CN111261390B - 绕线型线圈部件以及绕线型线圈部件的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提出兼顾安装面积减少和固定力提高的绕线型线圈部件以及该绕线型线圈部件的制造方法。绕线型线圈部件(1)具备：芯体(50)，其具有卷芯部(53)和凸缘部(52)；线(57)，其卷绕于上述卷芯部(53)；以及外部电极(55)，其供上述线(57)的端部(57a)电连接，上述凸缘部(52)的表面具有侧面(52a)以及底面(52b)，上述外部电极(55)具有：与上述侧面(52a)接触并沿上述侧面延伸的金属薄膜部(55a)、以及与上述底面(52b)接触并由金属复合膜构成的厚膜电极部(55b)。

Description

绕线型线圈部件以及绕线型线圈部件的制造方法

本申请是申请人于2017年10月13日提出的申请号为201710951701.7、发明名称为绕线型线圈部件以及绕线型线圈部件的制造方法的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及绕线型线圈部件以及绕线型线圈部件的制造方法，特别是涉及绕线型线圈部件的外部电极的结构。

背景技术

以往，绕线型线圈部件的外部电极的形成方法一般是在芯体的凸缘部涂覆包含金属以及玻璃的导电浆料，进行烧结而形成了基底电极后，通过镀敷处理在该基底电极上形成上层电极(例如参照专利文献1、2)。

取代这样的以往的电极形成方法，提出有仅通过镀敷处理来形成外部电极的方法(专利文献3)。该方法是例如在陶瓷坯体内具有内部电极的层叠型线圈部件中，使内部电极的多个端部与陶瓷坯体的端面相互接近并露出，并且使被称为锚固片(anchor tabs)的虚拟端子与同内部电极的端部相同的端面接近并露出，相对于陶瓷坯体进行无电解镀敷，由此将上述内部电极的端部和锚固片作为核而使镀敷金属生长，形成外部电极。

专利文献1：日本特开2008-210978号公报

专利文献2：日本特开2011-109020号公报

专利文献3：日本特开2004-40084号公报

如专利文献1那样，在涂覆导电浆料而形成基底电极的情况下，存在外部电极的形状被制约这样的问题。例如通过浸渍法在立方体形状的凸缘部的侧面形成导电浆料的情况下，导电浆料不仅涂覆在凸缘部的侧面，也绕回涂覆在与侧面邻接的4个面。因此，最终形成的外部电极成为展开至这5个面的形状。特别是，基底电极是所谓的厚膜，膜厚比通过镀敷、溅射、蒸镀等形成的金属薄膜大，因此给予部件的外形尺寸的影响较大。

因此，如专利文献2那样，若仅在凸缘部中的与安装基板对置的底面侧形成包括基底电极的外部电极，则向凸缘部的包括侧面的与底面邻接的4个面侧突出的外部电极的厚度变小，从而能够减少绕线型线圈部件占安装基板的主表面的面积(安装面积)。但是，由于绕线型线圈部件的小型化、向车载等严苛的使用环境展开等使用方式的变化，而存在仅通过底面侧的焊接接合无法充分地确保绕线型线圈部件与安装基板的固定力的可能性。

此外，根据专利文献3所记载的外部电极形成方法，能够形成由通过镀敷处理形成的金属薄膜构成的外部电极，但该技术以包括锚固片、在坯体(芯体)内形成电极作为前提。因此，难以应用于未在芯体内形成电极而在芯体的周围卷绕线的结构的绕线型线圈部件中。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供兼顾安装面积减少和固定力提高的绕线型线圈部件以及该绕线型线圈部件的制造方法。

本发明的一个方式的绕线型线圈部件具备：芯体，其具有卷芯部和连接于上述卷芯部的端部的凸缘部；线，其卷绕于上述卷芯部；以及外部电极，其供上述线的端部电连接，上述凸缘部的表面具有侧面以及底面，上述外部电极具有：与上述侧面接触并沿上述侧面延伸的金属薄膜部、以及与上述底面接触并由金属复合膜构成的厚膜电极部。

金属薄膜部是例如通过镀敷、溅射、蒸镀等而形成的电极部。另一方面，金属复合膜是涂覆导电浆料，并通过烧结、热固化、干燥等而使导电浆料固化的膜。导电浆料有包含金属粒子和玻璃的类型、包含金属粒子和热固化性树脂的类型等。因此，金属薄膜部由金属、合金、金属间化合物等导电体的膜构成，厚膜电极部由金属等导电体与玻璃、树脂等接合材料的混合物的膜构成，不仅在制法上，在结构上也能够加以区别。

根据上述结构，能够在凸缘部的侧面侧不需要厚膜电极部，因此能够减少绕线型线圈部件的安装基板的安装面积。另外，外部电极不仅形成于凸缘部的底面侧，还形成于侧面侧，因此在与安装基板的焊接接合时沿着凸缘部的侧面侧而形成有焊接圆角，从而能够提高绕线型线圈部件与安装基板的固定力。即，在上述绕线型线圈部件中，能够兼顾安装面积减少与固定力提高。

