JPH08236387A - 面実装電子部品とその製造方法 - Google Patents
面実装電子部品とその製造方法Info
- Publication number
- JPH08236387A JPH08236387A JP7033787A JP3378795A JPH08236387A JP H08236387 A JPH08236387 A JP H08236387A JP 7033787 A JP7033787 A JP 7033787A JP 3378795 A JP3378795 A JP 3378795A JP H08236387 A JPH08236387 A JP H08236387A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- electrode
- electronic component
- glass
- surface mount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 実装不良の起きない面実装電子部品を提供す
ることを目的とする。 【構成】 積層セラミックコンデンサ素子５の両端面に
凸状になるようにメッキ下地電極用導電性ペーストを塗
布し、焼成するとメッキ下地電極７ａ，７ｂを得るとと
もに、このメッキ下地電極７ａ，７ｂの表面の中央部分
を厚く塗布した部分にガラス層８ａ，８ｂが析出する。
その後、積層セラミックコンデンサのプリント基板への
半田付け性を保証するために、メッキ下地電極７ａ，７
ｂの表面にメッキ９ａ，９ｂを行い外部電極１０ａ，１
０ｂを形成する。
ることを目的とする。 【構成】 積層セラミックコンデンサ素子５の両端面に
凸状になるようにメッキ下地電極用導電性ペーストを塗
布し、焼成するとメッキ下地電極７ａ，７ｂを得るとと
もに、このメッキ下地電極７ａ，７ｂの表面の中央部分
を厚く塗布した部分にガラス層８ａ，８ｂが析出する。
その後、積層セラミックコンデンサのプリント基板への
半田付け性を保証するために、メッキ下地電極７ａ，７
ｂの表面にメッキ９ａ，９ｂを行い外部電極１０ａ，１
０ｂを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は面実装電子部品とその製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化軽量化に伴い、面実装
部品は広く一般的に用いられてきている。従来より面実
装部品のプリント基板への半田付け方法は図３のごとく
部品１を接着剤にてプリント基板３上に固定した後、半
田槽に浸漬するフロー半田付け法と、部品１をクリーム
半田にてプリント基板３上に設けたランド４上に固定し
た後、熱をかけ半田２を溶融するリフロー半田付け法が
ある。部品１への熱ダメージ及びプリント基板３の高密
度実装化をふまえ現在はリフロー半田付けが主流となっ
ている。
部品は広く一般的に用いられてきている。従来より面実
装部品のプリント基板への半田付け方法は図３のごとく
部品１を接着剤にてプリント基板３上に固定した後、半
田槽に浸漬するフロー半田付け法と、部品１をクリーム
半田にてプリント基板３上に設けたランド４上に固定し
た後、熱をかけ半田２を溶融するリフロー半田付け法が
ある。部品１への熱ダメージ及びプリント基板３の高密
度実装化をふまえ現在はリフロー半田付けが主流となっ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記方法によるとリフ
ロー半田付けは、熱をかけ半田２を溶融する過程で、部
品１の左右の半田２の溶融スピードのわずかの差で、図
３に示すようなマンハッタン現象と呼ばれる実装不良、
すなわち部品１が立ち上がってしまう現象が発生するこ
とがある。面実装部品、特に積層セラミックコンデンサ
は小型化が進み、現在１ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍ
の製品が商品化されている。この様な超小型部品は軽量
であり回転モーメントも小さいためこのマンハッタン現
象が発生しやすかった。
ロー半田付けは、熱をかけ半田２を溶融する過程で、部
品１の左右の半田２の溶融スピードのわずかの差で、図
３に示すようなマンハッタン現象と呼ばれる実装不良、
すなわち部品１が立ち上がってしまう現象が発生するこ
とがある。面実装部品、特に積層セラミックコンデンサ
は小型化が進み、現在１ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍ
の製品が商品化されている。この様な超小型部品は軽量
であり回転モーメントも小さいためこのマンハッタン現
象が発生しやすかった。
【０００４】このためプリント基板３のランド４の形
状、半田２の溶融のプロファイル検討を行いこのマンハ
ッタン現象の発生を抑えてきたが限界があった。
状、半田２の溶融のプロファイル検討を行いこのマンハ
ッタン現象の発生を抑えてきたが限界があった。
【０００５】そこで本発明は、実装不良の起きない面実
装電子部品を提供することを目的とするものである。
装電子部品を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、素子の端面に半田付け不可能な物質を含む
電極ペーストを塗布し、次にこの素子を焼成し電極を形
