JPS62124289A - 透明導電膜上への金属膜形成方法 - Google Patents
透明導電膜上への金属膜形成方法Info
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- JPS62124289A JPS62124289A JP26288885A JP26288885A JPS62124289A JP S62124289 A JPS62124289 A JP S62124289A JP 26288885 A JP26288885 A JP 26288885A JP 26288885 A JP26288885 A JP 26288885A JP S62124289 A JPS62124289 A JP S62124289A
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- Japan
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- plating
- transparent conductive
- conductive film
- film
- anode
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は液晶表示板等の絶縁基板上の透明導電膜パタ
ーンに回路基板やＩＣチップを接続するためあるいはツ
クターン電流容量を増大するための透明導電膜上への金
属膜形成方法に関するものである。
ーンに回路基板やＩＣチップを接続するためあるいはツ
クターン電流容量を増大するための透明導電膜上への金
属膜形成方法に関するものである。
従来、この種の方法として特開昭５７−１１９３２５号
公報および特開昭５８−１１４０８５号公報が公表され
ている。前者は液晶表示Ａ！ネルの端子部の透明導電膜
上に全面あるいは部分的に無電解メッキを施すものであ
る。又、後者は透明導電膜を陰極にして電気メッキを行
うものである。
公報および特開昭５８−１１４０８５号公報が公表され
ている。前者は液晶表示Ａ！ネルの端子部の透明導電膜
上に全面あるいは部分的に無電解メッキを施すものであ
る。又、後者は透明導電膜を陰極にして電気メッキを行
うものである。
しかるに、前者では、Ｎ１−Ｐ系の無電解メッキが密着
性、電導性およびはんだ付は性の点ですぐれておシ、特
に熱処理を行うと密着力が大幅に向上することが記載さ
れているが、発明者らの経験では熱処理によって極めて
はんだ濡れ性が悪くなることが確認された。又、無電解
メッキであるためメッキ厚を厚くするのに長時間を要し
、密着性についてもメッキ時間が長くなるとメッキ応力
の増大によりメッキ中にはくりが起こるという問題があ
った。又、後者では、透明導電膜上にメツキレシストを
形成した後ノダターン電気メッキを行う場合、透明導電
膜のシート抵抗が高いために通常のメッキ槽を用いた電
気メッキではメッキ接点からの距離によってメッキ条件
が異なシ、接点近傍部分では電流集中が起こってヤケが
発生したシし、接点から離れた部分ではメッキ金属の析
出が見られない場合がある。又、・ぞターニングされた
透明導電膜上への電気メッキでは導体抵抗がさらに増大
するため通常のメッキ槽による電気メッキでは局部的に
メッキ条件が大きく異な９、最悪の場合特にメッキ接点
近傍部分では過電圧印加によるメッキ時に発生する水素
ガスによシ金属酸化膜からなる透明導電膜が還元され、
溶解し消失することがある。発明者らは、種々の検討結
果から、透明導電膜上へのメッキ槽を用いる電気メッキ
はメッキ条件の適正化に１９金属の析出は可能であるが
、膜厚のバラツキ、析出金属の組成変動および密着性な
どの点において満足できるものではないと判断した。こ
のように従来の方法では、はんだ付は性、ワイヤポンデ
ィング性、密着性などの点で総合的に満足できるものは
得られなかった。
性、電導性およびはんだ付は性の点ですぐれておシ、特
に熱処理を行うと密着力が大幅に向上することが記載さ
れているが、発明者らの経験では熱処理によって極めて
はんだ濡れ性が悪くなることが確認された。又、無電解
メッキであるためメッキ厚を厚くするのに長時間を要し
、密着性についてもメッキ時間が長くなるとメッキ応力
の増大によりメッキ中にはくりが起こるという問題があ
った。又、後者では、透明導電膜上にメツキレシストを
形成した後ノダターン電気メッキを行う場合、透明導電
膜のシート抵抗が高いために通常のメッキ槽を用いた電
気メッキではメッキ接点からの距離によってメッキ条件
が異なシ、接点近傍部分では電流集中が起こってヤケが
発生したシし、接点から離れた部分ではメッキ金属の析
出が見られない場合がある。又、・ぞターニングされた
透明導電膜上への電気メッキでは導体抵抗がさらに増大
するため通常のメッキ槽による電気メッキでは局部的に
