JPS63220506A - チツプ型インダクタ - Google Patents
チツプ型インダクタInfo
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- JPS63220506A JPS63220506A JP62053657A JP5365787A JPS63220506A JP S63220506 A JPS63220506 A JP S63220506A JP 62053657 A JP62053657 A JP 62053657A JP 5365787 A JP5365787 A JP 5365787A JP S63220506 A JPS63220506 A JP S63220506A
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- Japan
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- alloy
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- inductor
- terminal electrodes
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Links
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- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
- H01F27/292—Surface mounted devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、磁芯の表面上に端子電極を形成したチップ
型インダクタに関する。
型インダクタに関する。
第５図は、従来のチップ型インダクタの一例を示す斜視
図である。巻線部２ａの上下両側にフランジ部２ｂ、２
ｃを有しフェライト等から成る磁芯（コア）２の当該巻
線部２ａに巻線４を巻き、下側のフランジ部２Ｃの左右
両端部付近の表面上に、当該インダクタをプリント基板
等に実装するための一対の端子電極６ａ、６ｂを形成し
、巻線４の両端部を両端子電極６ａ、６ｂに半田等（図
示省略）で電気的に接続している。
図である。巻線部２ａの上下両側にフランジ部２ｂ、２
ｃを有しフェライト等から成る磁芯（コア）２の当該巻
線部２ａに巻線４を巻き、下側のフランジ部２Ｃの左右
両端部付近の表面上に、当該インダクタをプリント基板
等に実装するための一対の端子電極６ａ、６ｂを形成し
、巻線４の両端部を両端子電極６ａ、６ｂに半田等（図
示省略）で電気的に接続している。
」：記端子電極６ａ、６ｂには、従来、半田くわれ（即
ち半田によって電極材が食われて痩せること）に対処す
るために、銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）が用いられて
いたが、パラジウムの含有量を増やせば半田くわれを減
少させることができるものの、半田付着性が低下し、し
かもパラジウムは高価である等のため、他の安価な金属
への代替が求められていた。
ち半田によって電極材が食われて痩せること）に対処す
るために、銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）が用いられて
いたが、パラジウムの含有量を増やせば半田くわれを減
少させることができるものの、半田付着性が低下し、し
かもパラジウムは高価である等のため、他の安価な金属
への代替が求められていた。
その一方策として、半田くわれ防止に最も効果的であり
しかも安価なたとえばニッケルを端子電極６ａ、６ｂに
用いることが考えられるが、ニッケルは比抵抗が小さく
しかも透磁率が大きいため、上記のような端子電極６ａ
、６ｂに使用すると、そこにおけるうず電流積によるイ
ンダクタのＱ劣化が大きいという問題がある。
しかも安価なたとえばニッケルを端子電極６ａ、６ｂに
用いることが考えられるが、ニッケルは比抵抗が小さく
しかも透磁率が大きいため、上記のような端子電極６ａ
、６ｂに使用すると、そこにおけるうず電流積によるイ
ンダクタのＱ劣化が大きいという問題がある。
即ち、巻＆１４に生じる磁束は必然的に端子電極６ａ、
６ｂをも通ることになり、この時に端子電極６ａ、６ｂ
内にうず電流が流れる。このうず電流ｉは一般的に、ｒ
ｏｔ、 ｉ ＝ −ｋ （ｄＢ／ｄｔ）で表すことがで
き、ｋは導電率で比抵抗の逆数、Ｂは磁束密度である。
６ｂをも通ることになり、この時に端子電極６ａ、６ｂ
内にうず電流が流れる。このうず電流ｉは一般的に、ｒ
ｏｔ、 ｉ ＝ −ｋ （ｄＢ／ｄｔ）で表すことがで
き、ｋは導電率で比抵抗の逆数、Ｂは磁束密度である。
この場合、端子電極６ａ、６ｂの透磁率が大きいとより
多くの磁束がそこを通るようになるため磁束密度Ｂが大
きくなり、また比抵抗が小さいと導電率ｋが大きくなる
ため、うず電流ｉも大きくなり、これによるエネルギー
損がインダクタの大きなＱ劣化として表れる。
多くの磁束がそこを通るようになるため磁束密度Ｂが大
きくなり、また比抵抗が小さいと導電率ｋが大きくなる
ため、うず電流ｉも大きくなり、これによるエネルギー
損がインダクタの大きなＱ劣化として表れる。
そこでこの発明は、ニッケルの耐半田くわれ性を生かし
つつインダクタのＱ劣化を防止できる材料から成る端子
電極を有づるチップ型インダクタを提供することを目的
とする。
つつインダクタのＱ劣化を防止できる材料から成る端子
電極を有づるチップ型インダクタを提供することを目的
とする。
この発明のデツプ型インダクタは、前述１７たような端
子電極が透磁率の小さいニッケル合金、例えばニッケル
