CN102779642A - 电子部件 - Google Patents
电子部件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102779642A CN102779642A CN2012101384921A CN201210138492A CN102779642A CN 102779642 A CN102779642 A CN 102779642A CN 2012101384921 A CN2012101384921 A CN 2012101384921A CN 201210138492 A CN201210138492 A CN 201210138492A CN 102779642 A CN102779642 A CN 102779642A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plating
- epithelium
- ceramic capacitor
- laminated ceramic
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 167
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910020938 Sn-Ni Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 229910008937 Sn—Ni Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 210000000981 epithelium Anatomy 0.000 claims description 129
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 21
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 abstract description 51
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 40
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical class [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- -1 alkyl betaine Chemical compound 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004087 circulation Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N Betaine Natural products C[N+](C)(C)CC([O-])=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 1
- 229960003237 betaine Drugs 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021653 sulphate ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
- C23C28/021—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material including at least one metal alloy layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
- C25D5/50—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment
- C25D5/505—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment of electroplated tin coatings, e.g. by melting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
- B05D3/061—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation using U.V.
- B05D3/065—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/16—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of other metals or alloys based thereon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
- C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C13/00—Alloys based on tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C2200/00—Crystalline structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/60—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/252—Terminals the terminals being coated on the capacitive element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9265—Special properties
- Y10S428/929—Electrical contact feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9335—Product by special process
- Y10S428/934—Electrical process
- Y10S428/935—Electroplating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12708—Sn-base component
- Y10T428/12715—Next to Group IB metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12708—Sn-base component
- Y10T428/12722—Next to Group VIII metal-base component
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
本发明提供飞跃地提高了抑制晶须的能力的电子部件。作为电子部件的层叠陶瓷电容器(10)包括例如长方体状的电子部件元件(12)。在电子部件元件(12)的一端面及另一端面形成端子电极(18a、18b)的外部电极(20a、20b)。在外部电极(20a、20b)的表面形成由镀Ni形成的第1镀覆皮膜(22a、22b)。在第1镀覆皮膜(22a、22b)的表面形成含Sn的第2镀覆皮膜(24a、24b)作为成为最外层的镀Sn皮膜。第2镀覆皮膜(24a、24b)具有多晶结构,在Sn晶界及Sn晶粒内分别形成薄片状的Sn-Ni合金粒子。
Description
技术领域
本发明涉及电子部件,尤其涉及具有含Sn的镀Sn皮膜的例如层叠陶瓷电容器等电子部件。
背景技术
作为成为本发明的背景的技术,例如在国际公开第2006/134665号中公开了形成有以Sn作为主要成分的皮膜的构件、皮膜形成方法及焊料处理方法(参照专利文献1)。
从近年的环境保护的观点出发,若在连接器用端子、半导体集成电路用的引线框等上通过不含Pb的以Sn作为主要成分的金属镀覆来代替以往实施的Sn-Pb镀焊而形成皮膜,则在皮膜上容易产生被称为晶须的Sn的须状晶体。若晶须产生并生长,则有时在邻接的电极间引起电短路故障。此外,若晶须从皮膜脱离并飞散,则飞散的晶须成为在装置内外引起短路的原因。
就专利文献1中公开的技术而言,其目的在于提供能够抑制这样的晶须的产生的具有皮膜的构件,特别是在以Sn作为主要成分的皮膜中,在Sn的晶界中形成Sn与Ni等第1金属的金属间化合物层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2006/134665号
发明内容
发明所要解决的问题
然而,就专利文献1中公开的皮膜而言,当进行被视为业界的标准的JEDEC规格所规定的以下所示的热冲击试验时,无法达到Class 2的判定基准。
热冲击试验
·试样数目(n个):3批×6个/批=1 8个
·试验条件:作为最低温度的-55℃(+0/-10),作为最高温度的85℃(+10/-0),在各温度下保持10分钟,以气相式提供1500循环的热冲击。
·观察方法:使用扫描型电子显微镜(SEM)以1000倍的电子显微镜照片图像进行。
·判定基准:适用Class 2(通信用基础设备、汽车用设备),晶须最大长度(直线长度)为45μm以下。
因此,在具有含Sn的镀Sn皮膜的例如层叠陶瓷电容器等电子部件中,期望飞跃地提高抑制晶须的能力。
因此,本发明的主要目的在于提供飞跃地提高了抑制晶须的能力的电子部件。
用于解决问题的手段
本发明为一种电子部件,其是具有镀Sn皮膜的电子部件,其特征在于,镀Sn皮膜具有Sn多晶结构,在Sn晶界及Sn晶粒内分别形成有Sn-Ni合金粒子。
