CN109844878B - 电子部件的制造方法和电子部件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电子部件的制造方法，其可以防止镀覆液和助焊剂成分浸入到引出有陶瓷元件体的内部电极的界面且能够形成任意形状的外部电极。包括如下工序：准备陶瓷元件体，该陶瓷元件体是由含有金属氧化物的陶瓷材料构成的陶瓷元件体(10)，其内部电极(20)的一部分被引出至引出面(10a、10b)。接着，通过使用导电膏的电极形成法在陶瓷元件体的引出面形成基底电极(301)使其与内部电极连接。接着，将陶瓷元件体的与引出面邻接的其他面的一部分局部地加热，使金属氧化物的一部分还原，从而形成改性部(303)。接着，通过镀覆法在基底电极(301)和改性部(303)连续地形成镀覆电极(302)，从而形成外部电极(30、31)。

Description

电子部件的制造方法和电子部件
技术领域
本发明涉及电子部件的制造方法和电子部件，尤其涉及在陶瓷元件体形成外部电极的方法。
背景技术
以往，电子部件的外部电极的形成方法一般是在陶瓷元件体的两端面涂布电极膏，接着，进行烧成或固化电极膏，从而形成基底电极后，在该基底电极上进行镀覆处理，从而形成镀覆电极。
电极膏的涂布可使用将电子部件的端部浸渍于以规定的厚度形成的膏膜的方法、利用基于辊等进行的转印的方法。对于这些技术，作为课题可举出无法形成或难以形成以L字形电极为代表的异形外部电极这点。
此外，作为这样的使用电极膏的电极形成方法的替代，提出有一种方法，该方法是使内部电极的多个端部在陶瓷元件体的端面互相靠近并露出的同时，使被称为锚定接头的虚拟端子与内部电极的端部在相同的端面靠近并露出，对陶瓷元件体进行无电解镀覆，从而将这些内部电极的端部和锚定接头作为核使镀覆金属生长，形成外部电极的方法(专利文献1)。根据该方法，则能够比较容易地形成异形的外部电极。
但是，该方法中，由于通过在内部电极的端部和锚定接头上直接使镀覆析出而形成外部电极，因此镀覆液有可能浸入陶瓷元件体与内部电极的端部的边界或陶瓷元件体与锚定接头的边界而残留。此外，在装配时含于焊锡的助焊剂也有可能浸入陶瓷元件体与内部电极的界面部分而残留。而这些残留于陶瓷元件体内的镀覆液或助焊剂有可能在使用环境下成为腐蚀等问题的主要原因。
图13表示专利文献1那样仅通过镀覆法形成外部电极时的芯片部件的一个例子的截面。100为陶瓷元件体，101为内部电极，102为内部电极的引出部。烧成陶瓷元件体100时，因陶瓷元件体100与内部电极101的收缩差，如(a)所示，有时在引出内部电极101的界面部分，在引出部102与陶瓷元件体100之间产生间隙103。若在该状态下进行镀覆，则如(b)所示，镀覆液浸入间隙103，该镀覆液被镀覆电极104所密封。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004－40084号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种电子部件的制造方法和电子部件，该电子部件可以防止镀覆液和助焊剂成分浸入陶瓷元件体的引出有内部电极的界面中，并且能够形成任意形状的外部电极。
为了实现上述目的，本发明经过如下的工序制造在陶瓷元件体形成有外部电极的电子部件。首先，如图12的工序A所示，准备由含有金属氧化物的经烧结的陶瓷材料构成的陶瓷元件体。在此，陶瓷元件体具有内部电极，该内部电极的一部分被引出至引出面。接着，作为工序B，在陶瓷元件体的上述引出面形成基底电极使其与上述内部电极连接。该基底电极以使用了导电膏的电极形成法或干式镀覆法而形成。接着，作为工序C，将陶瓷元件体的与上述引出面邻接的其他面的一部分局部加热，使上述金属氧化物的一部分还原，从而形成改性部。接着，作为工序D，通过湿式镀覆法在上述基底电极和上述改性部上形成镀覆电极，其结果，形成外部电极。
