅之混合層（以 下稱「濺射鉻銅層」）7b及以濺射法形成之銅層（以下稱「濺 射銅層」）7c所構成。在此，密著力強化層7係於濺射氧化 10矽層牝上依序積層有濺射鉻層7a、濺射鉻銅層71)及濺射銅 層7c之3層構造。 做為配線之銅膜層6形成於濺射銅層7c上，其部分透過 密著力強化層7與填充於貫通孔3之銅膜層5連接。 接著，就前述兩面配線玻璃基板1之更詳細構成及其製 15 造方法加以說明。 兩面配線玻璃基板1之製造步驟大致由貫通孔形成步 驟、離子防護層形成步驟、貫通孔填充步驟、密著力強化 層形成步驟及配線形成步驟所構成。 首先，說明貫通孔形成步驟。第2及3圖為貫通孔形成 20步驟之說明圖，第2圖為曝光步驟之剖面圖，第3圖為曝光 結晶化部除去步驟之剖面圖。 貫通孔形成步驟中，首先於感光性玻璃基板2之表裡其 中一面側，密著配置一僅於對應欲形成貫通孔3之部分（以 下稱「貫通孔形成部分」）的領域具有開口部之光罩（未圖 1247567 示），並以該狀態對感光性玻璃基板2照射紫外線。 感光性玻璃基板2只要是有感光性者皆可，並無特別限 制。感光性玻璃基板2之感光性成分以至少含有金（Au)、 銀（Ag)、氧化亞銅（ChO)或氧化鈽（Ce〇2)中的J種成 5分為佳，且以含有2種以上成分尤為佳。前述感光性玻璃基 板2可使用例如含有以重量％為3丨〇2 : 55%〜85%、氧化鋁 (Al2〇3) : 2% 〜20%、氧化鋰（Li2〇) : 5% 〜15%、义2〇 + Al2〇3 + Li2〇>85% 做為基本成分，以au:〇 〇〇i% 〜0 05%、 Ag · 0.001%〜0.5%、Cu20 : 0.001%〜1%做為感光性金屬 10成分，並以Ce02 : 0.001%〜〇·2%做為光增感劑者。 又，光罩只要是可密著於感光性玻璃基板2而可將貫通 孔形成部分選擇性曝光者即可，並無特別限制。前述光罩 可使用例如於透明之薄板玻璃以鉻膜等實質上不會使紫外 線等曝光光通過之膜形成有遮光圖案者。 15 如此一來，透過光罩對貫通孔形成部分照射紫外線 後，並對該感光性玻璃基板2進行熱處理。熱處理宜在使用 之感光性玻璃基板2之轉移點與屈伏點間之溫度進行。因為 低於轉移點之溫度無法充分獲得熱處理效果，而高於屈伏 點則會使感光性玻璃基板2產生收縮，有曝光尺寸精確度降 20 低之虞。熱處理時間以30分至5小時左右為佳。 糟荊述备、外線照射及熱處理’已照射紫外線之貫通孔 形成部分會結晶’如苐2圖所不’於感光性玻璃基板2之貫 通孔形成部分形成曝光結晶化部3a。接著，若對形成有該 曝光結晶化部3a之感光性玻璃基板2喷麗預定濃度之稀氫 1247567 氟酸等蝕刻液，曝光結晶化部％會選擇性溶解除去，如第3 圖所示，於感光性玻璃基板2形成貫通孔3。 使用前述光蝕刻法之貫通孔3之形成方法，可於感光性 · 玻璃基板2同時形成希望之數量的縱橫比1〇左右之貫通孔 · 5 3舉例δ之，使用厚度〇.3mm〜1.5mm左右之感光性玻璃基 板2時，可於希望之位置同時複數形成3〇//m〜15〇#m左右 之貫通孔3。藉此，可同時謀求配線圖案之細微化及貫通孔 形成步驟之效率化。再者，由於配線之高密度化，因此當 縮小脊寬，或使脊寬為〇之無脊構造時，可充分確保貫通孔 修 10 3間之空間。故’亦可於貫通孔3間形成配線，並可使配線 圖案之設計自由度擴大或配線密度提高。又，亦可藉以狹 窄間距形成複數貫通孔3來提高配線密度。 而，使用諸如感光性玻璃基板2等不具有感光性之其它 玻璃基板時，可以例如雷射照射來形成貫通孔。 15 接著，說明離子防護層形成步驟。第4圖為第1實施形 態之離子防護層形成步驟之剖面圖。 通常，感光性玻璃基板2内含有鋰離子（Li+)、鉀離子 · (K )等鹼金屬離子。若這些鹼金屬離子漏洩至兩面配線 玻璃基板1之配線金屬且吸著水，則施加電壓之電路間，I ♦ 20線金屬會離子化，發生再次接受電荷而還原分離之離子移 動。在取壞的情形下，該離子移動會造成因分離之金屬形 、 成由其中-電路向另一電路之配線，而使電路間短路。該 短路不良在配線間隔小時較為顯著，為高密度形成細微之 配線，乃必須抑制離子移動。故，於感光性玻璃基板2之表 13 1247567 裡面形成離子防護層4，抑制鹼金屬離子由感光性玻璃基板 2漏洩至銅膜層6或密著力強化層7。又，藉形成離子防護層 5 ’即使感光性玻璃基板2之膜厚較薄，亦可於表裡面間確 保充分之絕緣電阻。 5 形成離子防護層4時，首先，施以將感光性玻璃基板2 之表裡面領域所含之鹼金屬離子加以除去之脫鹼處理。