JPS60195915A - 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 - Google Patents
積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法Info
- Publication number
- JPS60195915A JPS60195915A JP5258284A JP5258284A JPS60195915A JP S60195915 A JPS60195915 A JP S60195915A JP 5258284 A JP5258284 A JP 5258284A JP 5258284 A JP5258284 A JP 5258284A JP S60195915 A JPS60195915 A JP S60195915A
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- JP
- Japan
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- layer
- alloy
- ceramic capacitor
- terminal electrode
- sputtering
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は積層セラミックコンデンサの端子電極形成方法
に関するものである。
に関するものである。
従来例の構成とその梱題点
積層セラミンクコンデンサは、小型で大容量が可能であ
るため、電子機器の小型化とあいまって、近年需要が急
増している。
るため、電子機器の小型化とあいまって、近年需要が急
増している。
積層セラミックコンデンサは第１図に示すように、゛セ
ラミック誘電体１と内部電極２と端子電極３とから構成
される。端子電極３は内部電極２と接続することにより
、対向する内部電極２によシ構成された個々のコンデン
サ要素を、並列に接続するゝ機能及び回路基板に接続す
る時の端子としての機能の二つが要求される。
ラミック誘電体１と内部電極２と端子電極３とから構成
される。端子電極３は内部電極２と接続することにより
、対向する内部電極２によシ構成された個々のコンデン
サ要素を、並列に接続するゝ機能及び回路基板に接続す
る時の端子としての機能の二つが要求される。
従来の端子電極について第２図を用いて説明する。
従来、この種の端子電極形成方法は、第１層４にセラミ
ックとの接着強度の強いＯｒまたはＮｉ −Ｏｒ金合金
蒸着またはスパッタで形成した後、第２層８１Ｃ）ｌｉ
、Ｎ１−（ｉｕ金合金蒸着、スパッタ、メッキ等によ
って形成するものであった。しかるに、従来の方法では
、最外殻層が、Ｎｉ、Ｃｕ−Ｎｉ合金であるため、半田
濡れ性が十分でなく、特に長時間放置後の半田濡れ性は
かなシ悪く、十分に実用に耐えるものではないという大
きな欠点を有していた。
ックとの接着強度の強いＯｒまたはＮｉ −Ｏｒ金合金
蒸着またはスパッタで形成した後、第２層８１Ｃ）ｌｉ
、Ｎ１−（ｉｕ金合金蒸着、スパッタ、メッキ等によ
って形成するものであった。しかるに、従来の方法では
、最外殻層が、Ｎｉ、Ｃｕ−Ｎｉ合金であるため、半田
濡れ性が十分でなく、特に長時間放置後の半田濡れ性は
かなシ悪く、十分に実用に耐えるものではないという大
きな欠点を有していた。
発明の目的
本発明の目的は、このような従来の問題点に鑑み、初期
は勿論、長時間放置後でも半田濡れ性が良く、十分実用
に耐え得る積層セラミックコンデンサの端子電極形成方
法を提供することにある。
は勿論、長時間放置後でも半田濡れ性が良く、十分実用
に耐え得る積層セラミックコンデンサの端子電極形成方
法を提供することにある。
発明の構成
この目的を達成するために本発明の積層セラミックコン
デンサの端子電極形成方法は、積層セラミックコンデン
サ素子の内部電極引出し部に、第１層としてＮｉ、Ｃｕ
、Ｎｉ−０ｒ合金、Ｎｉ−Ｃ１ｕ合金の中より選択され
た一種以上の金属をスパッタリングにより付着させた後
、その上に第２層としてＮｉ 、Ｃｕ 、Ｎｉ−Ｃｕ合
金の中より選択された一種以上の金属で第１層と異なる
金属をスパッタリングまたはメッキにより形成し、更に
その上にＳｎまたは５ｎ−Ｐｂ合金をメッキにより形成
するものであり、これによりセラミックとの接着力が強
く、しかも半田くわれに対して強く、導電性も良好で長
時間放置後でも半田濡れ性の良い端子電極となるもので
ある。
デンサの端子電極形成方法は、積層セラミックコンデン
サ素子の内部電極引出し部に、第１層としてＮｉ、Ｃｕ
、Ｎｉ−０ｒ合金、Ｎｉ−Ｃ１ｕ合金の中より選択され
た一種以上の金属をスパッタリングにより付着させた後
、その上に第２層としてＮｉ 、Ｃｕ 、Ｎｉ−Ｃｕ合
金の中より選択された一種以上の金属で第１層と異なる
金属をスパッタリングまたはメッキにより形成し、更に
その上にＳｎまたは５ｎ−Ｐｂ合金をメッキにより形成
するものであり、これによりセラミックとの接着力が強
く、しかも半田くわれに対して強く、導電性も良好で長
時間放置後でも半田濡れ性の良い端子電極となるもので