另外，在上述结构中，也可以在与上述金属薄膜部接触的上述侧面形成有低电阻部。由此，能够以低电阻部作为金属薄膜的析出起点而高效地形成金属薄膜。此外，在本申请中，低电阻部是指显示出比芯体的凸缘部或者卷芯部等其它部分低的电阻值的部分。

另外，在上述结构中，也可以上述凸缘部由含有金属氧化物的陶瓷材料构成，上述低电阻部包含上述金属氧化物的一部分被还原而得的金属元素。在该情况下，由于凸缘部的材料的变质而形成有低电阻部，从而能够不需要复杂的工序·工法。此外，被还原而得的金属元素可以构成单体的金属、合金、金属间化合物，也可以构成比原来的金属氧化物金属元素的价数小的金属氧化物。

另外，在上述结构中，也可以上述低电阻部的表层侧由包含上述金属元素被再次氧化而得的金属氧化物的再氧化层覆盖。由此，能够抑制低电阻部中的被还原而得的金属元素的再次氧化的进行，从而能够抑制凸缘部的必要以上的变质。

另外，在上述结构中，也可以上述凸缘部由含有金属氧化物的陶瓷材料构成，在与上述金属薄膜部接触的上述侧面形成有包含上述金属氧化物被还原而得的金属元素的还原层。该情况下，能够利用因凸缘部的材料的变质而产生的还原层来选择性地并且高效地形成金属薄膜部。

另外，在上述结构中，也可以上述线的端部在上述底面侧与上述外部电极连接。由此，通过例如热压接等将线的端部与外部电极连接时的热量、外力被厚膜电极部吸收，从而能够减少向凸缘部传递的情况。

另外，在上述结构中，也可以上述厚膜电极部被上述金属薄膜部覆盖。由此，能够容易地形成从凸缘部的侧面至底面而一体化的外部电极。

另外，在上述结构中，若上述底面是与安装基板对置的面，上述侧面是相对于上述安装基板垂直的面，则能够减少安装基板中的绕线型线圈部件的安装面积。此外，与安装基板对置、相对于安装基板垂直是指相对于安装基板的主表面的位置关系。

另外，在上述结构中，若上述侧面是上述凸缘部的位于与连接于上述卷芯部的连接面相反一侧的面，上述底面是位于上述侧面与上述连接面之间的面，则在卧式绕线型的绕线型线圈部件中，能够减少安装面积。

另外，在上述结构中，也可以上述凸缘部由铁素体材料构成。由此，能够不使芯体成为复杂的构造地减薄外部电极。

本发明的一个方式的绕线型线圈部件的制造方法包括：A：准备具有卷芯部和连接于上述卷芯部的端部的凸缘部的芯体的工序；B：在上述凸缘部的成为底面的部分涂覆导电浆料，烧结该导电浆料或者使该导电浆料热固化，从而形成由金属复合膜构成的厚膜电极部的工序；C：形成与上述凸缘部的侧面接触并沿上述侧面延伸的金属薄膜部的工序。

根据上述制造方法，不需要在凸缘部的侧面侧形成厚膜电极部，因此能够制造减少了安装面积的绕线型线圈部件。另外，将外部电极不仅形成于凸缘部的底面侧，还形成于侧面侧，因此在与安装基板的焊接接合时沿着凸缘部的侧面侧形成有焊接圆角，从而能够提高绕线型线圈部件与安装基板的固定力。即，能够制造兼顾安装面积减少和固定力提高的绕线型线圈部件。

另外，本发明的其它方式的绕线型线圈部件的制造方法包括：A：准备由含有金属氧化物的陶瓷材料构成、并具有卷芯部和连接于上述卷芯部的端部的凸缘部的芯体的工序；B：在上述凸缘部的成为底面的部分涂覆烧制包含金属以及玻璃的导电浆料，从而形成厚膜电极部的工序；C：对上述凸缘部的成为侧面的部分进行局部加热，从而形成低电阻部的工序；D：通过镀敷处理来形成覆盖上述厚膜电极部以及上述低电阻部的金属薄膜部的工序。

在该制造方法中，除了上述的制造方法的优点之外，对于凸缘部的底面侧，能够不进行前处理地形成外部电极，从而能够不使凸缘部的底面的强度、可靠性以及底面与外部电极的紧贴性变化地形成外部电极。并且，能够以低电阻部作为金属薄膜部的析出起点，从而能够高效地形成金属薄膜部。而且，在形成厚膜电极部后形成低电阻部，因此能够抑制因厚膜电极形成时的烧制而使低电阻部再次氧化从而电阻值增加的情况，不会阻碍之后的金属薄膜部的形成。并且，能够在厚膜电极部与低电阻部上同时形成由镀敷电极构成的金属薄膜部，因此外部电极的形成工序被简化。

另外，在上述工序C中，在上述金属薄膜部形成为覆盖上述厚膜电极部的情况下，也可以进一步具备：D：在上述卷芯部卷绕线的工序；E：将上述线的端部在上述凸缘部的成为底面的部分侧热压接于上述金属薄膜部的工序。由此，将线的端部热压接于金属薄膜部时的热量、外力被厚膜电极部吸收，从而能够减少向凸缘部传递的情况，进而能够进一步减少对底面的强度、可靠性以及底面与外部电极的紧贴性的影响。