舉 例言之，於該脫鹼處理中，將感光性玻璃基板2浸潰於硫酸 水溶液等電解液中，並對感光性玻璃基板2施加電壓，使其 表裡面領域所含有之鹼金屬離子溶出至電解液中。 10 别述脫驗處理結束後，如第4圖所示，於感光性玻璃基 板2形成離子防護層4。該離子防護層4可使用有機系材料或 無機系材料之任一者，且以具有絕緣性，與感光性玻璃基 板2之％脹係數差小，耐熱性、财濕性、介電率或介電正接 等電性特性優異者為佳。滿足前述要件之材料有氧化石夕、 15氮化石夕、氧化銘等，而由不易形成氣孔等缺陷，且絕緣耐 壓高等方面來看，以氧化石夕或氮化石夕尤為佳。成膜方法有 賤射法、真空蒸著法或CVD (Chemical Vap〇rDep〇siti〇n) 法等，並祕別受限，“可獲得良好密著性之方面來看， 以使用濺射法尤為佳。在此，如第4圖所示，首先，可於脫 扣驗處理後之感光性麵基板2之表裡面分卿成膜厚⑽ _左右之_氮切杨，並於其上形成膜厚g聊瓜左 右之濺射氧化矽層4b，以構成離子防護層4。 而，在此雖係於脫驗處理後形成離子防護層4，但亦可 不進行脫驗處理來形成離子防護層4。又，在此雖係將離子 1247567 防護層4構造成2層構造，但亦可對應使用之材質形成單層 或3層以上之構造。又，離子防護層4之形成可對應兩面配 線玻璃基板1之使用環境或要求特性等，僅進行或省略感光 · 性玻璃基板2之脫鹼處理。 5 又，離子防護層4並非必要不可或缺者，藉對感光性玻 璃基板2施以以下所示之結晶化處理即可不需要。換言之， 結晶化處理中，對已形成貫通孔3之感光性玻璃基板2全體 照射紫外線後再進行熱處理。藉此，使感光性玻璃基板2全 體aa。此時，熱處理溫度以設定於感光性玻璃基板2之纟士 10晶化溫度以上，軟化點以下為佳，例如850°C，2小時之熱 處理條件。藉使前述感光性玻璃基板2全體結晶，相較於結 晶前，可使感光性玻璃基板2所包含之鹼金屬離子呈不易移 動之狀態。故，可抑制離子移動，不需形成離子防護層4。 以下，將貫通孔3之形成後進行之感光性玻璃基板2全體之 15結晶化處理步驟稱為「玻璃基板改質步驟」。 接著，說明貫通孔填充步驟。第5〜11圖為貫通孔說明 步驟之說明圖，第5圖為第1實施形態之預備密著力強化層 魯 形成步驟之剖面圖，第6圖為第1實施形態之無電解電鍍步 驟之剖面圖，第7圖為第！實施形態之開口部封閉步驟之剖 ' 20面圖，第8圖為第1實施形態之電解電鍍步驟之第丨剖面圖， 第9圖為第1實施形態之電解電鍍步驟之第2剖面圖，第忉圖 為第1實施形態之電解電鍍步驟之第3剖面圖，第u圖為第i 實施形態之金屬層除去步驟之剖面圖。 貫通孔填充步驟中，首先，如第5圖所示，於離子防護 15 1247567 層4上形成預備密著力強化層17。使用為於貫通孔填充金屬 所進仃之後述電解電鍍法朝貫通孔3形成電鍍金屬層時，形 成”亥預備密著力強化層17乃用以防止與貫通孔3同時形成 於基板表裡面之電鑛金屬層剝離。形成於基板表裡面之電 5鑛金屬層雖會於該貫通孔填充步驟中除去，但若在除去前 自基板表裡面發生剝離，則此時貫通孔3所形成之電鍍金屬 層也會-起剝離，而使引起導通不良之可能性提高。貫通 孔3及基板表裡面同時形成之電鍍金屬層（即，填充於貫通 孔3之金屬）與離子防護層4之密著性不佳時，乃於離子防 1〇護層4上形成預備密著力強化層17來提高電錢金屬層之密 著強度，抑制其剝離。 15 20 預備密著力強化層⑽將與填充於貫通孔3之金屬及 離子防護層4兩者之密著性良好之層以濺射法、真空蒸著法 或CVD法等形成於離子防護層4上。舉例言之，可將預備密 著力強化層17構造成3層構造，將與離子防護層4之密著性 良好之材料所構成之以層、與填充於貫通孔3之金屬的密 =2之:钭？成之第3層及包含第1層材料與第3層 ㈣之剑’以第1層、第2層及第3層之順序依序積声於 離子防護層4上。若可充分獲得第1層與第3層之密著性^ 亦可構造成省略第2層之2層構造。根據填充於貫通孔3之金 亦可將與兩者之密著性佳的材料 以早層m不形成鮮防護層斗可形成 貫通孔3之金屬與感光性玻璃基板2兩者 良好； 來作為―。此時,預傅密著力強= 16 1247567 可構造成單層、2層或3層構造。 士第1實施形態中，填充於貫通孔3之金屬係使用銅，此 守預備松著力強化層17可使用鉻、奴或鈦等金屬材料。 在此’預備密著力強化層17乃使用鉻，呈與濺射氧化石夕層 5 4b之密著性佳的濺射鉻層^、與銅之密著性佳的錢射銅層

