JPS60176215A - 積層セラミツクコンデンサ−の端子電極形成方法 - Google Patents
積層セラミツクコンデンサ−の端子電極形成方法Info
- Publication number
- JPS60176215A JPS60176215A JP59031578A JP3157884A JPS60176215A JP S60176215 A JPS60176215 A JP S60176215A JP 59031578 A JP59031578 A JP 59031578A JP 3157884 A JP3157884 A JP 3157884A JP S60176215 A JPS60176215 A JP S60176215A
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- JP
- Japan
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- multilayer ceramic
- ceramic capacitor
- nickel
- tin
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分骨
本発明は積層セラミックコンデンサーの端子電極形成方
法に関する。
法に関する。
従来例の構成とその問題点
積層セラミックコンデンサーは電子機器の小型化および
プリント基板に自動的に装着する装着機の開発および普
及と相俟って最近その需要が急増している。
プリント基板に自動的に装着する装着機の開発および普
及と相俟って最近その需要が急増している。
従来の積層セラミックコンデンサーは第１図に示す如く
誘電体セラミック１とその中に埋め込まれた内部電極２
からなる積層セラミックコンデンサ一本体および各内部
電極２と接続した端子電極３とから構成されており、通
常上記端子電極３は銀ペーストを塗布し、高温で焼付け
ることによって形成されている。
誘電体セラミック１とその中に埋め込まれた内部電極２
からなる積層セラミックコンデンサ一本体および各内部
電極２と接続した端子電極３とから構成されており、通
常上記端子電極３は銀ペーストを塗布し、高温で焼付け
ることによって形成されている。
かかる積層セラミックコンデンサーを例えばプリント配
線基板に実装する場合、上記端子電極３をプリント配線
基板に半田によりろう接している。このとき銅端子電極
３はいわゆる銀くわれ（電極くわれ）が生ずる。この電
極くわれを防止するための一つの手段として外部電極３
として少量のパラジウムを含有させた銀−パラジウムが
用いられている。しかしながらパラジウムを含有させる
と製造原価が高くなるばかりでなく、銀−パラジウム電
極は半田付時の耐熱性が充分保証できない欠点を有して
いた。一般。
線基板に実装する場合、上記端子電極３をプリント配線
基板に半田によりろう接している。このとき銅端子電極
３はいわゆる銀くわれ（電極くわれ）が生ずる。この電
極くわれを防止するための一つの手段として外部電極３
として少量のパラジウムを含有させた銀−パラジウムが
用いられている。しかしながらパラジウムを含有させる
と製造原価が高くなるばかりでなく、銀−パラジウム電
極は半田付時の耐熱性が充分保証できない欠点を有して
いた。一般。
に積層セラミックコンデンサーの端子電極には半田付性
および半田付時の耐熱性の良好なことが要求されている
。この観点から銀または銀−パラジウム電極上に半田耐
熱性を改良するため、通常の電気メツキ法でニッケルメ
ッキを施し、更にその上に半田付性を改良するため通常
の電気メツキ法で錫または錫−鉛合金のメッキを施すこ
とが行なわれている。このように端子電極を三層構造に
することによって端子電極の半田付性および半田９耐熱
性は改良されている。
および半田付時の耐熱性の良好なことが要求されている
。この観点から銀または銀−パラジウム電極上に半田耐
熱性を改良するため、通常の電気メツキ法でニッケルメ
ッキを施し、更にその上に半田付性を改良するため通常
の電気メツキ法で錫または錫−鉛合金のメッキを施すこ
とが行なわれている。このように端子電極を三層構造に
することによって端子電極の半田付性および半田９耐熱
性は改良されている。
しかしながら上述した三層構造にメッキ処理すると製造
された積層セラミックコンデンサーの誘導損失（ｔａｎ
δ）が大きくなるものが発生する。特に高誘電率系の積
層セラミックコンデンサーにおいては、一般にｔａｎδ
が１％以上と比較的大きいので、これらのメッキ処理の
影響も顕著でない。しかし温度補償用積層セラミックコ
ンデンサーにおいてはｔａｎδの値が小さく、従ってＱ
（＝１ ／ ｔａｎδ）の値が大きく、規格では例え
ば静電容量が３０Ｐｐ以上のとき、Ｑ≧１０００ （ｔ
ａｎδ≦０．１％）となっている。かかる温度補償用積
層セラミックコンデンサーにおいては、上述した如（ｔ
ａｎδが大きくなる、即ちＱの値が規格未満となるＱ不
良が発生して問題となる。
された積層セラミックコンデンサーの誘導損失（ｔａｎ
δ）が大きくなるものが発生する。特に高誘電率系の積
層セラミックコンデンサーにおいては、一般にｔａｎδ
が１％以上と比較的大きいので、これらのメッキ処理の