メッキ条件が大きく異な９、最悪の場合特にメッキ接点
近傍部分では過電圧印加によるメッキ時に発生する水素
ガスによシ金属酸化膜からなる透明導電膜が還元され、
溶解し消失することがある。発明者らは、種々の検討結
果から、透明導電膜上へのメッキ槽を用いる電気メッキ
はメッキ条件の適正化に１９金属の析出は可能であるが
、膜厚のバラツキ、析出金属の組成変動および密着性な
どの点において満足できるものではないと判断した。こ
のように従来の方法では、はんだ付は性、ワイヤポンデ
ィング性、密着性などの点で総合的に満足できるものは
得られなかった。
この発明は上記のような従来方法における問題点を解決
するためになされたものであシ、大型液晶セル等に使用
される基板上にパターニングされた透明導電膜のセル外
部において駆動回路基板やＩＣチップのはんだ接合やワ
イヤざンディングを可能にすることができ、また複数の
ＩＣを駆動させるために電流容量が必要となる電源ある
いは接地ラインの低抵抗化を行うことができる透明導電
膜上への金属膜形成方法を得ることを目的とする。
するためになされたものであシ、大型液晶セル等に使用
される基板上にパターニングされた透明導電膜のセル外
部において駆動回路基板やＩＣチップのはんだ接合やワ
イヤざンディングを可能にすることができ、また複数の
ＩＣを駆動させるために電流容量が必要となる電源ある
いは接地ラインの低抵抗化を行うことができる透明導電
膜上への金属膜形成方法を得ることを目的とする。
この発明に係る透明導電膜上への金属膜形成方法はソー
ダガラス、ホウケイ酸ガラス等のガラス基板上にパター
ニングされたＩｎ２Ｏ３、Ｓｎｏｗ ５ｆｉｎｔ ｏｌ
−Ｓｎｏｗ等の透明導′７！Ｌ膜に無電解メッキを施
した後、電気メツキ用接点をとシ、電気メッキをするこ
とによシ、密着性が良好で所望の部分に所望の膜厚で金
属膜を形成するものである。
ダガラス、ホウケイ酸ガラス等のガラス基板上にパター
ニングされたＩｎ２Ｏ３、Ｓｎｏｗ ５ｆｉｎｔ ｏｌ
−Ｓｎｏｗ等の透明導′７！Ｌ膜に無電解メッキを施
した後、電気メツキ用接点をとシ、電気メッキをするこ
とによシ、密着性が良好で所望の部分に所望の膜厚で金
属膜を形成するものである。
この発明においては、メッキ槽を用いず、陽極電極の周
辺にメッキ電解液を含浸させた吸収綿を陰極となる被メ
ッキ物である透明導電膜上の無電解メッキ膜に接触させ
、移動させながら一定電流を流す。このため、透明導電
膜のシート抵抗にかかわらず、いかなるメッキ部分にお
いても一定の電流密度で均質なメッキ金属の析出を可能
とする。
辺にメッキ電解液を含浸させた吸収綿を陰極となる被メ
ッキ物である透明導電膜上の無電解メッキ膜に接触させ
、移動させながら一定電流を流す。このため、透明導電
膜のシート抵抗にかかわらず、いかなるメッキ部分にお
いても一定の電流密度で均質なメッキ金属の析出を可能
とする。
以下、この発明の実施例を図面とともに説明する。第２
図は駆動回路基板との接続を必要とする液晶表示板を示
し、１はガラス基板、２ａはガラス基板１上にス・９ツ
タリング等により形成され九透明導電膜で、透明導電膜
２ａは駆動回路基板とのはんだ接続などを行うための７
９ターニングが施されている。又、電気メッキを容易に
するために、短絡線となる透明導電膜２ｂを有している
。３は対向ガラス基板であり、ガラス基板１．３は外周
部をシール剤４によシ接着され、セルを構成する。
図は駆動回路基板との接続を必要とする液晶表示板を示
し、１はガラス基板、２ａはガラス基板１上にス・９ツ
タリング等により形成され九透明導電膜で、透明導電膜
２ａは駆動回路基板とのはんだ接続などを行うための７
９ターニングが施されている。又、電気メッキを容易に
するために、短絡線となる透明導電膜２ｂを有している
。３は対向ガラス基板であり、ガラス基板１．３は外周
部をシール剤４によシ接着され、セルを構成する。
セルの内部には液晶が封入されている。
第３図はセルの外周に駆動用のＩＣを搭載した液晶表示
板を示し、２ｃ〜２ｅは複数のＩＣチッグ１５の電源、
接地ライン等となる制御用ラインの透明導電膜で、比較
的大きな電流容量を必要とする。２ｆは液晶に電圧を印
加するための透明導電膜、２ｇは電気メツキ用の短絡線
となる透明導電膜である。
板を示し、２ｃ〜２ｅは複数のＩＣチッグ１５の電源、
接地ライン等となる制御用ラインの透明導電膜で、比較
的大きな電流容量を必要とする。２ｆは液晶に電圧を印
加するための透明導電膜、２ｇは電気メツキ用の短絡線
となる透明導電膜である。
第２図および第３図に示すパターニングされた透明導電
膜を有する液晶セルに無電解Ｎｉメッキを施す。メツ午
方法は透明導電膜を１０％水酸化ナトリウム溶液でアル
カリ洗浄した後、希塩酸で酸洗いをする。次に、塩化ス
ズと塩化パラジウムを主成分とするコロイド溶液に常温
で２分浸漬した後、増感剤（日立化成Ｈ８２０１Ｂ）に