本发明提出了通过组合多种方法来形成外部电极的方法。即，首先，使用湿式镀覆法以外的方法在陶瓷元件体的内部电极的引出面形成基底电极。具体而言，通过使用了导电膏的电极形成法或干式镀覆法形成基底电极。由此，使基底电极与内部电极的引出部电连接。由于在形成基底电极时不使用镀覆液，因此即使在引出有陶瓷元件体的内部电极的界面存在间隙，该间隙也被基底电极封闭。应予说明，基底电极无需仅形成在引出面，也可以扩展至与引出面邻接的其他面的一部分。基底电极无需形成于引出面的整面，只要至少形成于引出有内部电极的部分即可。
接着，将陶瓷元件体的与引出面邻接的其他面的一部分局部地加热，使陶瓷元件体所含的金属氧化物的一部分还原，从而形成改性部。该改性部是与陶瓷元件体的其它部分相比电阻值低的部分。应予说明，关于基底电极和改性部的形成顺序，哪一个在前面都可以。
在形成基底电极和改性部后，在基底电极和改性部上通过湿式镀覆法形成镀覆电极。与陶瓷元件体的非改性部相比，改性部是电阻值低的部分，因此可以作为镀覆金属的析出起点。基底电极当然具有导电性，因此可以使镀覆金属容易地析出。即使在引出有陶瓷元件体的内部电极的界面产生间隙，由于该间隙已经被基底电极封闭，因此在镀覆处理中也可以防止镀覆液浸入间隙。通过镀覆处理，在基底电极和改性部上形成镀覆电极，其结果，形成外部电极。应予说明，即使基底电极与改性部稍微分离，也由于将析出到双方的镀覆金属作为核而镀覆金属急速生长，因此能够形成连续的镀覆电极。应予说明，在基底电极和改性部分离地形成时，可以在其上分别独立地形成镀覆电极。镀覆电极的形成也可以多次实施。即，镀覆电极可以是多层结构。众所周知，湿式镀覆法具有低成本、量产性优异且能够形成均质的电极的优点。
作为使用了导电膏的基底电极的形成法，有对陶瓷元件体的引出面涂布含有玻璃和金属粉末的导电膏，通过热处理使金属粉末烧结而形成基底电极的方法；对陶瓷元件体的引出面涂布含有热固性树脂和金属粉末的导电膏，通过热处理使热固性树脂固化而形成基底电极的方法等。与前者相比，后者的方法可以在较低温度下形成基底电极。本说明书中，导电膏和电极膏以相同的意义使用。作为干式镀覆法，例如有蒸镀法、溅射法等。这些方法都是不使用镀覆液的电极形成方法，可以防止在陶瓷元件体与内部电极的引出部的界面产生的间隙浸入镀覆液。
作为用于形成改性部的局部的加热方法，例如有激光照射、电子束照射或使用聚焦炉(image furnace)的局部加热等各种方法。其中，激光照射在能够比较小型地构成装置的方面以及能够快速改变对陶瓷元件体的激光照射位置的方面有利。局部加热仅使陶瓷元件体的表层部改性，因此对作为电子部件(例如电感器)的电特性实质上不造成影响。
作为照射激光而能够改性的代表性陶瓷材料，有铁氧体。铁氧体是以氧化铁为主成分的陶瓷，例如有尖晶石铁氧体、六方晶铁氧体、石榴石铁氧体等。若对铁氧体照射激光，则照射部分发生熔融·凝固，铁氧体的表层部分改性而具有导电性。用于电感器的铁氧体例如有Ni－Zn系铁氧体、Mn－Zn系铁氧体、Ni－Cu－Zn系铁氧体等，这些铁氧体均可以通过激光照射形成改性部。激光可使用YAG激光、YVO4激光等公知的激光。
优选将改性部形成于陶瓷元件体的与引出面邻接的其他面且靠近引出面的位置。即使基底电极与改性部有间隔的情况下，在湿式镀覆时，析出至基底电极和改性部的镀覆金属在两者间生长，因此能够形成连续的镀覆电极。在基底电极与改性部靠近或接触的情况下，能够以更短的时间形成连续的镀覆电极。
优选在形成基底电极的工序B之后，实施形成改性部的工序C。先于基底电极形成改性部时，有可能因基底电极的形成时的热处理将改性部氧化而非导体化。因此，通过在形成基底电极之后形成改性部，可以抑制改性部的氧化，可以在其上形成良好的镀覆电极。应予说明，在基底电极的热处理对改性部的氧化不造成影响时，也可以先于基底电极形成改性部。
作为湿式镀覆法，可以是电镀或无电解镀覆，电镀法时，容易控制膜厚，因此优选。通过本发明方法形成的基底电极和改性部均具有导电性，因此镀覆金属快速地析出至基底电极和改性部。以往的镀覆法中，在不欲对陶瓷元件体的一部分实施镀覆时，需要对该部分预先涂布镀覆防止材料或通过切削等进行除去。本发明中，可以在难以形成基底电极的位置局部地形成改性部，因此可以省略镀覆防止材料等的涂布工序。通过激光照射形成改性部时，改性部的表面成为凹凸状，因此具有因锚定效应而镀覆电极的固着强度变高的优点。
