JPS60130814A - 積層セラミツクコンデンサの外部電極形成方法 - Google Patents
積層セラミツクコンデンサの外部電極形成方法Info
- Publication number
- JPS60130814A JPS60130814A JP23914683A JP23914683A JPS60130814A JP S60130814 A JPS60130814 A JP S60130814A JP 23914683 A JP23914683 A JP 23914683A JP 23914683 A JP23914683 A JP 23914683A JP S60130814 A JPS60130814 A JP S60130814A
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- JP
- Japan
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- ceramic capacitor
- multilayer ceramic
- external electrode
- electrode
- electrode layer
- Prior art date
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- Pending
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- Ceramic Capacitors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、積層セラミックコンデンサの外部電極形成方
法に関する。
法に関する。
従来例の構成とその問題点
近年、積層セラミックコンデンザは小型で大容量が取れ
るため、電子機器の小型化に伴い需要が急増している。
るため、電子機器の小型化に伴い需要が急増している。
従来の積層セラミックコンデンサの外部電極形成方法に
ついて図面を参照しながら説明する。
ついて図面を参照しながら説明する。
第１図は、従来の積層セラミノクコンデンザの構成図で
ある。
ある。
第１図において％ １は誘電体セラミック、２は内部電
極、３はＡｇ −Ｐａ Ｊ：り構成される外部電極であ
る。外部電極３はさらにムｇ −Ｐｄ電極層４、はんだ
耐熱性を向上させるためムｇ −Ｐｄ電極層４の上に設
けられたＮｉ電極層６、ならびにはんだ付性全長くする
ため設けられたＳｎ ＝ Ｐｂ電極層６よりなる。
極、３はＡｇ −Ｐａ Ｊ：り構成される外部電極であ
る。外部電極３はさらにムｇ −Ｐｄ電極層４、はんだ
耐熱性を向上させるためムｇ −Ｐｄ電極層４の上に設
けられたＮｉ電極層６、ならびにはんだ付性全長くする
ため設けられたＳｎ ＝ Ｐｂ電極層６よりなる。
このような構成にすることにより確かに、はんだ耐熱性
、はんだ付性は向上したが、メッキ処理をすることによ
り誘電損失（以下ｔａｎδと称す）が太きくなるという
問題点が生じてくる。ぞして、特にこの問題は温度補償
用の積層セラミックコンデンサにおいて重要な問題とな
る。更にＡｇ −Ｐ（１電極層４は電気メッキを処理す
る際の電極としての機能をしているが、貴金属であるた
めコスト高となるという問題を有していた。
、はんだ付性は向上したが、メッキ処理をすることによ
り誘電損失（以下ｔａｎδと称す）が太きくなるという
問題点が生じてくる。ぞして、特にこの問題は温度補償
用の積層セラミックコンデンサにおいて重要な問題とな
る。更にＡｇ −Ｐ（１電極層４は電気メッキを処理す
る際の電極としての機能をしているが、貴金属であるた
めコスト高となるという問題を有していた。
発明の目的
本発明は上記欠点“に鑑み、誘電損失の小さな更にコス
ト、ダウン、の可りビな憚層セラミックコンデンサを提
供するものである。
ト、ダウン、の可りビな憚層セラミックコンデンサを提
供するものである。
゛発明の構成
上記目的を達成するため本発明の積層セラミック・・デ
・ザの外部電極形成方法献積層セラミックコンデンサの
外部電極を金属のプラズマ溶射法によって形成するもの
で”ある。
・ザの外部電極形成方法献積層セラミックコンデンサの
外部電極を金属のプラズマ溶射法によって形成するもの
で”ある。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について図面を参照し、なから
説明する。
説明する。
第２図は、積層セラミックコンデンザの外部電極の形成
−を示伊図゛ソ゛ある。
−を示伊図゛ソ゛ある。
同図において、７は積層セラミックコンデンサ載置台で
積層セラミックコンデンサ８を載置スるものである。９
はプラズマジェットガンである。
積層セラミックコンデンサ８を載置スるものである。９
はプラズマジェットガンである。
以下、その形成方法について簡単に説明する。
まず、積層セラミックコンデンサ８を外部電極の一端側
を上へ向けて積層セラミックコンデンサ載置台７に載置
し、プラズマジェットガン９にてＮｉ をプラズマ溶射
して外部電極を形成する。同様にして他端側にも外部電
極を形成する。
を上へ向けて積層セラミックコンデンサ載置台７に載置
し、プラズマジェットガン９にてＮｉ をプラズマ溶射
して外部電極を形成する。同様にして他端側にも外部電
極を形成する。
