JP2598826B2 - チップコイル - Google Patents
チップコイルInfo
- Publication number
- JP2598826B2 JP2598826B2 JP1285681A JP28568189A JP2598826B2 JP 2598826 B2 JP2598826 B2 JP 2598826B2 JP 1285681 A JP1285681 A JP 1285681A JP 28568189 A JP28568189 A JP 28568189A JP 2598826 B2 JP2598826 B2 JP 2598826B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- electrode
- bobbin
- chip coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、インダクタンス素子として機能するチップ
コイル、特にその電極層の構造に関する。
コイル、特にその電極層の構造に関する。
従来の技術と課題 一般に、チップコイルは、第２図に示す如く、フェラ
イト製のボビン１にコイル線材を巻回してコイル５を形
成する一方、ボビン１の下鍔部２にその側面から底面に
かけて電極3,3を形成し、コイル５の端末を電極3,3へ半
田付けしたものが知られている。
イト製のボビン１にコイル線材を巻回してコイル５を形
成する一方、ボビン１の下鍔部２にその側面から底面に
かけて電極3,3を形成し、コイル５の端末を電極3,3へ半
田付けしたものが知られている。
電極部分は、具体的には、第３図に示す様に、Agペー
ストあるいはAg−Pdペーストを塗布して焼付けた厚膜電
極層31へコイル端末5aを半田付けすると共に、半田層35
で厚膜電極層31がコーティングされている。また、他の
構成としては、第４図に示す様に、Agペーストの厚膜焼
付け電極層31上へNi電解メッキ層32さらにSn電解メッキ
層33を施し、その上へコイル端末5aを半田付けすると共
に、半田層35で全体をコーティングしたものも知られて
いる。
ストあるいはAg−Pdペーストを塗布して焼付けた厚膜電
極層31へコイル端末5aを半田付けすると共に、半田層35
で厚膜電極層31がコーティングされている。また、他の
構成としては、第４図に示す様に、Agペーストの厚膜焼
付け電極層31上へNi電解メッキ層32さらにSn電解メッキ
層33を施し、その上へコイル端末5aを半田付けすると共
に、半田層35で全体をコーティングしたものも知られて
いる。
しかし、前者の電極構造においては、電極３自体がAg
あるいはAg−Pdとされているため、基板への実装時に半
田による銀くわれが発生し、固着力が劣化する問題点を
有している。この対策としては、AgあるいはAg−Pdをさ
らに厚く付けることが挙げられるが、大幅なコストアッ
プとなり、実際的ではない。しかも、Ag,Ag−Pdの如く
導電性が良好な材料がボビン１に密接するとうず電流損
によるＱの劣化が大きくなるという問題点をも有してい
る。
あるいはAg−Pdとされているため、基板への実装時に半
田による銀くわれが発生し、固着力が劣化する問題点を
有している。この対策としては、AgあるいはAg−Pdをさ
らに厚く付けることが挙げられるが、大幅なコストアッ
プとなり、実際的ではない。しかも、Ag,Ag−Pdの如く
導電性が良好な材料がボビン１に密接するとうず電流損
によるＱの劣化が大きくなるという問題点をも有してい
る。
後者の電極構造においては、Agの厚膜焼付け電極層31
上にNiメッキ層32が施されているため、銀くわれは大幅
に防止されるが、第１層がAg層であること、第２層のNi
メッキ層は強磁性体で導電性が良好であること、電解メ
ッキにはバレルメッキ方式を用いることからメッキ厚の
ばらつきが大きく希望のメッキ厚を得るにはかなり厚め
となることより、コイルのＱが大幅に劣化するという問
題点は何ら解消されていない。
上にNiメッキ層32が施されているため、銀くわれは大幅
に防止されるが、第１層がAg層であること、第２層のNi
メッキ層は強磁性体で導電性が良好であること、電解メ
ッキにはバレルメッキ方式を用いることからメッキ厚の
ばらつきが大きく希望のメッキ厚を得るにはかなり厚め
となることより、コイルのＱが大幅に劣化するという問
題点は何ら解消されていない。
そこで、本発明の課題は、銀くわれが生じることな
く、ボビンの固着力が高く、半田付け性が良好で、Ｑの
劣化のない電極層構造を備えたチップコイルを提供する
ことにある。
く、ボビンの固着力が高く、半田付け性が良好で、Ｑの
劣化のない電極層構造を備えたチップコイルを提供する
ことにある。
課題を解決するための手段と作用 以上の課題を解決するため、本発明に係るチップコイ
ルは、電極が、 （ａ）ボビン素地との密着性が良好で、非磁性かつ高抵
抗の第１層と、 （ｂ）半田耐熱性が良好な、非磁性かつ高抵抗のNi−Cu
の薄膜層からなる第２層と、 （ｃ）導電性及び半田付け性が良好な第３層と、 から構成されていることを特徴とする。
ルは、電極が、 （ａ）ボビン素地との密着性が良好で、非磁性かつ高抵
抗の第１層と、 （ｂ）半田耐熱性が良好な、非磁性かつ高抵抗のNi−Cu
の薄膜層からなる第２層と、 （ｃ）導電性及び半田付け性が良好な第３層と、 から構成されていることを特徴とする。
以上の電極層構造によれば、第１層によってボビンへ
の固着力が高められ、Ni−Cuの薄膜層からなる第２層に
よって半田耐熱性が向上し、第３層によって導電性及び