クロム合金やニッケルリン合金から成ることを特徴とす
る。
子電極が透磁率の小さいニッケル合金、例えばニッケル
クロム合金やニッケルリン合金から成ることを特徴とす
る。
ニッケルクロム合金１、−ソケルリン合金などのニッケ
ル合金は、いずれもニッケル系であるため、半田くわれ
が少ない。しかもニッケルそのものよりも比抵抗が大き
くかつ透磁率が極端に小さいため、端子電極におけるう
ず電流積が小さくなり、その結果インダクタのＱ劣化４
）防止される。
ル合金は、いずれもニッケル系であるため、半田くわれ
が少ない。しかもニッケルそのものよりも比抵抗が大き
くかつ透磁率が極端に小さいため、端子電極におけるう
ず電流積が小さくなり、その結果インダクタのＱ劣化４
）防止される。
［実施例］
第１図は、この発明の一実施例に係るチップ型インダク
タを示す縦断面図である。第５図と同等部分には同一・
符号を何し、以下においては従来例との相違点を主に説
明する。
タを示す縦断面図である。第５図と同等部分には同一・
符号を何し、以下においては従来例との相違点を主に説
明する。
この実施例においては、磁芯２のフランジ部２Ｃの表面
上に、前述したような銀−パラジウムから成る端子電極
６ａ、６ｂの代わりに、例えば無電解メッキ等によって
、ニッケルクロム（Ｎｊ −Ｃｒ）合金またはニッケル
リン（Ｎｉ−Ｐ）合金などのニッケル合金から成る端子
電極１６ａ、１６ｂを形成している。
上に、前述したような銀−パラジウムから成る端子電極
６ａ、６ｂの代わりに、例えば無電解メッキ等によって
、ニッケルクロム（Ｎｊ −Ｃｒ）合金またはニッケル
リン（Ｎｉ−Ｐ）合金などのニッケル合金から成る端子
電極１６ａ、１６ｂを形成している。
ニッケルクロム合金、ニッケルリン合金などのニッケル
合金は、いずれもニッケル系であるため、半田くわれが
少ない。しかもニッケルそのものよりも比抵抗が大きく
かつ透磁率が極端に小さいため、端子電極１６ａ、１６
ｂにおけるうず電流積が小さくなり、その結果当該チッ
プ型インダクタのＱ劣化も防１１−される。また、従来
の銀−パラジウム電極は一般的にペーストの焼付けによ
って形成されるのに対して、上記のような合金電極はメ
ッキ等で形成することができるため薄膜化が可能であり
、それによってうず電流を一層小さくしてインダクタの
Ｑ劣化を一層防止することができるという利点もある。
合金は、いずれもニッケル系であるため、半田くわれが
少ない。しかもニッケルそのものよりも比抵抗が大きく
かつ透磁率が極端に小さいため、端子電極１６ａ、１６
ｂにおけるうず電流積が小さくなり、その結果当該チッ
プ型インダクタのＱ劣化も防１１−される。また、従来
の銀−パラジウム電極は一般的にペーストの焼付けによ
って形成されるのに対して、上記のような合金電極はメ
ッキ等で形成することができるため薄膜化が可能であり
、それによってうず電流を一層小さくしてインダクタの
Ｑ劣化を一層防止することができるという利点もある。
端子電極の材質の違いによるインダクタのＱ劣化の違い
の一例を第２図に示す。このグラフは、インダクタのＱ
値を端子電極形成前のものを１００とした指数で表した
ものであり、端子電極の膜厚は、Ａｇ−Ｐｄの場合はペ
ーストの焼付けのため１０μｍ以上とし、それ以外のも
のはメッキにより２μｍ程度とした。グラフに示すよう
に、端子電極形成後のＱ劣化は、この実施例のようにＮ
１−ＰまたはＮｉ−Ｃｒを用いた場合は、Ｎｉを用いた
場合よりも溝かに小さく、しかも従来のＡｇ−Ｐｄを用
いた場合よりも更に小さくなることが分かる。
の一例を第２図に示す。このグラフは、インダクタのＱ
値を端子電極形成前のものを１００とした指数で表した
ものであり、端子電極の膜厚は、Ａｇ−Ｐｄの場合はペ
ーストの焼付けのため１０μｍ以上とし、それ以外のも
のはメッキにより２μｍ程度とした。グラフに示すよう
に、端子電極形成後のＱ劣化は、この実施例のようにＮ
１−ＰまたはＮｉ−Ｃｒを用いた場合は、Ｎｉを用いた
場合よりも溝かに小さく、しかも従来のＡｇ−Ｐｄを用
いた場合よりも更に小さくなることが分かる。
ところで、端子電極１．６ ａ、１．６ ｂでのＱ劣化
を防止することによって、さらに他の材料を多層化して
電極とする場合、この材料の金属メッキ等によるＱ劣化
が幾分（例えば端子電極１６ａ、１６ｂでのＱ劣化を抑
えた程度まで）許容されるようになるため、端子電極１
６ａ、１６ｂにさらに種々の材料の金属メッキを施すこ
と等も可能となる。
を防止することによって、さらに他の材料を多層化して
電極とする場合、この材料の金属メッキ等によるＱ劣化
が幾分（例えば端子電極１６ａ、１６ｂでのＱ劣化を抑
えた程度まで）許容されるようになるため、端子電極１
６ａ、１６ｂにさらに種々の材料の金属メッキを施すこ
と等も可能となる。
例えば、第３図の実施例は、端子電極１６ａ、１６ｂの
表面にスズ、半田等の半田付は性の良好な金属１８を電
解メッキ等によってメッキしたものであり、これによっ
て端子電極１６ａ、１６ｂに対する半田付は性が一層良
くなる。また第４図の実施例は、更に、端子電極１６ａ
、１６ｂ（！：磁芯２との間に、チタン等のようにフェ
ライト等から成る磁芯２との密着性の良い金属層２０を
スパッタリング等によって形成したものであり、これに
よって端子電極１６ａ、１６ｂの耐剥離性が一層向上す
る。
表面にスズ、半田等の半田付は性の良好な金属１８を電
解メッキ等によってメッキしたものであり、これによっ
て端子電極１６ａ、１６ｂに対する半田付は性が一層良
くなる。また第４図の実施例は、更に、端子電極１６ａ
、１６ｂ（！：磁芯２との間に、チタン等のようにフェ
ライト等から成る磁芯２との密着性の良い金属層２０を
スパッタリング等によって形成したものであり、これに
よって端子電極１６ａ、１６ｂの耐剥離性が一層向上す
る。