常温で１０分浸漬し水洗する。次に、密着促進剤（日立
化成ＡＤＰ２０１）に常温で５分浸漬し、水洗後熱電解
Ｎ１−Ｐメッキを３０００〜５０００λ施した後、密着
性を向上させるためｉｏｏ℃〜３００℃で３０分〜６０
分の熱処理を行う。
膜を有する液晶セルに無電解Ｎｉメッキを施す。メツ午
方法は透明導電膜を１０％水酸化ナトリウム溶液でアル
カリ洗浄した後、希塩酸で酸洗いをする。次に、塩化ス
ズと塩化パラジウムを主成分とするコロイド溶液に常温
で２分浸漬した後、増感剤（日立化成Ｈ８２０１Ｂ）に
常温で１０分浸漬し水洗する。次に、密着促進剤（日立
化成ＡＤＰ２０１）に常温で５分浸漬し、水洗後熱電解
Ｎ１−Ｐメッキを３０００〜５０００λ施した後、密着
性を向上させるためｉｏｏ℃〜３００℃で３０分〜６０
分の熱処理を行う。
次に、電気メッキを行うが、その方法を第１図を用いて
説明する。図において、２は透明導電膜、５は上記の方
法で得られた無電解Ｎ１−Ｐメッキ膜、６は陽極金属、
７は陽極金属６の周辺に取シ付けられ、メッキ電解液を
含浸された吸収綿、８は陽極部を往復運動させるための
ロッドで、陽極金属６は絶縁ワッシャ９を介してロッド
８に止めねじ１０により固定される。１１はメッキ電解
液で、陽極１！Ｌ極６は（→側、透明導電膜２上の無電
解Ｎ１−Ｐメッキ膜５は←）側に夫々クリップ締め付け
、導１ペースト等の方法によシメッキ接点１２を介して
接続される。陽極部の吸収［７を無電解Ｎ１−Ｐメッキ
膜５に接触移動させながら一定電流を流すことにより、
電気メツキ膜１３が形成される。
説明する。図において、２は透明導電膜、５は上記の方
法で得られた無電解Ｎ１−Ｐメッキ膜、６は陽極金属、
７は陽極金属６の周辺に取シ付けられ、メッキ電解液を
含浸された吸収綿、８は陽極部を往復運動させるための
ロッドで、陽極金属６は絶縁ワッシャ９を介してロッド
８に止めねじ１０により固定される。１１はメッキ電解
液で、陽極１！Ｌ極６は（→側、透明導電膜２上の無電
解Ｎ１−Ｐメッキ膜５は←）側に夫々クリップ締め付け
、導１ペースト等の方法によシメッキ接点１２を介して
接続される。陽極部の吸収［７を無電解Ｎ１−Ｐメッキ
膜５に接触移動させながら一定電流を流すことにより、
電気メツキ膜１３が形成される。
第２図に示す例では、上記した電気メッキの方法で無電
解Ｎ１−Ｐメッキ膜５上にＣｕ 、 Ａｕ 、 Ｎｉ
−Ａｕを夫々０．５〜３μｍ形成した後、短絡線となる
透明導電膜２ｂをガラス基板１を切断線１４で切断する
ことにより除去し、フレキシブル駆動回路基板の予備は
んだを施した端子をはんだ付けしたところ、いずれの場
合も極めて良好な接続が可能であった。この実施例では
、ｃｕ 、 Ｎｉ 、 Ａｕについて行ったが、はんだ
メッキを施せばはんだ接続がよシ容易になる。
解Ｎ１−Ｐメッキ膜５上にＣｕ 、 Ａｕ 、 Ｎｉ
−Ａｕを夫々０．５〜３μｍ形成した後、短絡線となる
透明導電膜２ｂをガラス基板１を切断線１４で切断する
ことにより除去し、フレキシブル駆動回路基板の予備は
んだを施した端子をはんだ付けしたところ、いずれの場
合も極めて良好な接続が可能であった。この実施例では
、ｃｕ 、 Ｎｉ 、 Ａｕについて行ったが、はんだ
メッキを施せばはんだ接続がよシ容易になる。
又、第３図に示す例では、無電解Ｎ１−Ｐメッキ膜５を
形成した後、短絡線となる透明導電膜２ｇをメッキ接点
として透明導電膜２ｃ〜２ｅのパターンにＣｕを１〜５
μ、さらにＮｉを２〜５μｍと順次電気メッキを施し、
しかる後無電解Ａｕメツ中を０．１μｍの厚みで行った
。次Ｋ、透明導電膜２ｇ部分を切断線１４でカッタ等で
切断し、各透明導電膜２ｃ〜２ｅ′ｆｔ分断する。次に
、ＩＣチア７”１５を絶縁性接着剤でガラス基板ｌ上に
固定し、ノンターン上にＡｕワイヤダンディングを施し
たところ、良好なざンデイング性が得られた。
形成した後、短絡線となる透明導電膜２ｇをメッキ接点
として透明導電膜２ｃ〜２ｅのパターンにＣｕを１〜５
μ、さらにＮｉを２〜５μｍと順次電気メッキを施し、
しかる後無電解Ａｕメツ中を０．１μｍの厚みで行った
。次Ｋ、透明導電膜２ｇ部分を切断線１４でカッタ等で
切断し、各透明導電膜２ｃ〜２ｅ′ｆｔ分断する。次に
、ＩＣチア７”１５を絶縁性接着剤でガラス基板ｌ上に
固定し、ノンターン上にＡｕワイヤダンディングを施し
たところ、良好なざンデイング性が得られた。
以上のよう（この発明によれば、透明導電膜上に無電解
メッキを施し、しかる後メッキ槽を用いずに電気メッキ
を行ってお９、導体抵抗の高いノターンに対しても同一
条件でメッキを行うことができるために得られるメッキ
膜の特性、密着性などは均質であシ、また陽極部の接触
個所や移動速度、往復回数を変化させることにより、所
望の部分に所望の膜厚でメッキを行うことができる。又
、陽極部の陽極金属ならびにメツ牟電解液を取シ替える