如以上那样，根据本发明，能够提供兼顾安装面积减少和固定力提高的绕线型线圈部件以及绕线型线圈部件的制造方法。

附图说明

图1是表示本发明的一个方式的绕线型线圈部件的第一实施例的主视图。

图2是使图1所示的绕线型线圈部件上下反转的状态的立体图。

图3是图1所示的绕线型线圈部件的局部放大剖视图。

图4是将图1所示的绕线型线圈部件安装于安装基板的状态的主视图。

图5是表示向凸缘部的侧面照射激光的状况的侧视图。

图6是表示外部电极的形成工序的剖视图。

图7是低电阻部的一个例子的放大剖视图。

图8是表示外部电极的形成工序的其它例子的剖视图。

图9是表示作为本发明的一个方式的绕线型线圈部件的第二实施例的立式卷绕型线圈部件的图。

图10是表示作为本发明的第三实施例的立式卷绕型线圈部件的图。

附图标记说明：

40...激光照射痕迹；43...低电阻部；44...绝缘区域；45a...镀敷金属；50...芯体；51、52...凸缘部；53...卷芯部；54、55...外部电极；55a...金属薄膜部；55b...厚膜电极部(基底电极部)；57...线；L...激光。

具体实施方式

图1、图2是表示作为本发明的一个方式的绕线型线圈部件的第一实施例的表面安装型的电感器(Inductor)1的主视图以及立体图。图2表示使电感器1上下反转的状态。如图1、图2所示，电感器1具备：芯体50，其具有卷芯部53和连接于卷芯部53的两端部的凸缘部51、52；线57，其卷绕于卷芯部53；以及外部电极54、55，其供线57的端部电连接。此外，包括图1在内的附图全部为示意性附图，其尺寸、长宽比的比例尺等有时与实际产品不同。

芯体50由含有例如Ni-Zn系铁素体或者Ni-Cu-Zn系铁素体等金属氧化物的陶瓷材料构成。图3是图1所示的绕线型线圈部件的局部放大剖视图，且是将芯体50的凸缘部52附近放大的剖视图。此外，虽省略图示以及说明，但芯体50的凸缘部51附近也成为与图3相同的结构。如图3所示，凸缘部52的表面具有侧面52a以及底面52b。底面52b是与安装基板(未图示)相对的面，侧面52a是相对于安装基板的垂直面。另外，侧面52a是凸缘部52的位于与连接于卷芯部53的连接面相反一侧的面，底面52b是位于侧面52a与该连接面之间的面。即，电感器1成为所谓的卧式绕线型(horizontal inductor)，卷芯部53成为与安装基板平行地延伸的形状。

线57是被例如聚氨酯、聚酯酰亚胺、聚酰胺酰亚胺之类的树脂绝缘覆盖的Cu、Ag、Au等的金属线。线57的卷绕轴与安装基板平行。如图3所示，线57的一端部57a通过在一方的凸缘部52的底面52b侧被热压接而与外部电极55电连接。此外，线57的另一端部57b也同样在另一方的凸缘部51的底面51b侧与外部电极54电连接(参照图2)。

如图1所示，外部电极54、55形成为覆盖凸缘部51、52的侧面侧至底面侧的主视L字形。如图3所示，外部电极55具有：与侧面52a接触的金属薄膜部55a、与底面52b接触的基底电极部(厚膜电极部)55b、覆盖金属薄膜部55a和基底电极部55b的第一被覆部55c以及第二被覆部55d。金属薄膜部55a是如后述那样由通过以低电阻部43为起点的镀敷处理而形成的金属薄膜构成的部分，由例如Cu、Au、Ag等电阻值低的金属材料构成。基底电极部55b是由包含Ag、Cu、Au等电阻值低的金属以及二氧化硅等玻璃的厚膜构成的部分。第一被覆部55c、第二被覆部55d例如分别是通过镀敷处理而形成的Ni的金属薄膜、Sn的金属薄膜，是提高外部电极55的耐腐蚀性、润湿性的部分。此外，第一被覆部55c、第二被覆部55d不局限于Ni、Sn，也可以是包含上述Ni、Sn以及Cu、Au、Ag(即Cu、Au、Ag、Ni、Sn)的金属、合金、金属间化合物等。

在电感器1中，如上述那样比厚膜薄的金属薄膜部55a与凸缘部52的侧面52a直接接触，从而能够不需要基底电极部55b，因此在侧面52a侧，与具有基底电极部55b的底面52b侧相比，能够使外部电极55变薄。因此，在电感器1中，以适当的朝向即成为底面52b与安装基板对置、侧面52a与安装基板垂直的朝向安装于安装基板，从而能够减少安装面积。

另外，在电感器1中，外部电极54、55不仅形成于凸缘部51、52的底面51b、52b侧，还形成于侧面51a、52a侧。该情况下，如图4所示，在将电感器1安装于安装基板10时，在侧面51a、52a侧形成有焊接圆角(solder fillets)13、14，因此与仅在底面51b、52b侧焊接安装的情况相比，能够提高向安装基板10固定的固定力。此外，11、12是安装基板10的连接盘(land)。