在本发明所述的电子部件中,Sn-Ni合金粒子优选形成薄片状的形状。
此外,在本发明所述的电子部件中,优选按照与镀Sn皮膜的内侧接触的方式形成有镀Ni皮膜。这种情况下,优选在镀Sn皮膜中的与镀Ni皮膜接触的Sn晶粒内,平均存在3个以上的Sn-Ni合金粒子。
本发明所述的电子部件中,由于在电子部件的镀Sn皮膜中,在Sn晶界及Sn晶粒内形成有Sn-Ni合金粒子,所以抑制晶须的能力飞跃地提高。这是由于,认为通过制成这样的构成,从而镀Sn皮膜中的压缩应力得到缓和,产生晶须的起点被分散,用于产生晶须的能量变小。
像本发明所述的电子部件那样,为了在镀Sn皮膜中的Sn晶界及Sn晶粒内形成Sn-Ni合金粒子,例如,可以通过作为镀Sn皮膜对含Ni的其他的皮膜的表面实施镀Sn且在比较低的温度下进行长时间热处理,或者,可以通过作为镀Sn皮膜实施Sn含量比Ni的含量多的Sn-Ni合金镀覆即富Sn的Sn-Ni合金镀覆且在比较低的温度下进行热处理。若这样实施Sn-Ni合金镀覆来代替实施镀Sn,则由于在镀覆中预先存在Ni,所以能够缩短热处理时间。另外,若镀Sn皮膜的热处理温度过于高温,则生成稳定的Ni3Sn4相,Ni的扩散停止,并且在镀Sn皮膜中仅产生Sn-Ni合金的球状晶体,所以无法期待应力缓和效果,得不到抑制晶须的效果。
在本发明所述的电子部件中,为了进一步提高抑制的晶须效果,优选Sn-Ni合金粒子形成薄片状的形状,进而,特别优选按照与镀Sn皮膜的内侧接触的方式形成有镀Ni皮膜,在镀Sn皮膜中的与镀Ni皮膜接触的Sn晶粒内,平均存在3个以上的Sn-Ni合金粒子。
发明的效果
根据本发明,能够得到飞跃地提高了抑制晶须的能力的电子部件。
本发明的上述目的、其它目的、特征及优点根据参照附图进行的以下的具体实施方式的说明变得更加清楚。
附图说明
图1是表示本发明所述的层叠陶瓷电容器的一个例子的剖面图解图。
图2是表示本发明所述的层叠陶瓷电容器的其它例子的剖面图解图。
图3是将实施例1的层叠陶瓷电容器中作为最外层的第2镀覆皮膜中的Sn溶解剥离后的第1镀覆皮膜的表面的电子显微镜照片图像。
图4是将实施例2的层叠陶瓷电容器中作为最外层的第3镀覆皮膜中的Sn溶解剥离后的第2镀覆皮膜的表面的电子显微镜照片图像。
图5是将比较例1的层叠陶瓷电容器中作为最外层的第2镀覆皮膜中的Sn溶解剥离后的第1镀覆皮膜的表面的电子显微镜照片图像。
图6是将比较例2的层叠陶瓷电容器中作为最外层的第2镀覆皮膜中的Sn溶解剥离后的第1镀覆皮膜的表面的电子显微镜照片图像。
图7是实施例1的层叠陶瓷电容器中沿第1镀覆皮膜及第2镀覆皮膜的厚度方向切断而成的截面的电子显微镜照片图像。
图8是实施例2的层叠陶瓷电容器中沿第1镀覆皮膜、第2镀覆皮膜及第3镀覆皮膜的厚度方向切断而成的截面的电子显微镜照片图像。
图9是比较例1的层叠陶瓷电容器中沿第1镀覆皮膜及第2镀覆皮膜的厚度方向切断而成的截面的电子显微镜照片图像。
图10是比较例2的层叠陶瓷电容器中沿第1镀覆皮膜及第2镀覆皮膜的厚度方向切断而成的截面的电子显微镜照片图像。
具体实施方式
图1是表示本发明所述的层叠陶瓷电容器的一个例子的剖面图解图。
图1所示的层叠陶瓷电容器10包含长方体状的陶瓷元件12。陶瓷元件12包含例如由钛酸钡系的电介体陶瓷构成的多个陶瓷层14作为电介体。这些陶瓷层14被层叠,并在陶瓷层14间交替形成例如由Ni形成的内部电极16a及16b。
这种情况下,内部电极16a的一端部延伸到陶瓷元件12的一端部而形成。此外,内部电极16b的一端部延伸到陶瓷元件12的另一端部而形成。
进而,内部电极16a及16b按照中间部及另一端部隔着陶瓷层14重叠的方式形成。因此,该陶瓷元件12具有在内部隔着陶瓷层14设置有多个内部电极16a及16b的层叠结构。
在陶瓷元件12的一端面,按照端子电极1 8a与内部电极16a连接的方式形成。同样地,在陶瓷元件12的另一端面,按照端子电极1 8b与内部电极16b连接的方式形成。
端子电极18a包括例如由Cu形成的外部电极20a。外部电极20a按照与内部电极16a连接的方式形成于陶瓷元件12的一端面。同样地,端子电极1 8b例如包括由Cu形成的外部电极20b。外部电极20b按照与内部电极16b连接的方式形成于陶瓷元件12的另一端面。
此外,在外部电极20a及20b的表面,作为镀Ni皮膜,为了防止焊料浸出而分别形成含Ni的第1镀覆皮膜22a及22b。
进而,在第1镀覆皮膜22a及22b的表面,作为成为最外层的镀Sn皮膜,为了改良软钎焊性而分别形成含Sn的第2镀覆皮膜24a及24b。这些第2镀覆皮膜24a及24b分别具有Sn多晶结构,在Sn晶界及Sn晶粒内分别形成Sn-Ni合金粒子。这种情况下,Sn-Ni合金粒子形成薄片状的形状。
此外,第2镀覆皮膜24a及24b分别在与含Ni的第1镀覆皮膜22a或22b接触的Sn晶粒中,在平均1个Sn晶粒内存在3个以上的薄片状的Sn-Ni合金粒子。此时,更显著地发挥本发明的效果。
接着,对用于制造图1所示的层叠陶瓷电容器10的层叠陶瓷电容器的制造方法的一个例子进行说明。