He及位於其間之麟鉻銅層m之3層構造。構成預備密著 力強化層17之各金屬層厚度並無特別限制，舉例言之，使 用絡時，濺射鉻層17a之厚度為〇御m〜〇1//m左右，中間 層之濺射鉻鋼層17b之厚度為〇〇4//m〜〇i"m左右即可。 鲁 10又，_鋼層17C之厚度為叫㈣左右即可。 *如此於離子防護層4上形成預備密著力強化層⑽，於 貝通孔3填充銅。如前述所及，朝貫通孔3填充銅時係使用 一、又务C本第1貫施形恶中則併用無電解電艘法與電解電 鍍法。使用無電解電鍍法之目的主要在於使感光性玻璃基 反之貝通孔3壁面導電化，而使用電解電鍵法之目的主要 則在於以無電解電鍍法使貫通孔3壁面導電化後，由分離速 又之速度及皮膜耐熱性之好壞，有效使銅分離填充至貫豸 % 孑L3内部。 接著，如第7圖所示，於基板表裡面之其中—面側的貫 ' 通孔3之開α部貼上絕緣性之點著㈣來封閉該開口部。卩 · 下’將貼有黏著帶10之面作為基板表面，並該其相反側之 面作為基板裡面。藉該黏著帶1〇，可防止之後的電解電鍍 V驟中銅附著於基板表面。而’在此，雖以黏著帶圖閉 貫通孔3之開口部，但亦可以其它構件來封閉貫通孔3。 17 1247567 以黏著帶10封閉貫通孔3之基板表面侧之開口部後，如 第8圖所示，以電解電鍍法形成銅之電解電鍍層（以下稱「電 解電錢銅層」）5b，並以該電解電鍍銅層5b封閉貫通孔3之 基板裡面側之開口部。在此之電解電鍍，舉例言之，宜於 5 加入電解液之硫酸銅水溶液的電鍍浴中，以銅板為陽極， 以基板為陰極，並於使基板裡面側與銅板相對向之狀態下 通電來進行。該電解電鍍銅層5b之形成與貫通孔3之徑有 關’乃以1 A/dm2〜5A/dm2左右之較一般高的電流密度條件下 進行。又’由於該電流密度與電解液濃度有關，因此乃適 10當设定其值。一般而言，電解液濃度高時，可將電流密度 设定的較濃度低時為高。藉以前述電流密度條件進行電解 電鍍，可以電解電鍍銅層5b封閉貫通孔3之基板裡面側之開 口。卩。以下’將本電鍍過程稱為「開口部封閉電鍍」。 將基板裡面側之開口部以電解電鍍銅層5b封閉後，剝 15除黏著帶10，除去基板表面側所形成之無電解電鍍銅層5a 及預備密著力強化層17來使離子防護層4露出。這些各金屬 層之除去方法有諸如研磨法、蝕刻法或併用研磨與蝕刻法 之方去等。接著，如第9及1〇圖所示，以電解電鍍法再形成 電解電鍍銅層5b，於貫通孔3内部填充電解電鍍銅層北。此 2〇時，電解電鍍係與前述電解電鍍時相同，於例如硫酸銅水 溶液中，以銅板為陽極，以基板為陰極，並藉通電來進行。 唯在此，宜於使基板表面側（即，剝除黏著帶1〇後之貫 、 未封閉之開口部側）與銅板相對向之狀態下進行電解 電鍍。在此之電解電鍍銅層5b之形成，係對應貫通孔3之徑 18 1247567 或電鍍液濃度在0.2A/dm2〜0.8A/dm2左右之較低電流密度 條件下進行。藉在前述電流密度條件下進行電解電鍍，使 電解電鍍銅層5b依序形成於先形成於貫通孔3内部之電解 電鍍銅層5b上，町避免貫通孔3在皆由金屬銅填充前，開口 5 部即封閉之情況。又，由於離子防護層4為絕緣性，因此離 子防護層4上不會形成電解電鍵銅層5b。如此，藉以不同電 流密度進行電解電鍍，可使貫通孔3由已封閉之開口部側填 充金屬鋼。以下’將本電過私·稱·為「填充電鑛」。又，電 解電鍍鋼層5b會突出基板表面側，而第1〇圖則圖示以研磨 10 法等除去該突出部分後之狀態。 對貫通孔3填充電解電鑛銅層5b後，除去基板裡面所形 成之電解電鍍銅層5b、無電解電鍍銅層化及預備密著力強 化層17，如第11圖所示，使離子防護層4露出。這些各金屬 層之除去方法有研磨法、蝕刻法或併用研磨法與蝕刻法等 15方法。藉此，如第11圖所示，貫通孔3會殘留無電解電鍍鋼 層5a及電解電鍍銅層5b，使貫通孔3填充由金屬銅構成之鋼 膜層5。又，由於係形成無電解電鍍銅層化後方形成電解電 鍍鋼層5b而使貫通孔3填充金屬鋼，因此可有效且無間隙地 填充貫通孔3。 2〇 而，經刖述玻璃基板改質步驟後，即不需離子防護層 4,因此第11圖中，除去預備密著力強化層17時為沒有離子 防護層4之狀態，即，感光性玻璃基板2結晶化後之基板露 出的狀態。 接著，說明密著力強化層形成步驟。第12圖係第i實施 19 1247567 形態之密著力強化層形成步驟之剖面圖。 如第12圖所示，密著力強化層形成步驟中，對貫通孔3 填充銅膜層5後，於露出之離子防護層4上形成密著力強化 層7。該密著力強化層7係用以確保離子防護層4與之後形成 5作為配線之銅膜層6之密著力者，其材質、層構造及形成方 法等與前述預備密著力強化層17相同。又，不形成離子防 護層4時相同。 