JPH04123413A - 積層薄膜コンデンサ - Google Patents
積層薄膜コンデンサInfo
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- JPH04123413A JPH04123413A JP2244429A JP24442990A JPH04123413A JP H04123413 A JPH04123413 A JP H04123413A JP 2244429 A JP2244429 A JP 2244429A JP 24442990 A JP24442990 A JP 24442990A JP H04123413 A JPH04123413 A JP H04123413A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子機器等に使用される積層薄膜コンデンサに
関する。
関する。
従来の技術
近年、電子機器等の小形化、高性能化、高密度実装化が
進むなかで、電子部品の小形化および高密度実装化に対
する要望が高まってきており、電子部品のチップ化も急
速に進展しつつある。既に知られているとおり、コンデ
ンサの小形化を図るためには、誘電体の誘電率を大きく
するか、誘電体の厚みを薄くする手段がある。
進むなかで、電子部品の小形化および高密度実装化に対
する要望が高まってきており、電子部品のチップ化も急
速に進展しつつある。既に知られているとおり、コンデ
ンサの小形化を図るためには、誘電体の誘電率を大きく
するか、誘電体の厚みを薄くする手段がある。
一方、誘電体として無機材料を用いた場合は、外部電極
としては導電性ペーストを塗布して焼成した後、電気め
っき法等により半田層を形成したものが多く用いられて
いる。しかしながら、誘電体として有機材料を用いた場
合には無機材料のような高温での焼成が不可能であるた
め、無機、有機のどちらの誘電体材料にも適用可能であ
り、さらに、焼付は電極形成法よりも安価に外部電極を
形成する手段として、金属溶射法の検討も進められてい
る。中でも、溶射時に金属粒子の酸化が極力防止でき、
優れた半田付は性を実現できる手段として減圧プラズマ
溶射法を用いて内部電極からの引出電極部を形成し、そ
の上に良好な生産性の得られる溶融めっき法等により半
田めっき層を形成する手段が検討されている。
としては導電性ペーストを塗布して焼成した後、電気め
っき法等により半田層を形成したものが多く用いられて
いる。しかしながら、誘電体として有機材料を用いた場
合には無機材料のような高温での焼成が不可能であるた
め、無機、有機のどちらの誘電体材料にも適用可能であ
り、さらに、焼付は電極形成法よりも安価に外部電極を
形成する手段として、金属溶射法の検討も進められてい
る。中でも、溶射時に金属粒子の酸化が極力防止でき、
優れた半田付は性を実現できる手段として減圧プラズマ
溶射法を用いて内部電極からの引出電極部を形成し、そ
の上に良好な生産性の得られる溶融めっき法等により半
田めっき層を形成する手段が検討されている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のような構成では、溶融めっき時等
での熱影響により減圧プラズマ溶射金属層表面が酸化し
てしまうため、実装時の半田付は不良の発生率が高いこ
とが判明した。
での熱影響により減圧プラズマ溶射金属層表面が酸化し
てしまうため、実装時の半田付は不良の発生率が高いこ
とが判明した。
また、生産性を低下させずに半田めっき層を形成するた
めに、バレルめっき法も検討されたが、半田めっき浴の
酸性度が高いため、めっき時間によっては減圧プラズマ
溶射法にて形成された溶射金属層を溶解してしまい、部
分的に外部電極が形成されない可能性があるという課題
を有していた。
めに、バレルめっき法も検討されたが、半田めっき浴の
酸性度が高いため、めっき時間によっては減圧プラズマ
溶射法にて形成された溶射金属層を溶解してしまい、部
分的に外部電極が形成されない可能性があるという課題
を有していた。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、誘電体材料
の種類によらず、低コストで良好な半田付は性を有する
積層薄膜コンデンサの実現を目的とする。
の種類によらず、低コストで良好な半田付は性を有する
積層薄膜コンデンサの実現を目的とする。
課題を解決するための手段
上記の目的を達成するために、本発明の積層薄膜コンデ
ンサは、絶縁基板上に内部電極と薄膜誘電体層を交互に
積層したコンデンサ素子部を設け、そのコンデンサ素子
部の両端面に減圧プラズマ溶射法により溶射金属層を設
け、その溶射金属層上に中間めっき層を介して半田めっ
き層を設けた構成とした。
ンサは、絶縁基板上に内部電極と薄膜誘電体層を交互に
積層したコンデンサ素子部を設け、そのコンデンサ素子
部の両端面に減圧プラズマ溶射法により溶射金属層を設
け、その溶射金属層上に中間めっき層を介して半田めっ
き層を設けた構成とした。
作用
本発明は上記構成により、金属溶射層表面の酸化が防止
され、半田めっき浴の金属溶射層への影響を防止するこ
とができる。
され、半田めっき浴の金属溶射層への影響を防止するこ
とができる。
実施例
以下、本発明の積層薄膜コンデンサにつき、実施例にも
とづいて、具体的に説明する。
とづいて、具体的に説明する。
第１図は本発明の積層薄膜コンデンサの断面図である。
図において、ｌは絶縁基板で、そのコンデンサ素子部の