首先,准备陶瓷生片、内部电极用导电性糊剂及外部电极用导电性糊剂。在陶瓷生片或各种导电性糊剂中包含粘合剂及溶剂,但可以使用公知的有机粘合剂或有机溶剂。
接着,在陶瓷生片上,例如通过丝网印刷等以规定的图案印刷内部电极用导电性糊剂,形成内部电极图案。
然后,层叠规定片数的未印刷内部电极图案的外层用陶瓷生片,在其上依次层叠印刷有内部电极图案的陶瓷生片,在其上层叠规定片数的外层用陶瓷生片,从而制作母层叠体。
此后,通过静压压制等手段沿层叠方向对母层叠体进行压制。
然后,将经压制的母层叠体切割成规定的尺寸,切出未加工的陶瓷层叠体(raw ceramic laminate)。另外,此时,通过滚磨等使未加工的陶瓷层叠体的角部或棱部变得圆润。
此后,对未加工陶瓷层叠体进行烧成。这种情况下,烧成温度也依赖于陶瓷层14或内部电极16a、1 6b的材料,但优选为900℃~1300℃。烧成后的陶瓷层叠体变成由层叠陶瓷电容器10的陶瓷层1 4及内部电极16a、16b构成的陶瓷元件12。
然后,通过在烧成后的陶瓷层叠体的两端面涂布外部电极用导电性糊剂,并进行烧结,从而形成端子电极18a及18b的外部电极20a及20b。
此后,通过对第1外部电极20a的表面及第2外部电极20b的表面分别实施例如镀Ni,从而形成第1镀覆皮膜22a及22b。
然后,通过对第1镀覆皮膜22a及22b的表面分别实施含Sn的金属镀覆且进行热处理,从而形成第2镀覆皮膜24a及24b。这种情况下,通过对第1镀覆皮膜22a及22b的表面实施例如镀Sn且在比较低的温度下进行长时间热处理,从而形成第2镀覆皮膜24a及24b。
如上所述,制造图1所示的层叠陶瓷电容器10。
在图1所示的层叠陶瓷电容器10中,由于作为最外层的第2镀覆皮膜24a及24b分别具有Sn多晶结构,同时不仅Sn晶界,而且在Sn晶粒内也形成Sn-Ni合金粒子,所以晶须的抑制能力飞跃地提高。因此,在该层叠陶瓷电容器10中,能够进一步防止晶须作为原因的短路故障。
此外,在图1所示的层叠陶瓷电容器10中,由于作为最外层的第2镀覆皮膜24a及24b分别含Sn,所以软钎焊性良好。
进而,在图1所示的层叠陶瓷电容器1 0中,由于第1镀覆皮膜22a及22b分别含Ni,所以能够防止焊料浸出。
进而,在图1所示的层叠陶瓷电容器10中,由于第1镀覆皮膜22a、22b及第2镀覆皮膜24a、24b等中不使用Pb,所以从环境保护的观点来看也优异。
图2是表示本发明所述的层叠陶瓷电容器的其它例子的剖面图解图。图2所示的层叠陶瓷电容器10与图1所示的层叠陶瓷电容器10相比,在含Ni的第1镀覆膜22a及22b的表面分别形成含Sn及Ni的第2镀覆膜24a及24b,作为成为中间层的镀Sn皮膜或镀Ni皮膜。进而,在第2镀覆皮膜24a及24b的表面,为了改良软钎焊性而分别形成含Sn的第3镀覆皮膜26a及26b作为成为最外层的镀Sn皮膜。
图2所示的层叠陶瓷电容器10中,第2镀覆皮膜24a、24b及第3镀覆皮膜26a、26b分别具有Sn多晶结构,在Sn晶界及Sn晶粒内分别形成Sn-Ni合金粒子。这种情况下,Sn-Ni合金粒子形成薄片状的形状。
此外,第2镀覆皮膜24a及24b分别在Sn晶粒中,在平均1个Sn晶粒内存在3个以上的薄片状的Sn-Ni合金粒子。此外,第3镀覆皮膜26a及26b分别在与含Ni的第2镀覆皮膜24a或24b接触的Sn晶粒中,在平均1个Sn晶粒内存在3个以上的薄片状的Sn-Ni合金粒子。
为了制造图2所示的层叠陶瓷电容器10,首先,例如通过与制造图1所示的层叠陶瓷电容器10的上述方法相同的方法,从而形成陶瓷元件12、外部电极20a、20b及第1镀覆皮膜22a、22b。
然后,通过对第1镀覆皮膜22a及22b的表面分别实施含Sn及Ni的合金镀覆且进行热处理,从而形成第2镀覆皮膜24a及24b,通过对第2镀覆皮膜24a及24b的表面分别实施含Sn的金属镀覆且进行热处理,从而形成第3镀覆皮膜26a及26b。这种情况下,通过对第1镀覆皮膜22a及22b的表面例如实施Sn-Ni合金镀覆,对Sn-Ni合金镀覆的表面实施镀Sn,并且在比较低的温度下进行热处理,从而形成第2镀覆皮膜24a、24b及第3镀覆皮膜26a、26b。
如上所述,制造图2所示的层叠陶瓷电容器10。
在图2所示的层叠陶瓷电容器10中,与图1所示的层叠陶瓷电容器10同样地,发挥晶须的抑制能力飞跃提高,软钎焊性良好,能够防止焊料浸出(solder leach),从环境保护的观点来看也优异的效果。
进而,在图2所示的层叠陶瓷电容器10中,由于与图1所示的层叠陶瓷电容器10相比,在第1镀覆皮膜22a、22b以外的成为第2镀覆皮膜24a、24b的镀覆中预先存在Ni,所以还发挥能够缩短热处理时间的效果。
(实验例)
在实验例中,制造以下所示的实施例1、实施例2、比较例1及比较例2的层叠陶瓷电容器,对于这些层叠陶瓷电容器评价镀覆皮膜中的晶须。
(实施例1)