半田付け性が確保される。しかも、導電性の良好な材料
は第３層としてボビン表面から極力離して設置されてお
り、うず電流損によるＱの劣化が抑えられる。
の固着力が高められ、Ni−Cuの薄膜層からなる第２層に
よって半田耐熱性が向上し、第３層によって導電性及び
半田付け性が確保される。しかも、導電性の良好な材料
は第３層としてボビン表面から極力離して設置されてお
り、うず電流損によるＱの劣化が抑えられる。
具体的には、第１層としては、Ni−Crの薄膜層とする
ことでボビンへの高い固着力が得られ、半田耐熱性が大
きく、非磁性、高抵抗であることによってＱの劣化も大
きく減少する。Ni−Cuの薄膜層からなる第２層は、半田
耐熱性が大きく、Ｑの劣化もなくなる。第３層として
は、Ag,Cu又はSnの薄膜層とすることで導電性、半田付
け性が確保され、ボビン表面から離れることでうず電流
損も少なくなる。
ことでボビンへの高い固着力が得られ、半田耐熱性が大
きく、非磁性、高抵抗であることによってＱの劣化も大
きく減少する。Ni−Cuの薄膜層からなる第２層は、半田
耐熱性が大きく、Ｑの劣化もなくなる。第３層として
は、Ag,Cu又はSnの薄膜層とすることで導電性、半田付
け性が確保され、ボビン表面から離れることでうず電流
損も少なくなる。
また、前記各薄膜層をスパッタリング法にて形成すれ
ば１工程で安価に形成でき、他には蒸着法、イオンプレ
ーティング法、プラズマCVD法、放電溶着法による乾式
メッキ法で形成可能である。
ば１工程で安価に形成でき、他には蒸着法、イオンプレ
ーティング法、プラズマCVD法、放電溶着法による乾式
メッキ法で形成可能である。
実施例 以下、本発明に係るチップコイルの一実施例を添付図
面に従って説明する。
面に従って説明する。
第１図は本発明の一実施例であるチップコイルの電極
部分を示し、電極10はフェライト製ボビン１の下鍔部２
に、従来と同様の位置に、即ち側面から底面にかけて形
成されている。電極10は内側（ボビン素地に近い方）か
ら、第１層11、第２層12、第３層13とされ、第１層11は
Ni−Crの薄膜層、第２層12はNi−Cuからなる薄膜層、第
３層13はAg,Cu又はSnからなる薄膜層である。各薄膜層1
1,12,13の膜厚はそれぞれ３μｍ以下が好ましく、乾式
メッキ法、とりわけスパッタリング法で形成することが
好ましい。
部分を示し、電極10はフェライト製ボビン１の下鍔部２
に、従来と同様の位置に、即ち側面から底面にかけて形
成されている。電極10は内側（ボビン素地に近い方）か
ら、第１層11、第２層12、第３層13とされ、第１層11は
Ni−Crの薄膜層、第２層12はNi−Cuからなる薄膜層、第
３層13はAg,Cu又はSnからなる薄膜層である。各薄膜層1
1,12,13の膜厚はそれぞれ３μｍ以下が好ましく、乾式
メッキ法、とりわけスパッタリング法で形成することが
好ましい。
スパッタリング法によれば、多ターゲット・スパッタ
リング装置を用い、電極10以外の不要部分をマスキング
し、まずNi−Cr、次にNi−Cu、さらにAg,Cu又はSnを順
次スパッタリングする。これによって、各薄膜層11,12,
13が所定の形状及び膜厚に精度良く形成される。特に、
膜厚を必要最小限に薄くでき、導電性の良好な第３層13
が外側に位置し、ボビン表面に近い第１層11、第２層12
は非磁性、高抵抗であることから、うず電流損が極めて
小さくＱの劣化がない。
リング装置を用い、電極10以外の不要部分をマスキング
し、まずNi−Cr、次にNi−Cu、さらにAg,Cu又はSnを順
次スパッタリングする。これによって、各薄膜層11,12,
13が所定の形状及び膜厚に精度良く形成される。特に、
膜厚を必要最小限に薄くでき、導電性の良好な第３層13
が外側に位置し、ボビン表面に近い第１層11、第２層12
は非磁性、高抵抗であることから、うず電流損が極めて
小さくＱの劣化がない。
また、第１層11を構成するNi−Crはフェライト素地と
の密着力が高く、半田耐熱性、非磁性、高抵抗という観
点から約３〜25wt％のCrを含有するNi−Cr合金が最適で
ある。第２層12を構成するNi−Cuは半田耐熱性及びＱの
劣化を少なくするという観点から選択され、Ｑに関して
は約20〜90％のCuを含有するNi−Cu合金を用いることが
好ましい。第３層13を構成するAg,Cu,Snは専らコイル端
末5aとの電気的接続を図るために高導電性、高半田付け
性の材料として選択された。
の密着力が高く、半田耐熱性、非磁性、高抵抗という観
点から約３〜25wt％のCrを含有するNi−Cr合金が最適で
ある。第２層12を構成するNi−Cuは半田耐熱性及びＱの
劣化を少なくするという観点から選択され、Ｑに関して
は約20〜90％のCuを含有するNi−Cu合金を用いることが
好ましい。第３層13を構成するAg,Cu,Snは専らコイル端
末5aとの電気的接続を図るために高導電性、高半田付け
性の材料として選択された。
以上の構成からなる電極10上には、コイル端末5aが半
田付けられると共に、半田層14にて全体的にコーティン
グされ、この状態で基板（図示せず）上に半田付けにて
実装される。
田付けられると共に、半田層14にて全体的にコーティン
グされ、この状態で基板（図示せず）上に半田付けにて
実装される。
発明の効果 以上の説明で明らかな様に、本発明によれば、内側の
第１層にボビン素地との密着性が良好で非磁性かつ高抵
抗の材料を設けたため、ボビンへの固着力が高く、うず
電流損によるＱの劣化を低く抑えることができる、ま