尚、上記のような端子電極は、磁芯の表面上にそれを形
成する場合の全てに有効であり、磁芯の形状は必ずしも
図示例のようなものに限定されるものではなく任意であ
る。従って例えば、つぼ型コア等においても上記と同様
の効果が得られる。
成する場合の全てに有効であり、磁芯の形状は必ずしも
図示例のようなものに限定されるものではなく任意であ
る。従って例えば、つぼ型コア等においても上記と同様
の効果が得られる。
（発明の効果〕
以上のようにこの発明に係るチップ型インダクタによれ
ば、端子電極の半田くわれを小さくすることができると
共に、当該インダクタのＱ劣化を防止することができる
。
ば、端子電極の半田くわれを小さくすることができると
共に、当該インダクタのＱ劣化を防止することができる
。
第１図は、この発明の一実施例に係るチップ型インダク
タを示す縦断面図である。第２図は、端子電極の材質の
違いによるインダクタのＱ劣化の違いの一例を示すグラ
フである。第３図および第４図は、それぞれ、この発明
の他の実施例に係るチップ型インダクタを示す縦断面図
である。第５図は、従来のチップ型インダクタの一例を
示す斜視図である。 ２・・・磁芯、４・・・巻線、１６ａ、１６ｂ・・・端
子電極、１８・・・メッキされた金属、２０・・・金属
層。
タを示す縦断面図である。第２図は、端子電極の材質の
違いによるインダクタのＱ劣化の違いの一例を示すグラ
フである。第３図および第４図は、それぞれ、この発明
の他の実施例に係るチップ型インダクタを示す縦断面図
である。第５図は、従来のチップ型インダクタの一例を
示す斜視図である。 ２・・・磁芯、４・・・巻線、１６ａ、１６ｂ・・・端
子電極、１８・・・メッキされた金属、２０・・・金属
層。
Claims (4)
- （１）磁芯の表面上に端子電極を形成したチップ型イン
ダクタにおいて、当該端子電極がニッケル合金から成る
ことを特徴とするチップ型インダクタ。 - （２）前記ニッケル合金がニッケルクロム合金またはニ
ッケルリン合金である特許請求の範囲第１項記載のチッ
プ型インダクタ。 - （３）前記端子電極の表面に金属メッキが施されている
特許請求の範囲第１項または第２項記載のチップ型イン
ダクタ。 - （４）前記端子電極と磁芯との間に金属層が形成されて
いる特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記
載のチップ型インダクタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62053657A JPS63220506A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | チツプ型インダクタ |
| US07/165,763 US4797648A (en) | 1987-03-09 | 1988-03-09 | Chip inductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62053657A JPS63220506A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | チツプ型インダクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63220506A true JPS63220506A (ja) | 1988-09-13 |
| JPH0525368B2 JPH0525368B2 (ja) | 1993-04-12 |
Family
ID=12948930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62053657A Granted JPS63220506A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | チツプ型インダクタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4797648A (ja) |
| JP (1) | JPS63220506A (ja) |
Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0276812U (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-13 | ||
| JPH03145706A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-20 | Murata Mfg Co Ltd | チップコイル |
| JPH04277607A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-02 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| US6578253B1 (en) * | 1991-10-04 | 2003-06-17 | Fmtt, Inc. | Transformer and inductor modules having directly bonded terminals and heat-sink fins |
| US20170178777A1 (en) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
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| DE19710462C2 (de) * | 1997-03-13 | 1999-05-20 | Siemens Matsushita Components | Elektrisches Bauelement, insbesondere Chipinduktivität |