在实施例1中,通过制造图1所示的层叠陶瓷电容器10的上述方法,制造图1所示的层叠陶瓷电容器10。这种情况下,将层叠陶瓷电容器10的外形尺寸设定为长度2.0mm、宽度1.25mm、高度1.25mm。此外,作为陶瓷层14(电介体陶瓷),使用钛酸钡系电介体陶瓷。进而,作为内部电极16a、16b的材料,使用Ni。进而,作为外部电极20a、20b的材料,使用Cu。
此外,在实施例1中,在下面的条件下形成第1镀覆皮膜22a、22b及第2镀覆皮膜24a、24b。
(1)关于镀覆浴
·用于形成第1镀覆皮膜的镀覆浴:使用通常称为瓦特浴的镀Ni浴。
·用于形成第2镀覆皮膜的镀覆浴:作为金属盐使用硫酸锡,作为络合剂使用柠檬酸,作为光泽剂使用添加有季铵盐或含有烷基甜菜碱的表面活性剂的任一者或两者的弱酸性的镀Sn浴(柠檬酸系弱酸性浴)。
(2)关于电流密度及通电时间
·第1镀覆皮膜:按照以电流密度Dk=2.0[A/dm2]皮膜能够以厚度5μm~10μm形成的方式控制通电时间。
·第2镀覆皮膜:按照以电流密度Dk=1.0[A/dm2]皮膜能够以厚度5μm~10μm形成的方式控制通电时间。
(3)关于镀覆工艺
·用于形成第1镀覆皮膜及第2镀覆皮膜的镀覆工艺:使用容积300ml的水平转筒进行。
进而,在实施例1中,在第2镀覆皮膜24a、24b中,不仅Sn晶界而且在Sn晶粒内也形成Sn-Ni合金粒子的方法如下所述。
对外部电极20a、20b的表面实施镀Ni作为第1镀覆皮膜22a、22b,对镀Ni的表面实施镀Sn作为第2镀覆皮膜24a、24b,并且在40℃下进行200天的热处理。
(实施例2)
在实施例2中,通过制造图2所示的层叠陶瓷电容器10的上述方法,制造图2所示的层叠陶瓷电容器10。这种情况下,在实施例2中,首先,通过与实施例1相同的方法,形成陶瓷元件12、外部电极20a、20b及第1镀覆皮膜22a、22b。
然后,在实施例2中,对第1镀覆皮膜22a、22b的表面实施Sn-Ni合金镀覆作为第2镀覆皮膜24a、24b,对Sn-Ni合金镀覆的表面实施镀Sn作为第3镀覆皮膜26a、26b,并且在40℃下进行96小时热处理,形成第2镀覆皮膜24a、24b及第3的镀覆皮膜26a、26b。
这里,用于实施Sn-Ni合金镀覆的Sn-Ni合金镀覆浴的组成如下所述。
·NiCl2·2H2O:0.015mol/L
·SnCl2·2H2O:0.135mol/L
·K4P2O7:0.45mol/L
·甘氨酸:0.15mol/L
该Sn-Ni合金镀覆浴按照所形成的Sn-Ni合金镀覆中的Sn/Ni浓度达到85atm%/15atm%的方式调整。
对于第1镀覆皮膜22a、22b的表面,在该Sn-Ni合金镀覆浴(Sn浓度90atm%、Ni浓度10atm%)中,以电流密度Dk=0.5[A/dm2]实施厚度4μm~8μm的Sn-Ni合金镀覆。
此外,对Sn-Ni合金镀覆的表面在上述镀Sn浴中实施厚度2μm~5μm的镀Sn。
(比较例1)
在比较例1中,通过与实施例1同样的方法,制造与图1所示的层叠陶瓷电容器10同样的层叠陶瓷电容器。这种情况下,作为热处理,在70℃下进行8分钟热处理。
(比较例2)
在比较例2中,通过与实施例1同样的方法,制造与图1所示的层叠陶瓷电容器10同样的层叠陶瓷电容器。这种情况下,作为热处理,在150℃下进行3小时热处理。
接着,对实施例1、实施例2、比较例1及比较例2的各层叠陶瓷电容器,依据以下所示的JEDEC标准来评价镀覆皮膜中的晶须。
·试样数目(n个):3批×6个/批=1 8个
·试验条件:作为最低温度的-55℃(+0/-10),作为最高温度的85℃(+10/-0),在各温度下保持10分钟,以气相式,给予1500循环的热冲击。
·观察方法:使用扫描型电子显微镜(SEM)以1000倍的电子显微镜照片图像进行。
·判定基准:应用Class 2(通信用基础设备、汽车用设备),将晶须最大长度(直线长度)为45μm以下的情况判断为良好,将为46μm以上的情况判断为不佳。
图3~图6中,示出将实施例1、实施例2、比较例1及比较例2的各层叠陶瓷电容器中作为最外层的镀覆皮膜中的Sn溶解而剥离后的镀覆皮膜的表面的电子显微镜照片图像,图7~图10中,示出实施例1、实施例2、比较例1及比较例2的各层叠陶瓷电容器中沿镀覆皮膜的厚度方向切断的截面的电子显微镜照片图像。
其结果是,实施例1中,晶须最大长度为30μm,良好,实施例2中,晶须最大长度为20μm,为更良好。
另一方面,比较例1中,晶须最大长度为70μm,不佳,比较例2中,晶须最大长度为100μm,进一步不佳。
这是由于,实施例1及实施例2中,在含Sn的镀Sn皮膜中,不仅Sn晶界而且在Sn晶粒内也形成多数薄片状的Sn-Ni合金粒子,由此大幅抑制了晶须的生长。
此外,在像实施例1那样对镀Ni的表面实施镀Sn且在40℃这样比较低的温度下进行200天这样的长时间热处理的情况及像实施例2那样实施Sn-Ni合金镀覆且对Sn-Ni合金镀覆的表面实施镀Sn且在40℃这样比较低的温度下进行96小时这样的短时间热处理的情况的任意情况下,能够确认到良好地抑制晶须的效果。