成するとともに、この電極の表面に半田付け不可能な物
質を析出させるものである。
に本発明は、素子の端面に半田付け不可能な物質を含む
電極ペーストを塗布し、次にこの素子を焼成し電極を形
成するとともに、この電極の表面に半田付け不可能な物
質を析出させるものである。
【０００７】
【作用】この構成によると電極の表面に半田付け不可能
な層ができるので、プリント基板上に実装する際、半田
の電極への濡れあがりを抑えることができ、半田の収縮
による回転力を小さくしマンハッタン現象の発生を防ぎ
実装不良を抑えることができる。
な層ができるので、プリント基板上に実装する際、半田
の電極への濡れあがりを抑えることができ、半田の収縮
による回転力を小さくしマンハッタン現象の発生を防ぎ
実装不良を抑えることができる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の一実施例について積層セラミッ
クコンデンサを例に説明する。
クコンデンサを例に説明する。
【０００９】図１，２は本実施例における積層セラミッ
クコンデンサの断面図と斜視図である。
クコンデンサの断面図と斜視図である。
【００１０】まず、セラミック層と内部電極６とを内部
電極が相対向する端面に露出するように交互に積層して
積層セラミックコンデンサ素子５を形成する。
電極が相対向する端面に露出するように交互に積層して
積層セラミックコンデンサ素子５を形成する。
【００１１】次に、この積層セラミックコンデンサ素子
５の内部電極６の露出した両端面に、導電性金属粉末と
メッキ液に溶解することのない耐酸性の強いガラスフリ
ットとを含むメッキ下地電極用導電性ペーストを塗布す
る。このとき導電性金属粉末としては、Ａｇ，Ａｇ−Ｐ
ｄＣｕ，Ｎｉなどがあり、メッキ液に溶解することのな
い耐酸性の強いガラスフリットとしては、ホウケイ酸鉛
系ガラスフリットなどが考えられる。またホウケイ酸鉛
系ガラスフリットは、酸化鉛の含有率が５０ｗｔ％以下
のものを用い、メッキ下地電極用導電性ペースト中に６
〜１２％含まれることが望ましい。さらに、メッキ下地
電極用導電性ペーストは、塗布膜が凸状になるようにす
なわち、積層セラミックコンデンサ素子５の端面の中央
部分が周囲よりも厚くなるように塗布することが望まし
い。このためその塗布方法としては、メッキ下地電極用
導電性ペーストに対して、積層セラミックコンデンサ素
子５の端面を鉛直方向に浸漬して塗布すると効率的であ
る。
５の内部電極６の露出した両端面に、導電性金属粉末と
メッキ液に溶解することのない耐酸性の強いガラスフリ
ットとを含むメッキ下地電極用導電性ペーストを塗布す
る。このとき導電性金属粉末としては、Ａｇ，Ａｇ−Ｐ
ｄＣｕ，Ｎｉなどがあり、メッキ液に溶解することのな
い耐酸性の強いガラスフリットとしては、ホウケイ酸鉛
系ガラスフリットなどが考えられる。またホウケイ酸鉛
系ガラスフリットは、酸化鉛の含有率が５０ｗｔ％以下
のものを用い、メッキ下地電極用導電性ペースト中に６
〜１２％含まれることが望ましい。さらに、メッキ下地
電極用導電性ペーストは、塗布膜が凸状になるようにす
なわち、積層セラミックコンデンサ素子５の端面の中央
部分が周囲よりも厚くなるように塗布することが望まし
い。このためその塗布方法としては、メッキ下地電極用
導電性ペーストに対して、積層セラミックコンデンサ素
子５の端面を鉛直方向に浸漬して塗布すると効率的であ
る。
【００１２】次に、このようにしてメッキ下地電極用導
電性ペーストの塗布を行った積層セラミックコンデンサ
素子５を焼成すると、内部電極６と電気的に接続したメ
ッキ下地電極７ａ，７ｂを得るとともに、このメッキ下
地電極７ａ，７ｂの表面の中央部分つまりメッキ下地電
極用導電性ペーストを厚く塗布した部分の表面にガラス
層８ａ，８ｂが析出する。これは、メッキ下地電極７
ａ，７ｂとなる金属の焼結のほうがガラスの溶融よりも
早く起きるとともに、メッキ下地電極７ａ，７ｂの厚い
場所にガラスが集まるという、電極の厚みによるガラス
の集まり方の差を利用したものである。
電性ペーストの塗布を行った積層セラミックコンデンサ
素子５を焼成すると、内部電極６と電気的に接続したメ
ッキ下地電極７ａ，７ｂを得るとともに、このメッキ下
地電極７ａ，７ｂの表面の中央部分つまりメッキ下地電
極用導電性ペーストを厚く塗布した部分の表面にガラス
層８ａ，８ｂが析出する。これは、メッキ下地電極７
ａ，７ｂとなる金属の焼結のほうがガラスの溶融よりも
早く起きるとともに、メッキ下地電極７ａ，７ｂの厚い
場所にガラスが集まるという、電極の厚みによるガラス
の集まり方の差を利用したものである。
【００１３】その後、積層セラミックコンデンサのプリ
ント基板への半田付け性を保証するために、メッキ下地
電極７ａ，７ｂの表面にメッキ９ａ，９ｂを行い外部電
極１０ａ，１０ｂを形成する。このときメッキ下地電極
７ａ，７ｂの表面に析出したガラス層８ａ，８ｂ上には
メッキされないとともに、メッキ液に溶解することのな
い耐酸性の強いガラスフリットを用いているのでガラス
層８ａ，８ｂが侵されることはない。また、メッキ９
ａ，９ｂを行わなくてもプリント基板への半田付け性が
保証されるような電極を形成する場合は、特にメッキ９
ａ，９ｂを行う必要はなく、ガラスフリットにしても耐
酸性の強いものを用いる必要もない。
ント基板への半田付け性を保証するために、メッキ下地