此外，在电感器1中，在与金属薄膜部55a接触的侧面52a形成有还原层52c。还原层52c具体包括低电阻部43(在图3中未图示)，该低电阻部43包含被还原的金属氧化物。低电阻部43是显示出比自身以外的凸缘部52、卷芯部53(芯体50)的部分低的电阻值的部分。在电感器1中，利用低电阻部43形成与侧面52a接触的金属薄膜部55a。以下对其形成方法进行说明。

图5表示在凸缘部52的侧面52a形成金属薄膜部55a之前向侧面52a照射激光L的状况。图5的(a)表示边连续照射激光L边沿着纸面水平方向进行扫描的例子(或者使芯体50沿纸面水平方向移动的例子)。此外，扫描方向是任意的，可以是纸面垂直方向，也可以是锯齿状或环绕状。通过激光L的照射而在侧面52a形成有多条线状的激光照射痕迹40。此外，在图5的(a)中，示出沿纸面垂直方向隔开间隔地形成有线状的激光照射痕迹40的例子，但激光照射痕迹40彼此也可以密集地形成以便相互重叠。图5的(b)示出以点状照射激光L的例子。此时，在侧面52a分散地形成有多个点状的激光照射痕迹41。图5的(c)示出以虚线状照射激光L的例子。此时，在侧面52a分散地形成有多条虚线状的激光照射痕迹42。在任一种情况下，期望向侧面52a中的形成金属薄膜部55a的区域均匀地照射激光L。

图6表示金属薄膜部55a的形成过程的一个例子的概要。特别是表示向凸缘部52的侧面52a隔开规定的间隔且以线状照射激光L的情况。

图6的(A)表示首先向凸缘部52的侧面52a的外部电极形成区域照射激光，由此在凸缘部52的侧面52a形成了截面V字形或者U字形的激光照射痕迹40的状态。此外，图6的(A)中示出了激光L聚光于一点的例子，但实际上照射激光L的光点(spot)也可以具有某种程度的面积。该激光照射痕迹40是凸缘部52的表层部因激光照射而熔融·凝固的痕迹。光点的中心部能量最高，因此该部分容易变质，激光照射痕迹40的截面成为近似V字形或者近似U字形。在包括激光照射痕迹40的内壁面的周围，构成凸缘部52的陶瓷材料(铁素体)变质，形成比该陶瓷材料电阻值低的低电阻部43。具体而言，在凸缘部52(芯体50)由含有Fe、Ni、Zn的氧化物的Ni-Zn系铁素体材料构成的情况下，认为在低电阻部43中，存在铁素体所包含的金属氧化物更具体而言Fe的一部分因激光照射而还原，进而Ni以及/或者Zn也还原的可能性。在凸缘部52(芯体50)为含有Fe、Ni、Cu、Zn的氧化物的Ni-Cu-Zn系铁素体的情况下，认为在低电阻部43中，存在铁素体所包含的金属氧化物更具体而言Fe以及/或者Cu因激光照射而还原，进而Ni以及/或者Zn也还原的可能性。认为这样的金属氧化物被还原而得的金属元素在低电阻部43中以与单体金属、合金、金属间化合物、原来的金属氧化物相比金属元素的价数小的金属氧化物等的状态存在，低电阻部43显示出比金属元素基本上作为氧化物而存在的芯体50的其它部分低的电阻值。此外，低电阻部43的深度、大小可以通过激光的照射能量、照射范围等来改变。

图6的(B)表示通过反复激光照射而在凸缘部52的侧面52a隔开间隔D地形成了多条激光照射痕迹40的状态。在该例子中，激光照射的光点中心的间隔D大于低电阻部43的展开宽度(例如沿着激光照射痕迹40并列的方向的激光照射痕迹40的直径的平均值)W，因此在各激光照射痕迹40之间存在低电阻部43以外的绝缘区域44。该绝缘区域44是构成凸缘部52的陶瓷材料未变质地露出的区域。还原层52c是像这样形成有多个低电阻部43的区域，也可以在还原层52c包含与低电阻部43邻接的绝缘区域44(即未显示出比芯体50的其它部分低的电阻值的区域)。

图6的(C)表示将芯体50浸渍于镀敷液，实施了电解镀敷的初期的状态，其中，该芯体50包括如上述那样通过激光照射而形成了低电阻部43的凸缘部52。具有低电阻值的低电阻部43的电流密度比其它部分(绝缘区域44)高，因此镀敷金属45a仅在低电阻部43的表面析出，未在绝缘区域44上析出。换句话说，在该阶段中未形成有连续的金属薄膜部55a。

图6的(D)表示实施了电解镀敷的末期的状态。通过继续镀敷处理，从而在低电阻部43上析出的镀敷金属45a成为核而向周围生长，展开至与低电阻部43邻接的绝缘区域44上。通过继续镀敷处理直至邻接的镀敷金属45a彼此连接，从而在侧面52a能够形成连续的金属薄膜部55a。与照射了激光的还原层52c中的镀敷金属的生长速度相比，还原层52c以外的区域的镀敷金属的生长速度较慢，因此即使不严格地控制镀敷处理时间，也能够使镀敷金属在还原层52c选择性地生长。通过控制镀敷处理时间、电压或者电流，能够控制金属薄膜部55a的形成时间、厚度。