対向部となる部分の表面の平均中心線粗さが０．０１μ
ｍ以下となるようにグレーズ処理された厚みが０．６３
５１１ｎのアルミナ基板を用いている。２は内部電極で
、アルミニウムが約５００Ａの厚みで蒸着されている。
対向部となる部分の表面の平均中心線粗さが０．０１μ
ｍ以下となるようにグレーズ処理された厚みが０．６３
５１１ｎのアルミナ基板を用いている。２は内部電極で
、アルミニウムが約５００Ａの厚みで蒸着されている。
３は薄膜誘電体層で、蒸着重合法によりボリュリアの膜
が０．４μｍの厚みで形成されている。この内部電る。
が０．４μｍの厚みで形成されている。この内部電る。
４は２μｍの厚みに形成された窒化シリコンからなる保
護膜である。５は内部電極２から外部電極を引出すため
、減圧プラズマ溶射法によって約５０μｍの厚みに形成
された銅の溶射金属層である。６は中間めっき層で、中
性浴であるスルファミン酸ニッケル浴中でバレルめっき
法により、ニッケルを１μｍの厚さで形成している。、
７は半田めっき層で、酸性浴である有機酸浴中で、バレ
ルめっき法により半田を８μｍの厚みで形成した。
護膜である。５は内部電極２から外部電極を引出すため
、減圧プラズマ溶射法によって約５０μｍの厚みに形成
された銅の溶射金属層である。６は中間めっき層で、中
性浴であるスルファミン酸ニッケル浴中でバレルめっき
法により、ニッケルを１μｍの厚さで形成している。、
７は半田めっき層で、酸性浴である有機酸浴中で、バレ
ルめっき法により半田を８μｍの厚みで形成した。
以上の構成で、対向面積が１．２８ｍ＋／、積層数が１
０層で静電容量値が約１０００ｐＦ、素子寸法が３．２
ｍＸ１．６ｍの積層薄膜コンデンサを作製した。
０層で静電容量値が約１０００ｐＦ、素子寸法が３．２
ｍＸ１．６ｍの積層薄膜コンデンサを作製した。
比較例
上記実施例に対して比較例は中間めっき層を形成するこ
となく、減圧プラズマ溶射法によって形成された鋼の溶
射金属層上にバレルめっき法により半田めっき層を直接
形成した以外は実施例と同じ構成にて積層薄膜コンデン
サを作製した。この積層薄膜コンデンサの素子寸法は３
．２ｗ＋Ｘ１．６閣で、その静電容量値は１０００ｐＦ
である。
となく、減圧プラズマ溶射法によって形成された鋼の溶
射金属層上にバレルめっき法により半田めっき層を直接
形成した以外は実施例と同じ構成にて積層薄膜コンデン
サを作製した。この積層薄膜コンデンサの素子寸法は３
．２ｗ＋Ｘ１．６閣で、その静電容量値は１０００ｐＦ
である。
実施例および比較例の積層薄膜コンデンサ各２４０個に
ついて、厚さ１，６Ｉのガラスエポキシ印刷配線板上に
装着し、その印刷配線板のランド表面の温度が２３０℃
および２６０℃になるように設定されたフロー半田槽を
用いて半田実装を行なった。この時の半田付けの良否の
判定は、積層薄膜コンデンサの外部電極と印刷配線板の
ランドとの接続部分に形成された半田フィレットの高さ
がそのコンデンサ素子の厚みの２分の１以下のもの、あ
るいは電極喰われ、半田はじき等の発生しているものを
不良品とした。
ついて、厚さ１，６Ｉのガラスエポキシ印刷配線板上に
装着し、その印刷配線板のランド表面の温度が２３０℃
および２６０℃になるように設定されたフロー半田槽を
用いて半田実装を行なった。この時の半田付けの良否の
判定は、積層薄膜コンデンサの外部電極と印刷配線板の
ランドとの接続部分に形成された半田フィレットの高さ
がそのコンデンサ素子の厚みの２分の１以下のもの、あ
るいは電極喰われ、半田はじき等の発生しているものを
不良品とした。
この時の半田付は不良の発生率を次の表に示す。
表
上表に示す結果から明らかなように、中間めっき層を有
する実施例は良好な半田付は性が得られている。これは
、中間めっき層を配置したことによって、減圧プラズマ
溶射法により形成された金属溶射層表面の酸化を防止で
きると共に、バレルめっき法により半田めっき層を形成
する際の半田めっき浴の金属溶射層の溶解等の影響が防
止できたためであると推測できる。
する実施例は良好な半田付は性が得られている。これは
、中間めっき層を配置したことによって、減圧プラズマ
溶射法により形成された金属溶射層表面の酸化を防止で
きると共に、バレルめっき法により半田めっき層を形成
する際の半田めっき浴の金属溶射層の溶解等の影響が防
止できたためであると推測できる。
なお、上記実施例では中間めっき層の形成にバレルめっ
き法を用いたが、無電解めっき法によってもよい。
き法を用いたが、無電解めっき法によってもよい。
発明の効果
本発明の積層薄膜コンデンサは、コンデンサ素子部の両
端面に形成された減圧プラズマ溶射法による溶射金属層
の上に中間めっき層を介在させて半田めっき層を形成し
たため、良好な半田付は性を有するものである。
端面に形成された減圧プラズマ溶射法による溶射金属層
の上に中間めっき層を介在させて半田めっき層を形成し
たため、良好な半田付は性を有するものである。
第１図は本発明の積層薄膜コンデンサの断面図である。
■・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・内部電極、３
・・・・・・薄膜誘電体層、５・・・・・・溶射金属層
、６・・・・・・中間めっき層、 ７・・・・・・半田めっき層。
・・・・・・薄膜誘電体層、５・・・・・・溶射金属層
、６・・・・・・中間めっき層、 ７・・・・・・半田めっき層。
Claims (1)
- 絶縁基板の片面上に内部電極と薄膜誘電体層を交互に