本发明的另一个实施方式提供一种电子部件，其具有：陶瓷元件体，是由含有金属氧化物的陶瓷材料构成的陶瓷元件体，具有内部电极，且具有上述内部电极的一部分被引出的引出面；以及，基底电极，是在上述陶瓷元件体的上述引出面形成以便与上述内部电极连接的基底电极，是由导电膏形成的电极；以及，改性部，形成在上述陶瓷元件体的与上述引出面邻接的其他面且含有上述金属氧化物的经还原的金属元素；以及，镀覆电极，形成于上述基底电极和上述改性部上。由导电膏形成的电极也可以称为含有金属和玻璃或含有金属和树脂的金属复合电极。此外，镀覆电极也可以称为金属薄膜电极。在这种情况下，可以防止镀覆液和助焊剂向内部电极的引出界面浸入，因此可得到耐久性提高的电子部件。
本发明方法的特征之一是可以容易地形成异形的外部电极。例如，在长方体形状的陶瓷元件体的长边方向两端面形成基底电极，仅在与该两端面邻接的一个面(例如底面)形成(例如2个位置的)改性部时，能够形成一对L字形外部电极。即，也可以仅在两端面和底面形成外部电极，在上表面和宽度方向两侧面不形成电极。形成L字形的外部电极的优点是由于仅在装配所需的位置形成外部电极，因此可以减少内部电极与外部电极之间的寄生容量，能够提高电子部件的电特性。而且，具有在将该电子部件以高密度装配于电路基板等时，容易确保与邻接的电子部件的绝缘距离，而且，在厚度方向平行地配置多个电路基板时，容易确保电子部件与配置于其上侧的电路基板的导电部的绝缘距离等优点。而且，在两端面形成基于导电膏的基底电极，在底面形成改性部，并且形成了覆盖基底电极和改性部的镀覆电极时，与形成于两端面的外部电极的厚度相比，可以减薄形成于底面的外部电极的厚度，因此可以实现电子部件的小型化。
如上，根据本发明，由于在陶瓷元件体的引出面形成基底电极后进行湿式镀覆，因此可以抑制镀覆液浸透到内部电极与陶瓷元件体的界面。此外，在陶瓷元件体的与引出面邻接的面形成改性部，在基底电极和改性部上形成镀覆电极，因此可以仅在所需的部分形成外部电极。因此，可以容易地形成任意的形状的外部电极。
附图说明
图1是本发明所涉及的电子部件的第1实施方式的立体图。
图2是图1所示的电子部件的分解立体图。
图3是从Y方向观察图1的电子部件时的截面图。
图4是表示外部电极的形成工序的截面图。
图5是表示对陶瓷元件体照射激光的方法的一个例子的立体图。
图6是表示改性部和镀覆电极的形成过程的一个例子的放大截面图。
图7是改性部的结构的一个例子的放大截面图。
图8是表示激光照射前后的铁氧体的电阻值的变化和再加热时的电阻值的变化的图。
图9是表示在拐角部形成有R面的陶瓷元件体中的外部电极的结构的几个例子的图。
图10是本发明所涉及的电子部件的其它几个例子的立体图。
图11是表示本发明所涉及的二端子型电子部件的几个例子的立体图。
图12是表示本发明所涉及的外部电极的形成方法的流程图。
图13表示通过镀覆法形成外部电极的以往的芯片部件的一个例子的截面图。
具体实施方式
图1表示作为本发明所涉及的电子部件的一个例子的芯片型电感器1。图1表示为电感器1的底面朝上。电感器1具备陶瓷元件体10，在陶瓷元件体10的长度方向两端部分别形成有外部电极30、31。该实施例的电感器1的形状如图1所示是与Y轴和Z轴方向的尺寸相比X轴方向的尺寸较长的长方体。应予说明，该说明书中“长方体”不限定于拐角部为角状的，也可以是形成了倒角、R面的形状。