包括以上说明的金属薄膜部55a的形成方法的电感器1的制造方法能够如下地进行。

首先，准备由含有金属氧化物的陶瓷材料构成、且具有卷芯部53和连接于卷芯部53的两端部的凸缘部51、52的芯体50。

接下来，在凸缘部52的成为底面52b的部分通过对包含金属以及玻璃的导电浆料进行涂覆烧制而形成基底电极部55b。导电浆料的涂覆烧制通过公知的方法进行即可，通过丝网印刷法、浸渍法、喷墨法等将例如含有Ag粉末和玻璃粉的树脂涂覆于凸缘部52的底面52b后，进行烧制即可。此外，在导电浆料包含金属和热固化性树脂的情况下，在涂覆了该导电浆料后，以热固化性树脂固化的温度进行热处理，由此能够形成基底电极部55b。

接下来，使用例如上述的激光照射等对凸缘部52的成为侧面52a的部分局部地进行加热，由此形成包括低电阻部43的还原层52c。

接下来，通过例如上述的镀敷处理来形成覆盖基底电极部55b以及低电阻部43(还原层52c)的金属薄膜部55a。

通过以上方法，能够在芯体50形成外部电极55。根据上述制造方法，不需要在凸缘部52的侧面52a侧形成基底电极部55b，因此能够制造减少了安装面积的电感器1。另外，将外部电极55不仅形成于凸缘部52的底面52b侧，还形成于侧面52a侧，因此在与安装基板焊接接合时沿着侧面52a形成有焊接圆角，从而能够提高电感器1与安装基板固定的固定力。此外，对于凸缘部52的底面52b侧，能够不进行前处理地形成外部电极55，从而能够不使底面52b的强度、可靠性以及底面52b与外部电极55的紧贴性变化地形成外部电极55。并且，能够将低电阻部43作为金属薄膜部55a的析出起点，从而能够高效地形成金属薄膜部55a。而且，在形成基底电极部55b后形成低电阻部43，因此能够抑制因基底电极55b形成时的烧制而使低电阻部43再次氧化从而电阻值增加的情况，从而不会阻碍之后的金属薄膜部55a的形成。

另外，根据上述制造方法，能够预备形成外部电极55，其中，该外部电极55的基底电极部55b被金属薄膜部55a覆盖、且该外部电极55从凸缘部52的侧面52a至底面52b而一体化。此外，为了提高外部电极55的耐腐蚀性、润湿性，而根据需要在金属薄膜部55a上形成第一被覆部55c、第二被覆部55d。

另外，若在卷芯部53卷绕线57，并将线57的端部57a在凸缘部52的成为底面52b的部分侧热压接于第二被覆部55d，则能够制造电感器1。被热压接的线57的端部57a也可以经由第二被覆部55d、第一被覆部55c、金属薄膜部55a而接触至基底电极部55b。该情况下，线57的端部57a在基底电极部55b所处的底面52b侧与外部电极55连接。由此，将线57的端部57a热压接于金属薄膜部55a时的热量、外力被基底电极部55b吸收，从而能够减少该热量、外力向凸缘部52传递的情况，能够进一步减少对底面52b的强度、可靠性以及底面52b与外部电极55的紧贴性的影响。

-实验例-

以下，对实际在电感器1形成了外部电极54、55的实验例进行说明。

(1)在由Ni-Cu-Zn系铁素体构成的芯体50边往复扫描边照射激光，形成了包括低电阻部43的还原层52c。加工条件如以下所述。其中，能够确认到在照射的激光的波长例如为532nm～10620nm的任意的范围内均没有问题。此外，加工条件的照射间隔意味着往复扫描激光的情况下的往路与复路的光点中心的距离。

表1

[激光加工条件]

波长	1064nm(YVO4)
		输出	14A
扫描速度	200mm/s
		Q switch频率	20kHz
照射间隔(间距)	30μm
		光点直径	70μm
能量密度	1J/sec

(2)相对于激光照射后的芯体50，按照以下条件实施了电解镀敷。具体而言，使用滚镀。

表2

[镀敷条件]

镀敷液	焦磷酸铜镀敷液
		转速[rpm]	24rpm
电流[A]	12A
		温度[℃]	55℃
时间	8min

以上述那样的条件实施了镀敷处理的结果，能够在凸缘部52的侧面52a形成平均厚度约2μm的良好的Cu的金属薄膜部55a。此外，在芯体50的材料使用了Ni-Zn系铁素体的情况下也能够获得同样的结果。另外，作为镀敷液，除了焦磷酸铜镀敷液以外，也能够使用硫酸铜镀敷液、氰化铜镀敷液等。