第３図は本発明方法によって製造された積層セラミック
コンデンサの構成図である。同図において、１ＯはＮｉ
電極層、１１［５ｎ−Ｐｂ電極層である。
コンデンサの構成図である。同図において、１ＯはＮｉ
電極層、１１［５ｎ−Ｐｂ電極層である。
第４図に従来例と本発明の一実施例における積層セラミ
ックコンデンサのＱ値の比較を示している。
ックコンデンサのＱ値の比較を示している。
同図からも明らかのように本発明によりＱが従来に比べ
てかなり大きくなった。
てかなり大きくなった。
なお、本実施例では、電極を構成するものとして、Ｎｉ
、 Ｓｎ −Ｐｂを金属としたが他の金属でもよい、
０ 発明の効果 以上のように本発明によれば外部電極層が３層から２層
となった、のでコストダウンが図れ、更に。
、 Ｓｎ −Ｐｂを金属としたが他の金属でもよい、
０ 発明の効果 以上のように本発明によれば外部電極層が３層から２層
となった、のでコストダウンが図れ、更に。
外部電極を形成する際、メッキ処理をせずプラズマ溶射
によって形成しているので誘電損失の小さい積層セラミ
ックコンデンサを得ることができる。
によって形成しているので誘電損失の小さい積層セラミ
ックコンデンサを得ることができる。
第１図は従来の積層セラミックコンデンサの構成図、第
２図は本発明の一実施例における積層セラミックコンデ
ンサの外部電極の形成方法を説明するための図、第３図
は同セラミックコンデンサの構成図、第４図は従来例と
本発明の一実施例における積層セラミックコンデンザの
Ｑ値を示す図である。 １・・・・・・誘電体セラミック、２・・・・・・内部
電極、７・・・・・・積層セラミックコンデンサ載置台
、８・・・・・・積層セラミックコンデンサ、９・・・
・・・プラズマジェットガン、１０・・・・・・Ｎｉ電
極層、１１・・・・・・Ｓｎ −Ｐｂ電極層。 代ｙ１１人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名
第１図 第３図 第４図
２図は本発明の一実施例における積層セラミックコンデ
ンサの外部電極の形成方法を説明するための図、第３図
は同セラミックコンデンサの構成図、第４図は従来例と
本発明の一実施例における積層セラミックコンデンザの
Ｑ値を示す図である。 １・・・・・・誘電体セラミック、２・・・・・・内部
電極、７・・・・・・積層セラミックコンデンサ載置台
、８・・・・・・積層セラミックコンデンサ、９・・・
・・・プラズマジェットガン、１０・・・・・・Ｎｉ電
極層、１１・・・・・・Ｓｎ −Ｐｂ電極層。 代ｙ１１人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名
第１図 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）積層セラミックコンデンサの外部電極を金属のプ
ラズマ溶射法によって形成したことを特徴とする積層セ
ラミックコンデンサの外部電極形成方法。 - （２）外部電極は第１電極層がＮｉ、第１電極層金覆う
第２電極層がＳｎ −Ｐｂから構成される特許請求の範
囲第１項記載の積層セラミックコンデンサの外部電極形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23914683A JPS60130814A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | 積層セラミツクコンデンサの外部電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23914683A JPS60130814A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | 積層セラミツクコンデンサの外部電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60130814A true JPS60130814A (ja) | 1985-07-12 |
Family
ID=17040436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23914683A Pending JPS60130814A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | 積層セラミツクコンデンサの外部電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60130814A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0385715A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の電極形成方法 |
-
1983
- 1983-12-19 JP JP23914683A patent/JPS60130814A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0385715A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の電極形成方法 |
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