如图2所示，陶瓷元件体10例如是通过将以Ni－Zn系铁氧体、Mn－Zn系铁氧体或Ni－Cu－Zn系铁氧体为主体的绝缘体层12a～12e层叠并烧结而得到的。绝缘体层12a～12e在上下方向(Z轴方向)依次层叠。在不包括上下两端的绝缘体层12a、12e的中间的绝缘体层12b～12d上分别形成构成内部电极20的线圈导体21～23。这些3个线圈导体21～23由导通孔导体24、25相互连接，整体形成为螺旋状。线圈导体21～23和导通孔导体24、25以Au、Ag、Pd、Cu、Ni等导电性材料形成。线圈导体21的一端部(引出部)21a露出到陶瓷元件体10的X轴方向的一端面10b，线圈导体23的一端部(引出部)23a露出到陶瓷元件体10的X轴方向的另一端面10a。内部电极20的两端部21a、23a所露出的陶瓷元件体10的端面10a、10b为引出面。应予说明，该实施例中示出线圈导体21～23形成两匝的线圈的例子，但匝数是任意的，线圈导体的形状和绝缘体层的层数也可以任意选择。此外，不具有线圈导体的绝缘体层12a、12e的层数也是任意的。
如图3所示，对于外部电极30、31，从Y方向观察陶瓷元件体10时，外部电极30、31分别形成为L字形。即，外部电极30形成为L字形以覆盖陶瓷元件体10的X轴方向的一端面10a和底面(装配面)10c的一部分，外部电极31形成为L字形以覆盖陶瓷元件体10的X轴方向的另一端面10b和底面10c的一部分。如图3所示，外部电极30与线圈导体23的引出部23a连接，外部电极31与线圈导体21的引出部21a连接。外部电极30、31由2种电极构成。即，在陶瓷元件体10的两端面10a、10b首先形成基底电极301，在其上形成镀覆电极302，成为双层结构。此外，在陶瓷元件体10的底面(装配面)10c的两端部形成将陶瓷元件体10改性而成的改性部(或低电阻部)303，在该改性部上还形成有镀覆电极302。应予说明，图3中，仅图示了关于陶瓷元件体10的一端部的基底电极301、镀覆电极302、改性部303，省略了另一端部的基底电极301、镀覆电极302、改性部303。图3中，改性部303形成为凹凸状，因此在其上的镀覆电极302的表面也成为凹凸状。基底电极301上的镀覆电极302以及改性部303上的镀覆电极302是通过湿式镀覆法同时形成的。基底电极301和镀覆电极302的材料例如使用Cu、Au、Ag、Pd、Ni、Sn等，两者可以是相同的金属材料，此外，也可以是不同的金属材料。应予说明，镀覆电极302不限于1层，也可以由多层的镀覆层构成。最外层的镀覆电极优选为焊锡湿润性好的材料。
基底电极301的形成方法与公知的使用导电膏的方法相同。即，有在以规定的厚度形成的导电膏膜浸渍陶瓷元件体10的端部的方法、利用使用辊等的转印的方法等。应予说明，通过设定导电膏的膜厚和陶瓷元件体10的浸渍深度，可以调节为仅在陶瓷元件体10的端面涂布导电膏或者涂布导电膏使其环绕至与端面邻接的面。而且，导电膏的涂布区域无需为陶瓷元件体10的端面10a、10b的整面，只要至少涂布于露出有内部电极20的引出部23a、21a的部分即可。涂布导电膏后，将陶瓷元件体以规定的温度进行热处理，从而形成基底电极301。热处理有2个方法，在使用烧成型的导电膏时，进行热处理直至导电膏所含的玻璃和金属粉烧结为止。在使用热固型的导电膏时，通过热处理使导电膏所含的热固性树脂固化。与热固型的导电膏相比，烧成型的导电膏的热处理温度高。
如此使用导电膏形成基底电极301时，基底电极301形成于露出有内部电极20的引出部23a、21a的陶瓷元件体10的端面10a、10b，与引出部23a、21a电连接。如图4的(a)所示，在陶瓷元件体10的烧成时，由于陶瓷元件体10与内部电极20的收缩差，有时在引出有内部电极20的陶瓷元件体10的端面产生间隙δ。但是，如(b)所示，在导电膏的涂布时，导电膏301a能够封闭该间隙δ。因此，如(c)所示，在其后实施的湿式镀覆中，可以防止镀覆液浸入间隙δ。在基底电极301上形成镀覆电极302。
图5表示在陶瓷元件体10的底面10c的长度方向两端部(电极形成区域S1)使用激光L形成改性部303的方法。在此，示出对形成基底电极301后的陶瓷元件体10照射激光L的例子，但也可以对形成基底电极301之前的陶瓷元件体10照射激光L。激光L的照射方法有多种方法，在此示出一边连续照射激光L一边沿着Y轴方向扫描的例子(或使陶瓷元件体10向Y轴方向移动的例子)。激光的扫描方向是任意的，可以是X轴方向，也可以是锯齿状、圆周状。通过激光L的照射，在陶瓷元件体10的表面形成大量的线状的激光照射痕304，在该照射痕304的底部形成改性部303。应予说明，图5中示出在X轴方向有间隔地形成线状的激光照射痕304的例子，但也可以紧密地形成以便激光照射痕304彼此互相重叠。此外，除了连续照射激光L的方法以外，也可以间歇地照射。不论是哪种情况，优选在电极形成区域S1、S2的整个区域均等地照射激光L。
