JPH03208323A - 積層コンデンサ - Google Patents
積層コンデンサInfo
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
極構造が改良された積層コンデンサに関する。
して複数枚のセラミックグリーンシートを複数枚積層し
、一体焼成して得られた焼結体を利用して構成されてい
る。この周知の積層コンデンサの一例を第2図に断面図
で示す。積層コンデンサ1では、セラミック焼結体2内
に、内部電極3a〜3eがセラミック層4を介して重な
り合うように配置されている。そして、焼結体2の対向
端面に外部電極5a、5bが形成されており、外部電極
5a、5bは、それぞれ、内部電極3a。
−Pd等の貴金属を用いて構成されている。これは、セ
ラミック焼結体2の焼成に際し高温の雰囲気にさらされ
るため、高融点の材料を用いる必要があること、並びに
焼成に際し酸化され難いことが要求されるからである。
ため、近年、ニッケルや銅等の卑金属を内部電極材料と
して用いた積層コンデンサが注目されている。
内部電極材料として実際に用いられている卑金属は、ニ
ッケル及び銅である。
合には、内部電極とセラミックス層との接合強度が低く
、デラミネーションや層剥がれが生じ易いという問題が
あった。
ロファイルの制御が難しく、また低融点(1060°C
)であるため、その温度以下で焼成可能な非還元性のセ
ラミック材料を用いることが必要であり、用い得るセラ
ミック材料の種類が限定されるという問題があった。
コンデンサにおける上記のような問題点を解消し、内部
電極材料としてニジケルまたはニジケル−銅合金を用い
ながら、内部電極とセラミックスとの接合強度が高く、
デラミネーション等が生じ難い積層コンデンサを提供す
ることにある。
重なり合うように複数の内部電極が配置されており、内
部電極間の静電容量を取り出すために所定の内部電極に
接続されるように一対の外部電極が焼結体側面に設けら
れた積層コンデンサにおいて、下記の構成を備えること
を特徴とする。
りなり、かつ該内部電極が、ニッケル銅合金またはニツ
ケル−銅合金及び銅からなる中間層を間に介してセラミ
ック層に接合されていることを特徴とする。
ック層との間に、ニッケルまたはニッケル合金に対して
強固に接合されるニツケル−銅合金またはニツケル−銅
合金及び銅からなる中間層が設けられている。このニツ
ケル−銅合金またはニツケル−銅合金及び銅からなる中
間層は、銅を含有するため、セラミック層に強固に接合
される。
極は、セラミック層との接合強度に優れた中間層を間に
介して間接的にセラミックと接合され、それによってセ
ラミックと内部電極との接合強度が高められている。
て、純度99%以上のBaC0,、CaCO3、Zr0
1及びTi1tを、組成式%式%) となるように秤量した。秤量された原料粉末を混合・仮
焼し、誘電体セラミックス原料粉末を得た。
散剤及び消泡剤を含む混合水溶液を15重量%添加し、
50重量%の水をさらに加えボールミルで混合粉砕し、
スラリーを調製した。
ート状に成形し、厚み35μmのグリーンシートを得た
。
、ニツケル−銅合金よりなる中間層12を0.05μm
の厚みに、該中間層12上にニジケルよりなる内部電極
13を0.6μmの厚みに、さらに内部電極13上に再
度ニツケル−銅合金よりなる中間層14を0.05μm
の厚みに、蒸着により積層形成し、電極パターンを得た
。
グリーンシート上に熱転写した。
トを積層し、厚み方向に熱圧着し、積層体を得た。得ら
れた積層体の内部電極パターンが引出されている対向端
面に、ニッケル粉末とホウケイ酸亜鉛ガラスとが添加さ
れた外部電極形成用導電ペーストを塗布した。
度に加熱し、有機バインダを燃焼させた後、酸素分圧1
0−” 〜10−” MPaのH,−N。
300°Cで2時間焼成し、第1図に示す積層コンデン
サを得た。
は、セラミック焼結体15内に、複数の内部電極13が
間にセラミック層16を介して重なり合うように配置さ
れている。各内部電極13は、中間層12.14を間に
介在させて各セラミック層16に接合されている。なお
、17a、17bは外部電極を示す。
のとおりである。
して得られた積層コンデンサ及び従来の積層コンデンサ
を、下記の要領で評価した。
を、自動ブリッジ式測定器を用い、それぞれの試料の積
層コンデンサに、1kH!、IVrmsの電圧を印加す
ることにより行った0次に、絶縁抵抗(R)を測定する
ために、絶縁抵抗計を用い、50Vの電圧を2分間印加
した。そして、静電容量(C)と絶縁抵抗(R)とのC
R積を求めた。
デンサを比較例として作製し、同様に電気的特性を測定
した。
では、Ni−Cu合金からなる中間層が内部電極とセラ
ミック層との間に設けられているため、誘電損失が改善
され、また静電容量も0゜16μFから0.19μFに
増加したことがわかる。
、比較例の積層コンデンサでは、内部電極とセラミック
層との間にデラミネーションが生していたが、本実施例
の積層コンデンサでは層側がれもデラミネーションも生
じておらず、中間層を設けることにより内部電極とセラ
ミック層との接合強度が高められていることがわかった
。
を成形した。
、銅よりなる第1の中間層12aを0゜03μmの厚み
に、その上にニツケル−銅合金よりなる第2の中間層1
2bを0.03μmの厚みに、さらに中間層12b上に
ニッケルよりなる内部電極13を0.5μmの厚みに、
該内部電極13上に、再度ニツケル−銅合金よりなる第
2の中間層14bを0.03μmの厚みに、該中間層1
4b上に銅よりなる第1の中間層14aを0.03μm
の厚みに蒸着し、電極パターンを形成した。
ンシート上に熱転写した。しかる後、実施例1とまった
く同一の手順により積層コンデンサを得た。