-评价-

接下来，作为通过激光照射而形成的还原层52c(低电阻部43)的状态的评价，相对于向Ni-Cu-Zn系铁素体照射激光的试料、和未照射激光的试料，通过使用了XPS(X射线光电子分光法；x-ray photoelectron spectroscopy)以及转化电子产率法(conversionelectron yield)的Fe、Cu、Zn的K端XAFS(X射线吸收微小构造)，对试料表面的Fe、Cu、Zn的价数进行了评价。XPS的结果，在照射了激光的试料的表层部分未能检测到金属成分，在下层能够检测到金属成分。另外，XAFS的结果，针对照射了激光的试料的表层部分，能够检测到Cu的金属成分。另一方面，XAFS的结果，针对照射了激光的试料的表层部分，未能检测到Fe的金属成分，但能够检测到Fe的半导体的成分以及绝缘体的成分。可知Fe²⁺相对于Fe³⁺在下层中的比例大于在试料整体中的比例。从以上可推测，通过因激光照射而产生的热量将铁素体所包含的金属氧化物分解，照射部的金属元素被还原，但在照射部的下层，金属元素保持还原的状态而留下，在照射部的表层，金属元素的一部分因余热而(未达到烧结的程度)被再次氧化。

图7表示这样形成的低电阻部43的截面构造的一个例子，在低电阻部43的下层形成有铁素体所含有的金属氧化物所衍生出的金属元素保持还原的状态而留下的还原部43a，低电阻部43的表层侧被包含上述金属元素被再次氧化而得的金属氧化物亦即半导体以及/或者绝缘体的成分的再氧化层(the reoxidized coating)43b覆盖。通过上述还原部43a和再氧化层43b构成低电阻部43。此外，在低电阻部43中再氧化层43b不是必需的结构，例如，通过不是在大气环境中而是在真空中、N₂环境中进行激光照射，能够抑制再氧化层43b的形成。

在形成了上述的再氧化层43b的情况下，可考虑以下那样的效果。即，再氧化层43b所包含的Fe₃O₄具有常温下不易进一步进行再次氧化的性质，从而也有抑制处于下层的还原部43a的再次氧化的进行、抑制必要以上的变质、并且能够抑制再氧化层43b本身随时间推移而变化的效果。此外，再氧化层43b是一种半导体，电阻值比作为绝缘体的铁素体的电阻值低。因此，能够将再氧化层43b作为基于电解镀敷处理的镀敷金属的析出起点。其中，低电阻部43在再氧化层43b的下层具有还原部43a，由此能够提高电解镀敷时的低电阻部43的电流密度，从而能够提高金属薄膜部55a的形成效率。

图8表示外部电极55的形成过程的其它例子，特别是表示将激光L密集地照射于凸缘部52的侧面52a的情况。“密集地照射”是指激光照射的光点中心的间隔D与上述的低电阻部43的展开宽度W相等或比上述的低电阻部43的展开宽度W窄，且是指形成于邻接的激光照射痕迹40的下侧的低电阻部43彼此相互连接的状态(参照图8的(B))。但是，不需要使全部低电阻部43连接。因此，凸缘部52的侧面52a中的还原层52c的几乎整个区域成为低电阻部43。

此时，如图8的(C)所示，开始镀敷处理之后短时间内在低电阻部43的表面析出镀敷金属45a，但这些镀敷金属45a几乎接近，因此邻接的镀敷金属45a彼此迅速地连接。因此，与图6的情况相比能够短时间内形成连续的金属薄膜部55a。

如图8那样将激光L密集地照射于侧面52a的情况下，激光照射痕迹40也密集地形成，因此成为形成了还原层52c的侧面52a部分被削减的状态。在该被削减的侧面52a部分形成有金属薄膜部55a，因此能够成为与未形成有金属薄膜部55a的表面的还原层52c的侧面52a部分几乎相同高度或者比其低。因此，与金属薄膜部55a本身的厚度较薄相互作用，能够抑制外部电极55的突出量，能够进一步减少安装面积。

此外，在电感器1中，成为外部电极55仅形成于凸缘部52的侧面52a、底面52b侧的结构，但外部电极55也可以形成于凸缘部52的其它面(例如图1的纸面近前·里侧的面)。此时，在该其它面上与侧面52a同样形成有金属薄膜部55a的情况下，在该其它面侧也能够不需要基底电极部，从而能够抑制安装面积的增加。

另外，在电感器1中，成为在凸缘部51、52分别具备一个外部电极54、55的结构，但并不限制形成于凸缘部51、52的外部电极的数量，例如也可以成为具备各两个外部电极的结构。即本发明的一个方式的绕线型线圈部件也可以是具备多个线57的共模扼流线圈、变压器等。

图9是表示作为本发明的一个方式的绕线型线圈部件的第二实施例亦即立式卷绕型并且表面安装型的电感器2的图。电感器2具备：芯体60，其具有卷芯部63和连接于卷芯部63的两端部的凸缘部61、62；以及外部电极64、65。外部电极64、65具有与电感器1的外部电极54、55相同的结构，但均从芯体60的一方的凸缘部61的上表面形成至侧面。另外，在卷芯部63的周面卷绕有线(未图示)，其两端部分别与外部电极64、65连接。因此，在电感器2中，凸缘部61的上表面成为与安装基板对置的底面，凸缘部61的侧面成为相对于安装基板垂直的面。即，在电感器2中，与电感器1不同，底面是凸缘部61的位于与连接于卷芯部63的连接面相反一侧的面，侧面是位于底面与连接面之间的面。上述的电感器2也与电感器1同样，能够兼顾安装面积提高与固定力提高。