图6表示改性部303和镀覆电极302的形成过程的一个例子。图6的(A)表示对靠近基底电极301的陶瓷元件体10的底面10c照射激光L，由此在陶瓷元件体10的表面形成截面呈V字状或U字状的激光照射痕304的状态。应予说明，图6的(A)中示出激光L集光在1点的例子，实际上照射激光L的点也可以具有某种程度的面积。该激光照射痕304是通过激光照射将陶瓷元件体10的表层部熔融·凝固而成的痕迹。由于点的中心部能量最高，因此该部分的陶瓷原材料容易改性，激光照射痕304的截面成为大致V字状或大致U字状。在包含激光照射痕304的内壁面的周围，构成陶瓷元件体的金属氧化物(在此为铁氧体)发生改性/还原，形成电阻值比该金属氧化物低的改性部303。作为铁氧体材料的电阻值降低的主要原因之一，有铁氧体所含的Fe2O3变化为电阻值更低的Fe3O4这样的还原反应。此外，在Ni－Zn系铁氧体的情况下，有可能Fe的一部分还原，并且Ni和/或Zn也还原。在Ni－Cu－Zn系铁氧体的情况下，Fe和/或Cu还原的同时Ni和/或Zn也有可能还原。改性部303的深度、宽度可以根据激光的照射能量、照射范围等而进行改变。
图6的(B)表示向x方向隔开间隔D地照射激光L，对电极形成区域S1紧密地照射多个激光照射痕304的情况。“紧密地照射”是指激光照射的点中心的间隔D与改性部303的扩展宽度(例如直径的平均值)W同等或比其窄，是指在所邻接的激光照射痕304的下侧形成的改性部303彼此相互连接的状态。但是，无需将所有改性部303连接。因此，陶瓷元件体10的电极形成区域S1的几乎全部区域被改性部303所覆盖。
图6的(C)表示如上所述对形成有基底电极301和改性部的陶瓷元件体10进行镀覆处理的状态。导电性的基底电极301和改性部303的电流密度与其它部分相比变高，因此镀覆金属在基底电极301和改性部303的表面快速地析出，不久在两者间形成连续的镀覆电极302。即，析出到基底电极301和改性部303上的镀覆金属成为核而向周围生长，即使在基底电极301与改性部303之间存在绝缘区域，也以短时间形成连续的镀覆电极302。如此，形成L字形的外部电极30。
通过控制镀覆处理时间、电压或电流，能够控制镀覆电极的形成时间、厚度。进而，也可以通过在通过第1次的镀覆处理而形成的镀覆电极302上进行追加的镀覆处理而形成多层结构的镀覆电极。在这种情况下，由于已经形成了成为基底的镀覆电极，因此追加的镀覆处理短时间内即可完成。
图6中示出将激光进行紧密地照射(D≤W)的例子，但也可以以比改性部303的扩展宽度W宽的间隔D(D＞W)进行照射。在这种情况下，各激光照射痕304之间会露出有改性部以外的绝缘区域，即存在构成陶瓷元件体的原本的金属氧化物没有改性的区域，但在以后实施的镀覆处理工序中，镀覆电极在改性部303间生长，因此也能在绝缘区域上简单地形成连续的镀覆电极。
图7表示如此形成的改性部303的截面结构的一个例子。在下层形成还原层303a，其表层以由半导体和/或绝缘体的成分构成的再氧化层303b覆盖。由这些还原层和再氧化层构成改性部303。应予说明，激光照射不限于大气气氛，也可以在真空中或N2气氛下进行激光照射，但在真空中或N2气氛下进行激光照射时，有可能无法形成再氧化层。
在形成上述再氧化层时，认为具有如下的效果。即，作为再氧化层而形成的Fe3O4具有常温下的再氧化难以进行的性质，还具有可以抑制位于下层的还原层的氧化且抑制再氧化层自身的经时变化的效果。此外，再氧化层是一种半导体，与作为绝缘体的铁氧体相比电阻值低，而且厚度薄。因此，即使形成再氧化层，也不会对镀覆金属的析出性造成影响。