電極７ａ，７ｂの表面にメッキ９ａ，９ｂを行い外部電
極１０ａ，１０ｂを形成する。このときメッキ下地電極
７ａ，７ｂの表面に析出したガラス層８ａ，８ｂ上には
メッキされないとともに、メッキ液に溶解することのな
い耐酸性の強いガラスフリットを用いているのでガラス
層８ａ，８ｂが侵されることはない。また、メッキ９
ａ，９ｂを行わなくてもプリント基板への半田付け性が
保証されるような電極を形成する場合は、特にメッキ９
ａ，９ｂを行う必要はなく、ガラスフリットにしても耐
酸性の強いものを用いる必要もない。
【００１４】次に、このようにして得られた積層セラミ
ックコンデンサの内部電極６を露出させた端面部分の外
部電極１０ａ，１０ｂの表面積に対するガラス層８ａ，
８ｂの割合と、マンハッタン現象と呼ばれる実装不良の
発生率との関係を（表１）に示す。
ックコンデンサの内部電極６を露出させた端面部分の外
部電極１０ａ，１０ｂの表面積に対するガラス層８ａ，
８ｂの割合と、マンハッタン現象と呼ばれる実装不良の
発生率との関係を（表１）に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】（表１）を見てもわかるように、ガラス層
８ａ，８ｂの占める割合が大きくなるにつれてマンハッ
タン現象は発生しにくくなっており、ガラス層８ａ，８
ｂの占める割合が１／９以上になるとマンハッタン現象
の発生率は皆無となる。ただし、外部電極１０ａ，１０
ｂの表面全体がガラス層８ａ，８ｂで覆われているとプ
リント基板への半田付けが不可能となるので、半田付け
は保証できるようにガラス層８ａ，８ｂを形成しなくて
はならない。
８ａ，８ｂの占める割合が大きくなるにつれてマンハッ
タン現象は発生しにくくなっており、ガラス層８ａ，８
ｂの占める割合が１／９以上になるとマンハッタン現象
の発生率は皆無となる。ただし、外部電極１０ａ，１０
ｂの表面全体がガラス層８ａ，８ｂで覆われているとプ
リント基板への半田付けが不可能となるので、半田付け
は保証できるようにガラス層８ａ，８ｂを形成しなくて
はならない。
【００１７】次に、積層セラミックコンデンサ端面の外
部電極１０ａ，１０ｂ表面におけるガラス層８ａ，８ｂ
の位置と、マンハッタン現象と呼ばれる実装不良の発生
率との関係を（表２）に示す。
部電極１０ａ，１０ｂ表面におけるガラス層８ａ，８ｂ
の位置と、マンハッタン現象と呼ばれる実装不良の発生
率との関係を（表２）に示す。
【００１８】
【表２】
【００１９】（表２）を見てもわかるように、外部電極
１０ａ，１０ｂの中央部分にガラス層８ａ，８ｂを形成
した方がマンハッタン現象の発生をもっとも効果的に防
ぐことができる。
１０ａ，１０ｂの中央部分にガラス層８ａ，８ｂを形成
した方がマンハッタン現象の発生をもっとも効果的に防
ぐことができる。
【００２０】なお、本実施例においては外部電極１０
ａ，１０ｂの表面にガラス層８ａ，８ｂを形成したが、
外部電極１０ａ，１０ｂとなる金属よりも融点が高い金
属で半田付けが不可能な物質であれば、外部電極１０
ａ，１０ｂの表面に形成する層としては、どのようなも
のでも構わない。
ａ，１０ｂの表面にガラス層８ａ，８ｂを形成したが、
外部電極１０ａ，１０ｂとなる金属よりも融点が高い金
属で半田付けが不可能な物質であれば、外部電極１０
ａ，１０ｂの表面に形成する層としては、どのようなも
のでも構わない。
【００２１】また、本実施例においては積層セラミック
コンデンサを例に説明したが、積層バリスタ、積層サー
ミスタ、チップ抵抗器など、面実装電子部品全般におい
て効果がある。
コンデンサを例に説明したが、積層バリスタ、積層サー
ミスタ、チップ抵抗器など、面実装電子部品全般におい
て効果がある。
【００２２】
【発明の効果】以上本発明によると面実装電子部品の端
面の電極表面上に半田付け不可能な物質を析出させるこ
とにより半田付け不可能な層を形成し、プリント基板へ
実装する際、半田の電極への漏れあがりを抑え、半田の
収縮による回転力を小さくし、マンハッタン現象の発生
を防ぐことができるので実装不良を防ぐことができる。
面の電極表面上に半田付け不可能な物質を析出させるこ
とにより半田付け不可能な層を形成し、プリント基板へ
実装する際、半田の電極への漏れあがりを抑え、半田の
収縮による回転力を小さくし、マンハッタン現象の発生
を防ぐことができるので実装不良を防ぐことができる。
【００２３】また、電極を凸状に形成し、電極の厚さに
よる半田付け不可能な物質の集まり方の差を利用するこ
とにより、特殊な加工を必要とせず凸状電極の頂上部近
傍に半田付けが不可能な層を設けることができる。
よる半田付け不可能な物質の集まり方の差を利用するこ
とにより、特殊な加工を必要とせず凸状電極の頂上部近
傍に半田付けが不可能な層を設けることができる。
【図１】本発明の一実施例における積層セラミックコン
デンサの断面図
デンサの断面図
【図２】本発明の一実施例における積層セラミックコン
デンサの斜視図
デンサの斜視図
【図３】従来発生していたマンハッタン現象を説明する
側面図
側面図
５ 積層セラミックコンデンサ素子 ８ａ ガラス層 ８ｂ ガラス層 １０ａ 外部電極 １０ｂ 外部電極
Claims (7)
- 【請求項１】 素子と、この素子の両端面に設けた電極
と、この電極の表面に設けた半田付け不可能な層とを備
えた面実装電子部品。 - 【請求項２】 半田付け不可能な層は電極の中央部分に