た、第２層に半田耐熱性が良好な、非磁性かつ高抵抗の
Ni−Cuの薄膜層を、第３層に導電性及び半田付け性が良
好な電極材料を設けたため、コイル端末との電気的接続
が十分に確保される。
第１層にボビン素地との密着性が良好で非磁性かつ高抵
抗の材料を設けたため、ボビンへの固着力が高く、うず
電流損によるＱの劣化を低く抑えることができる、ま
た、第２層に半田耐熱性が良好な、非磁性かつ高抵抗の
Ni−Cuの薄膜層を、第３層に導電性及び半田付け性が良
好な電極材料を設けたため、コイル端末との電気的接続
が十分に確保される。
特に、各材料をスパッタリング法等の乾式メッキ法で
薄膜に形成すれば、安価に付くと共にＱもより向上す
る。
薄膜に形成すれば、安価に付くと共にＱもより向上す
る。
第１図は本発明に係るチップコイルの一実施例の要部を
示す拡大断面図である。第２図は従来のチップコイルの
部分断面図、第３図はその電極の拡大断面図、第４図は
従来の他の電極の拡大断面図である。 ２……下鍔部、5a……コイル端末、10……電極、11……
第１薄膜層、12……第２薄膜層、13……第３薄膜層、14
……半田層。
示す拡大断面図である。第２図は従来のチップコイルの
部分断面図、第３図はその電極の拡大断面図、第４図は
従来の他の電極の拡大断面図である。 ２……下鍔部、5a……コイル端末、10……電極、11……
第１薄膜層、12……第２薄膜層、13……第３薄膜層、14
……半田層。
Claims (3)
- 【請求項１】磁性体からなるボビンにコイル線材を巻回
し、コイルの端末をボビンの鍔部に設けた電極に半田付
けしたチップコイルにおいて、 前記電極が、ボビン素地との密着性が良好で、非磁性か
つ高抵抗の第１層と、半田耐熱性が良好な、非磁性かつ
高抵抗のNi−Cuの薄膜層からなる第２層と、導電性及び
半田付け性が良好な第３層とから構成され、前記第１
層、第２層及び第３層が薄膜形成法にて形成されている
ことを特徴とするチップコイル。 - 【請求項２】第１層がNi−Crの薄膜層、第３層が少なく
ともAgの薄膜層からなることを特徴とする請求項１記載
のチップコイル。 - 【請求項３】第１層、第２層及び第３層がスパッタリン
グにより形成されていることを特徴とする請求項２記載
のチップコイル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1285681A JP2598826B2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | チップコイル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1285681A JP2598826B2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | チップコイル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03145706A JPH03145706A (ja) | 1991-06-20 |
| JP2598826B2 true JP2598826B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=17694671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1285681A Expired - Lifetime JP2598826B2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | チップコイル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2598826B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW373197B (en) | 1997-05-14 | 1999-11-01 | Murata Manufacturing Co | Electronic device having electric wires and the manufacturing method thereof |
| JP6627731B2 (ja) * | 2016-12-01 | 2020-01-08 | 株式会社村田製作所 | 巻線型コイル部品及び巻線型コイル部品の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63220506A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Murata Mfg Co Ltd | チツプ型インダクタ |
-
1989
- 1989-10-31 JP JP1285681A patent/JP2598826B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03145706A (ja) | 1991-06-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109 Year of fee payment: 12 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100109 Year of fee payment: 13 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |