JPS60195916A - 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 - Google Patents
積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法Info
- Publication number
- JPS60195916A JPS60195916A JP5258384A JP5258384A JPS60195916A JP S60195916 A JPS60195916 A JP S60195916A JP 5258384 A JP5258384 A JP 5258384A JP 5258384 A JP5258384 A JP 5258384A JP S60195916 A JPS60195916 A JP S60195916A
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- electrode layer
- multilayer ceramic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は積層セラミックコンデンサの端子電極形成方法
に関するものである０ 従来例の構成とその問題点 積層セラミックコンデン讐は第１図に示すように、セラ
ミック誘電体１と内部電極２と端子電極３とから構成さ
れる。端子電極３は内部電極企と接続することにより、
対向する内部電極２により構成された個々のコンデンサ
要素を、並列に接続する機能及び回路基板に接続する時
の端子としての機能の二つの機能が要求される。従来の
端子電−について第２図を用いて説明する。
に関するものである０ 従来例の構成とその問題点 積層セラミックコンデン讐は第１図に示すように、セラ
ミック誘電体１と内部電極２と端子電極３とから構成さ
れる。端子電極３は内部電極企と接続することにより、
対向する内部電極２により構成された個々のコンデンサ
要素を、並列に接続する機能及び回路基板に接続する時
の端子としての機能の二つの機能が要求される。従来の
端子電−について第２図を用いて説明する。
従来の電極形・成力法は、第１電極層４にセラきツクと
の接着強度の強いＣｒまたはＮ１−Ｊｒ金合金蒸着また
はスパッタリングにて形成した後、第２電極層６として
Ｎｉ、Ｎｉ−０ｕ合金を蒸着、スパッタリング、メッキ
等によって形成するものでちった０しかるに、従来の方
法では、最外殻層が、Ｎ１また “パはＣｕ−Ｎｉ合金
であるため、半田濡れ性が十分でなく、特に長時間放置
した後の半田濡れ性は極めて悪く、十分に実用に耐え得
るものではないという大き々欠点を有していた。
の接着強度の強いＣｒまたはＮ１−Ｊｒ金合金蒸着また
はスパッタリングにて形成した後、第２電極層６として
Ｎｉ、Ｎｉ−０ｕ合金を蒸着、スパッタリング、メッキ
等によって形成するものでちった０しかるに、従来の方
法では、最外殻層が、Ｎ１また “パはＣｕ−Ｎｉ合金
であるため、半田濡れ性が十分でなく、特に長時間放置
した後の半田濡れ性は極めて悪く、十分に実用に耐え得
るものではないという大き々欠点を有していた。
発明の目的
本発明の目的は、このような従来の問題点に鑑み１．初
期は勿論、長時間放置後でも半田濡れ性が良く、十分実
用に耐え得る積層セラミックコンデンサの端子電極形成
方法を提供することにある。
期は勿論、長時間放置後でも半田濡れ性が良く、十分実
用に耐え得る積層セラミックコンデンサの端子電極形成
方法を提供することにある。
発明の構成
この目的を達成するために本発明の積層セラミックコン
デンサの針電極形成方法は、積層セラミックコンデンサ
の内部電極引出し部にスパッタリング法により、Ｃｒの
第１電極層を形成し、この上にスパッタリング法により
０ｒ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金またはＣｕの第２電極
層を形成した後、この上に電解メッキまたは無電解メッ
キ法によりＳｎまたＦｉｓｎ−Ｐｂ合金の第３電極層を
形成するものである。
デンサの針電極形成方法は、積層セラミックコンデンサ
の内部電極引出し部にスパッタリング法により、Ｃｒの
第１電極層を形成し、この上にスパッタリング法により
０ｒ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金またはＣｕの第２電極
層を形成した後、この上に電解メッキまたは無電解メッ
キ法によりＳｎまたＦｉｓｎ−Ｐｂ合金の第３電極層を
形成するものである。
これＫよりセラミックとの接着力が強く、半田耐熱性に
優れ、さらに長時間放置後における半田濡れ性の優れた
端子電極形成が可能となる。
優れ、さらに長時間放置後における半田濡れ性の優れた
端子電極形成が可能となる。
ここで、各金属層の役割について述べる。第１電極層の
ＣｊｒＶｉ主として、セラミックに対する接着強度を確
保する役割を有し、第２電極層の０ｒ−Ｎｉ合金、Ｃｕ
−Ｎｉ合金またＦｉＣｕＦｉ端子電極全体の導電性を良
くすると同時に、端子電極の半田による喰れ防止、つま
り半田耐熱性の確保の役割を持ち、第３電極層は主とし
て端子電極全体の導電性を良くすると同時に、半田濡れ
性を確保する役割を持つ０ 実施例の説明 次に、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。焼成
して各エツジの面取りをした積層セラミックコンデンサ
素子を任意の方法にて洗浄し、コンデンサ素子表面の油
脂分、その他不浄な付着物を除去した。次に、第３図に
示す素子ホルダー６にコンデンサ素子１１を装着し、第
４図に示すスパッタリング装置内の陽極γ上に素子ホル
ダー６を配置した。次に、真空槽８内の１Ｘ１０ Ｔｏ
ｒｒ、アルゴンガス雰囲気中で、陽極と蒸発源９（金属
ターゲット）との間に２ＫＷの直流を印加した。
ＣｊｒＶｉ主として、セラミックに対する接着強度を確
保する役割を有し、第２電極層の０ｒ−Ｎｉ合金、Ｃｕ
−Ｎｉ合金またＦｉＣｕＦｉ端子電極全体の導電性を良
くすると同時に、端子電極の半田による喰れ防止、つま
り半田耐熱性の確保の役割を持ち、第３電極層は主とし
て端子電極全体の導電性を良くすると同時に、半田濡れ
性を確保する役割を持つ０ 実施例の説明 次に、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。焼成
して各エツジの面取りをした積層セラミックコンデンサ
素子を任意の方法にて洗浄し、コンデンサ素子表面の油
脂分、その他不浄な付着物を除去した。次に、第３図に
示す素子ホルダー６にコンデンサ素子１１を装着し、第
４図に示すスパッタリング装置内の陽極γ上に素子ホル
ダー６を配置した。次に、真空槽８内の１Ｘ１０ Ｔｏ
ｒｒ、アルゴンガス雰囲気中で、陽極と蒸発源９（金属
ターゲット）との間に２ＫＷの直流を印加した。
ターゲットにはＯｒと０ｕ−Ｎｉ合金を用い積層セラミ
ックコンデンサ素子１１０片方の端子電極引出し部にｃ
ｒにて膜厚０．１〜０．２ｐｍの第１電極層を形成し、
その上にＣｕ ：Ｎ１＝３０ ： ７０のＣｕ−Ｎｉ合
金にて膜厚０．３〜０．５ ｆｉｒｎの第２電極層を形
成した。次に、他方の端子電極を形成するため、積層セ
ラミックコンデンサ素子１１を素子ホルダー６に逆に装
着して、前記操作を繰り返した。なお、スパッタリング
中の積層セラミックコンデンサ素子１１の加温Ｆｉ１５
０〜２ｏＯ′Ｃで行った０次に電解メッキ法により、第
２電極層上に２〜３）１ｍの５ｎ−Ｐｂ合金層を形成し
た。第６図に本発明によって端子電極を形成した積層セ
ラミックコンデンサの断面図を示す。ここで１２ＵＣｒ
の第１電極層、１３はＣｕ−Ｎｉ合金の第２電極層、１
４は８ｎ−Ｐｂ合金属である。
ックコンデンサ素子１１０片方の端子電極引出し部にｃ
ｒにて膜厚０．１〜０．２ｐｍの第１電極層を形成し、
その上にＣｕ ：Ｎ１＝３０ ： ７０のＣｕ−Ｎｉ合
金にて膜厚０．３〜０．５ ｆｉｒｎの第２電極層を形
成した。次に、他方の端子電極を形成するため、積層セ
ラミックコンデンサ素子１１を素子ホルダー６に逆に装
着して、前記操作を繰り返した。なお、スパッタリング
中の積層セラミックコンデンサ素子１１の加温Ｆｉ１５
０〜２ｏＯ′Ｃで行った０次に電解メッキ法により、第
２電極層上に２〜３）１ｍの５ｎ−Ｐｂ合金層を形成し