積層したコンデンサ素子部を設け、そのコンデンサ素子
部の両端面に減圧プラズマ溶射法により溶射金属層を設
け、その溶射金属層の上に中間めっき層を介して半田め
っき層を設けたことを特徴とする積層薄膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2244429A JPH04123413A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 積層薄膜コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2244429A JPH04123413A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 積層薄膜コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04123413A true JPH04123413A (ja) | 1992-04-23 |
Family
ID=17118527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2244429A Pending JPH04123413A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 積層薄膜コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04123413A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008251974A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 薄膜部品及び製造方法 |
| EP2284850A1 (en) * | 2009-08-10 | 2011-02-16 | Kojima Press Industry Co., Ltd. | Film capacitor and method of producing the same |
| EP2667392A1 (en) * | 2012-05-25 | 2013-11-27 | Kojima Press Industry Co., Ltd. | Film capacitor element, film capacitor, and method of producing the film capacitor element |
| WO2021140894A1 (ja) * | 2020-01-09 | 2021-07-15 | 株式会社村田製作所 | 電解コンデンサ及び電解コンデンサの製造方法 |
-
1990
- 1990-09-14 JP JP2244429A patent/JPH04123413A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008251974A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 薄膜部品及び製造方法 |
| US7683269B2 (en) | 2007-03-30 | 2010-03-23 | Tdk Corporation | Thin film device and method for manufacturing the same |
| EP2284850A1 (en) * | 2009-08-10 | 2011-02-16 | Kojima Press Industry Co., Ltd. | Film capacitor and method of producing the same |
| US8228661B2 (en) | 2009-08-10 | 2012-07-24 | Kojima Press Industry Co., Ltd. | Film capacitor and method of producing the same |
| EP2667392A1 (en) * | 2012-05-25 | 2013-11-27 | Kojima Press Industry Co., Ltd. | Film capacitor element, film capacitor, and method of producing the film capacitor element |
| US8861178B2 (en) | 2012-05-25 | 2014-10-14 | Kojima Press Industry Co., Ltd. | Film capacitor element, film capacitor, and method of producing the film capacitor element |
| WO2021140894A1 (ja) * | 2020-01-09 | 2021-07-15 | 株式会社村田製作所 | 電解コンデンサ及び電解コンデンサの製造方法 |
| JPWO2021140894A1 (ja) * | 2020-01-09 | 2021-07-15 | ||
| CN114946000A (zh) * | 2020-01-09 | 2022-08-26 | 株式会社村田制作所 | 电解电容器以及电解电容器的制造方法 |
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