ある。
次に、各層の役割について述べる０
第１層に用いる金属は主として、セラミックに対する接
着強度を確保する役割を有し、第２層は主として、端子
電極全体の導電性を良くすると同時に、半田くわれを防
止する役割を持ち、そして、第３層は主として、端子電
極全体の導電性を良くすると同時に、半田濡れ性を確保
する役割を持つ。
着強度を確保する役割を有し、第２層は主として、端子
電極全体の導電性を良くすると同時に、半田くわれを防
止する役割を持ち、そして、第３層は主として、端子電
極全体の導電性を良くすると同時に、半田濡れ性を確保
する役割を持つ。
更Ｋ、第１層、第１層と第２層、第１層と第２層と第３
層は、積層セラミックコンデンサの内部電極との間で合
金を形成し、十分な結合全確保する役割も持っている。
層は、積層セラミックコンデンサの内部電極との間で合
金を形成し、十分な結合全確保する役割も持っている。
実施例の説明
以下本発明の実施例につき、図面を参照しながら説明す
る。
る。
第３図は本発明による端子電極の拡大断面図である。第
３図において、６はスパッタリングにより形成された５
ｏ○入〜１０００人のＮｉ−０ｒ合金層、７はスパッタ
リングによって形成された０、３〜０．５ ｐｍのＣｕ
−Ｎｉ （Ｃｕ ：Ｎｉ ：３０ ニア０）合金層、
８は電気メッキによって形成された１〜３ｐｍの５ｎ−
Ｐｂ（Ｓｎ：Ｐｂ＝９０：１０）合金層である。
３図において、６はスパッタリングにより形成された５
ｏ○入〜１０００人のＮｉ−０ｒ合金層、７はスパッタ
リングによって形成された０、３〜０．５ ｐｍのＣｕ
−Ｎｉ （Ｃｕ ：Ｎｉ ：３０ ニア０）合金層、
８は電気メッキによって形成された１〜３ｐｍの５ｎ−
Ｐｂ（Ｓｎ：Ｐｂ＝９０：１０）合金層である。
ここで、スパッタは直流二極スパッタ装置を用い、Ｉ
Ｘ１０ Ｔｏｒｒのアルゴ°ンガス中で行った。
Ｘ１０ Ｔｏｒｒのアルゴ°ンガス中で行った。
積層セラミックコンデンサ素子は、真空の外で、油脂分
、塩分、ゴミ等を洗浄により除去した。スパッタリング
中の積層セラミックコンデンサ素子＋７）加ｆｌｉｌＨ
１５０’Ｃ〜２００”Ｃで行った。
、塩分、ゴミ等を洗浄により除去した。スパッタリング
中の積層セラミックコンデンサ素子＋７）加ｆｌｉｌＨ
１５０’Ｃ〜２００”Ｃで行った。
第４図に本発明による端子電極の半田濡れ性加速劣化試
験結果を従来例と比較して示す。
験結果を従来例と比較して示す。
なお、ここに用いた半田濡れ性の評価は、日本電子機械
工業会規格ＲＣ−３６９８Ｂに準拠した。
工業会規格ＲＣ−３６９８Ｂに準拠した。
但し、半田にはＪＩ Ｓ Ｚ ３２８２（７）Ｈ６３Ａ
を使用した。また、加速劣化試験としては６０°Ｃ１９
ｏ〜９６％ＲＨの雰囲気中に放置する方法を採用した。
を使用した。また、加速劣化試験としては６０°Ｃ１９
ｏ〜９６％ＲＨの雰囲気中に放置する方法を採用した。
供試サンプル数は各１０個で、図には半田で覆われた面
積の全電極面積に対する比を半田濡れ面積比として、そ
の平均値を示した。同図において、９は従来の方法によ
るもの、１ｏは本発明による端子電極の半田濡れ性の劣
化曲線である。
積の全電極面積に対する比を半田濡れ面積比として、そ
の平均値を示した。同図において、９は従来の方法によ
るもの、１ｏは本発明による端子電極の半田濡れ性の劣
化曲線である。
以上のように本実施例によれば、第１層［Ｎｉ−０ｒ合
金、第２層にＮｉ−Ｃｕ合金、第３層に５ｎ−Ｐｂ合金
層を用いているので、接着強度の強い、半田くわれの発
生し難い、電導度の良い、そして、半田濡れ性の良い端
子電極を得ることができる。
金、第２層にＮｉ−Ｃｕ合金、第３層に５ｎ−Ｐｂ合金
層を用いているので、接着強度の強い、半田くわれの発
生し難い、電導度の良い、そして、半田濡れ性の良い端
子電極を得ることができる。
なお、以上の実施例では第１層にＮｉ−Ｃ１ｒを用いた
が、これはＮｉ、Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｕ合金でも良く、また
第２層にはＣｕ−Ｎｉを用いたが、これＶｉＮｉ。
が、これはＮｉ、Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｕ合金でも良く、また
第２層にはＣｕ−Ｎｉを用いたが、これＶｉＮｉ。
Ｃｕでも良く、更に第３層に５ｎ−Ｐｂ合金を用いたが
、これはＳｎでも良いことが実験により確かめられてい
る。
、これはＳｎでも良いことが実験により確かめられてい
る。
また、上記実施例中の膜厚等具体的数値は一つの実施例
に過ぎず、これに限定されるものではない。更に、第２
層をスパッタリングにより形成したが、これはメッキで
も良い。
に過ぎず、これに限定されるものではない。更に、第２
層をスパッタリングにより形成したが、これはメッキで
も良い。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明は第１層にＮｉ
、Ｃｕ、Ｎｉ−０ｒ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金のような、セ