間層が、セラミックス側に配置された銅よりなる第1の
中間層12a、14aと、内部電極側に配置されたニツ
ケル−銅合金よりなる第2の中間層12b、14bとの
複合体により構成されていることを除いては、実施例1
で用意した積層コンデンサと同様の構造を有する。
りである。
して得た実施例2の積層コンデンサの電気的特性を、実
施例1の場合と同様にして測定した。なお、比較のため
に、中間層が設けられていない従来の積層コンデンサを
比較例として用意し、同一条件に基づいて電気的特性を
測定した。結果を、下記の第2表に示す。
では、第1.第2の中間層が内部電極とセラミック層と
の間に設けられているため、誘電損失が2.3%から0
.2%に改善され、また静電容量も0.16μFから0
,20μFに増加したことがわかる。CR積についても
、5000ΩFから5800ΩFに高められたことがわ
かる。
察したところ、比較例の積層コンデンサでは内部電極と
セラミック層との間に剥がれやデラミネーションが生し
ていた。これに対して、実施例2の積層コンデンサでは
、剥がれもデラミネーションもまったく生じておらず、
従って第1゜第2の中間層が内部電極とセラミック層と
の間に介在されることにより、内部電極とセラミック層
との接合強度が高められていることがわかる。
ル合金よりなる内部電極とセラミック層との接合強度が
、内部電極とセラミック層との間に介在されたニツケル
−銅合金またはニツケル−銅合金及び銅からなる中間層
により効果的に高められる。従って、安価の卑金属材料
であるニッケルまたはニッケル合金を内部電極材料とし
て用いた積層コンデンサにおいて層側がれやデラミネー
ションの発生を防止することができ、さらに静電容量、
誘it損失及びCR積等の特性も改善される。
、第2図は従来の積層コンデンサの一例を示す断面図、
第3図は実施例1で用意される内部電極及び中間層を説
明するための側面図、第4図は実施例2で用意される内
部電極及び中間層を説明するための側面図である。 図において、12.14は中間層、13は内部電極、1
5はセラミック焼結体、16はセラミック層、17a、
17bは外部電極、12a、14aは第1の中間層、1
2b、12bは第2の中間層を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 セラミック焼結体と、 前記セラミック焼結体内に、セラミック層を介して重な
り合うように配置された複数の内部電極と、 前記内部電極間で静電容量を取り出すために、所定の内
部電極に電気的に接続されるように前記焼結体の側面に
設けられた一対の外部電極とを備える積層コンデンサに
おいて、 前記内部電極が、ニッケルまたはニッケル合金からなり
、かつ該内部電極が、ニツケル−銅合金またはニッケル
−銅合金及び銅からなる中間層を間に介在されて前記セ
ラミック層に接合されていることを特徴とする積層コン
デンサ。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7629269B2 (en) | 2005-03-31 | 2009-12-08 | Intel Corporation | High-k thin film grain size control |
US7656644B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-02-02 | Intel Corporation | iTFC with optimized C(T) |
US7733626B2 (en) * | 2004-10-21 | 2010-06-08 | Intel Corporation | Passive device structure |
WO2012120913A1 (ja) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
JP2013514672A (ja) * | 2009-12-16 | 2013-04-25 | アプリコット マテリアルズ テクノロジーズ,エル.エル.シー. | 表面積の大きな3次元電極を備えるキャパシタ及び製造方法 |
US8499426B2 (en) | 2005-06-29 | 2013-08-06 | Intel Corporation | Methods of making thin film capacitors |
US8885322B2 (en) | 2010-10-12 | 2014-11-11 | Apricot Materials Technologies, LLC | Ceramic capacitor and methods of manufacture |
US20230238183A1 (en) * | 2022-01-27 | 2023-07-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Three-terminal multilayer ceramic capacitor |
US20230245821A1 (en) * | 2022-02-03 | 2023-08-03 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer electronic component |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5648463A (en) * | 1979-09-29 | 1981-05-01 | Matsushita Electric Works Ltd | Vertical gutter stay |