另一方面,在比较例1中,由于虽然是比实施例1及实施例2中的40℃高的70℃但仅进行8分钟这样非常短时间的热处理,所以在作为最外层的含Sn的镀Sn皮膜中,仅在Sn晶界中形成薄片状的Sn-Ni合金粒子,晶须抑制效果也低。
此外,在比较例2中,由于在150℃这样非常高的温度下进行热处理,所以在作为最外层的含Sn的镀Sn皮膜中,仅在Sn晶界中并且仅形成Sn-Ni合金的球状晶体,抑制晶须的效果也进一步低。
另外,在实施例1中,作为第2镀覆皮膜24a、24b的各自的厚度,选定晶须最容易延长的5μm,但也确认第2镀覆皮膜24a、24b的各自的厚度在1μm~10μm的范围内能够良好地抑制晶须。
这样,在实施例1及实施例2中,各镀覆皮膜即使以其它厚度形成,也能够良好地抑制晶须。
例如,在实施例2中,即使将第2镀覆皮膜24a、24b的各自的厚度设定为0.5μm~9.5μm的范围,也能够良好地抑制晶须,即使将第3镀覆皮膜26a、26b的各自的厚度设定为0.5μm~9.5μm的范围,也能够良好地抑制晶须。
此外,在上述的实施例1及实施例2中,分别在特定的条件下进行热处理,但即使在其它的条件下进行热处理,也能够良好地抑制晶须。
例如,在实施例1中,即使在25℃~35℃这样比较低的温度下且进行240天~300天这样的长时间热处理,也能够良好地抑制晶须。
此外,在实施例2中,即使在25℃~35℃这样比较低的温度下且进行110小时~150小时这样的短时间热处理,也能够良好地抑制晶须。
此外,在实施例1中,通过对镀Ni的表面实施镀Sn且在比较低的温度下进行长时间热处理,从而形成第2镀覆皮膜,但也可以通过实施富Sn的Sn-Ni合金镀覆来代替镀Sn且在比较低的温度下进行短时间热处理,从而形成作为成为最外层的镀Sn皮膜的第2镀覆皮膜。若这样形成第2镀覆皮膜,由于实施富Sn的Sn-Ni合金镀覆且进行热处理,所以软钎焊性虽稍微降低但良好,并且能够良好地抑制晶须。
在上述的实施方式、实施例1及实施例2中,作为电介体,虽然可使用钛酸钡系的电介体陶瓷,但也可以使用例如钛酸钙系、钛酸锶系、锆酸钙系的电介体陶瓷来代替其。此外,作为陶瓷层14的陶瓷材料,也可以使用例如添加有Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土类化合物等副成分的陶瓷材料。
此外,在上述的实施方式、实施例1及实施例2中,作为内部电极,虽然使用Ni,但也可以使用例如Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等来代替其。
进而,在上述的实施方式、实施例1及实施例2中,作为外部电极,虽然使用Cu,也可以使用例如选自由Ag、Ag/Pd组成的组中的1种金属或含有该金属的合金来代替其。
产业上的可利用性
本发明所述的电子部件特别适合用于例如高密度安装的层叠陶瓷电容器等电子部件。
符号的说明
10 层叠陶瓷电容器
12 陶瓷元件
14 陶瓷层
16a、16b 内部电极
18a、18b 端子电极
20a、20b 外部电极
22a、22b 第1镀覆皮膜
24a、24b 第2镀覆皮膜
26a、26b 第3镀覆皮膜
Claims (4)
1.一种电子部件,其是具有镀Sn皮膜的电子部件,其特征在于,
所述镀Sn皮膜具有Sn多晶结构,在Sn晶界及Sn晶粒内分别形成有Sn-Ni合金粒子。
2.根据权利要求1所述的电子部件,其中,所述Sn-Ni合金粒子形成薄片状的形状。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的电子部件,其中,按照与所述镀Sn皮膜的内侧接触的方式形成有镀Ni皮膜。
4.根据权利要求3所述的电子部件,其中,在所述镀Sn皮膜中的与所述镀Ni皮膜接触的Sn晶粒内,平均存在3个以上的所述Sn-Ni合金粒子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011105932A JP2012237033A (ja) | 2011-05-11 | 2011-05-11 | 電子部品 |
JP2011-105932 | 2011-05-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102779642A true CN102779642A (zh) | 2012-11-14 |
Family
ID=47124519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2012101384921A Pending CN102779642A (zh) | 2011-05-11 | 2012-05-07 | 电子部件 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8709612B2 (zh) |
JP (1) | JP2012237033A (zh) |