影響も顕著でない。しかし温度補償用積層セラミックコ
ンデンサーにおいてはｔａｎδの値が小さく、従ってＱ
（＝１ ／ ｔａｎδ）の値が大きく、規格では例え
ば静電容量が３０Ｐｐ以上のとき、Ｑ≧１０００ （ｔ
ａｎδ≦０．１％）となっている。かかる温度補償用積
層セラミックコンデンサーにおいては、上述した如（ｔ
ａｎδが大きくなる、即ちＱの値が規格未満となるＱ不
良が発生して問題となる。
一方積層セラミックコンデンサーの急激な需要の増大と
共にその価格の低下がめられ、その一つの手段として製
造に直接使用される材料の原価の低下が大きな問題とな
っている。上述した従来の積層セラミックコンデンサー
の端子電極に用いられている銀または銀−パラジウムは
電気メツキ処理する際の電極としての機能を有している
ものの貴金属であり、材料費中の大きな部分を占め原価
低下を阻害する大きな要因をなしている。
共にその価格の低下がめられ、その一つの手段として製
造に直接使用される材料の原価の低下が大きな問題とな
っている。上述した従来の積層セラミックコンデンサー
の端子電極に用いられている銀または銀−パラジウムは
電気メツキ処理する際の電極としての機能を有している
ものの貴金属であり、材料費中の大きな部分を占め原価
低下を阻害する大きな要因をなしている。
発明の目的
従って本発明の目的は、半田付性および半田耐熱性にす
ぐれ、ｔａｎδの安定化を図り、更に低原価を実現可能
にした積層セラミックコンデンサーの端子電極形成方法
を提供することにある。
ぐれ、ｔａｎδの安定化を図り、更に低原価を実現可能
にした積層セラミックコンデンサーの端子電極形成方法
を提供することにある。
発明の構成
本発明は積層セラミックコンデンサ一本体の端子電極を
形成すべき面を予め粗面化した後、端子電極材料をプラ
ズマ溶射法により上記粗面化した積層セラミックコンデ
ンサ一本体面に付着させることからなる積層セラミック
コンデンサーの端子電極を形成する方法にある。
形成すべき面を予め粗面化した後、端子電極材料をプラ
ズマ溶射法により上記粗面化した積層セラミックコンデ
ンサ一本体面に付着させることからなる積層セラミック
コンデンサーの端子電極を形成する方法にある。
また本発明は上記プラズマ溶射法を二工程に分け、第一
工程で電極材料としてニッケルまたはニッケル合金を溶
射し、第二工程で錫または錫−鉛合金を溶射することに
よって行なう。使用しうるニッケル合金としてはニッケ
ルークロム合金、ニッケル銅合金等がある。
工程で電極材料としてニッケルまたはニッケル合金を溶
射し、第二工程で錫または錫−鉛合金を溶射することに
よって行なう。使用しうるニッケル合金としてはニッケ
ルークロム合金、ニッケル銅合金等がある。
本発明で上述した電極材料、特に第一工程でのニッケル
またはニッケル合金をプラズマ溶射する前にセラミック
誘電体およびその中に埋め込まれた内部電極からなる積
層セラミックコンデンサ一本体の端子電極形成面を粗面
化する理由は、粗面化せずに上記電極材料をプラズマ溶
射して形成した電極とセラミックとの間の接着強度が充
分でなく剥離する危険性がある、しかしながら本発明に
従い粗面化した後上記電極材料をプラズマ溶射すると、
形成された電極とセラミックとの間の接着強度が向上し
、剥離等の欠陥を生じなくなるためである。
またはニッケル合金をプラズマ溶射する前にセラミック
誘電体およびその中に埋め込まれた内部電極からなる積
層セラミックコンデンサ一本体の端子電極形成面を粗面
化する理由は、粗面化せずに上記電極材料をプラズマ溶
射して形成した電極とセラミックとの間の接着強度が充
分でなく剥離する危険性がある、しかしながら本発明に
従い粗面化した後上記電極材料をプラズマ溶射すると、
形成された電極とセラミックとの間の接着強度が向上し
、剥離等の欠陥を生じなくなるためである。
本発明に従い積層セラミツオコンデンサー本体の粗面化
を行なうに当っては公知の任意のかかる粗面化手段、例
えばサンドブラスト法、スパッタエツチング法、化学エ
ツチング法等を使用できる。あるいは水の如き媒体中に
砥粒例えばコンデレサーに用いられているセラミックよ
り硬度の高い金属またはセラミック粒子を懸濁させたス
ラリー中で攪拌することによって行なうこともできる。
を行なうに当っては公知の任意のかかる粗面化手段、例
えばサンドブラスト法、スパッタエツチング法、化学エ
ツチング法等を使用できる。あるいは水の如き媒体中に
砥粒例えばコンデレサーに用いられているセラミックよ
り硬度の高い金属またはセラミック粒子を懸濁させたス
ラリー中で攪拌することによって行なうこともできる。
なかでもサンドブラスト法が好ましい。
上述した如く本発明に従い第一工程でニッケルまたはニ
ッケル合金を使用してプラズマ溶射して第一の電極層を
形成すると、完成した積層セラミックコンデンサーを他
の機器例えばプリント配線基板に半田付するときの半田
による電極くわれを防止し、半田耐熱性を良くすること
ができる。また本発明に従い上述した如く第二工程で錫
または錫−鉛合金を使用してプラズマ溶射して上記ニッ
ケルまたはニッケル合金電極層上に第二の電極層を形成
すると、上記半田付時の半田瀝れ性を良くし、半田付性
を良くすることができる。