JPS56167318A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-23 | Taiyo Yuden Kk | Porcelain capacitor |
JPS60195915A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-04 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 |
JPS61144813A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミツクコンデンサとその製造方法 |
-
1990
- 1990-01-10 JP JP2004270A patent/JPH07120598B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5648463A (en) * | 1979-09-29 | 1981-05-01 | Matsushita Electric Works Ltd | Vertical gutter stay |
JPS56167318A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-23 | Taiyo Yuden Kk | Porcelain capacitor |
JPS60195915A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-04 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 |
JPS61144813A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミツクコンデンサとその製造方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7733626B2 (en) * | 2004-10-21 | 2010-06-08 | Intel Corporation | Passive device structure |
US7629269B2 (en) | 2005-03-31 | 2009-12-08 | Intel Corporation | High-k thin film grain size control |
US7656644B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-02-02 | Intel Corporation | iTFC with optimized C(T) |
US7755165B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-07-13 | Intel Corporation | iTFC with optimized C(T) |
US8499426B2 (en) | 2005-06-29 | 2013-08-06 | Intel Corporation | Methods of making thin film capacitors |
JP2013514672A (ja) * | 2009-12-16 | 2013-04-25 | アプリコット マテリアルズ テクノロジーズ,エル.エル.シー. | 表面積の大きな3次元電極を備えるキャパシタ及び製造方法 |
US9343231B2 (en) | 2009-12-16 | 2016-05-17 | Liang Chai | Methods for manufacture a capacitor with three-dimensional high surface area electrodes |
US8885322B2 (en) | 2010-10-12 | 2014-11-11 | Apricot Materials Technologies, LLC | Ceramic capacitor and methods of manufacture |
US10037849B2 (en) | 2010-10-12 | 2018-07-31 | Apricot Materials Technologies, LLC | Ceramic capacitor and methods of manufacture |
WO2012120913A1 (ja) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
US20230238183A1 (en) * | 2022-01-27 | 2023-07-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Three-terminal multilayer ceramic capacitor |
US20230245821A1 (en) * | 2022-02-03 | 2023-08-03 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer electronic component |
US11837406B2 (en) * | 2022-02-03 | 2023-12-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer electronic component |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPH07120598B2 (ja) | 1995-12-20 |
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