位置する請求項１記載の面実装電子部品。 - 【請求項３】 半田付け不可能な層は電極面積の１／９
以上を占める請求項１記載の面実装電子部品。 - 【請求項４】 半田付け不可能な層はガラスを主成分と
する物質よりなる請求項１記載の面実装電子部品。 - 【請求項５】 ガラスはホウケイ酸鉛ガラスを用いる請
求項４記載の面実装電子部品。 - 【請求項６】 素子の端面に半田付け不可能な物質を含
む電極ペーストを塗布し、次にこの素子を焼成し電極を
形成するとともに、この電極の表面に半田付け不可能な
物質を析出させる面実装電子部品の製造方法。 - 【請求項７】 素子を電極ペーストに対して鉛直方向に
浸漬し、この素子の端面に電極ペーストを塗布する請求
項６記載の面実装電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7033787A JPH08236387A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | 面実装電子部品とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7033787A JPH08236387A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | 面実装電子部品とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236387A true JPH08236387A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=12396191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7033787A Pending JPH08236387A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | 面実装電子部品とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08236387A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013222912A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミック電子部品 |
| JP2013225679A (ja) * | 2013-05-22 | 2013-10-31 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミックコンデンサ |
| JP2014017470A (ja) * | 2012-06-12 | 2014-01-30 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コンデンサ |
| JP2018018960A (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | シャント抵抗器 |
-
1995
- 1995-02-22 JP JP7033787A patent/JPH08236387A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013222912A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミック電子部品 |
| CN103377828A (zh) * | 2012-04-19 | 2013-10-30 | 株式会社村田制作所 | 层叠型陶瓷电子部件 |
| US9251958B2 (en) | 2012-04-19 | 2016-02-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic electronic component |
| US9460853B2 (en) * | 2012-04-19 | 2016-10-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic electronic component |
| JP2014017470A (ja) * | 2012-06-12 | 2014-01-30 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コンデンサ |
| US9502178B2 (en) | 2012-06-12 | 2016-11-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic capacitor |
| JP2013225679A (ja) * | 2013-05-22 | 2013-10-31 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミックコンデンサ |
| JP2018018960A (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | シャント抵抗器 |
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