ッケル合金を使用してプラズマ溶射して第一の電極層を
形成すると、完成した積層セラミックコンデンサーを他
の機器例えばプリント配線基板に半田付するときの半田
による電極くわれを防止し、半田耐熱性を良くすること
ができる。また本発明に従い上述した如く第二工程で錫
または錫−鉛合金を使用してプラズマ溶射して上記ニッ
ケルまたはニッケル合金電極層上に第二の電極層を形成
すると、上記半田付時の半田瀝れ性を良くし、半田付性
を良くすることができる。
実施例の説明
次に本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第２図は本発明により積層セラミックコンデンサ一本体
を粗面化する方法の説明図である。
を粗面化する方法の説明図である。
セラミック誘電体中に内部電極を埋め込み焼成した積層
セラミックコンデンサ一本体４を治具５中に装着し、上
記積層セラミックコンデンサーの端子電極を形成すべき
面６を治具５から少し突出するように露出させる。上記
面６に対し、通常のサンドブラスト装置７から酸化アル
ミニウムまたはその他の通常使用されるブラスト材粒子
８を吹き付は上記面６を粗面化する。
セラミックコンデンサ一本体４を治具５中に装着し、上
記積層セラミックコンデンサーの端子電極を形成すべき
面６を治具５から少し突出するように露出させる。上記
面６に対し、通常のサンドブラスト装置７から酸化アル
ミニウムまたはその他の通常使用されるブラスト材粒子
８を吹き付は上記面６を粗面化する。
上述した如く粗面化した積層セラミックコンデンサ一本
体４の面６上にニッケルまたはニッケル合金をプラズマ
溶射する。
体４の面６上にニッケルまたはニッケル合金をプラズマ
溶射する。
第３図は上記溶射を実施するための説明図であり、第４
図は本発明方法により形成された端子電極を有する積層
セラミックコンデンサーの断面図である。
図は本発明方法により形成された端子電極を有する積層
セラミックコンデンサーの断面図である。
第３図に示す如く、治具５中に装着され、上述した如く
粗面化された面を有する積層セラミックコンデンサー４
の面６に対し、従来より使用されているプラズマスプレ
ーガン９によりニッケルまたはニッケル合金を溶射して
第一電極層１０を形成する（第４図参照）。次に同じプ
ラズマスレーガン９により錫または錫−鉛合金を溶射し
て第４図′に示す如く上記ニッケルまたはニッケル合金
層１０の上に錫または錫−鉛合金層１１を形成する。、 次に積層セラミックコンデンサ一本体４の面６に対向す
る面１２を露出するように治具５に装着し、上述した方
法を繰返すことによって対向面１２を粗面化し、その面
にニッケルまたはニッケル合金の第一層１ｏおよび錫ま
たは錫−鉛合金・Ｄ第二層１１を溶射形成する。
粗面化された面を有する積層セラミックコンデンサー４
の面６に対し、従来より使用されているプラズマスプレ
ーガン９によりニッケルまたはニッケル合金を溶射して
第一電極層１０を形成する（第４図参照）。次に同じプ
ラズマスレーガン９により錫または錫−鉛合金を溶射し
て第４図′に示す如く上記ニッケルまたはニッケル合金
層１０の上に錫または錫−鉛合金層１１を形成する。、 次に積層セラミックコンデンサ一本体４の面６に対向す
る面１２を露出するように治具５に装着し、上述した方
法を繰返すことによって対向面１２を粗面化し、その面
にニッケルまたはニッケル合金の第一層１ｏおよび錫ま
たは錫−鉛合金・Ｄ第二層１１を溶射形成する。
かくして形成されたニッケルまたはニッケル合金の第一
層および錫または錫−鉛合金の第二層の厚みはそれぞれ
１ｏ±２ ｆｉｍとなった。
層および錫または錫−鉛合金の第二層の厚みはそれぞれ
１ｏ±２ ｆｉｍとなった。
上述した如く端子電極を形成した積層セラミックコンデ
ンサーは、半田付性、半田耐熱性および引張り強さに優
れ、温度補償コンデンサーとしてＱ不良が全く発生しな
かった。
ンサーは、半田付性、半田耐熱性および引張り強さに優
れ、温度補償コンデンサーとしてＱ不良が全く発生しな
かった。
なお電極層１０および１１の厚さはプラズマ溶射時間、
使用する不活性ガスの流速、金属粒径および印加電圧を
変えることにより自由に選択することができることは明
らかである。
使用する不活性ガスの流速、金属粒径および印加電圧を
変えることにより自由に選択することができることは明
らかである。
またプラズマ溶射により形成される電極層の材料は他の
金属材料でも自白に選択できる。
金属材料でも自白に選択できる。
発明の効果
本発明方法により作られる積層セラミックコンデンサー
は、例えばプリント配線基板等に実装する場合の半田付
性および半田耐熱性にすぐれ、温度補償用積層セラミッ
クコンデンサーにおいてはＱ不良が発生せず、更に従来
の銀および／またはパラジウムの如き貴金属を使用して
いないことにより、・大幅なコストダウンを図ることが
できる。
は、例えばプリント配線基板等に実装する場合の半田付
性および半田耐熱性にすぐれ、温度補償用積層セラミッ
クコンデンサーにおいてはＱ不良が発生せず、更に従来
の銀および／またはパラジウムの如き貴金属を使用して
いないことにより、・大幅なコストダウンを図ることが
できる。
第１図は従来の積層セラミックコンデンサーの断面図で