唯，該密著力強化層7之膜厚有以下不同點。即，構成 在、著力強化層7之鉻金屬層之厚度，宜考慮後述蝕刻之配線 10圖案形成時之側蝕刻量，盡量使其薄。唯，必須注意的是， 右構成密著力強化層7之各金屬層厚度太薄，會因形成配線 時所進行之處理而於形成配線前除去密著力強化層7。舉例 吕之，密著力強化層7使用鉻時，濺射鉻層7a之厚度以〇〇4 〜0.1/zni左右為佳。又，中間層之濺射鉻銅層几之厚度 乂 〇.〇4//m〜〇.i#m&右為佳。錢射銅層7c之厚度以ο』# m〜1.5//m左右為佳。藉此，形成合計㈤以下之超薄密著 力強化層7。 接著，說明配線形成步驟。第13圖為第丨實施形態之配 線形成步驟之剖面圖。 如第13圖所示，該配線形成步驟中，首先，以電解電 鍍去於遂著力強化層7上形成銅膜層6。銅膜層6之厚度與密 著力強化層7相同，宜考慮側餘刻之量而盡量形成的較薄。 唯，若該銅膜層6太薄，則當使用環境造成兩面配線玻璃基 板1之溫度反覆變化時，會因銅膜層6之熱膨脹餘與感光 1247567 性玻璃基板2之熱膨脹係數之差而使銅膜層6產生金屬疲 勞。故，為確保銅膜層6對前述金屬疲勞之連接可靠性，必 須預先使銅膜層6具有-定厚度。銅膜層6之厚度以^ m〜20#m左右為佳’且以4//m〜左右尤為佳。銅膜層6 之厚度低於l#m以下時’因前述金屬疲勞而發生銅膜層6 之斷線的危險性提高，若銅膜層6之厚度超過扣㈣以上 時，則配線圖案之細微化會變難。 形成銅膜層6後，以光钱刻法及侧法形成配線圖案。 首先’以光#刻㈣端對應兩面線玻璃基板i之配線目帛 Φ 1〇的抗餘劑圖案。接著，以颠刻除去未以·抗姓劑覆蓋之領域 的銅膜層6、濺射銅層7c、濺射鉻銅層7b及濺射鉻層7a來形 成配線圖案。藉此，可獲得第丨圖所示之構成的兩面配線玻 璃基板1。在此所用之抗蝕劑可為液狀抗蝕劑、乾膜抗蝕劑 或電沉積抗餘劑。又，抗餘劑種類使用正型或負型皆可， 15 一般而言由於正型抗蝕劑之解像性較高，因此適用於形成 細微之配線圖案。 接著，說明第2實施形態。 鲁 第2實施形態之兩面配線玻璃基板之構成與前述第1實 施形態之兩面配線玻璃基板1相同。唯，其製造方法有多處 20 不同。 第2實施形態之兩面配線玻璃基板之製造步驟大致由 · 貫通孔形成步驟、玻璃基板改質步驟、貫通孔填充步驟、 密著力強化層形成步驟及配線形成步驟所構成。這些步驟 中，由於貫通孔形成步驟、玻璃基板改質步驟、密著力強 21 1247567 化層形成步驟及配線形成步驟與第1實施形態相同，因此， 以下將針對貫通孔形成步驟，以第14圖至第20圖進行說明。 弟14圖為第2貫施形態之電極層形成步驟之剖面圖，第 15圖為第2實施形態之電解電鍍步驟之第1剖面圖，第16圖 5 為第2實施形態之無電解電鍍步驟之剖面圖，第17圖為第2 實施形態之金屬層除去步驟之第1剖面圖，第18圖為第2實 施形態之電解電鍍步驟之第2剖面圖，第19圖為第2實施形 態之電解電鍍步驟之第3剖面圖，而第20圖則為第2實施形 態之金屬層除去步驟之第2剖面圖。 10 進行玻璃基板改質步驟後，如第14圖所示，首先，將 電極層27形成於結晶化玻璃基板21之一面。而，在此，將 形成有該電極層27之面稱為基板裡面，並將其相反側之面 稱為基板表面。電極層27之材料選定及形成方法與第丨實施 形態之預備密著力強化層17相同。預備密著力強化層17之 15形成目的在於將無電解電鍍銅層5a與離子防護層4,或感光 1*生玻璃基板2、結晶化後之基板間的密著力加以強化，而電 極層27之作用則在於作為形成電解電鍍銅層5b時之電極。 舉例言之，如第14圖所示，電極層27可構造成濺射鉻 層27a、濺射鉻銅層27b及濺射銅層27c之3層構造。此時， 2〇濺射鉻層27a之厚度為〇.〇4//m〜左右，中間層之濺射 絡銅層27b之厚度為0.04/zm〜〇·1//ηι左右即可，而濺射銅層 27c之厚度則為〇.5//m〜1·5//ηι左右即可。 形成電極層27後，如第15圖所示，利用開口部封閉電 鍵’以電解電鍍銅層5b將位於結晶化玻璃基板21裡面側之 1247567 貫通孔3的開口部加以封閉。形成該電解電鍍銅層5b時之電 流密度條件與第1實施形態之開口部封閉電鍍條件相同，在 lA/dm2〜5A/dm2左右之電流密度條件下進行。又，進行電解 電鍍時，在電鍍浴中係於使裡面側與陽極相對向之狀態下 5 通電。 開口部封閉電鍍後，以無電解電鍍法形成無電解電鍍 銅層5a。如第16圖所示，無電解電鍍銅層5a不僅會堆積於 貫通孔3之側壁部，亦會堆積於結晶化玻璃基板21之表面。 