此外，图9中示出了形成有两个外部电极64、65的例子，但在使用了两根以上的线的情况下，也可以在凸缘部61上形成四个以上外部电极。

图10表示将本发明所涉及的线圈部件应用于双线共模扼流线圈的一个例子。图10使线圈部件3上下反转而示出。在该线圈部件3中，在芯体70的中央部具有卷芯部71，在轴向两端部具有一对凸缘部72、73。在卷芯部71并列卷绕有两根线(未图示)。在凸缘部72、73的底面侧分别设置有两个凸部，在该凸部上形成有两个(合计四个)外部电极74～77。两根线的一端部连接固定在一端侧凸缘部72的外部电极74、75上，线的另一端部连接固定在另一端侧凸缘部73的外部电极76、77上。

在该线圈部件3中，凸缘部72、73的凸部的顶面是底面(安装面)72a、73a，凸缘部72、73的外侧面是相对于安装面垂直的侧面72b、73b。在外部电极74～77中，其安装面侧的部分74a～77a是厚膜电极部与金属薄膜部层叠的层叠构造，侧面侧的部分74b～77b由金属薄膜部构成。因此，将线的端部连接于外部电极74～77的安装面侧的部分74a～77a时的连接可靠性变高，向安装基板安装时的固定强度也变高。另一方面，能够使凸缘部72、73的侧面侧的部分74b～77b的厚度比安装面侧的部分74a～77a薄，因此能够缩小安装面积。该情况下也一样，线的端部与外部电极74～77的安装面侧的部分74a～77a连接，因此通过例如热压接等将线的端部与外部电极连接时的热量、外力被基底电极部吸收，从而能够减少向凸缘部传递的情况。

此外，在上述实施例中，作为用于芯体的陶瓷材料而例示出了铁素体，但陶瓷材料不限定于铁素体，例如也可以是氧化铝等。另外，至少形成金属薄膜部的凸缘部的侧面侧由含有金属氧化物的陶瓷材料构成即可，卷芯部、凸缘部的其它面侧等也可以与凸缘部的侧面侧材料不同。

另外，在上述实施例中，作为镀敷处理方法，示出了使用电解镀敷的例子，但也可以使用无电解镀敷，该情况下，陶瓷材料所包含的金属氧化物被还原而得的金属元素与镀敷液中的金属元素发生置换反应，由此能够在还原层选择性地形成金属薄膜部。此外，在进行无电解镀敷的情况下，为了促进置换反应也可以向还原层的表面赋予催化剂。

另外，在上述实施例中，作为局部的加热方法而使用了激光照射，但也能够应用电子束的照射、利用了聚焦炉的加热等。在任一个情况下，都能够将热源的能量汇聚而对凸缘部的侧面进行局部加热，因此不会损坏其它区域的特性。

另外，也可以与上述实施例不同，将一束激光进行分光而向多个位置同时照射激光。

另外，也可以使激光的焦点散开，与激光的焦点聚集的情况相比，扩大激光的照射范围。

另外，在上述实施例中，成为基底电极部被金属薄膜部覆盖的结构，但金属薄膜部至少形成于还原层上的一部分即可。此外，在该情况下，若第一被覆部、第二被覆部等形成为覆盖金属薄膜部和基底电极部的形状，则能够形成使金属薄膜部与基底电极部一体化的外部电极。另一方面，也可以不使金属薄膜部与基底电极部一体化，而独立地形成电极，该情况下，金属薄膜部通过形成焊接圆角而作为用于提高固定力的虚拟电极起作用。

另外，在上述实施例中，通过镀敷处理形成了金属薄膜部，但金属薄膜部也可以通过溅射、蒸镀等其它薄膜形成法而形成，在该情况下，不需要在凸缘部的侧面形成低电阻部、还原层。但是，从实现制造设备、工序等的观点出发，优选在如上述实施例那样形成包括低电阻部的还原层后，通过镀敷处理形成金属薄膜部。