た。第６図に本発明によって端子電極を形成した積層セ
ラミックコンデンサの断面図を示す。ここで１２ＵＣｒ
の第１電極層、１３はＣｕ−Ｎｉ合金の第２電極層、１
４は８ｎ−Ｐｂ合金属である。
以上のように、本実施例によれば、第１電極層にｃｒ、
第２電極層にＣｕ−Ｎｉ合金、第３電極層に５ｎ−Ｐｂ
合金を用いているため、セラミックとの接着力が強く、
半田耐熱性に優れ、電導度が良く半田濡れ性の優れた端
子電極形成が可能となったＯなお、本実施例では第２電
極層にＣｕ ＨＮｉ＝３０ ニア０の０ｕ−Ｎｉ合金を
用いたが、上述以外の組成のＣｕ −Ｎ１合金や０ｒ−
Ｎｉ合金捷たはＣｕを用いることも可能であり、さらに
は、本実施例では第３電極層に５ｎ−Ｐｂを用いたが、
Ｓｎを用いることも可能であることは実験的罠明確罠な
っていも 筐だ実施例中の膜厚等具体的数値は一つの実施例にすぎ
ず、これに限定されるものではない。第６図に本発明に
なる端子電極の半田濡れ性加速劣化試験を従来例と比較
して示す。
第２電極層にＣｕ−Ｎｉ合金、第３電極層に５ｎ−Ｐｂ
合金を用いているため、セラミックとの接着力が強く、
半田耐熱性に優れ、電導度が良く半田濡れ性の優れた端
子電極形成が可能となったＯなお、本実施例では第２電
極層にＣｕ ＨＮｉ＝３０ ニア０の０ｕ−Ｎｉ合金を
用いたが、上述以外の組成のＣｕ −Ｎ１合金や０ｒ−
Ｎｉ合金捷たはＣｕを用いることも可能であり、さらに
は、本実施例では第３電極層に５ｎ−Ｐｂを用いたが、
Ｓｎを用いることも可能であることは実験的罠明確罠な
っていも 筐だ実施例中の膜厚等具体的数値は一つの実施例にすぎ
ず、これに限定されるものではない。第６図に本発明に
なる端子電極の半田濡れ性加速劣化試験を従来例と比較
して示す。
なお、ここに用いた半田濡れ性の評価は、日本電子機械
工業会規格Ｒｅ−３６９８Ｂに準拠した。
工業会規格Ｒｅ−３６９８Ｂに準拠した。
ただし、半田にはＪ ＩＳＺ ３２８２のＨ８３Ａを使
用した。また、加速劣化試験としては６０’Ｃ。
用した。また、加速劣化試験としては６０’Ｃ。
９０〜９６％ＲＨの雰囲気中に放置する方法を採用した
０供試サンプル数は各１０個、図には半田で覆われた面
積の全電極面積に対する比を半田濡れ面積比として、そ
の平均値を示した０内図において、１６は従来の方法に
よるもの、１６は本発明による端子電極の半田濡れ性の
劣化曲線である。
０供試サンプル数は各１０個、図には半田で覆われた面
積の全電極面積に対する比を半田濡れ面積比として、そ
の平均値を示した０内図において、１６は従来の方法に
よるもの、１６は本発明による端子電極の半田濡れ性の
劣化曲線である。
発明の効果
以上のように本発明の積層セラミックコンデンサの端子
電極形成方法によれば、第１電極層にセラミックとの接
着強度の強いＯｒを用い、第２電極層にＣｕ、阻−Ｏｒ
金合金たはＣｕ−Ｎｉ合金のような導電性が良く、半田
耐熱性に優れた金属を用い、第３電極層に導電性が良く
、半田濡れ性の良い８ｎまたは５ｎ−Ｐｂ合金を用いて
いるため、接着強度が強く、半田耐熱に優れ、かつ長時
間放置後でも半田濡れ性の良いという優れた端子電極が
得られ、工業的価値の高い発明である。
電極形成方法によれば、第１電極層にセラミックとの接
着強度の強いＯｒを用い、第２電極層にＣｕ、阻−Ｏｒ
金合金たはＣｕ−Ｎｉ合金のような導電性が良く、半田
耐熱性に優れた金属を用い、第３電極層に導電性が良く
、半田濡れ性の良い８ｎまたは５ｎ−Ｐｂ合金を用いて
いるため、接着強度が強く、半田耐熱に優れ、かつ長時
間放置後でも半田濡れ性の良いという優れた端子電極が
得られ、工業的価値の高い発明である。
第１図は積層セラミックコンデンサの断面図、第２図は
従来の端子電極形成方法による積層セラミックコンデン
サの断面図、第３図ｔｄａ層セラミックコンデンサを装
着する素子ホルダーを示す概略図、第４図はスパッタリ
ング装置の構成を示す概略図、第６図は本発明の方法に
より端子電極を形成した実施例による積層セラミックコ
ンデンサの断面図、第６図は本発明による方法と従来の
方法における半田濡れ性を比較して示す特性図である０ １１・・・・・・積層セラミックコンデンサ素子、１２