形成無電解電鍍銅層5a後，如第17圖所示，將堆積於 10 結晶化玻璃基板21之表面側的無電解電鍍銅層5a以研磨法 等加以除去。可防止接著進行填充電鍍時，結晶化玻璃基 板21之表面側堆積電解電鍍銅層5b。 接著’如第18及19圖所示，藉填充電鍍再形成電解電 鑛銅層5b ’並使貫通孔3内部所形成之無電解電鍍銅層化或 15電解電鍍銅層5b填充於貫通孔3。此時之電流密度條件與第 1實施形態相同，係在〇.2A/dm2〜0.8A/dm2左右之較低電流 密度條件下進行。又，該電解電鍍時，係於使裡面側與陽 極相對向之狀態下通電。填充電鍍結束時，如第19圖所示， 電解電鍍銅層5b雖會突出於基板表面側，但該突出部分可 20 以研磨法加以除去。 接著，使用以氣化鐵為主成分之藥品，蝕刻除去基板 裡面所形成之電解電鍍銅層5b、濺射銅層27c及濺射鉻銅層 27b之後，使用以鐵氰化鉀為主成分之藥品，蝕刻除去濺射 鉻銅層27b及濺射鉻層27a之鉻。藉除去各金屬層，如第2〇 23 1247567 圖所示，使結晶化玻璃基板21之表裡面露出，而獲得貫通 孔3填充有無電解電鍵銅層5a及電解電鍍銅層5b之狀態。 以下，藉進行密著力強化層形成步驟及配線形成步 驟，可獲得與第1圖所示者具有相同構成之兩面配線玻璃基 5 板。 而，以上第1及第2實施形態中，乃針對以無電解電鍍 法形成之金屬及以電解電鍍法形成之金屬皆為銅之情形做 說明，但亦可使金屬之種類不同，例如以電解電鍍法形成 之金屬為銅，而以無電解電鍍法形成之金屬為鎳（Ni)或 10 鉻。 以下，以實施例具體說明本發明之實施形態。而，以 下所示之實施例中，作為兩面配線玻璃基板之核基板的感 光性玻璃基板皆是使用HOYA股份有限公司製PEG3 (商品 名）。該PEG3具有SiO2:78.0重量％ 、Li2〇:l〇.〇重量％ 、 15 Α12〇3:6·0重量％ 、Κ2Ο:4·0重量％ 、Na20 ·· 1.0重量％ 、 ΖηΟ:ι·〇重量％、Au:〇.〇〇3重量％、Ag:〇.〇8重量％、Ce02: 〇·〇8重量％之組成。 【實施例1】 針對前述第1實施形態之製造方法具體說明。如前述所 20及，該製造步驟係由貫通孔形成步驟、離子防護層形成步 驟、貝通孔填充步驟、密著力強化層形成步驟及配線形成 步驟所構成。以下，詳細說明步驟順序。 (貫通孔形成步驟） 使光罩雄、著於感光性玻璃基板2上，並透過光罩對貫通 24 1247567 孔形成部分照射紫外線，形成對應曝光部分之潛像。光罩 乃使用於石英玻璃基板表面以鉻/氧化鉻層形成有希望之 貫通孔配列圖案者。使用之光源為低溫uv燈，照射能量為 800mJ/cm2。接著，以溫度約400°C進行熱處理使貫通孔形 5 成部分結晶化’形成曝光結晶化部3 a (第2圖）。接著，將 稀氫氟酸（約10%溶液）喷灑於感光性玻璃基板2之表裡面 來溶解除去曝光結晶化部3a，形成直徑約為50# m之貫通孔 3 (第3圖）。 (離子防護層形成步驟） 10 一面將形成有貫通孔3之感光性玻璃基板2浸潰於約20 體積％之硫酸水溶液，一面對其施加約十分鐘約20V之正電 壓，對感光性玻璃基板2施以脫鹼處理。此時之負電極乃使 用不鏽鋼。施以脫鹼處理後，使用一般RF濺射裝置，對感 光性玻璃基板2之表裡面成膜膜厚約0.05“ m2Si3N4膜來形 15成濺射氮化矽層4a後，於其上成膜膜厚約〇.〇5//m之5丨02膜 來形成濺射氧化矽層4b (第4圖）。。 (貫通孔填充步驟） 使用一般DC濺射裝置，於濺射氧化矽層上成膜膜厚約 0.05//m之鉻膜來形成濺射鉻層17a，於該濺射鉻層17a上成 20膜膜厚約0·〇5/ζ m之鉻銅合金膜（鉻：約4% /銅：約96% ) 來形成濺射鉻銅層17b，再於該濺射鉻銅層17b上成膜膜厚 約1.5//m之銅膜來形成濺射銅層17c，作為預備密著力強化 層17。又，這些金屬膜係在不暴露於大氣之狀態下連續成 膜（第5圖）。 1247567 接著’以無電解電鍍法形成膜厚約〇3/zm之銅膜，形 成無電解電錢銅層5a (第6圖）。該無電解電鍛流程係以前 處理、軟侧、預浸、催化劑職予、催化劑活性化及無電 . 解電鍍之順序進行。 5 刚處理係用以洗淨形成預備密著力強化層17後之感光 性玻璃基板2者，可使用市售洗淨液之美錄德公司所製之 MELPLATEPC-321 (商品名）進行洗淨。 軟姓刻為用以除去預備密著力強化層17表面所形成之 氧化膜者’可使用市售軟餘刻液之美錄德公司所製t Φ 10 ENPLATEE — 462 (商品名）進行軟蝕刻。 