上述说明中，在形成基底电极后形成了改性部，但也可以使其形成顺序相反。即，也可以在形成改性部后形成基底电极。但是，在使用烧成型的导电膏作为基底电极时，优选在形成基底电极后形成改性部。其理由是在先于基底电极形成改性部时，有可能因基底电极的形成时的热处理，改性部氧化而非导体化。因非导体化，有可能在其后实施的镀覆处理时阻碍镀覆电极的析出。因此，在使用烧成型的导电膏时，在形成基底电极后形成改性部，从而可以抑制改性部的氧化。
图8表示改性部的导电性与热处理温度的关系。即，表示以铁氧体材料为对象测定了激光照射前与照射后的铁氧体的电阻值的变化以及在形成改性部后使其再升温时的电阻值的结果。图8中的表面电阻是使探针以一定间隔接触材料的表面，测定其间的电阻值而得的。由图8明确可知，在照射3种激光中的任一者的情况下，铁氧体材料的电阻值都降低约10-8的量，改性部正确形成。另一方面，在直至300℃为止的再升温中，改性部的电阻值几乎不会上升，但通过使其再升温至600℃以上，改性部产生再氧化的举动，可以确认电阻值有显著上升的趋势。一般而言，认为在使用热固型的导电膏作为基底电极时，由于热固化温度为200℃左右，因此改性部的电阻值几乎不会上升，但烧成型的热处理温度有时为600℃以上，因此无法抑制改性部的再氧化。如上所述，在设为形成改性部后形成基底电极的流程的情况下，在基底电极的烧成温度、固化温度为一定水平(例如600℃)以上时，改性部的电阻值上升，在以后的镀覆工序中有可能无法实现镀覆的析出。因此，优选为在形成基底电极后形成改性部这样的流程。应予说明，在N2气氛中进行该再升温的过程时，与在大气中进行的情况相比可抑制再氧化的反应，因此电阻值的上升量得到抑制。
-实验例-
以下，对进行了改性部和镀覆电极的形成的实验例进行说明。
(1)对由Ni-Cu-Zn系铁氧体构成的经烧结陶瓷元件体将激光一边反复扫描一边照射。虽然加工条件如下所述，但波长例如可以在532nm～10620nm中的任一范围。照射间隔是指反复扫描激光时的去路与回路的点中心的距离。
[表1]
[激光加工条件]
波长 1064nm(YVO4)
输出功率 14A
扫描速度 200mm/s
Q switch频率 20kHz
照射间隔(间距) 30μm
点直径 70μm
能量密度 1J/sec
(2)在以下条件下对激光照射后的陶瓷元件体进行电镀。具体而言，使用滚筒镀覆。
[表2]
[镀覆条件]
镀覆液 焦磷酸铜镀覆液
转速[rpm] 24rpm
电流[A] 12A
温度[℃] 55℃
时间 8min
按如上述的条件进行镀覆处理，其结果，可以在陶瓷元件体的表面形成平均厚度约2μm的良好的Cu外部电极。应予说明，同样的结果在使用Ni-Zn系铁氧体的情况下也可得到。此外，作为镀覆液，除焦磷酸铜镀覆液以外，还可以使用硫酸铜镀覆液、氰化铜镀覆液等。
-评价-
对于对Ni-Cu-Zn系铁氧体照射激光的试样和未照射激光的试样，由使用XPS(X射线光电子分光法)和转换电子收率法的Fe、Cu、Zn的K端XAFS(X射线吸收微细结构)评价试样表面的Fe、Cu、Zn的价数。XPS的结果是照射了激光的试样的表层部分无法检测到金属成分，在下层可以检测到金属成分。此外，XAFS的结果是对于照射了激光的试样的表层部分，无法检测到Cu的金属成分。另一方面，XAFS的结果是对于照射了激光的试样的表层部分，无法检测到Fe的金属成分，但可以检测到Fe的半导体的成分和绝缘体的成分。还确认到相对于陶瓷元件体整体的比例，下层的Fe2+与Fe3+的比例大。根据以上推测，铁氧体所含的金属氧化物由于激光加工的热而分解，陶瓷元件体的下层还原为铁氧体的金属元素，陶瓷元件体的表层部分被残热导致了再氧化。
在如图1所示那样形成L字形的外部电极30、31的电子部件1的情况下，除了如上述的电特性的不同以外，也产生如以下的不同。即，由于外部电极未形成于电子部件1的上表面，因此即使在装配状态下靠近电子部件1的上方存在其它电子部件或导体的情况下，也可以降低短路的风险。而且，由于外部电极也未形成于Y方向的两侧面，因此即使在邻接于电子部件1的Y方向装配其它电子部件3的情况下，也可以确保与邻接的电子部件的绝缘距离，并且也可以确保涂布于外部电极的焊锡彼此的距离。因此，可以降低与邻接的电子部件的短路的风险。其结果，在具有L字形外部电极的电子部件1的情况下，能够进一步实现高密度装配。