| JP2001052937A (ja) * | 1999-08-13 | 2001-02-23 | Murata Mfg Co Ltd | インダクタ及びその製造方法 |
| JP3617426B2 (ja) * | 1999-09-16 | 2005-02-02 | 株式会社村田製作所 | インダクタ及びその製造方法 |
| US6856228B2 (en) | 1999-11-23 | 2005-02-15 | Intel Corporation | Integrated inductor |
| US6452247B1 (en) * | 1999-11-23 | 2002-09-17 | Intel Corporation | Inductor for integrated circuit |
| US6815220B2 (en) * | 1999-11-23 | 2004-11-09 | Intel Corporation | Magnetic layer processing |
| US6870456B2 (en) * | 1999-11-23 | 2005-03-22 | Intel Corporation | Integrated transformer |
| US6891461B2 (en) | 1999-11-23 | 2005-05-10 | Intel Corporation | Integrated transformer |
| US7852185B2 (en) * | 2003-05-05 | 2010-12-14 | Intel Corporation | On-die micro-transformer structures with magnetic materials |
| JP2005327876A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Tdk Corp | コイル部品及びその製造方法 |
| US8134548B2 (en) | 2005-06-30 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | DC-DC converter switching transistor current measurement technique |
| JP5336543B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2013-11-06 | 太陽誘電株式会社 | コイル部品 |
| JP7010159B2 (ja) * | 2018-07-02 | 2022-01-26 | 株式会社村田製作所 | コイル部品 |
| JP7120194B2 (ja) * | 2019-09-30 | 2022-08-17 | 株式会社村田製作所 | コイル部品およびドラム状コア |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3413711A (en) * | 1966-09-07 | 1968-12-03 | Western Electric Co | Method of making palladium copper contact for soldering |
| US3812442A (en) * | 1972-02-29 | 1974-05-21 | W Muckelroy | Ceramic inductor |
-
1987
- 1987-03-09 JP JP62053657A patent/JPS63220506A/ja active Granted
-
1988
- 1988-03-09 US US07/165,763 patent/US4797648A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0276812U (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-13 | ||
| JPH03145706A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-20 | Murata Mfg Co Ltd | チップコイル |
| JPH04277607A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-02 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| US6578253B1 (en) * | 1991-10-04 | 2003-06-17 | Fmtt, Inc. | Transformer and inductor modules having directly bonded terminals and heat-sink fins |
| US20170178777A1 (en) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
| US10319503B2 (en) * | 2015-12-16 | 2019-06-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4797648A (en) | 1989-01-10 |
| JPH0525368B2 (ja) | 1993-04-12 |
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|---|---|---|
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