CN (1) | CN102779642A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104681276A (zh) * | 2013-11-28 | 2015-06-03 | 三星电机株式会社 | 待嵌入板中的多层陶瓷电子组件及其制造方法以及电路板 |
CN105990024A (zh) * | 2015-03-19 | 2016-10-05 | 株式会社村田制作所 | 电子部件以及具备该电子部件的电子部件串 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5516501B2 (ja) * | 2011-05-13 | 2014-06-11 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
WO2013111625A1 (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
KR20140013289A (ko) * | 2012-07-23 | 2014-02-05 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법 |
KR20190121210A (ko) * | 2018-10-17 | 2019-10-25 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
JP7031574B2 (ja) * | 2018-12-21 | 2022-03-08 | 株式会社村田製作所 | 電子部品およびその製造方法 |
JP7270968B2 (ja) * | 2019-05-21 | 2023-05-11 | オリエンタル鍍金株式会社 | めっき積層体の製造方法及びめっき積層体 |
JP2021182585A (ja) * | 2020-05-19 | 2021-11-25 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品の製造方法、積層セラミック電子部品及び回路基板 |
JP7396251B2 (ja) | 2020-11-11 | 2023-12-12 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101203627A (zh) * | 2005-06-17 | 2008-06-18 | 富士通株式会社 | 形成有以锡作为主成分的被膜的构件、被膜形成方法以及焊锡处理方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001110666A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品、および電子部品の製造方法 |
JP3475910B2 (ja) * | 2000-05-24 | 2003-12-10 | 株式会社村田製作所 | 電子部品、電子部品の製造方法および回路基板 |
JP3388408B2 (ja) * | 2000-10-24 | 2003-03-24 | 鈴鹿工業高等専門学校長 | すずーニッケル合金膜の製造方法 |
US20060068218A1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-03-30 | Hooghan Kultaransingh N | Whisker-free lead frames |
DE102007047007A1 (de) * | 2007-10-01 | 2009-04-09 | Tyco Electronics Amp Gmbh | Elektrisches Kontaktelement und ein Verfahren zum Herstellen desselben |
JP5516501B2 (ja) * | 2011-05-13 | 2014-06-11 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
-
2011
- 2011-05-11 JP JP2011105932A patent/JP2012237033A/ja active Pending
-
2012
- 2012-04-12 US US13/444,925 patent/US8709612B2/en active Active
- 2012-05-07 CN CN2012101384921A patent/CN102779642A/zh active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101203627A (zh) * | 2005-06-17 | 2008-06-18 | 富士通株式会社 | 形成有以锡作为主成分的被膜的构件、被膜形成方法以及焊锡处理方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104681276A (zh) * | 2013-11-28 | 2015-06-03 | 三星电机株式会社 | 待嵌入板中的多层陶瓷电子组件及其制造方法以及电路板 |