图9表示使用本发明形成的L字形外部电极的结构的例子。(a)中，在陶瓷元件体10的拐角部形成有R面R1、R2时，形成为基底电极301的缘部扩展至R面R1，在陶瓷元件体10的底面10c的两端部形成改性部303使其与基底电极301接触。在基底电极301和改性部303上连续地形成有镀覆电极302，形成L字形的外部电极30、31。如此，在与邻接于两端面10a、10b的其他面(包含底面10c)的边界部形成R面时，可以在两端面10a、10b形成基底电极301时将基底电极301的一部分在维持规定的膜厚的同时环绕至其他面，因此可以在与基底电极301接触/靠近状态下简单地形成改性部303。
图9的(b)中，将基底电极301的上面侧缘部形成为不扩展至陶瓷元件体10的R面R1，将底面侧缘部形成为扩展至陶瓷元件体10的R面R2。在这种情况下，也能够在陶瓷元件体10的底面10c形成改性部303使其与基底电极301接触。
图9的(c)中，仅在陶瓷元件体10的端面10a、10b形成基底电极301。即，将基底电极301的缘部形成为不扩展至陶瓷元件体10的R面R1、R2。将改性部303形成为扩展至陶瓷元件体10的底面侧的R面R2，即，使其与基底电极301接触。其结果，在基底电极301和改性部303上连续地形成了镀覆电极302。
图10表示使用本发明形成外部电极的电子部件的其它例子。图10的(a)表示在陶瓷元件体10的底面10c(图10中显示为上下倒转)的x方向两端部和x方向两端面10a、10b形成有外部电极30、31的电子部件。在其他面未形成外部电极。在这种情况下，内部电极的端部21a、23a在陶瓷元件体10的两端面10a、10b未露出而仅露出于底面10c。在陶瓷元件体10的底面10c形成基底电极301使其与内部电极的端部23a、21a连接。在陶瓷元件体10的两端面10a、10b形成改性部303，在基底电极301和改性部303上连续地形成镀覆电极(未图示)，形成外部电极30、31。该实施方式中，改性部303仅形成于端面10a、10b的底面侧，但也可以将改性部303形成于端面10a、10b的整面。
图10的(b)表示多端子型的电子部件。该例子中，内部电极的引出部21a、23a在陶瓷元件体10的两端面10a、10b未露出而是露出于y方向两侧面10d、10e。在两侧面10d、10e形成基底电极301，基底电极301与内部电极的引出部21a、23a连接。在陶瓷元件体10的底面10c(图10中为上侧的面)的4个位置分别形成有改性部303。在基底电极301和改性部303上连续地形成镀覆电极(未图示)，由此形成4个外部电极30～33。在x方向两端面10a、10b和上表面(图10中为下侧的面)未形成外部电极。
图11表示将二端子型的芯片部件应用于本发明的其它例子。(a)中，在陶瓷元件体10的两端面形成基底电极301，在底面10c的两端部分别形成2个位置的改性部303。应予说明，省略在基底电极301和改性部303上形成的镀覆电极。在这种情况下，在电路基板上焊接时，底面侧的电极各自分开为2个位置，因此具有增加装配稳定性这样的优点。
图11的(b)中，在形成于底面的改性部303各自分开为2个位置这点上与(a)相同，但在形成于两端面的基底电极301仅形成于底部侧的一部分这点上不同。
图11的(c)中，基底电极301不是形成在两端面10a、10b的整面，而是仅在中央部形成为向纵向延伸的宽度狭窄的带状。底面10c侧的改性部303形成为在宽度方向连续的带状。
图11的(d)中，在基底电极301形成于两端面10a、10b且改性部303形成于底面10c的两端侧这点上与图1相同，但在改性部303的一部分也延伸至前后的两侧面10d、10e这点上不同。