預浸為用以保護下一流程之催化劑浴，而將具有預備 在、著力強化層17之感光性玻璃基板2浸潰於預浸液者，預浸 液可使用市售美錄德公司所製之ENPLATE pc —236 (商品 名)。 "" 15 催化劑賦予係用以使無電解電鍍銅分離，以使催化劑 吸附於具有預備密著力強化層17之感光性玻璃基板2者，可 使用市售之美錄德公司所製之ENPLATE活化劑444 (商。 _ 名）。 催化劑活性化係用以使吸附之催化劑活性化者，電鍍 · 2〇 液可使用市售之美錄德公司所製之ENPLATE ΡΑ—360 (商 品名）〇 無電解電鍍係用以形成無電解電鍍銅層5a者，電夜 可使用市售之美錄德公司所製之MELPLATE Cu〜39〇 (商 品名）。 26 1247567 形成無電解電鍍銅層5a後，於基板表面貼上黏著帶1〇 來封閉貫通孔3之基板表面側的開口部後（第7圖），以開口 部封閉電鍍形成銅膜，並以電解電鍍鋼層5b將未貼有黏著 帶10之基板裡面側的貫通孔3之開口部封閉（第8圖）。使用 5之電鍍液為市售者，如上村工業股份有限公司所製之 REVC0300 (商品名）等硫酸銅系之電鑛液。又，該電解 電鍍時之電流密度為3 A/dm2，且電鍍浴中，在使基板裡面 側與陽極相對向之狀態下通電。在本條件下，基板裡面之 平坦部形成膜厚30#❿之電解電鍍銅層5b。 1〇 開口部封閉電鍍後，剝除黏著帶10，首先，以研磨法 機械式除去貼有黏著帶1〇之基板表面之無電解電鍍銅層 及錢射銅層17c。接著，使用以鐵氰化奸為主成分之藥品， 蝕刻除去濺射鉻鋼層17b及濺射鉻層17a，使基板表面露出 離子防護層4。 15 接著，以填充電鍍再形成電解電鍍銅層5b，與先形成 於貫通孔3内之電解電鑛銅層5b—同填充於貫通孔3 (第9、 10圖）。此時所用之電鍍液與開口部封閉電鍍時所用者相 同，但電流密度為0.5 A/dm2，電流值設定的較貫通孔封閉 電鍍時之電流密度低。又，填充電鍍時，電鍍浴中係以基 20 板表面側與陽極相對向之狀態通電。 填充電鍍後’使用以氣化鐵為主成分之藥品，將基板 裡面所形成之電解電鍍銅層5b、無電解電鍍銅層化、濺射 銅層17c及濺射鉻銅層17b之銅蝕刻除去後，使用以鐵氰化 鉀為主成分之藥品將濺射鉻銅層17b及濺射鉻層之鉻餘 1247567 刻除去。藉此，使離子防護層4露出基板表裡面，並將無電 解電鍍銅層5a及電解電鍍銅層5b構成的金屬銅之銅膜層5 填充於貫通孔3 (第11圖）。 (密著力強化層形成步驟） 5 使用一般之濺射裝置於已露出之濺射氧化矽層4b上成 膜膜厚約0.05//m之鉻膜來形成濺射鉻層％，於濺射鉻層％ 上成膜膜厚約0.05//m之鉻銅合金膜（鉻：約4% /銅：約％ % )來形成濺射鉻銅層7b，並於濺射鉻銅層几上成膜膜厚 約1.5/zm之銅膜來形成濺射銅層九，藉此形成密著力強化 10層7。又，這些臈係在不暴露於大氣之狀態下連續成膜（第 12圖）。 、 (配線形成步驟） 以電解電鍍法形成膜厚約5,之銅膜，形成作為配線 之銅膜層6 (第13圖）。使狀電舰為市售之硫酸銅電鑛 15液（吳錄德社製coVERGLEAM ST _ 9〇i (商品名》，而電 流密度條件則設為3 A/dm2。 *以疑轉益於鋼膜層6之表面塗佈厚度約為10 之正 型液狀抗钱劑（希普勵公司製MICROPOSIT SJR5440 (商 口口名））後’使辑製有希望之配線圖案的光罩並以遮罩對 準器+光此盼之曝光量約為i〇〇〇mj/cm2。接著，使用顯 m希曰勵A司製顯像液2500 (商品名））在室溫下進行 、力1刀^/貝顯像’形成抗㈣案。接著，喷灑做美度之 氣化鐵溶液，進并^ 订鋼膜層6、濺射銅層7c及濺射鉻銅層7b之 銅#刻後’以除去抗餘劑。接著，將㈣後之細層6 28 1247567 作為金屬抗蝕層，使用以鐵氰化鉀為主成分之藥品進行濺 射鉻銅層7b及濺射鉻層7&之鉻蝕刻，形成線寬約20//ιη、間 隔約20//m、脊寬約12〇//m之配線圖案。 藉以上方法，獲得兩面配線玻璃基板1，係已使貫通孔 5填充有併用無電解電鍍銅層法及電解電鍍法所形成之金屬 鋼者（第1圖）。 【實施例2】 本實施例僅在實施例1之貫通孔填充步驟中的無電解 電鍍法之條件及無電解電鍍法所形成之金屬種類不同，其 10它步驟與實施例1相同。 本實施例中，乃以無電解電鍍銅法形成膜厚約0.3 之鎳膜。無電解電鍍流程基本上與實施例1所載之以前處 理、軟蝕刻、預浸、催化劑賦予、催化劑活性化及無電解 電鍍之順序所進行的程序相同，唯最後之無電解電鍍部分 15不同’在此鎳膜之無電解電鍍用電鍍液乃使用美錄德公司 所製之MELPLATE NI — 865 (商品名）。 