ことによシ、部分的に得られるメッキ金属を変化させる
ことも可能である。
メッキを施し、しかる後メッキ槽を用いずに電気メッキ
を行ってお９、導体抵抗の高いノターンに対しても同一
条件でメッキを行うことができるために得られるメッキ
膜の特性、密着性などは均質であシ、また陽極部の接触
個所や移動速度、往復回数を変化させることにより、所
望の部分に所望の膜厚でメッキを行うことができる。又
、陽極部の陽極金属ならびにメツ牟電解液を取シ替える
ことによシ、部分的に得られるメッキ金属を変化させる
ことも可能である。
第１図はこの発明に係る電気メツキ方法の説明図、第２
図および第３図は各々この発明に係る液晶表示板の斜視
図である。 ｌ・・・ガラス基板、２．２ａ〜２ｇ・・・透明導電膜
。 ５・−・無電解Ｎ１−Ｐメッキ膜、６・・・陽極電極、
７・・・吸収綿、８・・・ロッド、１３・・・電気メツ
キ膜。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
図および第３図は各々この発明に係る液晶表示板の斜視
図である。 ｌ・・・ガラス基板、２．２ａ〜２ｇ・・・透明導電膜
。 ５・−・無電解Ｎ１−Ｐメッキ膜、６・・・陽極電極、
７・・・吸収綿、８・・・ロッド、１３・・・電気メツ
キ膜。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）基板面上にパターニングした透明導電膜上に無電
解メッキを施した後、陽極金属の周辺に取付けられメッ
キ電解液を含浸された吸収綿を上記無電解メッキしたパ
ターン上に接触移動させることにより電気メッキを行う
ことを特徴とする透明導電膜上への金属膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26288885A JPS62124289A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 透明導電膜上への金属膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26288885A JPS62124289A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 透明導電膜上への金属膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62124289A true JPS62124289A (ja) | 1987-06-05 |
Family
ID=17382011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26288885A Pending JPS62124289A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 透明導電膜上への金属膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62124289A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01240697A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-26 | Nkk Corp | チタン又はチタン合金材の陽極酸化法 |
| WO1999052336A1 (en) * | 1998-04-06 | 1999-10-14 | John Michael Lowe | Method of providing conductive tracks on a printed circuit and apparatus for use in carrying out the method |
-
1985
- 1985-11-21 JP JP26288885A patent/JPS62124289A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01240697A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-26 | Nkk Corp | チタン又はチタン合金材の陽極酸化法 |
| WO1999052336A1 (en) * | 1998-04-06 | 1999-10-14 | John Michael Lowe | Method of providing conductive tracks on a printed circuit and apparatus for use in carrying out the method |
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