上述实施方式中，示出了将本发明应用于芯片型电感器的外部电极的形成的例子，但不限于此。作为以本发明为对象的电子部件，不限于电感器，只要是使用通过激光照射进行改性且形成作为镀覆电极的析出起点的改性部的陶瓷元件体的电子部件，就能够应用。即，陶瓷元件体的材质不限定于铁氧体。作为湿式镀覆的方法，示出了使用电镀的例子，但也可以使用无电解镀覆。
上述实施例中，使用激光照射作为局部的加热方法，但也可以应用电子束的照射、使用聚焦炉的加热等。不论是哪种情况，均可以将热源的能量聚焦而局部加热陶瓷元件体，因此都不会损害其它区域的电特性。
本发明中，为了局部加热而使用激光时，可以将1条激光进行分光而对多个位置同时照射激光。而且，与将激光的焦点聚焦的情况相比，也可以错开激光的焦点而扩大激光的照射范围。
本发明在镀覆金属由多层形成时，不限于使镀覆金属的最下层生长使其扩展至基底电极和改性部的整个区域。也可以使镀覆金属的最下层生长使其扩展至基底电极和改性部的一部分，使镀覆金属的上层生长使其扩展至基底电极和改性部的整个区域。
符号说明
1 电子部件
10 陶瓷元件体
10a、10b 两端面
10c 底面
20 内部电极
21a、23a 一端部(引出部)
30、31 外部电极
301 基底电极
302 镀覆电极
303 改性部
L 激光

Claims (12)

1.一种电子部件的制造方法，是在陶瓷元件体形成外部电极的电子部件的制造方法，包括如下工序：
工序A：准备陶瓷元件体，该陶瓷元件体是由含有金属氧化物的经烧结的陶瓷材料构成的陶瓷元件体，具有内部电极，所述内部电极的一部分被引出至引出面；
工序B：在所述陶瓷元件体的所述引出面，通过使用了导电膏的电极形成法或干式镀覆法来形成基底电极使其与所述内部电极连接；
工序C：将所述陶瓷元件体的与所述引出面邻接的其他面的一部分局部加热，使所述金属氧化物的一部分还原，从而形成改性部；
工序D：以湿式镀覆法在所述基底电极和所述改性部上形成镀覆电极。
2.根据权利要求1所述的电子部件的制造方法，其中，在所述工序D中，在所述基底电极和所述改性部上连续地形成所述镀覆电极。
3.根据权利要求1所述的电子部件的制造方法，其中，所述陶瓷材料为铁氧体。
4.权利要求1～3中任一项所述的电子部件的制造方法，其中，所述使用了导电膏的电极形成法是对所述陶瓷元件体的引出面涂布含有金属粉末和玻璃的导电膏并进行热处理，从而使所述金属粉末和玻璃烧结而形成基底电极的方法。
5.权利要求1～3中任一项所述的电子部件的制造方法，其中，所述使用了导电膏的电极形成法是对所述陶瓷元件体的引出面涂布含有热固性树脂和金属粉末的导电膏，通过热处理使所述热固性树脂固化而形成基底电极的方法。
6.权利要求1～3中任一项所述的电子部件的制造方法，其中，将所述改性部形成在属于所述陶瓷元件体的与所述引出面邻接的其他面且靠近所述引出面的位置。
7.权利要求1～3中任一项所述的电子部件的制造方法，其中，在形成所述基底电极的工序B之后，实施形成所述改性部的工序C。
8.权利要求1～3中任一项所述的电子部件的制造方法，其中，所述局部加热的方法是基于激光照射、电子束照射或聚焦炉的局部加热中的任一者。
9.权利要求1～3中任一项所述的电子部件的制造方法，其中，所述湿式镀覆法为电镀法。
10.权利要求1～3中任一项所述的电子部件的制造方法，其中，所述湿式镀覆法为无电解镀覆法。
11.一种电子部件，具有：
陶瓷元件体，是由含有金属氧化物的陶瓷材料构成的陶瓷元件体，具有内部电极，且具有引出有所述内部电极的一部分的引出面；
基底电极，是在所述陶瓷元件体的所述引出面以与所述内部电极连接的方式形成的基底电极，是由导电膏形成的电极；
改性部，形成在所述陶瓷元件体的与所述引出面邻接的其他面，且含有所述金属氧化物的经还原的金属元素；以及
镀覆电极，形成于所述基底电极和所述改性部上。
12.根据权利要求11所述的电子部件，其中，所述陶瓷元件体为长方体形状，所述引出面为所述陶瓷元件体的长边方向两端面，形成所述改性部的面为所述陶瓷元件体的底面，所述改性部形成于所述底面的长边方向两端部。
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