あり、第２図は積層セラミックコンデンサ一本体を粗面
化する方法の説明図であり、第３図はプラズマ溶射を実
施するための説明図であり、第４図は本発明により形成
された端子電極を有する積層セラミックコンデンサーの
断面図である。 ４は積層セラミックコンデンサ一本体、６は粗面化され
る面、１０はニッケルまたはニッケル合金電極層、１１
は錫または錫−鉛合金電極層。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図
あり、第２図は積層セラミックコンデンサ一本体を粗面
化する方法の説明図であり、第３図はプラズマ溶射を実
施するための説明図であり、第４図は本発明により形成
された端子電極を有する積層セラミックコンデンサーの
断面図である。 ４は積層セラミックコンデンサ一本体、６は粗面化され
る面、１０はニッケルまたはニッケル合金電極層、１１
は錫または錫−鉛合金電極層。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、積層セラミックコンデンサ一本体の端子電極を形成
すべき面を予め粗面化した後、端子電極材料をプラズマ
溶射法により上記粗面化した積層セラミック本体面に付
着させることを特徴とする積層セラミックコンデンサー
の端子電極形成方法。 ２、 プラズマ溶射を二工程に分け、第一工程でニッケ
ルまたはニッケル合金を溶射し、第二工程で錫または錫
−鉛合金を溶射する特許請求の範囲第１項記載の端子電
極形成方法。 ３、粗面化をサンドブラスト法、スパッタエツチング法
、化学エツチング法、または金属あるいはセラミック粒
子スラリー中で攪拌する方法で行なう特許請求の範囲第
１項記載の端子電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59031578A JPS60176215A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 積層セラミツクコンデンサ−の端子電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59031578A JPS60176215A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 積層セラミツクコンデンサ−の端子電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60176215A true JPS60176215A (ja) | 1985-09-10 |
Family
ID=12335063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59031578A Pending JPS60176215A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 積層セラミツクコンデンサ−の端子電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60176215A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7589951B2 (en) | 2006-02-27 | 2009-09-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated electronic component and method for manufacturing the same |
| US8154849B2 (en) | 2005-10-28 | 2012-04-10 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Laminated electronic component |
| JP2017118087A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-02-22 JP JP59031578A patent/JPS60176215A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8154849B2 (en) | 2005-10-28 | 2012-04-10 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Laminated electronic component |
| US7589951B2 (en) | 2006-02-27 | 2009-09-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated electronic component and method for manufacturing the same |
| JP2017118087A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
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