另外，在上述实施例中，在凸缘部的底面侧未形成低电阻部、还原层，但也可以在底面侧形成可低电阻部、还原层后，形成基底电极部。

备注：

【技术方案1】

一种绕线型线圈部件，其中，具备：

芯体，其具有卷芯部和连接于所述卷芯部的端部的凸缘部；

线，其卷绕于所述卷芯部；以及

外部电极，其供所述线的端部电连接，

所述凸缘部的表面具有侧面以及底面，

所述外部电极具有：与所述侧面接触的金属薄膜部、以及与所述底面接触并由金属复合膜构成的厚膜电极部。

【技术方案2】

根据技术方案1所述的绕线型线圈部件，其中，

在与所述金属薄膜部接触的所述侧面形成有低电阻部。

【技术方案3】

根据技术方案2所述的绕线型线圈部件，其中，

所述凸缘部由含有金属氧化物的陶瓷材料构成，

所述低电阻部包含所述金属氧化物的一部分被还原而得的金属元素。

【技术方案4】

根据技术方案3所述的绕线型线圈部件，其中，

所述低电阻部的表层侧由包含所述金属元素被再次氧化而得的金属氧化物的再氧化层覆盖。

【技术方案5】

根据技术方案1所述的绕线型线圈部件，其中，

所述凸缘部由含有金属氧化物的陶瓷材料构成，

在与所述金属薄膜部接触的所述侧面形成有包含所述金属氧化物的一部分被还原而得的金属元素的还原层。

【技术方案6】

根据技术方案1～5中任一项所述的绕线型线圈部件，其中，

所述线的端部在所述底面侧与所述外部电极连接。

【技术方案7】

根据技术方案1～6中任一项所述的绕线型线圈部件，其中，

所述厚膜电极部被所述金属薄膜部覆盖。

【技术方案8】

根据技术方案1～7中任一项所述的绕线型线圈部件，其中，

所述底面是与安装基板对置的面，所述侧面是相对于所述安装基板垂直的面。

【技术方案9】

根据技术方案1～8中任一项所述的绕线型线圈部件，其中，

所述侧面是所述凸缘部的位于与连接于所述卷芯部的连接面相反一侧的面，所述底面是位于所述侧面与所述连接面之间的面。

【技术方案10】

根据技术方案1～9中任一项所述的绕线型线圈部件，其中，

所述凸缘部由铁素体材料构成。

【技术方案11】

一种绕线型线圈部件的制造方法，其中，具备以下工序：

A：准备具有卷芯部和连接于所述卷芯部的端部的凸缘部的芯体的工序；

B：在所述凸缘部的成为底面的部分涂覆导电浆料，烧结该导电浆料或者使该导电浆料热固化，从而形成由金属复合膜构成的厚膜电极部的工序；

C：在所述凸缘部的成为侧面的部分形成金属薄膜部的工序。

【技术方案12】

一种绕线型线圈部件的制造方法，其中，具备以下工序：

A：准备由含有金属氧化物的陶瓷材料构成、并具有卷芯部和连接于所述卷芯部的端部的凸缘部的芯体的工序；

B：在所述凸缘部的成为底面的部分涂覆导电浆料，烧结该导电浆料或者使该导电浆料热固化，从而形成由金属复合膜构成的厚膜电极部的工序；

C：对所述凸缘部的成为侧面的部分进行局部加热，从而形成低电阻部的工序；

D：通过镀敷处理来形成覆盖所述厚膜电极部以及所述低电阻部的金属薄膜部的工序。

【技术方案13】

根据技术方案12所述的绕线型线圈部件的制造方法，其中，还具备以下工序；

E：在所述卷芯部卷绕线的工序；

F：将所述线的端部在所述凸缘部的成为底面的部分侧热压接于所述金属薄膜部的工序。

Claims (8)

1.一种绕线型线圈部件，其中，具备：

芯体，其具有卷芯部和连接于所述卷芯部的端部的凸缘部；

线，其卷绕于所述卷芯部；以及

外部电极，其供所述线的端部电连接，

所述凸缘部的表面具有侧面以及底面，

所述外部电极具有：与所述侧面直接接触并沿所述侧面延伸的金属薄膜部、以及与所述底面直接接触、比所述金属薄膜部厚并由金属复合膜构成的厚膜电极部，

所述线配置于所述厚膜电极部之上并与所述厚膜电极部接触。

2.根据权利要求1所述的绕线型线圈部件，其中，

所述线的端部在所述底面侧与所述外部电极连接。

3.根据权利要求1或2所述的绕线型线圈部件，其中，

所述厚膜电极部被所述金属薄膜部覆盖。

4.根据权利要求1或2所述的绕线型线圈部件，其中，

所述底面是与安装基板对置的面，所述侧面是相对于所述安装基板垂直的面。

5.根据权利要求1或2所述的绕线型线圈部件，其中，

所述侧面是所述凸缘部的位于与连接于所述卷芯部的连接面相反一侧的面，所述底面是位于所述侧面与所述连接面之间的面。

6.根据权利要求1或2所述的绕线型线圈部件，其中，

所述凸缘部由铁素体材料构成。

7.一种绕线型线圈部件的制造方法，其中，具备以下工序：

A：准备具有卷芯部和连接于所述卷芯部的端部的凸缘部的芯体的工序；

B：在所述凸缘部的成为底面的部分涂覆导电浆料，烧结该导电浆料或者使该导电浆料热固化，从而形成与所述底面直接接触并由金属复合膜构成的厚膜电极部的工序；

C：形成与所述凸缘部的侧面直接接触并以比所述厚膜电极部薄的方式沿所述侧面延伸的金属薄膜部的工序。

8.根据权利要求7所述的绕线型线圈部件的制造方法，其中，

在所述工序C中，所述金属薄膜部形成为覆盖所述厚膜电极部，

所述绕线型线圈部件的制造方法还具备以下工序；

D：在所述卷芯部卷绕线的工序；

E：将所述线的端部在所述凸缘部的成为底面的部分侧热压接于所述金属薄膜部的工序，

所述线配置于所述厚膜电极部之上并与所述厚膜电极部接触。