・・・・・Ｑｒ電極層、１３・・・・・Ｃｕ−Ｎｉ合金
電極層、１４・・・・・・５ｎ−Ｐｂ合金層。 第１図 第２１！１ 第３図 １ ７ 第５図
従来の端子電極形成方法による積層セラミックコンデン
サの断面図、第３図ｔｄａ層セラミックコンデンサを装
着する素子ホルダーを示す概略図、第４図はスパッタリ
ング装置の構成を示す概略図、第６図は本発明の方法に
より端子電極を形成した実施例による積層セラミックコ
ンデンサの断面図、第６図は本発明による方法と従来の
方法における半田濡れ性を比較して示す特性図である０ １１・・・・・・積層セラミックコンデンサ素子、１２
・・・・・Ｑｒ電極層、１３・・・・・Ｃｕ−Ｎｉ合金
電極層、１４・・・・・・５ｎ−Ｐｂ合金層。 第１図 第２１！１ 第３図 １ ７ 第５図
Claims (1)
- 積層セラミックコンデレサ素子の内部電極引出し部に、
スパッタリング法にｉｉりＣｒｃＤ′第１電極層を形、
成し、この上にスパッタリング法により０ｒ−Ｎ１合金
、０ｕ−Ｎｉ合金またはＯｕの第２電極層を形成した後
、この上に電解メッキまたは熱電解メッキ法によりＳｎ
または８ｎ−”ｐｔｉ□合金の第ｉ電極層を形成するこ
とを特徴とｊる積層セラミックコシデンサの端子電極形
成方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5258384A JPS60195916A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5258384A JPS60195916A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60195916A true JPS60195916A (ja) | 1985-10-04 |
Family
ID=12918815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5258384A Pending JPS60195916A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60195916A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0312422U (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-07 | ||
| JPH06349664A (ja) * | 1993-06-14 | 1994-12-22 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| US10610811B2 (en) | 2015-08-12 | 2020-04-07 | Hydac Filtertechnik Gmbh | Filter device with filter element |
-
1984
- 1984-03-19 JP JP5258384A patent/JPS60195916A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0312422U (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-07 | ||
| JPH0749785Y2 (ja) * | 1989-06-22 | 1995-11-13 | 日本電気株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JPH06349664A (ja) * | 1993-06-14 | 1994-12-22 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| US10610811B2 (en) | 2015-08-12 | 2020-04-07 | Hydac Filtertechnik Gmbh | Filter device with filter element |
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