ラミックに対して接着強度の強い金属を用い、第２層と
して、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｕ合金のような導電性が良
くて、半田くわれが発生し難い金属を用い、第３層とし
て、導電性が良くて、半田濡れ性の良い金属を用いてい
るので、接着強度が強く、半田〈われが発生し難く、か
つ導電性の良い、そして、長時間放置でも半田濡れ性の
良いという優れた端子電極が得られる。これにより従来
の殆どの積層セラミックコンデンサにおいて使用されて
いた高価なＡｇ−Ｐｄ合金、Ａｇが省略でき、電極コス
トが釣部に低減できるという、産業上大きな波及的効果
が得られる。
、Ｃｕ、Ｎｉ−０ｒ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金のような、セ
ラミックに対して接着強度の強い金属を用い、第２層と
して、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｕ合金のような導電性が良
くて、半田くわれが発生し難い金属を用い、第３層とし
て、導電性が良くて、半田濡れ性の良い金属を用いてい
るので、接着強度が強く、半田〈われが発生し難く、か
つ導電性の良い、そして、長時間放置でも半田濡れ性の
良いという優れた端子電極が得られる。これにより従来
の殆どの積層セラミックコンデンサにおいて使用されて
いた高価なＡｇ−Ｐｄ合金、Ａｇが省略でき、電極コス
トが釣部に低減できるという、産業上大きな波及的効果
が得られる。
第１図は一般的な積層セラミックコンデンサの断面図、
第２図は積層セラミックコンデンサの従来の端子電極の
拡大断面図、第３図は本発明の−Ｃｕ−Ｎｉ合金層、ａ
・−−ｓｎ−ｐｂ合金層。 第１図 第２図
第２図は積層セラミックコンデンサの従来の端子電極の
拡大断面図、第３図は本発明の−Ｃｕ−Ｎｉ合金層、ａ
・−−ｓｎ−ｐｂ合金層。 第１図 第２図
Claims (1)
- 積層セラミックコンデンサ素子の内部電極引出し部に、
第１層としてＮｉ 、 Ｏｕ 、 Ｎｉ −Ｏｒ金合金
）ｉｉ＝ Ｃｕ合金の中より□選択された一種以上の金
属をスパッタリングにより付着させた後、その上に第２
層とし′ｃ′Ｎｉ 、 Ｏｕ 、Ｎｉ−０ｎ合金の中よ
り選択された一種以上の金属で第１層と異なる金属をス
パッタリングまたはメッキにより形成・し、更にその上
に第３層としてａｎまたは５ｎ−Ｐｂ合金をメッキによ
り形成することを特徴とする積層□セラミックコンデン
サの端子電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5258284A JPS60195915A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5258284A JPS60195915A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60195915A true JPS60195915A (ja) | 1985-10-04 |
Family
ID=12918793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5258284A Pending JPS60195915A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60195915A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01206615A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型貫通コンデンサ |
| JPH03208323A (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-11 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コンデンサ |
-
1984
- 1984-03-19 JP JP5258284A patent/JPS60195915A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01206615A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型貫通コンデンサ |
| JPH03208323A (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-11 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コンデンサ |
| JPH07120598B2 (ja) * | 1990-01-10 | 1995-12-20 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
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