CN105990024A (zh) * | 2015-03-19 | 2016-10-05 | 株式会社村田制作所 | 电子部件以及具备该电子部件的电子部件串 |
CN105990024B (zh) * | 2015-03-19 | 2019-05-10 | 株式会社村田制作所 | 电子部件以及具备该电子部件的电子部件串 |
CN110070992A (zh) * | 2015-03-19 | 2019-07-30 | 株式会社村田制作所 | 电子部件以及具备该电子部件的电子部件串 |
US10522289B2 (en) | 2015-03-19 | 2019-12-31 | Murata & Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and electronic component series including the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120288731A1 (en) | 2012-11-15 |
US8709612B2 (en) | 2014-04-29 |
JP2012237033A (ja) | 2012-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9437365B2 (en) | Electronic component and manufacturing method therefor | |
CN102779642A (zh) | 电子部件 | |
CN102779641A (zh) | 电子部件 | |
CN102820132A (zh) | 电子部件 | |
CN102194571B (zh) | 层叠型电子部件及其制造方法 | |
JP3475910B2 (ja) | 電子部品、電子部品の製造方法および回路基板 | |
US20110309718A1 (en) | Ceramic electronic component and manufacturing method therefor | |
CN102683012B (zh) | 陶瓷电子部件 | |
KR101721628B1 (ko) | 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법 | |
US11062849B2 (en) | Method of manufacturing multilayer ceramic electronic component and multilayer ceramic electronic component | |
US8982533B2 (en) | Monolithic electronic component and method for manufacturing monolithic electronic component | |
CN110391084A (zh) | 多层陶瓷电子组件 | |
JP4539719B2 (ja) | セラミック電子部品の製造方法及びSnめっき浴 | |
US8004819B2 (en) | Capacitor array and method for manufacturing the same | |
WO2020166361A1 (ja) | 導電性ペースト、電子部品及び積層セラミックコンデンサ | |
JP4515334B2 (ja) | バレルめっき方法、および電子部品の製造方法 | |
JP4442135B2 (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
JP2013149886A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JP2007204822A (ja) | めっき方法 | |
JP2006077311A (ja) | ニッケルめっき浴、及び電子部品 | |
TW200307362A (en) | Electronic component and method of manufacturing same | |
JPS63146421A (ja) | 積層型セラミツクチツプコンデンサ−の製造方法 | |
JP6754852B2 (ja) | 導電性組成物 | |
JP2001060532A (ja) | 積層セラミック電子部品の外部電極形成方法 | |
JP2020202335A (ja) | 積層セラミックコンデンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20121114 |