【實施例3】 本實施例為上述第2實施形態之製造方法的具體例。該 製造步驟如前述所及，由貫通孔形成步驟、玻璃基板改質 20步驟、貫通孔填充步驟、密著力強化層形成步驟及配線形 成步驟構成。這些步驟中，由於貫通孔形成步驟、密著力 強化層形成步驟及配線形成步驟與實施例丨相同，因此以下 僅針對玻璃基板改質步驟與貫通孔填充步驟詳加說明。 (玻璃基板改質步驟） 29 1247567 經貫通孔形成步驟後，對形成有貫通孔3之感光性玻璃 基板2全體以約700mJ/cm2照射紫外線，接著，以約85〇°c之 溫度進行約2小時之熱處理。藉此，使感光性玻璃基板2全 體結晶，形成結晶化玻璃基板21。 5 (貫通孔填充步驟） 貫通孔填充步驟中，首先，以一般濺射裝置於結晶化 玻璃基板21之裡面側成膜膜厚約0 05//爪之鉻膜來形成濺 射鉻層27a ’接著，於錢射鉻層27a上成膜膜厚約〇·〇5 // m之 鉻銅合金膜來形成錢射鉻銅層27b，最後於濺射鉻銅層27b 10上成膜膜厚約之銅膜來形成濺射銅層27c，藉此形成 電極層27(第14圖）。又，這些膜係在不暴露於大氣之狀態 下連續成膜。 形成電極層27後，以開口部封閉電鍍形成電解電鍍銅 層5b將位於結晶化玻璃基板21之電極層π形成面側之貫 15通孔3之開口部封閉（第15圖）。此時之電解電鍍條件與實 施例1所示之開口部封閉電鍍條件相同。 開口部封閉電鍍後，以無電解電鍍法於貫通孔3内部形 成無電解電鍍銅層5a。無電解電鍍條件與實施例丨相同。貫 通孔3内部之無電解電鑛銅層5&之膜厚約為3口（第16 2〇圖）。接著’以研磨法將結晶化玻璃基板以之表面側，即未 形成電極層27之面側所附著之無電解電鍛銅層&除去（第 17圖）。 除去結晶化玻璃基板21之表面側所附著之無電解電鍵 銅層5a後’以填充電鍍於貫通孔3内部形成電解電鑛銅層 30 1247567 5b，填充貫通孔3(第18、19圖）。此時之填充 實施例1之填充電鍍條件相同。突出於基板表面側 鍍銅層5b (第19圖）以研磨法加以除去。 ”電 接著，使用以氯化鐵為主成分之藥品，餘刻除去从 裡面所形从電解料_5卜__祝及濺射絡_ 2 7 b之銅後，使用，氰化鉀為主成分之藥品_除去賤射 鉻銅層2滅_絡層27a之鉻。如此除去各金屬層後，研 磨形成有電極層27之結晶化玻璃基板21之面，使結晶化玻 璃基板21之表裡面露出無電解電賴層城電解電鍵銅層 5b (第 20 圖）。 10 【實施例4】 本實施例僅在實施例3之貫通孔填充步驟中的無電解 電鑛法之條件及無電解電鑛法所形成之金屬種類不同，其 它步驟與實施例3相同。 15 本實施例中，以無電解電鍍法形成膜厚約〇·3 # m之鎳 膜。無電解電鍍程序基本上與實施例丨所載之以前處理、軟 蝕刻、預浸、催化劑賦予、催化劑活性化及無電解電鍍之 順序所進行的程序相同，唯最後之無電解電鍍有部分不 同’在此鎳膜之無電解電鍍用電鍍液乃使用美錄德公司所 2〇 製之MELPLATE NI- 865 (商品名）。 而，以上實施例中，開口部封閉電鍍與之後的填充電 鍍乃使用相同之電鍍液，但各電鍍過程中，亦可使用更適 合之電鍍液，例如電鍍液中之電鍍金屬離子濃度相異之電 鍍液等。 31 1247567 由以上說明可知，由於本發明之兩面配線玻璃基板 中，將用以使其表裡面確實電性連接之貫通孔以金屬加以 填充，因此可使基板表裡面確實導通。再者，由於本發明 之兩面配線玻璃基板中，貫通孔之填充材料不使用習知之 5樹脂，因此基板全體可實現高耐熱性。又，由於對貫通孔 填充金屬時係使用電鍍法，因此可將貫通孔以金屬確實加 以填充。藉本發明之兩面配線玻璃基板，可實現電子零件 等之連接可靠性高之高密度安裝。 而，以上說明中，兩面配線玻璃基板之貫通孔所填充 · 10之金屬係以使用銅為例說明，但除銅以外，例如鎳、銀、 金、白金（Pt)、鈀（Pd)、鉻或鋁等，具有用以接合安裝 之電子零件等的溫度以上之耐熱性者皆可。又，亦可選擇 使用2種以上之前述金屬。前述金屬中，由溶點高、電阻低 與價格等方面來看，銅特別適合作為填充於貫通孔之金 B屬。又’根據填充於貫通孔之金屬種類，可適當改變電極 層及密著力強化層之材質、層構造或形成方法。 產業上利用之可能性 參 本發明之以金屬填充貫通孔的兩面配線玻璃基板之製 造方法亦可運用於多層配線基板，且亦可運用於以陶竞基 . 板或玻璃環氧基板為核基板之兩面配線玻璃基板或多層酉己 線基板。 前述記載僅為顯示本發明之原理者。再者，對孰習此 顿藝者而言，可進行多數變形或變更，本發明並未受限 於前述說明之正確構成及應用例，所有對應之變形例及均 32 1247567 等物皆應視為後記申請專利範圍及其均等物所及之本發明 範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖係第1實施形態之兩面配線玻璃基板之其中一例 5 之剖面圖。 第2圖係第1實施形態之曝光步驟之剖面圖。 第3圖係第1實施形態之曝光結晶化部除去步驟之剖面 圖。 第4圖係第1實施形態之離子防護層形成步驟之剖面 10 圖。 第5圖係第1實施形態之預備密著力強化層形成步驟之 剖面圖。 第6圖係第1實施形態之無電解電鍍步驟之剖面圖。 第7圖係第1實施形態之開口部封閉步驟之剖面圖。 15 第8圖係第1實施形態之電解電鍍步驟之第1剖面圖。 第9圖係第1實施形態之電解電鍍步驟之第2剖面圖。 第10圖係第1實施形態之電解電鍍步驟之第3剖面圖。 第11圖係第1實施形態之金屬層除去步驟之剖面圖。 第12圖係第1實施形態之密著力強化層形成步驟之剖 20 面圖。 第13圖係第1實施形態之配線形成步驟之剖面圖。 第14圖係第2實施形態之電極層形成步驟之剖面圖。 第15圖係第2實施形態之電解電鍍步驟之第1剖面圖。 第16圖係第2實施形態之無電解電鍍步驟之剖面圖。 33 1247567 第17圖係第2實施形態之金屬層除去步驟之第1剖面 圖。 第18圖係第2實施形態之電解電鍍步驟之第2剖面圖。 第19圖係第2實施形態之電解電鍍步驟之第3剖面圖。 5 第20圖係第2實施形態之金屬層除去步驟之第2剖面 圖。 【主要元件符號說明】 1···兩面配線玻璃基板 5b···電解電鍍銅層 2.. .感光性玻璃基板 3…貫通孔 3a...曝光結晶化部 4.. .離子防護層 4a...濺射氮化矽層 4b...濺射氧化矽層 5.6.. .銅膜層 5a...無電解電鍍銅層 7···密著力強化層 7a，17a,27a·.·濺射鉻層 7b，17b，27b...濺射鉻銅層 7c,17c，27c·.·濺射銅層 10.. .黏著帶 17·.·預備密著力強化層 21.. .結晶化玻璃基板 27.. .電極層 34

Claims (1)

1247567 5 10 15 20 十、申請專利範圍·· 1.一種兩面配線玻璃基板之製造方法，該玻璃基板係具有 形成於玻璃基板之表裡面的電性配線，及連通該玻璃基 板之表裡面並填充有金屬的貫通孔，且該玻璃基板之表 裡面所形成之各前述電性配線係透過填充於前述貫通孔 之金屬而電性導通，該製造方法包含有： 第1步驟，係於前述玻璃基板形成前述貫通孔者；及 第2步驟，係以一合併使用無電解電鍍法與電解電錢 法之電鍍法於前述貫通孔内填充金屬者。 2·如申請專利範圍第1項之兩面配線玻璃基板之製造方 法，其中填充於前述貫通孔之金屬係由銅、鎳、金、銀、 白金、鈀、鉻或鋁中之任丨種或2種以上構成。 3·如申請專利範圍第1項之兩面配線玻璃基板之製造方 法，其中前述玻璃基板係使用感光性玻璃基板，而前述 第1步驟更具有以下步驟： ， 透過光罩對前述玻璃基板進行曝光，以使形成前述 貫通孔之部分形成潛像； U 將前述已曝光之部分進行熱處理以使其結晶；及 將則述結晶之部分加以溶解除去而形成前述貫通 孑L 。

4·如申明專利範圍第i項之兩面配線玻璃基板之製造方 法/、中岫述第2步驟係一面以無電解電鍍法來使前述貫 I孔之中央部内殘存連通前述玻璃基板表裡面之空隙 部，一面於冑述貫通孔之側壁部堆積金屬後，利用電解 35 1247567 電鑛法以金屬將前述玻璃基板表裡面之前述貫通孔的前 述空隙部之其中一開口部加以封閉，接著，以電解電鍍 法由已封閉之開口部朝另一開口部堆積金屬而於前述空 隙部内堆積金屬，以於前述貫通孔内填充金屬。 5 5.如申請專利範圍第4項之兩面配線玻璃基板之製造方 法，其中以無電解電鍍法堆積之金屬與以電解電鍍法堆 積之金屬為不同種類之金屬。 6.如申請專利範圍第1項之兩面配線玻璃基板之製造方 法，其中前述第2步驟係於利用電解電鍍法以金屬將前述 10 玻璃基板表裡面之前述貫通孔的其中一開口部加以封閉 後，以無電解電鍍法一面於前述貫通孔之中央部殘存空 隙部，一面於前述貫通孔之側壁部堆積金屬，接著，以 電解電鍍法由已封閉之開口部朝另一開口部於前述空隙 部内堆積金屬，以於前述貫通孔内填充金屬。 15 7.如申請專利範圍第6項之兩面配線玻璃基板之製造方 法，其中以無電解電鍍法堆積之金屬與以電解電鍍法堆 積之金屬為不同種類之金屬。